[年报]中微公司(688012):2021年年度报告
原标题:中微公司:2021年年度报告 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2021年年度报告 中微公司董事长尹志尧致辞 尊敬的各位股东、伙伴们、朋友们， 大家好！我谨代表中微公司董事会、公司管理层和全体 员工，向各位股东和社会各界对中微公司的大力支持表示衷 心的感谢！ 数码产业是发展快 、 商机多的产业，它和传统工业已经 成为国民经济的两大支柱。集成电路是数码产业的基础，而 半导体微观加工设备又是集成电路和泛半导器件产业的基石。 没有能加工微米及纳米级微观器件的光刻机，等离子体刻蚀机，薄膜沉积等设备，就 没有集成电路和微器件工业。中微致力于开发和提供微观加工的高端关键设备近 18 年，已成为国内高端微观加工设备的领军企业 之一 ，国际半导体设备产业认可的新星。 2021年新冠肺炎疫情等持续影响全球经济，半导体产业的战略重要性不断凸显。 受通讯、汽车电子以及消费电子等产业强劲需求的推动，一方面半导体设备市场需求 不 断增大，另一方面芯片供应短缺传导至供应链各个环节，叠加国际政治、经济环境 变化，形成错综复杂的局面。过去的一年里公司上下一心，迎难而上，持续创新增效， 精益营运，兼顾短中长期的经营目标，坚持合作共赢，和客户及合作伙伴密切协作， 在复杂的形势中紧抓机遇，放眼未来，经营质、量齐头并进，取得了自公司成立以来 最好的经营成绩。 公司 2021年在市场拓展、 新 品研发和财务表现等方面均进展不俗。其中，产品 在关键客户市场的接受度和销售额稳步提升，高端工艺研发进展顺利，新签订单金额 同比增长 90.5%达 41.3亿元，产品付运腔体数由 2020年的 295腔增长 66.4%达 491 腔，营业收入同比增长 36.7%达 31.08亿元，归母净利润同比增长 105.5%达 10.11亿 元。 2021年公司综合优势继续得到强化和提升，各经营指标的增长性在行业中跻身领 先企业之一。 中微公司致力于打造具有国际竞争力的产品并进行多元化产品线布局。公司的各 类等离子体刻蚀设备和薄膜设备已有超过 2300个 反应腔在中国大陆 、 亚洲和欧洲等 70多 条集成电路和微器件生产线实现大规模量产。公司 CCP等离子体刻蚀设备产品 持续保持竞争优势，在国内外一线客户的逻辑和存储芯片制造生产线上，包 括先进的 5纳米芯片生产线和下一代的试生产线上，持续提升市场占有率，在部分关键客户市 场占有率已进入前三位甚至前二位。公司 ICP刻蚀设备在 2021年也在客户端取得突 破性进展，已通过诸多客户的工艺认证并获得重复订单。公司 2021年 ICP刻蚀机付 运超过 130腔，同比增长超过 230%。 公司在 2021年 6月正式发布了用于高性能 Mini LED量产的 MOCVD设备 Prismo UniMax.，半年 内 即已收到来自国内多家领先客户的批量订单合计超过 100腔，并且 不断收到更多的订单。公司还积极布局用于功率器件应用的第三代半导 体设备，启动 了应用于制造 Micro LED、功率器件等生产的 MOCVD设备的开发，将进一步稳固、 提升公司在 MOCVD产品上的领先市场地位。 中微公司继续瞄准世界科技前沿，持续稳步推进既定的三维发展战略，既深耕集 成电路关键设备领域，积极拓展泛半导体关键设备领域 ， 又不断利用公司的核心竞争 力，探索在新兴科技领域的市场机会。在确保等离子体刻蚀设备及 MOCVD设备等核 心业务高速稳定成长之外，中微公司在集成电路的薄膜设备领域正在开发 LPCVD设 备（低压化学气相沉积设备）和 EPI设备（外延生长设备），并已取得了良好进展。 此 外公司正在筹划开发 ALD设备（原子层沉积设备）和 ALE设备（原子层刻蚀设备） 等关键设备。公司同时认真考察、参与符合企业发展战略的投资机会，积极谨慎布局 产业链上下游部分重点领域的投资 ,致力于获得战略协同效应并兼顾良好的经济效益。 在聚焦主业的同时，公司在外延发展方面继续积极探索。下属子公司的中微汇链、中 微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了进展，得到了市场认可和用户的积极评价。 2021年 公司 成功完成再融资发行，募集资金约 82亿元，这是继 2019年科创板上 市后的又一有力支撑企业高速发展的里程碑式事件。公司的现金储备 约 100亿元，这 给公司的研发 、 营运 、 投资和基本建设项目提供了资金保证。公司不断提升研发投入 的强度和效率，有力地保障了公司在科技创新、高水平研发队伍建设、科学合规营运、 国内外业务拓展、领先的客户服务支持等方面的质量，不断提升企业的综合竞争力， 积累后续高速发展所需的产品、技术和营运能力等方面的重要储备。 公司高度重视打造立足本土和国际开放的营运能力，践行多元化人才队伍的建设， 不断提升针对多元客户的支持服务能力和技术合作水平，在客户满意度上迭创 佳绩。 国内 除上海总部外，公司还在南昌、厦门、合肥、杭州、广州、大连、青岛等地为客 户就近提供专业技术支持服务。内地以外，公司在中国台湾地区、新加坡、韩国、日 本 等地 设有分支机构为客户提供就近及时的专业技术服务，并于 2021年新开设美国 分支机构支持新业务。 2021年，公司获得了多项殊荣，行业认可度不断提升。在第二十二届中国专利奖 的评选中 ， 中微公司再次获得 “ 中国专利金奖 ” 。 公司秉承 “质量和持续改进根植于中 微公司的每一个方面 ， 及每个人每分钟的工作中 ”的质量方针 ， 建立了中微公司 “三全 、 三重保险 、 三个满意 ”的质量管理模 式 ， 在全国 领先 企业参与的第四届中国质量奖的评 选中成功胜出，荣获 “中国质量奖 提名奖 ” 。 中微公司致力于为客户和市场提供性能优越、高生产效率和高性价比产品，促进 技术创新、引领行业发展的同时，高度重视在环境、社会 及管治 （ ESG） 等领域的建 设，公司正在把 ESG作为公司持续发展大政方针，给产业和社会，给国家和全球在经 济和社会可持续发展上贡献更大的力量。 公司在 2021年总结自成立以来登高望远、聚焦发展的成功经验，全面梳理公司 核心价值观和企业文化 ， 总结了四个十大 ， 即 “产品开发的十大原则 ”、 “战略 销售 的十 大准则 ”、 “营 运管理的十大章法 ”和 “精神文化的十大作风 ”。 通过总结并宣导 “四个十 大 ”， 落实科学管理和营运体系 ， 倡导先进的企业文化 ， 不断提升企业经营质量 ， 提高 员工的向心力和积极性，打造能孕育、保持创造力和发展力的中微大平台。同时，公 司通过文化宣导和输出，和希望和中微公司共同做大做强的海内外合作伙伴一起努力 实现技术进步和并推动产业的快速发展。 在过去的十年中，中微一直保持了年销售持续超过 30%的高速增长，为给今后的 十年到十五年的高速增长打下坚实的基础，公司在 2021年连续启动了三个建设项目。 在 江西省 南昌 市 高新区 约 14万平 方 米 的研发生产基地已全面封顶， 上海市 临港 新片 区 约 18万平 方 米的研发生产基地和 约 10万平方米的总部大楼也在紧锣密鼓的建设。 在两年之内，中微 公司 将会有十几倍大的厂房全面建成，为今后的大发展发展夯实基 础。 中微公司已经初步发展为有较强竞争力的集成电路和微观器件制造装备制造的 领先企业之一。百尺竿头更进一步，我们已经取得的成就和公司的长远目标及行业和 资本市场的期望还有很大的距离。我们深知任重道远，必将紧紧围绕公司在集成电路 和其它半导体设备上的核心竞争力规划公司的未来发展，心无旁骛地做大做强主业， 同时也会与时俱进，积极探索介入其它符合公司核心竞争力的发展机会，在总体上扩 大在半导体和泛半导体领域的版图，通过内部孵化发展和外延并购等方式实现协同发 展，让业绩增长更有持续性，抵御行业周期波动的能力更强，综合经营水平更高，规 模和效益潜力的底垫更厚，在技术进步、规范治理、业务发展、业绩增长等方面保持 良好势头，并不断向国际先进水平看齐，在充分把握国内市场机会的同时，坚持进行 理性的国际市场布局，打造具有国际竞争力的平台型企业集团。 “攀登勇者 ， 志在巅峰 ”。 我们坚信 ， 随着科技 、 新基建的不断投入和半导体集成 电路行业在我国及世界经济中重要性的不断提高，中微公司的未来发展将具有越来越 广阔的空间。中微公司已经拥有较好的国内外市场认可度、较强的技术和品牌优势和 进取的 产品发展规划、深厚的梯队人才优势、厚实稳健的财务基础，在董事会、管理 层和全体员工 的不懈努力下，在股东和社会各界的大力支持下，公司一定能抓住机遇， 继续高速、稳定、安全发展，为股东和社会创造更大的价值。我们热诚欢迎广大投资 者和社会各界继续 鼓励、 鞭策中微公司，和我们一同打造优秀的 标杆型 上市公司！ 中微公司董事长、首席执行官： GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧） 2022年 3月 30日 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实 性 、准确 性 、 完整 性 ，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可 能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。 四、 公司 全体董事出席 董事会会议。 五、 普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙） 为本公司出具了 标准无保留意见 的审计报 告。 六、 公司负责人 尹志尧 、主管会计工作负责人 陈伟文 及会计机构负责人（会计主管人员） 陈伟文 声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会 决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 考虑到公司目前处于快速发展期，研发投入等资金需求较大，为更好地维护全体股东的长远利益 ，公司2021年度不分配利润，资本公积不转增。以上利润分配预案已经公司第二届董事会第五次 会议审议通过，该预案尚需公司2021年年度股东大会审议通过。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者 及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请 投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 9 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ................................ ............................... 12 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ................................ ................................ ........... 16 第四节 公司治理 ................................ ................................ ................................ ........................... 55 第五节 环境、社会和 管 治 ................................ ................................ ................................ ........... 80 第六节 重要事项 ................................ ................................ ................................ ........................... 87 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ................................ ................................ ..... 109 第八节 优先股相关情况 ................................ ................................ ................................ ............. 121 第九节 公司债券相关情况 ................................ ................................ ................................ ......... 121 第十节 财务报告 ................................ ................................ ................................ ......................... 122 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表。 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。 第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 报告期 指 2021年1月1日至2021年12月31日 公司、本公司、中微 公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司 股东大会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司股东大会 董事会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司董事会 监事会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司监事会 中国证监会、证监 会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 中微开曼 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. 中微亚洲 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. Asia 中微国际 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment International Pte. Ltd.，中微公 司在新加坡设立的子公司 中微国际台湾分公 司 指 新加坡商中微半导体设备股份有限公司台湾分公司，中微国际在中 国台湾设立的分支机构 中微北美 指 AMEC North America, Inc. 中微日本 指 AMEC Japan Co., Inc.,中微国际在日本设立的分支机构 中微韩国 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Korea Ltd.，中微国际在韩国 设立的分支机构 中微惠创 指 中微惠创科技（上海）有限公司 中微厦门 指 中微半导体设备（厦门）有限公司 中微南昌 指 南昌中微半导体设备有限公司 中微汇链 指 中微汇链科技（上海）有限公司 上海创投 指 上海创业投资有限公司 上海科创集团 指 上海科技创业投资（集团）有限公司 巽鑫投资 指 巽鑫（上海）投资有限公司 置都投资 指 置都（上海）投资中心（有限合伙） 上海自贸区基金 指 上海自贸试验区智芯投资中心（有限合伙） 悦橙投资 指 嘉兴悦橙投资合伙企业（有限合伙） 橙色海岸 指 嘉兴橙色海岸投资合伙企业（有限合伙） 君邦投资 指 嘉兴君邦投资管理合伙企业（有限合伙） 南昌智微 指 南昌智微企业管理合伙企业（有限合伙） 国开创新 指 国开创新资本投资有限责任公司 Primrose 指 Primrose Capital Limited Bootes 指 Bootes Pte. Ltd. Futago 指 Futago Pte. Ltd. Grenade 指 Grenade Pte. Ltd. 美国高通 指 QUALCOMM Incorporated 创橙投资 指 嘉兴创橙投资合伙企业（有限合伙） 和谐锦弘 指 义乌和谐锦弘股权投资合伙企业（有限合伙） 兴橙投资 指 共青城兴橙投资合伙企业（有限合伙） 君鹏投资 指 嘉兴君鹏投资合伙企业（有限合伙） 茂流投资 指 合肥茂流投资中心合伙企业（有限合伙） 励微投资 指 上海励微投资管理合伙企业（有限合伙） 芃徽投资 指 上海芃徽投资管理合伙企业（有限合伙） 浦东新兴 指 上海浦东新兴产业投资有限公司 协鑫创展 指 协鑫创展控股有限公司 亮橙投资 指 嘉兴亮橙投资合伙企业（有限合伙） 沈阳拓荆 指 沈阳拓荆科技有限公司 上海创徒 指 上海创徒光电技术服务有限公司 上海芯元基 指 上海芯元基半导体科技有限公司 睿励仪器 指 睿励科学仪器（上海）有限公司 Solayer 指 SOLAYER GmbH 洪朴科技 指 上海洪朴信息科技有限公司 聚源芯星 指 青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限合伙） 博日科技 指 杭州博日科技股份有限公司 山东天岳 指 山东天岳先进科技股份有限公司 理想万里晖 指 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 中欣晶圆 指 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 昂坤视觉 指 昂坤视觉（北京）科技有限公司 德龙激光 指 苏州德龙激光股份有限公司 泛林半导体 指 Lam Research Corp. 东京电子 指 Tokyo Electron Ltd. 应用材料 指 Applied Materials, Inc. 维易科 指 Veeco Instruments Inc. WSTS 指 World Semiconductor Trade Statistic，世界半导体贸易统计，一家半 导体行业数据统计公司，成员包括全球主要的半导体制造企业 CCP 指 Capacitively Coupled Plasma，电容性耦合的等离子体源 CMOS 指 Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体， 指制造大规模集成电路芯片用的一种器件结构 CVD 指 Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积 DRAM 指 Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器 ETCH、刻蚀 指 用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程， 是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺 的关键步骤 GaN、氮化镓 指 Gallium Nitride，氮和镓的化合物，一种第三代半导体，主要应用为 半导体照明和显示、电力电子器件、激光器和探测器等领域 Gartner 指 IT领域领先的研究与顾问公司，研究范围覆盖从最上游的硬件设 计、制造到最下游终端应用的IT产业全环节 IC、集成电路 指 Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极 管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联并集 成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，实现特定功能的电路或系 统 IC Insights 指 知名的半导体行业研究机构 ICP 指 Inductive Coupled Plasma，电感性耦合的等离子体源 IHS Markit 指 IHS Markit Ltd.（NASDAQ:INFO）创立于1959年，总部位于英国 伦敦，是一家全球商业资讯服务的多元化供应商，在全球范围内为 推动经济发展的各个行业和市场提供关键信息、分析和解决方案 LED 指 Light-Emitting Diode，发光二极管 LED外延片 指 LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝 石、SiC、Si等）上所生长出的特定单晶薄膜 MEMS 指 Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统 Mini LED 指 介于传统LED与Micro LED之间的次毫米发光二极管，意指晶粒 尺寸约在100微米的LED Micro LED 指 LED微缩化和矩阵化技术，将LED背光源进行薄膜化、微小化、 阵列化，可以让LED单元小于50微米，与OLED（Organic Light- Emitting Diode，有机发光二极管）一样能够实现每个像素单独定址， 单独驱动发光 MOCVD 指 Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相 沉积，MOCVD设备是LED外延片生产过程中的关键设备 SEMI 指 国际半导体设备材料产业协会 PVD 指 Physical Vapor Deposition，物理气相沉积 ALD 指 Atomic layer deposition，原子层沉积，是一种可以将物质以单原子 膜形式一层一层的镀在基底表面的方法 LPCVD 指 Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积 EPI 指 Epitaxy，在衬底上生长出的半导体薄膜 ALE 指 Atomic Layer Etching，原子层刻蚀，一种先进的刻蚀技术,可以针对 较浅的微结构进行出色的深度控制 RAM 指 Random Access Memory，随机存储器，是一种半导体存储器 TSV、硅通孔 指 Through Silicon Via，一项高密度封装技术，在三维集成电路中堆叠 芯片实现互连的一种新的技术解决方案 VLSI Research 指 集成电路和泛半导体领域领先的研究顾问公司，针对半导体产业链 提供技术、商业和经济方面市场调研和经济分析的公司。每年对全 球集成电路和泛半导体的制造和设备公司进行评比排序 VOC 指 Volatile Organic Compounds，挥发性有机化合物 分立器件、分立元 件 指 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式半导体 器件有二极管、三极管、光电器件等 封装 指 封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如 芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连 接到电路板的工艺技术 反应台 指 反应腔中用于承载、冷却、吸附晶圆的装置 光刻 指 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到 单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术 晶圆、Wafer 指 用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料 摩尔定律 指 当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，由英特尔创始人之一的戈 登·摩尔提出 前道、后道 指 半导体设备制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、清 洗、离子注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、Bonder、FCB、 BGA植球、检查、测试等 甚高频 指 Very high frequency，频带由30MHz-300MHz的无线电电波 先进封装 指 最新的封装技术，例如2.5D及3D芯片技术、晶圆级封装、倒装芯 片封装和硅通孔技术等 线宽、关键尺寸 指 集成电路生产工艺可达到的最小沟道长度，是集成电路生产工艺先 进水平的主要指标 Yole Développement 指 法国市场研究与战略咨询公司，专注于功率半导体与MEMS传感 器等领域 《公司章程》 指 《中微半导体设备（上海）股份有限公司章程》 第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 中微半导体设备（上海）股份有限公司 公司的中文简称 中微公司 公司的外文名称 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China 公司的外文名称缩写 AMEC 公司的法定代表人 GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧） 公司注册地址 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 公司注册地址的历史变更情况 201201 公司办公地址 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 公司办公地址的邮政编码 201201 公司网址 http://www.amec-inc.com 电子信箱 [email protected] 二、联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 刘晓宇 胡潇 联系地址 上海市浦东新区金桥出口加工区（南 区）泰华路188号 上海市浦东新区金桥出口加工 区（南区）泰华路188号 电话 021-61001199 021-61001199 传真 021-61002205 021-61002205 电子信箱 [email protected] [email protected] 三、信息披露及备置地点 公司披露年度报告的媒体名称及网址 中国证券报、上海证券报、证券时报、证券日报 公司披露年度报告的证券交易所网址 www.sse.com.cn 公司年度报告备置地点 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188号 四、公司股票 /存托凭证简况 (一) 公司股票简况 □适用 □不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 科创板 中微公司 688012 不适用 (二) 公司 存托凭证 简 况 □适用 √不适用 五、其他 相 关资料 公司聘请的会计师事务所（境 名称 普华永道中天会计师事务所（特殊普通合 内） 伙） 办公地址 上海市黄浦区湖滨路202号领展企业广场2 座普华永道中心11楼 签字会计师姓名 林晓帆、胡玉琢 报告期内履行持续督导职责 的保荐机构 名称 海通证券股份有限公司 办公地址 上海市广东路689号 签字的保荐代表 人姓名 吴志君、孙剑峰 持续督导的期间 2019年7月22日-2022年12月31日 六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 2021年 2020年 本期比上 年同期增 减(%) 2019年 营业收入 3,108,134,730.67 2,273,291,898.06 36.72 1,946,949,250.75 归属于上市公司股 东的净利润 1,011,423,670.06 492,199,161.31 105.49 188,564,219.09 归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润 324,395,998.31 23,319,394.77 1,291.1 147,539,304.73 经营活动产生的现 金流量净额 1,016,256,088.40 846,292,855.04 20.08 133,270,991.54 2021年末 2020年末 本期末比 上年同期 末增减（ %） 2019年末 归属于上市公司股 东的净资产 13,940,019,843.26 4,369,057,694.76 219.06 3,751,076,960.24 总资产 16,732,989,003.95 5,800,876,895.94 188.46 4,774,054,304.04 (二) 主要财务指标 主要财务指标 2021年 2020年 本期比上年同 期增减(%) 2019年 基本每股收益（元／股） 1.76 0.92 91.30 0.37 稀释每股收益（元／股） 1.76 0.92 91.30 0.37 扣除非经常性损益后的基本每 股收益（元／股） 0.56 0.04 1,300.00 0.29 加权平均净资产收益率（%） 11.09 12.11 减少1.02个百 分点 6.71 扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率（%） 3.56 0.57 增加2.99个百 分点 5.25 研发投入占营业收入的比例（% ） 23.42 28.14 减少4.72个百 分点 21.81 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 公司2021年营业收入为31.08亿元，较2020年增加约8.35亿元；2021年毛利为13.48亿 元，较2020年增加约4.91亿元，同比增加57.38%，主要系：受益于半导体设备市场发展及公 司产品竞争优势，2021年刻蚀设备收入为20.04亿元，较2020年增长约55.44%，毛利率达到 44.32%；由于下游市场原因以及本年新签署的Mini LED MOCVD设备规模订单尚未确认收入，2021年MOCVD设备收入为5.03亿元，较2020年增长约1.53%，但MOCVD 设备的毛利率达 到33.77%，较2020年的18.65%有大幅度提升。公司2021年新签订单金额为41.3亿元，较 2020年增加约19.6亿元，同比增加约90.5%。 2021年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为3.24亿元，较上年同期增长 1291.10%，主要系：（1）公司营业收入和毛利增长；（2）因实施股权激励计划，公司2021年 产生股份支付费用2.15亿元，较2020年的1.24亿元增加约0.91亿元（属于经常性损益）。 2021年归属于上市公司股东的净利润为10.11亿元，较上年同期增长105.49%，主要系： （1）扣除非经常性损益后的净利润增长约3.01亿元；（2）公司2020年投资青岛聚源芯星股权 投资合伙企业（有限合伙）3亿元而间接持有中芯国际股票，因中芯国际股价变动以及公司减持 部分中芯国际股票，公司2021年收益约0.39亿元，较2020年收益的2.62亿元减少约2.23亿 元。此外，经评估师评估结果，公司投资的其他非上市公司股权（以公允价值计量且其变动计入 当期损益）于2021年产生公允价值变动收益约3.70亿元，较2020年增加约3.70亿元。因上述 两项因素合计影响，公司2021年较2020年增加税前利润约1.47亿元（属于非经常性损益）； （3）公司2021年计入非经常性损益的政府补助较2020年增加约0.95亿元。 2021年经营活动产生的现金流量净额为10.16亿元，较上年同期增长20.08%，主要系公司 收入和新签订单增长下，销售收款增加。 2021年末，归属于上市公司股东的净资产为139.40亿元，较上年末增长219.06%，主要系 公司于2021年6月向特定对象发行股票收到募集资金净额约81.25亿元，以及公司于2021年实 现归属于母公司所有者的净利润10.11亿元。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东 的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露 的财务报告中净利润和 归 属于上市公司股东的 净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2021年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币 第一季度 （1-3月份） 第二季度 （4-6月份） 第三季度 （7-9月份） 第四季度 （10-12月份） 营业收入 603,346,870.60 735,280,813.83 734,149,382.19 1,035,357,664.05 归属于上市公司股 东的净利润 137,774,007.33 258,858,299.22 145,222,776.15 469,568,587.36 归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益后的净利润 11,108,458.59 50,506,710.81 103,309,222.86 159,471,606.05 经营活动产生的现 金流量净额 -77,394,097.18 42,171,646.61 439,489,810.26 611,988,728.71 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2021年金额 附注 （如 适 用） 2020年金额 2019年金额 非流动资产处置损益 129,648.15 -42,372.67 -2,234,720.02 计入当期损益的政府补助，但与公司 正常经营业务密切相关，符合国家政 策规定、按照一定标准定额或定量持 续享受的政府补助除外 347,993,160.92 253,376,660.22 26,937,464.91 除同公司正常经营业务相关的有效套 期保值业务外，持有交易性金融资 产、衍生金融资产、交易性金融负 债、衍生金融负债产生的公允价值变 动损益，以及处置交易性金融资产、 衍生金融资产、交易性金融负债、衍 生金融负债和其他债权投资取得的投 资收益 460,750,950.30 301,827,578.76 21,855,862.900 除上述各项之外的其他营业外收入和 支出 -462,988.38 -2,126,544.01 463,356.89 减： 所得税影响额 121,370,950.97 84,155,468.79 5,961,900.32 少数股东权益影响额（税后） 12,148.27 86.97 35,150.00 合计 687,027,671.75 468,879,766.54 41,024,914.36 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益 项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币 项目名称 期初余额 期末余额 当期变动 对当期利润的影响 金额 交易性金融资产 1,505,200,119.62 2,510,610,074.74 1,005,409,955.12 -78,976,402.69 其他非流动金融 资产 235,055,000.00 815,041,400.00 579,986,400.00 369,986,400.00 合计 1,740,255,119.62 3,325,651,474.74 1,585,396,355.12 291,009,997.31 十一、非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币 项目名称 2021年 2020年 本期比上年同期增减 （%） 剔除股份支付费用影响后，归 属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润 53,922.67 14,690.99 267.05 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况 讨论与分析 报告期内，新冠肺炎疫情等持续影响全球经济，半导体产业的战略重要性不断凸显。受通 讯、汽车电子以及消费电子等产业强劲需求的推动，一方面半导体设备市场需求不断增大，另一 方面芯片供应短缺传导至供应链各个环节，叠加国际政治、经济环境变化，形成错综复杂的局 面。与此同时，中国集成电路及LED设备市场保持相对较高程度的投资规模，但不同客户投资 进度出现结构分化的差异。除海外原有供应商外，国内也有更多企业进入或更大力度投入到设备 领域，海内外竞争进一步加剧。 公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在 泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。 公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推 动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经 营，公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取 得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支 撑。 公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康 领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各 自细分领域取得了卓有成效的进展。 公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效 的员工。公司的发明专利“等离子体处理装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届 “中国专利金奖”，此次是中微公司第二次获得中国专利金奖。在全国领先企业大量参与的第四 届中国质量奖的评选中，公司荣膺“中国质量奖提名奖”。 此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司在报告期内完成了向特定 对象发行股票，本次向特定对象发行股票数量为80,229,335股，发行价格为102.29元/股，本次 发行的募集资金总额为8,206,658,677.15元，扣除发行费用后的募集资金净额为人民币 8,118,162,441.14元。2021年7月3日，公司于上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露 《2020年度向特定对象发行股票发行结果暨股本变动公告》（公告编号：2021-035）。本次募 集资金投资项目中的产业化建设项目正在顺利推进中，其中中微临港产业化基地项目已经完成结 构封顶；南昌中微半导体设备有限公司生产基地项目已完成厂内主要道路施工，各主要单体建筑 均已封顶；中微临港总部和研发基地项目正在进行施工前临设搭建、机械进场组装等准备工作。 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不 断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、安全发展。 报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极 成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高 的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良 好。2021年公司研发投入为7.28亿元，占收入比例为23.4%，相较去年同期增长13.8%。 公司持续打造领先设备公司市场形象，积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和 品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合 作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时 间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一 步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。 公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP刻蚀设备 报告期内，公司CCP刻蚀设备产品保持竞争优势，Primo AD-RIE.、Primo SSC AD- RIE.、Primo HD-RIE.等产品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线，并持续 提升市场占有率，在部分客户市场占有率已进入前三位。公司2021年共生产付运CCP刻蚀设备 298腔，产量同比增长40%。此外，在先进逻辑电路方面，公司持续升级硬件性能，成功取得5 纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。在存储电路方面，公司的刻蚀设备在64层及128层3D NAND的生产线得到广泛应用。随着3D NAND芯片制造厂产能的迅速爬升，该等产品的重复订 单稳步增长。同时，公司积极布局动态存储器的应用，并开始工艺开发及验证。公司积极与主流 客户合作，定义下一代CCP刻蚀机的主要功能及技术指标，正开发更先进的CCP刻蚀机产品。 2021年6月15日，公司推出首台用于8英寸晶圆加工的CCP刻蚀设备，丰富了公司现有 的刻蚀设备产品线。该刻蚀设备基于已被业界广泛认可的12英寸CCP刻蚀设备的成熟工艺与特 性，Primo AD-RIE 200.在技术创新和生产效率方面都有了进一步提升，能够满足不同客户8英 寸晶圆的加工需求。为提高生产效率，Primo AD-RIE 200.刻蚀设备可灵活配置多达三个双反应 台反应腔（即六个反应台）。此外，Primo AD-RIE 200.提供了可升级至12英寸刻蚀设备系统的 灵活解决方案，可以满足客户生产线未来可能扩产的需求。该设备在国内客户生产线运转，同 时，公司正在与更多客户合作进行工艺开发。 （图：Primo AD-RIE系列刻蚀机） （2）ICP刻蚀设备 报告期内，公司ICP刻蚀设备已经逐步趋于成熟。Primo nanova. ICP刻蚀产品已经在超过 15家客户的生产线上进行100多个ICP刻蚀工艺的验证，部分工艺的刻蚀性能和量产指标已经 满足客户的要求并投入量产，且持续扩展到更多刻蚀应用的验证。截止到2022年12月底， Primo Nanova.已经顺利交付超过180台反应腔，且在客户端完成验证的应用数量也在持续增 加。公司2021年共生产付运ICP刻蚀设备134腔，产量同比增长235%。 （图：Primo nanova.刻蚀机） 在持续提升Primo nanova.刻蚀设备的市场份额的同时，2021年3月，公司研发并推出了的 具有高输出率特点的双反应台ICP刻蚀设备Primo Twin-Star.刻蚀设备，该产品沿用了中微公司 国际领先的双反应台设计理念，并采用了Primo nanova.刻蚀设备的大部分硬件特征，使得机台 在具有良好刻蚀性能的同时，提升客户单位资金投入的产能。Primo Twin-Star.刻蚀产品的推 出，丰富了ICP刻蚀设备种类，增强ICP刻蚀产品的整体竞争力。该ICP刻蚀设备已经在国内 领先的客户生产线上完成认证，并收到更多国内客户的订单。 同样应用ICP技术的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E.、Primo TSV300E.在 先进系统封装、2.5维封装和微机电系统芯片生产线等成熟刻蚀市场继续获得重复订单的同时， 也开始在3D芯片等新兴市场的刻蚀工艺上得到验证。 （图：Primo TSV.刻蚀机） 根据客户的技术发展需求，公司有序推进进行下一代ICP刻蚀产品的技术研发，以满足5纳 米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM和128层以上的3D NAND存储芯片等产品的ICP刻蚀需 求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。 （图：Primo Twin-Star.刻蚀机） （3）MOCVD设备 报告期内，公司蓝光照明Prismo A7.以及深紫外LED外延片Prismo HiT3.产品持续服务客 户；公司在2021年6月正式发布用于高性能Mini LED量产的MOCVD设备Prismo UniMax.。 该设备专为高产量而设计，具备高波长均匀性、高良率等优点，此外，该设备可同时加工164片 4英寸或72片6英寸外延片，已收到来自国内多家领先客户的批量订单合计超过100腔。公司 正在与更多客户合作进行设备评估，扩大市场推广。Prismo UniMax. 设备拓展了公司的 MOCVD设备产品线，为全球LED芯片制造商提供极具竞争力的Mini LED量产解决方案。同 时，公司也正在开发针对Micro LED应用的专用MOCVD设备。 公司还积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场，开发GaN功率器件量产应用 的MOCVD设备，目前已交付国内外领先客户进行生产验证。此外，公司启动了应用于碳化硅 功率器件外延生产设备的开发，将进一步丰富公司的产品线。 （图：Prismo UniMax. MOCVD设备） （4）薄膜沉积设备研发 报告期内，公司的钨填充CVD设备获得了阶段性进展。应用于金属互联的CVD钨制程设 备能力已能够满足客户工艺验证的需求，产品正与关键客户对接验证。基于金属钨CVD设备， 公司正进一步开发CVD和ALD设备，实现更高深宽比和更小的关键尺寸结构的填充，以满足 高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。 公司报告期内组建EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成 自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司EPI设备已进入样机的设计， 制造和调试阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。 （5）VOC净化设备 子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型VOC净化设 备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能 的VOC净化解决方案。报告期内，中微惠创与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协 议，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，共同推动环保科技行业的发展。 （图：VOC净化设备） （6）分布式生态工业互联网平台 子公司中微汇链创新地将区块链技术与web3.0理念相融合，通过云+链方式打造去中心化分 布式工业互联网平台We-Linkin，目前场景应用数量已超30个，可订阅微服务超300个，协助 重点行业和区域产业优化资源配置、促进产业要素的价值实现与流通，充分发挥产业集群效应， 为重点行业和区域产业建立资源汇聚、数据互连、流程互通、自主治理的生态协同体系，引领企 业从传统单体竞争走向生态共赢。 中微汇链为上海市工业互联网协会以及中国物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、 上海区块链技术协会会员单位，并已取得境内区块链信息服务备案编号；2021年获得《2021年 产业区块链创新奖优秀案例奖》《2021年工业区块链案例集优秀案例》等奖项；通过中国信息 通信研究院星火·链网骨干节点供应商遴选评审，并被授予星火·链网骨干节点建设技术供应商资 格；参与《食品追溯区块链平台应用能力》团体标准的起草工作。 报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发 成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。此外公司正 在筹划开发ALD设备（原子层沉积设备）和ALE设备（原子层刻蚀设备）等先进关键设备。 2、向特定对象发行股票 报告期内，公司于2021年6月向特定对象发行股票，本次向特定对象发行股票数量为 80,229,335股，发行价格为102.29元/股，本次发行的募集资金总额为8,206,658,677.15元，扣除 发行费用后的募集资金净额为人民币8,118,162,441.14元。公司本次定向发行进一步大大增强公 司的资金实力，为公司后续发展奠定坚实的资金基础。随着募集资金到位，公司不断提升公司研 发投入水平和产品科技创新水平，在技术进步、业务拓展等方面持续提升公司综合竞争力。 3、供应保障方面 公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件 原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工 作。受到全球供应链紧张的影响，公司少量零部件交期较以往有所延长，但通过公司同供应商的 通力协作，公司报告期内产品按计划交付。 4、营运管理方面 公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运 行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定 期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。报告期 内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水 平。 5、知识产权保障方面 公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请216项，包括发 明专利183项，实用新型专利30项，外观设计专利3项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖 项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。公司的发明专利“等离子体处理 装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届“中国专利金奖”，此次是中微公司第二 次获得中国专利金奖。 6、人才建设方面 人才是企业发展的根本动力，公司高度重视人才的吸引和发展。报告期内，公司进一步拓宽 人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优 秀的毕业生，公司2021年新入职员工238人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深 入的专题培训、学习交流。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进 一步的向高绩效员工倾斜。公司于2021年8月17日，完成向540名激励对象2020年限制性股 票激励计划的首次归属，及完成向6名激励对象2020年股票增值权激励计划的首次归属。公司 持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。 7、外延式发展方面 公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域 取得了良好的进展，得到了市场和用户的高度评价。公司同时积极探索在相关领域的投资机会， 公司的参股投资的沈阳拓荆、山东天岳、德龙激光等项目营运表现良好，其中山东天岳已在科创 板挂牌上市，沈阳拓荆、德龙激光已获得科创板上市注册批复。报告期内，公司完成对睿励仪器 的增资，进一步巩固产业链协同效应，完善公司业务布局。 8、内部治理方面 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强 化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续 健康发展提供坚实基础。 9、信息披露及防范内幕交易方面 公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完 整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互 动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持密切沟通，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获 “第十一届天马奖‘最佳董事会’”、“科创板价值50强”、“2021最具价值科创板上市公司”、 “2021年度科创版硬科技领军企业”等多个奖项。 公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董 事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高 级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或 服务 情况 报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世 界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进 封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。 公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其 他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产 线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。 公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀 设备、MOCVD设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下： 1、刻蚀设备 产品类别 图示 应用领域 电容性等离子体刻 蚀设备 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\Primo SSC AD-RIE.png 主要应用于集成电路制造中氧 化硅、氮化硅及低介电系数膜 层等电介质材料的刻蚀 电感性等离子体刻 蚀设备、深硅刻蚀 设备 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\ICP\Primo nanova.png 主要应用于在集成电路制造中 单晶硅、多晶硅以及多种介质 等材料的刻蚀 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\ICP\Primo TSV.png 主要应用于CMOS图像传感 器、MEMS芯片、2.5D芯 片、3D芯片等通孔及沟槽的 刻蚀 2、 MOCVD设备 产品类别 图示 应用领域 MOCVD设备 G:\25 中微半导体\26 业务与技术\9 支撑底稿及重要研报\1 产品册子 AMEC Product Photos & Brochure\MOCVD\MOCVD_Prismo A7.png 蓝绿光及紫外LED外延片和 功率器件的生产 3、其他设备 产品类别 图示 应用领域 VOC设备 平板显示生产线等工业用的空 气净化 报告期内，公司主营业务未发生变化。 (二) 主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进 封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收 入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相 关配件销售及设备支持服务等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行 性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团 队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电 气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方 法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化 资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、 研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多 标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全 球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。 4、生产模式 公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产 方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以 应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内 部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。 5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式 进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩 国、日本、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受国际经济波动、半导体市场、终端消费市 场需求影响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户 会调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。 全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90% 以上，是半导体产品最重要的组成部分。2020年至2024年，全球半导体设备采购支出预计将保 持增长态势。根据Gartner的预测，刻蚀设备市场规模将由2020年约123亿美元增长至2024年 约152亿美元。根据Yole的预测，氮化镓基MOCVD设备市场规模将由2020年1.9亿美元增长 至2025年约2.5亿美元，功率器件外延设备市场将由2020年约2亿美元增长至2025年约3.1亿 美元。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业和LED设备行业中的MOCVD 设备行业。 1、刻蚀设备 集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集 成电路设备整体市场规模的约80%。 晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄 膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据Gartner统计，2021 年全球刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约21.59%、19.19%和 18.52%。 随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化，晶圆制造向 7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限 制，14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合—— 多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。 2、 MOCVD设备 LED产业链由衬底加工、LED外延片生产、芯片制造和器件封装组成。该产业链中主要涉 及的设备包括：衬底加工需要的单晶炉、多线切割机；制造外延片需要的MOCVD设备；制造 芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备；封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。 LED外延片的制备是LED外延片生产的重要步骤，与集成电路在多种核心设备间循环的制 造工艺不同，LED外延片主要通过MOCVD单种设备实现。MOCVD设备采购金额一般占LED 生产线设备总投入的一半以上，是LED外延片制造中最重要的设备。 目前MOCVD设备主要用于氮化镓基及砷化镓基半导体材料外延生长，其中氮化镓基LED MOCVD主要用于生产氮化镓基LED和功率器件的外延片。 除用于制造通用照明和背光显示的蓝光LED，MOCVD设备还可制造应用于高端显示的 Mini LED和Micro LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电力电子的功率器件， 随着这些新兴领域的应用拓展及逐步推广，氮化镓基MOCVD设备的市场规模有望进一步扩 大。 过去几年，LED客户扩产的主要方向为蓝绿光外延片，应用领域也主要在照明市场。在 Mini LED背光及直接显示市场需求的推动下，近两年高端显示类的LED外延片需求量增加明 显。基于Micro LED的高端显示应用也开始小规模试生产，预计在未来几年将会有更多的市场 需求。根据TrendForce集邦咨询报道，随着Mini LED背光显示渗透率的提升，以及Mini LED 直接显示逐渐进入商显等市场，Mini/Micro LED新型显示带来的LED外延片需求量将快速增 长。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化 情况 目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整 体水平不断提高。 在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，泛林半导体、东京电子、应用材料占据 主要市场份额；公司刻蚀设备已应用于全球先进的7纳米和5纳米集成电路加工制造生产线。虽 然公司在主要客户的市场占有率稳步提升，但目前在销售规模上与全球巨头尚有差距。 在MOCVD设备领域，公司用于氮化镓基LED外延生产的MOCVD设备已在行业领先客户 生产线上大规模投入量产，自2017年起已经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备 供应商，并持续保持在行业内的领先地位。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况 和未来发展趋势 随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性 能不断提升，先进的芯片中已有超过100亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面 MOSFET结构过渡到FinFET（三维鳍式场效应晶体管）晶体管架构。随着晶体管结构的复杂度 不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了 更高的要求。 FinFET技术路线图（来源：三星电子） 1、等离子体刻蚀技术 刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻 蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。干法刻蚀是目前主流 的刻蚀技术，其中以等离子体干法刻蚀为主导。 等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和 主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关，其原理是利用等离子体放电 产生的带化学活性的粒子，在离子的轰击下，与表面的材料发生化学反应，产生可挥发的气体， 从而在表面的材料上加工出微观结构。 根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻 蚀；根据被刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等 离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而 电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这 两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。 电容性等离子体刻蚀反应腔 电感性等离子体刻蚀反应腔 c 2、刻蚀技术水平发展状况及未来发展趋势 随着国际上先进芯片制程从14纳米到10纳米阶段向7纳米、5纳米及更先进工艺的方向发 展，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺 实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。下图展示10纳米多重模板工 艺原理，涉及多次刻蚀： 10纳米多重模板工艺原理，涉及更多次刻蚀 芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更 高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离 子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步，例如： 刻蚀设备的静电吸盘从原来的4个分区扩展到超过20个分区，以实现更高要求的均匀性；更好 的腔体温度控制提高生产重复性。 集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3D NAND闪存已进入大生产，96层和128层闪存已处于批量生产阶段。3D NAND制造工艺中，增 加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠 层结构上，加工40：1到60：1甚至更高的极深孔或极深的沟槽。3D NAND层数的增加要求刻 蚀技术实现更高的深宽比。 2D NAND及3D NAND示意图 3、 MOCVD设备行业在新技术方面近年来的发展情况与未来发展趋势 制造照明用蓝光LED外延片的MOCVD技术已达到较为成熟的阶段，MOCVD设备企业目 前主要在提高大规模外延生产所需的性能、降低生产成本、具备大尺寸衬底外延能力等方面进行 技术开发，以满足下游应用市场的需求。 公司应用于Mini LED新型显示应用的MOCVD设备已进入批量生产阶段，产品得到超过 100腔的订单，已经批量应用在领先客户生产线。 公司应用于Micro LED高端显示的MOCVD设备和应用于碳化硅功率器件的外延设备还处 于研发阶段，后续主要将在提升产出波长均匀性，减少外延片颗粒度，提高芯片良率等方面进行 技术突破，从而推进产品的不断进步，提升设备的自动化性能以及大尺寸外延片加工能力。 4、 LPCVD设备在中前端金属化工艺中的发展状况与未来发展趋势 国际国内先进逻辑器件工艺节点从14nm、7nm向5nm及更先进工艺方向发展，器件互联电 阻逐渐增大成为影响器件速度的关键因素。在90nm到28nm的传统工艺节点中，降低接触孔电 阻的关键是降低钨膜的电阻率。但是在14nm及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接 触孔阻值的影响越来越明显，如何减少或者消除阻挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关 键。钴、钼、钌等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工艺节点上开发和应用。先进逻辑 器件还需要均匀性和稳定性更好的金属栅的填充技术，以提高器件的性能和稳定性。 随着3D NAND堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到40：1到60：1以上，这对氮化 钛阻挡层的生长和极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性 的WL线路填充，包括更高的深宽比和更长的横向填充。 5、所属行业在新产业、新业态、新模式方面近年来的发展情况与未来发展趋势 半导体在技术上的不断突破所带来的应用迭代，改变了许多传统行业亦催生出众多应用，如 互联网、智能手机、人工智能、5G等新兴产业。半导体的制造离不开半导体设备，半导体设备 行业的持续发展间接地促进了各类新产业的诞生。 集成电路应用领域中，以物联网为代表的新兴产业，在可预见的未来内发展趋势明朗。人工 智能、大数据、可穿戴设备、自动驾驶汽车、智能机器人等应用的发展将释放出大量芯片制造的 需求，进一步推动上游半导体设备行业的稳步增长。 光电子LED产业中，以LED新型显示为代表的新兴产业，逐渐成为显示行业追逐的热点。 当前新兴的小间距LED显示在物理拼缝、显示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现，未来 随着Mini LED和Micro LED技术的进一步发展和完善，LED新型显示产业有望成为继LED照 明产业后MOCVD应用产业发展最迅速的版块之一。 在化合物半导体功率器件领域，随着新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出， 化合物半导体在清洁能源、新能源汽车及充电桩、功率器件快充、大数据中心等应用市场的需求 已经开始呈现出快速增长趋势。 (四) 核心 技术与研发 进展 1. 核心技术 及其 先进性 以及报告期内 的变化情况 公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备和MOCVD等设备的过程 中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到 国际先进水平。 1、刻蚀设备技术 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米 到5纳米等先进的芯片生产线上；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出5纳米及 更先进刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配 合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下 更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。 在3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量 产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相 对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。 此外，公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产， 根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发，以满足5纳米以下的逻辑芯片、 1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的 ICP刻蚀设备的研发。 2、 MOCVD设备技术 公司的MOCVD设备Prismo D-Blue.、Prismo A7.能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片 4英寸外延片加工能力。公司的Prismo A7.设备已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据领 先地位。公司研发了用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备Prismo HiT3.，已在行业领先 客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复订单；用于Mini LED生产的MOCVD设备 Prismo UniMax.，已在领先客户端开始进行规模生产，并取得超过100台的客户订单；制造硅基（未完）  |