[中报]澜起科技:澜起科技2021年半年度报告
原标题:澜起科技:澜起科技2021年半年度报告 公司代码：688008 公司简称：澜起科技 澜起科技股份有限公司 2021年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完 整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之 “五、风险因素”。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人杨崇和、主管会计工作负责人苏琳及会计机构负责人（会计主管人员）苏琳声明： 保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资 者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................ ................................ ................................ ..................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ................................ ..................... 7 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ................................ .............................. 10 第四节 公司治理 ................................ ................................ ................................ ............ 35 第五节 环境与社会责任 ................................ ................................ ................................ . 37 第六节 重要事项 ................................ ................................ ................................ ............ 38 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ................................ .......................... 56 第八节 优先股相关情况 ................................ ................................ ................................ . 63 第九节 债券相关情况 ................................ ................................ ................................ ..... 64 第十节 财务报告 ................................ ................................ ................................ ............ 65 备查文件目录 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的公司半年度财务报表。 载有公司法定代表人签字和公司盖章的半年报及摘要文件。 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司原件的正本及公 告原件。 第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 公司、本公司、澜起科技 指 澜起科技股份有限公司 报告期内 指 2021年1月1日至2021年6月30日 报告期末 指 2021年6月30日 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 芯片、集成电路、 IC 指 一种微型电子器件或部件，采用一定的半导体制作工艺，把一 个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件通 过一定的布线方法连接在一起，组合成完整的电子电路，并制 作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一 个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。IC是集成电路 （Integrated Circuit）的英文缩写 晶圆 指 又称Wafer、圆片、晶片，是半导体集成电路制作所用的圆形 硅晶片。在硅晶片上可加工制作各种电路元件结构，成为有特 定电性功能的集成电路产品 集成电路设计 指 包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、 绘制及验证，以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程 JEDEC 指 JEDEC固态技术协会，为全球微电子产业的领导标准机构。旧 称：电子器件工程联合委员会（英文全称Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC为缩写） 混合安全内存模组 指 采用具有澜起科技自主知识产权的内存监控技术，为数据中心 服务器平台提供数据安全功能的内存模组 CPU 指 Central Processing Unit的缩写，中文称为中央处理器，是一块 超大规模的集成电路，是电子产品的运算核心和控制核心 GPU 指 Graphics Processing Unit的缩写，中文名称为图形处理器，是 一种专门在个人电脑、工作站、游戏机和一些移动设备上做图 像和图形相关运算工作的微处理器 流片 指 为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电 路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是 否具备所需要的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地 制造芯片；反之，则需找出其中的原因，并进行相应的优化设 计——上述过程一般称之为工程流片。在工程流片成功后进行 的大规模批量生产则称之为量产流片 量产版 指 通过客户评估及认证，用于量产和销售的最终版本 DRAM 指 Dynamic Random Access Memory的缩写，中文名称为动态随机 存取存储器，是一种半导体存储器 DDR 指 Double Data Rate的英文缩写，意指双倍速率，是内存模块中用 于使输出增加一倍的技术 RCD 指 Registering Clock Driver的英文缩写，中文名称为寄存缓冲器， 又称“寄存时钟驱动器”，用来缓冲来自内存控制器的地址/命令 /控制信号 DB 指 Data Buffer的英文缩写，中文名称为数据缓冲器，用来缓冲来 自内存控制器或内存颗粒的数据信号 PMIC 指 Power Management IC的缩写，中文名称为电源管理芯片。本 报告特指在DDR5内存模组上为各个器件提供多路电源的芯 片 TS 指 Temperature Sensor的缩写，中文名称为温度传感器。本报告特 指用来实时监测DDR5内存模组温度的传感器 SPD 指 Serial Presence Detect的缩写，中文名称为串行检测。本报告特 指串行检测集线器，是专用于DDR5内存模组的EEPROM（带 电可擦可编写只读存储器）芯片，用来存储内存模组的关键配 置信息 PCIe 指 Peripheral Component Interconnect Express的缩写，是一种高速 串行计算机扩展总线标准，可实现高速串行点对点双通道高带 宽传输。是全球应用最广泛的高性能外设接口之一，提供了高 速传输带宽的解决方案，已经在多个领域中得到广泛采用，其 中包括高性能计算、服务器、存储、网络、检测仪表和消费类 电子产品等 PCIe 4.0/5.0 Retimer 指 适用于PCIe第四代/第五代的超高速时序整合芯片，主要解决 数据中心数据高速、远距离传输时，信号时序不齐、损耗大、 完整性差等问题 Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，而 将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成。有时 也代指此种商业模式 数据中心 指 数据中心是一整套复杂的设施，不仅包括计算机系统和其它与 之配套的设备（例如通信和存储系统），还包含冗余的数据通 信连接、环境控制设备、监控设备以及各种安全装置。它为互 联网内容提供商、企业、媒体和各类网站提供大规模、高质量、 安全可靠的专业化服务器托管、空间租用、网络批发带宽等业 务。数据中心是对入驻企业、商户或网站服务器群托管的场所； 是各种模式电子商务赖以安全运作的基础设施，也是支持企业 及其商业联盟（其分销商、供应商、客户等）实施价值链管理 的平台 DIMM 指 Dual Inline Memory Module，中文名称为双列直插内存模组， 俗称“内存条” FBDIMM 指 Fully Buffered DIMM，中文名称为全缓冲双列直插内存模组， 是在DDR2的基础上发展出来的一种内存模组架构 RDIMM 指 Registered DIMM，中文名称为寄存式双列直插内存模组，采用 了RCD芯片对地址、命令、控制信号进行缓冲的内存模组， 主要应用于服务器 LRDIMM 指 Load Reduced DIMM，中文名称为减载双列直插内存模组, DDR4 LRDIMM是采用了RCD和DB套片对地址、命令、控 制信号及数据信号进行缓冲的内存模组，主要应用于服务器 UDIMM 指 Unbuffered DIMM，中文名称为无缓冲双列直插内存模组，指 地址和控制信号不经缓冲器，无需做任何时序调整的内存模 组，主要应用于桌面计算机 SODIMM 指 Small Outline DIMM，中文名称为小型双列直插内存模组，主 要应用于笔记本电脑 NVDIMM 指 Non-volatile DIMM，中文名称为非易失性双列直插内存模组,使 用非易失性的flash存储介质来保存数据,设备掉电关机后, NVDIMM模组上面的实时数据不会丢失 I2C/I3C总线 指 一种串行接口总线，用于多个主从设备之间的低速通信 BIOS 指 Basic Input Output System，中文名称为基本本输入输出系统， 是计算机主板上一种标准的固件接口 NVMe SSD 指 Non-Volatile Memory express Solid State Disk，指支持非易失性 内存主机控制器接口规范的固态硬盘 Riser Card 指 用于服务器内部的功能扩展卡或转接卡，旨在解决服务器空间 有限、无法将众多功能模块集成至主板的问题 瑞萨电子 指 Renesas Electronic Corporation，知名半导体企业，日本东京证 券交易所上市公司 IDT 指 Integrated Device Technology, Inc.于2019年被瑞萨电子收购 Rambus 指 Rambus Inc.，美国纳斯达克上市公司 英特尔 /Intel 指 Intel Corporation，世界知名的半导体企业，美国纳斯达克上市 公司 三星电子 指 世界知名的半导体及电子企业 海力士 指 世界知名的DRAM制造商 美光科技 指 世界知名的半导体解决方案供应商 中电投控 指 中国电子投资控股有限公司 嘉兴芯电 指 嘉兴芯电投资合伙企业（有限合伙） WLT 指 WLT Partners, L.P. 珠海融英 指 珠海融英股权投资合伙企业（有限合伙） 上海临理 指 上海临理投资合伙企业（有限合伙） 上海临丰 指 上海临丰投资合伙企业（有限合伙） 上海临骥 指 上海临骥投资合伙企业（有限合伙） 上海临利 指 上海临利投资合伙企业（有限合伙） 上海临国 指 上海临国投资合伙企业（有限合伙） 临桐建发 指 上海临桐建发投资合伙企业（有限合伙） 上海临齐 指 上海临齐投资合伙企业（有限合伙） 嘉兴宏越 指 嘉兴宏越投资合伙企业（有限合伙） 嘉兴莫奈 指 嘉兴莫奈股权投资合伙企业（有限合伙） Xinyun I 指 Xinyun Capital Fund I, L.P. Xinyun 指 Xinyun Capital Fund, L.P. Xinyun III 指 Xinyun Capital Fund III, L.P. 萚石一号 指 嘉兴萚石一号投资合伙企业（有限合伙） 萚石二号 指 嘉兴萚石二号投资合伙企业（有限合伙） 萚石三号 指 嘉兴萚石三号投资合伙企业（有限合伙） 中证投资 指 中信证券投资有限公司 Intel Capital 指 Intel Capital Corporation SVIC No. 28 Investment 指 SVIC No.28 New Technology Business Investment L.L.P. 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《公司章程》 指 《澜起科技股份有限公司章程》 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况 公司的中文名称 澜起科技股份有限公司 公司的中文简称 澜起科技 公司的外文名称 Montage Technology Co.,Ltd 公司的外文名称缩写 Montage Technology 公司的法定代表人 杨崇和 公司注册地址 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 公司注册地址的历史变更情况 不适用 公司办公地址 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 公司办公地址的邮政编码 200233 公司网址 http://www.montage-tech.com/cn 电子信箱 [email protected] 报告期内变更情况查询索引 无 二、 联系人和联系方式 董事会秘书（ 信息 披露 境内代表 ） 证券事务代表 姓名 梁铂钴 傅晓 联系地址 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 电话 021-5467 9039 021-5467 9039 传真 021-5426 3132 021-5426 3132 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、 信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 上海证券报、中国证券报、证券日报、证券时报 登载半年度报告的网站地址 上海证券交易所网站（www.sse.com.cn） 公司半年度报告备置地点 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 报告期内变更情况查询索引 无 四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 澜起科技 688008 / (二) 公司 存托凭证 简 况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上 年同期增减(%) 营业收入 724,463,317.63 1,089,576,668.42 -33.51 归属于上市公司股东的净利润 307,846,788.00 601,524,666.96 -48.82 归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润 177,747,195.31 521,726,996.30 -65.93 经营活动产生的现金流量净额 253,890,660.81 641,025,530.41 -60.39 本报告期末 上年度末 本报告期末比 上年度末增减 (%) 归属于上市公司股东的净资产 8,127,785,775.19 8,070,250,686.40 0.71 总资产 8,620,199,775.97 8,419,441,850.95 2.38 (二) 主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期 增减(%) 基本每股收益（元／股） 0.27 0.53 -49.06 稀释每股收益（元／股） 0.27 0.53 -49.06 扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股） 0.16 0.46 -65.22 加权平均净资产收益率（%） 3.74 7.87 减少4.13个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%） 2.16 6.82 减少4.66个百分点 研发投入占营业收入的比例（%） 19.84 15.08 增加4.76个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1、报告期内，公司营业收入较上年同期减少33.51%，主要原因包括：（1）客户需求较去 年同期有所下降；（2）DDR4内存接口芯片进入产品生命周期后期，导致产品价格较去年同期 有所下降；（3）公司产品以美元计价，美元兑人民币与去年同期相比有所贬值。 2、报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润及归属于上市公司股东的扣除非经常性损 益的净利润较上年同期分别减少48.82%、65.93%，基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常 性损益后的基本每股收益较上年同期分别减少49.06%、49.06%、65.22%，主要原因包括：（1） 营业收入较上年同期减少33.51%；（2）毛利率由上年同期的73.70%下降为本期的63.00%。 3、报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少60.39%，主要原因为营业 收入减少导致销售商品收到的现金减少。 4、随着2021年第二季度行业的复苏，在全体员工的共同努力下，公司业绩环比改善， 2021年第二季度实现营业收入4.25亿元，较第一季度环比增长41.87%；第二季度实现归属于上 市公司股东的净利润1.74亿元，较第一季度环比增长29.54%；第二季度归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益的净利润1.04亿元，较第一季度环比增长39.69%。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返 还、减免 479,718.82 第十节、七、67 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密 切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定 量持续享受的政府补助除外 55,527,386.02 第十节、七、67 委托他人投资或管理资产的损益 1,021,550.88 第十节、七、68 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外， 持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负 债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处 置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、 衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 63,961,043.02 第十节、七、68、70 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -20.16 第十节、七、74、75 结构性存款投资收益 34,971,853.78 第十节、七、68 所得税影响额 -25,861,939.67 合计 130,099,592.69 九、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 报告期内，公司股份支付费用为9,516.00万元（上年同期为11,228.65万元），在考虑相 关所得税费用影响的基础上，该费用对归属于上市公司股东的净利润的影响为8,949.17万元（上 年同期为9,999.39万元）。因此，报告期内，剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司股东的 净利润为39,733.85万元，较上年同期减少43.36%；剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司 股东的扣除非经常性损益的净利润为26,723.89万元，较上年同期减少57.02%。 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所处行业情况 1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 集成电路行业作为全球信息产业的基础，是世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派 生出诸如PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义 的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。集成电路行业主要包括集成电路设计业、 制造业和封装测试业，属于资本与技术密集型行业。在国家及地方政府多项政策的支持和指引下， 通过社会各界的共同努力，中国集成电路产业从无到有，企业创新能力逐步提升，已经在全球半 导体市场占据举足轻重的地位。 （1）数据中心、服务器、CPU及内存模组行业发展情况 公司主要产品内存接口芯片、津逮. CPU以及混合安全内存模组是服务器的重要部件，而服 务器是数据中心重要的基础设施。服务器是数据中心的“心脏”，其本质是一种性能更高的计算机， 但相较于普通计算机，服务器具有更高速的CPU计算能力、更强大的外部数据吞吐能力和更好的 扩展性，运行更快，负载更高。 CPU是服务器的“大脑”，是服务器的运算核心和控制核心。全球服务器CPU市场中，X86 架构CPU占据主流市场份额。服务器CPU行业技术门槛高，客户选择产品关注的主要因素包括 性能、生态系统、安全性和价格，性能是CPU算力是否能够支撑用户运算资源需求的重要基础； 生态系统则是提升客户使用便捷性以及整体数据中心兼容性的重要因素，需全方位的资源技术成 本投入以及长时间的累积；安全性则是用户运行数据中心的重要考量，并在近年来越来越受到客 户及行业的重视。报告期内，Intel发布第3代至强可拓展处理器Ice Lake，作为Intel首款支持 PCIe 4.0的服务器CPU，将和PCIe 4.0行业相关厂商一起推动PCIe 4.0生态的逐步完善。 服务器内存模组是服务器CPU与硬盘的数据中转站，起到临时存储数据的作用，其存储和读 取数据的速度相较硬盘更快。由于服务器数据存储和处理的负载能力不断提升，对内存模组的稳 定性、纠错能力以及低功耗均提出了较高要求。全球DRAM行业市场90%以上的市场份额由三 星电子、海力士及美光科技占据，他们也是公司内存接口芯片产品主要的下游客户。报告期内， 三星电子、海力士及美光科技等内存模组主流厂商均在为DDR5的到来做准备。 （2）内存接口芯片行业发展情况 内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，其主要作用是提升内存数据访问的速度及 稳定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。 内存接口芯片的发展演变情况如下： 内存接口芯片世代 技术特点 主要厂商 DDR2 最低可支持1.5V工作电压 TI（德州仪器）、英特尔、西门子、 Inphi、澜起科技、IDT等 DDR3 最低可支持1.25V工作电压，最 高可支持1866MT/s的运行速率 Inphi、IDT、澜起科技、Rambus、 TI（德州仪器）等 DDR4 最低可支持1.2V工作电压，最高 可支持3200MT/s的运行速率 澜起科技、IDT、Rambus DDR5 最低可支持1.1V工作电压，可实 现4800MT/s的运行速率，并在 此产品基础上，继续研发 5600MT/s、6400MT/s的产品 澜起科技、瑞萨电子（原IDT）、 Rambus 报告期内，DDR4仍然为内存市场的主流技术，但随着JEDEC组织在不断完善对最新的DDR5 内存接口产品的规格定义，DDR5内存技术有望在未来实现对DDR4内存技术的更新和替代。 DDR5内存接口芯片相比于前一代DDR4内存接口芯片，采用了更低的工作电压（1.1V），同时 在传输有效性和可靠性上又迈进了一步。其中，根据JEDEC组织定义，DDR5第一子代产品可实 现4800MT/s的运行速率，在此技术逐渐成熟应用的基础上，JEDEC标准化组织已经开始制定第 二子代DDR5内存及接口芯片的技术标准，目标传输速率为5600MT/s，可见通过不断的技术创 新，实现更高的传输速率和支持更大的内存容量将是内存接口芯片行业未来发展的趋势和动力。 （3）AI芯片行业发展情况 2021年上半年， AI行业和市场延续了快速发展态势。 AI应用正由单点技术应用走向集成化 创新演进， AI产业也进入深入融合发展阶段。 在视频监控和互联网领域， AI技术正快速成熟，图像分类、人脸识别、视频分析、语音识别 等技术都已取得了重大进展；在传统的医疗、金融、教育等领域， AI技术加速融合，并出现一批 典型应用。 虽然 CPU、 GPU、 FPGA、 AI加速卡等硬件产品加速迭代升级，仍然无法满足 AI产业爆发带 来了巨大的算力缺口。 2021年上半年，越来越多的芯片公司推出具备更高算力、更低功耗的专用 AI SOC芯片应用于各种 AI应用、场景等，并在相应场景下展现出功耗、性能、成本等方面的优 势。 2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况 （1） 内存接口芯片及内存模组配套芯片 公司的内存接口芯片受到了市场及行业的广泛认可，公司凭借具有自主知识产权的高速、低 功耗技术，为新一代服务器平台提供完全符合JEDEC标准的高性能内存接口解决方案，是全球可 提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，在该领域拥有重要 话语权。公司在DDR4阶段逐步确立了行业领先优势，公司发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被 JEDEC国际标准采纳，该架构将在DDR5世代演化为“1+10”框架，继续作为LRDIMM的国际标 准。公司相关产品已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，占据全球市场的重要份额。 报告期内，公司已完成DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片量产版的研发，并持续根据 最新版JEDEC标准及客户的测试反馈进行最终优化，预计在2021年底之前正式进入量产爬坡阶 段。 在DDR5世代，公司能提供全套内存接口芯片及内存模组配套芯片，可为客户提供一站式的 综合解决方案，将有效拓展公司可销售产品的市场容量，加强公司综合竞争优势。 公司为JEDEC固态技术协会董事会成员之一，并在JEDEC下属的三个委员会及分会中担任 主席职位，深度参与行业标准的制定。 报告期内，针对DDR5第二子代 内存接口芯片及内存模组配套芯片的 相关技术标准 ，公司 正 积极参与 JEDEC组织 相关 技术讨论和标准制定工作 。 （2） PCIe Retimer芯片 公司的 PCIe 4.0 Retimer芯片产品于 2020年 9月成功量产，公司也成为该细分领域量产该款 产品的三家公司之一且是唯一一家中国公司，这也标志着公司 在巩固内存接口 芯片 产品领先地位 的同时，向数据中心的互连领域 布局 迈出了重要一步。 报告期内，随着 Intel icelake平台 正式发布 并 逐渐上量，公司 稳步开拓 PCIe 4.0 Retimer芯片市场。同时，公司也开始着手研发 PCIe 5.0 Retimer 芯片，通过不断的技术迭代更新，增强自身持续竞争力。 （3） 津逮 .服务器平台 报告期内，第三代津逮CPU已量产上市。随着前期持续投入的市场拓展，津逮.服务器平台 的产品和品牌正逐步获得客户与市场的认可。 （二）报告期内 公司所从事的主要业务 公司是一家国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，致力于为云计算和人工智能领域提供 高性能、低功耗的芯片解决方案，目前主要包括两大产品线，互连类芯片产品线和津逮.服务器平 台产品线。其中，互连类芯片产品包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIe Retimer芯片，津 逮.服务器平台产品包括津逮.CPU和混合安全内存模组。 1、内存接口芯片 内存接口芯片是服务器内存模组（又称“内存条”）的核心逻辑器件，作为服务器CPU存取内 存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模 组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组 进行配套，并通过服务器CPU、内存和OEM厂商针对其功能和性能（如稳定性、运行速度和功 耗等）的全方位严格认证，才能进入大规模商用阶段。因此，研发此类产品不仅要攻克内存接口 的核心技术难关，还要跨越服务器生态系统的高准入门槛。 DDR4内存接口芯片按功能可分为两类：一是寄存缓冲器（RCD），用来缓冲来自内存控制 器的地址、命令、控制信号；二是数据缓冲器（DB），用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数 据信号。RCD与DB组成套片，可实现对地址、命令、控制信号和数据信号的全缓冲。仅采用了 RCD芯片对地址、命令、控制信号进行缓冲的内存模组通常称为RDIMM（寄存双列直插内存模 组），而采用了RCD和DB套片对地址、命令、控制信号及数据信号进行缓冲的内存模组称为 LRDIMM（减载双列直插内存模组）。 公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术，长期致力于为新一代服务器平台提供符合 JEDEC标准的高性能内存接口解决方案。随着JEDEC标准和内存技术的发展演变，公司先后推 出了DDR2 - DDR5系列内存接口芯片，可应用于各种缓冲式内存模组，包括RDIMM及LRDIMM 等，满足高性能服务器对高速、大容量的内存系统的需求。目前，公司的DDR4内存接口芯片已 成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的重要份额。 DDR4世代的内存接口芯片产品目前仍是市场的主流产品，报告期内以DDR4 Gen2 Plus子 代为主。公司DDR4内存接口芯片子代产品及其应用情况如下： DDR4内存接口芯片子代产品 应用 Gen1.0 DDR4 RCD芯片 DDR4 RDIMM和LRDIMM，支持速率达DDR4-2133 Gen1.0 DDR4 DB芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达DDR4-2133 Gen1.5 DDR4 RCD芯片 DDR4 RDIMM和LRDIMM，支持速率达DDR4-2400 Gen1.5 DDR4 DB芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达DDR4-2400 Gen2.0 DDR4 RCD芯片 DDR4 RDIMM和LRDIMM，支持速率达DDR4-2666 Gen2.0 DDR4 DB芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达DDR4-2666 Gen2 Plus DDR4 RCD芯片 DDR4 RDIMM、LRDIMM和NVDIMM，支持速率达DDR4- 3200 Gen2 Plus DDR4 DB芯片 DDR4 LRDIMM和NVDIMM，支持速率达DDR4-3200 DDR5是JEDEC标准定义的第5代双倍速率同步动态随机存取存储器标准。与DDR4相比， DDR5采用了更低的工作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步，其支持的 最高速率可能超过6400MT/S，是DDR4最高速率的2倍。 公司自主研发的DDR5第一子代内存接口芯片包括RCD芯片和DB芯片。 （1）DDR5第一子代RCD芯片支持双通道内存架构，命令、地址和控制信号1：2缓冲，并 提供奇偶校验功能。该芯片符合JEDEC标准，支持DDR5-4800速率，采用1.1V工作电压，更为 节能。该款芯片除了可作为中央缓冲器单独用于RDIMM之外，还可以与DDR5 DB芯片组成套 片，用于LRDIMM，以提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。 （2）DDR5第一子代DB芯片是一款8位双向数据缓冲芯片，该芯片与DDR5 RCD芯片一 起组成套片，用于DDR5 LRDIMM。该芯片符合JEDEC标准，支持DDR5-4800速率，采用1.1V 工作电压。在DDR5 LRDIMM应用中，一颗DDR5 RCD芯片需搭配十颗DDR5 DB芯片，即每 个子通道配置五颗DB芯片，以支持片上数据校正，并可将数据预取提升至最高16位，从而为高 端多核服务器提供更大容量、更高带宽和更强性能的内存解决方案。 2、DDR5内存模组配套芯片 根据JEDEC标准，DDR5内存模组上除了内存颗粒及可能需要的内存接口芯片外，还可能需 要三种配套芯片，分别是串行检测集线器（SPD）、温度传感器（TS）以及电源管理芯片（PMIC)。 （1）串行检测集线器（SPD） 公司与合作伙伴共同研发了DDR5第一子代串行检测集线器（SPD），芯片内部集成了8Kbit EEPROM、I2C/I3C总线集线器（Hub）和温度传感器（TS），适用于所有DDR5系列内存模组 （如LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM等），应用范围包括服务器、台式机及笔记本内 存模组。SPD是DDR5内存模组不可或缺的组件，也是内存管理系统的关键组成部分，其包含如 下几项功能： 第一，其内置的SPD EEPROM是一个非易失性存储器，用于存储内存模组的相关信息以及 模组上内存颗粒和相关器件的所有配置参数。根据JEDEC的内存规范，每个内存模组都需配置一 个SPD器件，并按照JEDEC规范的数据结构编写SPD EEPROM的内容。主板BIOS在开机后会 读取SPD内存储的信息，并根据读取到的信息来配置内存控制器和内存模组。DDR5 SPD数据可 通过I2C/I3C总线访问，并可按存储区块（block）进行写保护，以满足DDR5内存模组的高速率 和安全要求。 第二，该芯片还可以作为I2C/I3C总线集线器，一端连接系统主控设备（如CPU或基板管理 控制器（BMC）），另一端连接内存模组上的本地组件，包括RCD、PMIC和TS，是系统主控设 备与内存模组上组件之间的通信中心。在DDR5规范中，一个I2C/I3C总线上最多可连接8个集 线器（8个内存模组），每个集线器和该集线器管理下的每个内存模组上的本地组件都被指定了 一个特定的地址代码，支持唯一地址固定寻址。 第三，该芯片还内置了温度传感器（TS），可连续监测SPD所在位置的温度。主控设备可通 过I2C/I3C总线从SPD中的相关寄存器读取传感器检测到的温度，以便于进行内存模组的温度管 理，提高系统工作的稳定性。 （2）温度传感器（TS） 公司与合作伙伴共同研发了DDR5第一子代高精度温度传感器（TS）芯片，该芯片符合JEDEC 规范，支持I2C和I3C串行总线，适用于DDR5服务器RDIMM 和LRDIMM内存模组。TS作为 SPD芯片的从设备，可以工作在时钟频率分别高达1MHz I2C和12.5MHz I3C总线上；CPU可经 由SPD芯片与之进行通讯，从而实现对内存模组的温度管理。TS是DDR5服务器内存模组上重 要组件，目前主流的DDR5服务器内存模组预计将配置2颗TS。 （3）电源管理芯片（PMIC） 公司与合作伙伴共同研发了符合JEDEC规范的DDR5第一子代低/高电流电源管理芯片 （PMIC）。该芯片包含4个直流-直流降压转换器，两个线性稳压器（LDO，分别为1.8V和1.0V）， 并能支持I2C和I3C串行总线，适用于DDR5服务器RDIMM和LRDIMM内存模组。PMIC的作 用主要是为内存模组上的其他芯片（如DRAM、RCD、DB、SPD和TS等）提供电源支持。CPU 可经由SPD芯片与之进行通讯，从而实现电源管理。低电流电源管理芯片应用于DDR5服务器较 小电流的RDIMM内存模组，高电流电源管理芯片则应用于DDR5服务器较大电流的RDIMM和 LRDIMM内存模组。 公司的DDR5内存接口芯片及内存模组配套芯片的示意图如下： C:\work\3、公告\2020年年报\Montage Products- eco diagram_页面_2.jpg 3、PCIe Retimer芯片 PCIe Retimer芯片是适用于PCIe高速数据传输协议的超高速时序整合芯片，这是公司在全互 连芯片领域布局的一款重要产品。近年来，高速数据传输协议已由PCIe 3.0（数据速率为8GT/S） 发展为PCIe 4.0（数据速率为16GT/S），数据传输速度翻倍的同时带来了突出的信号衰减和参考 时钟时序重整问题，这些问题较大限制了超高速数据传输协议在下一代计算平台的应用范围。PCIe 4.0的高速传输问题提高了对优化高速电路与系统互连的设计需求，加大了在超高速传输下保持 信号完整性的研发热度。为了补偿高速信号的损耗，提升信号的质量，通常会在链路中加入超高 速时序整合芯片（Retimer）。PCIe Retimer芯片已成为高速电路的重要器件之一，主要解决数据 中心数据高速、远距离传输时，信号时序不齐、损耗大、完整性差等问题。 公司研发的PCIe 4.0 Retimer芯片已实现成功量产，该芯片采用先进的信号调理技术来补偿 信道损耗并消除各种抖动源的影响，从而提升信号完整性，增加高速信号的有效传输距离，为服 务器、存储设备及硬件加速器等应用场景提供可扩展的高性能PCIe互连解决方案。该系列Retimer 芯片符合PCIe 4.0基本规范，支持业界主流封装，功耗和传输延时等关键性能指标达到国际先进 水平，并已与CPU、网卡、固态硬盘、GPU和PCIe交换芯片等进行了广泛的互操作测试。公司 研发的PCIe 4.0 Retimer芯片包括8通道及16通道两款产品。 C:\Users\akong\AppData\Local\Microsoft\Windows\INetCache\Content.Outlook\6EUNZ6NK\Retimer1_14pt (002).jpg 公司的PCIe 4.0 Retimer芯片可应用于NVMe SSD、AI服务器、Riser卡等典型应用场景，同 时，公司提供基于该款芯片的参考设计方案、评估板及配套软件等完善的技术支持服务，帮助客 户快速完成导入设计，缩短新产品上市周期。PCIe 4.0 Retimer芯片的典型应用场景图示如下： C:\Users\xfu\AppData\Local\Temp\1616755120(1).png 4、 津逮 .服务器平台 津逮.服务器平台主要由澜起科技的津逮.CPU和混合安全内存模组（HSDIMM.）组成。该 平台具备芯片级实时安全监控功能，可在信息安全领域发挥重要作用，为云计算数据中心提供更 为安全、可靠的运算平台。此外，该平台还融合了先进的异构计算与互联技术，可为大数据及人 工智能时代的各种应用提供强大的综合数据处理及计算力支撑。 津逮.CPU是公司推出的一系列具有预检测、动态安全监控功能的x86架构处理器，适用于 津逮.或其他通用的服务器平台。报告期内，公司推出了第三代津逮.CPU产品，以更好满足数据 中心、高性能计算、云服务、大数据、人工智能等应用场景对综合数据处理和计算力日益提升的 需求。相较于第二代产品，第三代津逮.CPU采用先进的10nm制程工艺，支持64通道PCIe 4.0， 最高支持8通道DDR4-3200内存，单插槽最大容量6TB。其最高核心数为28核，最高基频为 3.1GHz，最大共享缓存为42MB，实现了较大幅度的性能提升。此外，第三代津逮.CPU显著提升 了各种标准的加解密、验签、数据完整性等密码应用的运算性能；丰富了内存保护机制，可对不 同内存区域或内存全域进行加密保护；内置增强型深度学习加速技术，带来了更为出色的人工智 能推理和训练能力。该款服务器CPU支持澜起科技独有的安全预检测（PrC）技术，适用于金融、 交通、政务、能源等对硬件安全要求较高的行业。 混合安全内存模组采用公司具有自主知识产权的Mont-ICMT.（Montage, Inspection & Control on Memory Traffic）内存监控技术，可为服务器平台提供更为安全、可靠的内存解决方案。目前， 公司推出两大系列混合安全内存模组：标准版混合安全内存模组（HSDIMM.）和精简版混合安全 内存模组（HSDIMM.-Lite），可为不同应用场景提供不同级别的数据安全解决方案。 C:\Users\akong\AppData\Local\Microsoft\Windows\INetCache\Content.Outlook\6EUNZ6NK\津逮服务器平台1.jpg （三）主要经营模式 公司是集成电路设计公司，自成立以来公司经营模式均为行业里的Fabless模式，该模式下， 公司专注于从事产业链中的集成电路设计和营销环节，其余环节委托给晶圆制造企业、封装和测 试企业代工完成，由公司取得测试后芯片成品销售给客户。 在Fabless模式下，产品设计与研发环节属于公司经营的核心，由多个部门参与执行。芯片 的生产制造、封装测试则通过委外方式完成，因此公司需要向晶圆制造厂采购晶圆，向封装测试 厂采购封装、测试服务。具体地，公司产品的业务流程示意图如下： 演示文稿1 上述流程图中项目提案、市场要求定义、启动会议、初始技术规范、架构设计、模块设计、 全芯片设计评审、终版技术规范审议、流片评审、样片验证、可靠性评估、产品特性验证、系统 确认、产品提交量产、销售等环节主要由公司完成，其余环节主要由委外厂商完成。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术 及其 先进性 以及报告期内 的变化情况 （1）核心技术及其先进性 公司具备自有的集成电路设计平台，包括数字信号处理技术、内存管理与数据缓冲技术、模 拟电路设计技术、高速逻辑与接口电路设计技术以及低功耗设计技术，方案集成度高，可有效提 高系统能效和产品性能。 公司历经十余年的专注研发和持续投入，成为全球可提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半 缓冲完整解决方案的主要供应商之一。公司的核心技术完全基于自主知识产权，突破了一系列关 键技术壁垒。由公司发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统框架，突破了DDR2、DDR3的集中式 架构设计，创新性采用1颗寄存缓冲控制器为核心、9颗数据缓冲控制器芯片的分布结构布局， 大幅减少了CPU与DRAM颗粒间的负载，降低了信号传输损耗，解决了内存子系统大容量与高 速度之间的矛盾。该技术架构最终被JEDEC国际标准采纳，提升了国际话语权，为推动国内集 成电路设计产业的进步做出了显著的贡献。该架构将在DDR5世代演化为“1+10”框架，继续作 为LRDIMM的国际标准。 公司提出了一种内存接口校准算法，发明了新型高速、低抖动收发器，解决了多点通讯、突 发模式下内存总线的信号完整性问题。在服务器内存最大负载情况下，该技术可支持DDR4内 存实现最高速率（3200MT/s），达到国际领先水平。此外，公司还提出一种先进的内存子系统 的低功耗设计技术，发明了新型自适应电源管理电路，并采用动态时钟分配等创新技术，显著降 低了相关内存接口芯片产品的功耗。 在DDR5内存接口芯片的研发过程中，公司的核心技术在原有的基础上经过持续不断技术 创新与积累，建立了新一代DDR5高速内存接口产品所需的关键设计技术，研发出高速高精度 自动化测试技术与测试平台，加快了产品设计、全面评估与迭代速度，为DDR5新一代系列产 品的研发奠定了坚实的基础。 （2）核心技术在报告期内的变化情况 2021年上半年，公司在DDR5内存接口芯片技术方面持续投入研发，保持该项核心技术的 领先性。同时，公司在高速互连产品方面加大投入，PCIe 5.0高速接口物理层关键IP研发取得 重要进展。 2. 报告期内获得的研发成 果 （1）DDR5内存接口芯片：公司已完成DDR5第一子代内存接口芯片量产版的研发，并持续 根据最新版JEDEC标准及客户的测试反馈进行最终优化。 （2）DDR5内存模组配套芯片：公司与合作厂商已完成DDR5第一子代内存模组配套芯片量 产版的研发，并持续根据最新版JEDEC标准及客户的测试反馈进行最终优化。 （3）PCIe Retimer芯片：PCIe 5.0高速接口物理层关键IP研发取得重要进展，为顺利完成 PCIe 5.0 Retimer芯片的研发奠定基础。 （4）津逮.服务器平台：公司于2021年4月正式推出了更高性能的第三代津逮.CPU产品。 （5）AI芯片：相关芯片的研发正在有序推进中，部分重要IP及算法获初步验证通过。 2021年上半年，公司 新 获授权的发明专利共 10 项 ，新申请20项发明专利（其中含2项专利 合作协定申请）；新申请3项集成电路布图设计。 报告期内 ，公司新获授权的发明专利如下： 序 号 专利名称 专利 类型 专利号 专利申请 日 授权公 告日 国 家 或 地 区 1 存储器控制器以及用于对存储模块进行访问 控制的方法 发明 ZL201810321501.8 2018/4/11 2021/3/12 中 国 2 用于检测金属间介质层缺陷的叠层结构及测 试方法 发明 ZL201810531795.7 2018/5/29 2021/3/19 中 国 3 存储器控制器以及用于对存储模块进行访问 控制的方法 发明 ZL201810929033.2 2018/8/15 2021/3/12 中 国 序 号 专利名称 专利 类型 专利号 专利申请 日 授权公 告日 国 家 或 地 区 4 MEMORY CONTROLLER, METHOD FOR PERFORMING ACCESS CONTROL TO MEMORY MODULE 发明 US10983711B2 2018/4/13 2021/4/20 美 国 5 MEMORY CONTROLLER AND METHOD FOR ACCESSING MEMORY MODULE 发明 US10929029B2 2019/1/4 2021/2/23 美 国 6 MEMORY CONTROLLER, METHOD FOR PERFORMING ACCESS CONTROL TO MEMORY MODULE 发明 US10936212B2 2019/1/4 2021/3/2 美 国 7 MEMORY CONTROLLER 发明 US10929318B2 2019/12/20 2021/2/23 美 国 8 FAST PHASE FREQUENCY DETECTOR 发明 US10886928B2 2020/2/25 2021/1/5 美 国 9 DELAY CIRCUIT, CLOCK CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD 发明 US10965280B2 2019/12/30 2021/3/30 美 国 10 COMMUNICATION DEVICE AND SKEW CORRECTION METHOD THEREOF 发明 US10979259B1 2020/6/10 2021/4/13 美 国 报告期 内，公司获得的知识产权，如下列表： 本期新增 累计数量 申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个） 发明专利 20 10 71 119 实用新型专利 0 0 0 3 外观设计专利 0 0 0 0 软件著作权 0 0 0 5 布图设计权 3 0 54 51 合计 23 10 125 178 注 ： 本期 新增 发明专利申请数包括 2 项 专利合作协定申请，累计发明 专利申请数包括 6 项专利合 作协定申请。 布图设计权累计获得数较上年末减少 2 个， 系布图设计专有权的保护期已满所致 。 3. 研发投入情况表 单位：元 本期数 上期数 变化幅度 （%） 费用化研发投入 143,739,503.85 164,339,159.17 -12.53 资本化研发投入 - - - 研发投入合计 143,739,503.85 164,339,159.17 -12.53 研发投入总额占营业收入比例（%） 19.84 15.08 增加4.76个百分点 研发投入资本化的比重（%） - - - 研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □ 适用 √ 不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □ 适用 √ 不适用 4. 在研 项目情况 √ 适用 □ 不适用 单位：万元 序 号 项目名称 预计总投 资规模 本期投入 金额 累计投入金 额 进展或阶段性 成果 拟达到目标 技术 水平 具体应用 前景 1 新一代内 存接口芯 片研发及 产业化项 目 101,785 6,134.21 30,117.40 公司已完成 DDR5第一子代 内存接口芯片 量产版的研发， 公司与合作厂 商已完成DDR5 第一子代内存 模组配套芯片 量产版的研发， 并持续根据最 新版JEDEC标 准及客户的测 试反馈进行最 终优化。 研发符合 JEDEC标准 的DDR5内 存接口芯片 及内存模组 配套芯片，并 根据行业标 准持续进行 技术迭代升 级，并在完成 产品研发后 实现产业化。 国际 领先 DDR5内 存接口芯 片及内存 模组配套 芯片是 DDR5内 存模组的 重要组成 部分。 2 津逮 .CPU及 其平台技 术升级项 证目 74,520.16 2,382.24 18,910.49 公司于2021年 4月正式推出了 更高性能的第 三代津逮.CPU 产品。 对津逮.CPU 及其平台进 行持续技术 升级。 行业 领先 CPU和混 合安全内 存模组是 服务器的 重要部件 之一。 3 人工智能 芯片研发 项目 53,713.90 3,462.70 10,180.63 相关芯片的研 发正在有序推 进中，部分重要 IP及算法获初 步验证通过。 开发用于云 端数据中心 的AI处理器 芯片和SoC 芯片。 行业 领先 相关芯片 将应用在 新一代数 据中心服 务器上，可 实现高效 低延迟云 端推理人 工智能应 用。 4 PCIe Retimer 芯片研发 项目 12,000.00 2,394.80 11,839.07 PCIe 5.0高速接 口物理层关键 IP研发取得重 要进展，为顺利 完成PCIe 5.0 Retimer芯片的 研发奠定基础。 研发符合行 业标准的 PCIe Retimer 芯片并实现 产业化。 行业 领先 PCIe retimer芯 片广泛应 用于数据 中心服务 器的全互 连，用来提 高I/O通道 上信号完 整性和数 据可靠性， 补偿高速 信号的损 耗，提升高 速信号的 质量。 合 计 / 242,019.06 14,373.95 71,047.59 / / / / 情况说明： 1、上述4个项目的“本期投入金额”以及“累计投入金额”分别为本期研发费用及累计研发费用口径。 2、第1至第3个项目为募集资金投资项目，预计总投资规模包括工程建设费用、研发费用、基 本预备费及铺底流动资金等。 5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币 基本情况 本期数 上期数 公司研发人员的数量（人） 354 260 研发人员数量占公司总人数的比例（%） 70.52 66.33 研发人员薪酬合计 11,751.01 11,582.66 研发人员平均薪酬 33.19 44.55 说明：1、研发人员薪酬合计与“第十节 财务报告”之“七、65、研发费用-职工薪酬”口径一 致，包括公司支付的工资、奖金、津贴、补贴、福利、社会保险、公积金以及承担的股份支付费 用； 2、研发人员平均薪酬指研发人员薪酬合计除以报告期末研发人员人数。 教育 程度 学历 构成 数量（人 ） 比例 ( %) 硕士及以上 217 61.30 本科 127 35.87 大专 7 1.98 大专以下 3 0.85 合计 354 100.00 年龄结构 年龄 区间 数量（人 ） 比例 ( %) 50 岁（含）以上 14 3.95 40 - 49 岁（含） 66 18.65 30 - 39 岁（含） 179 50.56 30 岁以下 95 26.84 合计 354 100.00 6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力 分析 √适用 □不适用 1、 持续的创新研发能力与领先的技术优势 公司自创立以来，持续专注于技术研发和产品创新。公司具备自有的集成电路设计平台，包 括数字信号处理技术、内存管理与数据缓冲技术、模拟电路设计技术、高速逻辑与接口电路设计 技术以及低功耗设计技术，方案集成度高，可有效提高系统能效和产品性能。 公司以技术创新为基础，发明了DDR4全缓冲“1+9”架构，最终被JEDEC国际标准采纳，该 架构将在DDR5世代演化为“1+10”框架，继续作为LRDIMM的国际标准。澜起科技凭借具有自 主知识产权的高速、低功耗技术，为新一代服务器平台提供完全符合JEDEC标准的高性能内存接 口解决方案，是全球可提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之 一，在该领域拥有重要话语权。经过持续不断的技术创新与积累，公司的核心技术在DDR4系列 产品原有的基础上，建立了新一代DDR5高速内存接口产品所需的关键设计技术，研发出高速高 精度自动化测试技术与测试平台，为研发DDR5新一代系列产品奠定了坚实的基础，也为公司在 该细分领域保持技术优势以及巩固核心竞争力提供了重要保障。同时，公司在高速全互连产品方 面开发了PCIe 4.0 Retimer系统级互操作测试流程与方法。 公司的核心技术基于自主知识产权，并形成了有规划、有策略的专利布局。截至报告期末， 公司已获授权的国内外发明专利达119项。 2、领先的市场地位和品牌优势 经过10多年的发展和积淀，公司已成为国际知名的芯片设计公司，目前公司核心产品内存接 口芯片广泛应用于各类服务器，终端客户涵盖众多知名的国内外互联网企业及服务器厂商，在全 球内存接口芯片领域的竞争中处于领先地位，实现国内自主研发产品在该领域的突破。公司成立 至今获得了多项荣誉，形成了独特的品牌优势。2016年6月，中国电子学会认定公司“低功耗DDR 系列内存缓冲控制器芯片设计技术整体技术达到国际领先水平”；同年12月，该项技术及产业化 项目荣获“中国电子学会科学技术奖一等奖”；2017年，公司荣获三星电子颁发的“最佳供应商奖”； 2018年11月，津逮.CPU及其平台采用的“动态安全监控技术”获评第五届世界互联网大会“世界 互联网领先科技成果”；2019年5月，公司“高性能DDR内存缓冲控制器芯片设计技术”项目荣获 上海市人民政府颁发的“上海市技术发明一等奖”；2020年10月，公司荣获“上海知识产权创新 奖”，公司的津逮.CPU荣获“中国芯”年度重大创新突破产品奖。2021年，公司当选工业和信息 化部“制造业单项冠军示范企业”。2021年4月，PCIe 4.0 Retimer芯片荣获第九届“中国电子信 息博览会创新奖”。这一系列荣誉的获得，充分显示出市场对于公司品牌的认可。 3、全球化的产业布局 公司不仅扎根中国，还在美国、韩国等地建立了分支机构或办事处，派驻工程师及销售人员 直接对接众多国际产业巨头，深入了解行业发展及技术水平变化趋势，亲身经历整个行业变更， 把握瞬息万变的行业动态及创新方向，有效地提升了公司的国际市场影响力及研发效率。同时通 过全球化的产业布局，公司可以合理调配全产业资源，发挥产业协同效应，提高了公司的运营效 率，有效地控制了成本。 4、人才优势 公司董事长兼首席执行官杨崇和博士曾在美国国家半导体公司等企业任职，并于1997年与 同仁共同创建硅谷模式的集成电路设计公司新涛科技。杨崇和博士于2010年当选美国电气和电 子工程师协会院士（IEEE Fellow），积累了丰富的设计、研发和管理经验，于2015年入选全球半 导体联盟亚太领袖。杨博士在2019年成为全球微电子行业标准制定机构JEDEC“杰出管理领袖奖” 首位获奖者，该奖为JEDEC组织新设立奖项，用于表彰推动和支持JEDEC标准发展的电子行业 最杰出的高级管理人士。公司总经理Stephen Kuong-Io Tai先生曾参与创建Marvell科技集团并就 任该公司的工程研发总监，拥有逾25年的半导体架构、设计和工程管理经验。公司核心技术人 员、研发部负责人常仲元博士曾在IEEE学术期刊和国际会议上发表了论文逾20篇，其中3篇发 表于ISSCC会议，并作为第一作者出版了《Low Noise Wideband Amplifiers in Bipolar and CMOS Technology》。公司在JEDEC组织中的三个委员会及分会中安排员工担任主席职位，成为细分领 域国际行业标准制定的深入参与者。公司入选全球微电子行业标准制定机构JEDEC固态技术协 会董事会，是三家入选JEDEC董事会的中国企业之一。 公司核心团队多毕业于国内外著名高校，在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰 富的阅历和实战经验。公司自成立以来就十分注重人才的培养和创新，目前已培养了数百名在高 速、低功耗和数模混合电路设计领域的专业技术人才。截至报告期末，公司员工中70%以上为研 发技术人员，且研发技术人员中61%以上拥有硕士及以上学位，为公司持续的产品创新提供了重 要的人才基础。 5、显著的行业生态优势 公司深耕于服务器内存接口芯片市场，与全球主流的处理器供应商、服务器厂商、内存模组 厂商及软件系统提供商，建立了长期稳定的合作关系。自2016年，公司携手英特尔、清华大学 及国内知名服务器厂商，进一步开发津逮.服务器平台产品，大力拓展数据中心产品市场。公司 在芯片设计技术上长期积累，并深度参与行业标准制定。通过与行业生态系统内主要企业的协 同、分工、合作，公司深度优化整合行业生态系统内市场资源和技术资源，具备显著的行业生态 优势。 (二) 报告 期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响 的 事件 、 影响分析 及 应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 公司致力于让“数据传输更高效、数据运算更安全”，围绕 云计算和人工智能领域，产品线 已从内存接口芯片延伸到PCIe Retimer芯片、内存模组配套芯片、服务器CPU、混合安全内存模 组和人工智能（AI）芯片等领域，逐步走向平台型芯片设计公司。 报告期内， 公司 积极应对 因 内存接口芯片 行业升级过渡期带来的短期 业绩 压力 ， 全力拓展 津 逮.服务器平台产品线的市场空间，取得良好进展。报告期内公司实现营业收入7.24亿元，同比 下降33.51%，实现归属于上市公司股东的净利润3.08亿元，同比下降48.82%。 2020年上半年，因云计算需求的阶段性上升及 客户对 供应链安全的担忧， 行业 加大了对相关 产品的采购。 2020年下半年开始 ，因 行业需求下降 且前期库存较高， 内存接口芯片 行业 进入一轮 去库存 阶段，并 延续到 2021年 初 。同时，由于DDR4内存接口芯片进入产品生命周期后期，导致 产品价格较去年同期有所下降；且公司产品以美元计价，美元兑人民币与去年同期相比有所贬值， 公司2021年一季度业绩同比出现较大幅度下滑。 但随着2021年二季度行业的复苏，在全体员工的共同努力下，公司业绩环比改善，2021年 第二季度实现营业收入4.25亿元，较第一季度环比增长41.87%；第二季度实现归属于上市公司 股东的净利润1.74亿元，较第一季度环比增长29.54%；第二季度归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润1.04亿元，较第一季度环比增长39.69%。 报告期内公司取得主要工作进展如下： （一） 着重做好 DDR5相关 芯片 量产 前的准备 工作 报告期内，公司一方面积极维系DDR4内存接口芯片市场份额，另一方面重点做好DDR5第 一子代内存接口及模组配套 芯片正式量产前的准备工作，为行业生态就绪后相关产品的上量奠定 了基础。同时，公司正开展DDR5第二子代内存接口芯片的研发，通过持续的技术更新迭代，不 断巩固在该领域的国际领先地位。 （二） 全力拓展新 业务 ， 津逮.服务器平台产品线收入快速增长 津逮.服务器平台产品线方面，持续的市场拓展初见成效，经过前期的测试、导入及推广，相 关产品正逐步打开市场，被越来越多的客户所认可。报告期内，津逮.服务器平台产品线实现营业 收入3,771万元，同比增加698.37%。同时，公司推出了第三代津逮.CPU产品，以更好满足数据 中心、高性能计算、云服务、大数据、人工智能等应用场景对综合数据处理和计算力日益提升的 需求。 PCIe 4.0 Retimer 芯片方面，随着支持PCIe 4.0技术的主流服务器CPU上市，公司加大市场 推广力度，在客户导入方面取得积极进展。同时，公司已开展PCIe 5.0 Retimer芯片的研发工作。 （三） 持续吸纳优秀 研发 人才， 研发项目稳步推进 公司高度重视人才引进工作，公司员工持续增长，报告期末员工总数502人，较2020年末增 长9.85%，其中研发技术人员354人，较2020年末增长11.67%。目前公司员工中70%以上为研 发技术人员，且研发技术人员中61%以上拥有硕士及以上学位，不断优化的技术团队有效支撑了 公司各项研发工作的推进。此外，公司在报告期内持续开展校招，为公司输送源源不断的新鲜血 液及活力，为将来的人才梯队建设奠定了坚实的基础。 公司坚持技术创新，高度重视研发工作。2021年上半年公司研发投入合计1.44亿元，占营业 收入的比例为19.84%。公司始终保持高水平的研发投入，为公司在技术创新及产品开发方面提供 强有力的保障，符合公司长期发展战略。 （四） 不断优化公司运营水平 ，增强员工凝聚力 1、公司治理及内部控制 报告期内，公司严格按照相关法律、法规和《公司章程》的规定履行信息披露义务，并持续 梳理内部控制中存在的问题，完善了关联交易审批及供应商管理系统。公司荣获第十二届“天马 奖”——“最佳董事会”及“最佳董秘”。 2、营运管理及供应链保障 报告期内，公司提前研判行业供需情况，合理地进行了产能筹划。截至目前，主要产品的晶 圆加工及封装测试均正常运行，相关产能基本能满足需求。公司将持续关注产业链的产能情况， 合理筹划并尽最大可能保障公司产品供给。 3、重要荣誉 公司董事长兼首席执行官杨崇和博士被JEDEC授予“杰出管理领袖奖”，成为该奖项的全球首 位获奖者，JEDEC在评奖公示中表示：杨崇和博士及澜起科技是JEDEC内存标准的积极贡献者。 2021年初，公司当选工业和信息化部“制造业单项冠军示范企业”。2021年4月，PCIe 4.0 Retimer 芯片荣获第九届“中国电子信息博览会创新奖”。 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未 来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 五、 风险因素 √适用 □不适用 （一）核心竞争力风险 1、产品研发风险 集成电路产业发展日新月异，技术及产品迭代速度较快。芯片设计公司需要不断地进行创新， 同时对市场进行精确的把握与判断，不断推出适应市场需求的新技术、新产品以跟上市场变化， 赢得和巩固公司的竞争优势和市场地位。 公司新产品的开发风险主要来自以下几个方面：（1）公司新产品的开发存在周期较长、资金 投入较大的特点，在产品规划阶段，存在对市场需求判断失误的风险，可能导致公司产品定位错 误；（2）由于公司产品技术含量较高，公司存在对企业自身实力判断失误的风险，主要是对公司 技术开发能力的判断错误，导致公司研发项目无法实现或周期延长；（3）由于先发性对于公司产 品占据市场份额起到较大的作用，若产品迭代期间，竞争对手优先于公司设计生产出新一代产品， 公司有可能丢失较大的市场份额，从而影响公司后续的发展。 2、人才流失风险 芯片设计行业属于技术密集型产业，对技术人员的依赖度较高。凭借公司研发团队多年来的 持续努力钻研，公司技术人员的自主开发能力不断增强。公司针对优秀人才实施了多项激励措施， 对稳定公司核心技术团队起到了积极作用。但同行业竞争对手仍可能通过更优厚的待遇吸引公司 技术人才，或公司受其他因素影响导致公司技术人才流失，将对公司新产品的研发以及技术能力 的储备造成影响，进而对公司的盈利能力产生一定的不利影响。 3、技术泄密风险 通过持续技术创新，公司研发技术平台处于行业内较高水平。自成立以来，公司就十分重视 对核心技术的保密，及时将研发成果申请专利，并制定了严格完善的内控制度，保障核心技术的 保密性。但存在由于核心技术人员流动、技术泄密，或专利保护措施不力等原因，导致公司核心 技术流失的风险。如前述情况发生，将在一定程度上削弱公司的技术优势，对公司的竞争力产生 不利影响。 （二）经营风险 1、 客户集中风险 公司内存接口芯片产品的下游为DRAM市场，直接客户为内存模组厂商。根据相关行业统计 数据，在DRAM市场三星电子、海力士、美光科技位居行业前三名，市场占有率合计超过90%。 这导致公司客户集中度也相对较高，客户相对集中。如果公司产品开发策略不符合市场变化或不 符合客户需求，则公司将存在不能持续、稳定地开拓新客户和维系老客户新增业务的可能，从而 面临业绩下滑的风险。同时，由于客户相对集中度高，如果发生客户要求大规模降价、竞争对手 恶性竞争等竞争环境变化的情形，公司将面临市场份额波动、收入下滑的风险。 2、 供应商风险 公司为最大程度优化自身产能资源配置，同时考虑经济性原则，采取Fabless模式，将芯片（未完）  |