[年报]新洁能:2021年年度报告
原标题:新洁能:2021年年度报告 公司代码：605111 公司简称：新洁能 C:\Users\DELL\AppData\Local\Temp\WeChat Files\708fdac4d3b70ba16c0cc8aeb42eac6.jpg 无锡新洁能股份有限公司 2021年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实 性 、准确 性 、 完整 性 ，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司 全体董事出席 董事会会议。 三、 天衡会计师事务所（特殊普通合伙） 为本公司出具了 标准无保留意见 的审计报告。 四、 公司负责人 朱袁正 、主管会计工作负责人 陆虹 及会计机构负责人（会计主管人员） 邱莹莹 声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以现有总股本142,821,000股为基数，向全体股东每10股派发现金红利5.75元（含税） ，预计派发现金红利82,122,075.00元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配；拟以资本公 积向全体股东每10股转增4股，预计拟转增57,128,400股。如在公告披露之日起至实施权益分派股 权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额及每股转增比例不变，相应调整每 股分配金额以及转增数量。 六、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺 ，请投资者注意投资风险。 七、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“公司关于公司未来发展的讨 论与分析”中可能面对的风险部分的内容。 十一、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................ ................................ ................................ ................................ .... 3 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ................................ ................................ . 7 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ................................ ................................ ........... 11 第四节 公司治理 ................................ ................................ ................................ ........................... 37 第五节 环境与社会责任 ................................ ................................ ................................ ............... 55 第六节 重要事项 ................................ ................................ ................................ ........................... 57 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ................................ ................................ ....... 71 第八节 优先股相关情况 ................................ ................................ ................................ ............... 80 第九节 债券相关情况 ................................ ................................ ................................ ................... 81 第十节 财务报告 ................................ ................................ ................................ ........................... 82 备查文件目录 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并 盖章的财务报告。 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿。 第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 公司、本公司、新洁 能 指 无锡新洁能股份有限公司 新洁能香港 指 新洁能功率半导体（香港）有限公司 新洁能深圳分公司 指 无锡新洁能股份有限公司深圳分公司 新洁能宁波分公司 指 无锡新洁能股份有限公司宁波分公司 电基集成 指 无锡电基集成科技有限公司 金兰半导体 指 金兰功率半导体（无锡）有限公司 源微半导体 指 江苏源微半导体科技有限公司（曾用名：中山源微半导体有 限公司） 国硅集成 指 国硅集成电路技术（无锡）有限公司 临盈投资 指 嘉兴临盈股权投资合伙企业（有限合伙） 富力鑫 指 无锡富力鑫企业管理合伙企业（有限合伙） 临芯投资 指 上海临芯投资管理有限公司 泰兴永志 指 泰兴市永志电子器件有限公司 上海贝岭 指 上海贝岭股份有限公司，上市公司（600171） 国联创投 指 无锡国联创投基金企业（有限合伙） 中汇金玖 指 上海中汇金玖四期股权投资基金管理合伙企业（有限合伙） 达晨创投 指 深圳市达晨创联股权投资基金合伙企业（有限合伙） 金浦新投 指 上海金浦新兴产业股权投资基金合伙企业（有限合伙） 君熠投资 指 无锡君熠投资企业（有限合伙） 祥禾涌安 指 上海祥禾涌安股权投资合伙企业（有限合伙） 金投控股 指 无锡金投控股有限公司 华虹宏力 指 上海华虹宏力半导体制造有限公司，华虹半导体有限公司 （01347.HK）的子公司 长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，上市公司（600584） 华润上华 指 无锡华润上华科技有限公司 日月光 指 日月光投资控股股份有限公司（ASX.US），全球领先半导体 封装与测试制造服务公司 捷敏电子 指 捷敏电子（上海）有限公司 英飞凌（Infineon） 指 德国英飞凌技术股份有限公司，1999年成立，是全球领先的 半导体公司之一 WSTS 指 世界半导体贸易统计组织 报告期 指 2021年度 元 指 人民币元 IC或集成电路 指 一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把 一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线 互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片 上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型 结构。 分立器件 指 半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导 体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往 往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成 本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸 管、MOSFET、IGBT等。 MOSFET、功率 MOSFET 指 金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结 构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分 立器件使用以实现特定功能。 沟槽型功率 MOSFET、Trench- MOSFET 指 MOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低 导通损耗等特点。 超结功率MOSFET、 超结MOSFET或SJ- MOSFET 指 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通MOSFET的 “硅限”，特别适用于500V~900V高压应用领域，具有工作频 率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，目前 主要用在高端电源管理领域。 屏蔽栅功率 MOSFET、屏蔽栅沟 槽型功率MOSFET、 SGT或SGT-MOSFET 指 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通MOSFET的 “硅限”，特别适用于30V~300V电压应用领域，具有导通电阻 低、开关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电 源管理、电机驱动、汽车电子等领域。 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，同时具备MOSFET和双极性晶体管的 优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能 力高、工作频率高等特点，适用于600V~6500V高压大电流领 域。与功率MOSFET相比，更侧重于大电流、低频应用领 域。 功率驱动 IC 指 又称栅极驱动器IC，是控制信号与功率开关器件 （MOSFET、IGBT等）的信号集成电路产品。 功率模块 指 将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在 一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度 高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电 子产品。 晶圆 指 又称晶圆材料片，制造半导体器件的基本材料，在晶圆片上 通过半导体加工工艺，可加工制作成各种集成电路或分立器 件，而成为有特定电性功能的半导体产品。 芯片 指 经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封 装测试可以形成半导体器件产品。每片8英寸芯片包含数百颗 至数万颗数量不等的单芯片。 功率器件 指 已经封装好的MOSFET、IGBT等产品。芯片制作完成后，需 要封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、 散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、 电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统。 流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片。 IDM 指 指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、加工制造、 封装测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司。 Fabless 指 半导体行业中，“没有制造业务、只专注于设计”的一种运作 模式，也用来指未拥有芯片制造工厂的IC或功率器件设计公 司。 Foundry 指 半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家，其依据设计 企业提供的方案，提供芯片代工服务。 芯片代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购 晶圆材料、光刻、刻烛、离子注入、电镀等环节制造出芯 片。 封装测试、封测 指 封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对 元器件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合 系统的需求，整个过程被称为封装测试。 SiC 指 碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有 禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高 等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域 GaN 指 氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具 有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带 隙、击穿电场高等性质。 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司信息 公司的中文名称 无锡新洁能股份有限公司 公司的中文简称 新洁能 公司的外文名称 WUXI NCE POWER CO.,LTD. 公司的外文名称缩写 NCE 公司的法定代表人 朱袁正 二、 联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 肖东戈 陈慧玲 联系地址 无锡市新吴区电腾路6号 无锡市新吴区电腾路6号 电话 0510-85618058-8101 0510-85618058-8101 传真 0510-85620175 0510-85620175 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、 基本情况 简介 公司注册地址 无锡市新吴区电腾路6号 公司注册地址的历史变更情况 2021年3月19日，公司披露了《关于完成工商变更登记 并换发营业执照的公告》（公告编号：临2021-007） ，公司的注册地址由“无锡市高浪东路999号B1号楼2 层”变更为“无锡市新吴区研发一路以东，研发二路以 南”；2021年6月30日，公司披露了《关于完成工商变 更登记并换发营业执照的公告》（公告编号：临2021- 026），公司的注册地址由“无锡市新吴区研发一路以 东，研发二路以南”变更为“无锡市新吴区电腾路6号” 。 公司办公地址 无锡市新吴区电腾路6号 公司办公地址的邮政编码 214028 公司网址 www.ncepower.com 电子信箱 [email protected] 四、 信息披露及备置地点 公司披露年度报告的媒体名称及网址 《上海证券报》、《中国证券报》、《证券时报》、 《证券日报》 公司披露年度报告的证券交易所网址 www.sse.com.cn 公司年度报告备置地点 董事会秘书办公室 五、 公司股票简况 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 新洁能 605111 / 六、 其他 相 关资料 公司聘请的会计师事务所 （境内） 名称 天衡会计师事务所（特殊普通合伙） 办公地址 南京市建邺区江东中路106号万达广场商务 楼B座（14幢）20楼 签字会计师姓名 游世秋、杨贤武 报告期内履行持续督导职责 的保荐机构 名称 平安证券股份有限公司 办公地址 深圳市福田区福田街道益田路5023号平安 金融中心B座第22-25层 签字的保荐代表 人姓名 盛金龙、陈拥军 持续督导的期间 2020/9/28-2022/12/31 注：根据公司2022年1月28日披露的《关于变更保荐机构及保荐代表人的公告》（公告编 号：2022-002），公司的持续督导机构由平安证券股份有限公司更换为广发证券股份有限公司。 七、 近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 2021年 2020年 本期比上年 同期增减 (%) 2019年 营业收入 1,498,271,279.34 954,988,968.12 56.89 772,536,915.73 归属于上市公司股东 的净利润 410,461,760.71 139,354,220.84 194.55 98,209,485.50 归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润 401,830,298.50 134,787,126.04 198.12 87,627,361.26 经营活动产生的现金 流量净额 450,884,685.73 80,659,974.13 458.99 75,126,606.71 2021年末 2020年末 本期末比上 年同期末增 减（%） 2019年末 归属于上市公司股东 的净资产 1,530,306,957.58 1,159,961,364.23 31.93 571,619,173.58 总资产 1,885,252,057.18 1,398,481,471.87 34.81 807,855,312.62 (二) 主要财务指标 主要财务指标 2021年 2020年 本期比上年同 期增减(%) 2019年 基本每股收益（元／股） 2.90 1.21 139.67 0.92 稀释每股收益（元／股） 2.90 1.21 139.67 0.92 扣除非经常性损益后的基本每 股收益（元／股） 2.84 1.17 142.74 0.82 加权平均净资产收益率（%） 30.62 18.49 增加12.13个 百分点 18.80 扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率（%） 29.97 17.89 增加12.08个 百分点 16.77 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2021年5月12日，公司以当时的总股本101,200,000股为基数，向全体股东每10股送红股 4股，公司股本总数由101,200,000股增加至141,680,000股。由于报告期内公司的股份数量因送 股发生变动，根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第9号——净资产收益率和每股收益 的计算及披露》（2010年修订）规定，以调整后的股数重新计算并列示上表中2019年、2020年 的基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益。 八、 境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东 的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和 归 属于上市公司股东的 净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 九、 2021年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币 第一季度 （1-3月份） 第二季度 （4-6月份） 第三季度 （7-9月份） 第四季度 （10-12月份） 营业收入 316,520,856.59 360,629,351.72 422,284,916.13 398,836,154.90 归属于上市公司股东的 净利润 75,143,853.44 99,332,334.12 136,268,049.27 99,717,523.88 归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益后的 净利润 74,591,980.54 95,378,931.26 134,932,501.35 96,926,885.35 经营活动产生的现金流 量净额 58,510,313.79 149,309,103.88 179,139,486.38 63,925,781.68 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 十、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2021年金额 附注（如 适用） 2020年金额 2019年金额 非流动资产处置损益 196,816.01 附注七、 73 24,773.06 -3,019.53 计入当期损益的政府补助，但与公 司正常经营业务密切相关，符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外 8,261,832.32 附注七、 67 5,035,213.95 12,538,769.03 委托他人投资或管理资产的损益 1,699,270.19 附注七、 68 除上述各项之外的其他营业外收入 和支出 -3,257.09 附注七、 74-75 313,065.70 -73,511.55 减： 所得税影响额 1,523,199.22 805,957.91 1,880,113.71 合计 8,631,462.21 4,567,094.80 10,582,124.24 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益 项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用 √不适用 十一、 采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币 项目名称 期初余额 期末余额 当期变动 对当期利润的 影响金额 以公允价值计量且其变动计入 当期损益的金融资产 - 4,000.00 4,000.00 - 按公允价值计量的权益工具 - 9,310.00 9,310.00 - 合计 - 13,310.00 13,310.00 十二、 其他 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况 讨论与分析 2021年度，受到汽车电子（含燃油车与新能源汽车）、光伏逆变和光伏储能等新兴应用领 域兴起以及电子元器件国产化加快、疫情持续等因素的影响，功率半导体行业景气度日趋升高， 上游产能日益紧张。 围绕市场需求、客户需求以及行业发展趋势，公司积极进行研发升级与产品技术迭代；持续 开发与维护供应链资源，争取更多的产能支持；同时，优化市场结构、客户结构及产品结构，开 拓新兴市场与开发重点客户（包括不限于汽车电子、光伏逆变和光伏储能、充电桩、高端工控、 高端电动工具、5G基站电源、锂电池保护、植保无人机、植物照明、机器人等领域），最终实 现经营规模和经济效益的较好增长。 报告期内，公司共实现营业收入149,827.13万元，较去年同期增长56.89%；其中主营业务收 入149,439.70万元，较去年同期增长56.75%；归属于上市公司股东的净利润41,046.18万元，较 去年同期增长194.55%；归属于上市公司股东的扣非净利润40,183.03万元，较去年同期增长 198.12%。 （一）研发创新 2021年度，公司进一步加大了研发投入，当年共计研发投入7,968.92万元，较去年同期增长 了54.05%，占营业收入的比例为5.32%。 2021年公司（含子公司）新增授权专利9项，其中实用新型专利8项、外观专利1项；当期 申报专利29项，其中发明专利16项。截至目前，公司共有专利135项，其中发明专利36项（不 含已到期专利）。当年新增产品近300款。 IGBT平台：12寸1200V 高频低饱和压降IGBT产品已经稳定量产，产品应用于光伏逆变行 业，目前已在多家行业典型客户开始大批量应用。使用载流子存储技术的650V高密度沟槽栅 IGBT产品已初步开发完成，该系列产品可以进一步降低器件饱和压降，同时优化器件寄生参数 和开关特性。多款IGBT模块产品进入小批量生产。 SJ-MOS平台：深沟槽SJ -MOS四代沟槽栅产品进一步完成650V、700V产品平台搭建，超 结四代平台形成了500V～700V完整的产品系列。同时积极推进200V 低压SJ MOS产品开发， 已取得阶段性进展。12寸650V～700V SJ MOS已进入稳定量产。超低特征导通电阻的第五代SJ -MOS产品已有样品产出，650V产品特征导通电阻可降至1ohm.mm2。 SGT-MOS平台：中压P型 SGT MOS平台实现量产，电性能达到国际水准；低压二代SGT MOS平台完成规格型号拓展，产品数量增加至18款；低压快恢复SGT MOS完成前期设计及晶 圆流片，阶段性晶圆级测试结果达到预期，产品综合特性及可靠性尚处于验证评估中。基于12 寸芯片产线，完成电化镀平台的开发验证并实现量产。 Trench-MOS平台：在8英寸芯片产线的低压 CSP产品平台基础上拓展出系列产品、 完成了 高可靠性的新型结构大功率中压P型Trench-MOS设计&工艺模拟和工厂单项开发；在12英寸芯 片产线上完成了多个N型中低压的工艺平台开发工作。 第三代半导体功率器件平台：1200V 新能源汽车用SiC MOS平台开发进行顺利，1200V SiC MOSFET首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，产品综合特性及可靠性验证尚处 于验证评估阶段；650V E-Mode GaN HEMT首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平， 产品综合特性及可靠性尚处于验证评估中。 报告期内，公司建立和完善了车规产品导入、过程管控、可靠性考核规范，积极推进车规产 品完整体系建设，现阶段多款车用功率器件产品进行基于AEC-Q101标准的认证。 报告期内，公司完成了多个应用实验平台的搭建工作，如焊机综合测试平台、控制器测试平 台、BMS测试平台、极限短路应用测试平台等；基本满足现有功率器件平台产品的测试验证需 求，实现了空载与带载温升测试，短路稳定性测试等各项严格考核，完善了功率器件的应用可靠 性评估能力。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主 培养等方式培育高端技术人才，截至目前，公司的研发人员已达80余人，研发人员的薪酬同比 增加68.93%。并积极引入高学历人才，以进一步加强汽车电子和半导体功率模块产品的开发力 度。 （二）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2021年以来，功率器件市场 需求持续旺盛，上游产能日益紧张，公司的运营部门积极协调产能，确保公司供应链稳定供货。 同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都做好产销衔接及产能调配工作，与各主要供应商继 续保持良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 芯片代工业务方面，公司涵盖了华虹宏力、华润上华等国内主要的具备MOSFET、IGBT等 大尺寸晶圆芯片代工能力的本土芯片代工供应商；尤其是华虹宏力，公司与其建立了长期战略合 作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均已实现投产。公司已成为国内8英寸、12英寸芯 片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一，且整体产能持续增长。此外，2021 年公司已在境外某芯片代工厂进行产品的风险批验证，境内某芯片代工厂投入首个工程批，并不 断开发芯片代工供应商，以作为产能的补充。 封装测试环节，一方面，公司子公司电基集成封装测试产量稳定提升，已能够满足公司近四 成产品的自主封测需求；另一方面，公司进一步加强与长电科技（600584）、日月光 （ASX.US）、捷敏电子、成都集佳等十余家优秀的封装测试企业合作。2021年度，公司封装数 量突破23.3亿只。与此同时，IGBT系列产品的多数封装外形已经实现稳定量产，封装模块产品 实现小批量试产，公司正积极开发更多的合作伙伴。 （三）市场开发与销售 2021年度，半导体行业上游晶圆代工产能紧张、海外疫情持续紧张导致进口元器件供应不 足，加之各下游行业（如汽车/光伏逆变器等）需求旺盛，国产替代进程进一步加速，公司的 MOSFET、IGBT等产品需求保持旺盛状态。公司积极抓住时机，芯片投片上利用12寸产能优势， 封装上利用自有封装产线优势，加大加快产品的供给，实现了较好的业绩增长。 与此同时，公司积极利用高景气度，抓住下游客户国产化导入进程加快的时机，努力调整产 品结构、市场结构和客户结构，成功将产品导入新兴应用领域并持续开发出更多的行业龙头客户， 进一步扩大了市场规模及影响力。具体来看： 产品结构方面：沟槽型功率MOSFET（Trench-MOSFET）作为公司持续量产时间最长的成 熟工艺平台，报告期内公司持续降低其销售比例，从上年同期的55.79%调整至当期的45.31%， 并将更多的资源分配到屏蔽栅型功率MOSFET（SGT-MOSFET）和IGBT产品上。从占比来看， 公司的SGT MOSFET平台为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台， 其占比已经从31.69%提升至38.96%；而IGBT产品作为公司目前快速放量的产品，2021年已经 实现了8,051.44万元的销售，相比去年同期增长了529.44%，其销售占比从1.34%提升至5.39%。 从产品外形来看，公司亦进一步减少了芯片产品的销售，其占比从18.39%降低至9.53%。此外， 公司也根据下游市场的实际情况，积极调整各平台内部的产品结构，以更好地满足客户的需求， 并获得更好的盈利能力。 市场结构和客户结构方面：公司2021年度积极发展汽车电子（含燃油车和新能源汽车）、 光伏逆变和光伏储能、5G基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业，如2021年公司 在汽车电子市场重点导入了比亚迪，目前已经实现十几款产品的大批量供应，同时公司产品也 进入了多个汽车品牌的整机配件厂，汽车电子产品的整体销售占比得以快速提升；与此同时， 公司抓住新能源碳达峰碳中和快速增长的市场需求，重点发力光伏逆变和光伏储能市场，IGBT 和MOSFET产品已经在国内主要的头部企业实现大批量销售，光伏逆变和光伏储能领域将成为 公司2022年重要的业绩增长点。 销售管理方面： 1、优化经销商结构：2021年，为提升品牌形象、防止市场价格冲突，综合考虑将总产能有 侧重性的保证给有发展前景的行业龙头客户，发展实力较强、配合度较高且严格遵守公司规则制 度的代理商和经销商。经过优化，公司2021年度主要经销商的占比得以进一步提升。 2、严格控制回款：现金流是企业的生命线。公司历来严格执行销售信用政策，对于客户的 信用期予以严格控制，注重应收账款的日常管理和到期催收工作。公司要求销售人员重点关注超 过信用期限的应收账款余额，做好与客户的沟通工作，及时向公司总经理反馈信息，并加大催款 支持力度，以保证迅速回款。在公司2021年销售收入提升较快的基础上，公司的货款收回仍控 制在较好的水平。 3、持续加强销售团队的建设：对于销售团队的建设，2021年度公司的工作重点是实现销售 团队业务能力的进一步提升，公司要求业务人员互相交流学习，并对业务人员提供的产品市场应 用案例进行汇总整理与组织学习。销售组织方面，在原来无锡本部和各地销售分公司的基础进一 步细化分组，相对集中在新兴应用领域等中高端市场，以对相近市场和相似客户提供更好的服务。 （四）主要子公司建设 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资 源的封测技术和产品。从设立之初，电基集成就特别注重车规级封测产线的建设与管理，并顺利 通过SGS IATF 16949体系认证。 目前电基集成已实现量产的TOLL封装形式，适用于高电流汽车应用，包括电池管理、电子 动力转向（EPS）、主动式交流发电机等系统，相比传统封装形式，热阻减少了约60%、寄生电 感约为原来的1/7，封装电阻约为原来的1/6，能够降低系统成本并提供更高的系统可靠性。相关 产品已经在5G、储能、锂电池保护、无人机、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。 2021年电基集成实现收入7,447.01万元，较上年同期增长约68.39%，员工人数较上年同期 增长了约60%。 2021年电基集成新增PDFN5X6 full clip封装产品及全自动封测线，并实现转固量产。新增 TO252-4L封装产品及全自动封测线，2021年6月可靠性1000h通过并已量产。新增TO263封装 产品及全自动封测线、TO220封装产品及全自动封测线，均已于2021年6月实现转固量产。 2、金兰半导体 2021年11月，公司发起设立全资子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于 半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含燃油车和新能源 汽车）、5G基站电源、工业电源、新能源储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半 导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 （五）内部管理 2021年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通 过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根 据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行 信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过 多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市 场形象。 （六）质量管理 公司始终坚持以质量为中心，以顾客为关注焦点，落实全员质量管理职责，加强过程质量控 制。2021年，年度质量总目标和分解目标均全面达成。此外，公司全面优化了质量体系内部管 理，覆盖了设计开发、原材料、加工制造以及售后服务全流程，进一步完善了各流程制度并进行 管理落实。公司积极扩充客户质量服务和供应商质量管理团队，以满足客户需求为出发点，在提 高客户满意度和供应商交付绩效方面成效显著。 同时，公司建立了一套汽车电子产品的质量管控体系和考核标准，搭建了汽车电子产品的考 核平台，有力推动了公司在汽车电子市场的突破性进展以及汽车电子产品应用的大批量销售。随 着公司质量管理体系的进一步提升，公司将在汽车电子（含燃油车和新能源汽车）领域持续扩量， 严格有效的质量管理将成为公司在汽车电子发展道路上的有力支撑。 （七）投资情况 公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过 对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资， 进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性， 有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力， 提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 除继续对全资子公司电基集成追加投资外，截至目前，公司已通过直接或间接的方式实现了 对多个项目的参股投资，分别涉及到功率驱动IC的设计、IOT智能电源驱动芯片的设计、封装 模块相关材料的生产、水下智能设备的研发生产和销售、功率器件冲压引线框架研发生产及销售 等，以谋求产业链及细分领域的纵向与横向整合。 （八）其他资本运作 2021年上半年，公司完成了权益分派工作。 2021年第四季度，公司组织并进行了对员工的首次限制性股票股权激励，激励覆盖程度较 高，有效加强了员工对公司的忠诚度以及工作积极性。2022年2月14日，公司收到中国证券登 记结算有限责任公司上海分公司出具的证券变更登记证明，公司本次股权激励授予登记已完成。 2021年下半年，公司筹备并推进了上市后非公开发行的相关工作，2022年1月28日，公司 将非公开发行材料提交至中国证监会，于2022年1月29日收到中国证监会行政许可申请受理单， 并于2022年2月末收到中国证监会的相关反馈意见。 （九）主要荣誉奖项 2021年度，公司新增主要荣誉奖项如下： 荣获中国半导体行业协会颁布的“2020年中国半导体功率器件十强企业”荣誉称号； 荣获“2020年度国家技术发明奖二等奖”奖项； 获批“2021年度工信部电子司专项”项目； 荣获中国芯颁发的“第十六届中国芯芯火新锐产品”荣誉称号； 荣获“2021年度江苏省专精特新小巨人企业”荣誉称号； 获批“ 2021年度无锡高新区第一批科技创新基金（集成电路专项）”项目； 获批“2021年度无锡市第一代信息技术产业发展资金专项”项目； 获得“2021年第一财经创新力调研年度创新影响力企业”称号。 二、报告期内公司所处行业情况 根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”大类下“3972半导体分立器件制造”；根据证监会《上市公 司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近 几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比 重维持在22%-25%之间。 半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体 功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的 电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能 源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率 器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。 近年来，半导体行业景气度持续保持较高水平。Semiconductor Intelligence于2021年8月预 期2022年全球半导体市场规模增长15%，WSTS于2021年11月预期增速8.78%，而IC Insights 最新于2022年1月预期2022年增速达11%。 相比于全球半导体市场，中国半导体市场增速仍然领先全球，半导体产业持续稳定发展。根 据中国半导体行业协会预测，2021年至2023年我国半导体市场需求将有望分别达到21,467.00亿 元、24,269.60亿元和27,633.40亿元，2022年及2023年中国半导体市场同比增速将分别扩大至 13.06%和13.86%。 在半导体分立器件的细分领域，2011年至2020年国内半导体分立器件市场需求保持了10.67% 的年均复合增长。根据中国半导体行业协会预测，2021年中国半导体分立器件市场需求将达到 3,346.30亿元，到2023年分立器件的市场需求将达到4,393.20亿元。从中长期来看，国内半导体 市场需求仍将呈现较快的增长势头。 三、报告期内公司从事的业务情况 1、主要业务 公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产 品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。通过持续的自主创新，公司在沟槽型功率MOSFET、 超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET以及IGBT等产品的设计研发方面拥有多项核心技术。 公司的产品先进且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电 桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等领域。 2、经营模式 公司主要为Fabless模式，并向封装测试环节延伸产业链，芯片主要由公司设计方案后交由 芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业和全资子公司电基集成对芯 片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实 现部分芯片自主封测并形成特色产品。 3、市场地位 公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率 器件企业排行榜中，公司连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功 率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率 MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、 屏蔽栅MOSFET量产的企业。同时，公司是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了 12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本 土企业。 四、报告期内核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计 能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司拥有135项专利，其中发明专利36项，发明专利 数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与MOSFET、IGBT、功率 模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争 者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文14篇， 其中SCI收录论文8篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，缩小了与国 际一流半导体功率器件企业的技术差距。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公 司持续推进高端MOSFET、IGBT的研发和产业化，在已推出先进的超结功率MOSFET、屏蔽栅 功率MOSFET和超薄晶圆IGBT数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先 在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，新增开发多款模块产品及功率IC 产品以不断丰富产品品类；并进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对 SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞 争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司主要产品为沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT 等半导体功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号 产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术先进的设计企业之 一。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台， 形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生， 满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有1500余款 的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳 定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名 企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力、华润上华等领先的芯片代工企业，封装测试主要采购 子公司电基集成、长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子、成都集佳等封装测试 企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量 管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“沟槽型功率MOSFET”、“绝缘栅双极型晶体 管（IGBT）”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定 为高新技术产品。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。MOSFET、IGBT相比于其他半导 体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，MOSFET、IGBT的器件结构、参数性能 需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得MOSFET、IGBT主要基于8英寸以及 12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一， 并与产业链中大部分优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公 司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源 的封测技术和产品，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件 设计企业之一，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接 近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率MOSFET以及沟槽型场截止IGBT等产品平台已实现量产，部分产品的参数 性能及送样表现与国外一线品牌同类产品基本相当，逐步实现对MOSFET、IGBT等中高端产品 的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应 机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较 强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入汽车电子、光伏逆 变和光伏储能等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生 的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能 力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长兼总经理朱袁正先 生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、 IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先 进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经 验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题， 同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还 能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能 够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 五、报告期内主要经营情况 报告期内，公司共实现营业收入149,827.13万元，较去年同期增长56.89%；其中主营业务收 入149,439.70万元，较去年同期增长56.75%；归属于上市公司股东的净利润41,046.18万元，较 去年同期增长194.55%；归属于上市公司股东的扣非净利润40,183.03万元，较去年同期增长 198.12%。业绩增长的主要原因系：2021年度，受到疫情持续、电子元器件国产化加快、新兴应 用领域兴起等因素的影响，功率半导体行业景气度日趋升高，上游产能日益紧张。围绕市场需求、 客户需求以及行业发展趋势，公司积极进行研发升级与产品技术迭代；持续开发与维护供应链资 源，争取更多的产能支持；同时，优化市场结构、客户结构及产品结构，开拓新兴市场与开发重 点客户，最终实现经营规模和经济效益的较好增长。 (一) 主营 业务分析 1. 利润表及现金流量表相关科目变动分析表 单位 ： 元 币种 ： 人民币 科目 本期数 上年同期数 变动比例（ %） 营业收入 1,498,271,279.34 954,988,968.12 56.89 营业成本 912,085,383.36 712,700,179.81 27.98 税金及附加 8,670,329.19 4,373,891.11 98.23 销售费用 20,797,701.60 13,820,087.38 50.49 管理费用 30,840,676.85 24,130,124.88 27.81 财务费用 -17,415,870.79 -6,103,606.62 不适用 研发费用 79,689,229.52 51,730,367.14 54.05 其他收益 8,261,832.32 5,035,213.95 64.08 投资收益 1,699,270.19 - 不适用 信用减值损失 -2,898,168.21 198,707.11 -1,558.51 资产减值损失 -1,253,575.85 -1,941,543.01 不适用 经营活动产生的现金流量净额 450,884,685.73 80,659,974.13 458.99 投资活动产生的现金流量净额 -217,404,118.61 -118,098,991.69 不适用 筹资活动产生的现金流量净额 -24,713,638.14 448,987,969.81 -105.50 营业收入变动原因说明： 主要系报告期内公司产品供不应求，销售规模进一步扩大所致。 营业成本变动原因说明： 主要系报告期内公司收入增加，成本亦相应增加所致。 销售费用变动原因说明： 主要系报告期内销售规模扩大，销售人员薪酬增加所致。 管理费用变动原因说明： 主要系公司整体规模进一步扩大，管理运营投入增加所致。 财务费用变动原因说明： 主要系公司银行存款增加，并通过现金管理增加利息收入所致。 研发费用变动原因说明 ： 主要系公司持续加大研发投入所致。 经营活动产生的现金流量净额 变动原因说明： 主要系公司当期扩大销售规模的同时加强回款管 理，导致销售商品、提供劳务收到的现金增加较多所致。 投资活动产生的现金流量净额 变动原因说明： 主要系本期在建工程和固定资产投入、以及对外投 资投入相比 上年同期增加较多所致。 筹资活动产生的现金流量净额 变动原因说明： 主要系本期进行 2020 年度利润分配时派发现金红 利所致。 税金及附加 变动原因说明： 主要系报告期内销售规模扩大，导致相关税金及附加缴纳较多所致。 其他收益 变动原因说明： 主要系公司当期收到的与收益相关的政府补助增加所致。 信用减值损失 变动原因说明： 主要系报告期末公司应收账款随销售规模扩大而有所增加，相应计 提的应收账款减值准备增加所致。 资产减值损失 变动原因说明： 主要系报告期内公司产品供不应求，产品毛利较高，期末存货跌价 准备计提相应减少所致。 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用 2. 收入和成本分析 √适用 □不适用 报告期内，公司共实现营业收入149,827.13万元，较去年同期增长56.89%；其中主营业务收 入149,439.70万元，较去年同期增长56.75%。实现营业成本91,208.54万元，较去年同期增长 27.98%；其中主营业务成本91,208.54万元，较去年同期增长27.98%。 (1). 主营业务 分 行业 、分 产品 、分地区、分销售模式情况 单位:元 币种:人民币 主营业务分行业情况 分行业 营业收入 营业成本 毛利率 （%） 营业收入 比上年增 减（%） 营业成 本比上 年增减 （%） 毛利率比上 年增减（%） 电子元 器件 1,494,397,036.29 912,085,383.36 38.97 56.75 27.98 增加13.73个 百分点 合计 1,494,397,036.29 912,085,383.36 38.97 56.75 27.98 增加13.73个 百分点 主营业务分产品情况 分产品 营业收入 营业成本 毛利率 （%） 营业收入 比上年增 减（%） 营业成 本比上 年增减 （%） 毛利率比上 年增减（%） 芯片 142,383,518.29 83,387,708.98 41.43 -18.77 -38.65 增加18.97个 百分点 功率器 件 1,352,013,518.00 828,697,674.38 38.71 73.77 43.68 增加12.84个 百分点 合计 1,494,397,036.29 912,085,383.36 38.97 56.75 27.98 增加13.73个 百分点 主营业务分地区情况 分地区 营业收入 营业成本 毛利率 （%） 营业收入 比上年增 减（%） 营业成 本比上 年增减 （%） 毛利率比上 年增减（%） 境内 1,452,904,189.31 887,034,182.40 38.95 57.23 28.47 增加13.67个 百分点 境外 41,492,846.98 25,051,200.96 39.63 41.74 12.59 增加15.63个 百分点 合计 1,494,397,036.29 912,085,383.36 38.97 56.75 27.98 增加13.73个 百分点 主营业务分销售模式情况 销售模 式 营业收入 营业成本 毛利率 （%） 营业收入 比上年增 减（%） 营业成 本比上 年增减 （%） 毛利率比上 年增减（%） 直销 525,822,892.74 325,675,388.17 38.06 16.70 -5.14 增加14.26个 百分点 经销 968,574,143.55 586,409,995.19 39.46 92.65 58.75 增加12.93个 百分点 合计 1,494,397,036.29 912,085,383.36 38.97 56.75 27.98 增加 13.73个 百分点 主营业务分行业、分产品、分地区、分销售模式情况的说明 报告期内，公司共实现主营业务收入149,439.70万元，较去年同期增长56.75%；其中功率 器件产品的占比进一步提升，由上年同期的81.61%增长至90.47%，为公司贡献了更多的利润。 公司的销售主要集中在境内，主要系境内客户目前仍供不应求，公司未来一段时间内的销售 仍以重点开发境内新兴市场需求以及持续深入国产替代为主。 公司销售模式中经销收入的占比进一步提升，主要系公司下游应用领域广泛，通过经销商积 极开发销售渠道，并加大与知名客户的推广合作所致。 此外，公司的沟槽型MOSFET产品、屏蔽栅MOSFET产品、超结MOSFET产品和IGBT产 品，在报告期内均取得了较好地增长，其中屏蔽栅产品相比去年同期增长了92.70%、IGBT产品 相比去年同期增长了529.44%，通过加大相关产品销售力度，公司的下游市场结构和客户结构得 以优化。 (2). 产销量情况 分析表 √适用 □不适用 主要产品 单位 生产量 销售量 库存量 生产量 比上年 增减 （%） 销售量 比上年 增减 （%） 库存量 比上年 增减 （%） 功率器件 千只 2,328,800.04 2,215,842.16 165,323.79 35.42 21.79 136.06 产销量情况说明 公司设计的芯片代工回货后，主要用于封装为功率器件并进行出售。功率器件产品销售量较 上年增加较多，主要系公司产能增加并积极扩大功率器件的销售规模所致；库存量较上年增加较 多，主要系公司产能快速提升以及为应对下游旺盛需求积极备货所致。 (3). 重大采购合同、重大销售合同的履行情况 □适用√不适用 (4). 成本分析表 单位： 元 分行业情况 分行业 成本构 成项目 本期金额 本期占 总成本 比例 (%) 上年同期金额 上年同 期占总 成本比 例(%) 本期金 额较上 年同期 变动比 例(%) 情况 说明 电子元 器件 直接材 料 679,002,425.01 74.45 540,817,460.65 75.88 25.55 加工费 198,574,693.70 21.77 152,667,775.59 21.42 30.07 直接人 工 12,920,611.66 1.42 4,982,033.21 0.70 159.34 制造费 用 18,167,062.94 1.99 11,580,399.81 1.63 56.88 运费 3,420,590.05 0.38 2,652,510.55 0.37 28.96 合计 912,085,383.36 100.00 712,700,179.81 100.00 27.98 分产品情况 分产品 成本构 成项目 本期金额 本期占 总成本 比例 (%) 上年同期金额 上年同 期占总 成本比 例(%) 本期金 额较上 年同期 变动比 例(%) 情况 说明 芯片 直接材 料 83,075,860.87 9.11 135,408,280.48 19.00 -38.65 运费 311,848.11 0.03 505,841.94 0.07 -38.35 小计 83,387,708.98 9.14 135,914,122.42 19.07 -38.65 功率器 件 直接材 料 595,926,564.14 65.34 405,409,180.17 56.88 46.99 加工费 198,574,693.70 21.77 152,667,775.59 21.42 30.07 直接人 工 12,920,611.66 1.42 4,982,033.21 0.70 159.34 制造费 用 18,167,062.94 1.99 11,580,399.81 1.62 56.88 运费 3,108,741.94 0.34 2,146,668.61 0.30 44.82 小计 828,697,674.38 90.86 576,786,057.39 80.93 43.68 合计 912,085,383.36 100.00 712,700,179.81 100.00 27.98 成本分析其他情况说明 报告期内，公司功率器件的直接材料、加工费、直接人工等各项成本增加主要系当期功率器 件生产销售整体增加以及芯片代工单价、单位人工成本上升等综合影响所致；芯片的直接材料和 运费减少主要系报告期内公司减少了芯片产品的销售导致相应结转的成本减少所致。 (5). 报告期 主要子公司股权变动导致合并范围变化 □适用 √不适用 (6). 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □适用 √不适用 (7). 主要销售客户及主要供应商情况 A.公司主要销售客户情况 前五名客户销售额25,613.01万元，占年度销售总额17.10%；其中前五名客户销售额中关联 方销售额0万元，占年度销售总额0 %。 报告期内向单个客户的销售比例超过总额的50%、前5名客户中存在新增客户的或严重依赖 于少数客户的情形 □适用 √不适用 B.公司主要供应商情况 前五名供应商采购额87,321.24万元，占年度采购总额82.36%；其中前五名供应商采购额中 关联方采购额0万元，占年度采购总额0%。 报告期内向单个供应商的采购比例超过总额的50%、前5名供应商中存在新增供应商的或严 重依赖于少数供应商的情形 √适用 □不适用 单位:万元 币种:人民币 序号 供应商名称 采购额 占年度采购总额比例（%） 1 上海华虹宏力半导体制造有限公司 40,534.58 38.23 2 华虹半导体（无锡）有限公司 31,979.29 30.16 其他说明 无。 3. 费用 √适用 □不适用 单位：元 科目 本期数 上年同期数 变动比例（%） 变动说明 销售 费用 20,797,701.60 13,820,087.38 50.49 主要系报告期内销售规模扩大， 销售人员薪酬增加所致。 管理 费用 30,840,676.85 24,130,124.88 27.81 主要系公司整体规模进一步扩 大，管理运营投入增加所致。 研发 费用 79,689,229.52 51,730,367.14 54.05 主要系公司持续加大研发投入所 致。 财务 费用 -17,415,870.79 -6,103,606.62 不适用 主要系公司银行存款增加，并通 过现金管理增加利息收入所致。 4. 研发投入 (1).研发 投入 情况表 √ 适用 □ 不适用 单位：元 本期费用化研发投入 79,689,229.52 本期资本化研发投入 - 研发投入合计 79,689,229.52 研发投入总额占营业收入比例（%） 5.32 研发投入资本化的比重（%） - (2).研发人员情况表 √适用□不适用 公司研发人员的数量 78 研发人员数量占公司总人数的比例（%） 25.32 研发人员学历结构 学历结构类别 学历结构人数 博士研究生 2 硕士研究生 11 本科 33 专科 26 高中及以下 6 研发人员年龄结构 年龄结构类别 年龄结构人数 30岁以下（不含30岁） 23 30-40岁（含30岁，不含40岁） 44 40-50岁（含40岁，不含50岁） 11 50-60岁（含50岁，不含60岁） 0 60岁及以上 0 注：以上数据为截至2021年12月31日公司的研发人员情况。 (3).情况说明 √ 适用 □ 不适用 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计 能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司拥有135项专利，其中发明专利36项，发明专利 数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与MOSFET、IGBT、功率 模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争 者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文14篇， 其中SCI收录论文8篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，缩小了与国 际一流半导体功率器件企业的技术差距。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公 司持续推进高端MOSFET、IGBT的研发和产业化，在已推出先进的超结功率MOSFET、屏蔽栅 功率MOSFET和超薄晶圆IGBT数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先 在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，新增开发多款模块产品及功率IC 产品以不断丰富产品品类；并进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对 SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞 争力和国内外市场地位。 2021年度，公司进一步加大了研发投入，当年共计研发投入 7,968.92万元，较去年同期增长 了 54.05%，占营业收入的比例为 5.32%，其中研发人员的薪酬同比增加 68.93%（不含股份支付） 。 同时，公司积极引入 高学历 人才，以进一步加强汽车电子和半导体功率模块产品的开发力度。 (4).研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响 □ 适用 √ 不适用 5. 现金流 √适用 □不适用 单位：元 项目 本期数 （未完）  |