[中报]银河微电:2021年半年度报告（更正版）
原标题:银河微电:2021年半年度报告（更正版） 公司代码：688689 公司简称：银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 2021年半年度报告 文本 中度可信度描述已自动生成 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完 整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人杨森茂、主管会计工作负责人关旭峰及会计机构负责人（会计主管人员）李福承 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告内容涉及的未来计划等前瞻性陈述因存在不确定性，不构成公司对投资者的实质性承 诺，请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ................................ ................................ . 6 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ................................ ................................ ............. 9 第四节 公司治理 ................................ ................................ ................................ ........................... 23 第五节 环境与社会责任 ................................ ................................ ................................ ............... 25 第六节 重要事项 ................................ ................................ ................................ ........................... 29 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ................................ ................................ ....... 48 第八节 优先股相关情况 ................................ ................................ ................................ ............... 53 第九节 债券相关情况 ................................ ................................ ................................ ................... 54 第十节 财务报告 ................................ ................................ ................................ ........................... 55 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报告 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 其他相关资料 第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 银河微电、公 司、本公司 指 常州银河世纪微电子股份有限公司 银河星源 指 常州银河星源投资有限公司，本公司控股股东 恒星国际 指 恒星国际有限公司（Action Star International Limited），本公司股东 银江投资 指 常州银江投资管理中心（有限合伙），本公司股东 银冠投资 指 常州银冠投资管理中心（有限合伙），本公司股东 清源知本 指 常州清源知本创业投资合伙企业（有限合伙），本公司股东 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙），本公司股东 银河电器 指 常州银河电器有限公司，本公司子公司 银河寰宇 指 泰州银河寰宇半导体有限公司，本公司孙公司 银微隆 指 常州银微隆电子有限公司，本公司子公司 《公司章程》 指 《常州银河世纪微电子股份有限公司章程》 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所、交易 所 指 上海证券交易所 保荐机构、中 信建投 指 中信建投证券股份有限公司 会计师、立信 会计师 指 立信会计师事务所（特殊普通合伙） 报告期 指 2021年上半年度 报告期末 指 2021年6月30日 元、万元、亿 元 指 人民币元、万元、亿元 IDM 指 Integrated Device Manufacture的缩写，又称纵向一体化经营，指半导体 行业集产品设计、芯片制造、封装测试、销售服务一体化整合的经营模式， 能够实现设计、制造环节的协同优化，充分挖掘技术潜力，有条件率先试 验并推行新的半导体技术，为诸多领先分立器件厂商采用。 半导体分立 器件 指 以半导体材料为基础的，具有固定单一特性和功能的电子器件。 集成电路 指 将一定数目的二极管、三极管、电阻、电容和电感等集成在一个芯片里，从 而实现电路或者系统功能的电子器件。 小信号器件 指 耗散功率小于 1W（或者额定电流小于 1A）的分立器件。 功率器件 指 耗散功率不小于 1W（或者额定电流不小于 1A）的分立器件。 光电器件 指 利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。 二极管 指 是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件。 三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等。 MOSFET、 MOS管 指 是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效应晶体 管，属于电压控制型器件。 桥式整流器 指 用多只（四只、六只等）二极管芯片以桥式整流方式连接，并用绝缘模塑料 封装成整体，具有将单相（三相）交流电转换成直流电功能的半导体分立 器件。 光电耦合器 指 是由发光二极管和光敏三极管合并使用，以光作为媒介传递信号的光电器 件。 轴向二极管 指 在同一轴线上两端引出引线的半导体二极管。 芯片 指 如无特殊说明，本文所述芯片专指半导体分立器件芯片，系通过在硅晶圆 片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺加工后，在一个硅晶圆片 上同时制成许多构造相同、功能相同的单元，再经过划片分离后便得到单 独的晶粒，即为芯片。 OJ芯片 指 将做过PN结的晶圆片直接分离开所形成的（开放结）芯片，需要进行引线 焊接、台面腐蚀，涂覆硅橡胶保护层等才能形成稳定的电性。 晶圆 指 是制造半导体芯片的硅单晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。 整流 指 用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程。 开关 指 利用半导体分立器件模拟机械开关，起导通和截止的作用。 稳压 指 利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程。 肖特基 指 肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，和PN结具有类似的 整流特性。肖特基势垒相较于 PN 结最大的区别在于具有较低的接面电压， 以及在金属端具有相当薄的（几乎不存在）耗尽层宽度。 封装测试、封 测 指 封装是把芯片按一定工艺方式加工成具有一定外形和功能的器件的过程。 测试是把封装完的器件按一定的电性规格要求进行区分，把符合规格与不 符合规格的产品分开的过程。 塑封 指 用注塑、挤压等方法将热塑性或热固性树脂施加在制件上包覆成特定外形 而作为保护或绝缘层的一种作业。 氧化 指 在特定气体成分、压力、温度等条件下，（在高温氧化炉内）晶圆表面生长 一定厚度的致密SiO2薄膜的过程。 光刻 指 一种利用光照、感光剂（光刻胶）、掩膜版（其上有设计好的图形）配合 的复印技术，可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上。 钝化 指 在半导体器件PN结表面覆盖保护介质膜，防止表面污染的工艺过程。 LED 指 半导体发光二极管（ Light-emitting Diode），是一种可以将电能转化为 光能的半导体器件。 TVS 指 瞬态电压抑制二极管 DFN 指 Dual Flat No-lead Package 的缩写，双边扁平无引脚封装。 CSP 指 Chip Scale Package 的缩写，指芯片级尺寸封装。 可见光 指 电磁波谱中人眼可以感知的部分，如红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫各色光， 其波长范围在 380 纳米～760 纳米之间。 可见光传感 器 指 将可见光作为探测对象，并转换成输出信号的器件。 MOS继电器 光耦 指 是指由MOSFET光耦合LED制成的半导体继电器，主要用作信号继电器的代 替品。光继电器不含有动触点，所以相比机械继电器而言具有更长久的可 靠性。 功率晶体管 指 耗散功率在 1瓦以上的晶体管。在电力电子器件中为一大类，包括双极型 功率晶体管、功率场效应晶体管、功率静电感应晶体管、隔离栅晶体管、复 合晶体管等。 FRD 指 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的 半导体二极管， 主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电 路中，作为高频整流二极管、续 流二极管或阻尼二极管使用。 半导体发光 二极管 指 Light-emitting Diode，是一种可以将电能转化为光能的半导体器件。 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况 公司的中文名称 常州银河世纪微电子股份有限公司 公司的中文简称 银河微电 公司的外文名称 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd. 公司的外文名称缩写 无 公司的法定代表人 杨森茂 公司注册地址 常州市新北区长江北路19号 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 常州市新北区长江北路19号 公司办公地址的邮政编码 213022 公司网址 www.gmesemi.com 电子信箱 [email protected] 报告期内变更情况查询索引 无 二、 联系人和联系方式 董事会秘书（ 信息 披露 境内代表 ） 证券事务代表 姓名 金银龙 徐涛 联系地址 常州市新北区长江北路19号 常州市新北区长江北路19号 电话 0519-68859335 0519-68859335 传真 0519-85120202 0519-85120202 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、 信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券 日报》《中国日报网》 登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 公司证券事务部 四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 银河微电 688689 不适用 (二) 公司 存托凭证 简 况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同 期增减(%) 营业收入 404,504,217.96 263,363,639.11 53.59 归属于上市公司股东的净利润 57,846,081.97 30,704,708.19 88.39 归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润 55,421,210.59 24,235,469.53 128.68 经营活动产生的现金流量净额 45,177,883.93 31,797,291.16 42.08 主要会计数据 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年 度末增减(%) 归属于上市公司股东的净资产 988,426,975.26 576,207,759.20 71.54 总资产 1,263,268,723.61 809,105,481.52 56.13 (二) 主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同 期增减(%) 基本每股收益（元／股） 0.47 0.32 46.88 稀释每股收益（元／股） 0.47 0.32 46.88 扣除非经常性损益后的基本每股 收益（元／股） 0.45 0.25 80.00 加权平均净资产收益率（%） 6.28 5.89 增加0.39个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率（%） 6.01 4.65 增加1.36个百分点 研发投入占营业收入的比例（%） 5.53 5.79 减少0.26个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2021年上半年公司实现营业收入404,504,217.96元，同比增加53.59%。主要系2021年经 济复苏，行业回暖及国产替代加速，公司顺应市场环境，以上市为契机，加快扩大产能，打造高 效产能利用，提高生产效率，积极扩大市场份额。因此，公司2021年上半年的净利润、经营活 动产生的现金流量净额等均大幅增长。一季度首次公开发行股票，净资产相应增加。 报告期内，公司实现归属于母公司所有者的净利润57,846,081.97元，同比增加88.39%； 实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润55,421,210.59元，同比增加128.68%。 报告期末，公司财务状况良好，总资产1,263,268,723.61元，较报告期初增加56.13%；归 属于母公司的所有者权益988,426,975.26元，较报告期初增加71.54%。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 非流动资产处置损益 -981,910.18 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收 返还、减免 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业 务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助除外 901,598.93 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成 本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 386,606.37 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项 资产减值准备 债务重组损益 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部 分的损益 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日 的当期净损益 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务 外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性 金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损 益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交 易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得 的投资收益 2,554,230.22 单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备 转回 对外委托贷款取得的损益 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产 公允价值变动产生的损益 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益 进行一次性调整对当期损益的影响 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -7,904.06 其他符合非经常性损益定义的损益项目 少数股东权益影响额 所得税影响额 -427,749.90 合计 2,424,871.38 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 1、 公司所属行业、基本特点、主要技术门槛 （ 1） 公司所属行业 公司主要从事半导体分立器件芯片及分立器件成品的研发、生产及销售，以及提供封装测试 等制造服务，属于半导体行业。 按照 2017年 10月起实施的《国民经济行业分类》国家标准（ GB/T4754-2017），公司所属行 业为 “C39计算机 、 通信和其他电子设备制造业 ”下的 “C3972半导体分立器件制造业 ”。 根据中国证监会颁布的 《 上市公司行业分类指引 》（ 2012年修订 ）， 公司所属行业为 “C39计算 机 、 通信和其他电子设备制造业 ”。 半导体分立器件行业是信息技术产业的基础 ， 大力发展新型半 导体分立器件是提升电子信息产业技术水平和推进战略性新兴产业发展的重要基础。近年来国家 颁布了一系列政策法规对本行业进行直接支持，同时制定了相关鼓励政策法规，对本行业发展形 成间接支持。 根据国家统计局发布的 《 战略性新兴产业分类 （ 2018）》， 公司所属行业为 “新型电子元器件及 设备制造 ”下的 “半导体分立器件制造 ”， 功率晶体管 、 快恢复二极管 （ FRD）、 半导体发光二极管 、 金属氧化物半导体场效应管（ MOSFET）、肖特基二极管等多款产品被列为重点产品。 （ 2） 行业基本特点 依托电子信息产业的快速发展，半导体分立器件市场一直保持着较好的发展势头。近年来， 随着全球电子产品技术的升级换代，催生了新产品和新应用的不断涌现，尤其是电动汽车、 5G应 用等带来的衍生机会，进一步带动了分立器件应用领域的 快速拓展。 世界半导体贸易统计组织（ WSTS）在 2021年 6月 10日发布 了 2021年（暨 2022年）世界 半导体产品市场规模及增长情况 。 WSTS在 2020年 12月预估 2021年同比增长 8.4%， 2021年 3 月增长率上修为 10.9%， 2021年 6月上旬又将增长率上修至 19.7%，市场规模达 5,272.2亿美元， 继续 看好 2021年世界半导体市场。 同时， WSTS预估 2022年世界半导体市场将达到 5,734亿美 元，同比增长 8.8%。 WSTS预估 2021年世界半导体分立器件（ D-O-S）产品市场 规模 为 908.51亿 美元 ，同比增长 14.8%，占到世界半导体产品市场总值的 17.20%； 2022年预计为 952.18亿美元， 同比增长 4.8%，占比为 16.6%。 国家对我国半导体行业的大力支持，促使在行业内形成良好的生态环境，促使我国形成较为 完善的半导体行业产业链，为公司的持续发展创造了有利的条件。另外，国家鼓励行业技术创新， 提供出口退税优惠等政策，也为推动公司转型升级和快速发展提供了强有力的支撑。 近年来，我国分立器件企业紧跟国际先进技术发展，通过持续的技术创新不断推动产品升级， 在技术研发和先进装备方面进行了大量的投资，并积极向 中高端市场渗透，与国际厂商展开竞争， 已经在消费电子等细分应用领域取得了一定的竞争优势。随着我国分立器件企业产品技术的不断 提升，国内的终端应用客户也更加趋向于实施国产化采购，给国内半导体分立器件企业带来更多 的发展机遇。 （ 3） 主要技术门槛 半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、机械工程、电子线路等诸多学 科和领域，需要综合掌握和运用不同学科、领域知识推动交叉边缘新技术的不断发展。随着终端 应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发 展，对半导体分立器件的性能 参数、可靠性、稳定性都有持续提升的要求，对供应商快速满足其 新需求的配套设计能力和技术服务支持能力的需求也越来越高。 近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品 技术含量及性能水平大幅提高。部分优质企业在细分产品领域的技术工艺水平已经达到国际先进 水平，并凭借其成本、技术优势逐步实现进口替代。但在诸如分立器件芯片等部分高端产品领域， 目前国内生产技术与国外先进水平尚存在一定的差距。因此，本行业对新进入者具有较高的技术 和壁垒。 2、 主要业务 情况说明 、主要产品或服务情况 （ 1）主要 业务 公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，致力于成为半导体分 立器件细分领域的专业供应商及电子器件封测行业的优质制造商。公司以客户应用需求为导向， 以封装测试专业技术为基础，积极拓展二极管芯片制造技术，初步具备 IDM模式下的一体化经营 能力，可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购的 需求。 （ 2） 主要产品或服务情况 公司主营各类小信号器件（小信号二极管、小信号三极管、小信号 MOSFET）、功率器件（功 率二极管、功率三极管、功率 MOSFET、桥式整流器），同时还生产车用 LED灯珠、光电耦合器 等光电器件和少量三端稳压电路、线性恒流 IC等其他电子器件。公司产品广泛应用于计算机及周 边设备、家用电器、适配器及电源 、网络通信、汽车电子、工业控制等领域。 并 可以为客户进行 晶圆再加工及封测定制加工。 3、主要经营模式 公司坚持以客户需求为导向，依托技术研发和品质管控能力，积极实施包括多门类系列化器 件设计、部分品种芯片制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合（ IDM），采用规模 生产与柔性定制相结合的生产组织方式，以自主品牌产品直销为主满足客户的需求，从 而实现盈 利。 （ 1） 采购模式 公司采用 “集中管理 、 分散采购 ”的模式 ， 将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快捷 灵活性有效地结合起来，并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式，达到兼顾快速交付 订单和有效管控存货风险的要求。 （ 2） 生产模式 公司采用 “以销定产 ， 柔性组织 ”的生产 模式 。 公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产 ， 以实现产能的规模效应和专业化管理。同时，公司以市场为导向，努力构造并不断优化适应客户 需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。 （ 3） 营销模式 公司依托自主品牌和长期积 累的客户资源 ， 采用 “直销为主 、 一站式配套 ”的营销模式 。 公司 建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务团 队，依托丰富的产品种类和专业化的技术支持，为客户提供一站式采购服务。 （ 4） 研发模式 公司采用 “自主研发 、 持续改善 ”的研发模式 。 公司技术研发中心统一组 织管理新产品研发以 及技术储备研发活动，涵盖需求识别、产品设计、新材料导入、芯片制造和封测、模拟试验和验 证、应用服务等各个技术环节，构建相互支撑、持续改善的系统性创新体系。公司的主要经营模 式在报告期内未发生重大变化，未来还 将继续保持。公司将以技术创新为基础，积极整合各类资 源，充分满足下游产业和客户对产品的需求，促进公司业务的持续健康发展 。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术 及其 先进性 以及报告期内 的变化情况 分立器件制造过程标准化程度高，技术一般与特定的工艺环节相结合，一旦解决某个工艺节 点的特定问题，则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多系列产品。公司掌握了行业主流的分 立器件封装测试通用技术，对涉及的组装、成型、测试过程进行工艺优化实现精确控制，并逐步 掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，具体如下： （1）分立器件封装测试技术 核心技术 技术描述及特点 使用该项核心技 术的主要产品 组 装 技 术 高密度阵列 式框架设计 技术 框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高单 位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消耗。 以SOT-23为例，使用该技术使每平方厘米产品数从 4.75颗提高至5.71颗，密度提高20%。 小信号二极管、 光电耦合器、功 率二极管、桥式 整流器 芯片预焊技 术 将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在提 升焊接工序效率，减少芯片沾污方面有明显效果，焊 接气孔由5%减少到3%以下。 桥式整流器 绝缘膜装片 技术 是多芯片堆叠封装的重要支撑技术，可以满足同种或 不同芯片堆叠的需求，使芯片底部与基岛连接处不会 有溢胶，并达到精准的装片效果。 小信号二极管 超低弧度焊 线技术 在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制及 焊线方法的改进，使小信号器件封装焊线线弧高度最 低可以控制至40μm以下，从而实现产品超薄型化， 如DFN0603厚度达到0.25mm以下。 小信号二极管、 小信号三极管 点胶量CPK 自动测量控 制技术 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控制， 提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都在受控 范围。 功率二极管、桥 式整流器 功率芯片画 锡焊接技术 是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达到 胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊接气 孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠性。 功率二极管 光耦CTR控 制技术 通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度和 控制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实现目 标CTR参数的调整，调整后的CTR一次对档率高。 光电耦合器 低应力焊接 封装技术 通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料及 后固化特殊处理工艺等措施及技术，降低封装应力， 提高产品的抗热应力能力和可靠性。 功率二极管 高温反向漏 电控制技术 通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶体 气泡，结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技术， 提高OJ芯片产品的高温性能，使产品在高温下反向漏 电更小。 功率二极管 跳线焊接技 术 在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极与 框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品潜在 失效风险。 功率二极管、桥 式整流器 成 型 技 术 MGP模封装 技术 采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形 式，优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂利 用率高，封装工艺稳定。 小信号二极管、 功率二极管 变速注塑技 术 使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效解 决塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。 小信号二极管、 小信号三极管、 功率二极管 DFN封装低 应力成型技 术 采用优化的塑封模具设计、优选的包封材料，自主开 发的包封、后固化及成型工艺技术，降低成型应力， 提高产品可靠性和安装性能。 二极管、三极 管、MOSFETS、 ESD保护二极 管、稳压电路 光电产品复 合封装技术 将发光芯片（IR）及接收芯片（PT）进行集成复合封 装时，通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度的控 制，实现光、电及光电传输参数的控制，并实现输入 与输出端绝缘隔离效果。 光电耦合器 测 试 技 术 基于产品特 性数据分析 的测试技术 针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定测 试方案，并用PAT方法筛选出产品性能离散及有潜在 失效模式的产品。 小信号二极管、 小信号三极管、 功率二极管、功 率三极管、桥式 整流器、光电耦 合器 基于FMEA 的测试技术 针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影响， 通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过程中的 潜在异常品及有潜在失效模式的产品。 全参数模拟 寿命试验验 证技术 通过器件电、热、环境、力全方位测试验证，器件芯 片设计仿真能力，基础数据的长期大量积累，为器件 研发设计的验证、生产制造质量保障、市场服务保 障。 广泛使用于公司 能生产的封装外 形及相应的产品 类别。 （2）功率二极管芯片制造技术 核心技术 技术描述及特点 使用该项核心技 术的主要产品 平面 芯片 制造 技术 平面结构芯片无 环高耐压终端技 术 特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统 台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题， 可以采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光 刻、注入、CVD等）制备技术，达到实现更大 晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性等目的。 功率二极管 平面结构芯片表 面多层钝化技术 采用多层（至少3层）CVD钝化膜技术，形成 芯片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采 用聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术， 可以使平面芯片具备5μm~20μm的钝化介质 层。多层CVD钝化膜起到固定可动电荷、稳定 耐压，隔离水汽渗透，绝缘电介质等功能，从 而形成芯片表面所需的综合钝化保护膜，相应 产品性能稳定性优异。聚酰亚胺钝化，平面玻 璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可靠 性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠 性。 功率二极管 平面结构功率稳 压二极管、TVS 芯片设计及制备 技术 特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避 免了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗 等问题，可以采用标准半导体工艺制备技术制 备，达到提升产品一致性、稳定性、可靠性的 目的。 功率二极管 平面结构高结温 芯片制造技术 通过芯片结构优化设计、主辅材料的优选，自 主开发的芯片制造工艺，实现高达175℃以上 的工作结温能力。达到提升产品性能和可靠性 的目的。 功率二极管 台面 芯片 制造 技术 台面结构特种工 艺功率FRD芯片 设计及制备技术 选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过采用标 准半导体工艺制备技术，达到设计的基区结构 参数，实现二极管的正反向动态性能。可以针 对不同应用要求提供针对性优化产品系列。 功率二极管 上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。 公司封测环节的工艺技术一般可用于多种封装，并最终应用于多种主营产品，功率二极管芯 片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片，最终应用于功率二极管产 品。此外，公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针 对性测试的技术，广泛应用于公司各类主营产品。 2. 报告期内获得的研发成 果 报告期内，公司加大技术研发的投入力度，通过配置先进设备、合理配置研发团队、加强对 外合作、充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和提升公司产品和 技术的领先地位，取得一定成效。报告期内，公司主要取得的研发成果及转化情况如下： （1）公司成功推出结温高达175℃的功率整流桥产品，达到工业级可靠性标准，性能对标业界 先进水准。 （2）三种高密度封装SOD-123、DIP-4L、TO-252等高密度封装产品实现稳定量产，提升了公司 相关产品的生产效率和产能。 （3）DFN1010-4L/DFN1610-2L/3810-9L/2020-8L 等DFN系列产品封测工艺平台顺利投产，除了 丰富自有产品系列外，更助力公司代工业务成长。 （4）公司推出一款可见光传感器产品，可广泛应用于扫地机器人、安防、智能家居等领域，拓 展了公司的产品门类。 （5）完成开发DO-218封装6600W车规级大功率TVS器件，主要性能达到国内先进水平。 报告期 内获得的知识产权列表 本期新增 累计数量 申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个） 发明专利 1 0 38 24 实用新型专利 3 12 237 174 外观设计专利 0 0 0 0 软件著作权 0 0 0 0 其他 0 0 0 0 合计 4 12 275 198 3. 研发投入情况表 单位：元 本期数 上期数 变化幅度 （%） 费用化研发投入 22,364,731.93 15,260,588.45 4 6.55 资本化研发投入 - - - 研发投入合计 22,364,731.93 15,260,588.45 46.55 研发投入总额占营业收入 比例（%） 5 .53 5 .79 - 0.2 6 研发投入资本化的比重（%） - - - 研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √ 适用 □ 不适用 研发费用较上年同期增加46.55%，主要系公司在研项目有序推进，研发费用随各项目合理 投入所致。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □ 适用 √ 不适用 4. 在研 项目情况 √ 适用 □ 不适用 单位：万元 序号 项目名称 预计总投 资规模 本期投入 金额 累计投入 金额 进展或阶段性成果 拟达到目标 技术 水平 具体应用前景 1 大电流功率器件 新结构封装技术 的研发项目 416.00 271.13 401.11 设备调试及样品制作 阶段，目前进展顺 利。 优化产品和工艺设计，增加产 品规格，提高大电流功率器件 产品系列。 国内 先进 应用于高功率充电器， 白色家电、电源等领域 2 高密度封装技术 的研发项目 845.00 349.03 825.65 SOD-123-12R、DIP- 4L-12R、TO-252-4R 三种高密度封装产品 均已实现稳定量产。 推进高密度封装技术的应用研 究，优化产品结构和工艺设 计，降低材料成本，提升作用 效率。 国内 先进 广泛应用家电、电源、 智能电表、照明、通信 等行业 3 CSP封装ESD保 护器件开发及先 进封装技术的研 究项目 180.00 36.15 65.55 针对0603封装尺寸的 5V、10pF产品，在试 验线上验证关键工艺 技术。 建立有特色CSP工艺平台，开 发0603和0402两种封装规格 的ESD保护器件，封装厚度小 于0.25mm和0.2mm。 国内 领先 主要应用于手机等通讯 设备、可穿戴设备、智 能化终端等高密度组装 场合 4 可见光传感器的 研发项目 65.00 33.76 55.78 中批量验证阶段 研发可见光传感器的设计、封 测技术及平台，形成系列化产 品。 国内 领先 产品主要用于安防、智 能穿戴、智能家居等领 域 5 第三代半导体功 率器件封装研究 1,100.00 264.78 264.78 关键工艺开发，产品 及工艺设计、小样试 制阶段 建立第三代半导体器件封装工 艺平台，根据市场需求产品逐 步系列化。 国内 先进 应用于电力及能源，车 载电源、白色家电、开 关电源等领域 6 MOS继电器光耦 封装开发 400.00 161.60 161.60 关键工艺开发，产品 及工艺设计、材料验 证及小样试制阶段 扩展光耦类产品品种，开发实 现MOS继电器光耦批量生产。 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 7 新型微型器件开 发 420.00 80.45 80.45 产品及工艺设计阶段 推进微型封装技术的应用研究 国内 先进 广泛应用家电、电源、 智能电表、照明、通信 等行业 8 功率器件产品质 量水平能力提升 研究 180.00 145.98 145.98 工艺及设备验证阶段 采用环保材料优化功率器件工 艺过程，提升产品性能及可靠 性能力 国内 先进 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 9 平面玻璃电泳工 艺研究及产品开 发 250.00 196.90 196.90 小批量试验阶段 提升平面芯片技术能力，提升 性能、降低成本，进一步增强 公司优势产品的竞争力 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 10 车用新型固态光 源分立器件开发 90.00 51.02 51.02 样品试制阶段 紧跟车灯市场发展方向，针对 新的产品需求开发车用LED光 源，实现产品的升级替代 国内 先进 汽车照明 11 薄膜光伏用旁路 二极管产品研发 100.00 36.57 36.57 设备调试及样品试制 阶段 针对不同于传统的薄膜光伏应 用场景，开发新型旁路二极管 产品，提升公司在光伏市场的 竞争力 国内 领先 光伏 12 高可靠性OJ产 品开发 416.00 282.87 282.87 小样试制阶段 在保持较低生产成本的前提 下，满足应用端对性能的要 求。满足汽车电子等高机械应 力应用环境的需求。 国内 领先 家电、电源、照明、工 业控制、汽车电子等行 业有广泛应用 13 软恢复特性高耐 久芯片工艺的开 发 100.00 73.07 73.07 关键工艺开发及小样 试制阶段 针对终端应用中满足更高的开 关频率，提高效率，降低电磁 干扰(EMI)和峰值反向电压应 力等更高需求，开发高性能开 关二极管，实现高端产品替 代。 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 14 高耐温变能力关 键工艺及产品研 发 420.00 253.17 253.17 关键工艺开发及小样 试制阶段 提升芯片高温可靠性，改善产 品结构，提升产品性能及可靠 性能力 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 合计 / 4,982.00 2,236.48 2,894.50 / / / / 5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币 基本情况 本期数 上期数 公司研发人员的数量（人） 1 64 1 50 研发人员数量占公司总人数的比例（%） 1 4.32 1 3. 9 4 研发人员薪酬合计 1,086.83 829.51 研发人员平均薪酬 6 .63 5.53 教育 程度 学历 构成 数量（人 ） 比例 ( %) 本科及以上学历 6 5 3 9.63 大专及以下学历 9 9 6 0.37 合计 1 64 1 00 年龄结构 年龄 区间 数量（人 ） 比例 ( %) 40 岁以上 39 2 3.78 30 - 40 岁 9 3 5 6.71 30 岁以下 3 2 1 9.51 合计 1 64 1 00 6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力 分析 √适用 □不适用 1、技术优势 公司及子公司银河电器均被认定为高新技术企业，公司技术研发中心是“江苏省认定企业 技术中心”，公司建有“江苏省半导体分立器件芯片与封装工程技术研究中心”和“江苏省片 式半导体分立器件工程技术研究中心”，多次承担省市级科研课题。公司成功加入国际汽车电 子协会，在半导体器件领域与英飞凌、安森美等公司同为该协会技术委员会（AEC Technical Committee）成员。 公司以封装测试专业技术为基础，并通过不断的研发投入拓展了芯片相关核心技术，已经 具备较强的器件一体化设计及生产整合能力，是细分行业内分立器件品种最为齐全的公司之 一，能够满足客户一站式采购需求。公司在多个专门领域拥有资深技术研发团队，建有规范运 作的研发中心，配有先进的研发设备，并建立了知识产权管理体系，通过与外部院校和专业供 应商开展深入的技术合作，能够满足产品的精细化设计和生产的要求。 通过多年的努力，公司逐步积累自身的核心技术，依据多工艺的产线验证和高精度的试验 分析手段，形成了众多专业工艺核心技术和授权保护的专利技术，并实现了多项技术的成果转 化。截至2021年6月30日，公司拥有有效专利198项，其中发明专利24项，多项产品被江 苏省科技厅评定为高新技术产品。 2、产品优势 公司目前产品涵盖小信号器件、功率器件、光电器件及其他电子器件，掌握了20多个门 类、近80种封装外形产品的设计技术和制造工艺，已量产8,000多个规格型号分立器件。无 论从产品功能和封装形式多样性，还是产品质量可靠性方面，均得到客户的广泛认可，建立了 良好的行业口碑和品牌形象。 随着公司在芯片设计制造能力的持续提升，不仅能够有效增强与客户进行产品同步开发的 能力和有效缩短产品开发周期，而且也可以依托芯片研发制造平台，为客户研发更具个性化的 定制产品，进一步增强为客户提供一揽子配套服务的能力。近年来公司产品研发不断向系列 化、前沿化发展，逐步开发了ESD、TVS系列产品、功率整流桥、功率MOSFET、光电耦合器等 市场空间广阔的器件类别，已经为诸多知名客户进行配套。 3、客户优势 优质客户在选择供应商时，通常对供应商资质有非常严格的审定程序，对供应商的设计研 发、生产组织、质量管控、服务弹性、个性化订单快速响应能力，甚至经营状况等多个方面提 出严格的要求。对供应商的资质审定周期往往需要1-2年左右，之后再通过一段时间的小批量 供货考核后才能正式成为其合格供应商，从而建立起长期、稳定的战略合作关系。 经过多年的努力，公司在计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车 电子、工业控制等领域拥有长期稳定的知名客户群体，此类优质客户市场竞争力强，产品需求 量稳定，对产品设计和质量等方面要求严格，产品附加值也比较高，这为公司业务的发展奠定 了基础。公司已与美的、TCL、创维、格力、赛尔康、航嘉、普联技术、吉祥腾达、比亚迪等 众多知名客户形成了长期稳定的合作关系。此外，公司还积极开发三星、戴尔、惠普、台达、 光宝、群光、中兴通讯、施耐德、西门子等中高端应用领域客户，部分客户已经实现批量配 套。 4、品牌优势 公司一向注重品牌建设，产品营销坚持以自主品牌为主。通过多年努力，公司在行业内树 立了良好的品牌形象。公司及其子公司在国内外拥有数十项注册商标，其中“BILIN”商标被 国家工商行政管理局商标局认定为中国驰名商标，“G牌硅塑封微贴片半导体分立器件”是江 苏省名牌产品。 公司凭借多年积累所形成的品牌知名度，大力拓展市场，不断提升公司的经营业绩，推动 公司长期良性发展。公司多次被中国半导体行业协会评为“功率器件十强企业”、“分立器件 封装产能十强企业”，在同行业中拥有较高的品牌影响力。凭借过硬的产品质量、齐全的产品 种类，快速交付的能力和全过程的技术保障服务，公司产品不仅实现国内销售，同时出口到台 湾、韩国、日本和欧美等地区，获得了国内外知名客户的认可。 5、管理和生产优势 公司拥有行业管理经验丰富、事业心强的管理团队；拥有掌握专业理论知识、实践经验丰 富的技术带头人，有涵盖半导体器件材料研究和制造技术、半导体器件结构设计技术、产品可 靠性分析和控制技术、以及相关配套设施技术等在内的专业技术团队；拥有一支工作踏实、动 手能力强的技术员工队伍。公司建有适合于规模化生产的高洁净、防静电专用厂房和完备的配 套设施，配备有行业先进的自动化专业生产设备和检测设备，具备规模化、系列化的产品生产 能力。 公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产，以实现产能的规模效应和专业化管理。同 时，公司以市场为导向，努力构造适应客户需求的多品种、多批次、定制、快捷的柔性化生产 组织模式。公司先后通过了ISO/IATF16949质量管理体系、ISO14001环境管理体系、 ISO45001职业健康安全和GB/T 29490知识产权管理体系的第三方认证，将各项管理体系真正 融入企业的经营管理活动，从而不断提升产品品质和工作质量。另外，公司还积极推进 QIT/QCC（质量改善小组）活动、内部管理体系运行情况评估、外部审核问题点的深入分析和 整改等活动来推动内部管理的持续改善，保证公司管理效率和管理效益的不断提升。 (二) 报告 期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响 的 事件 、 影响分析 及 应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 1、 经营指标情况 2021年上半年，公司以在科创板成功上市为动力，充分利用半导体行业景气周期带来的 市场机会，加大研发投入，实施扩产改造，拓展重点客户，强化基础管理，各项主要经营指标 均呈现较大幅度的增长。报告期内，实现营业收入4.05亿元，同比增长53.59%；归属于上市 公司股东的净利润为5,784.61万元，同比增长88.39%。 报告期内，公司财务状况良好，期末总资产12.63亿元，较报告期初增加56.13%；期末 归属于母公司的所有者权益9.88亿元，较报告期初增加71.54%。 2、 技术研发情况 2021年上半年，公司继续围绕提升研发综合实力的目标，通过购置先进设备、配置研发团 队、加强对外合作和优化架构体系，不断强化自制芯片研发制造能力，不断提升先进封装技术 水平，不断改善检测分析和应用技术支撑，并积极推进研发成果的转化，努力提升公司的综合 竞争实力。 报告期内， 公司研发投入 2,236.47万元，较上年同期增长 46.55%，在研项目 14项，主要 完成的研发成果 5项，包括高结温功率整流桥、高密度封装产品、 DNF系列封装产品、车规大 功率 TVS产品、可见光传感器产品等。报告 期内新增专利 12项，截至报告期末 ，公司拥有有效 专利 198项 ，其中发明专利 24项 。 3、 募投项目情况 2021年上半年，公司抓住市场需求旺盛和国产化替代的机遇，积极推进募投项目建设。公 司聚焦终端客户和应用市场，加快产品结构调整和新产品开发，充分利用现有生产场地资源， 引进先进的生产工艺设备，加快扩大小信号器件、功率器件、光电器件产品的品种和产能，不 断提高生产效率和产品良率。 报告期内 ， 公司严格按照 《 上海证券交易所科创板上市公司自律监管规则适用指引第 1号 ——规范运作 》 管理使用募集资金 。 截至报告期末 ， “半导体分立器件产 业提升项目 ”及 “研发中 心提升项目 ”共计已投入 6,654.54万元 。 其中 ， 利用公司现有土地建设 2.2万平方米洁净厂房已 于 6月底破土动工，相关配套动力和辅助设施也逐步按计划实施采购。 4、 规范管理情况 2021年上半年，公司围绕管理体系的持续改善工作，通过组织内部体系审核和管理评审活 动，梳理并完善管理架构和管理流程。同时，公司在不断优化 ERP、 PLM等系统的基础上，又导 入了 CRM、 HR、 SPC等信息化管理系统，进一步提升公司管理的规范性和有效性。 报告期内，公司在维护和持续改善原有质量、环境、知识产权等管理体系的基 础上，又通 过了 QC080000有害物质过程管理体系认证以及 ISO50001:2018、 RB/T101-2013能源体系认证， 通过了市级绿色工厂的认定。公司认真贯彻环保法，废水、废气、噪音均实现达标排放，危险 固废合规处置，报告期内未发生重大环保、安全事故。 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未 来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 五、 风险因素 √适用 □不适用 1、经营风险 （1）原材料价格波动风险 报告期内，公司材料成本占成本的比例约60%，对公司毛利率的影响较大。公司所需的主 要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家宏观调控、 国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直接导致公司产品成 本出现波动，进而影响公司的盈利能力。 （2）芯片外购比例较高风险 芯片属于分立器件的核心部件，虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原理，具备 对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力，但不具备制造生产经营所需全 部芯片的能力。公司生产经营模式以封测技术为基础，外购芯片占公司芯片需求的比例较高， 如果部分芯片由于各种外部原因无法采购，将对公司生产经营产生重大不利影响。 （3）寄存销售模式下的存货管理风险 报告期内，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，待客 户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核算。由于该 部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，但在极端情况下依 然存在存货毁损、灭失的风险。 （4）产品质量管理风险 报告期内，公司质量控制制度和措施实施情况良好，但随着公司经营规模的持续扩大，客 户对产品质量的要求提高，如果公司不能持续有效地完善相关质量控制制度和措施，公司产品 质量未达客户要求，将影响公司的市场地位和品牌声誉，进而对公司经营业绩产生不利影响。 （5）未来持续巨额资金投入风险 半导体行业具有技术强、投入高、风险大的特征。企业为保证竞争力，需要在研发、制造 等各环节持续不断进行资金投入。在研发环节，公司需要持续进行研发投入来跟随市场需求完 成产品的开发或者升级换代；在制造环节，产线的扩建或新建都需要巨额的资本开支及研发投 入。 2、行业风险 （1）与国际领先企业存在技术差距的风险 目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名度等各 方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。未来如果公司不能及时准 确地把握市场需求和技术趋势，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，无法持续研发出具有 商业价值、符合下游市场需求的新产品，则无法拓展高性能要求领域的收入规模，对公司未来 进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产 品存在被迭代的风险。 （2）市场竞争风险 经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球 半导体分立器件的主要市场份额，市场集中度较高。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端 芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业。我国目前已成为全球最大 的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导 致市场竞争加剧。如果公司研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份 额存在下降的风险。 （3）产业政策变化的风险 在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水平、生 产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。若国家降低对相关产业扶持力度， 将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖， 进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。 3、核心竞争力风险 （1）技术研发不及预期风险 公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术 复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等 特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在 着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未 取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转 化，影响公司经营业绩。 （2）核心技术人员流失及技术泄密风险 半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖 于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技术泄密的情 况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。 六、 报告期内主要经营情况 2021年上半年度公司实现营业收入404,504,217.96元，同比增加53.59%；实现归属于母 公司所有者的净利润57,846,081.97元，同比增加88.39%；实现归属于母公司所有者的扣除 非经常性损益的净利润55,421,210.59元，同比增加128.68%。 (一) 主营业务分析 1 财务报表相关科目变动分析表 单位 : 元 币种 : 人民币 科目 本期数 上年同期数 变动比例（ % ） 营业收入 404,504,217.96 263,363,639.11 5 3.59 营业成本 274,482,281.59 188,352,184.68 4 5. 73 销售费用 14,085,520.78 8,669,986.37 6 2.46 管理费用 18,353,749.24 13,145,317.27 3 9.62 财务费用 379,218.69 - 1,464,048.38 不适用 研发费用 22,364,731.93 15,260,588.45 4 6.55 其他收益 813,249.10 1,722,809.52 - 52.80 投资收益 2,940,836.59 1,642,379.69 7 9.06 信用减值损失 2,114,492.26 509,413.55 315.08 营业外收入 257,116.30 88,238.62 191.39 营业外支出 185,612.61 7,377.46 2,415.94 所得税费用 10,473,142.92 5,686,373.06 8 4.18 净利润 57,846,081.97 30,704,708.19 88.39 经营活动产生的现金流量净 额 45,177,883.93 31,797,291.16 4 2.08 投资活动产生的现金流量净 额 -431,780,089.21 - 42,722,490.82 不适用 筹资活动产生的现金流量净 额 360,139,475.60 - 1,603,773.58 不适用 营业收入变动原因说明 : 系 2021 年经济复苏，功率半导体 器件 国产替代加速，下游市场需求旺 盛，产品销售收入增加所致 。 营业成本变动原因说明 : 系报告期内销售收入增加，成本亦相应增加所致 。 销售费用变动原因说明 : 主要系销售 人员薪酬、差旅费、业务招待费增加，以及销售服务费增 加所致 。 管理费用变动原因说明 : 主要系管理人员薪酬、福利增加，以及 为公司上市支出的 管理咨询服 务费增加所致 。 财务费用变动原因说明 : 主要 系美元汇率变动，汇兑损失增加所致 。 研发费用变动原因说明 : 主要系研发人员薪酬、研发项目直接投入增加所致 。 经营活动产生的现金流量净额 变动原因说明 : 系本期销售收入增加，收到客户回款增加所致 。 投资活动产生的现金流量净额 变动原因说明 : 主要系本期购买理财产品及募投项目投资支付现 金增加所致 。 筹资活动产生的现金流量净额 变动原因说明 : 主要系首次公开发行股票，收到募集资金所致 。 其他收益 变动原因说明 : 主要系本期收到的与收益相关的政府补助减少所致 。 投资收益 变动原因说明 : 主要系报告期内使用暂时闲置自有资金及闲置募集资金购买理财产品 获得的收益增加所致 。 信用减值损失 变动原因说明 : 主要系应收账龄增加，计提的坏账损失增加所致 。 营业外收入变动原因说明 : 主要系政府补助增加所致。 营业外支出 变动原因说明 : 主要系处置报废固定资产所致 。 所得税费用 变动原因说明 : 主要系 报告期内利润总额比上年同期增加 所致。 净利润 变动原因说明 : 主要系毛利增加所致 。 2 本期 公司 业务类型、 利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用 (二) 非主营业务导致利润重大变化的说明 □适用 √不适用 (三) 资产、负债情况分析 √适用 □不适用 1. 资产 及 负债 状 况 单位：元 项目名称 本期期末数 本期期 末数占 总资产 的比例 （%） 上年期末数 上年期 末数占 总资产 的比例 （%） （未完）  |