[年报]银河微电:2021年年度报告
原标题:银河微电:2021年年度报告 公司代码：688689 公司简称：银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 2021年年度报告 文本 中度可信度描述已自动生成 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实 性 、准确 性 、 完整 性 ，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”相关内容。 四、 公司 全体董事出席 董事会会议。 五、 立信会计师事务所（特殊普通合伙） 为本公司出具了 标准无保留意见 的审计报告。 六、 公司负责人 杨森茂 、主管会计工作负责人 关旭峰 及会计机构负责人（会计主管人员） 李福承 声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会 决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，每10股派发现金红利3.50元（含税 ）。截至2021年12月31日，公司总股本为12,840万股，以此为基数计算，合计拟派发现金红利 4,494.00万元（含税），占2021年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的31.90%。2021年度 公司不送红股，不进行公积金转增股本。 如在实施权益分派股权登记日前，因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大 资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股 分配比例，并将另行公告具体调整情况。 上述利润分配预案已经公司第二届董事会第十六次会议及第二届监事会第十二次会议审议通 过，独立董事及监事会均发表明确同意意见，尚需提交股东大会审议。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告内容涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述因存在不确定性，不构成公司对投资者 的实质承诺，提请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 5 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ................................ ................................ . 7 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ................................ ................................ ........... 11 第四节 公司治理 ................................ ................................ ................................ ........................... 38 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................ ................................ ................... 56 第六节 重要事项 ................................ ................................ ................................ ........................... 65 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ................................ ................................ ....... 92 第八节 优先股相关情况 ................................ ................................ ................................ ............. 101 第九节 公司债券相关情况 ................................ ................................ ................................ ......... 102 第十节 财务报告 ................................ ................................ ................................ ......................... 102 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 公司、本公司、上 市公司、银河微电 指 常州银河世纪微电子股份有限公司 银河星源 指 常州银河星源投资有限公司，本公司控股股东 恒星国际 指 恒星国际有限公司（Action Star International Limited），本公 司股东 银江国际 指 常州银江投资管理中心（有限合伙），本公司股东 银冠投资 指 常州银冠投资管理中心（有限合伙），本公司股东 清源知本 指 常州清源知本创业投资合伙企业（有限合伙），本公司股东 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙），本公司 股东 银河电器 指 常州银河电器有限公司，本公司子公司 银河寰宇 指 泰州银河寰宇半导体有限公司，本公司孙公司 银微隆 指 常州银微隆电子有限公司，本公司子公司，2021年12月注销 恒星贰号 指 常州恒星贰号实业投资合伙企业（有限合伙） 银汐实业 指 常州银汐实业投资有限公司 优曜半导体 指 上海优曜半导体科技有限公司，本公司参股公司 数明半导体 指 上海数明半导体有限公司，本公司参股公司 华海诚科 指 江苏华海诚科新材料股份有限公司 IDM 指 Integrated Device Manufacture的缩写，又称纵向一体化经营，指 半导体行业集产品设计、芯片制造、封装测试、销售服务一体化整合 的经营模式，能够实现设计、制造环节的协同优化，充分挖掘技术潜 力，有条件率先试验并推行新的半导体技术，为诸多领先分立器件厂 商采用。 半导体分立器件、 分立器件 指 以半导体材料为基础的，具有固定单一特性和功能的电子器件。 集成电路 指 将一定数目的二极管、三极管、电阻、电容和电感等集成在一个芯片 里，从而实现电路或者系统功能的电子器件。 小信号器件 指 耗散功率小于1W（或者额定电流小于1A）的分立器件 功率器件 指 耗散功率不小于1W（或者额定电流不小于1A）的分立器件。 光电器件 指 利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。 二极管 指 是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件。 三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等。 MOSFET、 MOS管 指 是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效 应晶体管，属于电压控制型器件。 桥式整流器 指 用多只（四只、六只等）二极管芯片以桥式整流方式连接，并用绝缘 模塑料封装成整体，具有将单相（三相）交流电转换成直流电功能的 半导体分立器件。 光电耦合器 指 是由发光二极管和光敏三极管合并使用，以光作为媒介传递信号的 光电器件。 轴向二极管 指 在同一轴线上两端引出引线的半导体二极管。 芯片 指 如无特殊说明，本文所述芯片专指半导体分立器件芯片，系通过在硅 晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺加工后，在一 个硅晶圆片上同时制成许多构造相同、功能相同的单元，再经过划片 分离后便得到单独的晶粒，即为芯片。 GPP芯片 指 在晶圆片制作芯片流程阶段，进行腐蚀台面分隔PN结，涂覆玻璃进 行终端保护制作出的芯片称为GPP（玻璃钝化）芯片。 OJ芯片 指 将做过PN结的晶圆片直接分离开所形成的（开放结）芯片，需要进 行引线焊接、台面腐蚀，涂覆硅橡胶保护层等才能形成稳定的电性。 晶圆 指 是制造半导体芯片的硅单晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。 整流 指 用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程。 开关 指 利用半导体分立器件模拟机械开关，起导通和截止的作用。 稳压 指 利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程。 肖特基 /SBD 指 肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，和PN结具有 类似的整流特性。肖特基势垒相较于PN结最大的区别在于具有较低 的接面电压，以及在金属端具有相当薄的（几乎不存在）耗尽层宽 度。 封装测试、封测 指 封装是把芯片按一定工艺方式加工成具有一定外形和功能的器件的 过程。测试是把封装完的器件按一定的电性规格要求进行区分，把符 合规格与不符合规格的产品分开的过程。 塑封 指 用注塑、挤压等方法将热塑性或热固性树脂施加在制件上包覆成特 定外形而作为保护或绝缘层的一种作业。 固晶 指 固晶又称为Die Bond或装片。固晶即通过将芯片粘结在引线支架的 指定区域，形成良好的接触，从而形成热通路或电通路的过程。 共晶 指 在特定的温度下，两种或两种以上金属材料发生共晶物熔合形成良 好欧姆接触的现象。 氧化 指 在特定气体成分、压力、温度等条件下，（在高温氧化炉内）晶圆表 面生长一定厚度的致密SiO2薄膜的过程。 光刻 指 一种利用光照、感光剂（光刻胶）、掩膜版（其上有设计好的图形） 配合的复印技术，可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上。 离子注入 指 将高能杂质离子注入到晶圆的近表面区，以改变相关区域的杂质分 布的过程。离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和 面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可 实现自对准技术（以减小电容效应）。 钝化 指 在半导体器件PN结表面覆盖保护介质膜，防止表面污染的工艺过程。 LED 指 发光二极管 TVS 指 瞬态电压抑制二极管 FRD 指 快恢复二极管 HBM 指 人体放电模式，是一种静电放电的模式。 MM 指 机器放电模式，是一种静电放电的模式。 IPM 指 智能功率模块，Intelligent Power Module的缩写，是一种先进的 功率开关器件，内部集成了逻辑、控制、检测、保护电路、功率半导 体器件（MOSFET或者IGBT等），使用起来方便,不仅减小了系统的 体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性 ESD 指 静电释放，Electro-Static discharge的缩写，国际上习惯将用于 静电防护的器材也统称为ESD pF 指 电容的单位 第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 常州银河世纪微电子股份有限公司 公司的中文简称 银河微电 公司的外文名称 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 公司的外文名称缩写 GALAXY MICROELECTRONICS 公司的法定代表人 杨森茂 公司注册地址 常州市新北区长江北路19号 公司办公地址 常州市新北区长江北路19号 公司办公地址的邮政编码 213022 公司网址 www.gmesemi.com 电子信箱 [email protected] 二、联系人和联系方式 董事会秘书（ 信息 披露 境内代表 ） 证券事务代表 姓名 李福承 岳欣莹 联系地址 常州市新北区长江北路19号 常州市新北区长江北路19号 电话 0519-68859335 0519-68859335 传真 0519-85120202 0519-85120202 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、信息披露及备置地点 公司披露年度报告的媒体名称及网址 《上海证券报》（https://www.cnstock.com/）、 《中国证券报》（https://www.cs.com.cn/）、《 证券时报》（http://www.stcn.com/）、《证券日 报》（http://www.zqrb.cn/）、《中国日报网》 （https://cn.chinadaily.com.cn/） 公司披露年度报告的证券交易所网址 www.sse.com.cn 公司年度报告备置地点 公司证券事务部 四、公司股票 /存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 银河微电 688689 不适用 (二) 公司 存托凭证 简 况 □适用 √不适用 五、其他 相 关资料 公司聘请的会计师事务所（境 内） 名称 立信会计师事务所（特殊普通合伙） 办公地址 上海市黄浦区南京东路61号四楼 签字会计师姓名 沈立刚、顾肖达 报告期内履行持续督导职责 的保荐机构 名称 中信建投证券股份有限公司 办公地址 北京市朝阳区安立路66号4号楼 签字的保荐代表 人姓名 梁宝升、王家海 持续督导的期间 2021年1月27日至2024年12月31日 六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 2021年 2020年 本期比上 年同期增 减(%) 2019年 营业收入 832,354,020.45 610,235,005.07 36.40 527,893,779.40 归属于上市公司股东的 净利润 140,871,314.60 69,538,921.58 102.58 52,724,499.00 归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益的净 利润 129,346,071.87 57,125,303.17 126.43 49,611,410.82 经营活动产生的现金流 量净额 112,890,594.29 74,297,702.95 51.94 106,376,790.55 2021年末 2020年末 本期末比 上年同期 末增减（ %） 2019年末 归属于上市公司股东的 净资产 1,074,550,646.22 576,207,759.20 86.49 505,956,237.66 总资产 1,390,429,749.32 809,105,481.52 71.85 699,439,280.72 (二) 主要财务指标 主要财务指标 2021年 2020年 本期比上年同期增减(%) 2019年 基本每股收益（元／股） 1.12 0.72 55.56 0.56 稀释每股收益（元／股） 1.12 0.72 55.56 0.56 扣除非经常性损益后的基本每股 收益（元／股） 1.03 0.59 74.58 0.52 加权平均净资产收益率（%） 14.32 12.85 增加1.47个百分点 11.02 扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率（%） 13.17 10.56 增加2.61个百分点 10.37 研发投入占营业收入的比例（%） 5.71 5.79 减少0.08个百分点 6.10 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 报告期内，公司实现营业收入832,354,020.45元，同比增加36.40%；实现归属于母公司所 有者的净利润140,871,314.60元，同比增加102.58%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常 性损益的净利润129,346,071.87元，同比增加126.43%，主要得益于消费电子市场需求旺盛和 国产化替代持续加快。随着公司新增产能逐步释放，市场供应能力提升，营业收入增加较多。持 续不断的研发投入，产品结构调整及产品性能提升，产品毛利率提升，最终净利润增加所致。 报告期末，公司财务状况良好，总资产1,390,429,749.32元，较报告期初增加71.85%；归 属于母公司的所有者权益1,074,550,646.22元，较报告期初增加86.49%。主要系公司向社会公 开发行普通股，及公司归属于上市公司股东的净利润增加所致。 经营活动产生的现金流量净额11,289.06万元，同比增加51.94%，主要系报告期内公司营 业收入增长，回款较快，销售商品收到的现金增加所致。 基本每股收益、稀释每股收益同比增长55.56%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比 增长74.58%，主要归属于公司所有者的净利润增长。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东 的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和 归 属于上市公司股东的 净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2021年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币 第一季度 （1-3月份） 第二季度 （4-6月份） 第三季度 （7-9月份） 第四季度 （10-12月份） 营业收入 172,120,876.56 232,383,341.40 211,920,194.26 215,929,608.23 归属于上市公司股东 的净利润 17,622,038.00 40,224,043.97 47,447,284.74 35,577,947.89 归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 后的净利润 16,917,423.27 38,503,787.32 44,524,156.06 29,400,705.22 经营活动产生的现金 流量净额 15,904,050.11 29,273,833.82 26,550,611.38 41,162,098.98 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 √适用 □不适用 因财务人员失误，导致2021年前三季度合并现金流量表“投资支付的现金”多计 188,902.37元，“支付的各项税费”少计188,902.37元。年度报告中分季度的经营活动产生的 现金流量净额已更新。 为给投资者提供更完整、更充分的现金流量信息，公司从2021年开始，对理财产品的现金 流入及流出按总额法在现金流量表相关项目中列示及将购买、赎回理财产品产生的现金流入和现 金流出改按总额法统计列示。 详见公司同日在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《关于定期报告的更正公 告》（公告编号：2022-017）。 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2021 年金额 附注（如 适用） 2020 年金额 2019 年金额 非流动资产处置损益 -2,416,990.90 -112,400.83 -95,473.54 越权审批，或无正式批准文 件，或偶发性的税收返还、 减免 - 8,534,773.64 - 计入当期损益的政府补助， 但与公司正常经营业务密切 相关，符合国家政策规定、 按照一定标准定额或定量持 续享受的政府补助除外 5,018,149.62 2,879,541.40 1,445,247.90 计入当期损益的对非金融企 业收取的资金占用费 企业取得子公司、联营企业 及合营企业的投资成本小于 取得投资时应享有被投资单 位可辨认净资产公允价值产 生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的 损益 995,971.82 1,557,819.04 1,091,180.55 因不可抗力因素，如遭受自 然灾害而计提的各项资产减 值准备 债务重组损益 企业重组费用，如安置职工 的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产 生的超过公允价值部分的损 益 同一控制下企业合并产生的 子公司期初至合并日的当期 净损益 与公司正常经营业务无关的 或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关 的有效套期保值业务外，持 有交易性金融资产、衍生金 融资产、交易性金融负债、 衍生金融负债产生的公允价 值变动损益，以及处置交易 性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生 金融负债和其他债权投资取 得的投资收益 9,248,305.65 1,403,930.52 870,069.43 单独进行减值测试的应收款 项、合同资产减值准备转回 对外委托贷款取得的损益 采用公允价值模式进行后续 计量的投资性房地产公允价 值变动产生的损益 根据税收、会计等法律、法 规的要求对当期损益进行一 次性调整对当期损益的影响 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他营业 外收入和支出 708,149.83 387,499.57 368,813.19 其他符合非经常性损益定义 的损益项目 减： 所得税影响额 2,028,343.29 2,237,544.93 566,749.35 少数股东权益影响额 （税后） 合计 11,525,242.73 12,413,618.41 3,113,088.18 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益 项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币 项目名称 期初余额 期末余额 当期变动 对当期利润的影响 金额 交易性金融资产 - 361,359,138.36 361,359,138.36 8,669,550.08 应收款项融资 8,592,245.39 5,856,872.30 -2,735,373.09 - 其他权益工具投资 - 10,000,000.00 10,000,000.00 - 合计 8,592,245.39 377,216,010.66 368,623,765.27 - 十一、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况 讨论与分析 2021年是国家“十四五”规划的开局之年，也是公司成功上市的第一年。在全球经济步入 后疫情时代，上游原材料不断涨价的宏观背景下，公司充分利用半导体市场快速增长的态势，坚 持以市场和客户需求为导向，聚焦终端客户及应用，深耕核心战略客户潜能，持续开拓新客户、 新市场，确保了公司经营业绩的稳健增长；同时建立长效激励机制，吸引和留住优秀人才，积极 推进募投项目建设，加快车规级分立器件的布局，推动IDM发展战略，加强公司纵向一体化经营 能力，为公司长期发展奠定良好基础。 （一）经营情况 在部分原材料供应紧张、价格上涨的情况下，公司通过技术创新、工艺改进和精细化管理， 提高了生产效率和产品的良品率。通过加强上下游协同，深化产业链战略合作，核心竞争力持续 提升。报告期内，公司实现营业收入83,235.40万元，归属于上市公司股东净利润14,087.13万 元，同比分别增长36.40%和102.58%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 12,934.61万元，同比增长126.43%。 （二）募投项目情况 2021年，公司抓住市场需求旺盛和国产化替代的机遇，积极推进募投项目建设。一方面， 加快引进先进的生产工艺设备，扩大产能，另一方面，优化建设布局，加快筹备厂房建设，同 时，为缩减项目实施周期，加速达产增益，新增实施地点，缓解了产能缺口。截至报告期末， “半导体分立器件产业提升项目”及“研发中心提升项目”共计已投入17,857.68万元。 其 中， 利用公司现有土地建设 2.4万平方米洁净厂房已完成封顶，目前处于水电安装及装饰工程 阶段，相关配套动力和辅助设施按计划实施。 （三）车规级半导体器件产业化项目推进情况 根据公司发展战略规划，加快车规级半导体器件产能布局。为进一步推动IDM发展战略，加 强公司纵向一体化经营能力，增强产品高可靠性和一致性，扩大产品向高端领域的应用，增强公 司面向中高端市场的产品规模，推动公司产品结构体系优化，进而提升公司盈利能力，增强公司 整体竞争力。公司于下半年正式实施车规级半导体器件产业化项目，申请向不特定对象发行可转 换公司债券，并于2021年12月31日收到上海证券交易所受理通知书。相关工作有序开展。 （四）研发工作情况 2021年公司围绕提升研发综合实力的目标，通过上游产业链延伸，校企合作开发，优化研 发团队配置，增强芯片设计能力，提高自配芯片水平；依托“研发中心提升项目”推进，通过购 置先进设备、不断改善检测分析和应用技术支撑，积极识别把握新产品开发机会，研发优势产 品，积极推进研发成果的转化，努力提升公司的综合竞争实力。报告期内，公司研发投入 4,751.52万元，较上年同期增长34.39%，在研项目16项，新增4项核心技术，包括在线式真空 烧结技术、DFN封装低应力成型技术、基于潜在失效风险的过程管控技术、平面结构高结温芯片 制造技术；完成多项研发项目，包括第三代半导体功率器件封装研究等。报告期内新增专利16 项，截至报告期末，公司拥有有效专利202项，其中发明专利24项。 （五）基础管理建设情况 2021年，公司全面贯彻QC08000标准，组织卓越绩效管理标准学习，推进江苏省绿色工厂 创建项目，全面提升公司的基础管理。围绕管理体系的持续改进，认真组织内部体系和管理评审 活动，导入SPC过程管理系统工具，持续推进QCC/QIT活动。 严格按照上市公司规范，强化募集资金使用、研发项目预算和节点稽查、固定资产采购合同 执行跟踪、对外投资尽调和可行性分析、零星工程分类和决算等管理，完善动态的产品成本和价 格管理系统，严格控制各类存货和应收款的滞留，加快资金流转，有效防范经营风险，提升管理 效益。 将疫情应急预案管理和防控常态化管理相结合，加强员工的日常体温检测和流动信息管理， 组织定期消毒，管控用餐卫生，尽力防范经营风险。积极推进HR信息化系统上线，梳理公司组 织架构、岗位职责和审批流程，规范员工档案、考勤和薪资的信息化管理，全员劳动生产率和员 工薪酬同步提升。 学习贯彻 “新安全法”，做好安全责任的落实，完善易制毒危险化学品安全评价报告制 度，组织对安全隐患排查和整治，开展消防逃生演练等活动，强化外来施工管理。组织编制车规 级产品项目环评报告，落实排放污染因子在线监控，扩展危化仓库，全年公司未发生重大环保、 安全事故。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或 服务 情况 1、主要业务 公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，致力于成为半导体分 立器件细分领域的专业供应商及电子器件封测行业的优质制造商。公司以客户应用需求为导向， 以封装测试专业技术为基础，积极拓展二极管芯片制造技术，初步具备IDM模式下的一体化经营 能力，可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购的 需求。 2、主要产品或服务情况 公司主营各类小信号器件（小信号二极管、小信号三极管、小信号MOSFET）、功率器件（功 率二极管、功率三极管、功率MOSFET、桥式整流器），同时还生产车用LED灯珠、光电耦合器等 光电器件和少量三端稳压电路、线性恒流IC等其他电子器件。公司产品广泛应用于计算机及周边 设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域，并可以为客户进行封 测定制加工。 (二) 主 要经营模式 公司坚持以客户需求为导向，依托技术研发和品质管控能力，积极实施包括多门类系列化器 件设计、部分品种芯片制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合（IDM），采用规模 生产与柔性定制相结合的生产组织方式，以自主品牌产品直销为主满足客户的需求，从而实现盈 利。 1、采购模式 公司采用“集中管理、分散采购”的模式，将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快 捷灵活性有效地结合起来，并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式，达到兼顾快速交 付订单和有效管控存货风险的要求。 2、生产模式 公司采用“以销定产，柔性组织”的生产模式。公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产， 以实现产能的规模效应和专业化管理。同时，公司以市场为导向，努力构造并不断优化适应客户 需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。 3、营销模式 公司依托自主品牌和长期积累的客户资源，采用“直销为主、一站式配套”的营销模式。公 司建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务 团队，依托丰富的产品种类和专业化的技术支持，为客户提供一站式采购服务。 4、研发模式 公司采用“自主研发、持续改善”的研发模式，并在产学研合作方面展开探索和尝试。公司 技术研发中心统一组织管理新产品研发以及技术储备研发活动，涵盖需求识别、产品设计、新材 料导入、芯片制造和封测、模拟试验和验证、应用服务等各个技术环节，构建相互支撑、持续改 善的系统性创新体系。 公司的主要经营模式在报告期内未发生重大变化，未来还将继续保持。公司将以技术创新为 基础，积极整合各类资源，充分满足下游产业和客户对产品的需求，促进公司业务的持续健康发 展。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）行业的发展阶段 公司主要从事半导体分立器件的研发、生产和销售，属于新一代信息技术领域的半导体行业。 半导体行业位于电子行业的中游，是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础 性和先导性产业。半导体产品按结构和功能可进一步细分为分立器件和集成电路，分立器件与集 成电路共同构成半导体产业两大分支。近年来，分立器件占全球半导体市场规模的比例基本稳定 维持在18%-20%之间。 与海外半导体产业进入成熟阶段不同，我国半导体处在奋起追赶的发展黄金窗口期，产业发 展任重道远。近年来，我国分立器件企业紧跟国际先进技术发展，通过持续的技术创新不断推动 产品升级，在技术研发和先进装备方面进行了大量的投资，并积极向中高端市场渗透，与国际厂 商展开竞争，已经在消费电子等细分应用领域取得了一定的竞争优势。 （2）行业的基本特点 半导体行业需要持续的高投入，具有资金密集、技术密集的特点，导致明显的头部集中格局。 以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份 额，2018年度前十大分立器件公司均为国外企业，前十大半导体分立器件企业市场占有率合计达 到63.50%，市场集中度较高。 半导体行业是研发最密集的行业，国际领先企业掌握着中高端芯片制造技术和先进的封装技 术，其研发投入强度高于国内企业，全球排名前三的半导体分立器件企业英飞凌、安森美及意法 半导体在2019年度的研发费用分别占到营业收入的11.77%、11.61%及15.72%，高于国内同行业 可比公司，在全球竞争中保持优势地位。 半导体行业下游需求领域广泛，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因 素密切相关。我国已经成为全球制造业第一大国和全球最大电子产品消费市场，根据WSTS的数据 显示，2019年度我国半导体市场销售额占到全球的35%，而且仍在不断上升。根据中国半导体行 业协会的数据显示，2013年-2019年我国半导体分立器件产业销售收入由1,536亿元增长至2,772 亿元，年复合增长率为10.34%，保持较高的增长速度。 半导体分立器件技术研发的重点是提高效率、增加性能和减少体积，不断发展新的器件理论 和结构，促进各种新型分立器件的发明和应用。未来技术发展将会呈现以下几个特点： ①新型功率半导体分立器件将不断出现，替代原有市场应用的同时，还将开拓出新的应用领 域。如美国Gree公司研发出用于移动WiMAX用途的新的高功率GaN RF功率晶体管，在40v、 3.3GHz下峰值脉冲输出功率达到创记录的400W。 ②新材料、新技术不断得到发展和应用。为了使现有功率半导体分立器件能适应市场需求的 快速变化，需要启用新技术，不断改进材料性能或研发新的应用材料，继续优化完善结构设计、 制造工艺和封装技术等，提高器件的性能，如第三代半导体材料SiC、GaN等的应用。 ③体积小型化、组装模块化、功能系统化趋势明显。电子信息产品的小型化、甚至微型化， 必然要求其各部分零部件尽可能小型化、微型化、多功能。为适应整机装备效率和提高整机性能 的可靠性、稳定性的需求，半导体分立器件将会趋向模块化、集成化。 （3）行业的主要技术门槛 半导体分立器件的研发及生产过程涉及半导体物理、微电子、材料学、机械工程、电子信息 等众多学科，需要综合掌握和应用器件设计、芯片制造、封装测试、应用试验等专业技术，属于 技术密集型行业。随着下游应用场景不断更新和拓展，电子产品的升级频率更加快速，对半导体 分立器件产品的性能参数、可靠性、稳定性等都有持续提升的要求，下游应用对供应商快速满足 其新需求的配套设计能力和技术服务支持能力的需求也越来越高。因此，本行业对新进入者具有 较高的技术壁垒。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化 情况 从全球市场来看，半导体分立器件市场集中度较高，且由于国外企业的技术领先优势，几乎 垄断了汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。因此，总体而言，国内半导体 分立器件企业与国际领先企业在规模及技术上都存在一定差距。 我国半导体分立器件市场呈现金字塔格局，第一梯队为国际大型半导体公司，凭借先进技术 占据优势地位；第二梯队为国内少数具备IDM经营能力的领先企业，通过长期技术积累形成了一 定的自主创新能力，在部分优势领域逐步实现进口替代；第三梯队是从事特定环节生产制造的企 业，如某种芯片设计制造、或几种规格封装测试。 公司通过长期的行业深耕，在多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺封装测试 等环节均掌握了一系列核心技术，具备较强的根据客户需求进行产品定制，并以多工艺制造平台 制造生产来满足客户需求的能力，在国内属于具备一定技术优势的半导体分立器件厂商。 小信号器件是公司的核心优势产品，布局较早、具备先发优势，在国内市场的占有率超过5%。 是该领域的知名自主品牌。公司在功率器件领域具有一定的市场影响力，属于国内半导体分立器 件行业中规模较大的领先企业。 客户认证是半导体分立器件行业的核心门槛之一，公司在计算机及周边设备、家用电器、适 配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域得到了诸多知名龙头客户的长期认可，并随 着公司技术水平的不断提升，产品逐步进入工业控制、安防设备、汽车电子、医疗器械等应用领 域，具备较强的客户认证优势。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 公司所处细分行业为半导体分立器件行业，硅材料平台目前仍然是主流的半导体分立器件工 艺平台，并将在未来相当一段时间内占据主要市场，但新的半导体材料，如SiC、GaN工艺平台正 在逐步走向成熟。半导体分立器件的封测沿着尺寸更小、功率密度更高的方向发展，芯片逐步向 高性能、高可靠性方向发展。 在封测方面，目前业内从第一代产品到第五代产品均在量产过程中，即使是第一代产品，如 能跟上需求端的变化，仍具有顽强的生命力，如TO-247封装属于第一代产品，但新的TO-247在 原来有3个引脚的基础上增加一个引脚，使其可以采用Kelvin连接的信号源端子进行栅极驱动， 降低封装内电源线电感的影响，从而进一步提高MOSFET芯片的高速开关性能。其在超结MOSFET 产品上获得了广泛应用。由于各代封装固有的特性优势，预计在众多领域的需求还会持续共存。 第三、四代产品不断有新的封装出现，在多颗产品集成、功率增强等方面持续前进。目前在公司 自主生产的产品中，封装形式主要集中在前三代，第四代封装已经实现量产，第五代封装尚处于 试样阶段，还未形成收入。 在芯片方面，公司从功率二极管芯片的工艺和结构两个方面着手，积极推进技术研发活动， 以满足持续提升产品性能和可靠性的需求。对二极管芯片钝化结构和工艺的提升，进一步改善反 向特性和温度特性。在MOSFET芯片制程中，进一步发展SGT、Trench、深沟槽、多层外延、复合 结构等技术，优化电荷平衡、优化栅极结构，进一步提升导通电阻、栅极电荷、低静态与动态损 耗等性能。 半导体分立器件产业链主要包含器件及芯片设计、芯片制造、封装测试三大工艺环节，根据 所涉及经营环节的不同，经营模式分为纵向一体化（IDM）以及垂直分工两种。由于分立器件在投 资规模方面采用IDM模式具备经济效益上的可行性，同时分立器件的产品设计和生产工艺都会对 产品性能产生较大的影响，对器件设计与制造工艺的整合能力要求较高，因此业内领先企业一般 都沿着逐步完善IDM环节的模式发展。公司以封装测试专业技术为基础，逐步拓展部分功率二极 管芯片的设计和制造能力，已经初步具备了IDM模式下的一体化经营能力。 近年来，分立器件产品的国产化趋势日益明显，半导体的进口替代被提升到国家战略层面。 一方面国内厂商具备一定的效率和成本优势，并随着近年来国内半导体产业的发展，领先企业的 产品结构不断升级，已经逐步具备了参与到中、高端市场竞争的能力。另一方面，为保证供应链 的稳定性，之前主要依赖进口分立器件的诸多国内知名客户也纷纷转向寻找国内供应商。全球数 字化转型，云服务、服务器、笔记本电脑、游戏和健康医疗的需求不断上升，5G、物联网、汽车、 人工智能和机器学习等技术的快速发展，也一起推动了市场对半导体产品的需求。因此，借助于 国家产业基金、金融和税收政策的支持，国内领先企业将成为进口替代和参与国际市场竞争的主 力军，面向新兴电子产品的分立器件产品和工业级、车规级产品是重要发展方向。 (四) 核心 技术与研发 进展 1. 核心技术 及其 先进性 以及报告期内 的变化情况 分立器件制造过程标准化程度高，技术一般与特定的工艺环节相结合，一旦解决某个工艺节 点的特定问题，则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多系列产品。公司掌握了行业主流的分 立器件封装测试通用技术，对涉及的组装、成型、测试过程进行工艺优化实现精确控制，并逐步 掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，具体如下： （1）分立器件封装测试技术 核心技术 技术描述及特点 使用该项核心技术的 主要产品 组 装 技 术 高密度阵列 式框架设计 技术 框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高 单位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消 耗。以SOT-23为例，使用该技术使每平方厘米产 品数从4.75颗提高至5.71颗，密度提高20%。 小信号二极管、光电 耦合器、功率二极 管、桥式整流器 芯片预焊技 术 将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在 提升焊接工序效率，减少芯片沾污方面有明显效 果，焊接气孔由5%减少到3%以下。 桥式整流器 在线式真空 烧结技术 以自动化流水线方式运行，预热及降温在移动过程 中完成，真空烧结在固定工位进行，出入口采用自 动搬运结构。焊点机械强度大幅提高，焊点空洞率 低至1%以下。 功率二极管、TVS、 功率MOSFET等 绝缘膜装片 技术 是多芯片堆叠封装的重要支撑技术，可以满足同种 或不同芯片堆叠的需求，使芯片底部与基岛连接处 不会有溢胶，并达到精准的装片效果。 小信号二极管 超低弧度焊 线技术 在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制 及焊线方法的改进，使小信号器件封装焊线线弧高 度最低可以控制至40um以下，从而实现产品超薄 型化，如DFN0603厚度达到0.25mm以下。 小信号二极管、小信 号三极管 点胶量CPK 自动测量控 制技术 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控 制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都 在受控范围。 功率二极管、桥式整 流器 功率芯片画 锡焊接技术 是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达 到胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊 接气孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠 性。 功率二极管 光耦CTR控 制技术 通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度 和控制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实 现目标CTR参数的调整，调整后的CTR一次对档率 高。 光电耦合器 低应力焊接 封装技术 通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料 及后固化特殊处理工艺等措施及技术，降低封装应 力，提高产品的抗热应力能力和可靠性。 功率二极管 高温反向漏 电控制技术 通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶 体气泡，结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技 术，提高OJ芯片产品的高温性能，使产品在高温 下反向漏电更小。。 功率二极管 跳线焊接技 术 在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极 与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品 潜在失效风险。 功率二极管、桥式整 流器 成 型 技 术 MGP模封装 技术 采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形 式，优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂 利用率高，封装工艺稳定。 小信号二极管、功率 二极管 变速注塑技 术 使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效 解决塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。 小信号二极管、小信 号三极管、功率二极 管 DFN封装低 应力成型技 术 采用优化的塑封模具设计、优选的包封材料，自主 开发的包封、后固化及成型工艺技术，降低成型应 力，提高产品可靠性和安装性能。 二极管、三极管、 MOSFETS、ESD保护 二极管、稳压电路 光电产品复 合封装技术 将发光芯片（IR）及接收芯片（PT）进行集成复合 封装时，通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度 的控制，实现光、电及光电传输参数的控制，并实 现输入与输出端绝缘隔离效果。 光电耦合器 测 试 技 术 基于产品特 性数据分析 的测试技术 针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定 测试方案，并用PAT方法筛选出产品性能离散及有 潜在失效模式的产品。 小信号二极管、小信 号三极管、功率二极 管、功率三极管、桥 式整流器、光电耦合 器 基于FMEA 的测试技术 针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影 响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过 程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。 基于潜在失 效风险的过 程管控技术 通过对产品制造过程中实时在线数据的收集，包括 环境、工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除 品的类型分布、解剖分析等，对该生产批次产品及 前后批次产品进行失效风险评估，并按风险等级采 取相应的措施，以实现汽车应用市场失效率低于 500PPB（千万分之五）的目标。 主要应用于以汽车行 业为代表的对市场失 效率要求极高的行业 的产品 全参数模拟 寿命试验验 证技术 通过器件电、热、环境、力全方位测试验证，器件 芯片设计仿真能力，基础数据的长期大量积累，为 器件研发设计的验证、生产制造质量保障、市场服 务保障。 广泛使用于公司能生 产的封装外形及相应 的产品类别。 （2）功率二极管芯片制造技术 核心技术 技术描述及特点 使用该项核心技术的 主要产品 平面 芯片 制造 技术 平面结构芯片 无环高耐压终 端技术 特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台 面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以 采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注 入、CVD等）制备技术，达到实现更大晶圆生 产、提升产品稳定性、可靠性等目的。 功率二极管 平面结构芯片 表面多层钝化 技术 采用多层（至少3层）CVD钝化膜技术，形成芯 片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚 酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使 平面芯片具备5um~20um的钝化介质层。多层 CVD钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐压，隔离 水汽渗透，绝缘电介质等功能，从而形成芯片表 面所需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳定性 优异。聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有效解 决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器件极 限条件下的稳定性、可靠性。 功率二极管 平面结构功率 稳压二极管、 TVS芯片设计 及制备技术 特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免 了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问 题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达 到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。 功率二极管 平面结构高结 温芯片制造技 术 通过芯片结构优化设计、主辅材料的优选，自主 开发的芯片制造工艺，实现高达175℃以上的工 作结温能力。达到提升产品性能和可靠性的目 的。 功率二极管 台面 芯片 制造 技术 台面结构特种 工艺功率FRD 芯片设计及制 备技术 选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过采用标准 半导体工艺制备技术，达到设计的基区结构参 数，实现二极管的正反向动态性能。可以针对不 同应用要求提供针对性优化产品系列。 功率二极管 上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。 公司封测环节的工艺技术一般可用于多种封装，并最终应用于多种主营产品，功率二极管芯 片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片，最终应用于功率二极管产品。 此外，公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针对性 测试的技术，广泛应用于公司各类主营产品。 国家科学技术奖项获奖情况 □ 适用 √ 不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □ 适用 √ 不适用 2. 报告期内获得的研发成 果 报告期内，公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项目要 求配置先进设备，按项目特点和需求合理配置研发团队，加强对外合作，充分利用公司研发资源， 提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，取得了一定成效。 报告期内，公司主要取得的研发成果如下： （1）公司成功推出结温高达175℃的功率整流桥产品，达到工业级可靠性标准，性能对标业 界先进水准。 （2）三种高密度封装SOD-123、DIP-4L、TO-252等高密度封装产品实现稳定量产，提升了公 司相关产品的生产效率和产能。 （3）DFN1010-4L/DFN1610-2L/3810-9L/2020-8L等DFN系列产品封测工艺平台顺利投产，除 了丰富自有产品系列外，更助力公司代工业务成长。 （4）公司推出一款可见光传感器产品，可广泛应用于扫地机器人、安防、智能家居等领域， 拓展了公司的产品门类。 （5）完成开发 DO-218 封装 6600W 车规级大功率 TVS 器件，主要性能达到国内先进水平。 （6）将玻璃电泳技术用于平面TVS芯片，提升产品反向特性，降低了对封装工艺的技术要求， 提升了TVS产品可靠性。 （7）优化了平面工艺双向结构，开发出100mil以上尺寸的双向TVS产品。 （8）针对快恢复二极管芯片，研究开发了软恢复特性优化工艺，开发出了200V/400V/600V 软恢复特性超快恢复二极管芯片。 （9）针对芯片制程的清洗工序进行了专项技术优化，改进了控制系统，提升了清洗效果。 针对半导体分立器件的汽车等高端应用需求，对封装密封性包括分层问题、冷热冲击、高温稳定 性等项目展开专项研究，增加了公司在车规级产品上的规格系列。 （10）小信号器件方面，完成了SOD-323T、高密度SOD-123、封装开发,SOD-723、SOT-523封 装已进入小批量试生产阶段；完成了DFN1610-2L/3810-9L/2020-8L等第四代封装产品开发。超薄 WLCSP工艺DFN0603-2L完成技术预研。CSP封装ESD保护器件进度处于工艺验证阶段；完成了 RFID集成电路各功能模块设计进入流片及验证阶段。 （11）功率器件方面，完成了高密度SMC封装功率二极管、KBP封装功率整流桥、薄型SMBF 封装二极管、薄膜光伏专用器件开发，完成了第三代半导体功率器件封装研究项目中的切割工艺 研究、无铅高温焊料焊接工艺研究、在线式真空烧结技术研究、GaN和SiC测试技术研究等专项 研究，TO-247封装已进入样品试制验证阶段。IPM功率模块产品已完成了样品试制前的准备工作。 （12）光电器件方面，高密度光耦封装产品和MOS继电器光耦产品开发成功，进入量产阶段； 可见光传感器完成了工业级产品开发，民用级产品处于调整芯片设计阶段；完成车用新型固态光 源分立器件开发。 报告期内，公司投入研发费用4,751.52万元，研发投入总额占营业收入的比例为5.71%；公 司申报国家专利19项，获得专利授权16项。截止报告期末，公司累计拥有有效专利202项，其 中发明专利24项。 报告期 内获得的知识产权列表 本年新增 累计数量 申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个） 发明专利 1 0 38 24 实用新型专利 18 16 252 178 外观设计专利 0 0 0 0 软件著作权 0 0 0 0 其他 0 0 0 0 合计 19 16 290 202 3. 研发 投入 情况表 单位：元 本年度 上年度 变化幅度 （%） 费用化研发投入 47,515,201.84 35,356,638.08 34.39 资本化研发投入 - - - 研发投入合计 47,515,201.84 35,356,638.08 34.39 研发投入总额占营业收入比例（%） 5.7 1 5.79 减少 0.08 个百分点 研发投入资本化的比重（%） 0.00 0.00 研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √ 适用 □ 不适用 研发费用较上年同期增加34.39%，主要系公司在研项目有序推进，研发费用随各项目合理投 入所致。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □ 适用 √ 不适用 4. 在研 项目情况 √ 适用 □ 不适用 单位：万元 序 号 项目名称 预计总投 资规模 本期投入 金额 累计投入 金额 进展或阶段性成果 拟达到目标 技术 水平 具体应用前景 1 CSP封装ESD 保护器件开发 220.00 115.91 145.31 已完成试验线的安 装调试及0603封装 尺寸5V/10pF产品 的设计，正在推进 关键技术的开发验 证 建立有特色的CSP工艺平台，开 发0603和0402两种封装规格的 ESD保护器件，封装厚度小于 0.25mm和0.2mm 国内 领先 主要应用于手机等通讯 设备、可穿戴设备、智 能化终端等高密度组装 场合 2 MOS继电器光 耦封装开发 400.00 458.37 458.37 关键工艺开发，产 品及工艺设计、材 料验证及小样试制 阶段 扩展光耦类产品品种，开发实现 MOS继电器光耦批量生产 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 3 薄膜光伏用旁 路二极管产品 研发 162.00 200.73 200.73 设备调试及样品试 制阶段 针对不同于传统的薄膜光伏应用 场景，开发新型旁路二极管产 品，提升公司在光伏市场的竞争 力 国内 领先 光伏 4 车用新型固态 光源分立器件 开发 90.00 117.80 117.80 样品试制阶段 紧跟车灯市场发展方向，针对新 的产品需求开发车用LED光源， 实现产品的升级替代 国内 先进 汽车照明 5 大电流功率器 件新结构封装 技术的研发项 目 446.00 351.52 481.50 采用Clip工艺技术 的PDFN3*3/5*6产 品研发进入工程试 验阶段 优化产品和工艺设计，增加产品 规格，拓展大电流功率器件产品 系列 国内 先进 应用于高功率充电器， 白色家电、电源等领域 6 第三代半导体 功率器件封装 研究 970.00 642.07 642.07 关键工艺开发，产 品及工艺设计、小 样试制阶段 建立第三代半导体器件封装工艺 平台，根据市场需求产品逐步系 列化 国内 先进 应用于电力及能源，车 载电源、白色家电、开 关电源等领域 7 高可靠性OJ 产品开发 424.00 429.15 429.15 小样试制阶段 在保持较低生产成本的前提下， 满足应用端对性能的要求。满足 汽车电子等高机械应力应用环境 的需求。 国内 领先 家电、电源、照明、工 业控制、汽车电子等行 业有广泛应用 8 高密度功率二 极管封装开发 450.00 171.89 171.89 目前项目处于产品 设计阶段 在达到同类封装产品性能的前提 下凸显成本优势 目前 处行 业内 较高 的水 平 应用于各类小型电器充 电器、通讯产品、家用 电器等多种行业 9 高耐温变能力 关键工艺及产 品研发 420.00 492.43 492.43 关键工艺开发及小 样试制阶段 通过材料、结构、工艺各方面改 进优化，提高轴向塑封产品的抗 冷热温循冷热温循冲击能力。目 标指标，按公司加速试验标准：A 温循试验500周期合格率100%， B 耐焊接热试验合格率100% 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 10 功率器件产品 质量水平能力 提升研究 180.00 215.49 215.49 工艺及设备验证阶 段 采用环保材料优化功率器件工艺 过程，提升产品性能及可靠性能 力 国内 先进 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 11 可见光传感器 的开发 90.00 82.57 104.59 工业级可见光传感 器已转入小批试生 产准备阶段，民用 级可见光传感器进 入第三版芯片验证 阶段。 设计开发可见光传感器，建立封 测技术平台，形成系列化产品。 国内 领先 主要用于安防、智能穿 戴、智能家居等领域 12 平面玻璃电泳 工艺研究及产 品开发 370.00 425.24 425.24 小批量试验阶段 提升平面芯片技术能力，提升性 能、降低成本，进一步增强公司 优势产品的竞争力 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 13 软恢复特性高 耐久芯片工艺 的开发 150.00 187.59 187.59 关键工艺开发及小 样试制阶段 针对终端应用中满足更高的开关 频率，提高效率，降低电磁干扰 (EMI)和峰值反向电压应力等更高 国内 领先 家电、电源、智能电 表、照明、通信、工业 控制等行业有广泛应用 需求，开发高性能开关二极管， 实现高端产品替代。 14 微型器件及光 耦高密度封装 开发 865.00 362.05 580.71 SOD-123-12R、DIP- 4L-12R、TO-252-4R 三种高密度封装产 品均已达到研发预 计成果 推进高密度封装技术的应用研 究，优化产品结构和工艺设计， 降低材料成本，提升作用效率 国内 先进 广泛应用家电、电源、 智能电表、照明、通信 等行业 15 新型微型器件 开发 530.00 370.30 370.30 产品及工艺设计阶 段 推进微型封装技术的应用研究 国内 先进 广泛应用家电、电源、 智能电表、照明、通信 等行业 16 智能芯片和功 率模块研发 1,256.00 128.41 128.41 安全模块（芯片） 验证成功，发表国 际论文2篇，SCI和 EI各一篇；目前 IPM的框架已经开发 完成并送样测试， 相关的设备工装正 在加工过程中 安全模块（芯片）通过国际标准 NIST测试等5,申请专利2项以 上，其中发明1项。功率模块产 品： 1、已完成产品样件开发； 2、产品耐压630V以上； 3、绝缘耐压：2000V AC, 1分钟 以上 4、产品静电等级： HBM>2000V,MM>200V 国内 领先 RFID芯片用于ID识 别、智能仓储、无人零 售等；功率模块用于变 频电机驱动，主要应用 于变频空调、洗衣机、 冰箱等 合 计 / 7,023.00 4,751.52 5,151.58 / / / / 情况说明 无 5. 研发 人员情况 单位:万元 币种:人民币 基本情况 本期数 上期数 公司研发人员的数量（人） 1 60 1 50 研发人员数量占公司总人数的比例（%） 1 4.72 1 3.27 研发人员薪酬合计 2,383.38 1,801.09 研发人员平均薪酬 14. 90 12.01 研发人员学历结构 学历结构类别 学历结构人数 硕士研究生 4 本科 65 专科 61 高中及以下 30 研发人员年龄结构 年龄结构类别 年龄结构人数 30岁以下（不含30岁） 30 30-40岁（含30岁，不含40岁） 83 40-50岁（含40岁，不含50岁） 32 50-60岁（含50岁，不含60岁） 11 60岁及以上 4 研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响 □ 适用 √ 不适用 6. 其他说明 □适用 √不适用 三、报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力 分析 √适用 □不适用 1、技术优势 公司及子公司银河电器均被认定为高新技术企业，公司技术研发中心是“江苏省认定企业技 术中心”，公司建有“江苏省半导体分立器件芯片与封装工程技术研究中心”和“江苏省片式半 导体分立器件工程技术研究中心”，多次承担省市级科研课题。公司成功加入国际汽车电子协 会，在半导体分立器件领域与英飞凌、安森美等公司同为该协会技术委员会（AEC Technical Committee）成员。 公司以封装测试专业技术为基础，并通过不断的研发投入拓展了芯片相关核心技术，已经具 备较强的器件一体化设计及生产整合能力，是细分行业内分立器件品种最为齐全的公司之一，能 够满足客户一站式采购需求。公司在多个专门领域拥有资深技术研发团队，建有规范运作的研发 中心，配有先进的研发设备，并建立了知识产权管理体系，通过与外部院校和专业供应商开展深 入的技术合作，能够满足产品的精细化设计和生产的要求。 通过多年的努力，公司逐步积累自身的核心技术，依据多工艺的产线验证和高精度的试验分析手 段，形成了众多专业工艺核心技术和授权保护的专利技术，并实现了多项技术的成果转化。截至（未完）  |