[年报]云南锗业(002428):2021年年度报告
原标题:云南锗业:2021年年度报告 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 2021 年年度报告 2022 年 3 月 第一节 重要提示、目录和释义 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真 实、准确、完整，不存 在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连 带的法律责任。 公司负责人包文东、主管会计工作负责人张杰及会计机构负责人 ( 会计主管 人员 ) 王先琴声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。 本报告所涉公司未来计划等前瞻性陈述，属于计划性事项，不构成公司对 任何投资者及相关人士的实质承诺，能否实现取决于市场状况变化、经营团队 的努力程度等多种因素，存在较大不确定性，投资者及相关人士均应当对此保 持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。公司生产经 营活动 受各种风险因素影响，相关风险公司在本年度报告第三节 “ 管理层讨论与 分析 ” 之 “ 公司未来发展的展望 ” 部分进行了专门说明，敬请广大投资者注意投资 风险。 公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。 目录 第一节 重要提 示、目录和释义 ................................ ...... 2 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ .... 6 第三节 管理层讨论与分析 ................................ ......... 10 第四节 公司治理 ................................ ................. 38 第五节 环境和社会责任 ................................ ........... 57 第六节 重要事项 ................................ ................. 66 第七节 股份变动及股东情况 ................................ ....... 80 第八节 优先股相关情况 ................................ ........... 86 第九节 债券相关情况 ................................ ............. 87 第十节 财务报告 ................................ ................. 88 备查文件目录 一、载有法定代表人签名的公司 2021 年年度报告全文； 二、载有公司法定代表人、主管 会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的会计报表； 三、载有信永中和会计师事务所（特殊普通合伙）盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件； 四、载有报告期内在中国证监会指定信息披露载体上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 释义 释义项 指 释义内容 公司、本公司 指 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 报告期 指 2021 年 1 - 12 月的会计期间 《公司章程》 指 《云南临沧鑫圆锗业股份有限公司章程》 《公司法》 指 《中华人民共和 国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 深交所 指 深圳证券交易所 元 指 人民币元 股东大会 指 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司股东大会 董事会 指 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会 监事会 指 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司监事会 中寨锗矿 指 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司中寨锗矿 大寨锗矿 指 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司大寨锗矿 第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司信息 股票简称 云南锗业 股票代码 002428 股票上市证券交易所 深圳证券交易所 公司的中文名称 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 公司的中文简称 云南锗业 公司的外文名称（如有） Yunnan Lincang Xinyuan Germanium Industry Co.,LTD 公司的外文名称缩写（如有） Yunnan Germanium 公司的法定代表人 包文东 注册地址 云南 省临沧市临翔区忙畔街道办事处忙畔社区喜鹊窝组 168 号 注册地址的邮政编码 677000 公司注册地址历史变更情况 无 办公地址 云南省昆明市呈贡新区马金铺电力装备园魁星街 666 号 办公地址的邮政编码 650503 公司网址 http://www.sino - ge.com 电子信箱 Diractorate@sino - ge.com 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 金洪国 张鑫昌 联系地址 云南省昆明市呈贡新区马金铺电力装备 园魁星街 666 号 云南省昆明市呈贡新区马金铺电力装 备 园魁星街 666 号 电话 0871 - 65955312 0871 - 65955973 传真 0871 - 63635956 0871 - 63635956 电子信箱 jinhongguo@sino - ge.com zhangxinchang@sino - ge.com 三、信息披露及备置地点 公司披露年度报告的证券交易所网站 深圳证券交易所（ http://www.szse.cn/ ） 公司披露年度报告的媒体名称及网址 《证券时报》、《中国证券报》、《上海证券报》、《证券日报》及巨潮资讯 网：（ http://www.cninfo.com.cn ） 公司年度报告备置地点 云南省昆明市呈贡新区马金铺电力装备园魁星街 666 号公司证券部 四、注册变更情况 组织机构代码 915300002194829991 公司上市以来主营业务的变化情况（如 有） 无变更 历次控股股东的变更情况（如有） 无变更 五、其他有关资料 公司聘请的会计师事务所 会计师事务所名称 信永中和会计师事务所（特殊普通合伙） 会计师事务所办公地址 北京市东城区朝阳门北大街 8 号富华大厦 A 座 8 层 签字会计师姓名 魏勇、丁恒花 公司聘 请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构 □ 适用 √ 不适用 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问 □ 适用 √ 不适用 六、主要会计数据和财务指标 公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据 □ 是 √ 否 2021 年 2020 年 本年比上年增减 2019 年 营业收入（元） 556,481,927.27 670,039,629.14 - 16.95% 418,466,179.51 归属于上市公司股东的净利润 （元） 13,961,935.98 22,632,038.83 - 38.31% - 59,145,273.60 归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润（元） - 26,030,745.50 - 770,000.05 - 3,280.62% - 60,986,345.87 经营活动产生的现金流量净额 （元） 112,514,113.01 124,771,164.47 - 9.82% - 104,052,608.38 基本每股收益（元 / 股） 0.02 0.04 - 50.00% - 0.09 稀释每股收益（元 / 股） 0.02 0.04 - 50.00% - 0.09 加权平均净资产收益率 0.95% 1.57% - 0.62% - 4.06% 2021 年末 2020 年末 本年末比上年末增减 2019 年末 总资产（元） 2,348,876,914.48 2,218,799,682.21 5.86% 2,031,333,158.27 归属于上市公司股东的净资产 （元） 1,470,134,036.90 1,455,083,196.48 1.03% 1,430,300,054.43 公司最近三个会计年度扣除非经常性损益前后净利润孰低者均为负值，且最近一年审计报告显示公司持续经营能力存在不确 定性 □ 是 √ 否 扣除非经常损益前后的净利润孰低者为负值 √ 是 □ 否 项目 2021 年 2020 年 备注 营业收入（元） 556,481,927.27 670,039,629.14 —— 营业收入扣除金额（元） 94,568.88 282,382.67 公司提供检测分析业务难以 形成稳定业务模式。 营业收入扣除后金额（元） 556,387,358.39 669,757,246.47 —— 七、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 √ 不适用 公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 √ 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、分季度主要财务指标 单位：元 第一季度 第二季度 第三季度 第四季度 营业收入 109,278,181.93 130,510,658.67 139,278,078.88 177,415,007.80 归属于上市公司股东的净利润 15,522,585.11 3,513,569.75 - 3,672,619.05 - 1,401,599.83 归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润 - 3,276,023.94 - 939,747.35 - 7,441,831.36 - 14,373,142.85 经营活动产生的现金流量净额 75,766,036.68 14,076,646.50 - 79,399,806.28 102,071,236.11 上述财务指标或其加总数是否与公司已 披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异 □ 是 √ 否 九、非经常性损益项目及金额 √ 适用 □ 不适用 单位：元 项目 2021 年金额 2020 年金额 2019 年金额 说明 非流动资产处置损益（包括已计提资产减 值准备的冲销部分） 3,667,049.68 - 1,586,261.16 计入当期损益的政府补助（与公司正常经 营业务密切相关，符合国家政策规定、按 照一定标准定额或定量持续享受的政府补 助除外） 49,426,343.13 31,077,546.99 10,838,254.68 计入当期损益的对非金融企业收取的资金 占用费 704,094.06 除同公司正常经营业务相关的有效套期保 值业务外，持有交易性金融资产、交易性 金融负债产生的公允价值变动损益，以及 处置交易性金融资产交易性金融负债和可 供出售金融资产取得的投资收益 25,783.33 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 53,881.09 - 126,685.74 - 6,250,301.12 减：所得税影响额 8,099,443.54 4,665,416.87 600,329.72 少数股东权益影响额（税后） 5,759,242.94 2,883,405.50 586,073.74 合计 39,992,681.48 23,402,038.88 1,841,072.27 -- 其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况： □ 适用 √ 不适用 公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号 —— 非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目 的情况说明 □ 适用 √ 不适用 公司不存在将《公开发行证券 的公司信息披露解释性公告第 1 号 —— 非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常 性损益的项目的情形。 第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司所处的行业情况 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 3 号 —— 行业信息披露》中固体矿产资源业的披露要求 报告期内，受国家能耗双控的影响，部分地区出现短时间的停产、减产的现象，影响部分月份国内锗 锭产量；由于锗价逐渐摆脱低成本区域，稳中向上的趋势不减，增强了上游锗精矿对后市的信心，供应端 低价出售的意愿较弱；下半年国内光纤市场逐渐回暖，加大了对锗金属的需求量；国内外锗价格在以上来 自原料端、需求端的多重因素支撑下，逐渐摆脱低位区，进入正常价格区间。 公司是一家拥有完整产业链的锗行业上市公司，拥有丰富、优质的锗矿资源，锗产品产销量全国第一， 是目前国内最大的锗系列产品生产商和供应商。是国家工信部认定的第六批制造业单项冠军示范企业。公 司子公司昆明云锗高新技术有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司为 国家工信部认定的专精特新“小巨人”企业。 公司矿山截至2009年12月31日，已经探明的锗金属保有储量合计达689.55吨。后公司通过收购采矿权 和股权的方式陆续整合五个含锗矿山，锗金属保有储量增加约250吨，2010年至今，累计消耗公司自有矿 山资源产出金属量约262.92 吨。公司对中寨锗矿进行资源勘查，《云南省临沧市中寨锗矿资源储量核实 报告》矿产资源储量评审于2016年1月11日由中华人民共和国国土资源部进行备案，根据报告截止2015年4 月30日，中寨锗矿保有锗资源储量：金属量68.64吨，增储29.75吨。公司按照国家关于供给侧结构性改革 和煤炭行业化解过剩产能的系列决策部署以及云南省、临沧市引导煤矿关闭退出的相关政策，配合相关主 管部门，对公司下属梅子箐矿山启动关闭退出工作，截止2009年12月31日，梅子箐矿山锗金属保有储量 76.36吨，2010年至今，梅子箐矿山累计开采消耗锗金属量9.39吨，2019年梅子箐矿山已经完成关停退出 工作。 二、报告期内公司从事的主要业务 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 3 号 —— 行业信息披露》中固体矿产资源业的披露要求 1、公司业务和产品 公司主要业务为锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发。目前公司矿山开 采的矿石及粗加工产品不对外销售，仅作为公司及子公司下游加工的原料。公司目前材料级锗产品主要为 区熔锗锭、二氧化锗；深加工方面，光伏级锗产品主要为太阳能锗晶片，红外级锗产品主要为红外级锗单 晶（光学元件）、锗镜片、镜头、红外热像仪，光纤级锗产品为光纤用四氯化锗，化合物半导体材料主要 为砷化镓晶片、磷化铟晶片。公司产品主要运用包括红外光学、太阳能电池、光纤通讯、发光二极管、垂 直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等领域。 截至期末，公司材料级产品区熔锗锭产能为：47.60吨/年，太阳能锗晶片产能为30万片/年（4英寸）、 20万片/年（6英寸），光纤用四氯化锗产能为60吨/年，红外光学锗镜头产能为3.55万套/年，砷化镓晶片 产能为80万片/年（2—4英寸），磷化铟晶片产能为10万片/年（2—4英寸）。 2、经营模式 公司生产部门根据各产品的市场需求情况，结合公司生产实际情况，制定生产计划，进行生产准备， 并组织实施生产。所需原料由自有矿山供应及外购原料共同构成，辅助材料则由外部供应。全资子公司云 南东昌金属加工有限公司、控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司原辅料全部从外部采购；下游深加工 产品方面，公司分别设立子公司负责不同系列的产品生产。昆明云锗高新技术有限公司负责红外级锗产品 生产，云南中科鑫圆晶体材料有限公司负责光伏级锗产品生产，武汉云晶飞光纤材料有限公司负责光纤级 锗产品生产，云南鑫耀半导体材料有限公司负责化合物半导体材料生产。 公司及子公司实行集中采购，对采购流程严格控制，通过软件系统对采购过程进行全程监督。公司所 有产品销售均由销售部门负责，根据产品用途，将产品划分为材料级锗产品、光伏级锗产品、红外级锗产 品、光纤级锗产品、化合物半导体材料等，按照上述产品分类，分别在公司和负责上述产品生产的子公司 设立营销部门负责各系列产品的销售。 3、盈利能力 目前，按产品类别，公司营业收入来源占比最大的仍为材料级锗产品的销售，因此锗价对公司盈利能 力有直接影响。但近年来，随着公司发展战略的逐步推进，公司内部整体产业结构重心逐步转向下游深加 工领域，材料级锗产品的销售收入占比逐渐降低，对公司业绩的影响程度也在不断下降；与此同时，公司 通过不断延伸产业链、发展深加工产品，希望通过下游精深加工产品、化合物半导体材料的销售保证公司 赚取产业链中利润率相对较高的部分，因此，公司下游锗产品、化合物半导体材料能否顺利拓展市场、释 放产能，销售比重能否进一步提高，将会是驱动公司业绩增长的重要因素。 三、核心竞争力分析 1、产业优势 公司是集锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发一体化产业链的锗生产企 业。公司通过锗矿开采、火法富集生产锗精矿，通过湿法提纯、区熔精炼生产高纯二氧化锗、区熔锗锭， 可供直接销售，也可供精深加工生产高附加值的高端产品。 公司拥有完整的一体化锗产业链，在提供充足原料保障、有效降低经营成本的同时，可以通过下游精 深加工产品保证公司赚取产业链中利润率相对较高的部分。在市场竞争中，本公司较为完整的锗系列产品 能够在多层次满足不同客户的需求，有利于公司建立稳定的客户基础。 随着公司化合物半导体材料的逐步投产，公司将在原有的锗系列产品基础上，进一步丰富产品类别， 优化产品结构，化合物半导体材料的生产、销售，有利于公司开拓新的盈利增长点，分散经营风险。 公司产品在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光电、太阳能电池、化学催化剂、 生物医学等领域都有广泛而重要的应用，均属于战略性新兴产业，符合国家支持和鼓励的发展方向，市场 前景较好。 2、资源优势 本公司拥有丰富的锗资源保有储量，同时也是国内锗产业链较为完整的锗系列产品生产商和供应商。 丰富的资源储量为公司发展深加工产业、延伸产业链提供了可靠的保障。 3、规模效应 领先的产业规模优势使公司具备了规模经济效益，能有效提高锗金属的综合回收率和利用率，降低物 料消耗和综合能耗，优化成本结构，为实现经济效益最大化提供保障。 4、技术及研发优势 公司在锗矿开采、锗提取与高端锗材料加工等技术领域具有领先的技术和强大的研发能力，2020年通 过国家高新技术企业重新认定，2015年公司技术中心被认定为国家级企业技术中心；2017年通过中国合格 评定国家认可委员会实验室认可；与多所大学和科研院所合作，实现产、学、研相结合，促进公司技术升 级和产品设计能力提升。截至目前，公司先后承担了国家863计划、国家科技支撑计划、省国际科技合作、 省重点新产品开发、省重大科技专项、重点研发计划等省级以上项目20余项；主持制(修)定国家及行业标 准55项，获得授权专利135件(其中发明专利42件)；2018年通过国家知识产权示范企业认定，获得了2019 年云南省专利一等奖；发表核心以上科技论文及论著30余篇（部）；获2014年云南省技术发明一等奖、2018 年云南省自然科学一等奖、2020年云南省技术发明二等奖等省部级以上科技奖励5项，2010年、2015年、 2019年云南省标准化创新贡献奖3项；临鑫圆商标获中国驰名商标和云南省著名商标称号，获云南省名牌 及重点新产品各2项。 四、主营业务分析 1、概述 2021年度由于锗矿地质品位发生变化，“两矿合一”工作尚未完成等因素影响，导致出矿品位下降， 公司利润指标较上年有所下降；但公司也取得一些成绩，如子公司云南东昌金属加工有限公司、武汉云晶 飞有限公司实现了扭亏为盈，云南鑫耀半导体材料有限公司的主要产品砷化镓晶片、磷化铟晶片良品率指 标明显提高，产品成本大幅下降，将有利于公司未来业务的转型升级和赢利能力的提升。 报告期内，公司明确经营思路，把握经营重点，抢抓机遇不放松，逆势而上化挑战为机遇，各项工作 稳步推进，科技研发、产品销售、成本控制、人才引进、安全环保等工作取得了积极成效，下游客户对公 司产品的认可度不断提高，公司产业结构优化、升级不断深入，尤其是公司负责化合物半导体材料生产的 子公司云南鑫耀半导体材料有限公司开始向下游客户批量供货，为公司的发展带来了新的活力和契机。 （1）总体经营成果 单位：元 项目 2021年度 2020年度 本年度较上年度增减 营业收入 556,481,927.27 670,039,629.14 -16.95% 营业成本 447,497,344.82 550,852,121.79 -18.76% 其他收益 49,426,343.13 31,077,546.99 59.04% 信用减值损失 1,637,392.99 -3,249,409.23 -150.39% 资产处置收益 3,667,049.68 所得税费用 6,798,864.11 -1,687,115.13 502.99% 归属于母公司所有者的净利润 13,961,935.98 22,632,038.83 -38.31% 少数股东损益 8,694,027.14 704,092.29 1,134.79% ①营业收入本年度较上年下降11,355.77万元，降低16.95%，原因系：贸易业务收入本年度较上年下 降12,478.02万元，降低99.85%；产品销售收入本年度较上年增加1,122.25万元，增长2.05%，主要原因系： 由于部分产品价格上升，增加营业收入2,106.54万元，其中，区熔锗锭价格增长20.48%，锗镜片价格增长 12.15%，砷化镓晶片价格增长63.76%（主要是该产品结构由LED级为主转向高端半绝缘、低位错级为主， 高端产品价格较高）等；由于产品销售量下降减少营业收入984.29万元；其中，锗镜片销量下降7.24%， 红外镜头销量下降42.09%，砷化镓晶片销量下降63.21%（原因同上，为产品结构调整）等。 ②营业成本本年度较上年下降10,335.48万元，降低18.76%，原因系：贸易业务成本本年度较上年下 降12,198.27万元，降低99.85%；产品销售成本本年度较上年增加1,862.79万元，增长4.34%，主要原因系： 由于部分产品单位产品成本上升，增加营业成本合计2,270.21万元；由于部分产品销售量下降减少营业成 本合计407.42万元。 ③其他收益本年度较上年度增加1,834.88万元，增长59.04%，主要原因系本年度收到的与收益相关的 政府补助、摊销以前年度收到的与资产相关的政府补助增加。 ④信用减值损失本年度较上年度下降488.68万元，降低150.39%，主要原因系本年收回其他应收款， 导致计提的坏账准备转回。 ⑤资产处置收益本年较上年度增加366.70万元，原因系处置“云南省凤庆县砚田多金属及锗矿详查探 矿权”取得收益。 ⑥所得税费用本年较上年度增加848.60万元，增长502.99%,主要原因系本年应纳税所得额增加。 ⑦归属于母公司所有者的净利润本年较上年度下降867.01万元，下降38.31%,主要原因系由于本年经 营性盈利下降所致。 ⑧少数股东损益本年较上年度增加798.99万元，主要原因系本年度控股子公司云南鑫耀半导体材料有 限公司的盈利较上年增加。 (2) 经营情况综述 ①产品生产情况 2021年，公司及子公司生产材料级锗产品34.25吨；生产红外级锗产品折合金属量5.72吨，镜头及整 机4,261具（套）；生产光伏级锗产品20.00万片（4-6英寸）；生产光纤级锗产品29.73吨；化合物半导体 材料：砷化镓晶片10.82万片（1-6英寸），磷化铟晶片5.60万片（2-4英寸）。 ②人才体系建设加快，各层次人才得到进一步充实 秉承“科技先行”原则，高度重视人才体系建设，着力打造科技创新型和专业高效型企业。加大了人 才的引进、培养和使用。搭建创新平台、引进和培养紧缺高精尖人才，产学研深度结合、“双向”培养人 才，人才和项目相结合、聚集培养人才，多种形式开展在岗学习培训、提升造就人才，建立科学的薪酬体 制、留住稳住人才。多渠道合作培养人才，加强与大学及科研院所的合作，通过联合承担国家级、省市级 研发项目，建立博士后工作站、本科生实习实训基地，联合培养研究生，选派优秀技术人员到校院进修， 委托高校培养硕士、博士等。不仅完成了公司新产品和新技术的开发，同时实现了人才的多方位联动培养。 ③聚焦高端和前沿，技术研发和产品国产化替代步伐加快 充分发挥公司基础好、起步早、人才强等优势，聚焦高端产业和前沿技术，技术研发和产品国产化替 代步伐加快。技术研发力度进一步加大。依托现有产业基础和条件，面向光电半导体材料的应用领域，以 市场为导向，加大研发力度。联合行业上下游企业，形成产业集群，延伸产业链。通过技术创新、产业升 级，不断提升光电子微电子用半导体新材料产品质量，调整产业结构，打造光电子微电子新材料基地，实 现可持续发展、产品和技术自主可控；产品国产化替代步伐加快，开始批量化向国内客户供货。将挑战转 化为加快产品研发的机遇，大力开展锗高端系列产品、光电半导体新材料产品等的研发。 ④严控和规范流程，产品质量明显提高 强化质量管理意识，依托IATF16949管理体系，持续严把“三关”，坚持科技提质，确保质量：把好 源头关，把好生产原料、辅料、中间半成品的质量关，确保根源和过程不出问题；把好监控关，强化生产 流程控制分析，严控生产过程中的每个环节、每道工序，确保流程标准、操作规范；严把检测关，严格按 照国家和行业标准及客户需求，加强出厂产品质量的检验检测，对不符合要求的，采取控制原材料质量、 改进工艺流程和工艺操作等方法来提升质量。 依靠科技提升质量，依托公司技术优势，人力资源优势，组织“特战队”“攻坚团”等，开展生产质 量攻关，用最短的时间和最优化、最稳定的方式推进产品质量提升，积极组织技改创新项目实验，不断提 高产品质量和产能利用率。 ⑤市场拓展力度加大，产品销售面更广 抢抓国家“国产替代进口”战略机遇，坚持“高端产品”与“量大面广产品”相结合的营销战略，面 向国内外，积极开发市场，扩大产品销售。巩固老客户、稳住存量市场。维护与老客户的关系，巩固完善 原有市场，满足老客户、存量市场的产品需求，主动做好后续沟通服务工作，客户满意度大幅提升；挖掘 新市场、拓展新客户。提升销售人才队伍的营销能力，产品销售结构得到进一步调整升级，产品销售区域 实现进一步扩大。 ⑥进一步完善绩效考核，激发员工活力 以打造现代企业为目标，持续完善制度，健全管理体系。细化完善了绩效考核体系。下达科学合理的 生产经营指标，充分调动了员工的工作积极性、主动性、创造性；开展述职表彰先进、鞭策后进活动。进 行了定期述职，让中层干部亮出成绩、自揭不足，让员工对表、对标找出差距、发现不足，努力改进；多 种方式提升员工谋事干事的工作氛围。组织开展了节假日关怀、团建活动、集体生日会和月度生产标兵、 月度之星等评选工作。通过一系列活动和措施，有效提升了员工主动担当、务实进取的工作积极性和主动 性。 2、收入与成本 （1）营业收入构成 单位：元 2021 年 2020 年 同比 增减 金额 占营业收入比重 金额 占营业收入比重 营业收入合计 556,481,927.27 100% 670,039,629.14 100% - 16.95% 分行业 有色金属（压延加工业） 485,548,813.40 87.25% 606,183,792.35 90.47% - 19.90% 化合物半导体 70,933,113.87 12.75% 63,855,836.79 9.53% 11.08% 分产品 材料级锗产品 237,935,882.70 42.76% 152,254,980.12 22.72% 56.27% 红外级锗产品 88,227,282.06 15.85% 158,157,982.60 23.60% - 44.22% 光伏级锗产品 77,109,253.60 13.86% 110,896,407.79 16.55% - 30.47% 光纤级锗产品 68,842,348.43 12.37% 48,590,280.51 7.25% 41.68% 化合物半导体材料 70,933,113.87 12.75% 63,855,836.79 9.53% 11.08% 贸易业务 186,331.60 0.03% 122,488,704.30 18.28% - 99.85% 其他 13,247,715.01 2.38% 13,795,437.03 2.06% - 3.97% 分地区 国外 151,395,510.98 27.21% 110,502,518.42 16.49% 37.01% 国内 405,086,416.29 72.79% 559,537,110.72 83.51% - 27.60% 分销售模式 直销 556,481,927.27 100.00% 670,039,629.14 100.00% - 16.95% （2）占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 √ 适用 □ 不适用 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 3 号 —— 行业信息披露》中固体矿产资源业的披露要求 单位：元 营业收入 营业成本 毛利率 营业收入比上年 同期增减 营业成本比上年 同期增减 毛利率比上年同 期增减 分行业 有色金属（压延加工业） 485,548,813.40 401,516,235.51 17.31% - 19.90% - 20.20% 0.31% 化合物半导体材料 70,933,113.87 45,981,109.31 35.18% 11.08% - 3.63% 9.90% 分产品 材料级锗产品 237,935,882.70 205,891,042.21 13.47% 56.27% 65.87% - 5.00% 红外级锗产品 88,227,282.06 64,145,877.41 27.29% - 44.22% - 45.27% 1.40% 光伏级锗产品 77,109,253.60 63,168,799.19 18.08% - 30.47% - 29.13% - 1.55% 光纤级锗产品 68,842,348.43 63,079,178.40 8.37% 41.68% 40.77% 0.59% 化合物半导体材料 70,933,113.87 45,981,109.31 35.18% 11.08% - 3.63% 9.90% 贸易业务 186,331.60 100.00% - 99.85% - 100.00% 97.73% 分地区 国外 151,395,510.98 132,69 8,610.98 12.35% 37.01% 50.87% - 8.06% 国内 405,086,416.29 314,798,733.84 22.29% - 27.60% - 31.99% 5.02% 公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近 1 年按报告期末口径调整后的主营业务数据 □ 适用 √ 不适用 （3）公司实物销售收入是否大于劳务收入 √ 是 □ 否 行业分类 项目 单位 2021 年 2020 年 同比增减 材料级锗产品（锗金 属量） 销售量 公斤 33,795.52 26,669 .73 26.72% 生产量 公斤 34,246.43 29,172.04 17.39% 库存量 公斤 3,783.37 3,332.46 13.53% 光伏级锗产品 销售量 片（折合 4 英 寸） 271,795.5 284,304 - 4.40% 生产量 片（折合 4 英 寸） 244,781 351,148.75 - 30.29% 库存量 片（折合 4 英 寸） 87,669.25 114,683.75 - 23.56% 红外级锗产品（毛坯 及镀膜镜片） 销售量 公斤 5,557.66 5,991.57 - 7.24% 生产量 公斤 5,720 5,998 - 4.63% 库存量 公斤 474.1 311.75 52.08% 红外级锗产品（镜 头、整机） 销售量 具 / 套 4,169 7,199 - 42.09% 生产量 具 / 套 4,261 7,141 - 40.33% 库存量 具 / 套 261 169 54.44% 光纤级锗产品 销售量 公斤 30,245.97 21,276.3 42.16% 生产量 公斤 29,726.4 20,448.29 45.37% 库存量 公斤 4,637.72 5 ,157.29 - 10.07% 化合物半导体材料 销售量 片（折合 4 英 寸） 68,249.81 149,185.01 - 54.25% 生产量 片（折合 4 英 寸） 67,187.12 174,352.01 - 61.46% 库存量 片（折合 4 英 寸） 66,624.19 67,686.88 - 1.57% 相关数据同比发生变动 30% 以上的原因说明 √ 适用 □ 不适用 ①材料级锗产品 本年销售量、生产量分别较上年增长26.72%、17.39%，主要原因系本年度市场需求增长所致。 本年库存量较上年增长13.53%（上年末为3.33吨，本年末为3.78吨），主要原因系2021年四季度在手 订单和客户采购意向增加，有计划的增加库存。 ②光伏级锗产品 生产量本年较上年降低30.29%，主要原因系某大客户采购计划推迟执行，产品交货时间顺延，导致本 年为其供应的产品产量下降。 ③红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片） 库存量本年较上年增长52.08%（上年末311.75公斤，本年末474.10公斤），主要原因系本年末待发货 产品增加。 ④红外级锗产品（镜头、整机） 本年销售量较上年下降42.09%，主要原因系上一年度因为疫情原因，订单短期激增，而本年度，随着 疫情的缓解，订单逐步回落。 本年生产量较上年下降40.33%，主要原因系订单减少。 本年库存量较上年增长54.44%，主要原因系年末待发货的产品增加。 ⑤光纤级锗产品 本年产量、销售量分别较上年增长45.37%、42.16%，主要原因系本年度市场回暖，需求增长。 ⑥化合物半导体材料 折合4英寸计算，本年销售量较上年下降54.25%。其中：本年度砷化镓晶片销量下降63.21%，上年度 销售的砷化镓晶片LED级产品占比较高，而本年度未销售LED级产品，产品结构由LED级升级为高品质半绝 缘、低位错级产品。该产品转型升级过程，市场开拓和客户验证周期较长，订单量较小；磷化铟晶片开始 向国内客户批量供货，销量增长46.74%。 本年生产量较上年下降61.46%。其中：LED级砷化镓晶片不再生产，高端产品订单量较小，以及根据 行业惯例，高端产品技术难度大、参数要求高，导致砷化镓晶片产量同比下降70.29%；磷化铟晶片产量同 比增长24.01%。 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 3 号 —— 行业信息披露》中固体矿产资源业的披露要求 行业分类 项目 单位 2021 年 2020 年 同比增减 材料 级锗产品（含锗 金属量） 销售量 公斤 33,795.52 26,669.73 26.72% 生产量 公斤 34,246.43 29,172.04 17.39% 库存量 公斤 3,783.37 3,332.46 13.53% （4）公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □ 适用 √ 不适用 （5）营业成本构成 行业分类 单位：元 行业分类 项目 2021 年 2020 年 同比增减 金额 占营业成本比重 金额 占营业成本比重 有色金属（压延加工业） 原料成本 292, 188,946.91 72.77% 401,721,763.93 79.84% - 27.27% 有色金属（压延加工业） 直接人工成本 43,112,761.72 10.74% 44,879,761.99 8.92% - 3.94% 有色金属（压延加工业） 动力费 9,526,209.37 2.37% 10,347,000.06 2.06% - 7.93% 有色金属（压延加工业） 辅助材料费 13,843,245.11 3.45% 12,986,560.55 2.58% 6.60% 有色金属（压延加工业） 制造费用 42,845,072.40 10.67% 33,203,534.35 6.60% 29.04% 化合物半导体材料 原料成本 21,921,826.78 47.68% 23,708,151.85 49.69% - 7.53% 化合物半导体材料 直接人工成本 4,351,302.47 9.46% 4,816,702.75 10.10% - 9.66% 化合物半导体材料 动力费 2,704,656.35 5.88% 3,038,451.61 6.37% - 10.99% 化合物半导体材料 辅助材料费 7,982,973.10 17.36% 8,127,068.03 17.03% - 1.77% 化合物半导体材料 制造费用 9,020,350.61 19.62% 8,023,126.66 16.82% 12.43% 说明 有色金属：原料成本大幅下降，主要原因系上年度贸易业务收入12,248.87万元，对应的成本11,971.08 万元并入有色金属行业原料成本列示。本年度贸易收入、成本均大幅下降； 化合物半导体材料：原料成本、直接人工成本、动力费、辅助材料费均下降，主要原因系本年度公司 调整产品结构，由LED级为主，调整至高品质半绝缘、低位错级产品为主，导致化合物半导体材料砷化镓 晶片产量下降。 （6）报告期内合并范围是否发生变动 □ 是 √ 否 （7）公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □ 适用 √ 不适用 （8）主要销售客户和主要供应商情况 公司主要销售客户情况 前五名客户合计销售金额（元） 225,478,131.8 4 前五名客户合计销售金额占年度销售总额比例 40.52% 前五名客户销售额中关联方销售额占年度销售总额比例 0.00% 公司前 5 大客户资料 序号 客户名称 销售 额（元） 占年度销售总额比例 1 第一名 71,984,509.88 12.94% 2 第二名 45,025,480.61 8.09% 3 第三名 41,200,203.50 7.40% 4 第四名 35,058,097.34 6.30% 5 第五名 32,209,840.51 5.79% 合计 -- 225,478,131.8 4 40.52% 主要客户其他情况说明 □ 适用 √ 不适用 公司主要供应商情况 前五名供应商合计采购金额（元） 257,546,228.05 前五 名供应商合计采购金额占年度采购总额比例 56.40% 前五名供应商采购额中关联方采购额占年度采购总额比例 0.00% 公司前 5 名供应商资料 序号 供应商名称 采购额（元） 占年度采购总额比例 1 第一名 81,654,613.42 17.88% 2 第二名 64,692,875.30 14.17% 3 第三名 60,416,033.79 13.23% 4 第四名 33,744,231.84 7.39% 5 第五名 17,038,473.70 3.73% 合计 -- 257,546,228.0 5 56.40% 主要供应商其他情况说明 □ 适用 √ 不适用 3、费用 单位：元 2021 年 2020 年 同比增减 重大变动说明 销售费用 5,440,458.56 4,955,412.08 9.79% 管理费用 65,190,698.90 56,741,345.76 14.89% 财务费用 26,759,896.11 28,831,456.43 - 7.19% 研发费用 28,368,511.37 25,901,051.29 9.53% 4、研发投入 √ 适用 □ 不适用 主要研 发项 目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来 发展的影响 光纤材料用 高纯四氯化 锗制备技术 研究 优化精馏生产工艺，提升高 纯四氯化锗生产工艺水平， 适应各类光纤客户需求。 完成了项目研发内容，生产产 品杂质含量、纯度达到预期目 标，实现生产成本优化。 开发 8N 高纯四氯化锗产品。 丰富了产品类 别，降低成本。 6 英寸 VGF 法 太阳能电池 用锗单晶的 高通量制备 表征关键技 术研究 加快 6 英寸 VGF 法太阳能电 池用锗单晶高通量制备技术 研发，对标 国际知名公司 ， 追赶上国际同类先进水平。 完成了项目研发内容和技术 经济考核指 标；申报了相关技 术专利 4 件。实现了 VGF 法制 备太阳能电池用锗单晶技术 突破。 解决国家光伏产业急需的高 端、关键材料匮乏的问题，替 代进口 。 为太阳能锗单晶 升级换代打下基 础，向 8 英寸以 上超大尺寸太阳 能用锗单晶产业 化的方向发展迈 出重要一步。 6 英寸超低位 错砷化镓单 晶技术研发 项目 开发超低位错砷化镓单晶生 长工艺，实现公司砷化镓产 品从 LED 低端到手机芯片和 激光器件的战略转型。 完成了研发任务，产品达到预 期指标要求。完成了 2 件 发明 专利申请。 开发砷化镓垂直梯度凝固法单 晶生长工艺技术，设计单晶生 长控制程序，实现大尺寸、超 低位错砷化镓单晶的稳定生 长。 拓展公司的业务 范围，提高公司 的市场竞争力 。 碳化硅单晶 片产业关键 技术研究 突破碳化硅单晶生长、晶片 加工、检测测试的关键技术 和产业化技术瓶颈 项目 进行中。 现已完成碳化硅 单晶炉的设计、单晶生长的热 场设计、单晶生长的热场设 计、低位错密度单晶生长关键 技术及低应力单晶退火技术。 进入到晶片加工关键技术研 究。 建成碳化硅晶片中试线 。 全面实现碳化硅 晶片关键技术和 共性技术瓶颈突 破为产业化奠定 基础。 锗材料数据 库建设与直 借助材料基因组工程技术， 快速缩 短光伏级锗单晶生产 已完成了工艺技术方案设计、 提拉和旋转动态自适应网格、 掌握直拉法制备高品质锗单晶 关键核心技术。 提升企业自主创 新能力和国际竞 拉法制备光 伏级锗单晶 的工程化应 用示范项目 技术及产品质量与 先进国家 的差距；建立锗材料研发、 生产、应用全过程数据库。 传热和流动（大涡模拟）模型 以及瞬态求解器的程序编写、 锗材料数据库平台软件整体 架构、功能模块设计、锗单晶 生产过程的需求分析和原型 系统设计等，申报 2 个发明专 利保护。 争力，将企业研 发，转向大数据 分析的研发模 式，缩短高技术 产品的研发周 期。 电子级四氟 化锗制备关 键技术研究 及中试生产 线建设 开发电子级四氟 化锗新产 品，研制相关生产设备，掌 握相关生产工艺技术、质量 检测技术，满足客户要求。 项目进行 中 。 完成 了 工艺和设 备设计，购置仪器，试验生产 完成，建设实验室，进入小试 生产阶段。 建造高纯四氟化锗制备及质量 检验实验室，研发高纯四氟化 锗产品，掌握 高纯四氟化锗检 测方法。 建成电子级四氟化锗 的中试生产线。 为电子级四氟化 锗产业化奠定基 础。 大 直径红外 级锗单晶产 品开发 解决直拉法生产大直径红外 级锗单晶生产关键技术问 题。 项目进行 中。 完成单晶炉热场 设计和改造升级，确定提拉速 度、转动速度等工艺参数，开 展小试试验。 大直径红外锗 单晶生长热场系 统设计，研究单晶生长的基本 规律，探索拉晶工艺参数，优 化退火工艺。 提高公司大直径 红外锗单晶生长 关键技术水平， 为产业化生产奠 定基础。 多光谱硫化 锌光学整流 罩研究开发 项目 掌握多光谱硫化锌整流罩加 工生产关键技术。 完成项目研发任务，产品达到 预期指标要求，满足客户要 求，申请专利 7 件 ，建成多光 谱硫化锌整流罩中试生产线。 开发出多光谱硫化锌整流罩新 产品，掌握多光谱硫化锌整流 罩加工技术，建成中试生产线。 提高 了 公司的硫 化锌整流罩加工 工艺技术水平， 提高产品附加 值。 8 英寸高效率 太阳能电池 用锗单晶片 产业化 关键 技术研究 突破 8 英寸大直径锗单晶生 长、晶片加工、检测测试的 关键技术和产业化技术瓶颈 项目 进行中。 完成 8 英寸 VGF 法锗单晶炉的设计、热场设 计、低位错密度单晶生长关键 技术及低应力单晶退火技术。 试制出的 8 英寸锗单晶技术指 标达到任务指标，进入到晶片 加工关键技术研究。 建成 8 英寸太阳能电池用锗晶 片中试线 全面实现大直径 太阳能电池用锗 关键技术和共性 技术瓶颈突破。 半绝缘砷化 镓单晶及晶 片关键技术 研究及产业 化项目 掌握 4 - 6 英寸半绝缘砷化镓 单晶片生产关键技术。 完成项目研发任务，产品电学 性能，机械性能，表面光洁度 技术 指标满足使用要求 ，建成 了 中试生产线。申请专利 5 项， 参与制定国家标准 1 项。 通过项目实施开发出 4 - 6 英寸 变绝缘砷化镓单晶及单晶片， 建成半绝缘砷化镓单晶片中试 生产线。 为公司未来的大 规模生产和半绝 缘砷化镓产品打 下基础。 6 英寸高品质 磷化铟单晶 片产业化关 键技术研究 项目 突破 6 英寸大直径磷化铟单 晶生长、晶片加工、检测测 试的关键技术和产业化技术 瓶颈 项目 进行中。 完成 6 英寸 VGF 法磷化铟单晶炉的设计、热场 设计、低位错密度单晶生长关 键技术及低应力单晶退火技 术。试制出的 6 英寸磷化铟单 晶技术指标达到任务指标，进 入到晶片加工 关键技术研究。 建成磷化铟晶片中试线 。 全面实现大直径 磷化铟晶片关键 技术和共性技术 瓶颈突破。 公司研发人员情况 2021 年 2020 年 变动比例 研发人员数量（人） 1 08 129 - 16.28% 研发人员数量占比 7.14 % 8.80% - 1 . 66 % 研发人员学历结构 —— —— —— 本科 34 29 17.24% 硕士 10 9 11.11% 博士 7 2 250.00% 专科 57 89 - 35.96% 研发人员年龄构成 —— —— —— 30 岁以下 19 27 - 29.63% 30~40 岁 40 55 - 27.27% 40 岁以上 49 47 4.26% 公司研发投入情况 2021 年 （未完）  |