[中报]华润微:华润微：2021年半年度报告
原标题:华润微:华润微：2021年半年度报告 C:\Users\dengjiaxing9\Desktop\半年报封皮.jpg 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假 记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节 “管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人李虹、主管会计工作负责人吴国屹及会计机构负责人（会计主管人员）吴从韵声 明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 √适用 □不适用 公司治理特殊安排情况： √本公司为红筹企业 □本公司存在协议控制架构 □本公司存在表决权差异安排 公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规及规 范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请 投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................ ................................ ................................ ..................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ................................ ..................... 8 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ................................ .............................. 11 第四节 公司治理 ................................ ................................ ................................ ............ 34 第五节 环境与社会责任 ................................ ................................ ................................ . 36 第六节 重要事项 ................................ ................................ ................................ ............ 39 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ................................ .......................... 57 第八节 优先股相关情况 ................................ ................................ ................................ . 69 第九节 债券相关情况 ................................ ................................ ................................ ..... 70 第十节 财务报告 ................................ ................................ ................................ ............ 71 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的 财务报告 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及 公告的原稿 第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 本公司、公司、华润微电 子、CRM、华润微 指 China Resources Microelectronics Limited（华润微电子有限公 司）。在用以描述公司资产、业务与财务情况时，根据文义 需要，亦包括其各分子公司 董事会 指 华润微电子有限公司董事会 股东大会 指 华润微电子有限公司股东大会 《章程》 指 《经第六次修订及重列的组织章程大纲和章程细则》 中国华润、实际控制人 指 中国华润有限公司，本公司的实际控制人 华润股份 指 华润股份有限公司 CRH、华润集团 指 China Resources (Holdings) Company Limited（华润（集团） 有限公司） CRH (Micro)、华润集团 （微电子）、控股股东 指 CRH (Microelectronics) Limited（华润集团（微电子）有限公 司），本公司的控股股东 大基金 指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司 大基金二期 指 国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司 重庆西永 指 重庆西永微电子产业园区开发有限公司 无锡华微 指 无锡华润微电子有限公司 华润华晶 指 无锡华润华晶微电子有限公司 无锡华润上华 指 无锡华润上华科技有限公司 华润安盛 指 无锡华润安盛科技有限公司 华润微集成 指 华润微集成电路（无锡）有限公司 迪思微电子 指 无锡迪思微电子有限公司 华润芯功率 指 无锡华润芯功率半导体设计有限公司 华晶综服 指 无锡华晶综合服务有限公司 华微控股 指 华润微电子控股有限公司 华润赛美科 指 华润赛美科微电子（深圳）有限公司 重庆华微 指 华润微电子（重庆）有限公司，原名为中航（重庆）微电子 有限公司，于2017年无偿划转至华微控股 重庆润芯微 指 重庆润芯微电子有限公司 矽磐微电子 指 矽磐微电子（重庆）有限公司 杰群电子 指 杰群电子科技（东莞）有限公司 润科基金 指 润科（上海）股权投资基金合伙企业（有限合伙） 润安科技 指 华润润安科技（重庆）有限公司 润西微电子 指 润西微电子（重庆）有限公司 美满芯盛 指 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 国务院 指 中华人民共和国国务院 发改委 指 中华人民共和国国家发展和改革委员会 国务院国资委 指 国务院国有资产监督管理委员会 科技部 指 中华人民共和国科学技术部 财政部 指 中华人民共和国财政部 工业和信息化部、工信部 指 中华人民共和国工业和信息化部 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元 本报告期、报告期 指 2021年1月1日至6月30日 传感器 指 一种检测装置，能感受到被测量的信息，并按一定规律变换 为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、 处理、存储、显示、记录、控制等要求 光电耦合器 指 光电隔离器，是由发光二极管和光敏电阻组成的电路 光罩、光掩模 指 制造芯片时，将电路印制在硅晶圆上所使用的模具 分立器件 指 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式 半导体器件有二极管、三极管、光电器件等 功放 指 功率放大器，在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以 驱动某一负载的放大器，包括AB、D、数字功放。其中AB 类功放通过晶体管放大电流从而放大信号，D类功放用脉冲 宽度对模拟音频幅度进行模拟，数字类功放用数字信号进行 功率放大 功率IC 指 为了操作功率元器件，通常须将一个电压施加于栅极。栅极 驱动与达林顿驱动向功率器件施加电压并提供驱动电流 功率半导体 指 功率器件与功率IC的统称 双极工艺 指 双极工艺是一种基于硅基的典型制造工艺，主要用于双极型 晶体管或集成电路的制备 屏蔽栅MOS 指 在沟槽内栅多晶硅电极下面引入另一多晶硅电极，并使之与 源电极电气相连，采用氧化层将上下二个多晶硅电极隔开， 具有导通电阻低、栅电荷低、米勒电容低等特点 摩尔定律 指 半导体行业的经典定律，由戈登·摩尔于1965年提出：当价 格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 数字芯片 指 基于数字逻辑设计和运行的，用于处理数字信号的集成电路， 包括微元件，存储器和逻辑芯片 晶圆 指 半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工制作各种 电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品 晶闸管 指 一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作 模拟芯片 指 处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号是 指用电参数，如电流和电压，来模拟其他自然物理量而形成 的连续性的电信号 氮化镓、GaN 指 一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电 子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质 流片 指 为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个 电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电 路是否具备所需要的性能和功能 短路能力 指 功率器件发生短路后的承受与控制能力，是器件可靠性的一 种重要参数 线性稳压IC 指 线性稳压IC是一种重要的稳压IC，其主要通过输出电压反 馈，经误差放大器等组成的控制电路来控制调整管的管压降 压差来达到稳压的目的 超结MOS 指 高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种新型功率 器件，在平面垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管的 基础上，引入电荷平衡结构 金属势垒 指 金属势垒即肖特基势垒，是一种由势垒金属与轻掺杂半导体 接触所形成的具有一定势垒高度的整流结构 铜片夹扣键合工艺、 Copper Clip 指 指用铜块替代打线的工艺的一种新型的封装工艺，类似的有 铝带/铜丝/金丝键合工艺 雪崩耐量、UIS 指 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电 流的流动会引起雪崩衰减。此时元件可吸收的能量称为雪崩 耐量，表示施加电压时的抗击穿性 碳化硅、SiC 指 一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场 高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质 AC-DC 指 电源是输入为交流，输出为直流的电源模块。在模块内部包 含整流滤波电路、降压电路和稳压电路 BCD 指 Bipolar-CMOS-DMOS的简称，BCD是一种单片集成工艺技 术。这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS 和DMOS器件，称为BCD工艺 BiCMOS 指 BiCMOS技术是把双极型晶体管（BJT）和CMOS器件同时 集成在同一块芯片上的新型的工艺技术，它集中了上述单、 双极型器件的优点 BJT 指 Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管，是通过一定的 工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种 组合结构 BMS 指 电池管理系统，能够提高电池的利用率，防止电池出现过度 充电和过度放电 CDMOS 指 Complementary and Double-Diffusion MOS，互补型MOS和 双扩散型MOS集成工艺是将LDMOS功率器件与传统的 CMOS器件集成在同一块硅片上的工艺 CMOS 指 Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物 半导体，互补式金属氧化物半导体，一种在同一电路设计上 结合负信道及正信道的集成电路 DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能 的电源模块，其采用微电子技术，把小型表面安装集成电路 与微型电子元器件组装成一体而构成 DMOS 指 双扩散金属氧化物半导体，主要有垂直双扩散金属氧化物半 导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半导体 场效应管LDMOSFET EMI 指 Electromagnetic Interference，即电磁干扰。指电磁波与电子 元件作用后而产生的干扰现象 ESD 指 Electro-Static discharge，静电释放。静电防护是电子产品质 量控制的一项重要内容 Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售， 而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成， 也代指此种商业模式 FC工艺 指 FLIP CHIP，倒装工艺，是一种新型封装工艺 FRD 指 快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特 点的半导体二极管 HVIC 指 高压集成电路 IDM 指 IDM模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内全部 或主要业务环节的经营模式 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，同时具备MOSFET和双极性晶体管的 优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能 力高、工作频率高等特点 IPM 指 智能功率模块，由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路 以及快速保护电路构成 LDMOS 指 横向扩散金属氧化物半导体，在高压功率集成电路中常采用 高压LDMOS满足耐高压、功率控制等要求 LED 指 Lighting Emitting Diode，发光二极管，是一种半导体固体发 光器件 LV Trench MOS、Trench 指 低压沟槽型MOSFET，是低压MOS的一种，在体硅表面刻 MOS、沟槽型MOS 蚀沟槽形成栅电极，将传统平面MOS沟道由表面转移到体 内 智能控制、MCU 指 微控制单元，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，并 将内存、计数器、USB等周边接口甚至驱动电路整合在单一 芯片上，形成芯片级的计算机 MEMS 指 微机电系统。指集微型机构、微型传感器、微型执行器以及 信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微 型器件或系统 MOSFET 指 金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模 拟电路与数字电路的场效晶体管 MTP 指 Multiple Times Programmable，是可编程逻辑器件的一类，多 次可编程 OTP 指 One Time Programmable，是可编程逻辑器件的一类，一次性 可编程 QFN 指 Quad Flat No-leadpackge，方形扁平无引脚封装 QFP 指 Quad Flat Package，方形扁平式封装 RF 指 Radio Frequency，表示可辐射到空间的电磁频率，频率范围 从300kHz～300GHz之间 SBD 指 Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管，利用金属与半导 体接触形成的金属－半导体结原理制作 Sensor Hub 指 智能传感集线器，是一种基于低功耗MCU和轻量级RTOS 操作系统之上的软硬件结合的解决方案 Sigma-Delta ADC 指 Sigma-Delta Analog-to-Digital Converter，模拟数字转换器， 是模数变换器的一种 SOC 指 System-on-a-Chip，又称为芯片级系统，是在单个芯片上集成 CPU、GPU等整个电子系统的产品 SOP 指 Small Out-Line Package，小外形封装，是一种常见的元器 件形式，其变种包括TSSOP、SSOP、QSOP等 SOT 指 小外形晶体管贴片封装，是5脚或以下器件的贴片封装形式 Trench-FS 指 沟槽型场截止结构，沟槽型将表面沟道变为纵向沟道，场截 止指击穿时电场是穿通型的 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况 公司的中文名称 华润微电子有限公司 公司的中文简称 华润微 公司的外文名称 China Resources Microelectronics Limited 公司的外文名称缩写 CRM 公司的法定代表人 李虹 公司注册地址 Conyers Trust Company (Cayman) Limited, Cricket Square, Hutchins Drive, PO Box 2681, Grand Cayman, KY1-1111, Cayman Islands 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 地址一：江苏省无锡市梁溪路14号 地址二：上海市静安区市北智汇园汶水路299弄12号 公司办公地址的邮政编码 214061、200072 公司网址 www.crmicro.com 电子信箱 [email protected] 报告期内变更情况查询索引 无 说明：公司注册地在开曼群岛，无法定代表人，公司负责人李虹。 二、 联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 吴国屹 邓加兴 联系地址 江苏省无锡市梁溪路14号 江苏省无锡市梁溪路14号 电话 +86-510-85893998 +86-510-85893998 传真 +86-510-85872470 +86-510-85872470 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、 信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券 日报》 登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 公司董事会办公室 报告期内变更情况查询索引 无 四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 人民币普通股（A股） 上海证券交易所科创板 华润微 688396 不适用 (二) 公司 存托凭证 简 况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 √适用 □不适用 公司聘请的会计师事务 所（境内） 名称 天职国际会计师事务所（特殊普通合伙） 办公地址 江苏省南京市秦淮区中山南路1号南京中心 39层 签字会计师姓名 汪娟、王巍 报告期内履行持续督导 职责的保荐机构 名称 中国国际金融股份有限公司 办公地址 北京市朝阳区建国门外大街1号国贸大厦2 座27层及28层 签字的保荐代表人姓名 魏先勇、王健 持续督导的期间 2020年2月27日至2023年12月31日 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年 同期增减(%) 营业收入 4,454,869,325.85 3,063,134,659.40 45.43 归属于上市公司股东的净利润 1,067,619,015.29 403,093,311.78 164.86 归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润 1,015,181,733.87 344,793,007.09 194.43 经营活动产生的现金流量净额 1,350,995,667.32 511,175,919.17 164.29 本报告期末 上年度末 本报告期末比上 年度末增减(%) 归属于上市公司股东的净资产 16,077,671,604.30 10,582,787,885.23 51.92 总资产 21,398,615,812.38 16,532,495,766.97 29.43 (二) 主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期 增减(%) 基本每股收益（元／股） 0.8537 0.3702 130.61 稀释每股收益（元／股） 0.8537 0.3702 130.61 扣除非经常性损益后的基本每股收益 （元／股） 0.8117 0.3166 156.38 加权平均净资产收益率（%） 8.5056 4.8795 增加3.6261个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率（%） 8.0879 4.1737 增加3.9142个百分点 研发投入占营业收入的比例（%） 6.35 7.41 减少1.06个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1、报告期内，公司营业收入同比增长45.43%，主要系因市场景气度较高，公司接受的订单比较 饱满，整体产能利用率较高，公司各事业群营业收入均有所增长。 2、报告期内，归属于上市公司股东净利润同比增长164.86%，归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润同比增长194.43%，主要系因公司营业收入同比增长45.43%、同时公司整体毛利 率同比增长6.97个百分点。 3、报告期内经营活动产生的现金流量净额同比增长164.29%，主要系因公司获利能力较同期增加， 且市场景气度较高，客户回款较好。 4、报告期内归属于上市公司股东的净资产同比增长51.92%，总资产同比增长29.43%，主要系因 公司于2021年4月向特定对象发行股票募集资金约49.88亿元。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 非流动资产处置损益 734,952.70 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关， 符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府 补助除外 54,348,723.48 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投 资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备 债务重组损益 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易 性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债 产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金 融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得 的投资收益 9,713,399.41 单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回 120,000.00 对外委托贷款取得的损益 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动 产生的损益 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调 整对当期损益的影响 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 694,418.22 其他符合非经常性损益定义的损益项目 少数股东权益影响额 -677,451.55 所得税影响额 -12,496,760.84 合计 52,437,281.42 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一) 所属行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 公司的主营业务包括功率半导体、智能传感器及智能控制产品的设计、生产及销售，以及提 供开放式晶圆制造、封装测试等制造服务，属于半导体行业。 根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算 机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码“C39”。 半导体位于电子行业的中游，上游是电子材料和设备。半导体和被动元件以及模组器件通过 集成电路板连接，构成了智能手机、电脑等电子产品的核心部件，承担信息的载体和传输功能是 信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半 导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序多、产 品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气 周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。自2000年以来，我国政府颁 布了一系列政策法规，将集成电路产业确定为战略性新兴产业之一，大力支持集成电路行业的发 展，如2011年国务院颁布的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》、2014年 国务院颁布的《国家集成电路产业发展推进纲要》，2016年国务院颁布的《“十三五”国家战略新 兴产业发展规划》、2017年工信部颁布的《物联网“十三五”规划》、2020年8月，国务院颁布的 《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》，制定出台财税、投融资、研究开 发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施，进一步优化半导体产 业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量。2021年3月，第十三届全国人 民代表大会第四次会议表决通过了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035年远景目标纲要》的决议，纲要提出需要集中优势资源攻关多领域关键核心技术，其中集成 电路领域包括集成电路设计工具开发、重点装备和高纯靶材开发，集成电路先进工艺和绝缘栅双 极晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化 镓等宽禁带半导体发展。坚定发展半导体产业已上升至国家重点战略层面，并成为社会各界关注 的重点产业。国家政策的高度支持为半导体产业的发展创造了良好的生态环境与重大机遇，预计 中国集成电路产业依然保持快速增长态势。 随着物联网、5G通信、人工智能等新技术的不断成熟，消费电子、工业控制、汽车电子等半 导体主要下游制造行业的产业升级进程加快。下游市场的革新升级强劲带动了半导体企业的规模 增长。全球集成电路行业市场规模大且保持较快增长。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS） 预测，全球半导体市场 2021 年增速将达到 19.7%，市场规模达到 5,272 亿美元。根据IBS数据， 预计2022年市场规模突破5,000亿美元，2024年将达到6,060亿美元。到2030年，全球集成电 路产业规模预计达到1万亿美金。 我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半 导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。根据海关统计， 2021年第一季度中国进口集成电路1,552.7亿块，同比增长33.6%；进口金额936亿美元，同比 增长29.9%。出口集成电路737亿块，同比增长42.7%；出口金额314.6亿美元，同比增长31.7%。 整体来看，半导体市场增长前景可观，我国集成电路自给率仍较低，依然有很大的成长空间。 在中国经济稳健增长的态势下，在5G、云计算、物联网、人工智能、智能网联汽车等新型应 用的驱动下，中国集成电路市场需求仍将持续增长。根据中国半导体行业协会（CSIA）统计，2021 年第一季度中国集成电路产业销售额1,739.3亿元，同比增长18.1%，其中：设计业同比增长24.9%， 销售额为717.7亿元；制造业同比增长20.1%，销售额为542.1亿元；封测业同比增长7.3%，销 售额479.5亿元。半导体行业发展面临机遇，也面临挑战，需要在全球范围内加强合作，共同打 造半导体行业产业链，实现更加健康和可持续的发展。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR 等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期， 逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增 加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业 发展迎来了历史性的机遇。 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、 直流交流转换等。功率半导体分为功率IC和功率分立器件两大类，功率分立器件主要包括二极管、 晶闸管、晶体管等产品。 功率半导体产品范围示意图 1b025a00a49d10ae422f4240cc17516 近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电 网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。根据Omdia数据预计，2021年全球功率 半导体市场规模将增长至441亿美元，到2024年将突破500亿美元。2021年中国功率半导体市 场规模将达到159亿美元，到2024年有望达到190亿美元，具有广阔的国产替代空间。随着国家 政策为大陆半导体行业创造了良好的发展环境及半导体产业重心向中国的转移，中国功率半导体 行业有望率先实现国产替代，进入高速发展的黄金时期。中国功率半导体企业有望在消费电子、 工业控制、汽车电子等领域实现依次突破，国产替代进程正不断加速。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体 企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。经过多年发展及一系列整合，公司 是目前国内领先的运营完整产业链的半导体企业。 公司是中国本土领先的以IDM模式为主经营的半导体企业，同时也是中国最大的功率器件企 业之一。在功率半导体领域，公司多项产品的性能、工艺居于国内领先地位。其中，MOSFET是 公司最主要的产品之一，公司是国内营业收入最大、产品系列最全的MOSFET厂商。公司是目前 国内少数能够提供 -100V至1500V范围内低、中、高压全系列MOSFET产品的企业，也是目前 国内拥有全部主流MOSFET器件结构研发和制造能力的主要企业，生产的器件包括沟槽栅MOS、 平面栅VDMOS及超结MOS等，可以满足不同客户和不同应用场景的需要。根据Omdia的统计， 2020年度以销售额计，公司在中国MOSFET市场中排名第三，仅次于英飞凌和安森美，是中国 本土最大的MOSFET厂商。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）第三代半导体材料带来发展新机遇 第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料；第二代半导体材料主要是指化合物半 导体材料，如砷化镓、锑化铟；第三代半导体材料是宽禁带半导体材料，其中最为重要的就是SiC 和GaN。和传统半导体材料相比，更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的 开关频率下运行。SiC具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用 于高频高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，SiC可以制造高耐压、 大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元 器件相比，GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，是超高频器件的 极佳选择，适用于5G通信、微波射频等领域的应用。未来，随着第三代半导体材料的成本因生 产技术的不断提升而下降，其应用市场也将迎来爆发式增长，给半导体行业带来新的发展机遇。 根据Omdia数据，2020年全球SiC和GaN功率半导体的销售收入达到8.54亿美元，在混合动力 和电动汽车、电源和光伏逆变器等需求的推动下，未来十年保持两位数的年均复合增长率，到2021 年市场预计超过10亿美元，并在2029年超过50亿美元。 （2）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 随着物联网、5G通信、人工智能等新技术的不断成熟，消费电子、工业控制、汽车电子等半 导体主要下游制造行业的产业升级进程加快。下游市场的革新升级强劲带动了半导体企业的规模 增长。如在汽车电子领域，相比于传统汽车，新能源汽车需要用到更多传感器与制动集成电路， 新能源汽车单车半导体价值将达到传统汽车的两倍，同时功率半导体用量比例也从20%提升到近 50%。新兴科技产业将成为行业新的市场推动力，并且随着国内企业技术研发实力的不断增强， 国内半导体行业将会出现发展的新契机。 （3）先进封装技术的升级迭代与创新 随着半导体产业进入后摩尔时代，制造端的成本不断上升，产品功能集成更加复杂，因此得 益于对更高集成度的广泛需求，以及下游 5G、消费类、存储和计算、物联网、人工智能和高性 能计算等大趋势的推动，先进封装将成为推进封装产业的主推动力。根据Yole的预测，2020-2026 年，先进封装市场的年复合增长率约为7.9%，到2025年该市场规模将突破420亿美元。虽然中 国本土供应商在传统封装领域已占据较高比例的全球市场份额，但在先进封装领域仍需持续提升 国际竞争力，2020年我国先进封装占全球市场比例预计约为14.8%，仍有较大的提升空间。先进 封装技术的演进，一方面提升封装测试环节在半导体制造产业链中的地位与价值量，另一方面也 给现有市场格局带来了新技术要求的挑战。先进封装包括倒装芯片（FC）、硅通孔（TSV）、嵌 入式封装（ED）、扇入（Fan-In）/扇出（Fan-Out）型晶圆级封装、系统级封装（SiP）等先进技 术演进形式，相较于传统封装技术能够保证质量更高的芯片连接以及更低的功耗。其中，扇出型 封装技术是顺应半导体产品小型化、薄型化、功能强而发展起来的新一代封装技术，是封装技术 最重要的发展方向之一。面板级封装（PLP）是一种从晶圆和条带级向更大尺寸面板级转换的方 案。由于其潜在的成本效益和更高的制造效率，吸引了市场的广泛关注，该技术有望带来了相较 传统封装更高规模的经济效益，并且能够实现大型封装的批量生产。 (二) 主营业务情况说明 1. 主要业务、主要产品或主要服务情况 公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体 企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域，为客户提供丰富的半导体产品与系 统解决方案。公司产品设计自主、制造全程可控，在分立器件及集成电路领域均已具备较强的产 品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。 目前公司主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块。公司产品与方案业务板块 聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。公司制造与服务业务主要提供半导体开放式晶 圆制造、封装测试等服务。此外，公司还提供掩模制造服务。 2. 主要经营模式 公司产品与方案板块业务目前主要采用IDM经营模式，同时制造与服务板块业务向国内外半 导体企业提供专业化服务。 IDM模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模式。公 司产品及方案板块采用IDM经营模式，主要原因为IDM模式在研发与生产的综合环节长期的积 累会更为深厚，有利于技术的积淀和产品群的形成。另外，IDM企业具有资源的内部整合优势， 在IDM企业内部，从芯片设计到制造所需的时间较短，不需要进行硅验证，不存在工艺对接问题， 从而加快了新产品面世的时间，同时也可以根据客户需求进行高效的特色工艺定制。功率半导体 领域由于对设计与制造环节结合的要求更高，采取IDM模式更有利于设计和制造工艺的积累，推 出新产品速度也会更快，从而在市场上可以获得更强的竞争力。该模式对企业技术、资金和市场 份额要求较高。公司主要经营模式未发生改变，详细情况请参见公司2020年年报披露部分。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司业务包括产品与方案业务及制造与服务业务两大业务板块，公司在主要的业务领域均掌 握了一系列具有自主知识产权的核心技术，大部分核心技术均为国内领先，其中沟槽型SBD设计 及工艺技术、光电耦合和传感系列芯片设计和制造技术及BCD工艺技术国际领先。上述核心技术 已成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司主要核心技术情况如下： （1）产品及方案业务相关核心技术 序号 产品类别 核心技术名称 技术/产品特点 技术 来源 1 MOSFET 沟槽栅MOS器件 设计及工艺技术 1）较优的单位面积导通电阻值及优值系数（FOM） 2）抗短路能力强 3）可靠性高 自主 研发 平面栅VDMOS设 计及其工艺技术 1）高的功率密度 2）更好的EMI和效率折衷表现 3）高可靠性和高抗冲击能力 4）集成低漏电超快恢复FRD的产品，适用于更高功 率的全桥拓扑应用类市场 5） 超高压系列 1000V- 1700V拓展到更宽应用 自主 研发 多层外延超结 MOS器件设计及 工艺技术 1）自主专利保护的采用非掺杂多层外延技术 2）更高的功率密度 3）更高的开关效率 3）高ESD保护能力 4）工业类可靠性 5）集成快恢复FRD的产品，适用于更高功率的ZVS、 LLC拓扑应用类市场，如充电桩，通讯电源等 自主 研发 2 IGBT IGBT设计及工艺 技术 1）采用Trench-FS工艺及超薄晶圆加工技术 2）导通电压低、开关损耗小 3）可靠性高、适用性强 自主 研发 3 功率二极 管 沟槽型SBD设计 及工艺技术 1）采用8英寸Trench结构 2）电压覆盖30V-200V 3）多种金属势垒、满足不同性能要求 自主 研发 FRD设计及制备技 术 1）采用重金属掺杂工艺 2）较快的反向恢复特性 3）较优的软度系数、高雪崩耐量 自主 研发 4 物联网应 用专用IC 烟雾报警IC的设 计技术 1）丰富的产品规格、多种控制方式 2）具有智能联网功能 3）通过美国UL认证 自主 研发 MEMS信号采样处 理设计技术 1）采用高精度Delta-Sigma ADC技术，功耗低、灵 敏度高 2）可同时处理多个、多种MEMS传感器，实现MEMS 传感器信号同步采样、信号实时处理和校准 自主 研发 5 功率IC 无线充专用IC的 设计技术 1）满足国际无线充电联盟（WPC）的QI标准 2）高充电效率、低待机功耗、低EMI 3）支持过温过压过流保护、异物检测和动态电流调 整 4）适合无线充应用的PD快充技术 自主 研发 锂电管理系统专用 IC的设计技术 覆盖绝大多数锂电系统的应用需求，包括单节锂电保 护、2-10节锂电硬件保护、以及5-8节以上锂电保护 模拟前端 自主 研发 序号 产品类别 核心技术名称 技术/产品特点 技术 来源 LED驱动IC的设 计和制造技术 1）采用公司特色700V BCD工艺 2）产品规格齐全，包含线性LED及开关LED驱动 两大类 3）性能稳定、可靠性高 自主 研发 通用开关电源控制 技术及高可靠三端 稳压电路的设计、 工艺及测试技术 1）采用公司特色工艺 2）产品规格齐全 3）产品可靠稳定、一致性好 自主 研发 6 光电耦合 及传感 光电耦合和传感系 列芯片设计和制造 技术 1）采用公司特色工艺 2）较优的重复峰值电压及产品开关速度 3）高抗干扰能力、高光耦隔离电压、高产品可靠性 自主 研发 7 SiC SiC JBS 系列产品 设计和制造技术 1）采用公司自主研发的SiC工艺和封装技术 2）优异的导通压降Vf、Qc及漏电，系统性能达到 国际一线品牌水准 3）抗浪涌能力强 4）工业级可靠性 自主 研发 SiC MOS系列产品 设计和制造技术 1）采用自主研发的SiC工艺及封装技术 2）比导通电阻达到5mΩcm2，产品电参数达到国际 标杆水平 3）雪崩耐量高 自主 研发 8 GaN GaN D-mode器件 设计及工艺技术 1）采用公司自主研发的Si基氮化镓工艺及封装技术 2）成熟、稳定的产线，产品良率高 3）优异的击穿电压、比导通电阻，参数达到国际标 杆样品水准 自主 研发 （2）制造与服务相关核心技术 序号 工艺类别 核心技术名称 技术/工艺特点 技术 来源 1 BCD工艺 技术 硅基高压BCD工艺 技术、硅基高密度 BCD工艺技术、SOI 基BCD工艺技术 1）覆盖1.0-0.18μm的各个技术节点 2）支持超大范围的工作电压5V-700V 3）低导通电阻、高可靠性 4）同步提供200-600V SOI基BCD工艺选项 自主 研发 2 MEMS工 艺技术 麦克风MEMS工艺 技术、压力MEMS工 艺技术、光电传感器 工艺技术、温湿度 MEMS工艺技术 1）提供完整的标准MEMS工艺模块，能够灵活 调整组合 2）提供多样化的表面或体硅加工技术及客制化的 平台 3）丰富的平台组合，包含压力、麦克风、光电、 温湿度等MEMS工艺制程 自主 研发 3 功率封装 技术 IPM模块封装工艺技 术 提供金属框架、铝基板（IMS）和陶瓷基板三种 IPM封装技术解决方案 自主 研发 PQFN/PDFN封装工 艺技术 1）齐全的封装类型 2）多种工艺组合，满足不同器件性能的需要 3）掌握主流的功率封装先进工艺技术，包括超薄 芯片封装、铝丝和铝带键合、CopperClip Bond技 术和倒装（FC）技术等 自主 研发 序号 工艺类别 核心技术名称 技术/工艺特点 技术 来源 4 面板级扇 出封装技 术 单层板双面散热封装 技术 1）提供完整的面板级扇出封装产品结构设计，仿 真与加工方案 2）双面散热工艺，有效降低器件工作温度 3）产品适用于大电流，降寄生，高散热产品 合作 研发 1.5层扇入扇出结合 面板封装技术 1）产品扇入，扇出相结合，最小化封装设计，有 效提升芯片与封装尺寸占比 2）可提供多层布线产品加工方案 自主 研发 超薄产品封装技术 封装产品厚度300μm，产品厚度可自由调整，不 受设备与治具限制 自主 研发 2. 报告期内获得的研发成果 （1）公司宽禁带半导体器件领域技术取得突破，自主研发的新一代650V SiC JBS 综合性能达到 业界先进水平，多款产品实现量产，主要应用于充电桩、太阳能逆变器、各类电源器等领域。自 主研发的平面型1200V SiC MOSFET产出工程样品，静态技术参数达到国外对标样品水平。 （2）公司自主研发的新一代高性能中低压功率MOSFET产品实现关键核心技术突破，器件性能 达到对标产品的国际先进水平，并通过公司核心客户的一次性认定，实现量产，报告期内累计出 货超300万颗。 （3）公司IGBT产品制造工艺技术全面提升至8吋，1200V 40A FS-IGBT产品在工业领域实现量 产；新一代的650V 40A FS-IGBT样品技术参数达到国外对标产品水平，已送样给客户进行评估。 （4）公司推出第二代总线物联网芯片，整体性能达到国内领先水平。 （5）公司BCD工艺技术持续升级，推出0.18微米中高压车规级BCD工艺技术。 （6）采用公司国内独有的500V SOI-BCI高压工艺技术平台研发的单片智能功率IC已送客户认 定，该产品具有良好的市场应用前景。 （7）公司不断拓展面板级封装技术的封装形式和客户，专用生产线通过国内外多家客户产品的考 核认证，进入量产阶段。 （8）公司参与的项目“高效单面加工MEMS规模制造关键技术”获2020年度上海市技术发明一等 奖；“高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”入选2020年度国家技术发明奖二等奖。 公司牵头承担的国家科技重大专项 “0.13微米SOI通用CMOS与高压工艺开发与产业化” 项目顺 利通过验收。 报告期 内获得的知识产权列表 本期新增 累计数量 申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个） 发明专利 151 63 3,466 1,412 实用新型专利 14 20 618 580 外观设计专利 0 0 15 14 软件著作权 3 3 7 7 其他 3 3 347 347 合计 171 89 4,453 2,360 3. 研发投入情况表 单位：元 本期数 上期数 变化幅度 （%） 费用化研发投入 282,943,268.28 227,065,371.56 24.61 资本化研发投入 0.00 0.00 0.00 研发投入合计 282,943,268.28 227,065,371.56 24.61 研发投入总额占营业收入比例（%） 6.35 7.41 - 1.06 研发投入资本化的比重（%） 0.00 0.00 0.00 研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □ 适用 √ 不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □ 适用 √ 不适用 4. 在研 项目情况 √ 适用 □ 不适用 单位：万元 序号 项目名称 预计总投资 规模 本期投入 金额 累计投入 金额 进展或阶段性成果 拟达到目标 技术 水平 具体应用前景 1 硅基氮化 镓功率器 件设计及 工艺技术 研发 24,354.00 1,103.38 4,848.68 自主研发的第一代650V硅基氮化 镓Cascode器件样品静态参数达到 国外对标水平，正在进行外延材料 质量、芯片面积及工艺的优化，以 进一步提升器件可靠性和性价比； 自主研发的第一代650V硅基氮化 镓E-mode器件实现器件功能，工 艺开发中 完成650V硅基氮化镓器 件的研发，建立相应的材 料生产、产品设计、晶圆 制作和封装测试能力 国内 领先 应用于智能手机充电 器、电动汽车充电器、 电脑适配器等领域 2 SiC功率 器件设计 及工艺技 术研发 14,217.00 1,108.86 4,386.52 自主研发的多款6英寸第一代 650V、1200V SiC JBS产品实现量 产；自主研发的第四代650V SiC JBS产品实现技术突破，综合性能 达到业界先进水平； 平面型1200V SiC MOSFET产出工 程样品，静态技术参数达到国外对 标样品水平，正在进行可靠性优化 完成四个代次SiC JBS产 品及平面型MOSFET产 品的研发，建立相应的产 品设计、晶圆制造和封装 测试能力 国内 领先 应用于光伏逆变器、 风电逆变器，UPS电 源、电动汽车 、充电 桩、车载充电机，轨 道交通驱动，电信和 服务器电源 3 IGBT产 品设计及 工艺技术 研发 5,954.71 674.10 1,788.60 沟槽 FS-IGBT 1200V 40A产品通 过工业级考核，实现量产； FS-IGBT 650V器件工艺平台固 化，技术参数可达到国际先进水 平，已送样给客户进行评估 通过自主开发和技术合 作，开发先进的 650V/1200V 高性能 IGBT芯片和沟槽 FS-IGBT芯片，建立相应 的产品设计、工艺制造能 力 国内 领先 应用于消费类白电、 工控类变频器、伺服、 机器人、光伏逆变、 风力发电等 4 单片智能 功率集成 电路设计 及工艺技 术研发 4,364.08 671.12 1,604.94 单片智能功率集成电路IC产品开 发已完成，送客户认定中。该产品 利用了公司自主开发完成的国内 独有的500V SOI-BCI工艺平台， 并建立了配套的HDIP26封装测试 平台 完成电机应用500V单片 智能功率集成电路的研 发，同步研发和建立完成 支持该系列产品的 SOI-BCI工艺技术和封 装测试技术平台 国内 领先 应用于白电室内风 机，室外风机，空气 净化器，风扇，塑封 电机等 5 20-30V DrMOS器 件研发 2,000.00 116.75 168.42 内建SGT MOS器件设计定型，已 产出样片；Driver版图设计中；封 装研发中 整合内外部资源，开发具 有业界先进水平的 20-30V DrMOS 产品 国内 领先 应用于服务器/通讯系 统/PC等领域 6 AC-DC Fly-back 电源模块 芯片研发 2,000.00 103.33 175.52 完成系统应用仿真电路的建立和 芯片各个功能模块的定义，并已申 请多项核心技术专利 开发具有业界先进水平 的、面向 USB PD 快充 应用的 AC-DC Fly-back 原、副边控制集成电路 国内 领先 应用于手机、平板电 脑、笔记本电脑等设 备的充电器；多输出 电压的LED照明整流 器、工业电源设计 7 基于GaN 的快充方 案及芯片 研发 3,948.00 232.00 472.50 已完成自研系统设计，ACF架构原 型机设计达到预期。综合设计已完 成，正在进行版图设计 采用新型的GaN器件控 制及驱动技术，开发GaN 器件的驱动芯片及基于 GaN器件的快充电源系 统方案 国内 领先 应用于手机、平板、 笔记本等充电器及适 配器，具有功率密度 高、效率高、体积小 等特点 8 0.11微米 BCD工艺 平台研发 7,875.00 948.53 2,033.93 0.11微米BCD工艺基础平台流程 已建立；5~16V器件功能正常，正 在优化可靠性；30V高压器件参数 达标，并通过可靠性考核，正在进 行模型提取 提升BCD 工艺技术水 平，巩固在BCD 技术领 域的竞争优势 国内 先进 应用于PMIC、 sub-PMIC等传统消费 类产品线，并涵盖工 控（安防、通讯等）、 车用电子产品（BMS、 电源控制等）范围 9 面板级封 装技术研 发 55,000.00 2,498.78 38,770.70 已建成国内领先的高性能低成本 的面板级封装专用生产线，通过国 内外多家客户产品考核认证，进入 量产，总交货量大于6kk；封装晶 圆类型从铜制程扩充到铝制程，可 加工BPP尺寸从120μm提升到 80μm 建立专用生产线，研发高 性能、低成本的面板级封 装技术解决方案 国内 领先 提供更轻、薄、短、 小的封装方案，用于 代替现有FC QFN,LGA封装形式， 提高产品性价比和可 靠性 10 MEMS数 字传感器 产品研发 1,500.00 427.35 816.86 新一代小尺寸压力芯片已批量生 产；温湿度传感器已产出样片，正 在实装评估；多传感处理芯片通过 客户认证，准备上量 研发新一代高性能压力 传感器和温湿度传感器， 配合多传感处理芯片，实 现多颗单体和复合智能 数字传感器产品，配套建 立新一代压力和温湿度 传感器工艺平台 国内 先进 应用于空气净化器， 无人机，手机，环境 检测仪，便携式产品 等，满足更小、更薄、 多传感功能应用需要 11 32位电机 控制 MCU系 列产品研 发 4,200.00 305.48 797.47 完成第一代基于ARM-CORTEX M0 32位电机专用MCU产品工程 验证，进入市场推广阶段；开始启 动第二代产品的设计 以简化电机控制方案、提 升电机控制效率为目标， 围绕电机引擎模块研发 两代32位电机控制产品 国内 领先 应用于电动工具，电 动自行车、风扇及家 电场景中的电机控制 12 工业级 200V大功 率肖特基 芯片及封 装技术研 发 1,000.00 327.68 613.40 已产出大功率肖特基芯片工程样 品,技术参数得到客户认可，进一步 优化中 完成工业级200V大功率 肖特基芯片研发及封装 开发，填补国内空白 国内 先进 应用于轨道交通，大 功率电源 13 超高压 MOS晶圆 及封装技 术和产品 研发 450.00 121.65 352.09 工业级超高压4500V VDMOS 工 艺平台建立完成,首颗产品可靠性 摸底考核通过，获得客户试用良好 反馈 开发生产符合电网需求 的工业级超高压4500V VDMOS器件，实现国产 替代 国内 领先 应用于工业级电网系 统 合计 / 126,862.79 8,639.01 56,829.63 / / / / 5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币 基本情况 本期数 上期数 公司研发人员的数量（人） 808 684 研发人员数量占公司总人数的比例（%） 8.81 8.57 研发人员薪酬合计 13,872.48 9,581.93 研发人员平均薪酬 17.17 14.01 教育程度 学历构成 数量（人） 比例 (%) 博士及博士后 7 0.87 硕士 243 30.07 本科 439 54.33 专科 89 11.02 专科以下 30 3.71 合计 808 100.00 年龄结构 年龄区间 数量（人） 比例 (%) ﹤25岁 45 5.57 25岁-35岁 385 47.65 35岁-45岁 304 37.62 45岁-55岁 56 6.93 ﹥55岁 18 2.23 合计 808 100.00 6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、国内领先的拥有全产业链一体化运营能力的半导体企业 公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体 企业。经过多年发展，公司在半导体设计、制造、封装测试等领域均取得多项技术突破与经营成 果，已成为中国本土具有重要影响力的综合性半导体企业，自2004年起连续多年被工信部评为中 国电子信息百强企业。 公司是中国本土领先的以IDM模式为主经营的半导体企业，同时也是中国最大的功率器件企 业之一。对于功率半导体等产品，其研发是一项综合性的技术活动，涉及到产品设计端与制造端 等多个产业链环节的综合研发，IDM模式经营的企业在研发与生产各环节的积累会更为深厚，更 利于技术的积淀和产品群的形成与升级。作为拥有IDM经营能力的公司，公司的产品设计与制造 工艺的研发能够通过内部调配进行更加紧密高效的联系。受益于公司全产业链的经营能力，相比 Fabless模式经营的竞争对手，公司能够有更快的产品迭代速度和更强的产线配合能力。基于IDM 经营模式，公司能更好发挥资源的内部整合优势，提高运营管理效率，能够缩短产品设计到量产 所需时间，根据客户需求进行更高效、灵活的特色工艺定制。 2、丰富的产品线组合与先进的特色化制造工艺 经过多年发展，公司在功率半导体等产品领域积累了系列化的产品线，能够为客户提供丰富 的产品与系统解决方案。公司合计拥有1,100余项分立器件产品与500余项IC产品，拥有 CRMICRO、华晶、IPS等多个功率器件自主品牌，自主开发的SGTMOS、SJMOS、SBD、FRD、 IGBT工艺平台及相应模块和系统应用方案技术水平处于国内领先。公司是国内产品线最为全面 的功率分立器件厂商之一，丰富的产品线能够满足不同下游市场的应用场景以及同一细分市场中 不同客户的差异化需求，产品面向消费电子、计算机、网络通信、工业控制、医疗电子、汽车电 子等市场的电机、电池、电源三大应用领域，广泛应用于电动车、通用开关电源、手机快充、照 明、电动工具、家电、电焊机、储能、消防、智能电网、仪表、UPS、变频器、充电桩、太阳能 光伏以及工控和汽车电子等细分市场。 公司具有全国领先的半导体制造工艺水平，BCD工艺技术水平国际领先、MEMS工艺等晶圆 制造技术以及智能功率IPM模块封装等封装技术国内领先。先进全面的工艺水平使得公司提供的 服务能够满足丰富产品线的多项工艺需求。同时，公司的制造资源也在国内处于领先地位，具备 为客户提供全方位的规模化制造服务能力。 3、专业的技术团队与强大的研发能力 公司一直以来高度重视技术团队的建设与研发能力的提升。2018年至2020年，公司研发投 入分别为44,976.10万元、48,261.57万元和56,607.80万元，占营业收入的比例分别为7.17%、8.40% 和8.11%。截至2021年6月30日，公司拥有9,170名员工，其中包括3,493名研发技术人员，合 计占员工总数比例为38.09%。公司的核心技术人员均在半导体领域耕耘数十年，在不同的技术方 向具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人 员的研发能力保证了公司的市场敏锐度和科研水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋 势，亦满足客户终端产品的创新需求。 公司领先的科研实力受到了社会的认可。公司牵头承担的5项国家科技重大专项项目和参与 的多项国家科技重大专项项目均顺利通过验收。公司参与的2项国家重点研发计划项目按计划执 行中。截至2021年6月末，公司7个研发机构被各级政府授予13项资质。其中授予省级工程技 术研究中心3项，省级企业技术中心1项，省级重点实验室1项，省级功率半导体技术创新中心 1项，省级工程研究中心1项；市级企业技术中心2项，市级重点实验室1项，市级先进封装工 程技术研究中心1项，市级技术研究院2项。同时，公司拥有2个博士后工作站，与多家国内知 名高校合作建立了联合实验室。在大力投入研发的同时，公司也持续完善专利布局以充分保护核 心技术，为业务开展及未来新业务的拓展创造了坚实的基础。报告期内，公司新增境内专利申请 123项，PCT国际专利申请14项，境外专利申请28项，公司新增获得授权专利83项。截至2021 年6月30日，公司已获得授权并维持有效的专利共计1,775项，其中境内专利1,562项、境外专 利213项。 4、覆盖了庞大且高粘性的客户基础 悠久的历史底蕴、民族品牌形象、良好的质量控制、先进的产品技术与服务为公司打下了坚 实的客户基础。公司客户覆盖工业、汽车、消费电子、通信等多个终端领域，客户基础庞大多元。 公司秉承本土化、差异化的经营理念，深刻理解不同专业应用领域用户的需求，能够为客户提供 专业、高效、优质且性价比较高的产品及服务，保证了较高的客户粘性。 公司目前已积累了世界知名的国内外客户群，产品及方案被不同终端领域广泛应用，市场认 可度高。同时，公司亦为国内外知名半导体企业提供制造及服务支持。公司与众多客户拥有多年 的合作经验，长期以来与之共同成长，通过产品工艺的共同开发与客户积累了深厚且紧密的合作 关系。 5、经验丰富的管理团队 公司主要管理团队具有丰富的半导体行业经验，通过对行业趋势的深入观察，结合丰富的经 营经验，能够准确地把握行业和公司的发展方向，制定合适的战略决策，帮助公司保持行业领先 地位。 公司首席运营官李虹博士在半导体行业拥有近30年的行业经验，是公司各项技术发展和产业 化的推动者。李虹博士曾先后工作于美国硅谷Intel技术与制造中心、上海宏力半导体制造有限公 司（曾任副总裁）、无锡华润上华科技有限公司（曾任总经理）、无锡华润华晶微电子有限公司 （曾任副总经理）。2018年，李虹博士被重庆大学特聘为客座教授。李虹博士自2017年起，任 华润微电子（重庆）有限公司总经理；自2020年起，任中国半导体行业协会副理事长，任公司董 事、首席运营官、功率器件事业群总经理、技术研究院院长。 此外，公司管理团队的其他人员也均在半导体行业具有长时间的经验，对于行业发展具有深 刻的理解。同时，公司的管理团队时刻保持锐意进取精神与创造力，带领着公司不断创新发展。 6、完善的质量管理体系 公司建立了完整的质量管理体系，依托产品研发和工艺技术的综合实力保证产品质量。目前 公司及子公司已经获得了ISO9001质量管理体系、IATF16949质量管理体系、ISO27001信息安全 管理体系、QC080000有害物质过程管理体系、ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全 管理体系、ISO50001能源管理体系、索尼GP认证、欧盟 RoSH认证等诸多国际认证，产品已经 海内外客户的广泛认可。 (二) 报告 期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响 的 事件 、 影响分析 及 应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 由于晶圆制造和封装测试产能紧张，2021年整体半导体的需求增长高于预期，目前半导体元 器件缺货情况可能会持续。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，全球半导体市场 2021 年增速将达到 19.7%，市场规模达到 5,272 亿美元。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR 等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期， 逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位，公司也将充分受益于集成电路行业 发展，受益于进口替代、半导体产业自主可控等历史性机遇。 从终端应用来看，数据中心建设和通信基础设施建设将加快，在“新基建”带动下，5G、数据 中心、人工智能、特高压、充电桩、工业互联网、高铁轨交等领域的建设将一定程度上驱动需求 增长，为半导体产业发展带来新的历史机遇。同时，国内疫情进入常态化管理，工厂产能恢复， 而国际大厂受疫情影响的停工停产将给国内厂商带来供应链重塑的机会，国产替代有望进一步加 速。 公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体 企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域，为客户提供丰富的半导体产品与系 统解决方案。公司产品设计自主、制造全程可控，在分立器件及集成电路领域均已具备较强的产 品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线，公司主营业务可分为产品与（未完）  |