中微公司:2020年度向特定对象发行A股股票募集说明书（申报稿）
原标题:中微公司:2020年度向特定对象发行A股股票募集说明书（申报稿） 股票代码：688012股票简称：中微公司 中微半导体设备（上海）股份有限公司 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188号 2020年度向特定对象发行 A股股票 募集说明书 （申报稿） 保荐机构（主承销商） 上海市黄浦区广东路 689号 联席主承销商 广东省深圳市福田区中心三路 8号卓越时代广场（二期）北座 二〇二一年一月 声明明 本公司及全体董事、监事、高级管理人员承诺募集说明书及其他信息披露资 料不存在任何虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性及完整 性承担连带赔偿责任。 公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人保证募集说明书中财务 会计资料真实、完整。 中国证券监督管理委员会、上海证券交易所对本次发行所作的任何决定或意 见，均不表明其对申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证， 也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断 或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。 根据《证券法》的规定，证券依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发 行人自行负责。投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承 担证券依法发行后因发行人经营与收益变化或者证券价格变动引致的投资风险。 1-1-1 目录录 声明..............................................................................................................................1 释义..............................................................................................................................4 一、基本术语............................................................................................................4 二、专业术语............................................................................................................6 第一章发行人的基本情况 .........................................................................................8 一、股权结构、控股股东及实际控制人情况........................................................8 二、所处行业的主要特点及行业竞争情况............................................................9 三、主要业务模式、产品或服务的主要内容......................................................12 四、科技创新水平以及保持科技创新能力的机制或措施..................................18 五、现有业务发展安排及未来发展战略..............................................................21 第二章本次证券发行概要 .......................................................................................24 一、本次发行的背景和目的..................................................................................24 二、发行对象及与发行人的关系..........................................................................26 三、发行证券的价格或定价方式、发行数量、限售期......................................26 四、募集资金投向..................................................................................................28 五、本次发行是否构成关联交易..........................................................................28 六、本次发行是否将导致公司控制权发生变化 ..................................................28 七、本次发行方案取得有关主管部门批准的情况以及尚需呈报批准的程序..29 第三章本次募集资金使用的可行性分析 .............................................................30 一、本次募集资金投资项目的基本情况..............................................................30 二、本次募集资金投资于科技创新领域的主营业务..........................................39 三、本次募集资金投资项目涉及立项、土地、环保等有关审批、批准或备案事 项的进展、尚需履行的程序及是否存在重大不确定性......................................40 四、募集资金用于研发投入的情况......................................................................42 第四章董事会关于本次发行对公司影响的讨论与分析 .......................................46 一、本次发行完成后，上市公司的业务及资产的变动或整合计划..................49 二、本次发行完成后，上市公司科研创新能力的变化......................................51 三、本次发行完成后，上市公司控制权结构的变化..........................................51 1-1-2 四、本次发行完成后，上市公司与发行对象及发行对象的控股股东和实际控制 人从事的业务存在同业竞争或潜在的同业竞争的情况......................................51 五、本次发行完成后，上市公司与发行对象及发行对象的控股股东和实际控制 人可能存在的关联交易的情况..............................................................................52 第五章与本次发行相关的风险因素 .......................................................................53 一、对公司核心竞争力、经营稳定性及未来发展可能产生重大不利影响的因素 .................................................................................................................................53 二、可能导致本次发行失败或募集资金不足的因素..........................................55 三、对本次募投项目的实施过程或实施效果可能产生重大不利影响的因素..55 四、其他风险..........................................................................................................56 第六章与本次发行相关的声明 ...............................................................................59 一、全体董事、监事、高级管理人员声明..........................................................59 二、第一大股东声明 ..............................................................................................62 三、保荐人及其保荐代表人声明..........................................................................63 四、保荐机构董事长、总经理声明......................................................................64 五、联席主承销商声明..........................................................................................65 六、发行人律师声明..............................................................................................66 七、审计机构声明..................................................................................................67 八、发行人董事会声明..........................................................................................68 1-1-3 释义义 本报告中，除非文义另有所指，下列词语或简称具有如下含义： 一、基本术语 公司、中微、中微公司、 发行人 指中微半导体设备（上海）股份有限公司 股东大会指中微半导体设备（上海）股份有限公司股东大会 董事会指中微半导体设备（上海）股份有限公司董事会 监事会指中微半导体设备（上海）股份有限公司监事会 中微开曼指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. 中微亚洲指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. Asia 中微上海指中微半导体（上海）有限公司 上海创投指上海创业投资有限公司 巽鑫投资指巽鑫（上海）投资有限公司 置都投资指置都（上海）投资中心（有限合伙） 悦橙投资指嘉兴悦橙投资合伙企业（有限合伙） 橙色海岸指嘉兴橙色海岸投资合伙企业（有限合伙） 创橙投资指嘉兴创橙投资合伙企业（有限合伙） 和谐锦弘指义乌和谐锦弘股权投资合伙企业（有限合伙） Primrose指 Primrose Capital Limited 国开创新指国开创新资本投资有限责任公司 中微南昌指南昌中微半导体设备有限公司 临港管委会指中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会 南昌智微指南昌智微企业管理合伙企业（有限合伙） 南昌城微指南昌城微置业有限公司 泛林半导体指 Lam Research Corp. 东京电子指 Tokyo Electron Ltd. 应用材料指 Applied Materials, Inc. 维易科指 Veeco Instruments Inc. 爱思强指 Aixtron Co., Ltd. 阿斯麦指 ASML Holding N.V. 科天半导体指 KLA-Tencor Corporation 北方华创指北方华创科技集团股份有限公司 1-1-4 海力士指 SK Hynix Inc. 华虹集团指 华虹半导体（无锡）有限公司、上海华力微电子有限公司、 上海华力集成电路制造有限公司及其同一控制下的关联方 台积电指台湾积体电路制造股份有限公司 中芯国际指 中芯国际集成电路制造有限公司、中芯国际集成电路制造 （上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（深圳）有限公 司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集 成电路新技术研发（上海）有限公司、中芯北方集成电路制 造（北京）有限公司、中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 及其同一控制下的关联方 长江存储指 长江存储科技有限责任公司、武汉新芯集成电路制造有限公 司及其同一控制下的关联方 华邦电子指华邦电子股份有限公司 三安光电指 三安光电股份有限公司、厦门三安光电有限公司、安徽三安 光电有限公司及其同一控制下的关联方 乾照光电指 厦门乾照光电股份有限公司、江西乾照光电有限公司及其同 一控制下的关联方 华灿光电指 华灿光电股份有限公司、华灿光电（浙江）有限公司、华灿 光电（苏州）有限公司及其同一控制下的关联方 璨扬光电指江苏璨扬光电有限公司 江西兆驰指江西兆驰半导体有限公司 联华电子指联华电子股份有限公司 格罗方德指格罗方德半导体新加坡有限公司 博世指 Robert Bosch GmbH 意法半导体指 STMicroelectronics 采钰科技指采钰科技股份有限公司 尹志尧指 GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧），发行人的董事长兼总经 理 保荐人、主承销商指海通证券股份有限公司 审计机构、普华永道指普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙） 发行人律师、锦天城律所指上海市锦天城律师事务所 联席主承销商指中信证券股份有限公司 证监会、中国证监会指中华人民共和国证券监督管理委员会 上交所指上海证券交易所 本次向特定对象发行、本 次发行 指 中微公司以向特定对象发行股票的方式发行 A股股票并募 集资金的行为 发行方案指中微公司本次向特定对象发行 A股方案 定价基准日指发行期首日 《公司法》指《中华人民共和国公司法》 《证券法》指《中华人民共和国证券法》 1-1-5 《科创板上市规则》指《上海证券交易所科创板股票上市规则》 《科创板注册管理办法》指《科创板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》 《公司章程》指《中微半导体设备（上海）股份有限公司章程》 元、万元、亿元指如无特别说明，指人民币元、人民币万元、人民币亿元 报告期指 2017年、2018年、2019年和 2020年 1-9月 二、专业术语 CCP指 Capacitively Coupled Plasma，电容性耦合的等离子体源 CMOS指 Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物 半导体，指制造大规模集成电路芯片用的一种器件结构 CVD指 Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积 DRAM指 Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器 RAM指 Random Access Memory，随机存储器，是一种半导体存储器 ETCH、刻蚀指 用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料 的过程，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是 半导体制造工艺的关键步骤 GaN、氮化镓指 Gallium Nitride，氮和镓的化合物，一种第三代半导体，主 要应用为半导体照明和显示、电力电子器件、激光器和探测 器等领域 Gartner指 IT领域领先的研究与顾问公司，研究范围覆盖从最上游的硬 件设计、制造到最下游终端应用的 IT产业全环节 IC、集成电路指 Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、 二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电 路互联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特 定功能的电路或系统 ICP指 Inductive Coupled Plasma，电感性耦合的等离子体源 IHS Markit指 IHS Markit Ltd.（NASDAQ:INFO）创立于 1959年，总部位 于英国伦敦，是一家全球商业资讯服务的多元化供应商，在 全球范围内为推动经济发展的各个行业和市场提供关键信 息、分析和解决方案 LED指 Light-Emitting Diode，发光二极管 LED外延片指 LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有 蓝宝石、SiC、Si等）上所生长出的特定单晶薄膜 MEMS指 Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统 Mini LED指 介于传统 LED与 Micro LED之间的次毫米发光二极管，意 指晶粒尺寸约在 100微米的 LED Micro LED指 LED微缩化和矩阵化技术，将 LED背光源进行薄膜化、微 小化、阵列化，可以让 LED单元小于 50微米，与 OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）一样能够 实现每个像素单独定址，单独驱动发光 MOCVD指 Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化 学气相沉积，MOCVD设备是 LED芯片生产过程中的关键 设备 1-1-6 NAND Flash指快闪记忆体/资料储存型闪存 nm、纳米指 1纳米=10-9米 SEMI指国际半导体设备材料产业协会 VLSI Research指 集成电路和泛半导体领域领先的研究顾问公司，针对半导体 产业链提供技术、商业和经济方面市场调研和经济分析的公 司。每年对全球集成电路和泛半导体的制造和设备公司进行 评比排序 VOC指 Volatile Organic Compounds，挥发性有机化合物 HPCVD指 Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition，混合物理化学气 相沉积法 LPCVD指 Low Pressure Chemical Vapor Deposition低压力化学气相沉 积法，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积 ALD指 Atomic Layer Deposition原子层沉积，一种可以将物质以单 原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法 EPI指 Epitaxy的英文缩写，一般指在单晶衬底上外延生长一层单 晶材料，可以是同质外延，也可以是异质外延 电介质材料指 在外电场作用下，能建立极化的一切物质，通常在电场中以 感应而非传导的方式呈现其电学性能 分立器件指 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式 半导体器件有二极管、三极管、光电器件等 封装指 封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材 料（如芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀， 并允许芯片连接到电路板的工艺技术 光刻指 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形 传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形 的工艺技术 晶圆、Wafer指用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料 前道、后道指 半导体设备制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻 蚀、清洗、离子注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、 Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等 甚高频指 Very high frequency，频带由 30MHz-300MHz的无线电电波 大马士革指 Damascene，一种芯片制造工艺 先进封装指 先进封装技术，例如 2.5D及 3D芯片技术、晶圆级封装、倒 装芯片封装和硅通孔技术等 注：本募集说明书所涉数据的尾数差异或不符系四舍五入所致。 1-1-7 第一章发行人的基本情况 一、股权结构、控股股东及实际控制人情况 （一）公司基本情况 发行人的基本情况 一、股权结构、控股股东及实际控制人情况 （一）公司基本情况 中文名称中微半导体设备（上海）股份有限公司 英文名称 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China 注册资本 534,862,237元 注册地址上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188号 上市地点上海证券交易所 股票简称中微公司 股票代码 688012 法定代表人尹志尧 董事会秘书刘晓宇 联系电话 021-61001199 经营范围 研发、组装集成电路设备、泛半导体设备和其他微观加工设备及环 保设备，包括配套设备和零配件，销售自产产品。提供技术咨询、 技术服务。（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商 品的，按照国家有关规定办理申请；依法须经批准的项目，经相关 部门批准后方可开展经营活动） （二）股权结构 截至 2020年 9月 30日，发行人前十大股东情况如下： 序号股东名称股东性质 持有股份数量 （股） 持有股份占公 司总股本比例 1上海创投境内法人 96,383,533 18.02% 2巽鑫投资境内法人 93,337,887 17.45% 3南昌智微境内法人 30,644,454 5.73% 4 中微半导体设备（上海）股份有限 公司未确认持有人证券专用账户 其他 24,821,537 4.64% 5悦橙投资境内法人 17,874,188 3.34% 6国开创新境内法人 15,385,344 2.88% 7置都投资境内法人 14,186,415 2.65% 8 PRIMROSE境外法人 13,290,124 2.48% 9 中国工商银行股份有限公司－诺安 成长股票型证券投资基金 其他 13,241,551 2.48% 10 GRENADE PTE. LTD.境外法人 11,442,746 2.14% 1-1-8 序号股东名称股东性质 持有股份数量 （股） 持有股份占公 司总股本比例 合计 -359,407,039 67.18% （三）控股股东及实际控制人 截至本募集说明书签署日，公司无控股股东。公司第一大股东上海创投的持 股比例为 18.02%，第二大股东巽鑫投资的持股比例为 17.45%，两者持股比例接 近。根据公司目前的实际经营管理情况，公司重要决策均属于各方共同参与决策， 公司无实际控制人。 二、所处行业的主要特点及行业竞争情况 （一）公司所处行业的主要特点 公司所处的行业为半导体设备行业，公司生产的微观加工高端装备主要用于 半导体产品的制造，属于高端半导体设备，其中刻蚀设备主要服务于集成电路制 造公司，MOCVD设备主要服务于 LED等光电器件制造公司。 1、所处行业介绍 半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是电子信 息产业的基础支撑，其产品被广泛地应用于电子通信、计算机、网络技术、物联 网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。半导体与信息安全的发展进程 息息相关，半导体产业的发展水平逐渐成为了国家综合实力的象征。 半导体产品种类繁多，不同产品之间设计和功能不尽相同，制造工艺和流程 也存在一定差异。按照主要生产过程区分，半导体产业链可分为上、中、下游， 以半导体产品市场规模中权重占比最高的集成电路产业链为例，示意如下： 1-1-9 半导体产业链示意图（以集成电路为例） 半导体产业链的下游为半导体终端产品以及其衍生的应用、系统等。半导体 产品按功能区分，可以分为集成电路、光电子器件、分立器件和传感器等四大类。 半导体产业链的中游可以分为半导体芯片设计环节、制造环节和封装测试环节。 半导体产业链的上游由为设计、制造和封测环节提供软件及知识产权、硬件设备、 原材料等生产资料的核心产业组成。 2、行业发展趋势 公司所处的半导体设备行业属于半导体产业链的上游核心环节之一，根据半 导体行业内“一代设备，一代工艺，一代产品 ”的经验，半导体产品制造要超前电 子系统开发工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发产品。因此，公司所 处半导体设备行业是半导体芯片制造的基石，擎起了整个现代电子信息产业，是 半导体行业的基础和核心。 1-1-10 半导体设备支撑 10倍大的芯片制造产业，对信息产业有成百上千倍的放大作用 来源：麦肯锡公司，同行业公司公告 进入 21世纪以后，随着 PC、手机、液晶电视等消费类电子产品市场渗透率 不断提高，市场日趋成熟。近年来，在以物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、 新能源、医疗电子和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求的带动下，全球半 导体产业持续增长。 信息技术的进步是背后的主要驱动力，伴随着电子产品在人类生活的更广泛 普及以及智能化，物联网和人工智能等新兴产业的革命为整个行业的下一轮进化 提供了动力，半导体行业有望长期保持旺盛的生命力。 （二）公司行业竞争情况 全球半导体设备市场目前主要由国外厂商主导，行业呈现高度垄断的竞争格 局。根据 VLSI Research统计，2019年全球半导体设备系统及服务销售额为 772 亿美元，其中前五大半导体设备制造厂商，由于起步较早，凭借资金、技术、客 户资源、品牌等方面的优势，占据了全球半导体设备市场 64.77%的市场份额。 2019年全球前五大半导体设备制造商系统及服务收入排名（亿美元） 排名公司 2019年全球市场占有率 1应用材料 134.68 17.44% 2阿斯麦 127.69 16.54% 3东京电子 95.51 12.37% 4泛林半导体 95.49 12.37% 5科天半导体 46.65 6.04% -合计 500.02 64.77% 来源：VLSI Research 1-1-11 在上述的国际一流公司中，阿斯麦在光刻机设备方面形成寡头垄断；应用材 料、东京电子和泛林半导体是提供等离子体刻蚀和薄膜沉积等工艺设备的三强； 科天半导体是检测设备的龙头企业。 公司是我国半导体设备企业中极少数能与全球顶尖设备公司直接竞争并不 断扩大市场占有率的公司。在刻蚀设备和 MOCVD设备的细分领域的主要企业 如下： 设备类型国际主要厂商国内主要厂商 刻蚀设备泛林半导体、东京电子、应用材料中微公司、北方华创 MOCVD设备维易科、爱思强中微公司 全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，泛林半导体、东京电子、应用材料占据主 要市场份额。公司在国内刻蚀设备市场中有突出市场竞争力。公司自主研发的等 离子体刻蚀设备正逐步打破国际领先企业在国内市场的垄断，已被海内外主流集 成电路厂商接受。 2017年以前 MOCVD设备主要由维易科和爱思强两家国际厂商垄断。2017 年以来公司的 MOCVD设备逐步打破上述企业的垄断。公司自主研发的 MOCVD 设备已被三安光电等多家一流 LED制造厂商大批量采购。 三、主要业务模式、产品或服务的主要内容 （一）公司主要业务模式 1、盈利模式 公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、 LED 芯片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售等离子体刻蚀设备和 MOCVD设备、提供配件或服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入 来源于半导体设备产品的销售，以及设备相关配件销售及设备维护等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶 段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段，具体情况如下： （1）概念与可行性阶段 1-1-12 本阶段的目的是指研发部或销售部根据行业技术动态或市场需求提出新产 品定位与构想，综合比对多种技术方案以确定最适合客户需求的研发方案。研发 部项目负责人牵头组织机械设计部、软件部门、生产部门等各个职能部门，对产 品的功能及性能指标、技术难点、基本设计方案、开发周期等进行讨论及审核。 项目负责人负责组织制定和完善设计方案、进行产品模块分解、确定子模块性能 和功能指标、子模块设计方案等，组织设计方案修改。 （2）Alpha阶段 本阶段的主要内容是根据市场需求进行机台的设计、组装、开发和验证，以 确定机台能够满足客户需求。 本阶段组装形成的机台称为 Alpha机，公司对机台进行持续的技术开发和验 证，同时进行小批量生产。公司视情况需要将机台在客户端开始小批量验证。 在机台的技术开发、验证过程中， Alpha机初步试制成功标志着开发活动的 开始，代表研发活动已上升为针对可进行功能测试和技术完善的实物机台的开 发，能将研究成果应用于研发项目设定的计划以生产出新的具有实质性改进的产 品。 （3）Beta阶段 本阶段的主要内容是将机台送往目标客户以完成客户生产线的大批量验证， 本阶段的机台称为 Beta机。验证过程中项目负责人及时跟踪验证结果、记录客 户反馈信息。针对客户的反馈需求，项目负责人组织相关人员进行分析、制定设 计修改方案，及时解决与处理客户问题，并对机台进行持续的技术改进。 本阶段的成功完成意味着技术开发已经成熟、机台开发成功， Beta机可进入 量产阶段。 （4）量产阶段 本阶段标志着机台技术已经成熟，能够符合市场需求，机台开始根据市场需 求进行量产。 在该阶段，为了保证产品、技术的工艺升级和改进，公司会针对量产过程中 遇到的问题进行研发。公司研发部负责接受各部门的反馈，针对反馈的技术问题 1-1-13 及时进行问题现象模拟、原因分析并进行方案制定及后续工作。升级改进完成后 的工艺将应用在产品上。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。 公司主要考虑供应商的经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、 生产能力、产品价格、交货周期等因素，结合供应商配合程度、约定付款周期等 综合评定，将其纳入公司合格供应商名录。目前，公司已经与全球多家供应商建 立了长期、稳定的合作关系。 （1）采购流程 公司主要根据主生产计划、物料清单、主产品及其零部件的库存量，逐步计 算出各零部件等原材料对应的投产时间及数量、采购时间及数量，即产生出所有 零部件的生产计划和采购计划，并按照采购计划进行采购。对于主要原材料，公 司与主要供应商签署年度采购框架协议，实际采购时再下订单采购。 公司的采购流程图如下图所示： （2）主要原材料及采购方式 公司生产所需的主要原材料包括机械类、气体输送系统类、电器类、机电一 体类、真空系统类等。在部分原材料采购中，公司会要求供应商根据公司提供的 各项技术要求自行采购原材料并完成定制供应。 （3）供应保障的管理 1-1-14 公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，确保 生产所需的零部件原材料能够及时高效流转，实现产品交付时间的精准性。 ①需求预测：公司打通销售、采购、生产三个环节，形成了能够根据行业变 化、公司情况做出精准需求预测的信息流转机制，实现了与供应商预测 -反馈-预 测的有效反馈，确保了公司生产工作的全流程顺畅。 ②库存管理：公司根据生产历史数据、零部件到库周期、生产需求对各类零 部件的安全库存水平不断更新，同时与供应商就安全库存水平达成协议，确保公 司生产经营达到最优库存。 ③供应商管理：公司拥有专业的供应商管理团队，能够从技术和商务上与国 内外供应商实时沟通，同时公司与主要供应商从销售、技术、生产上建立了长期 的合作伙伴关系，确保公司能够及时获得原材料。 4、生产模式 公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式 生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况 进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对 设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产， 主要为快速响应交期及平衡产能。 公司生产流程如下：销售部门进行市场研判、客户沟通并根据客户需求从客 户处收到订单。运营部门会同销售、财务、商务管理、产品及产品管理等部门召 开销售与运营准备会议，讨论订单可信度、客户订单配置及产品研发、物料库存 状态、产能状态以及必要的财务准备等。销售与运营准备会议之后，主生产计划 员根据核准的订单需求评估可用产能及资源计划后，制定或更新周期性滚动主生 产计划。产品研发部门根据订单配置中的机型及客户定制化需求，发布量产机型 定制化设计物料清单，或者研制首台交付机型并发布定型后的物料清单。生产计 划员根据机型物料清单上传需求。生产部门领取物料后根据生产计划员上传的需 求进行生产制造、测试等，公司生产过程以零部件组装和整机调试为主。公司生 产完成之后，由质量管理部进行产品质量检验之后方可入库。订单产品入库之后 通常将按照订单承诺日期进行交付。 1-1-15 公司生产环节建立了多维度环绕考核，以每单元缺陷数、按时交付率作为核 心绩效指标，并根据指标情况不断跟踪、调整、优化整个生产过程，保障产品按 时交付。 5、营销及销售模式 公司设有全球营销中心负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国 台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或者地区销售部门。公司销售流程包括： （1）客户需求调研 全球营销中心及各区域销售部门首先会聘请专业机构对新客户进行终端使 用者认证。在确认符合相关国家或地区进出口管制规定后，公司对客户进行调研， 了解不同客户在技术方面的需求。 （2）需求反馈与技术开发 研发部根据客户反馈的需求进行机台改进及新机台研发，机台达到客户的技 术指标后，进入销售洽谈及合同签订环节。 （3）销售洽谈及销售合同的签订 营销中心负责与客户洽谈销售合同的相关条款，同时技术部负责与客户洽谈 产品技术条款，确认无误后双方签订合同。 （4）发货、客户验收及售后服务 合同签订后，生产部门负责生产工作，营销中心在产品生产完成后联系生产 部门发货；产品运达客户后，营销中心根据实际情况现场派驻工艺工程师、系统 工程师进行安装调试等技术指导及售后维修服务。 公司采取直销为主的销售模式。因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域 通过代理商模式进行销售。 （二）公司产品或服务的主要内容 公司主要为集成电路、LED芯片、 MEMS等半导体产品的制造企业提供等 离子体刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下： 1-1-16 1、刻蚀设备、刻蚀设备 产品类别图示应用领域 电容性等离子体 刻蚀设备 主要应用于集成电路制造中 氧化硅、氮化硅及低介电系数 膜层等电介质材料的刻蚀 电感性等离子体 刻蚀设备 主要应用于在集成电路制造 中单晶硅、多晶硅等材料的刻 蚀 主要应用于 CMOS图像传感 器、2.5D芯片、 3D芯片和芯 片切割等通孔及沟槽的刻蚀 2、MOCVD设备 产品类别图示应用领域 MOCVD设备 蓝绿光及紫外 LED外延片和 功率器件的生产 3、其他设备 产品类别图示应用领域 VOC设备 平板显示生产线等工业用的 空气净化 1-1-17 四、科技创新水平以及保持科技创新能力的机制或措施 （一）科技创新水平（一）科技创新水平 公司特别重视核心技术的创新。在开发等离子体刻蚀设备和 MOCVD设备 的过程中，坚持走独立自主开发的路线，招募国际和国内一流的技术人才，保持 高额的研发投入。公司在设备的研发、设计和制造中始终强调创新和差异化。在 电容性等离子体刻蚀设备的开发中，公司开创性提出甚高频去耦合等离子体刻蚀 技术；在电感性等离子体源的开发中，公司创造性地设计了新型电感线圈架构， 极大提高等离子体均匀性；在 MOCVD设备的开发中，公司通过开发多区超大 尺寸喷淋头设计、模块化温度控制系统等实现高产能、低能耗的目标。通过核心 技术的创新，公司的产品已达到国际先进和国内领先水平。 1、刻蚀设备技术 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的高端等离子体刻蚀设备已运用在国际 知名客户 65纳米到 5纳米的芯片生产线上。公司目前正在配合客户需求，开发 新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖 5纳米以下刻 蚀需求和更多不同关键应用的设备。 在 3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64 层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖 128层关键 刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。 此外，公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多家逻辑芯片和存储芯片厂商的 生产线上量产，根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发，以 满足 7纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的 DRAM芯片和 128层以上的 3D NAND 芯片等产品的 ICP刻蚀需求，并进行高产出的 ICP刻蚀设备的研发。 公司的等离子体刻蚀设备技术处于世界先进水平，符合产业发展趋势。 2、MOCVD设备技术 公司的 MOCVD设备 Prismo D-Blue、Prismo A7能分别实现单腔 14片 4英 寸和单腔 34片 4英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7设备已在全球氮化镓 基 LED MOCVD市场中占据领先地位。公司研发了用于制造深紫外光 LED的 1-1-18 MOCVD设备，已在行业领先客户端成功验证，取得了重复订单，并获得多家行 业主流企业与科研院所的订单。此外，Mini LED生产的 MOCVD设备的研发工 作正在有序进行中；制造 Micro LED、功率器件等应用的 MOCVD设备正在开发 中。 公司特别重视研发技术的产业化。在成立初期就为设备的产业化确立了十项 设计和开发的基本准则： （1）为达到工艺加工的最高要求和产品的最好性能而设计； （2）为实现工艺过程的重复性和稳定性而设计； （3）为确保设备的可靠性和耐用性而设计； （4）为保障设备的高输出量和高效率而设计； （5）为设备安全性和减少环境污染而设计； （6）为设备容易加工和容易制造而设计； （7）为设备容易维修和容易服务而设计； （8）为设备模板化、容易更新和改进而设计； （9）为设备最大程度的标准化和统一化而设计； （10）为设备运行低成本、低能耗、低损耗和高利润而设计； 遵循上述十项准则，公司在最初开发和设计阶段就充分考虑设备在生产线上 可能出现的问题和解决方案，使得公司开发的产品能较快地实现产业化，成为操 作简单、性能可靠、好用耐用的设备。 公司取得的海外发明专利，有助于公司在境外销售的产品获得特定的专利权 保护，同时防止公司产品中的关键技术被第三方侵权；同时，基于专利权的保护， 公司在海外市场销售产品时获得了因专利权保护而取得的排他权，可以使公司在 海外市场竞争中取得一定的竞争优势。 截至 2020年末，公司及子公司已申请 1,755项专利，并取得 1,092项专利 （中国境内 586项、境外 506项），并且绝大多数专利在产品上得到应用。通过 核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进和国内领先水平。 1-1-19 （二）保持科技创新能力的机制或措施 1、高度重视人才培养，加强研发队伍建设 公司拥有一批经验丰富的国际化技术专家和专业人才，他们了解世界最新的 市场需求和技术动向，保障了公司技术创新的精准布局。公司还致力于培养年轻 化的研发梯队，为公司的持续创新提供新鲜血液。公司通过员工股权激励的方式， 将研发人员的个人利益与公司利益绑定，激发了技术创新。 2、建立科学的研发管理制度，推动自主研发创新 专业分工上，公司按照等离子体刻蚀设备、 MOCVD设备等不同研发对象和 项目产品，纵向上组成了相对独立的研发团队，横向上不同产品研发团队拥有各 自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台 工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方 法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享 经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行 持续的技术创新。 3、加强知识产权保护，激发自主创新 公司还成立了独立的知识产权部门和知识产权委员会。知识产权部门主要负 责激励创新、保护研发成果、避免侵权和妥善处理应对可能的知识产权纠纷或诉 讼。知识产权部门在研发项目立项前期对相关的国内外专利文献进行检索和分 析、在研发过程中跟踪与监控研发活动中的知识产权，避免知识产权侵权风险， 将研发成果及时申请成专利或作为商业秘密保护, 并对发明人进行奖励；知识产 权委员会负责公司知识产权方面的重大事项的决策，共同参与公司知识产权战略 的规划、制定和调整，对公司知识产权管理和工作提出指导和建议。知识产权部 门和知识产权委员会不仅使公司知识产权得到有效保护，同时也能避免公司在技 术研发和产品销售环节侵犯他人知识产权。 公司非常重视知识产权和保密信息的保护，尊重包括客户、竞争对手、供应 商在内的任何第三方的专有信息及知识产权。公司员工需签署《保密协议》及《雇 员保密信息和发明协议》。公司制定的《员工手册》中有知识产权保护和保密守 则的规定，要求员工有责任采取适当措施保护公司的知识产权和保密信息，同时 1-1-20 尊重和保护客户、供应商及竞争对手的知识产权和保密信息。 公司在中国首次提出合格申请后，会挑选对公司海外业务比较重要的专利及 时在台湾地区、美国、韩国、欧洲同步申请专利，以获得申请时机的优势。 自公司成立至今，公司在海外申请注册的专利从未被当地司法机构或知识产 权主管部门认定为侵犯第三方的知识产权。 上述拥有的知识产权保护机制，不但可以激发研发创新，使公司形成充足的 技术储备，而且也使公司的技术创新得到有效保护，并降低和避免知识产权侵权 风险。 公司将知识产权风险管理融入公司的经营活动和日常管理中，公司已形成了 知识产权风险预防、风险识别和预判、风险分析和评估、风险应对、风险监控等 一系列的工作机制，以预防和应对知识产权法律风险。 公司自成立之初即高度重视知识产权。公司设有专业的知识产权管理团队， 负责管理知识产权和防范风险；公司员工入职时均与公司签署《雇员保密信息和 发明协议》；在日常生产经营过程中公司重视教育和强化员工的知识产权风险意 识和避免侵权意识；公司在产品研发时和市场销售前进行知识产权风险排查；公 司定期监控业内知识产权活动以防止侵权；公司针对预判可能发生的知识产权诉 讼，会提前作好应对策略和准备；公司聘用国内外专业的知识产权律师事务所或 代理机构协助公司处理知识产权事务，主要包括专利申请、风险分析和诉讼应对 等。 五、现有业务发展安排及未来发展战略 （一）现有业务发展安排 公司主要产品的发展情况如下： 1、CCP刻蚀设备 公司刻蚀设备产品保持竞争优势，批量应用于国内外一线客户的集成电路加 工制造生产线。此外，在先进工艺方面，公司成功取得 5纳米逻辑电路、64层 3D NAND芯片制造厂的重复订单。 1-1-21 2、ICP刻蚀设备、ICP刻蚀设备 公司继续开拓 ICP设备业务，已在先进客户验证成功并实现量产，并有设备 正在其他客户的生产线上验证。公司计划开展新的客户验证，进一步提高产品的 技术先进性和市场竞争力。 3、MOCVD设备 公司蓝光 LED设备已实现大量发货，同时，应用于深紫外 LED的 MOCVD 设备已在行业领先客户验证成功。公司正在开发可用于 Mini LED、Micro LED、 功率器件等应用的新型 MOCVD产品。 公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。公司产品 的研发成果取得先进客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优 势。 （二）未来发展战略 公司目前开发的产品以半导体前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积等关 键设备为主，并逐步开发后道先进封装、 MEMS、蓝绿光及紫外 LED、Mini LED、 Micro LED等泛半导体设备产品。未来，在强化内生成长的同时，公司将在适当 时机通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖，并将继续探索核心技术在 国计民生中创新性的应用。 公司所处的半导体设备产业具有广阔的成长空间。公司正在研发的设备可应 用于先进封装、MEMS、Mini LED和 Micro LED等处于快速增长、潜力巨大的 新兴领域。公司将继续通过自主研发进一步提高公司产品的竞争力，为客户提供 品质一流、性能创新的产品和优良快捷的服务，努力提高市场份额。公司将紧紧 抓住半导体产业发展的机遇，不断提升技术水平和市场竞争力，引领国内半导体 设备和技术的发展。 公司已形成三个维度扩展未来公司业务的布局规划：深耕集成电路关键设备 领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。公司考虑 扩大在刻蚀设备领域的竞争优势，延伸到薄膜、检测等其他关键设备领域；公司 计划扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、 MEMS、功率器件、太阳能领 域的关键设备；公司拟探索其他新兴领域的机会，利用独特的设备及工艺技术， 1-1-22 考虑从设备制造向器件大规模生产的机会，以及探索更多集成电路及泛半导体设 备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领域的市场机会。 公司将围绕自身核心竞争力，通过自主创新、有机生长，结合适当的兼并收 购策略，不断推动企业健康发展。 1-1-23 第二章本次证券发行概要本次证券发行概要 一、本次发行的背景和目的 （一）本次向特定对象发行的背景 1、国家产业政策频出，助力集成电路设备行业发展 近年来，国家高度重视半导体集成电路关键专用设备、仪器和材料的发展， 国务院颁布的《国家中长期科学和技术发展规划纲要 (2006-2020)》把极大规模集 成电路制造装备及成套工艺列为国家科技重大专项。 2014年国务院颁布《国家 集成电路产业发展推进纲要》，进一步明确集成电路产业是信息技术产业的核心， 是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，并要求突 破集成电路关键装备和材料，加强集成电路装备、材料与工艺结合，加强集成电 路制造企业和装备、材料企业的协作，加快产业化进程，增强产业配套能力。随 着国内经济的不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持，集成电路设备产业 正处于规模迅速扩大、技术水平显著提升的高速发展阶段。 2020年 8月 4日，国务院发布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高 质量发展若干政策》明确了集成电路产业和软件行业作为信息产业核心的重要地 位，制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、 国际合作等八个方面政策措施，以进一步优化集成电路产业和软件产业发展环 境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量。 2、把握区域产业集群优势，完善产业链布局 公司本次募集资金拟在上海临港新片区建设中微临港总部和研发中心、中微 临港产业化基地，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。上海临港新片区和南 昌高新区均具有明显的产业化集群优势，公司本次投资的实施将有助于公司抓住 区域发展协同机遇，进一步做大做强公司主营业务。 近年来，上海市进一步推动科技创新中心建设，为集成电路产业的发展提供 了良好的营商环境。2019年 10月，临港管委会发布了《中国（上海）自由贸易 试验区临港新片区集聚发展集成电路产业若干措施》，提出包括支持重大项目优 先布局、支持核心技术和产品攻关、支持企业规模化发展等在内的十项政策措施， 1-1-24 支持助力集成电路企业做大做强。目前，上海临港新片区吸引了一大批涵盖集成 电路产业链上下游的优质企业，已形成产业集聚态势。 南昌 LED产业聚集效应已经形成，随着大批 LED企业的落户及投产、扩产， 南昌 LED产业 MOCVD设备市场规模较大。为满足客户未来的市场需求，中微 南昌需要建设生产基地，以扩大生产规模。 随着公司规模及业务的扩张，公司在现有上海总部厂区、南昌厂区进行半导 体设备生产与研发已出现瓶颈。为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公 司的盈利能力和综合竞争实力，公司拟在上海临港新片区建设中微临港产业化基 地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。 （二）本次向特定对象发行的目的 1、做大做强主业，生产研发两手抓，提升公司整体竞争力 本次募集资金项目建成后，一方面能够扩充公司现有产品的产能，通过建设 先进的生产基地进一步提高生产规模，满足日益增长的市场需求；另一方面通过 建设产业化基地及研发中心助力公司产品线的扩张，进一步强化公司在高端设备 领域的技术优势并丰富产品结构，提升公司产品的科技水平及公司应对行业周期 性波动的能力。 2、持续提升研发投入水平，进一步缩小与海外同行业巨头研发投入的差距 公司所处的半导体设备行业属于技术、资金密集型行业，具有产品技术升级 快、研发投入大等特点，半导体设备领域的研发早于应用层面，公司的产品布局 须早于客户的订单需求，同时随着芯片制程不断缩小，半导体设备的技术高门槛 客观上要求高强度研发投入。国外领先的同行业可比公司均在研发上投入了大量 资金，近年来主要可比公司年研发投入超过 10亿美元，2019年公司研发投入为 4.25亿人民币，与国外领先的半导体公司仍有较大差距。建设中微临港总部和研 发中心项目，将持续提升在技术研发方面的投入水平，进一步缩小与海外同行业 巨头在研发方面的差距。 3、充分利用资本市场优势，增强资本实力，提升持续盈利能力 通过本次向特定对象发行，公司将进一步扩充资产规模、增强资本实力，为 1-1-25 公司经营带来有力支持的同时，在长期经营战略、业务与研发布局、财务规划等 多方面夯实可持续发展的基础，此举有利于增强公司的核心竞争力、提升盈利能 力，为股东提供良好的回报并创造更多的经济效益与社会价值。 二、发行对象及与发行人的关系 本次发行对象为不超过 35名符合中国证监会规定条件的证券投资基金管理 公司、证券公司、信托投资公司、财务公司、保险机构投资者、合格境外机构投 资者（QFII）、其它境内法人投资者和自然人等特定投资者。证券投资基金管理 公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者以其管理的 二只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托投资公司作为发行对象的，只能 以自有资金认购。 本次发行尚未确定发行对象，因而无法确定发行对象与公司的关系，最终本 次发行是否存在因关联方认购本次发行的 A股股票而构成关联交易的情形，将 在发行结束后公告的《发行情况报告书》中予以披露。 三、发行证券的价格或定价方式、发行数量、限售期 （一）发行价格和定价原则 本次向特定对象发行股票采取询价发行方式，本次向特定对象发行的定价基 准日为发行期首日。本次发行价格不低于定价基准日前 20个交易日公司股票交 易均价的 80%。最终发行价格在本次向特定对象发行申请获得中国证监会的注册 文件后，按照相关法律、法规的规定和监管部门的要求，根据询价结果由董事会 根据股东大会的授权与保荐机构（主承销商）协商确定，但不低于前述发行底价。 定价基准日前 20个交易日股票交易均价 =定价基准日前 20个交易日股票交 易总额/定价基准日前 20个交易日股票交易总量。若公司股票在该 20个交易日 内发生因派息、送股、配股、资本公积转增股本等除权、除息事项引起股价调整 的情形，则对调整前交易日的交易价格按经过相应除权、除息调整后的价格计算。 在定价基准日至发行日期间，若公司发生派发股利、送红股或公积金转增股 本等除息、除权事项，本次向特定对象发行股票的发行底价将作相应调整。调整 方式如下： 1-1-26 派发现金股利：P1=P0-D 送红股或转增股本：P1=P0/(1+N) 派发现金同时送红股或转增股本：P1=(P0-D)/(1+N) 其中，P0为调整前发行底价，D为每股派发现金股利，N为每股送红股或 转增股本数，调整后发行底价为 P1。 （二）发行数量 本次发行的股票数量按照募集资金总额除以发行价格确定，同时本次发行股 票数量不超过本次向特定对象发行前公司总股本的 15%，即本次发行不超过 80,229,335股，最终发行数量上限以中国证监会同意注册的发行数量上限为准。 在前述范围内，最终发行数量由董事会根据股东大会的授权结合最终发行价格与 保荐机构（主承销商）协商确定。 若公司股票在董事会决议日至发行日期间有送股、资本公积金转增股本等除 权事项，以及其他事项导致公司总股本发生变化的，则本次发行数量上限将进行 相应调整。 若本次向特定对象发行的股份总数因监管政策变化或根据发行注册文件的 要求予以变化或调减的，则本次向特定对象发行的股份总数及募集资金总额届时 将相应变化或调减。 （三）限售期 本次发行完成后，发行对象认购的股份自发行结束之日起六个月内不得转 让。法律法规、规范性文件对限售期另有规定的，依其规定。 发行对象基于本次交易所取得的上市公司向特定对象发行的股票，因上市公 司分配股票股利、资本公积转增股本等情形所衍生取得的股份亦应遵守上述股份 锁定安排。 发行对象因本次交易取得的上市公司股份在锁定期届满后减持还需遵守《公 司法》、《证券法》、《科创板上市规则》等相关法律法规及规范性文件。 1-1-27 四、募集资金投向 本次向特定对象发行 A股股票总金额不超过 100亿元（含本数），本次募集 资金总额在扣除发行费用后的净额将用于以下方向： 单位：万元 序号项目总投资募集资金拟投入额 1中微产业化基地建设项目 317,732.66 317,000.00 2中微临港总部和研发中心项目 375,582.35 375,000.00 3科技储备资金 308,000.00 308,000.00 合计 1,001,315.01 1,000,000.00 在上述募集资金投资项目的范围内，公司可根据项目的进度、资金需求等实 际情况，对相应募集资金投资项目的投入顺序和具体金额进行适当调整。募集资 金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自筹资金先行投入， 并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集 资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自筹资金解决。 若本次向特定对象发行募集资金总额因监管政策变化或发行注册文件的要求 予以调整的，则届时将相应调整。 五、本次发行是否构成关联交易 本次发行尚未确定发行对象，因而无法确定发行对象与公司的关系，最终本 次发行是否存在因关联方认购本次发行的 A股股票而构成关联交易的情形，将 在发行结束后公告的《发行情况报告书》中予以披露。 六、本次发行是否将导致公司控制权发生变化 本次发行前，公司无实际控制人，公司第一大股东为上海创业投资有限公司， 持有公司股份数为 96,383,533股，占发行前总股本的 18.02%。 本次向特定对象发行股票上限为 80,229,335股，本次发行完成后，公司仍无 实际控制人。因此，本次发行不会导致公司的控制权发生变化。 1-1-28 七、本次发行方案取得有关主管部门批准的情况以及尚需呈报批准的 程序 方案取得有关主管部门批准的情况以及尚需呈报批准的 程序 本次向特定对象发行的方案及相关事项已经 2020年 8月 27日召开的公司第 一届董事会第十四次会议、2020年 9月 16日召开的公司 2020年第三次临时股 东大会审议通过。尚需履行以下呈报批准的程序： 本次向特定对象发行尚待上海证券交易所审核通过。 本次向特定对象发行尚待取得中国证监会注册批复。 1-1-29 第三章本次募集资金使用的可行性分析本次募集资金使用的可行性分析 一、本次募集资金投资项目的基本情况 （一）项目基本情况 1、中微产业化基地建设项目 随着市场对公司产品需求的快速增加，现有厂房和设备已远远无法满足生产 需要，在一定程度上制约了公司的成长。 为满足集成电路及泛半导体设备市场不断增长的需求，充分发挥公司在该领 域市场的先发优势，巩固公司在该领域的领先地位，公司计划在上海临港新片区 以及南昌市高新区新建生产基地，进一步扩充公司现有集成电路设备及泛半导体 设备产品线产能、开发公司新产品线、与主流半导体设备厂商合作，为公司未来 高速稳健发展打下坚实基础。 中微临港产业化基地建设项目地块总占地面积约 157.5亩，规划总建筑面积 约 180,000㎡；中微南昌产业化基地建设项目占地面积约 130亩，拟新建生产基 地建筑面积约 140,000㎡。 本项目建成并达产后，主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检 测设备，以及部分零部件等。其中，临港产业化基地将主要承担公司现有产品的 改进升级、新产品的开发生产以及产能扩充；南昌产业化基地主要承担较为成熟 产品的大规模量产及部分产品的研发升级工作。中微产业化基地建设项目拟扩充 和升级的产品类别为等离子体刻蚀设备、MOCVD设备、热化学 CVD设备等新 设备、环境保护设备，相应产品的产能规划情况分别约为 630腔/年、120腔/年、 220腔/年、180腔/年。 2、中微临港总部和研发中心项目 本项目将在上海临港新片区建立中微临港总部和研发中心，搭建从产品技术 研发、样品制造与模拟测试到大规模工业投产的全周期研发平台。同时，本项目 将根据集成电路产业的发展趋势及市场需求，开展高端半导体、泛半导体领域相 关产品与设备制造的研发工作。 项目地块总占地面积约 25.05亩，规划总建筑面积约 105,000㎡。 1-1-30 本项目建成后，将成为公司临港总部和研发中心，集办公、研发、试验、服 务等功能于一体，从硬件设施层面满足公司集成电路设备、泛半导体设备、关键 零部件等的研发需求。 本项目的研发投入将用于新产品的研发工作，除等离子体刻蚀设备、薄膜沉 积设备等优势产品研发及产业化外，还将开展前瞻性技术研究、推动集成电路生 产设备及零部件国产化、推进泛半导体设备产品的研发及产业化等。 3、科技储备资金 为满足公司日益增长的研发项目运营资金需要，本次募集资金中的 308,000.00万元为科技储备资金。 公司未来将形成三个维度扩展业务布局，即深耕集成电路关键设备领域、扩 展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。发行人科技储备资 金的预计用途如下： 单位：万元 序号项目名称预计投入资金拟使用科技储备资金 1新产品协作开发项目 158,000.00 158,000.00 2对外投资并购项目 150,000.00 150,000.00 合计 308,000.00 308,000.00 科技储备资金将用于满足新产品协作开发项目、对外投资并购项目等需求， 其中新产品协作开发项目与本次募投 “中微临港总部和研发中心项目 ”的公司自 身从事的研发不同，系公司与合作伙伴在新产品层面的协作开发。 针对对外投资并购项目，公司承诺严格遵守《上海证券交易所科创板上市 公司证券发行上市审核问答》及相关法律法规、规则的规定，以取得控制权为 目的，使用本次募集资金开展对外投资并购项目；同时，如公司拟开展跨境收 购的，公司承诺在确保取得收购标的分红不存在政策或外汇管理上的障碍的前 提下，使用本次募集资金开展跨境收购。 （二）项目经营前景 公司所处的半导体设备行业属于半导体产业链的上游核心环节之一，半导体 产业具有“一代设备，一代工艺，一代产品 ”的特点，半导体产品制造要超前电子 1-1-31 系统开发工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发产品。本次募集资金投 资项目系公司在研判国内外市场和客户需求、国际先进技术趋势的基础上制定， 以更好地把握集成电路及泛半导体产能转移、进口替代带来的市场机会。公司扩 充产能、进一步加大新产品研发投入，符合行业的发展趋势，通过本次募集资金 投资项目的实施，公司主营业务与产品的经营前景分析如下： 1、等离子体刻蚀设备国内外需求持续旺盛 在半导体设备投资中，刻蚀设备的投资占比约为 20%。从技术上看，一方面， 近年来随着半导体进入 22纳米以下多重模板工艺，CMOS芯片结构更多地采用 FinFET结构，对逻辑芯片的工艺流程要求更为复杂；另一方面，存储芯片采用 DRAM和 3D NAND结构，要求刻蚀设备和工艺达到极高深宽比等指标，在此背 景下，逻辑芯片与存储芯片对刻蚀设备的需求均逐渐升高，刻蚀设备在晶圆产线 的设备投资中占比及其细分市场规模逐年提升。 此外，受益于本土半导体产能投资扩张，中国大陆半导体设备市场需求高涨， Gartner预计 2020年中国前道半导体设备市场规模将达到 614.5亿元，占全球半 导体设备总投资约 20%。国产刻蚀设备经过多年研发创新突破，技术水平已达到 国际先进水平，刻蚀设备有望成为半导体设备国产化前沿阵地。公司的等离子体 刻蚀设备已应用于国际先进的 14纳米、7纳米和 5纳米生产线，并正在验证 5 纳米以下加工能力。作为国内领先的刻蚀机设备制造商，公司通过本次募集资金 投资项目的实施对刻蚀设备产线、产能进行扩充和产品迭代升级，将更好地满足 市场需求。 2、MOCVD设备国产替代进程加速 公司自主研发的 MOCVD设备已被多家领先 LED生产厂家使用和认可，根 据 IHS Markit的统计， 2018年中微公司的 MOCVD占据全球氮化镓基 LED用 MOCVD新增市场的 41%；尤其在 2018年下半年，中微公司的 MOCVD更是占 据了全球新增氮化镓基 LED MOCVD设备市场的 60%以上。2018年、2019年公 司在全球氮化镓基 LED MOCVD设备市场占据领先地位。公司的 MOCVD设备 在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓 基 LED设备制造商。 1-1-32 受下游市场需求推动，MOCVD设备行业整体预计仍将呈现快速增长态势。 公司研发了用于制造深紫外 LED的 MOCVD设备，并已在行业领先客户端验证 成功；用于 Mini LED生产的 MOCVD设备的研发工作正在有序进行中；另外， 制造 Micro LED、功率器件等应用的 MOCVD设备正在开发中。通过本次募集资 金投资项目的实施，公司 MOCVD设备领域的一系列新产品陆续将实现产业化， MOCVD产线对于公司产能的需求将持续提升。 3、扩充集成电路、泛半导体设备产品线并探索其他市场机会 未来，公司将通过投资、并购等外延式成长途径扩大在集成电路领域及泛半 导体领域的产品和市场覆盖，并继续探索核心技术在国计民生中创新性的应用， 公司在技术研发方面计划持续投入将不断扩充公司产品线，除了集成电路设备等 现有优势产品线，还将包括前道的薄膜设备、检测设备、后道先进封装、 MEMS、 太阳能、平板显示等领域的泛半导体设备产品。公司拟探索其他新兴领域的机会， 利用独特的设备及工艺技术，考虑从设备制造向器件大规模生产的机会，以及探 索更多集成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领 域的市场机会。 通过本次募集资金投资项目的实施，公司产品线将扩充泛半导体产业链、实 现多产品布局，将在一定程度上平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。 （三）与现有业务或发展战略的关系 公司主要从事高端半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿， 基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先 进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。本次募集 资金投资项目紧紧围绕公司主营业务展开，是公司现有业务的提升和扩充，为公 司实现中长期战略发展目标奠定坚实的基础。 本次募集资金投资项目建成后，公司目前的供、产、销等生产经营模式不会 发生重大变化，随着各募投项目建成，将进一步扩充公司主要产品的产能、丰富 产品结构、降低生产成本，进一步提升公司的竞争能力。其中，中微产业化基地 建设项目将进一步扩充公司的产品产能，有助于提高公司产品的市场占有率，从 而提升公司的营收规模；中微临港总部和研发中心项目将为公司研发项目的顺利 1-1-33 进行和成果转化提供更有利的硬件设施支持，有助于公司持续推出满足更先进芯 片制造工艺的设备，从而不断巩固和提高技术先进性；科技储备资金项目将满足 公司研发领域拓展、半导体设备新产品量产、产业外延扩张发展中对资金的需求， 逐步拓展主营业务的发展空间，为公司经营发展提供相应的资金保障。 （四）项目的实施准备和进展情况 1、中微产业化基地建设项目 本项目计划总投资额为 317,732.66万元。其中，拟投入募集资金 317,000.00 万元，其余以自筹资金投入，投资明细如下： 项目投资金额（万元）拟投入募集资金（万元） 中微临港产业化基地： 土地购置 11,775.00 11,775.00 建设装修 140,000.00 140,000.00 硬件投资 14,812.90 14,800.00 预备费用 11,200.00 11,200.00 铺底流动资金 55,488.51 55,225.00 小计 233,276.41 233,000.00 中微南昌产业化基地： 建设装修 55,000.00 55,000.00 硬件投资 4,837.50 4,800.00 预备费用 4,400.00 4,400.00 铺底流动资金 20,218.75 19,800.00 小计 84,456.25 84,000.00 产业化基地项目合计 317,732.66 317,000.00 本项目实施主体为公司或全资子公司。2020年 11月 20日，中微上海与临 港管委会签订《上海市国有建设用地使用权出让合同（工业用地产业类项目）》， 由中微上海受让自贸区临港新片区重装备产业区 J04-02地块，宗地用途为工业 用地。中微南昌产业化基地不涉及新取得土地，通过租赁厂房实施，已完成相关 租赁协议的签署。 2、中微临港总部和研发中心项目 本项目总投资额为 375,582.35万元，拟使用募集资金投入 375,000.00万元， 1-1-34 具体投资规划如下： 项目投资金额（万元）拟投入募集资金（万元） 土地购置 7,189.35 7,189.00 建设装修 108,000.00 108,000.00 研发项目投入 257,153.00 256,600.00 预备费用 3,240.00 3,211.00 合计 375,582.35 375,000.00 本项目实施主体为公司或全资子公司。2020年 12月 24日，中微上海与临 港管委会签订《上海市国有建设用地使用权出让合同（研发总部产业项目类）》， 由中微上海受让自贸区临港新片区 PDC1-0401单元 K02-01地块，宗地用途为工 业用地。 3、科技储备资金 （1）新产品协作开发项目 除中微临港总部和研发中心项目拟投入的 7个研发项目外，公司将在未来五 年内与其他合作伙伴协作开发其他新产品，预计投入资金约 15.8亿元，其中拟 使用科技储备资金不超过 15.8亿元。公司拟开展的新产品协作开发具体情况如 下： 协作开发产品应用领域研发方式预计投入资金（亿元） 红黄光 MOCVD设备 主要应用于 LED外延 片及功率器件生产 与国际设备公 司合作研发 3.0 大面积平板显示设备和 集成电路设备 主要应用于 OLED设 备生产 与国际设备公 司合作研发 6.0 PECVD等化学薄膜设备 主要应用于在集成电 路制造中的薄膜沉积 与国内设备公 司合作研发 3.0 集成电路光学检测设备 主要应用于晶圆检查 和缺陷检测 与国内设备公 司合作研发 3.8 合计 15.8 （2）对外投资并购项目 公司践行平台化发展战略，除持续进行新产品协作开发外，还将通过投资、 并购等方式布局更多产品领域。自上市以来截至 2020年 9月末，公司投资于集 成电路与泛半导体产业累计约 5亿元，推动平台化建设进程。未来公司拟使用科 技储备资金不超过 15亿元进行产业投资、并购。公司意向投资项目具体情况如 1-1-35 下： 意向投资领域业务协同性细分领域 预计投资规模 （亿元） 集成电路关键 设备及相关应 用领域 横向扩展，在保持刻蚀 产品技术优势的基础 上，进行上下游配套设 备的投资或协同开发， 在工艺研发、客户渠 道、供应商管理、生产 营运方面形成协同效 应 量测及过程控制设备 4.5 前段化学机械抛光设备 1.5 湿法和干法等清洗设备 1.8 封装测试设备及其他产品应 用领域 2.0 泛半导体设备 领域 外延扩展，在可利用公 司刻蚀和薄膜关键技 术的领域，包括在温度 控制、等离子体控制、 气场分布、可靠性、稳 定性及软件方面形成 协同效应。 OLED生产辅助等相关设备 2.2 第三代半导体材料晶体外延 生长设备等 2.0 太阳能电池 PECVD设备 0.5 激光刻蚀设备 0.5 合计 15.0 （五）预计实施时间，整体进度安排 序号项目名称整体进度安排 1中微产业化基 地建设项目 中微临港产业化基地涉及受让土地、建设厂房与办公室、购置生 产设备、安装与调试设备等。 中微南昌产业化基地涉及租赁厂房与办公室、建设装修、购置生 产设备、安装与调试设备等。 项目预计实施周期 5年，项目计划分以下阶段实施完成，包括： 前期准备、基地建设、厂房租赁、建设装修、设备购置与安装、 员工招聘以及试运营。 2 中微临港总部 和研发中心项 目 本项目将通过新建现代化研究中心，购置研发活动所需的设备或 系统，对半导体设备、集成电路领域核心技术及泛半导体领域进 行研发。预计项目实施周期 5年，项目计划分以下阶段实施完成， 包括：前期准备、基地建设、设备购置与安装、员工招聘以及试 运营。 3科技储备资金 本项目资金将用于满足公司研发项目发展需要、公司持续推出新 产品需要以及公司产业扩张需求等，根据公司具体项目或产品进 展情况适时投入。 （六）公司的实施能力 1、技术与人才储备 半导体设备行业属技术密集型行业，需要专业的技术研发团队支持。公司成 立以来，以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具 有丰富经验的半导体设备专家，现已形成了成熟的研发和工程技术团队和内部人 1-1-36 才的培养机制。截截至 2020年末，公司共有研发人员 346名，占员工总数的 38.70%， 涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱 学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不 断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及薄膜沉积设 备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚 的技术、专利储备。福布斯发布的 “2020中国最具创新力企业榜单 ”中，公司为 五家半导体产业上榜企业之一。 公司技术实力雄厚，核心团队稳定，在自主创新、本地化服务、知识管理等 方面有突出表现，能针对市场变化快速反应，具备运营大型生产基地的技术基础 和人才团队。 2、研发技术产业化的能力 公司特别重视核心技术的创新，在开发等离子体刻蚀设备和 MOCVD设备 的过程中，坚持走独立自主开发的路线。公司在设备的研发、设计和制造中始终 强调创新和差异化。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至 2020年末， 公司及子公司已申请 1,755项专利，并取得 1,092项专利（中国境内 586项、 境外 506项）。公司的产品已达到国际先进和国内领先水平。通过多年核心技术 的创新积累和产品产业化的经验，公司具备在短期内实现半导体在研设备产业化 的能力。 3、不断扩大的客户基础 公司通过多年潜心积累，已具备一定的客户优势。在逻辑集成电路制造环节， 公司开发的高端等离子体刻蚀设备已运用在国际知名客户先进的生产线上并用 于 7纳米、5纳米器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂 商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在 3D NAND芯片制造环节，公司的电 容性等离子体刻蚀设备技术可应用于 64层的量产，正在开发新一代涵盖 128层 和更先进关键刻蚀应用的刻蚀设备和工艺，同时公司根据存储器件客户的需求正 在开发新一代能够涵盖 128层关键刻蚀应用的极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公 司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的 MOCVD设备 Prismo D-Blue、Prismo A7能分别实现单腔 14片 4英寸和单腔 34 1-1-37 片 4英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7设备技术实力突出，已在全球氮化 镓基 LED MOCVD市场中占据领先地位。公司研发了用于制造深紫外光 LED的 MOCVD设备，已在行业领先客户端成功验证，取得了重复订单，并获得多家行 业主流企业与科研院所的订单。 经过多年的努力，公司凭借其在等离子体刻蚀设备及 MOCVD设备领域的 技术和服务优势，产品已成功进入了台积电、中芯国际、华虹集团、长江存储、 采钰科技、海力士、联华电子、华邦电子、格罗方德、博世、意法半导体、三安 光电、江西兆驰、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等国内外知名半导体制造企业。 公司在美国市场研究机构 VLSI Research举办的 2019年度客户满意度调查 中连续第二年上榜，在全球晶圆制造设备供应商排名第三，并被评为全球客户满 意度达到五星级的五家公司之一。2020年 6月，公司入选《福布斯中国》 “2020 最具创新力企业”榜单。 4、知识产权管理 公司及其员工严格按照国际知识产权规则处理知识产权事务，视知识产权为 公司发展的战略性资源和国际竞争力的核心要素。公司开发的设备产品均采用独 特的设计并采取与之相应的专利保护。公司拥有专利申请和知识产权保障机制， 为公司形成充足的专利保护和技术储备提供了有力的保障。 5、产品储备 公司已形成未来产品三个维度扩展公司业务的布局规划：深耕集成电路关键 设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索非半导体设备新兴领域的机 会。公司考虑扩大在刻蚀设备领域的竞争优势，延伸到薄膜、检测等其他关键设 备领域；公司计划扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、 MEMS、功率器 件、太阳能领域的关键设备；公司拟探索非半导体设备新兴领域的机会，利用独 特的设备及工艺技术，考虑从设备制造向器件大规模生产的机会，以及探索更多 集成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领域的市 场机会。 （七）资金缺口的解决方式 本次向特定对象发行募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实 1-1-38 际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后， 若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公 司以自筹资金解决。 二、本次募集资金投资于科技创新领域的主营业务 （一）本次募集资金服务于实体经济，符合国家产业政策，主要投向科技 创新领域 本次募集资金投资项目为设立产业化基地、建设总部和研发中心、科技储备 资金，通过项目的实施，公司将进一步扩充集成电路设备及泛半导体领域新产品 的产能、提高公司产品的科技创新水平、储备科研资金，以满足公司研发项目发 展与业务扩张需求，持续强化公司的科创实力。 集成电路是国家的战略性基础性产业，其技术水平和产业规模已成为衡量国 家综合实力的重要标志之一。建立起自主可控的集成电路产业体系是我国推进战 略性新兴产业规模化发展的重点任务之一。 公司集成电路设备及泛半导体领域新产品属于高新技术产业和战略性新兴 产业。通过本次募集资金投资项目的实施，一方面有助于扩充公司产能，提高现 有产品设备市场占有率，另一方面从硬件设施及资金储备层面支持现有产品技术 更新和新产品市场开拓，进而支持公司保持在半导体设备领域的领先优势与公司 全周期产品线的布局，提升公司科技创新水平。 公司本次募集资金投向不用于持有交易性金融资产和可供出售金融资产、借 予他人、委托理财等财务性投资和类金融业务。 （二）募投项目促进公司科技创新水平提升 半导体设备行业属于技术密集型行业，具有产品技术升级快、研发投入大、 研发周期长等特点。半导体设备领域的研发早于应用层面，公司的产品布局须早 于客户的订单需求，同时随着芯片制程不断缩小，半导体设备的技术高门槛客观 上要求高强度研发投入，因此保持高强度、高效率的研发投入是公司保持核心竞 争力的关键。 公司凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，成功研发了具有市 1-1-39 场竞争力的半导体刻蚀设备及薄膜沉积设备，并实现了大规模产业化，积累了丰 富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。 未来，公司将继续保障研发投入强度，以保持公司的技术领先优势。建设中 微临港总部与研发中心及募集科技储备资金，将为公司的产品研发及市场布局提 供必要的硬件设施与资金支持，进一步提升研发在公司发展过程中的战略地位， 促进公司科技创新水平提升。 三、本次募集资金投资项目涉及立项、土地、环保等有关审批、批准 或备案事项的进展、尚需履行的程序及是否存在重大不确定性 （一）土地取得情况 1、中微临港产业化基地项目 2020年 11月 20日，中微上海与临港管委会签订《上海市国有建设用地使 用权出让合同（工业用地产业类项目）》，由中微上海受让自贸区临港新片区重装 备产业区 J04-02地块，宗地用途为工业用地。 2、中微南昌产业化基地项目 中微南昌产业化基地项目拟通过由中微南昌采用租赁形式取得产能扩充所 需厂房，项目所用土地及厂房均由中微南昌的参股子公司南昌城微出资购置和建 设，中微公司及中微南昌不涉及新取得土地及新建厂房。 2020年 9月，中微南昌与南昌城微签订《厂房租赁协议》，约定发行人子公 司中微南昌通过租赁形式取得中微南昌产业化基地所需厂房。南昌城微已于 2020 年 4月取得了坐落于南昌高新区规划三路以东、规划产业用地以南、规划四路以 西、光伏规划三路以北的国有建设用地使用权，并已开始开工建设项目所用厂房。 3、中微临港总部和研发中心项目 2020年 12月 24日，中微上海与临港管委会签订《上海市国有建设用地使 用权出让合同（研发总部产业项目类）》，由中微上海受让自贸区临港新片区 PDC1-0401单元 K02-01地块，宗地用途为科研设计用地。 1-1-40 （二）项目备案情况 1、中微临港产业化基地项目 中微临港产业化基地项目已经完成在上海临港地区开发建设管理委员会的 项目备案，并取得了《上海市企业投资项目备案证明》，项目代码：上海代码： 310115MA1H33JQ220201D2203001，国家代码：2020-310115-35-03-009348。 2、中微南昌产业化基地项目 中微南昌产业化基地项目已取得南昌高新技术产业开发区管理委员会出具 的《江西省企业投资项目备案通知书》，统一项目代码为： 2020-360198-35-03-037744，该项目已完成备案。 3、中微临港总部和研发中心项目 中微临港总部和研发中心项目已经完成在上海临港地区开发建设管理委员 会的项目备案，并取得了《上海市企业投资项目备案证明》，项目代码：上海代 码：310115MA1H33JQ220201D2203002，国家代码： 2020-310115-35-03-010233。 （三）环境影响评估备案情况 1、中微临港产业化基地项目及中微临港总部和研发中心项目 公司正在编制环境影响评价报告，且已经指定环评材料编制单位就项目的环 评事项、环评材料与临港管委会进行沟通联系，预计将于 2021年 2月完成环评 相关工作并取得环评批复。 关于“中微临港产业化基地 ”项目，临港管委会于 2020年 10月 26日针对项 目环评手续办理相关事项出具情况说明： “中微公司上述项目为临港新片区重点 推进项目，中微公司前期已指定环评材料编制单位就 ‘中微临港产业化基地 ’项目 的环评事项、环评材料与我委生态处进行沟通联系，并提供了该项目主要研发 及生产设备、工艺、原辅材料、产排污环节等相关材料，经评估该项目符合园 区规划环评整体要求 ”。2020年 12月 23日，上海市节能减排中心有限公司出具 了《关于报送<中微临港产业化基地（一期）环境影响报告表>技术评估意见的 便函》，并说明 “原则同意项目从环境保护角度建设可行的评价结论 ”。公司预计 将于 2021年 2月完成相关工作，不能取得环评批复的可能性较低。 1-1-41 关于“中微临港总部和研发基“中微临港总部和研发基地 ”项目，根据《建设项目环境影响评价分类管 理名录（ 2021年版）》，本项目属于 “98专业实验室、研发（试验）基地 ”中“其他 （不产生实验废气、废水、危险废物的除外） ”，不纳入建设项目环境影响评价 管理。中微上海已于 2021年 1月 11日就该项目向临港管委会生态和市容管理处 提交了《建设项目环境影响说明》，公司预计将于 2021年 2月份完成相关工作。 2、中微南昌产业化基地项目 中微南昌产业化基地项目环评工作分为两部分，分别是由建设单位南昌城微（未完）  |