[中报]中微公司:2021年半年度报告
原标题:中微公司:2021年半年度报告 公司代码：688012 公司简称：中微公司 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2021年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完 整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可 能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧）、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负 责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无。 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资 者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬 请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ................................ ................................ . 7 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ................................ ................................ ........... 10 第四节 公司治理 ................................ ................................ ................................ ........................... 33 第五节 环境与社会责任 ................................ ................................ ................................ ............... 35 第六节 重要事项 ................................ ................................ ................................ ........................... 37 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ................................ ................................ ....... 55 第八节 优先股相关情况 ................................ ................................ ................................ ............... 63 第九节 债券相关情况 ................................ ................................ ................................ ................... 63 第十节 财务报告 ................................ ................................ ................................ ........................... 63 备查文件目录 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并 盖章的财务报告。 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿。 第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 报告期 指 2021年1月1日至2021年6月30日 公司、本公司、 中微公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司 股东大会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司股东大会 董事会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司董事会 监事会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司监事会 中国证监会、证 监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 元、万元 指 人民币元、人民币万元 中微开曼 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. 中微亚洲 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. Asia 中微国际 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment International Pte. Ltd.，中微公司在 新加坡设立的子公司 中微国际台湾分 公司 指 新加坡商中微半导体设备股份有限公司台湾分公司，中微国际在中国台 湾设立的分支机构 中微北美 指 AMEC North America, Inc. 中微日本 指 AMEC Japan Co., Inc.,中微国际在日本设立的分支机构 中微韩国 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Korea Ltd.，中微国际在韩国设立 的分支机构 中微惠创 指 中微惠创科技（上海）有限公司 中微厦门 指 中微半导体设备（厦门）有限公司 中微南昌 指 南昌中微半导体设备有限公司 中微汇链 指 中微汇链科技（上海）有限公司 中微惠创 指 中微惠创科技（上海）有限公司 上海创投 指 上海创业投资有限公司 上海科创集团 指 上海科技创业投资（集团）有限公司 巽鑫投资 指 巽鑫（上海）投资有限公司 置都投资 指 置都（上海）投资中心（有限合伙） 上海自贸区基金 指 上海自贸试验区智芯投资中心（有限合伙） 悦橙投资 指 嘉兴悦橙投资合伙企业（有限合伙） 橙色海岸 指 嘉兴橙色海岸投资合伙企业（有限合伙） 君邦投资 指 嘉兴君邦投资管理合伙企业（有限合伙） 南昌智微 指 南昌智微企业管理合伙企业（有限合伙） 国开创新 指 国开创新资本投资有限责任公司 Primrose 指 Primrose Capital Limited Bootes 指 Bootes Pte. Ltd. Futago 指 Futago Pte. Ltd. Grenade 指 Grenade Pte. Ltd. 美国高通 指 QUALCOMM Incorporated 创橙投资 指 嘉兴创橙投资合伙企业（有限合伙） 和谐锦弘 指 义乌和谐锦弘股权投资合伙企业（有限合伙） 兴橙投资 指 共青城兴橙投资合伙企业（有限合伙） 君鹏投资 指 嘉兴君鹏投资合伙企业（有限合伙） 茂流投资 指 合肥茂流投资中心合伙企业（有限合伙） 励微投资 指 上海励微投资管理合伙企业（有限合伙） 芃徽投资 指 上海芃徽投资管理合伙企业（有限合伙） 浦东新兴 指 上海浦东新兴产业投资有限公司 协鑫创展 指 协鑫创展控股有限公司 亮橙投资 指 嘉兴亮橙投资合伙企业（有限合伙） 沈阳拓荆 指 沈阳拓荆科技有限公司 上海创徒 指 上海创徒光电技术服务有限公司 上海芯元基 指 上海芯元基半导体科技有限公司 睿励仪器 指 睿励科学仪器（上海）有限公司 Solayer 指 SOLAYER GmbH DAS环境专家 有限公司 指 DAS Environmental Expert GmbH 洪朴科技 指 上海洪朴信息科技有限公司 聚源芯星 指 青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限合伙） 博日科技 指 杭州博日科技股份有限公司 山东天岳 指 山东天岳先进科技股份有限公司 理想万里晖 指 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 中欣晶圆 指 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 昂坤视觉 指 昂坤视觉（北京）科技有限公司 德龙激光 指 苏州德龙激光股份有限公司 泛林半导体 指 Lam Research Corp. 东京电子 指 Tokyo Electron Ltd. 应用材料 指 Applied Materials, Inc. 维易科 指 Veeco Instruments Inc. 尹志尧 指 GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧），公司的董事长兼总经理 杜志游 指 ZHIYOU DU（杜志游），公司的董事、副总经理 陈立武 指 LIP-BU TAN（陈立武），2020年4月28日离任公司董事 黄庆 指 Hing Wong（黄庆），公司的董事 陈世敏 指 SHIMIN CHEN（陈世敏），公司的独立董事 余峰 指 FENG YU（余峰），公司的监事 朱新萍 指 HSIN-PING CHU（朱新萍），公司的副总经理 倪图强 指 TUQIANG NI（倪图强），公司的副总经理 陈伟文 指 WEIWEN CHEN（陈伟文），公司的副总经理、财务负责人 麦仕义 指 STEVE SZE-YEE MAK（麦仕义），公司的核心技术人员 杨伟 指 JAMES WEI YANG（杨伟），发行人的核心技术人员 李天笑 指 STEVEN TIANXIAO LEE（李天笑），公司的核心技术人员 吴乾英 指 VIGON MEKSAVAN（吴乾英），公司的员工 WSTS 指 World Semiconductor Trade Statistic，世界半导体贸易统计，一家半导体 行业数据统计公司，成员包括全球主要的半导体制造企业 CCP 指 Capacitively Coupled Plasma，电容性耦合的等离子体源 CMOS 指 Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体，指 制造大规模集成电路芯片用的一种器件结构 CVD 指 Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积 DRAM 指 Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器 ETCH、刻蚀 指 用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程，是与 光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺的关键步 骤 GaN、氮化镓 指 Gallium Nitride，氮和镓的化合物，一种第三代半导体，主要应用为半导 体照明和显示、电力电子器件、激光器和探测器等领域 Gartner 指 IT领域领先的研究与顾问公司，研究范围覆盖从最上游的硬件设计、制 造到最下游终端应用的IT产业全环节 IC、集成电路 指 Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等 有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联并集成在半导 体晶片上，封装在一个外壳内，实现特定功能的电路或系统 IC Insights 指 知名的半导体行业研究机构 ICP 指 Inductive Coupled Plasma，电感性耦合的等离子体源 IHS Markit 指 IHS Markit Ltd.（NASDAQ:INFO）创立于1959年，总部位于英国伦敦， 是一家全球商业资讯服务的多元化供应商，在全球范围内为推动经济发 展的各个行业和市场提供关键信息、分析和解决方案 LED 指 Light-Emitting Diode，发光二极管 LED外延片 指 LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石、 SiC、Si等）上所生长出的特定单晶薄膜 MEMS 指 Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统 Mini-LED 指 介于传统LED与Micro LED之间的次毫米发光二极管，意指晶粒尺寸 约在100微米的LED Micro LED 指 LED微缩化和矩阵化技术，将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列 化，可以让LED单元小于50微米，与OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）一样能够实现每个像素单独定址，单独驱动发 光 MOCVD 指 Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉 积，MOCVD设备是LED外延片生产过程中的关键设备 SEMI 指 国际半导体设备材料产业协会 PVD 指 Physical Vapor Deposition，物理气相沉积 RAM 指 Random Access Memory，随机存储器，是一种半导体存储器 TSV、硅通孔 指 Through Silicon Via，一项高密度封装技术，在三维集成电路中堆叠芯片 实现互连的一种新的技术解决方案 VLSI Research 指 集成电路和泛半导体领域领先的研究顾问公司，针对半导体产业链提供 技术、商业和经济方面市场调研和经济分析的公司。每年对全球集成电 路和泛半导体的制造和设备公司进行评比排序 VOC 指 Volatile Organic Compounds，挥发性有机化合物 分立器件、分立 元件 指 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式半导体器件 有二极管、三极管、光电器件等 封装 指 封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如芯片） 包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板 的工艺技术 反应台 指 反应腔中用于承载、冷却、吸附晶圆的装置 光刻 指 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶 表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术 晶圆、Wafer 指 用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料 摩尔定律 指 当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月 便会增加一倍，性能也将提升一倍，由英特尔创始人之一的戈登·摩尔提 出 前道、后道 指 半导体设备制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、清洗、 离子注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植 球、检查、测试等 甚高频 指 Very High Frequency，频带由30MHz-300MHz的无线电电波 先进封装 指 最新的封装技术，例如2.5D及3D芯片技术、晶圆级封装、倒装芯片封 装和硅通孔技术等 线宽、关键尺寸 指 集成电路生产工艺可达到的最小沟道长度，是集成电路生产工艺先进水 平的主要指标 Yole Développement 指 法国市场研究与战略咨询公司，专注于功率半导体与MEMS传感器等 领域 《公司章程》 指 《中微半导体设备（上海）股份有限公司章程》 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况 公司的中文名称 中微半导体设备（上海）股份有限公司 公司的中文简称 中微公司 公司的外文名称 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China 公司的外文名称缩写 AMEC 公司的法定代表人 GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧） 公司注册地址 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 公司注册地址的历史变更情况 201201 公司办公地址 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 公司办公地址的邮政编码 201201 公司网址 http://www.amec-inc.com 电子信箱 [email protected] 报告期内变更情况查询索引 无 二、 联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代 表） 证券事务代表 姓名 刘晓宇 胡潇 联系地址 上海市浦东新区金桥出口加工 区（南区）泰华路188号 上海市浦东新区金桥出口加工 区（南区）泰华路188号 电话 021-61001199 021-61001199 传真 021-61002205 021-61002205 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、 信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 中国证券报、上海证券报、证券时报、证券日报 登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 报告期内变更情况查询索引 无 四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 科创板 中微公司 688012 不适用 (二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 √适用 □不适用 公司聘请的会计师事务所（境 内） 名称 普华永道中天会计师事务所（特殊普通合 伙） 办公地址 上海市黄浦区湖滨路202号领展广场2号楼 普华永道中心11楼 签字会计师姓名 林晓帆、胡玉琢 报告期内履行持续督导职责 的保荐机构 名称 海通证券股份有限公司 办公地址 上海市广东路689号 签字的保荐代表 人姓名 吴志君、孙剑峰 持续督导的期间 2019年7月22日-2023年12月31日 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上 年同期增减(%) 营业收入 1,338,627,684.43 978,404,284.64 36.82% 归属于上市公司股东的净利润 396,632,306.55 119,049,114.22 233.17% 归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润 61,615,169.40 40,179,683.49 53.35% 经营活动产生的现金流量净额 -35,222,450.57 287,103,894.49 -112.27% 本报告期末 上年度末 本报告期末比 上年度末增减 (%) 归属于上市公司股东的净资产 13,020,519,750.43 4,369,057,694.76 198.02% 总资产 14,449,604,643.04 5,800,876,895.94 149.09% (二) 主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期 增减(%) 基本每股收益（元／股） 0.74 0.22 236.36% 稀释每股收益（元／股） 0.74 0.22 236.36% 扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股） 0.12 0.08 50.00% 加权平均净资产收益率（%） 8.56% 3.12% 增加5.44个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%） 1.33% 1.05% 增加0.28个百分点 研发投入占营业收入的比例（%） 21.40% 21.20% 增加0.20个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2021年上半年度营业收入较上年同期增长36.82%，主要系：受益于半导体设备市场发展及 公司产品竞争优势，公司2021年上半年刻蚀设备收入为8.58亿元，较去年同期增长约 83.79%，毛利率达到44.29%。由于下游市场原因，公司2021年上半年MOCVD设备收入为 2.19亿元，较去年同期下降约10.08%，但本期MOCVD设备的毛利率达到30.77%，较去年同期 有大幅度提升。 2021年上半年新签订单金额达18.89亿元，同比增长超过70%，且有部分Mini-LED MOCVD设备规模订单已进入最后签署阶段。 2021年上半年度归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润较上年同期增加约 0.21亿元，增长幅度为53.35%，主要系：（1）公司本期营业收入增长36.82%，同时本期毛利 率为42.34%，较上年同期的33.92%增长约8.42个百分点，公司本期毛利较上年同期增加约2.35 亿元；（2）本期股份支付费用较上年同期增加约1.45亿元；（3）由于员工人数和员工薪酬的 增长，本期不含股份支付费用的销售费用、管理费用和研发费用合计较上年同期增加约0.20亿 元。 2021年上半年度归属于上市公司股东的净利润较上年同期增加约2.78亿元，增长约 233.17%，主要系：（1）扣除非经常性损益后的净利润较上年同期增加约0.21亿元；（2）本期 产生公允价值变动损益1.71亿元，包括公司2020年投资青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限 合伙）3亿元而间接持有中芯国际集成电路制造有限公司科创板股票，因本期中芯国际集成电路 制造有限公司股价变动导致公司产生公允价值变动收益约0.74亿元；以及经评估师事务所评 估，其他非流动金融资产（非上市公司股权投资）本期产生公允价值变动收益约0.98亿元； （3）计入当期损益的政府补助（非经常性损益）较上年同期增加约1.44亿元。 报告期末，归属于上市公司股东的净资产较上年末增加198.02%，总资产较上年末增加 149.09%，主要系公司于2021年6月向特定对象发行股票收到募集资金净额约81.25亿元。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注 （如适 用） 非流动资产处置损益 -59,366.35 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助 除外 212,752,881.41 委托他人投资或管理资产的损益 12,644,152.73 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公 允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易 性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 171,351,331.33 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -509,546.83 其他符合非经常性损益定义的损益项目 - 少数股东权益影响额 -157.68 所得税影响额 -61,162,157.46 合计 335,017,137.15 九、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币 项目名称 本报告期（1－6 月） 上年同期 本期比上年同期增减 （%） 剔除股份支付费用影响后，归 属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润 20,628.16 4,017.97 413.40% 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所属行业情况 半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件， 又是数码时代的基础。随着微观器件越做越小，半导体设备 ，特别是关键设备 等离子体刻蚀 设备、 薄膜 设备和光刻设备 的极端重要性更加凸显出来。 随着数码产业的发展，下游市场的拓展和政府的大力推动，我国集成电路和泛半导体产业持 续 成长， 中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升 。 根据 SEMI的报告， 2020年中国 大陆半导体设备市场规模 为 187.2亿美元，同比增长 39%，首次超过 中国 台湾地区和韩国，成为 全球最大的半导体设备 区域性 市场。在政府的大力推动和业界的努力下， 国内 集成电路前端设备 公司和后端封装设备公司 的 发展 已经 初具规模 ， 但是 不少 设备 在 性能和大规模量产的能力等方面 和国外设备还有较大的差距。 近年来 ，微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工 制程 的革命性变化。存储器件从 2D到 3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光 刻机由于波长的限制不能 直接 加工小于 14纳米的微观结构，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀 和薄膜组合 的 “双 重模板 ”和 “四重模板 ”工艺技术 来 实现 ， 刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高 ， 市场 规模 的增长速度远高于其他的设备。 公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业和 LED设备行业中的 MOCVD设 备行业。 1、 等离子体 刻蚀设备 集成电路前段的 生产 设备包括工艺加工设备和测试设备等。其中工艺加工设备又分为干法设 备，如等离子体刻蚀 、 化学薄膜 、光刻、 物理溅射 、 离子注入设备等；还有湿法设备，如涂胶及 显影 、 化学机械抛光 、 镀铜和清洗设备等。集成电路前段制造设备的市场规模占比超过集成电路 总设备整体市场规模的 80%。 集成电路生产线的设备投资，通常占整个晶圆 厂投资总额的 70%左右，其中刻蚀设备、光刻 设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据 Gartner统计， 2020年 按全球晶圆制造设备销售金额占比类推，刻蚀设备、光刻 设备 和薄膜沉积设备分别占晶圆制造设 备价值量约 24%、 23%和 22%。刻蚀设备在不少 先进 晶圆厂的 设备 投资中达到 25%到 30%，甚至 在 部分 NAND闪存生产线上的投资接近 50%。 在等离子体刻蚀设备市场中主要是两类的设备： CCP（ Capacitively Coupled Plasma）电容性高 能等离子体刻蚀机和 ICP（ Inductively Coupled Plasma） 电感性低能等离子体刻蚀机。 CCP设备 主 要是刻蚀深宽比较高的 、 较硬的介质材料；而 ICP主要是刻蚀尺度小，厚度薄的较软的材料。由 于微观器件越 做 越小，薄膜厚度越来越薄，线宽控制越来越严， ICP刻蚀机 取代以往的 CCP刻蚀 设备成为市场规模占主导地位的设备。 由于前述的原因，等离子体刻蚀 设备 的市场 快速 增长，已超过光刻机成为集成电路设备最大 的市场。从 2010年 约 50亿美元 规模 迅速增长到 目前的 120亿美元 左右 。 中微公司 先期 开发了 CCP刻蚀机， 近年 来 又开发了 ICP刻蚀机 。 公司 的两种刻蚀 设备 都有单 反应台反应器，每台设备可以带有六个独立的反应器， 可以满足 高端刻蚀应用的需求。 公司 也开 发 并推出 了双反应台反应器， 该类设备同时 又 具备 单台 机 独立控制的能力，双反应台共用真空泵， 气体分布系统等关键部件，可以独立加工一片晶圆，也可以同时加工两片晶圆。这种双台机 可 带 有三个双台反应器，占地面积小，输出量高，加工成本低，可以加工大多数的刻蚀 应用 。 不同于 海外设备 只有单台机的 配置 ，中微 公司多样化的产品配置有更 强的竞争力。中微 公司 的 CCP刻蚀 设备 已广泛的被国内外客户 广泛 接受，已在 5纳米器件上实现量产，并在 5纳米以下器件的试生 产上实现了突破性的进展。中微 公司 的 ICP刻蚀机进入市场 后也 已进入高速发展阶段， 越来越多 地被市场接受。 2、 MOCVD设备 LED产业链由衬底加工、 LED外延片生产、芯片制造和器件封装组成。该产业链中主要涉及 的设备包括：外延片生产需要的 MOCVD设备；制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备； 封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。 LED外延片的制备是 LED芯片生产最重要步骤，与集成电路的制造工艺不同， 集成电路 芯 片需要经过几百种设备，上千道工序才能制造出 来 。但 在 LED外延片生产上， MOCVD设备采购 金额约占 LED生产线总投入的一半以上，是 LED制造中最关键 、 最重要的设备。 目前 MOCVD设备主要是用于氮化镓及砷化镓半导体材料外延生长，其中氮化镓基 LED MOCVD主要用于生产氮化镓基 LED的外延片，以通用照明为主要市场。近年来， LED的应用迅 速扩大，除用于制造通用照明外，背光显示的蓝光 LED、 高端显示的 Mini-LED和 Micro-LED、 用于杀菌消毒和空气净化的紫外 LED、应用于电力电子的功率器件等等都在发展起来。随着这些 新兴领域的应用拓展及逐步推广，氮化镓基 MOCVD设备的市场规模正在迅速扩大。 Mini-LED作为一种新兴技术备受关注。 Mini-LED具有高亮度、精确的动态响应和高对比度 等优势，能够显著提升显示品质。 2020年以来， Mini-LED在电视机领域取得了 良好 应用，在显示 器、笔记本、平板等领域， Mini-LED产品也不断诞生并开始批量出货 。 中微 公司 利用长期在集成电路高端的设备开发的经验， 根据 高标准的反应器设计规范 、 有效 的系统自动化设计 、 确保工艺过程的稳定性， 开发出高 可靠 、 高输出 效率、 低成本和容易维护 的 MOCVD设备。目前中微公司 的 蓝 光 LED制造设备 Prismo D-Blue和 Prismo A7 MOCVD设备 在 氮化镓 LED国际通用照明领域已占据领先地位 。 中微 公司 发布的 Prismo UniMax. MOCVD设备 能够帮助客户在 Mini-LED生产过程中实现优异的波长均匀性，器件的稳定性和可靠性及合格率。 中微 公司 的这一新的机型得到了一线客户的广泛认可。 （二）公司主营业务情况 报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世 界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进 封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。 公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其 他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产 线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。 公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀 设备、MOCVD设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下： 1、刻蚀设备 产品类别 图示 应用领域 电容性等离子体刻 蚀设备 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\Primo SSC AD-RIE.png 主要应用于集成电路制造中氧 化硅、氮化硅及低介电系数膜 层等电介质材料的刻蚀 电感性等离子体刻 蚀设备、深硅刻蚀 设备 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\ICP\Primo nanova.png 主要应用于在集成电路制造中 单晶硅、多晶硅以及多种介质 等材料的刻蚀 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\ICP\Primo TSV.png 主要应用于CMOS图像传感 器、MEMS芯片、2.5D芯 片、3D芯片等通孔及沟槽的 刻蚀 2、 MOCVD设备 产品类别 图示 应用领域 MOCVD设备 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\MOCVD\MOCVD_Prismo A7.png 蓝绿光及紫外LED外延片和 功率器件的生产 3、其他设备 产品类别 图示 应用领域 VOC设备 平板显示生产线等工业用的空 气净化 报告期内，公司主营业务未发生变化。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、MOCVD及其他高端设备的 过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已 达到国际先进水平。 1、刻蚀设备技术 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米 到5纳米等先进的芯片生产线上；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出小于5纳 米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客 户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下更多 刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。 在3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量 产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相 对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。 此外，公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产， 根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发，以满足5纳米以下的逻辑芯片、 1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的 ICP刻蚀设备的研发。 公司的刻蚀设备技术处于世界先进水平，符合产业发展趋势。 2、 MOCVD设备技术 公司的MOCVD设备Prismo D-Blue、Prismo A7能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4 英寸外延片加工能力。公司的Prismo A7设备已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据领先 地位。公司研发了用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备Prismo HiT3，已在行业领先客 户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复订单；制造功率器件用MOCVD已在客户芯片生产 线上投入试用；用于Mini-LED生产的MOCVD设备Prismo UniMax.已收到来自国内领先客户 的订单，同时，公司正在与更多客户合作进行设备评估；此外，制造Micro LED等应用的新型 MOCVD设备也正在开发中。 2. 报告期内获得的研发成果 公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2021年6月30日，公司已申请1,870项专 利，其中发明专利1,613项；已获授权专利1,106项，其中发明专利945项。 公司的发明专利“等离子体处理装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届中国 专利金奖，此次是中微公司第二次获得中国专利金奖。 报告期内获得的知识产权列表 本期新增 累计数量 申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个） 发明专利 96 28 1,613 945 实用新型专利 16 16 237 145 外观设计专利 3 4 20 16 软件著作权 4 4 9 9 其他 0 0 4 0 合计 119 52 1,883 1,115 3. 研发投入情况表 单位：元 本期数 上期数 变化幅度 （%） 费用化研发投入 237,625,212.00 181,843,216.57 30.68% 资本化研发投入 48,780,376.93 25,575,954.09 90.73% 研发投入合计 286,405,588.93 207,419,170.66 38.08% 研发投入总额占营业收入 比例（%） 21.40% 21.20% 0.20% 研发投入资本化的比重 （%） 17.03% 12.33% 4.70% 2021年度上半年，公司研究开发支出共计28,640.56万元，政府补助抵减研发费用6,970.82 万元，研究开发支出净额为21,669.74万元。其中：计入研发费用16,791.70万元，开发支出资本 化4,878.04万元。 研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 2021年上半年研发投入总额为28,640.56万元，其中包含股份支付费用5,504.32万元。若剔 除股份支付费用的影响，2021年上半年研发投入总额为23,136.24万元，较去年同期增长 11.5%。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研 项目情况 √ 适用 □ 不适用 单位：亿元 序号 项目名称 预计总投 资规模 本期投 入金额 累计投 入金额 进展或阶 段性成果 拟达到目标 技术水平 具体应用前景 1 用于Mini-LED 大规模生产的高 输出量MOCVD 设备 1.31 0.26 0.80 开发阶段 研发MOCVD设备，满足Mini-LED生产对 于外延设备的要求 国际先进 水平 Mini-LED背光显示 屏、大屏幕电视、 平板电脑显示、笔 记本电脑显示等 2 用于存储器芯片 制造的ICP刻蚀 机 0.73 0.23 0.54 开发阶段 面向300mm 3D NAND Flash工艺大生产线 需求，开发用于TSC-ET关键工艺刻蚀设备 国际先进 水平 存储芯片 3 7-5nm ICP刻蚀 机项目 2.01 0.17 0.62 研究阶段 针对7-5纳米节点FinFET结构的逻辑芯片 制造中对电感式耦合ICP刻蚀工艺的要求， 研制出7-5纳米ICP刻蚀机样机并制造工程 机在客户端验证 国际先进 水平 先进逻辑和DRAM 芯片制造 4 用于Micro-LED 应用的新型 MOCVD设备 1.73 0.14 0.36 研究阶段 研发MOCVD设备，满足Micro LED生产 对于外延设备的要求 国际先进 水平 手表，AR/VR，电 视等用显示屏 5 先进逻辑电路的 CCP刻蚀设备 1.04 0.15 0.97 研究阶段 实现等离子体密度分布的可调节，满足均匀 性、减少金属污染和颗粒物的要求 国际先进 水平 7纳米以下逻辑电路 刻蚀 6 用于闪存存储器 刻蚀的CCP刻 蚀设备 3.60 0.12 1.03 开发阶段 设计开发超低频和超大功率的射频等离子系 统及对应的静电吸盘、多区控温性能的上电 极、温度可调节的边缘环系统等，满足超高 深宽比的刻蚀需求 追赶国际 先进水平 3D NAND闪存存储 器芯片 7 用于5-3纳米逻 辑芯片制造的 ICP刻蚀机 0.47 0.12 0.42 研究阶段 研制成功5纳米的刻蚀设备并完成在先进逻 辑芯片生产厂家的评估，并实现销售。完成 3纳米刻蚀机Alpha原型机的设计、制造、 测试及初步的工艺开发和评估 国际先进 水平 逻辑芯片制造 8 用于硅基GaN 功率器件生产的 MOCVD设备 1.56 0.09 0.31 开发阶段 研发用于8"硅基氮化镓功率器件大规模生产 的MOCVD设备及外延生长工艺 国际先进 水平 氮化镓功率元件， 电力电子领域 9 先进制程锗硅选 择性外延设备研 发及产业化 4.50 0.04 0.04 研究阶段 致力于开发适应宽禁带功率器件外延生产的 量产型CVD设备，以满足产业的需求 国际先进 水平 先进的逻辑、存 储、射频、传感器 等领域 10 接触孔用薄膜设 备的研发及产业 化 2.46 0.03 0.03 研究阶段 开发LPCVD设备，用于逻辑金属接触孔和 存储器互联工艺，满足大规模半导体生产厂 商对薄膜设备的需求 国际先进 水平 逻辑器件钨金属接 触孔，存储器的金 属接触孔、沟槽， 高深宽比接触孔以 及金属栅的钨原子 层填充，以及其他 器件钨金属互联应 用 合计 / 19.41 1.35 5.12 / / / / 5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币 基本情况 本期数 上期数 公司研发人员的数量（人） 348 298 研发人员数量占公司总人数的比例（%） 37.95 38.40 研发人员薪酬合计 11,542.80 8,861.89 研发人员平均薪酬 33.17 29.74 教育程度 学历构成 数量（人） 比例 (%) 博士 64 18.39 硕士 106 30.46 大学本科 142 40.80 大专及以下 36 10.34 合计 348 100.00 年龄结构 年龄区间 数量（人） 比例 (%) 30岁及以下 114 32.76 30岁-40岁 160 45.98 40岁-50岁 52 14.94 50岁以上 22 6.32 合计 348 100.00 6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的 高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效 率、降低生产成本。公司围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团 队持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。 （一）先进的刻蚀设备和MOCVD设备满足客户多样化需求 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进 的生产线上并用于5纳米、5纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电 路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子 体刻蚀设备技术已应用于64层和128层的量产，电感性等离子体刻蚀设备技术已应用于64层的 量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻 辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。报告期内，公司相继发布新一代电感耦合 等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star.，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻 蚀应用，以及8英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备Primo AD-RIE 200.，不断满足客 户的多样化需求，助力客户应对行业挑战。 公司的MOCVD设备Prismo D-Blue、Prismo A7能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4 英寸外延片加工能力。公司的Prismo A7设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LED MOCVD 市场中占据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融 合。报告期内，公司发布了专为高性能Mini-LED量产而设计的Prismo UniMax. MOCVD设 备，具有业内领先的加工容量，通过石墨盘晶片排布的最优化，其加工容量可以延伸到生长164 片4英寸或72片6英寸晶片，是目前国内外极具创新性的MOCVD设备，为高性能的Mini- LED生产提供高性价比的技术解决方案。 公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。 （二）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势 中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际 化优势的半导体设备研发和运营团队之一。 中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过30年的行 业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始 人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士、杨伟 先生、李天笑先生、郭世平博士、苏兴才博士和刘身健博士等各专业领域的专家，其中很多是在 国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与 创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，为公司产品和技术发展做出了不 可替代的贡献。 中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验 的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员348 名，占员工总数的37.95%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力 学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不 断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及MOCVD设备，并实现了 大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。 公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务 不断创新改进。 （三）持续高水平的研发投入，提前布局产业发展 持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定 性和一致性提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间 的技术积累才能进入该领域。 公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自 主研发和创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比，报告期内研发投入达到 2.86亿元，占营业收入的比重为21.40%，占比远高于半导体行业均值。公司具有一支技术精 湛、勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供 保障力量。 公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进 步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2021年6月30日，公司已申请1,870项专 利，其中发明专利1,613项；已获授权专利1,106项，其中发明专利945项。 （四）持续优化营销和服务网络，打造客户认证及服务优势 经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已成 功进入了海内外半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。 半导体设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运 行。随着半导体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能 提供快捷的技术支持和客户维护。报告期内公司荣获国内某领先客户“2020年度设备类优秀供 应商”称号。 公司专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。 （五）持续拓展泛半导体设备产品，扩大产品覆盖优势 公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED、平板显示等不同的下游半导体应用市场，具 有不同的周期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。 （六）建立全球化采购体系，持续提升公司生产交付的服务水平 公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严 格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球400多家供应商建立 了稳定的合作关系。同时，公司注重零部件的本土化，培育了众多的本土零部件供应企业，有力 地保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。 （七）全面实施质量管理等体系，优化公司整体现代化管理 公司确保推行的ISO9001质量管理体系，ISO14001环境管理体系及ISO45001职业健康安全 管理体系三大体系的适宜性和有效性，陆续开展了内部审核和管理评审工作，并顺利通过了BSI （英国标准协会）实施的外部审核，确保了证书的持续有效性，也实现公司在质量、环保、健康、 安全各方面持续改进。 （八）充分发挥员工积极性，推动高效和谐的企业文化 公司建立了充分发挥员工的积极性企业文化。公司强调发挥每一层级员工和每一个部门的积 极性。公司采用360度综合评分制度，鼓励各部门及员工的协作。创立以来，中微公司应用一系 列先进的管理理念和管理体系激励员工不断创新创造：（1）目标管理和综合评分制；（2）关键 指标管理；（3）矩阵管理；（4）全员持股激励制度；（5）充分发挥员工积极性；（6）兼顾各 方利益；（7）打造学习型组织。 同时，公司在成立初期就为设备的产业化确立了十项设计和开发的基本原则：（1）为达到 工艺加工的最高要求和产品的最好性能而设计；（2）为实现工艺过程的重复性和稳定性而设 计；（3）为确保设备的可靠性和耐用性而设计；（4）为保障设备的高输出量和高效率而设计； （5）为设备安全性和减少环境污染而设计；（6）为设备容易加工和容易制造而设计；（7）为 设备容易维修和容易服务而设计；（8）为设备模板化、容易更新和改进而设计；（9）为设备最 大程度的标准化和统一化而设计；（10）为设备运行低成本、低能耗、低损耗和高利润而设计。 遵循这十项原则，公司在最初开发和设计的阶段就充分考虑设备在生产线上可能出现的问题和解 决方案，使得公司开发的产品能较快地实现产业化，成为操作简单、性能可靠、好用耐用的设 备。 (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 报告期内，在全球贸易争端不断、世界经济增长放缓、疫情影响持续在全球蔓延、国内经济 下行压力加大的背景下，全球半导体产业、LED产业及设备产业呈现震荡发展态势。与此同 时，中国集成电路及LED设备市场保持相对较高程度的投资规模，但不同客户投资进度出现结 构分化的差异。除海外原有供应商外，国内也有更多企业进入或更大力度投入到设备领域，海内 外竞争进一步加剧。 公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在 泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。 公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推 动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经 营，公司在刻蚀设备和MOCVD等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得 了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。 公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康 领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链及公司参与投资的标的公司在各自细分领 域取得了卓有成效的进展，公司和国内外先进设备公司的合作也取得了突破进展。 公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效 的员工。公司的发明专利“等离子体处理装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届中 国专利金奖，此次是中微公司第二次获得中国专利金奖。 此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司在报告期内完成了向特定 对象发行股票，本次向特定对象发行股票数量为80,229,335股，发行价格为102.29元/股，本次 发行的募集资金总额为8,206,658,677.15元，扣除发行费用后的募集资金净额为人民币 8,118,162,441.14元。2021年7月3日，公司于上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露 《2020年度向特定对象发行股票发行结果暨股本变动公告》（公告编号：2021-035）。本次募 集资金投资项目中的产业化建设项目正在顺利推进中，其中中微临港产业化基地项目目前桩基施 工完成，正在进行临设搭建、土方开挖及基坑围护工作；南昌中微半导体设备有限公司生产基地 项目已完成厂内主要道路施工，各主要单体建筑均已封顶；中微临港总部和研发基地项目正在进 行施工前临设搭建、机械进场组装等准备工作。 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不 断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、安全发展。 报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极 成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高 的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良 好。2021年上半年公司研发投入为2.86亿元，相较去年同期增长38.1%。 公司持续打造领先设备公司市场形象，积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和 品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合 作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时 间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一 步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。 公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP刻蚀设备 报告期内，公司CCP刻蚀设备产品保持竞争优势，Primo AD-RIE.、Primo SSC AD- RIE.、Primo HD-RIE.等产品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线，并持续 提升市场占有率，在部分客户市场占有率已进入前三位。此外，在先进逻辑电路方面，公司持续 升级硬件性能，成功取得5纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。在存储电路方面，公司的刻蚀 设备在64层及128层3D NAND的生产线得到广泛应用。随着3D NAND芯片制造厂产能的迅 速爬升，该等产品的重复订单稳步增长。同时，公司积极布局动态存储器的应用，并开始工艺开 发及验证。公司积极与主流客户合作，定义下一代CCP刻蚀机的主要功能及技术指标，正开发 更先进的CCP刻蚀机产品。 2021年6月15日，公司推出首台用于8英寸晶圆加工的CCP刻蚀设备，丰富了公司现有 的刻蚀设备产品线。该刻蚀设备基于已被业界广泛认可的12英寸CCP刻蚀设备的成熟工艺与特 性，Primo AD-RIE 200.在技术创新和生产效率方面都有了进一步提升，能够满足不同客户8英 寸晶圆的加工需求。为提高生产效率，Primo AD-RIE 200.刻蚀设备可灵活配置多达三个双反应 台反应腔（即六个反应台）。此外，Primo AD-RIE 200.提供了可升级至12英寸刻蚀设备系统 的灵活解决方案，可以满足客户生产线未来可能扩产的需求。 （2）ICP刻蚀设备 公司ICP刻蚀设备已经逐步趋于成熟，Primo nanova.产品在10家客户的生产线上进行验 证，已有超过70个工艺在客户的生产线上达到指标要求，且持续扩大应用验证范围。2021年6 月，公司ICP设备Primo Nanova.第100台反应腔顺利交付，经过客户验证的应用数量也在持续 增加。根据客户的技术发展需求，公司正在进行下一代产品的技术研发，以满足5纳米以下的逻 辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行 高产出的ICP刻蚀设备的研发。 在持续提升Primo nanova.刻蚀设备的市场份额的同时，公司研发的具有高输出率特点的双 反应台ICP刻蚀设备Primo Twin-Star.也已经在客户端完成认证，并收到来自国内领先客户的订 单。该产品应用中微公司国际领先、独特的双反应台设计理念，沿用了Primo nanova. ICP的大 部分硬件特征，使得机台在具有良好刻蚀性能的同时，提升客户单位资金投入的产能，从而丰富 ICP刻蚀设备种类，增强ICP刻蚀产品的整体竞争力。 （3）MOCVD设备 报告期内，公司正式发布用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备Prismo UniMax.。该 设备专为高产量而设计，具有业内领先的加工容量，通过石墨盘晶片排布的最优化，其加工容量 可以延伸到生长164片4英寸或72片6英寸外延片。公司此次推出的Prismo UniMax. MOCVD设备已收到来自国内领先客户的批量订单。同时，公司正在与更多客户合作进行设备评 估。Prismo UniMax. 设备拓展了公司的MOCVD设备产品线，为全球LED芯片制造商提供最 新解决方案。 （4）VOC净化设备 子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型VOC净化设 备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能 的VOC净化解决方案。报告期内，中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协 议，双方将在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，共同推动环保科技行业的发展。 （5）分布式生态工业互联网平台 子公司中微汇链面向半导体设备细分产业各环节核心厂商，建立资源汇聚、数据互连、流程 互通的基于区块链的分布式互联网平台。向500余家入驻企业用户提供穿透式供应链协同、网络 化智能制造、质量溯源存证等200多个可订阅微服务。中微汇链为上海市工业互联网协会首批理 事单位、上海区块链技术协会会员单位，并已取得境内区块链信息服务备案编号，在今年获得 《2021年产业区块链创新奖优秀案例奖》《2021年工业区块链案例集优秀案例》。 报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发 成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。 2、向特定对象发行股票 报告期内，公司完成了向特定对象发行股票，本次向特定对象发行股票数量为80,229,335 股，发行价格为102.29元/股，本次发行的募集资金总额为8,206,658,677.15元，募集资金净额为 人民币8,118,162,441.14元。 3、供应保障方面 公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件 原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，特别是国内供应商。受到全球供 应链紧张的影响，公司少量零部件交期较以往有所延长。 4、营运管理方面 公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运 行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定 期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈进行内部讨论，制定出关键指标的改进 要求。报告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指 标达到预期水平。 5、知识产权保障方面 公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请115项，包括发 明专利96项，实用新型专利16项，外观设计专利3项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项 的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。公司的发明专利“等离子体处理装 置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届中国专利金奖，此次是中微公司第二次获得 中国专利金奖。 6、人才建设方面 人才是企业发展的根本动力，公司高度重视人才的吸引和发展。报告期内，公司进一步拓宽 人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优 秀的毕业生，上半年新入职员工79人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专 题培训、学习交流。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的 向高绩效员工倾斜。公司确定2020年6月30日为授予日，以人民币150元/股的授予价格向激 励对象首次授予670万股限制性股票及54.68万份股票增值权。公司持续优化人才梯队，为业务 可持续发展提供人才保障。 7、外延式发展方面 公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创在新业务拓展领域取得了良 好的进展，得到了市场和用户的高度评价。公司同时积极探索在相关领域的投资机会，公司的参 股投资的沈阳拓荆、山东天岳、德龙激光等项目营运表现良好，已申报科创板上市并获受理。报 告期内，公司完成对睿励仪器的增资，进一步巩固产业链协同效应，完善公司业务布局。 8、内部治理方面 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强 化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续 健康发展提供坚实基础。 9、信息披露及防范内幕交易方面 公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完 整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互 动、电话、邮件等诸多渠道，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获“第十一届天马奖‘最佳 董事会’”、“科创板价值50强”、“2021最具价值科创板上市公司”、“2021年度科创版硬 科技领军企业”等多个奖项。 公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董 事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高 级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未 来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 五、 风险因素 √适用 □不适用 （一）经营风险 1、下游客户扩产不及预期的风险 近年来，晶圆厂和LED芯片制造商审慎地进行扩产。不能排除下游晶圆厂和LED芯片制造 商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业 绩产生不利影响。 2、全体员工持股带来的公司治理风险 作为科技创新型企业，中微公司秉承扁平化的全员激励原则，对不同层级员工均给予股权激 励。员工持股计划涉及公司全体员工的个人利益，在员工持股计划限售期届满后，如何实现员工 保持相当的激励水平，对公司的管理能力提出了一定的挑战。如果公司未来未能使员工持股计划 持续作为员工整体薪酬的重要组成部分，将可能导致公司人员流失等治理风险。 3、政府补助与税收优惠政策变动的风险 公司自成立以来先后承担了多项国家和地方重大科研项目，2021年上半年度年公司计入当 期损益的政府补助金额为2.24亿元。如果公司未来不能持续获得政府补助或政府补助显著降 低，将会对公司经营业绩产生不利影响。（未完）  |