[年报]赛微电子(300456):2021年年度报告
原标题:赛微电子:2021年年度报告 北京赛微电子股份有限公司 2021年年度报告 2022年03月 第一节 重要提示、目录和释义 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完 整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人杨云春、主管会计工作负责人蔡猛及会计机构负责人(会计主管人员)霍夕淼 声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。 本年度报告中涉及未来展望及计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请 投资者注意投资风险。公司已在本年度报告第三节“管理层讨论与分析”第十一项“公司未来发 展的展望”章节中，对可能面临的风险及对策进行了详细描述，敬请广大投资者留意查阅。 本公司请投资者认真阅读本年度报告全文，并特别注意下列风险因素： 1、新型冠状病毒COVID-19疫情风险 2020年初以来，新冠状病毒COVID-19疫情在全球陆续爆发，各国纷纷采取不同措施抗击疫情，也有部分国家放弃主 动措施，但疫情的未来发展、持续时间以及对全球经济、产业协作、资本市场的影响或冲击难以预测。公司MEMS、GaN、 产业投资业务均离不开国际交流与合作，尤其是MEMS与GaN业务，采购、生产、销售各环节都具有突出的国际化特征。 公司目前在瑞典、美国、香港均设有子公司，在德国设有尚待审批交割的产线SPV，尤其在瑞典拥有两条高效运转的8英 寸MEMS代工产线，若该等境外国家或地区的疫情在未来无法得到有效控制或消除，存在该等子公司的经营运转受到不同 程度影响的风险；此外公司位于境内的MEMS、GaN业务子公司的建设、发展也面临疫情冲击风险，同时还面临受到疫情 背景下全球产业协作生态变化影响的风险；该等风险因素叠加将使得公司的整体经营情况因新冠状病毒COVID-19疫情而存 在较大的不确定性。 2、国际局势紧张及汇率波动风险 自二战之后，特别是上世纪八九十年代以来，全球化发展日益加速，已成为时代发展的重要特征和显著标志，国家之间 在经济、政治、文化、社会等方面的交流程度大幅提升，在加速科技进步和生产力发展的同时，也使得民族国家的利益面临 着多元化的冲击和挑战，最终导致民族主义情绪的累积并在近年来显著抬头，右翼民粹主义、反全球化主义、贸易保护主义、 本土主义等主张在全球，尤其是欧美国家泛起，引发国际局势紧张及日趋复杂化，对跨国经营的企业提出诸多新的挑战。公 司同时持有境内外资产及业务，近年来直接源自境外营业收入的比例处于高位，2019-2021年的比例分别为70.00%、84.72%、 75.66%，且公司部分原材料采购以及MEMS、GaN业务的大部分机器设备采购亦采用外币结算，日常涉及美元、欧元、瑞 典克朗、人民币等货币。因此，公司日常经营活动客观上面临着国际政治经济局势剧烈变化的风险，随之而来的还包括因汇 率大幅波动对公司报表业绩产生较大影响的风险。 3、政府补助风险 公司目前主营业务MEMS与GaN均属于国家鼓励发展的高科技行业，且于2021年3月均被纳入《中华人民共和国国 民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中的科技前沿攻关领域，且近年来公司已陆续获得数笔与主 营业务相关的政府补助。2020年和2021年，公司计入当期损益的政府补助金额分别为13,070.98万、13,007.65万元，占当 期利润总额绝对值的比例分别为54.46%、66.01%，对公司经营业绩构成重大影响。虽然通过政策支持、资金补贴、税收优 惠和低息贷款等措施大力支持半导体行业（尤其是制造环节）的发展属于国际通行做法，但公司在后续财务报告期间能否持 续取得政府补助、涉及多少金额、会计处理方法等均存在不确定性，因此公司存在经营业绩受政府补助影响、影响大小不确 定的风险。 4、行业竞争加剧的风险 公司半导体业务直接参与全球竞争，如MEMS业务的竞争对手既包括博世、德州仪器、意法半导体、惠普、松下等IDM 企业，也包括纯MEMS代工企业Teledyne Dalsa Inc.、X-FAB Silicon Foundries、IMT（Innovative Micro Technology，后更名 为Atomica Corp.）、Tronics（Tronics Microsystems），以及中芯绍兴、上海先进、华虹宏力、华润微、士兰微等国内含MEMS 业务的代工企业。MEMS属于技术、智力及资金密集型行业，涉及电子、机械、光学、医学等多个专业领域，技术开发、 工艺创新及新材料应用水平是影响企业核心竞争力的关键因素；公司GaN材料与器件业务也直接参与全球竞争。若公司不 能正确判断未来市场及产品竞争的发展趋势，不能及时掌控行业关键技术的发展动态，不能坚持技术创新或技术创新不能满 足市场需求，将存在技术创新迟滞、竞争能力下降的风险。 5、新兴行业的创新风险 公司现有MEMS、GaN业务均属于国家鼓励发展的高技术产业和战略性新兴产业，同时也是国家“十四五”规划纲要中 的科技前沿攻关领域，该等产业技术进步及迭代迅速，要求行业参与者不断通过新技术/工艺的研究和新产品的开发以应对 下游需求的变化。如公司对新技术/工艺、新产品的投入不足，或投入方向偏离行业创新发展趋势或未能符合重要客户需求 的变化，将会损害公司的技术优势与核心竞争力，从而给公司的市场竞争地位和经营业绩带来不利影响；此外，近年来，公 司研发费用支出的绝对金额以及占营业收入的比重均处于高位，2019-2021年，公司研发费用分别达1.10亿元、1.95亿元、 2.66亿元，占营业收入的比重分别为15.39%、25.54%、28.69%，而研发活动本身存在一定的不确定性，公司还存在研发投 入不能获得预期效果从而影响公司盈利能力的创新风险。 6、募集资金运用风险 公司募集资金投资项目综合考虑了当时的市场状况、技术水平及发展趋势、产品及工艺、原材料供应、生产场地及设备 采购等因素，并对其可行性进行了充分论证，但如果国内外的行业环境、市场环境等情况发生突变，或由于项目建设过程中 的主客观因素影响，将会给募集资金投资项目的实施带来不利影响，存在募集资金投资项目不能顺利实施、不能达到预期收 益、折旧摊销影响经营业绩的风险。 对于“8英寸MEMS国际代工线建设项目”，其基于下游市场需求正在持续扩充MEMS代工产能，但在瑞典Silex向赛 莱克斯北京出口MEMS技术和产品的许可申请被瑞典ISP否决、公司境内工厂从瑞典Silex引入技术变得困难的背景下，公 司北京FAB3需要依靠自身积累工艺，自主推动从工艺开发到产品验证、规模量产的业务过程，时间周期及产能消化速度的 不确定性提高。因此，北京FAB3在客观上存在新增MEMS代工产能短期无法消化、相关投资所形成资产在一定时期内闲 置或部分闲置的风险。 对于“MEMS先进封装测试研发及产线建设项目”，由于MEMS封测业务属于向产业链下游延伸的新拓展业务，公司并 无法确保在MEMS晶圆制造环节积累的客户会将其封装测试业务交由公司进行，且封装测试业务的取得也需要经历客观的 工艺验证过程，潜在客户向现实客户转化的概率与周期均存在不确定性，公司与潜在客户形成稳定的供货关系的时间与封测 项目的产能释放节奏难以形成预期中的匹配关系。因此，公司MEMS先进封装测试研发及产线在客观上存在新建MEMS封 测产能短期无法消化、相关投资所形成资产在一定时期内闲置或部分闲置的风险。 对于“MEMS高频通信器件制造工艺开发项目”，高频通信器件必须通过严苛的微观尺寸、成分以及结构的高度一致性， 来达到对通信频段的准确反应，同时，必须通过特别的精细结构和材料微观结构来严格控制电磁波信号的各种传输损耗，这 也意味着高频通信MEMS器件的制造困难程度大大高于一般的MEMS器件。该募投项目具有研发周期长、复合型人才需求 多、技术要求高、资金投入大等特点，能否成功实施依赖于公司在关键技术领域的突破，存在研发失败的风险。因此，若相 关研发工作的进度及最终成果不及预期，可能导致公司研发投入超出预算、相关业务产生效益的时间节点推迟，对公司的经 营业绩造成不利影响。 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》 中的“集成电路业务”的披露要求 本公司从事集成电路相关业务，报告期内公司业绩对政府补助构成一定程度的依赖。 公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以733,289,072.00为基数，向全体股东 每10股派发现金红利0.35元（含税），送红股0股（含税），以资本公积金向全体股东每10 股转增0股。 目录 第一节 重要提示、目录和释义 ................................................. 1 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................... 9 第三节 管理层讨论与分析 .................................................... 14 第四节 公司治理 ............................................................ 77 第五节 环境和社会责任 ...................................................... 98 第六节 重要事项 ........................................................... 100 第七节 股份变动及股东情况 ................................................. 123 第八节 优先股相关情况 ..................................................... 139 第九节 债券相关情况 ....................................................... 140 第十节 财务报告 ........................................................... 141 备查文件目录 一、载有公司负责人、主管会计工作责任人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。 二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。 三、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 四、载有法定代表人签名的2021年年度报告文本原件。 以上备查文件备置地点：公司证券投资法务部。 释义 释义项 指 释义内容 赛微电子、公司、本公司 指 北京赛微电子股份有限公司，原名称"北京耐威科技股份有限公司"，原简称"耐威科技" 赛莱克斯国际 指 北京赛莱克斯国际科技有限公司，原为北京瑞通芯源半导体科技有限公司，系本公司全 资子公司 赛莱克斯北京 指 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司，原为纳微矽磊国际科技（北京）有限公司，系 赛莱克斯国际控股子公司 赛莱克斯、Silex 指 Silex Microsystems AB，注册在瑞典的公司，为赛莱克斯国际间接控股的全资子公司， 从事微机电系统（MEMS）产品工艺开发及代工生产业务 运通电子 指 运通电子有限公司（GLOBAL ACCESS ELECTRONICS LIMITED），为赛莱克斯国际 100%持股的在香港设立的控股型公司，持有 Silex100%的股权 瑞典 Silex 国际 指 Silex Microsystems International AB，系瑞典 Silex 的全资子公司 微芯科技 指 北京微芯科技有限公司，系本公司全资子公司 极芯传感 指 北京极芯传感科技中心（有限合伙），系微芯科技参股合伙企业 中科赛微 指 北京中科赛微电子科技有限公司，系微芯科技控股子公司 聚能海芯 指 北京聚能海芯半导体有限公司，系本公司全资子公司 聚能制造 指 北京聚能海芯半导体制造有限公司，系本公司全资子公司 海创微芯 指 北京海创微芯科技有限公司， 系微芯科技控股子公司 聚能创芯 指 青岛聚能创芯微电子有限公司，系本公司控股子公司 聚能晶源 指 聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司，系聚能创芯全资子公司 耐威时代 指 北京耐威时代科技有限公司，系本公司全资子公司 中测耐威 指 中测耐威科技（北京）有限公司，前身为北京神州半球科技有限公司，系本公司全资子 公司 光谷信息 指 武汉光谷信息技术股份有限公司，新三板挂牌公司，股份代码 430161，系本公司参股 子公司 中科昊芯 指 北京中科昊芯科技有限公司，原本公司全资子公司微芯科技参股子公司 北斗产业基金 指 湖北北斗产业创业投资基金合伙企业（有限合伙），系本公司参股合伙企业 海丝民合基金，半导体产业 基金 指 青岛海丝民合半导体投资中心（有限合伙），系本公司参股合伙企业 国家集成电路基金 指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司 飞纳经纬 指 飞纳经纬科技（北京）有限公司，系本公司控股子公司 赛微私募基金 指 北京赛微私募基金管理有限公司，原名称为北京赛微股权投资管理有限公司，系本公司 参股子公司 联星科技 指 广州联星科技有限公司，系本公司参股子公司 聚能国际 指 青州聚能国际半导体制造有限公司，系本公司参股子公司 爱集微 指 爱集微咨询（厦门）有限公司，原名称“厦门积微信息技术有限公司”，系本公司参股子 公司 火眼基金 指 海南火眼曦和股权投资私募基金合伙企业（有限合伙），系本公司参股合伙企业 思丰可科技 指 北京思丰可科技有限公司，系本公司参股子公司 吉姆西 指 吉姆西半导体科技（无锡）有限公司，系本公司参股子公司 阿基米德 指 阿基米德半导体（合肥）有限公司，系本公司参股子公司 ODI 指 境外直接投资（ODI,Overseas direct investment）是指我国企业、团体在国外及港澳台地 区以现金、实物、无形资产等方式投资，并以控制国（境）外企业的经营管理权为核心 的经济活动 FDI 指 外国直接投资（Foreign Direct Investment），是指一国的投资者将资本用于他国的生产或 经营，并掌握一定经营控制权的投资行为 SEB 指 瑞典北欧斯安银行（Skandinaviska Enskilda Banken，SEB）是瑞典银瑞达集团核心投资 的银行之一，也是北欧最大的金融集团之一 集成电路、IC 指 Integrated Circuit，一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶 体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或 介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构 IDM 指 Integrated Device Manufacturer，整合器件制造商，又称为集成器件制造商，指自行进行 芯片的设计、制造及封测，掌握芯片设计与生产制造工艺的半导体公司 MEMS、微机电系统 指 Micro-Electro-Mechanical Systems 的缩写，即微电子机械系统，简称为微机电系统，是 指由基于 Micro-machining 技术制造的微传感芯片（或微执行芯片），和控制/处理芯片 （ASIC）组成的微型电子机械系统，MEMS 能够将信息的获取、处理和执行集成在一 起，是一种将微电子技术与微机械工程融合到一起、具有多功能的工业技术及相应的集 成系统。MEMS 能够大幅度地提高系统的自动化、智能化水平 晶圆 指 硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可 加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之 IC 产品 吋 指 英寸 DRIE 指 Deep Reactive Ion Etching，深反应离子刻蚀，基于氟基气体的高深宽比的干法硅刻蚀技 术，同时使用物理与化学作用进行刻蚀。该技术不仅可将等离子的产生和自偏压的产生 分离，而且采用了刻蚀和钝化交替进行的工艺，实现对侧壁的保护，能够实现可控的侧 向刻蚀，大大提高了刻蚀的各向异性特性，是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的 一种刻蚀方法 第三代半导体材料 指 宽禁带半导体材料（Eg>2.3eV），主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、 金刚石、氮化铝（AlN）等，与第一代、第二代半导体材料相比，具有宽的禁带宽度， 高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高 温、高频、抗辐射及大功率器件 GaN 指 氮化镓，氮和镓的化合物，是一种新型半导体材料，适合于制造光电子、高温大功率器 件和高频微波器件 GaN-on-Si 指 硅基氮化镓，以硅（Si）为衬底的氮化镓外延材料 GaN-on-SiC 指 碳化硅基氮化镓，以碳化硅（SiC）为衬底的氮化镓外延材料 控股股东、实际控制人 指 杨云春 元/万元 指 人民币元/万元 证监会、中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 交易所、深交所 指 深圳证券交易所 章程、公司章程 指 北京赛微电子股份有限公司章程 报告期 指 2021年1月1日至 2021年12月31日 第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司信息 股票简称 赛微电子 股票代码 300456 公司的中文名称 北京赛微电子股份有限公司 公司的中文简称 赛微电子 公司的外文名称（如有） Sai MicroElectronics Inc. 公司的外文名称缩写（如有） SMEI 公司的法定代表人 杨云春 注册地址 北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区) 注册地址的邮政编码 100029 公司注册地址历史变更情况 不适用 办公地址 北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)、北京市北京经济技术开发 区科创八街21号院1号楼 办公地址的邮政编码 100029、100176 公司国际互联网网址 www.smeiic.com 电子信箱 [email protected] 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 张阿斌 刘波 联系地址 北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室、北 京市北京经济技术开发区科创八街21号院1号楼 北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室、北 京市北京经济技术开发区科创八街21号院1号楼 电话 010-82252103 010-82251527 传真 010-59702066 010-59702066 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、信息披露及备置地点 公司披露年度报告的证券交易所网站 深圳证券交易所 http://www.szse.cn 公司披露年度报告的媒体名称及网址 《证券时报》http://www.stcn.com、巨潮资讯网http://www.cninfo.com.cn 公司年度报告备置地点 公司证券投资法务部 四、其他有关资料 公司聘请的会计师事务所 会计师事务所名称 天圆全会计师事务所（特殊普通合伙） 会计师事务所办公地址 北京市海淀区西直门北大街52、54、56号9层南栋0101-908至912 签字会计师姓名 尚艳、张瑞 注：公司同时聘请了普华永道瑞典（PwC Sweden）对全资子公司瑞典Silex进行审计。 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构 √ 适用 □ 不适用 保荐机构名称 保荐机构办公地址 保荐代表人姓名 持续督导期间 中泰证券股份有限公司 济南市市中区经七路86号 孙涛、陈胜可 2021.9.8-2023.12.31 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问 □ 适用 √ 不适用 五、主要会计数据和财务指标 公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据 □ 是 √ 否 2021年 2020年 本年比上年增减 2019年 营业收入（元） 928,547,013.90 765,006,087.93 21.38% 717,966,331.76 归属于上市公司股东的净利润（元） 205,727,463.64 201,096,906.27 2.30% 115,438,474.87 归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润（元） 35,856,216.12 5,570,164.14 543.72% 61,676,272.73 经营活动产生的现金流量净额（元） 103,579,004.06 255,397,596.33 -59.44% 189,065,362.50 基本每股收益（元/股） 0.31 0.31 0.00% 0.18 稀释每股收益（元/股） 0.31 0.31 0.00% 0.18 加权平均净资产收益率 5.58% 6.83% -1.25% 4.52% 2021年末 2020年末 本年末比上年末增减 2019年末 资产总额（元） 7,239,642,304.26 4,775,820,168.84 51.59% 4,169,865,582.94 归属于上市公司股东的净资产（元） 5,082,992,412.37 3,082,849,283.84 64.88% 2,808,843,986.79 公司最近三个会计年度扣除非经常性损益前后净利润孰低者均为负值，且最近一年审计报告显示公司持续经营能力存在不确 定性 □ 是 √ 否 扣除非经常损益前后的净利润孰低者为负值 □ 是 √ 否 公司报告期末至年度报告披露日股本是否因发行新股、增发、配股、股权激励行权、回购等原因发生变化且影响所有者权益 金额 √ 是 □ 否 支付的优先股股利 0.00 支付的永续债利息（元） 0.00 用最新股本计算的全面摊薄每股收益（元/股） 0.2806 六、分季度主要财务指标 单位：元 第一季度 第二季度 第三季度 第四季度 营业收入 199,404,911.69 195,432,298.00 243,291,453.98 290,418,350.23 归属于上市公司股东的净利润 34,080,747.75 37,983,397.32 18,679,885.99 114,983,432.58 归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润 417,649.67 -5,908,241.70 -5,227,058.28 46,573,866.43 经营活动产生的现金流量净额 -44,453,247.41 -14,713,127.21 -44,402,502.96 207,147,881.64 上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异 √ 是 □ 否 上表中公司第三季度主要财务指标与公司已披露的《2021年第三季度报告》存在差异，此前已披露的2021年第三季度营 业收入为188,776,363.45元（经审计更正后产生的差异为54,515,090.53元）；归属于上市公司股东的净利润为15,484,513.97元 （经审计更正后产生的差异为3,195,372.02元）；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-13,986,735.25元（经 审计更正后产生的差异为8,759,676.97元）；经营活动产生的现金流量净额为-76,286,908.43元（经审计更正后产生的差异为 31,884,405.47元）。 该等差异产生的原因为公司管理层在《2021年第三季度报告》出具时点、公司聘请的年审会计师事务所在《2021年年度 报告》出具时点对耐威时代100%股权交易事项中该子公司出表具体时间的判断出现差异。 1、股权交易背景 2021年3月16日，公司召开第四届董事会第十次会议、第四届监事会第九次会议审议通过了《关于全资子公司股权转让 暨募投项目转让的议案》，同意将公司全资子公司耐威时代以37,350万元的价格转予青州市宏源公有资产经营有限公司（以 下简称“青州宏源”），该事项经公司2020年年度股东大会审议通过。2021年6月30日，公司召开第四届董事会第十三次会议、 第四届监事会第十一次会议审议通过了《关于全资子公司股权转让交易调整的议案》，对股权转让交易条款作出调整，调整 后的交易对价为18,121.71万元，该次交易事项调整已经公司2021年第一次临时股东大会审议通过。 2、《2021年第三季度报告》出具时点 根据2021年6月的交易调整方案，耐威时代原持有的导航产业基地土地使用权、房屋、建筑物及构筑物等资产不再列入 原协议项下股权转让标的范围内，而全部由公司全资子公司北京聚能海芯半导体制造有限公司承接。该等资产的转移程序涉 及外部政府主管部门及单位的审批及操作，截至2021年9月底该等程序尚未完成，同时导致以此为前置程序的工商变更登记 程序在2021年9月底也尚未完成。 公司于2021年9月底前合计收到股权转让款10,900.00万元（占总交易对价18,121.71 万元的60.15%）。 在公司《2021年第三季度报告》出具时点，管理层基于《股权转让协议》中的过渡期损益安排条款、交易对方已支付股 权受让款比例超过60%，同时基于股权转让交易中的资产转移程序及工商变更登记程序预计不存在办结障碍的合理预计，认 定耐威时代自2021年7月1日起不再纳入公司合并报表范围，并以此为基础核算并出具2021年第三季度财务数据。 3、《2021年年度报告》出具时点 公司聘请的年审会计师事务所在进行2021年年度审计时认为，截至2021年末耐威时代土地使用权、房屋、建筑物及构筑 物等资产的转移程序仍在办理中，且未如预期完成该次股权转让交易的工商变更登记，且《股权转让协议》中约定了股权交 割完成的条件，基于谨慎性原则考虑，认为该子公司截至2021年末仍应纳入公司合并报表范围。基于年审会计师事务所意见， 为更准确地反映实际情况，公司依据企业会计准则及公司会计政策，对2021年第三季度财务报表进行全面梳理、核实，对2021 年第三季度财务数据进行更正。 4、后续进展 2022年3月，该次股权转让交易中涉及的资产转移程序已全部办结，公司全资子公司北京聚能海芯半导体制造有限公司 已取得相关资产证书；北京耐威时代科技有限公司已完成该次股权转让交易的工商变更登记程序并取得新的营业执照，自 2022年第二季度开始不再纳入公司合并报表范围。 七、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 √ 不适用 公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 √ 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、非经常性损益项目及金额 √ 适用 □ 不适用 单位：元 项目 2021年金额 2020年金额 2019年金额 说明 非流动资产处置损益（包括已计提资产减值准 备的冲销部分） 106,453,005.39 122,386,741.19 43,394,695.39 计入当期损益的政府补助（与公司正常经营业 务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标 准定额或定量持续享受的政府补助除外） 130,026,164.27 129,441,805.10 7,659,900.54 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业 务外，持有交易性金融资产、交易性金融负债 产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金 融资产交易性金融负债和可供出售金融资产取 得的投资收益 7,636,559.18 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -395,456.88 -1,535,803.40 64,419.17 减：所得税影响额 34,101,359.76 19,242,253.79 4,666,184.70 少数股东权益影响额（税后） 32,111,105.50 35,523,746.97 327,187.44 合计 169,871,247.52 195,526,742.13 53,762,202.14 -- 其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况： □ 适用 √ 不适用 公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目 的情况说明 □ 适用 √ 不适用 公司报告期不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定 为经常性损益的项目的情形。 第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司所处行业情况 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求 （一）集成电路行业整体发展情况、行业政策及对公司的影响 近年来，国家颁布了多项鼓励支持集成电路行业的产业政策及措施，《集成电路产业“十二五”发展规划》，《国家集成 电路产业推动纲要》以及2015年提出的《<中国制造2025>重点领域技术路线图(2015版)》中，均把集成电路及专用设备列为 国家重点推进的战略新兴产业，其中建设特色工艺的8英寸生产线和先进封测平台也是规划要求实施的重点任务之一。2021 年是中国“十四五”开局之年，在国内宏观经济运行良好的驱动下，国内集成电路产业继续保持快速、平稳增长态势，2021 年中国集成电路产业首次突破万亿元。中国半导体行业协会统计，2021年中国集成电路产业销售额为10,458.3亿元，同比增 长18.2%。其中，设计业销售额为4,519亿元，同比增长19.6%；制造业销售额为3,176.3亿元，同比增长24.1%；封装测试业销 售额2,763亿元，同比增长10.1%。 随着万物互联与人工智能的兴起，MEMS产品种类增加、市场规模扩大，行业对产品生产周期的缩短及生产成本的降低 提出了更高要求，同时MEMS工艺研发费用迅速上升以及未来建厂费用高启促使更多的半导体厂商将工艺开发及生产相关的 制造环节进行外包，纯MEMS代工厂与MEMS产品设计公司合作开发的商业模式将成为未来主流行业业务模式。类似于传统 集成电路行业发展趋势，MEMS产业将逐步走向设计与制造分立、制造环节外包的模式。从趋势上看，全球MEMS代工业务， 尤其是纯MEMS代工业务将会快速扩张；从结构上看，纯MEMS代工业务在MEMS代工业务中所占比重将逐步升高。 2012年至今，公司在全球MEMS代工厂营收排名中一直位居前五，2019及2020年则跃居第一，与TELEDYNE DALSA、 台积电（TSMC）、索尼（SONY）、XFAB、意法半导体（STMicroelectronics）等厂商持续竞争，长期保持在全球MEMS 晶圆代工第一梯队。 公司当前的核心业务为MEMS工艺开发及晶圆制造，因此，基于该细分行业整体发展长期向好的态势以及国家的长期战 略政策支持，公司MEMS业务的进一步发展将继续拥有良好的产业发展及政策支持环境。 （二）MEMS主流技术水平、市场需求变化及对公司的影响 根据Yole Development的研究预测，全球MEMS行业市场规模将从2020年的121亿美元增长至2026年的约182亿美元， CAGR达7.2%，通讯、生物医疗、工业汽车及消费电子的应用增速均非常可观，其中通讯领域的增长率最高。预计到2026 年，10亿美元以上的MEMS细分领域包括射频MEMS（40.49亿美元）、MEMS惯性器件（40.02亿美元）、压力MEMS（23.62 亿美元）、麦克风（18.71亿美元）以及未来应用（13.63亿美元）。 MEMS的生产制造使用了包括体微机械加工和表面微机械加工在内的微细加工技术，并结合沉积、光刻、键合、刻蚀等 集成电路工艺，在硅片上实现微型机械三维结构的构建，在保留器件机械性能的基础上大幅缩减了机械体积、降低了能耗并 提高了机械可靠性，同时可批量生产，大大降低生产成本。公司长期保持在全球MEMS晶圆代工第一梯队，同时代表着业内 主流技术水平。公司拥有覆盖MEMS领域的全面工艺技术储备，关键技术已经成熟并经过多年的生产检验，TSV、TGV、SilVia、 MetVia、DRIE及晶圆键合等技术模块行业领先。公司的核心工艺及技术水平状况如下： 核心工艺模块 对应的生产环节 效果/作用 技术水平 硅通孔技术SilVia.TSV 芯片互连、CMOS-MEMS 集成、先进封装 在先进的三维集成电路中实现多层芯片之间 的互联，能够在三维方向使得堆叠度最大而外 形尺寸最小，提升芯片速度和低功耗性能 国际领先 硅通孔金属层MetVia.TSV 国际领先 玻璃通孔MetVia.TGV 国际领先 深反应离子刻蚀DRIE 刻蚀 在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔 国际领先 晶圆键合 Wafer Bonding 键合与退火 将晶圆相互结合，使表面原子相互反应，产生 共价键合，让其表面间的键合能达到一定强 度，使晶片间无需媒介物而纯由原子键结为一 体 国际领先 压电材料 Piezo material 材料应用 利用压电材料受压力作用在两端面间出现电 压的特性，实现机械能和电能的互相转换 相对领先 MEMS磁性材料MagMEMS 材料应用 磁性材料内部由于磁化状态的改变而引起长 度变化，实现磁能和电能的互相转换 相对领先 聚合物材料Polymer 材料应用 聚合物增强了断裂强度、具有低杨氏模量、延 长断裂时间和相对低成本，其具有惰性和生物 相容的特点，适于生物和化学应用 相对领先 无铅焊锡电镀Plating solders 电镀 利用电解作用使金融或其他材料的表面附着 一层金属膜，从而防止腐蚀，并提高耐磨性、 导电性、反光性等 相对领先 封帽Capping 圆片封盖密封 形成机械结构所需的真空空间并保护晶圆避 免受到机械刮伤、高温破坏 相对领先 由于MEMS应用场景及产品种类的多样性，对MEMS制造工艺的需求也体现出高度的定制化与复杂性，公司熟练掌握的 硅通孔（TSV）工艺技术、玻璃通孔（TGV）工艺技术举例图示如下： 硅通孔（TSV）工艺技术图示 数据来源：半导体行业观察，瑞典Silex 压电材料（PTZ）工艺技术图示 数据来源：赛微电子，瑞典Silex 因此，在市场需求保持旺盛态势、公司代表着业内主流技术水平的情况下，公司MEMS业务的进一步发展拥有良好的市 场及竞争要素。 （三）MEMS核心技术、成本控制及公司竞争优劣势 MEMS代工业务的本质是通过集成电路大规模、标准化工艺技术，实现各类传感器件的低成本制造，同时实现小体积与 低功耗。作为全球领先的MEMS纯代工厂商，公司MEMS工艺开发及晶圆制造业务的主要生产技术类别及环节与其他竞争厂 商相比并无重大差异，公司的竞争优势更多地体现在通过长期实践，在制造工艺中集成了大量的专利技术（IP)和技术诀窍 （Know-how）。MEMS代工涉及的主要生产技术类别及环节具体如下： 主要技术 具体内容 使用的设备或技术 光刻 除去晶圆表面薄膜的特定部分，主要分为涂胶、曝光、显影、 去除等步骤 步进式光刻机、接触式光刻机 键合 通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料 紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅 加工相结合，被用于MEMS的加工工艺中 阳极/熔融/热压/共晶键合 氧化退火 氧化是在硅上形成二氧化硅，退火提高了温度使注入的掺杂 剂离子从晶格间迁移到晶格点 FGA氧化退火炉 沉积 采用物理和化学等方法在晶圆表面或近表面形成薄膜 金属溅射机、二氧化硅/氮化硅等离子增强化 学气相沉积、物理气相淀积 干法刻蚀 干法刻蚀的刻蚀剂为等离子体，利用等离子体和表面薄膜反 应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工 艺 深反应离子刻蚀（博世工艺）；二氧化硅/氮 化硅/多晶硅/聚酰亚胺薄膜刻蚀、螺旋波等离 子体源二氧化硅刻蚀 湿法刻蚀 通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质 剥离下来的刻蚀方法 KOH溶液湿法硅刻蚀、HNA系统湿法硅刻蚀、 氮化硅湿法刻蚀 量测 对加工中集体的电性/机械/化学/形貌/尺寸等参数进行测量， 用于控制工艺参数、较调生产设备、分析失效因素和验证基 本功能 6吋及8吋全自动探针机台、显微镜 切割 使用高速旋转的晶圆切割设备采用磨削的方式切割晶圆，以 使晶粒间得以切割分离 全自动晶圆切割机 MEMS制造上连产品设计，下接产品封测，是MEMS产业链中必不可少的一环。MEMS产品类别多样、应用广泛，客户 定制化程度非常高，其生产采用的微加工技术强调工艺精度，属于资金、技术及智力密集型行业。与CMOS相比，MEMS代 工行业呈现出多品种、小批量的特点，同时对代工厂商的成本控制能力提出极高要求。报告期内，公司MEMS业务综合毛利 率达到46.69%，子公司瑞典Silex的净利率达到28.35%。 作为全球领先的MEMS纯代工厂商，公司在MEMS业务成本控制方面具有如下特点： A、形成了标准化、结构化的工艺模块 虽然MEMS产品的特殊性要求制造者为每种产品开发独特的工艺流程，但实践中许多工艺步骤是可为多种器件通用的。 公司以最大化利用工程资源为目标，提炼出多种可重复使用的工艺制程模块，将这些模块类别命名为“SmartBlock”。标准工 艺模块作为工艺集成规划的起点，再对单个产品的关键工艺开发、调整和优化，最后对单个产品开发特殊工艺或材料。标准 化的工艺模块加上调整优化后的关键工艺和特殊工艺能直接整合客户的产品，实现工艺标准化和规模量产定制化相结合。 B、丰富的项目开发及代工经验 公司在历史经营期内参与了400余项MEMS工艺开发项目，与下游客户开展广泛合作，代工生产了包括微镜、光开关、 片上实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种MEMS产品。长期实 践中，公司严格按照新产品导入流程（NPI）进行项目管理，在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理；公司团 队自主开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制，形成了一套行之有效的MEMS代工厂运营管理 办法。 C、新建产线的初期状态 由于公司北京FAB3属于新建产线，报告期内仍处于运营初期、从零开始进行产能爬坡，面临着持续扩大的折旧摊销压 力，工厂运转及人员费用也在持续增长，客观上必须经历投入成本与收入回报严重不匹配的时期，公司相应的成本控制手段， 一方面根据规模量产工厂的定位要求建立成本控制体系，另一方面则是积极扩大产品范围及客户群体，通过规模效应来实现 边际业务成本的降低。 （四）所属行业的发展阶段 根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》及《国民经济行业分类》，公司MEMS、GaN业务所属行业为“计算 机、通信和其他电子设备制造业”（行业代码C39）。 1、MEMS行业 MEMS是微电路和微机械按功能要求在芯片上的一种集成，基于光刻、腐蚀等传统半导体技术，融入超精密机械加工， 并结合力学、化学、光学等学科知识和技术基础，使得一个毫米或微米级的MEMS具备精确而完整的机械、化学、光学等特 性结构。MEMS行业系在集成电路行业不断发展的背景下，传统集成电路无法持续地满足终端应用领域日渐变化的需求而成 长起来的。随着微电子学、微机械学以及其他基础自然科学学科的相互融合，诞生了以集成电路工艺为基础，结合体微加工 等技术打造的新型芯片。随着终端应用市场的扩张，使得MEMS应用越来越广泛，产业规模日渐扩大，日趋成为集成电路行 业的一个新分支。 2、GaN行业 第三代半导体材料及器件主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料及在其基础上开发制造的相应器件，因其 禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs） 相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功 率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。随着5G时代的到来以及绿色低碳发展的理念与实践，第三代半导体材料 及器件即将迎来巨大的市场应用前景。 公司半导体业务所处行业正处于成长阶段，且均属于国家鼓励发展的行业，发展前景广阔。 （五）所属行业的周期性特点 1、MEMS行业 集成电路行业处于电子产业链的上游，其发展受到下游终端应用的深刻影响，其行业发展速度与全球经济增速正相关， 呈现出周期性的波动趋势。近年来，随着行业分工的深化，集成电路设计、制造及封测各环节专业化程度显著提高，行业整 体能够更加准确的把握需求变动趋势、更有计划地控制产能规模及资本性支出、更加及时地对市场变化做出反应及修正；同 时，集成电路产业在社会其他行业的渗透日益深入，终端消费群体基数庞大，一定程度上抵消了经济周期的影响。集成电路 行业整体的周期性波动日趋平滑。MEMS行业作为基于集成电路技术演化而来的新兴子行业，其周期性与集成电路行业相似； 同时由于MEMS技术具有前沿性、创造性，其技术和产品的更新迭代将为下游市场注入活力，并引导下游突破现有瓶颈限制、 拓宽终端应用范围，推动社会经济有机增长，故其行业周期性波动风险可得到有效降低。 2、GaN行业 第三代半导体行业是在硅基电力电子器件逐渐接近其理论极限值背景下催生新一代电子信息技术革命的新兴行业，行业 整体发展受技术进展情况及下游新兴半导体材料及器件应用需求所影响。目前，从全球发展情况来看，第三代半导体材料及 器件具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点，拥有广阔的应用前景，行业整体属于初创期，但基于GaN技术的器件 及材料应用案例已不断涌现。 公司半导体业务所处行业必然受到宏观经济周期的影响，但由于行业正处于成长阶段，所处的微观驱动环境各有不同， 且正是推动全球经济发展的新兴力量，其中MEMS、GaN业务更是技术变更与竞争的新兴领域，因此在当前阶段，该等行业 更多受自身发展周期的影响，受宏观经济周期的直接影响有限。 （六）公司所处的行业地位 1、MEMS业务 公司全资子公司瑞典Silex是全球领先的纯MEMS代工企业，服务于全球各领域巨头厂商，且公司正在瑞典扩充产能，同 时北京“8英寸MEMS国际代工线”已投入运营，有望继续保持纯MEMS代工的全球领先地位。根据世界权威半导体市场研究 机构Yole Development的统计数据，2012年至今，瑞典Silex在全球MEMS代工厂营收排名中一直位居前五，与意法半导体 （STMicroelectronics）、TELEDYNE DALSA、台积电（TSMC）、索尼（SONY）等厂商持续竞争，2019及2020年在全球 MEMS纯代工厂商中位居第一。随着公司境内外新增产线及产能的陆续建设及投入使用，公司将继续保持在全球MEMS产业 竞争中的第一梯队。 2、GaN业务 公司相关技术团队具备第三代半导体材料与器件，尤其是氮化镓（GaN）外延材料及器件的研发生产能力，在研制8英 寸硅基氮化镓外延晶圆方面具备业界领先水平，已陆续研发、推出不同规格的产品及应用方案，同时已与境内外产业链上下 游公司达成良好合作，公司属于行业的新进入者和竞争者，正在积极把握住产业发展机遇、积累业务竞争要素、奠定自身的 行业地位。 二、报告期内公司从事的主要业务 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求 （一）主要业务 公司是全球领先、国际化运营的高端集成电路晶圆代工生产商，也是国内拥有自主知识产权和掌握核心半导体制造技术 的特色工艺专业晶圆制造商。公司在国内外拥有多座中试平台及量产工厂，业务遍及全球，服务客户包括国际知名的 DNA/RNA 测序仪、光刻机、计算机网络及系统、硅光子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头厂商以及细 分行业的领先企业，涉及产品范围覆盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等诸多领域。公司同时正在打造先进的晶圆 级封装测试能力，致力于为客户提供从工艺开发、晶圆制造到封装测试的系统化高端制造服务，努力发展成一家国际化经营 的知名半导体制造领军企业。 报告期内，公司从事的主要业务包括MEMS工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长及芯片设计，以及因剥离未完成而 被动延续的部分原有业务；与此同时，公司围绕半导体主业开展产业投资布局，对实体企业、产业基金进行参股型投资。 报告期内，为公司贡献业绩的具体业务主要为MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造。 1、MEMS业务 公司现有MEMS业务包括工艺开发和晶圆制造两大类： 公司MEMS工艺开发业务是指根据客户提供的芯片设计方案，以满足产品性能、实现产品“可生产性”以及平衡经济效益 为目标，利用工艺技术储备及项目开发经验，进行产品制造工艺流程的开发，为客户提供定制的产品制造流程。 公司MEMS晶圆制造业务是指在完成MEMS芯片的工艺开发，实现产品设计固化、生产流程固化后，为客户提供批量晶 圆制造服务。 MEMS是指利用半导体生产工艺构造的集微传感器、信号处理和控制电路、微执行器、通讯接口和电源等部件于一体的 微米至毫米尺寸的微型器件或系统；MEMS将电子系统与周围环境有机结合在一起，微传感器接收运动、光、热、声、磁等 信号，信号再被转换成电子系统能够识别、处理的电信号，部分MEMS器件可通过微执行器实现对外部介质的操作功能。 2、GaN业务 公司现有GaN业务包括外延材料和芯片设计两个环节： 公司GaN外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍，根据既定技术参数或客户指定参数，通过MOCVD设备生长并对 外销售6-8英寸GaN外延材料。 公司GaN芯片设计业务是指基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片，向下游客户销售并提供相关应用方案。 GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材 料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高 饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。 报告期内，公司仍阶段性开展原有导航业务，包括惯性导航系统和卫星导航板卡两大类。 （二）经营模式 1、MEMS业务 以成熟商业化运营的MEMS产线为基础，以专业技术及生产团队、核心专利技术、核心工艺设备、二十多年400余项工 艺开发项目经验为条件，通过为客户开发并确定特定MEMS芯片的工艺及制造流程获得工艺开发收入，通过为客户批量制造 MEMS晶圆获得代工生产收入。 2、GaN业务 以6-8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）等新型材料与器件技术为基础，以专业技术及生 产团队为条件，通过向GaN（氮化镓）器件设计、制造厂商研发、生产并销售外延材料，向通讯设备、数据中心、新型电源、 智能家电等厂商研发、设计并销售氮化镓（GaN）器件获得一次性销售收入。 报告期内，公司仍阶段性开展原有导航业务，均以技术开发-核心器件-系统集成能力为基础，以专业技术及生产团队等 为条件，通过向相关设备制造商、科研院所、具体应用厂商等用户研发、生产并销售软、硬件产品获得一次性销售收入。 （三）主要业绩驱动因素 1、MEMS业务 随着物联网生态系统的逐步发展落地、MEMS终端设备的广泛拓展应用、MEMS产业专业化分工趋势的不断演进，源自 通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域的MEMS芯片工艺开发及晶圆制造需求不断增长；公司全资子公司瑞典Silex 是全球领先的纯MEMS代工企业。 公司能够制造流量、红外、加速度、压力、惯性等多种MEMS传感器，微流体、微超声、微镜、光开关、硅麦克风、 RF射频等多种器件以及各种MEMS基本结构模块，公司MEMS晶圆产品的终端应用涵盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消 费电子等领域。 2、GaN业务 GaN材料及芯片具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点，拥有广阔的应用前景；公司拥有业界领先的研发及生 产团队，自主掌握GaN外延材料生长的工艺诀窍并积累了丰富的GaN功率及微波芯片设计经验。 公司在GaN外延材料方面拥有一条6-8英寸GaN外延材料产线（一期），具备了相关研发、生长条件，已与下游客户建 立合作，形成产品序列并推向市场，形成正式销售。公司在GaN器件设计方面已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及 应用方案，同时正在推动微波器件产品的研发，已形成产品序列并推向市场，已形成正式销售。 报告期内，因业务剥离未完成，公司被动延续部分原有导航业务，业绩影响有限。 （四）报告期内集成电路制造业务情况 1、晶圆厂基本情况 报告期内，公司在瑞典拥有一座成熟运转的MEMS晶圆工厂，内含两条8英寸产线；在北京拥有一座处于建成运营初期、 具备规模产能的MEMS晶圆工厂，内含一条8英寸产线；该两座晶圆工厂均处于持续扩产状态，其中瑞典产线主要是添购部 分设备以满足相关客户的订单需求；北京产线则主要是从当前的1万片/月向3万片/月产能扩充。 报告期内，公司在山东青岛拥有一条8英寸GaN外延晶圆产线。 上述MEMS及GaN产线的基本情况如下： 晶圆产线 产品制程 总体产能（片晶圆/年） 产能利用率 生产良率 瑞典8英寸MEMS产线（FAB1&FAB2） 0.25um-1um 84,000 56.61% 71.96% 北京8英寸MEMS产线（FAB3） 0.25um-1um 30,000 14.07% 87.35% 青岛8英寸GaN外延晶圆产线 - 10,000 10.13% 99.27% 注：1、瑞典FAB1&FAB2的定位属于中试+小批量产线，其产能利用率及生产良率均受到工艺开发业务的影响，工艺开发对产 线的产能利用率天然低于晶圆制造业务，且由于属于开发试验阶段，生产良率并非是产线与客户双方所注重的考虑因素。 2、北京FAB3的定位属于规模量产线，其生产良率水平较高，在瑞典ISP审查并最终否决了公司瑞典FAB1&FAB2与北京FAB3技 术交易的背景下，其自2021年第二季度末才开始实现正式生产，根据第一阶段5,000片晶圆/月、6个完整月计算的实际产能 为30,000片晶圆/年，其产能利用率较低的原因是处于产线建成运营初期，面向客户需求产品的工艺开发、产品验证及批量 生产需要经历一个客观的过程。 3、受限于GaN芯片合作代工产能不足，公司GaN业务潜能尚未得到释放，显著影响了自身业务对GaN外延晶圆的需求，因此GaN 业务旗下青岛8英寸GaN外延晶圆产线的产能利用率处于较低水平；但由于公司GaN业务团队掌握了成熟的硅基GaN外延材料生 长技术，其生产良率高达99.27%。 4、由于MEMS属于集成电路的特色工艺分支，考验制造厂商水平的主要因素是工艺、三维结构与功能，而不是单纯地追求细 线宽线距（二维）；此外，由于MEMS晶圆常常是2个以上的晶圆键合在一起，因此上表产能数据中的单片“晶圆”数在多数 情况下为复合晶圆的个数。即一个MEMS“晶圆”所蕴含的硅（或玻璃）晶圆数相当于多个（2个以上）普通CMOS晶圆，这大 幅增加了制造的难度和复杂性。 5、单片晶圆可以制造的MEMS芯片颗数因产品不同而存在巨大差异，平均而言每张8英寸晶圆可以产出大约为6英寸晶圆2倍数 量的芯片，每张12英寸晶圆可以产出大约为8英寸晶圆2.25倍数量的芯片。 2、特色生产工艺情况 MEMS属于集成电路行业中的特色工艺。公司MEMS业务经营采用“工艺开发+代工生产”的模式。“工艺开发（NRE）” 模式，即MEMS代工厂商根据客户提供的芯片设计方案，以满足产品性能、实现产品“可生产性”以及平衡经济效益为目标， 利用工艺技术储备及项目开发经验，进行产品制造工艺流程的开发，为客户提供定制的产品制造流程；“代工生产（Foundry）” 模式则是MEMS代工厂商在完成MEMS产品的工艺开发，实现产品设计固化、生产流程固化后，为客户提供MEMS产品的批 量代工生产服务。 MEMS工艺开发过程示意图 MEMS晶圆制造基本工艺步骤 数据来源：赛微电子 3、在建晶圆厂或产线情况 2021年6月10日，公司与国家集成电路基金共同投资的赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司在北京经济技术开发区建 成的“8英寸MEMS国际代工线”（北京FAB3）一期规模产能（1万片/月）正式启动量产，公司全资子公司赛莱克斯国际、国 家集成电路基金分别持有项目公司赛莱克斯北京70%、30%股权，该座晶圆厂定位于规模生产8英寸MEMS晶圆，可服务下 游消费电子、通讯、工业汽车及生物医疗等领域的全球客户。截至报告期末，该条产线正在持续推进MEMS硅麦、惯性器件、 电子烟开关、BAW（含FBAR）滤波器等不同类别、不同型号产品的工艺开发及产品验证。 截至报告期末，公司瑞典FAB1&FAB2出于业务需要，通过添购关键设备继续提升现有产线的整体产能；公司北京FAB3 在继续推进一期规模产能（1万片/月）爬坡的同时，继续开展二期规模产能（2万片/月）的建设。 报告期内，公司参股子公司聚能国际仍在推进GaN芯片制造产线一期产能（5000片/月）的建设。 （五）所属细分行业 根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》及《国民经济行业分类》，公司MEMS、GaN业务所属行业为“计算 机、通信和其他电子设备制造业”（行业代码C39）。 1、MEMS行业：MEMS是微电路和微机械按功能要求在芯片上的一种集成，基于光刻、腐蚀等传统半导体技术，融入 超精密机械加工，并结合力学、化学、光学等学科知识和技术基础，使得一个毫米或微米级的MEMS具备精确而完整的机械、 化学、光学等特性结构。MEMS行业系在集成电路行业不断发展的背景下，传统集成电路无法持续地满足终端应用领域日渐 变化的需求而成长起来的。随着微电子学、微机械学以及其他基础自然科学学科的相互融合，诞生了以集成电路工艺为基础， 结合体微加工等技术打造的新型芯片。随着终端应用市场的扩张，使得MEMS应用越来越广泛，产业规模日渐扩大，日趋成 为集成电路行业的一个新分支。 2、GaN行业：第三代半导体材料及器件主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料及在其基础上开发制造的 相应器件，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si） 和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电 子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。随着5G时代的到来及物联网产业的发展，第三代半 导体材料及器件即将迎来巨大的市场应用前景。 公司MEMS、GaN业务所处行业正处于成长阶段，且均属于国家鼓励发展的行业，同时也是国家“十四五”规划纲要中的 科技前沿攻关领域，发展前景广阔。 （六）宏观需求分析 1、MEMS行业： 全球传感器行业市场规模达数千亿美元，而基于MEMS工艺批量生产的传感器件凭借其功耗低、体积小、性能出色等特 点可以在各个行业和领域应用并逐步对传统传感器件进行替代。预计未来随着MEMS产品应用领域的不断延伸，其市场规模 将迅速扩大。在移动终端上，硅麦克风、惯性传感器已被广泛采用，且耗用量仍在不断上升；另外，随着MEMS产品在医疗 设备、工业设备、汽车电子、消费类电子等领域应用的推广和普及，市场对超声、压力、微针、芯片实验室、红外、硅光子、 射频前端、振镜、超声波换能、气体等MEMS器件的需求也在迅速提升；此外，物联网、可穿戴等创新设备对器件形态便捷 化、微型化需求也将成为推动MEMS发展的新力量。 MEMS器件目前被广泛应用于消费电子、汽车电子、工业与通讯、生物与医疗等行业。受益于5G通信、人工智能、移 动互联网（智慧城市、智慧医疗、智慧安防）、光电通信、自动工业控制等市场的高速成长，MEMS行业发展势头强劲。根 据Yole Development的研究预测，全球MEMS行业市场规模将从2020年的121亿美元增长至2026年的约182亿美元，CAGR达 7.2%，通讯、生物医疗、工业汽车及消费电子的应用增速均非常可观，其中通讯领域的增长率最高。预计到2026年，10亿 美元以上的MEMS细分领域包括射频MEMS（40.49亿美元）、MEMS惯性器件（40.02亿美元）、压力MEMS（23.62亿美元）、 麦克风（18.71亿美元）以及未来应用（13.63亿美元）。 2、GaN行业： 近年来，随着物联网、云计算、人工智能、新能源汽车等领域的高速发展，对电能的消耗急剧增加，要求功率电子系统 具有更高的能量转换效率以及更小的体积；同时，随着5G通信时代的来临，要求更快的数据传输速度、更低的传输延迟、 更高的数据密度和增强高速应用等。而GaN由于具有特殊的材料压电效应，具备高频、高功率特性，在功率及微波领域均拥 有巨大的需求潜力。根据Yole Development的研究预测，2022年GaN功率器件市场规模将达到4.5亿美元，2019至2022年的年 复合增长率将高达91%；至2023年，GaN微波器件市场规模将达到13.2亿美元，2017至2023年的年复合增长率可达22.9%。 （七）国内外主要行业公司 1、MEMS业务： MEMS芯片制造处于产业链的中游，该行业根据设计环节的需求开发各类MEMS芯片的工艺制程并实现规模生产，兼具 资金密集型、技术密集型和智力密集型的特征，对企业资金实力、研发投入、技术积累等均提出了极高要求。经历汽车电子、 消费电子、物联网三次发展浪潮，MEMS芯片制造行业已形成较为稳定的市场竞争格局，意法半导体（STMicroelectronics）、 TELEDYNE DALSA、瑞典Silex、台积电（TSMC）、索尼（SONY）、X-FAB长期保持在全球MEMS代工第一梯队，合计 占据着超过65%的市场份额。截至目前，公司控股子公司赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司在北京投资建设的规模量产线“8 英寸MEMS国际代工线”已投入运营，此外国内正在建设运营MEMS代工线的公司主要有上海先进半导体制造股份有限公司、 无锡华润上华科技有限公司、中芯集成电路制造(绍兴)有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、杭州士兰微电子股份 有限公司等。 2、GaN业务： 第三代半导体材料及器件是全球战略竞争的新领域，美国、日本、欧洲正在积极进行战略部署，我国也正在积极推进。 GaN业务是目前集成电路产业中不多的不存在显著代差的领域，且国内市场拥有巨大的需求及进口替代潜力。目前主要的 GaN功率器件厂商有英飞凌（Infeneon）、GaN systems、纳微（Navitas）、宜普（EPC）、德州仪器（TI）、Transphorm、 Exagan等；主要的GaN微波器件厂商有科锐（Cree）、Qorvo、Macom、NXP、住友（Sumitomo）等；主要的外延材料厂商 有日本住友、日本信越、富士电机、台湾汉磊等。截至目前，国内从事GaN外延材料以及功率、微波器件业务的厂商主要有 苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、英诺赛科(珠海)科技有限公司等。 （八）发展战略及经营计划 1、MEMS业务： 公司的长期发展战略为：由于当前国际局势紧张及日趋复杂化，经济全球化与国际产业链分工协作面临着可能的挑战， 公司同时在境内外布局建立兼具“工艺开发”与“晶圆制造”功能的代工服务体系，继续满足差异化的全球市场需求。 公司当前的经营计划为：继续推动旗下MEMS业务资源的融合，由赛莱克斯国际统筹公司MEMS业务资源；北京8英寸 MEMS国际代工线已建成运营，公司在瑞典和中国两地拥有8英寸MEMS产线，同时北京产线更是可以提供标准化规模产能， 有利于公司进一步拓展全球市场尤其是亚洲市场，结合先进工艺与规模产能，更好地为下游客户服务；同时积极推动境内外 产线的产能及良率爬坡，继续扩大公司MEMS业务的竞争优势，继续保持在MEMS纯代工领域的全球领先地位。 2、GaN业务： 积极把握第三代半导体产业发展及国产替代的发展机遇，加快GaN外延材料的研发，在已形成产品序列并推向市场的情 况下，继续推动外延材料生长工艺的成熟化和批量化；加快GaN功率及微波器件的研发及应用方案开发，已形成产品序列并 推向市场的情况下，进一步保障产能与供应链稳定，以更好地服务客户需求。 （九）报告期内的新产品或新工艺 1、MEMS业务：继续投入研发，继续升级硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）、晶圆键合、深反应离子刻蚀等多项工 艺技术和工艺模块，一方面为持续提高产线技术水平，满足不断新增的MEMS工艺开发及晶圆制造需求；另一方面基础工艺 技术的积累也将有利于北京8英寸MEMS产线扩大服务产品品类、推进产能及良率爬坡。截至目前，该等工艺开发升级活动 仍在持续进行中，将随着业务规模的增长不断应用并成熟，最终将有利于加强公司在MEMS代工领域的国际领先竞争力。 2、GaN业务：继续投入研发，推动6-8英寸GaN外延材料生长工艺的成熟化；推动GaN功率及微波器件产品及应用方案 的开发。截至目前，该等工艺、产品开发活动仍在持续进行中，且部分已通过客户验证并推向市场，部分继续推进客户验证 及市场检验，最终将有利于公司GaN业务的进一步发展，把握GaN产业的发展机遇。 三、核心竞争力分析 报告期内，公司持续进行技术创新和市场拓展，加大研发投入，核心竞争力得到进一步提升和扩大，主要表现在如下方面： 1、突出的全球竞争优势 公司MEMS、GaN业务均直接参与全球竞争且具备突出的竞争优势，其中公司MEMS业务发展积累了20年，拥有世界先 进的纯MEMS代工工艺及正在扩张的代工产能，在2019及2020年全球MEMS纯代工厂商排名中Silex均位居第一。公司拥有业 内领先的GaN技术团队，长期从事宽禁带化合物半导体材料与芯片的设计、制造、测试和应用技术研究及产业化工作，直接 与全球一线厂商进行竞争。 2、自主创新及研发优势 公司坚持自主创新战略，公司研发团队围绕MEMS、GaN业务的关键技术进行了深入系统研究，自主研发并掌握了相关 工艺核心技术及相关产品的软硬件设计核心技术，不断扩大自主创新及技术研发成果。截至本报告期末，公司拥有各项国际 /国内软件著作权132项，各项国际/国内专利164项，正在申请的国际/国内专利39项（集成电路相关商标、软著及专利明细列 表详见本报告第三节“四、主营业务分析”之“4、研发投入”）。凭借技术研发经验和人才优势，公司具备承担重要科研项目 的能力，在MEMS工艺开发、晶圆制造等领域均积累了超过20年的丰富研发经验，在GaN等领域也正在依托成熟技术团队迅 速积累创新及研发能力。 3、高端人才优势 公司MEMS、GaN业务所属行业均为国家鼓励发展的高新技术产业及战略新兴产业，专业的技术团队以及具有丰富从业 经验、对行业有深刻理解的管理层是企业可持续发展的保障。公司MEMS、GaN业务均拥有业界一流的专家与工程师团队， 其中包括多名国家特聘专家、十数名国际国内行业知名技术专家、数十名来自著名半导体企业和高校科研院所的技术团队以 及专家顾问团队。截至本报告期末，公司拥有博士41名，硕士193名，合计占公司总人数的26.71%；公司研发及技术人员合 计361人，占公司总人数的41.21%。在MEMS领域，公司核心技术团队均是资深专业人士，服务公司多年且经验丰富，CEO、 首席技术专家和核心产品组经理从业时间均超过10年；在GaN领域，公司核心技术团队从业经验丰富，具备把握市场机遇、 推动产品落地及产业化的能力。 4、先进制造、工艺技术及项目经验优势 在MEMS方面，公司掌握了硅通孔、晶圆键合、深反应离子刻蚀等多项在业内具备国际领先竞争力的工艺技术和工艺模 块。Silex拥有目前业界最先进的硅通孔绝缘层工艺平台（TSI），通过MEMS技术在硅晶片上形成电介质隔离区域，利用DRIE 实现刻蚀高宽比和垂直侧壁，在硅片中形成沟槽并延伸贯通整个硅片，经过TSI处理后的晶圆将单晶硅用高质量的绝缘沟槽 进行隔离。截至目前，公司在MEMS领域已有10年以上的量产历史、生产过超过数十万片晶圆、100多种不同的产品，技术 可以推广移植到2.5D和3D圆片级先进封装平台。 公司在经营期内参与了400余项MEMS工艺开发项目，与下游客户开展广泛合作，代工生产了包括微镜、光开关、片上 实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种MEMS产品。长期实践中， 公司严格按照新产品导入流程（NPI）进行项目管理，在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理；公司团队自主 开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制，形成了一套行之有效的MEMS代工厂运营管理办法。 5、境内外业务“双循环”体系优势 MEMS 属于集成电路行业中的特色工艺，公司 MEMS 业务经营采用“工艺开发+晶圆制造”的模式。由于当前国际局势 紧张及日趋复杂化，经济全球化与国际产业链分工协作面临着可能的挑战，2021年10月公司瑞典子公司向中国子公司提供 MEMS 生产制造技术支持的许可被瑞典战略产品检验局（the Swedish Inspectorate of Strategic Products，简称为 ISP）否决。 虽然公司当前MEMS业务仍面向全球市场，但为应对未来可能的不利挑战，公司正同时在境内外布局兼具“工艺开发”与“晶 圆制造”功能的代工服务体系。 在中国境外，基于瑞典Silex成熟的中试线，公司积极扩充瑞典产线，同时正计划通过收购Elmos位于德国的汽车芯片制 造产线，迅速扩充可兼容MEMS的规模产能，大幅提高境外规模量产能力。在中国境内，依托于已建成的北京FAB3，一方 面继续扩充产能、规划面向未来需求的规模量产线（合肥FAB6）；另一方面规划在中国境内建设独立自主的 MEMS 中试 线（怀柔 FAB7），通过提供工艺开发及小批量代工服务，为境内MEMS规模量产线储备并导入相应的客户及产品，最终同 时提高境内的工艺开发及规模量产能力。同时公司GaN业务也正在致力于逐步建设从基础技术、知识产权、核心团队到股权 架构、供应体系各方面均能实现自主可控的“全本土化”产业链生态。 6、正在逐步建立的一体化服务优势 相对于IC（Integrated Circuit,集成电路，一种微型电子器件或部件）产品的封装测试，MEMS的封装测试面对的是一个 需要与外界环境进行交互的器件或系统，在专用性、复杂性、保护性及可靠性等多方面存在其独特性，整体而言更为复杂且 难度更高，MEMS封装测试也因此具有更高的附加值。公司当前已具备先进封装的核心发展要素，掌握 TSV（硅通孔）等 三维系统集成所必须的首要工艺，拥有目前业界领先的 TSV绝缘层工艺和制造平台；公司拥有庞大且不断增长 MEMS 客户 基础，具备拓展 MEMS封装测试业务的技术研发实力及一定的技术、人员储备。因此，出于MEMS产业发展趋势以及自身 发展战略需要，依托公司在MEMS代工制造领域的全球领先竞争优势，公司正积极在MEMS产业链向下游进行延伸拓展，公 司拟建设MEMS先进封装测试能力，面向硅麦克风、压力、惯性、光学、RF、生物医疗等MEMS器件提供先进集成封装、 测试服务，在市场需求增长的背景下，充分利用业务间的高度相关性与紧密性，逐步建立从工艺开发到晶圆制造再到封装测 试的一体化服务能力。 7、专业资质优势 由于性能及工艺的独特性，MEMS产品的工艺开发周期较长，视产品结构、技术要求及材料应用的不同，开发期间从数 月至数年不等，期间代工厂商需要与客户持续交互反馈，客户的粘性及厂商转换成本均非常高，公司MEMS业务主要服务全 球各领域巨头客户，公司瑞典FAB1&FAB2产线满足该等厂商对供应商的苛刻资质认证要求，且有利于将已有的资质优势拓 展至新的生产平台。公司北京FAB3产线正在结合业务需要推进各项管理系统的认证，包括ISO9001、ISO14001、ISO45001、 ISO27001、IATF16949、QC08000等。与此同时，公司GaN业务起点较高，自相关业务子公司设立之日起便重视资质认证工 作，拥有完整的环境、安全、特殊原材料、进出口资质和ISO认证。 8、优质客户资源优势 在MEMS领域，从北美科技之都到英伦学术重镇，从欧洲制造强国到亚洲新兴经济，从尖端生命科学到日常娱乐消费， 从成熟行业巨头到创新创意团队，公司MEMS客户遍布全球，产品覆盖了通讯、生物医疗、工业科学、消费电子等诸多领域， 尤为特别的是，公司作为同时具备先进工艺开发能力的纯MEMS代工企业，在服务巨头企业的同时，一直耐心陪伴众多创业 型团队或公司，并且通过多年的相互紧密协作，不断有各领域的新兴公司陆续从工艺开发阶段向批量生产甚至规模量产阶段 切换，且受全球MEMS应用的持续增长，该等细分领域客户的发展往往具有爆发性，能够为公司MEMS业务的持续发展提供 巨大的发展潜力。公司服务的客户已包括继续服务全球DNA/RNA测序仪、计算机网络及系统、光刻机、硅光子、新型医疗 设备、网络通信和应用、红外热成像、网络搜索引擎巨头厂商以及工业和消费细分行业的领先企业。在GaN领域，公司已成 为全球GaN功率器件及PD快充领域的头部供应商之一，服务下游知名消费类、工业级客户。 四、主营业务分析 1、概述 一、整体经营情况 报告期内，公司半导体业务继续快速发展且整体盈利良好，其中占比最高的MEMS业务整体业绩优良，瑞典FAB1&FAB2 在新增产能磨合的同时仍通过优化业务结构实现了收入及盈利规模的连续增长；北京FAB3正式投入生产，虽然产生亏损， 但在收入方面实现零的突破并努力推进产能及良率爬坡。GaN业务在上年低基数的情况下实现了高增速，但收入规模仍受限 于合作代工产能瓶颈，业务潜力尚待释放。公司导航业务因其中重要子公司在报告期末尚未满足剥离出表条件，在报告期内 仍贡献了一定比例的业务收入和毛利润，截至本报告披露日，该剥离事项已完成，预计导航业务在未来的收入贡献将大幅降 低。另外，公司部分参股投资的公司业绩良好，贡献了一定的持股收益，投资参与的半导体产业基金、北斗产业基金处于回 报期，持续贡献投资收益。 报告期内，COVID-19疫情在全球范围内仍未结束，国际政治经济环境日益复杂，公司克服了各种困难，整体经营继续 保持良好状态，在已大规模剥离原有航空电子和部分导航业务的情况下营收规模仍较上年同期增长了21.38%，在扣除处于 剥离中导航业务子公司暂时性影响的情况下，公司营收规模仍较上年同期实现增长10.88%。 报告期内，公司实现营业收入92,854.70万元，较上年增长21.38%；实现营业利润19,745.91万元，较上年减少18.26%； 实现利润总额19,706.36万元，较上年减少17.90%；实现净利润18,650.65万元，与上年持平；实现归属于上市公司股东的净 利润20,572.75万元，较上年增长2.30%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3,585.62万元，较上年大幅增长 543.72%。 公司本报告期营业利润及利润总额显著下降、净利润项目仍与上年持平的主要原因是：MEMS工艺开发及晶圆制造业务 的产能及平均单价持续提升，瑞典产线在新增产能磨合、产能利用率处于低位的同时仍实现了营业收入及毛利润的增长，虽 然北京产线MEMS晶圆制造毛利率为负、实现的营业收入及毛利润较低，但公司MEMS业务的整体毛利率仍保持在了46.69% 的较高水平；因业务发展需要，公司报告期内管理费用及研发费用的增长幅度及绝对金额均较大，金额分别达1.32亿元和2.66 亿元；基于设定的股权激励考核目标，北京FAB3未来年度盈利前景明确，公司期末递延所得税资产因此大幅增长，公司本 期所得税费用大幅下降，较上年下降了4,315.30万元，对净利润项目构成显著影响。 此外，在非经常性损益方面，公司主营业务活动陆续取得系列政府补助，其中部分补助在本报告期内补偿了部分相关成 本费用或损失，公司取得补助收益11,811.66万元；因公司报告期内产业基金继续提供回报、出售部分参股公司股权，公司合 计取得长期股权投资处置收益10,505.42万元（其中包括半导体基金投资收益9,276.89万元）；因公司参股子公司在报告期内 整体上实现了盈利增长，公司取得持股收益520.21万元。 报告期内，公司基本每股收益0.3073元，与上年基本持平；加权平均净资产收益率5.58%，较上年下降1.25%（绝对数值 变动），主要是由于归属于上市公司股东的净利润与上年持平，但本报告期净资产增长，公司报告期末净资产较期初大幅增 长58.73%。报告期末，公司总资产723,964.23万元，较期初增长51.59%；归属于上市公司股东的所有者权益508,299.24万元， 股本72,997.91万元，归属于上市公司股东的每股净资产6.96元，股本增加了14.22%，归属于上市公司股东的每股净资产较上 年增长44.36%，主要是因为公司本期完成向特定对象发行股份、募集资金23.45亿元。 二、各主要业务情况 （一）MEMS业务开启新纪元 报告期内，公司MEMS业务开启新纪元。一方面，瑞典FAB1&FAB2产线完成升级扩产后在报告期按计划推动新增产能 的磨合，持续调试产线以实现成熟运转，虽然在2021年的产能利用率下滑至56.61%，但充分结合“中试+小批量生产线”的特 点继续实现了收入及利润的增长，且为下一步的业务增长奠定了产能及工艺基础；另一方面，北京FAB3产线正式启动量产 并推动产能及良率爬坡，在2021年实现收入5,797.92万元，在瑞典ISP否决公司瑞典FAB1&FAB2与北京FAB3技术交易的背 景下，对于北京FAB3而言实现了关键突破与转折。报告期内，公司MEMS业务继续保持高水平发展质量，2021年实现收入 81,552.76万元，较上年增长19.98%，其中，MEMS晶圆制造实现收入51,584.15万元，较上年增长19.95%；MEMS工艺开发 实现收入29,968.61万元，较上年增长20.02%，主要是因为下游客户对MEMS工艺开发及晶圆制造的需求均在快速增长。 公司报告期内MEMS业务综合毛利率为46.69%，较上年下降1.66%，其中MEMS工艺开发毛利率为80.35%，较上年提高 14.97%，MEMS晶圆制造毛利率为27.03%，较上年下降11.33%。公司报告期内MEMS晶圆的平均单价约为3,600美元/片，较 上期的约2,800美元/片增长了约30%。 MEMS晶圆制造毛利率下降的主要原因为：（1）瑞典MEMS产线于2020年完成升级扩产后的新增产能在2021年仍处于 新增产能磨合期，由于晶圆制造业务对产线运行成熟度具有较高要求且存在刚性交付时间要求，其对新增产能的利用在一定 程度上受到抑制，且来自生物医疗厂商的收入比例下降，来自消费电子厂商的收入比例上升（其中收入占比9.78%的消费电 子领域第一大客户在2021年从工艺开发阶段转入晶圆制造，毛利率水平为-16.47%，拉低了晶圆制造的整体毛利率水平）。 （2）瑞典MEMS产线于2020年完成升级扩产，设备折旧规模较2021年增长了11.09%，而在晶圆制造业务端的设备折旧更是 增长了30.83%，导致晶圆制造业务成本上升。（3）北京FAB3处于运营初期，折旧摊销压力巨大，工厂运转及人员费用大幅 上升，各项业务毛利率水平远低于瑞典产线，2021年北京FAB3的MEMS晶圆制造毛利率为-77%，进一步拉低了公司晶圆制 造的整体毛利率水平。其中受因素（1）和（2）的影响，瑞典MEMS产线单体的晶圆制造毛利率从2020年的39.62%下降至2021 年的30.25%，受因素（3）的影响，公司MEMS晶圆制造的整体毛利率从2020年的38.36%下降至2021年的27.03%。 MEMS工艺开发毛利率上升的主要原因为：（1）瑞典MEMS产线在晶圆制造业务受到抑制的情况下，结合下游市场需 求，将已新增但尚未运行成熟的产能用于工艺开发业务，尤其是向晶圆需求数量少、支付价格高的工艺开发客户倾斜，2021 年，瑞典MEMS产线来自AR/VR、硅光子、光刻机三家厂商的收入就超过了工艺开发总收入的62.28%（其中该AR/VR客户 贡献的收入较上年大幅增长，占2021年工艺开发总收入的25.06%），该三家厂商业务的平均毛利率为67.66%，其余大量经 筛选工艺开发客户的毛利率普遍超过80%、甚至超过90%。瑞典MEMS工艺开发晶圆的平均单价高达约1.13万美元/片。（2） 北京FAB3处于运营初期，折旧摊销压力巨大，工厂运转及人员费用大幅上升，各项业务毛利率水平远低于瑞典产线，但2021 年北京FAB3的MEMS工艺开发毛利率为43.10%，对公司工艺开发整体毛利率水平的拉低影响有限。其中受因素（1）的影响， 瑞典MEMS产线单体的工艺开发毛利率从2020年的66.26%上升至2021年的86.00%，受因素（2）的影响，公司2021年MEMS 工艺开发的整体毛利率为80.35%。 报告期内，得益于MEMS应用市场的高景气度，并基于持续扩充的瑞典产线及完成建设的北京产线，公司积极开拓全球 市场，并积极承接生物医疗、通讯、工业汽车、消费电子等领域厂商的工艺开发及晶圆制造订单，继续服务全球DNA/RNA 测序仪、计算机网络及系统、光刻机、硅光子设备、新型医疗设备、网络通信和应用、红外热成像、网络搜索引擎巨头厂商 以及工业和消费细分行业的领先企业。其中一项积极变化是，公司MEMS业务拓展亚洲特别是中国市场取得进展，公司MEMS 业务源自中国境内的收入达到11,780.60万元，较上年增长了271.78%，在MEMS业务收入中的占比继续提升至14.45%。 报告期内，公司瑞典FAB1&FAB2在升级改造完成后产能得以提升，其自身的MEMS工艺开发及晶圆制造业务的保障能 力均得到加强；同时在公司继续与国家集成电路基金共同投入，公司控股子公司赛莱克斯北京继续完善核心管理及人才团队， 北京“8英寸MEMS国际代工线”实现启动量产并积极推进产能及良率爬坡。随着瑞典产线产能瓶颈得到部分缓解、产能利用 率恢复提升，北京产线整体运营状态持续提升，公司境内外同时拥有不同定位的合格产能，不同产线在产能、市场等方面的 协同互补将有力保证公司继续保持纯MEMS代工的全球领先地位。 （二）GaN业务持续布局并突破 报告期内，公司GaN业务积极推进，报告期内实现销售收入285.94万元，在GaN外延材料方面，公司基于自身掌握的业 界领先的8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基GaN外延生长技术，积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、 芯片设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证，开始签订GaN外延晶圆的批量销售合同并陆续交付；在GaN芯 片方面，公司已陆续研发、推出不同规格的功率芯片产品及应用方案，已推出数款GaN功率芯片产品并进入小批量试产，与 知名电源、家电及通讯企业展开合作，进行芯片系统级验证和测试，开始签订GaN芯片的批量销售合同并陆续交付，并寻求 长期稳定的产业链合作伙伴；同时积极推动微波芯片的研发工作。 报告期内，公司持续布局GaN产业链，以参股方式建设GaN芯片制造产线，积极推动技术、工艺、产品积累，以满足下 一代功率与微波电子芯片对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性GaN外延材料以及GaN芯片的需求，努力为5G通讯、云 计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心部件的材料保障及芯片配套。 （三）原有业务剥离 近年来，公司剥离了全部航空电子业务以及大部分导航业务。基于公司聘请的年审会计师事务所的判断，公司导航业务 重要子公司耐威时代在报告期末尚未满足剥离出表条件。受市场需求复苏、订单进度恢复因素影响，公司原有惯性导航业务 在2021年实现较大大幅增长，导航业务整体实现了33.71%的毛利率，但最终利润贡献为负值。基于公司长期发展战略考虑， 公司自2022年第二季度起不再从事惯性导航业务。 公司于2021年3月决策剥离原导航业务重要全资子公司北京耐威时代科技有限公司，于2021年6月决策对股权转让交易条 款作出调整，于2021年9月底前合计收到股权转让款10,900.00万元（占总交易对价18,121.71 万元的60.15%）。根据2021年6 月的交易调整方案，北京耐威时代科技有限公司原持有的导航产业基地土地使用权、房屋、建筑物及构筑物等资产不再列入 原协议项下股权转让标的范围内，而全部由公司全资子公司北京聚能海芯半导体制造有限公司承接。该等资产的转移程序涉 及外部政府主管部门及单位的审批及操作，截至2021年9月底该等程序并未完成，同时导致以此为前置程序的工商变更登记 程序在2021年9月底也未能完成。在公司《2021年第三季度报告》出具时点，管理层基于《股权转让协议》中的过渡期损益 安排条款、交易对方已支付股权受让款比例超过60%，同时基于股权转让交易中的资产转移程序及工商变更登记程序预计不 存在办结障碍的合理预计，认定耐威时代自2021年7月1日起不再纳入公司合并报表范围。公司聘请的年审会计师事务所在进 行2021年年度审计时认为，截至2021年末耐威时代土地使用权、房屋、建筑物及构筑物等资产的转移程序仍在办理中，且未 如预期完成该次股权转让交易的工商变更登记，且《股权转让协议》中约定了股权交割完成的条件，基于谨慎性原则考虑， 认为该子公司截至2021年末仍应纳入公司合并报表范围。截至本报告披露日，北京耐威时代科技有限公司已完成该次股权转 让交易的工商变更登记程序并取得新的营业执照，自2022年第二季度开始不再纳入公司合并报表范围。 （四）其他业务配合发展 报告期内，除主营业务外，基于服务客户需求的考虑，公司开展了一些辅助性销售业务，2021年实现收入1,464.85万元，（未完）  |