[年报]安集科技(688019):2021年年度报告

时间:2022年04月14日 20:02:43 中财网

原标题:安集科技:2021年年度报告

公司代码:688019 公司简称:安集科技 安集微电子科技(上海)股份有限公司
2021年年度报告









重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人Shumin Wang、主管会计工作负责人Zhang Ming及会计机构负责人(会计主管人员)Zhang Ming声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经公司董事会审议通过的利润分配预案为:公司拟以实施2021年度利润分派股权登记日的总股本为基数,向全体股东每10股派发现金红利3.19元(含税)。截至2021年12月31日,公司总股本为53,220,580股,以此计算合计拟派发现金红利总额为16,977,365.02元(含税),占母公司当年实现可分配利润比例约12.20%,占公司合并报表归属上市公司股东净利润的13.57%,剩余未分配利润结转以后年度分配;公司不进行资本公积金转增股本,不送红股。

本次利润分配方案尚需提交本公司2021年年度股东大会审议通过。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用


九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性


十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义....................................................................................................................5
第二节 公司简介和主要财务指标 ...............................................................................8
第三节 管理层讨论与分析 .........................................................................................15
第四节 公司治理 .........................................................................................................60
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 .................................................................83
第六节 重要事项 .........................................................................................................91
第七节 股份变动及股东情况 ................................................................................... 114
第八节 优先股相关情况 ...........................................................................................121
第九节 公司债券相关情况 .......................................................................................121
第十节 财务报告 .......................................................................................................122



备查文件目录报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正 文及公告的原稿
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件




第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
安集科技、公司安集微电子科技(上海)股份有限公司
Anji CaymanAnji Microelectronics Co., Ltd.,公司控股股东
上海安集安集微电子(上海)有限公司,公司全资子公司
宁波安集宁波安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
台湾安集台湾安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
安集投资宁波安集股权投资有限公司,公司全资子公司
北京安集北京安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
安特纳米山东安特纳米材料有限公司,安集投资的参股公司
国家“02专项”国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套 工艺专项”
股东大会安集微电子科技(上海)股份有限公司股东大会
董事会安集微电子科技(上海)股份有限公司董事会
监事会安集微电子科技(上海)股份有限公司监事会
高级管理人员公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书
《公司章程》《安集微电子科技(上海)股份有限公司章程》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
报告期2021年1月1日-12月31日
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
化学机械抛光(CMP)Chemical Mechanical Planarization,集成电路制造过 程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯 机械或纯化学的抛光方法不同,CMP 技术由化学作用和 机械作用两方面协同完成。
湿电子化学品是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过 程中不可缺少的关键性基础化工材料之一,一般要求超 净和高纯,对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都 有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同,可将湿电 子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。
化学机械抛光液/抛光液又称“化学机械研磨液”,由纳米级研磨颗粒和高纯化 学品组成,是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学 材料。
研磨颗粒化学机械抛光液所用的研磨颗粒通常采用氧化硅,氧化 铝,氧化铈等胶体颗粒分散于抛光液中。
光刻半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝 光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻 蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。
光刻胶光刻中采用的感光物质,其利用光照反应后溶解度不同
  将掩膜版图形转移至衬底上。
光刻胶去除刻蚀之后,图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻 蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了,而要从表面去掉。
光刻胶去除剂/光阻去除 剂又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”,是光刻胶去 除工艺中使用的化学材料,主要由极性有机溶剂、强碱 和/或水等组成,通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利 用清洗液冲洗半导体晶片,去除半导体晶片上的光刻胶。
刻蚀后清洗液一种光刻胶去除剂,应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物 去除
光刻胶剥离液一种光刻胶去除剂,应用于厚膜光刻胶去除,包括晶圆 级封装以及部分集成电路工艺
芯片、集成电路(IC)Integrated Circuit,是一种微型电子器件或部件。采 用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电 容和电感等元件及布线互连一起,制作在半导体晶片或 介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电 路功能的微型结构。
逻辑芯片一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确 定。
存储芯片又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体 介质器件,其存储与读取过程体现为电子的存储或释放, 广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储 硬盘等领域。
DRAM动态随机存取存储器,属于易失性存储器。
NAND闪存,属于非易失性存储器。
2D NAND存储单元为平面结构的一种NAND存储器。
3D NAND一种通过把存储单元堆叠在一起来解决 2D 或者平面 NAND闪存限制的三维芯片闪存类型。
晶圆(wafer)半导体集成电路制作所用的晶片,由于其形状为圆形, 故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构, 而成为有特定电性功能的集成电路产品。
先进封装处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC) 结构的封装、晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、 2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴。
晶圆级封装(WLP)Wafer-Level Packaging,在晶圆上封装芯片,而不是先 将晶圆切割成单个芯片再进行封装。这种方案可实现更 大的带宽、更高的速度与可靠性以及更低的功耗,并为 用于移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、人工智 能和物联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系 数。
铜阻挡层集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材 料,目的是防止铜和绝缘介质发生扩散或反应。
发光二极管(LED)Light Emitting Diode,一种固态的半导体器件,它可 以直接把电转化为光。
有机发光二极管(OLED)Organic Light-Emitting Diode,其原理是在两电极之 间夹上有机发光层,当正负极电子在此有机材料中相遇 时就会发光。
鳍 式 场 效 应 晶 体 管Fin Field-Effect Transistor,一种新的互补式金属氧
(FinFET) 化物半导体晶体管,FinFET命名是根据晶体管的形状与 鱼鳍非常相似。这种设计可以大幅改善电路控制并减少 漏电流,也可以大幅缩短晶体管的闸长。
摩尔定律当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约 每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。
超越摩尔当芯片中的临界尺寸越来越接近物理极限,摩尔定律不 能沿用原来的方法单纯缩小元器件尺寸来提高元器件密 度。只能通过引入更加创新的三维集成来提升芯片性能, 包括革命性的新材料,芯片内的三维堆积,芯片之间的 三维互联。
技术节点泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”,尺寸越小, 表明工艺水平越高,如130nm、90nm、28nm、14nm、7nm 等等。
平坦化在制造工艺中,通过热流程、有机层或化学机械抛光技 术对晶圆表面的平整化。
纳米(nm)-9 长度单位,1nm=10 m。
长度单位,1埃等于1微米的万分之一。
导体具有低电阻和高电导率的材料。
介质绝缘材料。在加电压时不传导电流。半导体工艺中常用 两种介质,即氧化硅和氮化硅。
浅槽隔离(STI)浅槽隔离,即 Shallow-Trench Isolation。通常用于 0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形 化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积氧化物,用于 与硅基内不同器件之间的隔离。
介电材料介电材料属绝缘体,是指在外电场作用下能发生极化、 损耗和击穿等现象的材料。在化学机械抛光领域,介电 材料通常指二氧化硅,氮化硅,碳化硅等绝缘材料。
刻蚀去除特定区域材料的工艺过程。往往通过湿法或干法的 化学反应,或者物理方法,如溅射刻蚀实现。
宽禁带半导体又称第三代半导体,是指使用禁带宽度在2.3eV及以上 的半导体材料(如碳化硅、氮化镓等)的半导体器件。
小芯片组(chiplet)是在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片 设计模式。
后段硬掩模工艺随着集成电路发展到28nm及以下节点,为了满足铜大马 士革工艺低介电材料干法蚀刻选择比要求,引入氮化钛 或者其他耐刻蚀的材料作为干法蚀刻阻挡层。
硅通孔(TSV)TSV(Through Silicon Via)技术通过铜、钨、多晶硅 等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互连。硅通 孔技术可以通过垂直互连减小互联长度,减小信号延迟, 降低电容/电感,实现芯片间的低功耗,高速通讯,增加 宽带和实现器件集成的小型化。
三维集成将多层集成电路芯片堆叠键合,通过穿透衬底的三维互 连实现多层之间的电信号连接的技术,TSV 是三维集成 技术的实现方法之一
混合键合( Hybrid Bonding)是通过介电层和铜的界面进行键合,从而实现器件在三 维层面堆叠以提高单位体积内器件功效的技术。
新冠肺炎新型冠状病毒肺炎
SEMISemiconductor Equipment and Materials International,国际半导体设备与材料产业协会。
Linx Consulting电子材料咨询研究机构
WSTS世界半导体贸易统计(协会)
IC Insights知名的半导体行业研究机构



第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称安集微电子科技(上海)股份有限公司
公司的中文简称安集科技
公司的外文名称Anji Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Anji Technology
公司的法定代表人Shumin Wang
公司注册地址上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区) T6- 9幢底层
公司注册地址的历史变更情 况不适用
公司办公地址上海市浦东新区碧波路889号E座1-3楼
公司办公地址的邮政编码201203
公司网址www.anjimicro.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名杨逊冯倩
联系地址上海市浦东新区碧波路889号E座1-3楼上海市浦东新区碧波路889号E座1-3楼
电话021-20693201021-20693201
传真021-50801110021-50801110
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《 证券日报》
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券部

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板安集科技688019不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会 计师事务所(境 内)名称毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市东长安街1号东方广场2座办公楼8层
 签字会计师姓名杨洁、黄晓冬
报告期内履行 持续督导职责 的保荐机构名称申万宏源证券承销保荐有限责任公司
 办公地址上海市徐汇区长乐路989号3楼
 签字的保荐代表人 姓名包建祥、康杰
 持续督导的期间2019年7月22日至2022年12月31日

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2021年2020年本期比上年同期增减(%)2019年
营业收入686,660,621.16422,379,914.2862.57285,410,172.10
归属于上市公司股东的净利润125,084,063.28153,989,118.92-18.7765,846,041.18
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益 的净利润91,107,538.2158,850,726.5654.8143,031,261.59
经营活动产生的现金流量净额61,105,784.69113,173,725.28-46.0184,682,099.91
 2021年末2020年末本期末比上年同期末增减(%)2019年末
归属于上市公司股东的净资产1,201,160,935.331,048,104,787.3714.60887,569,640.68
总资产1,672,228,439.941,287,346,347.9529.90991,198,926.40


(二) 主要财务指标

主要财务指标2021年2020年本期比上年同期增减(%)2019年
基本每股收益(元/股)2.352.90-18.971.45
稀释每股收益(元/股)2.352.90-18.971.45
扣除非经常性损益后的基本每股收益(元/股)1.711.1154.050.95
加权平均净资产收益率(%)11.1115.94减少4.83个百分点11.40
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率(%)8.106.09增加2.01个百分点7.45
研发投入占营业收入的比例(%)22.3021.05增加1.25个百分点20.16

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2021年度公司实现营业收入68,666.06万元,较去年同期增长62.57%,主要原因包括:一方面,公司积极完成化学机械抛光液全品类产品布局,为客户提供一站式解决方案。其中,铜及铜阻挡层抛光液和介电材料抛光液持续扩大市场份额;钨抛光液在客户端导入顺利,增长迅速;基于氧化铈磨料的抛光液在客户拓展方面也实现突破,增长较快。另一方面,公司持续开展功能性湿电子化学品产品线布局,攻克领先技术节点难关。其中,集成电路用刻蚀后清洗液在客户端实现突破性进展,用量进一步上升。

归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为9,110.75万元,较去年同期增长54.81%,主要系公司与客户紧密合作,充分把握客户需求,持续加大产品研发和产品商业化的多方位布局,同时,公司持续提升管理和运营效率,使得公司业绩积极增长。

归属于上市公司股东的净利润为12,508.41万元,较去年同期下降18.77%,除归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润的变动影响以外,主要系对外投资的青岛聚源芯星股权投资合伙企业(有限合伙)公允价值变动收益较去年同期大幅减少。

经营活动产生的现金流量净额为6,110.58万元,较去年同期下降46.01%,主要系经营性应收项目增加、原材料备货增长及支付的各类费用增长等所致。

归属于上市公司股东的净资产和总资产较上年分别增长14.60%和29.90%,主要系公司2021年度经营积累所致。

基本每股收益和稀释每股收益较上期下降18.97%,主要系公司净利润下降所致。

扣除非经常性损益后的基本每股收益较上期增长54.05%,主要系公司扣除非经常性损益的净利润上升所致。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2021年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入119,277,508.00163,735,873.51187,538,728.69216,108,510.96
归属于上市公司股东的净利润2,051,580.1870,129,194.5224,859,025.2028,044,263.38
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润7,580,873.5426,855,193.9534,428,219.8822,243,250.84
经营活动产生的现金流量净额-41,862,151.06-9,440,917.4741,252,052.0271,156,801.20

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2021年金额附注(如适用)2020年金额2019年金额
非流动资产处置损益-259,075.14 5,685.16-4,264.93
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助 除外26,473,396.17 16,629,439.2027,339,306.00
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持有交易性 金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生 的公允价值变动损益,以及处置交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资 收益17,832,926.64 97,471,734.171,729,394.81
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-1,357,181.97 -615,000.00-30,000.00
减:所得税影响额8,713,540.63 18,353,466.176,219,656.29
合计33,976,525.07 95,138,392.3622,814,779.59


将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说

□适用 √不适用

十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响金额
交易性金融资产497,816,856.32219,375,703.18-278,441,153.148,182,957.14
衍生金融资产2,552,942.681,009,512.18-1,543,430.502,849,969.50
其他非流动金融资产-51,815,152.0051,815,152.006,800,000.00
其他权益工具投资11,000,000.009,000,000.00-2,000,000.00-
合计511,369,799.00281,200,367.36-230,169,431.6417,832,926.64

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 (一) 报告期内行业、市场概况 2021年,新冠疫情和地缘政治等因素对半导体行业的影响依旧显著,“缺芯” 现象从汽车、消费电子等重点行业,扩大至半导体行业上下游产业链和全球消费 者,上游供应端的涨价给半导体行业造成了巨大压力。但是得益于以云计算、大数 据、人工智能为代表的数字化技术的快速发展,全球半导体行业总体上依然保持着 高速发展的态势,半导体供应从全球分工逐渐朝向区域化的方向发展,中国、美 国、欧洲等国家和地区纷纷出台相关政策提振本国的半导体产业发展。根据WSTS, 2021年全球市场规模较2020年增长26.2%,达到5,559亿美元,增长迅猛。 2017年-2021年全球半导体市场规模(十亿美元) 资料来源:WSTS
中国仍然是最大的半导体市场,2021年的销售额总额为1,925亿美元,占全球半导体市场的34.6%,同比增长27.1%。2021年是中国“十四五”开局之年,在国内宏观经济运行良好的驱动下,国内集成电路产业继续保持快速、平稳增长态势,2021年中国集成电路产业首次突破万亿元。中国半导体行业协会统计,2021年中国集成电路产业销售额为10,458.3亿元,同比增长18.2%。

2017-2021年中国集成电路产业销售额(亿元)
资料来源:中国半导体行业协会 全球半导体市场规模的增长同样带动了上游半导体材料的增长,根据SEMI, 2021年全球半导体材料市场达到643亿美元,较2020年的555亿美元增长了 15.9%,创历史新高。其中晶圆制造材料市场规模为404亿美元,同比增长15.5%, 晶圆、湿电子化学品、CMP抛光材料和光罩的增长最为显著;封装材料市场规模为 239亿美元,同比增长16.5%,有机基板、引线框架和键合丝增长最为迅速。中国大 陆作为全球第二大半导体材料市场成为2021年增长最快的地区,同比增长21.9%, 规模达到119.3亿美元;中国台湾仍然是全球最大的半导体材料市场,2021年市场 规模为147.1亿美元,同期增长15.7%。 2021年全球半导体材料地区分布 资料来源:SEMI
得益于整个半导体行业及半导体材料的迅速增长,全球化学机械抛光液和湿电子化学品同样呈现出快速增长态势。根据TECHET,2021年全球CMP抛光液市场规模为18.9亿美元,同比增长13%,其中铜抛光液、钨抛光液和氧化物抛光液的市场规模占比最大,而钴抛光液和多晶硅抛光液则成为增长最快的抛光液品类。根据中国电子材料行业协会报告,2021年全球湿电子化学品的市场规模预计为54.28亿美元。

(二) 报告期内主要经营情况
报告期内,得益于原有客户、产品的上量和新产品、新客户的拓展,公司业绩继续保持积极增长,实现营业收入68,666.06万元,较去年同期增长62.57%。销售收入增长的主要原因包括:一方面,公司积极完成化学机械抛光液全品类产品布局,为客户提供一站式解决方案,并在报告期内实现了产品平台的大幅扩充,多款产品取得了不同程度的进展和突破,并体现在销售收入中。其中,铜及铜阻挡层抛光液和介电材料抛光液持续扩大市场份额;钨抛光液在客户端导入顺利,增长迅速;基于氧化铈磨料的抛光液在客户拓展方面也实现突破,增长较快。另一方面,公司持续开展功能性湿电子化学品产品线布局,攻克领先技术节点难关。其中,集成电路用刻蚀后清洗液在客户端实现突破性进展,用量进一步上升。

报告期内,公司实现归属于母公司所有者的净利润12,508.41万元,同比减少18.77%,主要由于非经常性损益科目的影响,其中对外投资的青岛聚源芯星股权投资合伙企业(有限合伙)公允价值变动收益较去年同期大幅减少;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润9,110.75万元,同比增长54.81%,主要原因为公司与客户紧密合作,充分把握客户需求,持续加大产品研发和产品商业化的多方位布局,同时,公司持续提升管理和运营效率,使得公司业绩积极增长。若剔除股权激励带来的股份支付费用影响,公司在报告期内实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约1.28亿元。

报告期内,除了继续深化服务国内本土Fab厂并持续取得新订单之外,公司还获得数个全球领先外资芯片企业在中国大陆Fab厂的新订单,并获得多个本土和海外一流代工厂的年度优秀供应商奖。

根据TECHET的报告整理计算,公司CMP抛光液在全球市场的份额约为5%。

(三) 报告期内主要研发及市场拓展情况
公司围绕自身的核心技术,依托现有技术平台,在化学机械抛光液板块,积极加强、全面开展全品类产品线的布局,旨在为客户提供完整的一站式解决方案;在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道封装用等高端产品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案。公司围绕自身核心技术,基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品能力的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。报告期内,公司继续加强研发投入,与行业领先客户合作,进一步了解客户需求,并为其开发创新性的整体解决方案。目前公司已经形成了铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液、功能性湿电子化学品、和新材料新工艺七大产品平台,并且在报告期内均取得了不同程度的进展和突破。

2.HKMG工艺的铝抛光液打破垄断
HKMG工艺抛光液是集成电路芯片制造中的关键抛光液品类,且技术难度极高,被国外厂商垄断。报告期内,公司持续投入研发力量,在用于28nm技术节点HKMG工艺的铝抛光液取得重大突破,通过客户验证,打破了国外厂商在该应用的垄断并实现量产,进一步完善了公司的抛光液品类。

3.基于氧化铈磨料的抛光液实现国产自主供应
在基于氧化铈磨料的抛光液方面,公司与客户紧密合作,共同开发的基于氧化铈磨料的抛光液产品突破技术瓶颈,目前已在3D NAND先进制程中实现量产并在逐步上量。报告期内,基于氧化铈磨料的抛光液产品在存储芯片领域取得重要进展,并已实现量产销售,在逻辑芯片领域处于客户论证阶段。截至目前,公司已成功实现同类产品的国产自主供应。

4.衬底抛光液取得突破性进展
近几年,国内大硅片企业发展迅速,多个大硅片生产厂商陆续建立产能以满足过完芯片制造企业对硅片的需求,实现大硅片的国产化。公司紧跟国内大硅片企业的发展和打造材料自主可控能力的趋势,充分了解客户的需求后定制化开发抛光液产品,并在硅的精抛液取得突破,技术性能达到国际主流供应商的同等水平,产品在国内领先硅片生产厂论证按计划顺利进行。第三代半导体作为下一代的衬底材料同样发展迅猛,公司积极投入研发,为客户定制开发的用于第三代半导体衬底材料5.功能性湿电子化学品平台持续突破
在功能性湿电子化学品方面,公司铝制程及铜大马士革工艺刻蚀后清洗液已量产并且持续扩大应用,广泛应用于8英寸、12英寸逻辑电路、3D NAND及DRAM存储器件、特色工艺等晶圆制造领域;光刻胶剥离液广泛应用于后道晶圆级封装等超越摩尔领域。28nm技术节点后段硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后清洗液技术取得突破性进展,并已在重要客户上线稳定使用,实现该类产品在28nm技术节点的进口替代,品质性能达到国际领先水平;14nm-7nm技术节点后段硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后清洗液的研究及验证正在按计划进行。抛光后清洗液方面,目前已经量产,应用于12英寸芯片制造领域;针对新的应用持续开发新产品、优化产品性能,并在客户端测试论证中。刻蚀液方面,针对12英寸先进制程独特要求,成功建立功能性刻蚀液技术平台,并开始客户端验证。

6.核心原材料自主可控取得突破性进展
报告期内公司加速建立核心原材料自主可控供应的能力,以优化产品性能及成本结构,提升现有产品竞争力,同时支持新产品的研发,保障长期供应的可靠性,并取得突破性进展。在化学机械抛光液板块,公司与国内具备优质研发及生产能力的合作伙伴合资成立子公司山东安特纳米材料有限公司,建立关键原材料硅溶胶的自主可控生产供应能力,其开发的多款硅溶胶已在公司多款抛光液产品中通过内部测试,并在积极与客户合作进行测试验证中;同时,公司通过自研自建的方式加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主可控能力,进展顺利。在功能性湿电子化学品板块,公司通过自建、合作等多种方式,加强产品及原料的自主可控,并已取得突破性进展,部分关键原材料成功实现量产。

(四) 报告期内主要运营情况
1.运营管理提升明显,社会责任初见成效
报告期内,公司整体运营管理有了明显的提升,在工厂运营方面,全年安全生产,无事故,工作环境6s大幅提升,并且实现了月产量历史新高。报告期内,受大环境影响,上游原材料市场出现了一定范围的涨价现象,公司通过有效的供应商管理、议价和采购计划,确保了报告期内原材料的供应。同时,报告期内公司的质量工作提升、ESH能力建设方面也取得了显著的成绩。

报告期内,公司更积极地参与社会公益活动,充分发挥企业责任,并参与了多项公益活动并捐赠款项,2021年7月河南水灾爆发后,公司及时关心慰问受灾情影响的员工及员工家属,并组织了募捐活动,共筹集善款100万元人民币。

2.人才团队增长迅速,为快速发展提供有力保障
报告期内,公司继续加强团队建设。截至2021年12月31日,公司员工总数331人,较2020年增长18.6%,各职能团队逐步壮大;其中研发人员145人,较2020年增长21.8%,占员工总人数的43.8%。除了团队规模的增长,公司同样在提升人员素质、加强团队整体能力方面取得了有效进展:一方面公司结合行业具体情况、公司现状及公司中长期发展规划,优化、完善职业发展体系,加强梯队建设,为员工提供有竞争力的职业发展平台、学习成长机会和薪资待遇,充分发掘员工潜力、实现员工个人价值;另一方面,公司加大培训投入,识别、分析支持公司发展的人才需求,针对性地组织、开设不同方向、不同形式的内外部培训、研讨交流会、知识分享会、在职培训等,提升员工的综合素质能力,使得员工与公司共同成长。报告期内,公司完成了第一期员工股权激励计划首次授予部分的第一次归属工作。

3.持续加强研发投入和能力建设,进一步提升核心竞争力
报告期内,公司加强多元化资金投入,为公司中长期发展奠定基础。2021年,公司研发费用为15,310.78万元人民币,较去年同期增长72.23%,占销售收入比例22.30%,以保障公司核心竞争力。报告期内,公司启动了研发中心搬迁扩建工作;位于浙江省宁波市的宁波安集微电子科技有限公司集成电路材料基地二期部分完成主体基础建设;同时,公司启动了在上海化学工业区内新建上海安集集成电路材料基地项目,并以此项目启动了再融资进程,拟发行可转换公司债券募集资金;公司研发中心被认定为“上海市技术中心”,并完成多个政府专项的执行和验收工作。

4.对外投资成果显著,与主营业务协同发展
报告期内,公司与国内具备优质研发及生产资质的合作伙伴共同投资设立山东安特纳米材料有限公司,积极建立核心原材料自主可控供应的能力并取得实质性进展;并参股了上海钥熠电子科技有限公司,拓展相邻领域,实现产业和研发的协同。同时,公司积极参与产业战略投资,参与投资了徐州盛芯半导体产业投资基金合伙企业(有限合伙)、合肥溯慈企业管理合伙企业(有限合伙)等项目,支持半导体产业链整体发展,不仅为公司自身发展打造良好的环境,还为提升中国半导体(五)2022年行业、市场概况
2022年,中美贸易争端对半导体产业的影响仍在持续,年初新冠疫情在中国的反扑也给整个行业的发展带来了诸多不确定性。但是可以确定的是,电动汽车和智能驾驶的发展驱动力依旧强劲,多个国家和地区出台的提振本国半导体产业发展的相关政策和各界资金向半导体行业的集中反映出相关政府和市场对于行业的认可和正向预期。根据WSTS的预测,2022年全球半导体市场规模将较2021年增长10.4%,达到6,135亿美元,其中集成电路市场规模将达到5,120亿美元,同比增长10.4%。根据IC Insights的预测,2021年至2026年,全球集成电路市场规模将以10.2%的复合增长率增长,其中模拟电路、逻辑电路和存储器的复合增长率均超过10%。而TECHET预测2021年-2025年全球半导体材料市场规模将以超过6%的复合增长率增长,化学机械抛光液和湿电子化学品也都将以相似的复合增长率增长。

2021年是“十四五”开局之年,全国各地都制定了相关集成电路产业规划,并提出了2025年产业规模目标。预估,到2025年,我国集成电路产业规模将高达4万亿元。国家集成电路产业投资基金二期也继续向集成电路产业投资支持产业发展。汽车行业、手机厂商和互联网大场纷纷下场造芯。根据IC Insights的报告,2021年,在全球芯片代工市场规模同比增长26%的情况下,中国大陆的芯片代工市场占到全球的8.5%,较2020年增加了0.9个百分点。IC Insights预测,全球芯片代工市场2022年增长率依旧超过20%,并在接下来5年中同样保持高速增长,即便如此,2026年预计中国大陆的芯片代工市场占全球的比例仍然有望增长到8.8%,可见国内芯片制造的市场规模增长十分迅速,对于上游的材料需求增长也同样可观,为公司未来几年的业务增长提供了有力支撑。

(六)2022年发展规划
公司基于“立足中国,服务全球”的战略定位,自成立以来一直致力于集成电路领域化学机械抛光液和功能性湿电子化学品的研发,以填补国产关键半导体材料的空白。

在化学机械抛光液板块,公司将持续加强并进一步推动全品类产品线的布局,旨在为客户提供完整的一站式解决方案。在功能性湿电子化学品板块,为应对半导体行业的快速发展,新技术、新工艺的诞生,公司在原有光刻胶去除剂板块基础上战略性拓展产品线布局、扩大原有的业务范围,围绕自身核心技术,专注于集成电于攻克领先技术节点难关,并基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品水平的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。

同时,公司积极加强核心原材料自主可控供应的能力,以支持产品研发,并提升保障长期供应的可靠性,提升自身产品的稳定性和竞争力;并依托核心技术和行业影响力,紧密结合市场需求,积极拓展、延伸相邻领域。

未来,公司将持续开拓创新,继续深化与中国大陆及中国台湾客户的合作,并积极开拓全球市场。同时,公司将在现有业务和技术的基础上,持续稳健地通过自建或并购延伸半导体材料产业链,目标成为世界一流的高端半导体材料供应伙伴。

2022年,公司将着力达成以下目标:
(1)在坚持安全、健康、环保的原则下,加强ESH管理流程和监管,建立量化的安全操作标准,明确权责,确保工作环境的整体安全。

(2)优化销售策略,强化“客户至上”的理念,继续弘扬“客户服务,客户导向”的文化并提升有效实施,评估新的业务机会,建立可持续的产能和配套的材料供应能力,实现销售收入的持续快速增长。

(3)加强技术和市场领导力,持续推进先进技术的研究及有竞争力产品的开发以支持未来的业务增长。

(4)坚持“安集人,我们能”和“使命必达”的安集精神,打造行为导向的工作环境,以及学习型、合作型、充满活力、值得信赖的组织。加强组织竞争力建设和管理团队能力建设,向成为世界级公司的目标迈进。

(5)继续关注内部新技术孵化和外部整合机会以支持公司中长期发展。

(6)加强运营各项成本管控,加强预算控制下的各项费用和资本支出管理,提高营业利润。

二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液和功能性湿电子化学品,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。

公司成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,实现了进口替代,使中国在该领域拥有了自主供应能力。同时,公司依靠自主创新,在特定领域实现技术突破,使中国具备了引领特定新技术的能力。

在化学机械抛光液板块,公司积极加强并全面开展全品类产品线的布局,旨在为客户提供完整的一站式解决方案。公司化学机械抛光液包括硅/多晶硅抛光液,浅槽隔离(STI)抛光液,金属栅极抛光液,介电材料(二氧化硅、氮化硅)抛光液,钨抛光液,铜及铜阻挡层抛光液,三维集成(TSV、混合键合等)抛光液、硅衬底抛光液和应用于第三代宽带半导体的抛光液等系列产品。同时,公司还基于化学机械抛光液技术和产品平台,支持客户对于不同制程的需求,定制开发用于新材料、新工艺的化学机械抛光液。

在功能性湿电子化学品板块,为应对半导体行业的快速发展,新技术、新工艺的诞生,公司在原有光刻胶去除剂板块基础上战略性拓展产品线布局、扩大原有的业务范围,围绕自身核心技术,专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用等高端功能性湿电子化学品产品领域,致力于攻克领先技术节点难关,并基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品水平的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。目前,公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液和其他系列产品。

公司的化学机械抛光液和功能性湿电子化学品产品已成功应用于逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率器件、传感器、第三代半导体及其他特色工艺芯片,并已进入半导体行业领先客户的主流供应商行列。

同时,为了提升自身产品的稳定性和竞争力,并确保战略供应,公司开始建立核心原材料自主可控供应的能力,以支持产品研发,并保障长期供应的可靠性。

(二) 主要经营模式
1、采购模式
公司制定了《采购管理程序》和采购管理内部控制流程,并制定了《采购流程》、《供应商管理流程》、《供应灾难恢复程序》等标准作业程序。

(1)一般采购流程
以原、辅材料和包装材料为例,公司的一般采购主要流程如下:
①技术研发部提出材料开发需求,采购部负责开发供应商,并由供应商管理小组负责材料评估、供应商认证、审核、导入及批准为公司合格供应商,采购部负责建立并维护《合格供应商目录》。公司供应商管理小组由采购部、技术研发部、质量部、生产运营部等部门人员组成。

②需求部门提出采购申请,并按照公司审批政策得到合适的批准后提交采购部,采购部负责管理订单执行,质量部负责采购来料检验管理,仓库负责采购入库管理。

③采购部按照采购合同/订单,获取发票,并整理入库及验收等付款凭证提交财务部申请付款并得到审批。

④财务部按照采购合同/订单约定负责采购应付款管理。

(2)外协采购流程
报告期内,公司功能性湿电子化学品中的部分光刻胶剥离液存在委托外协供应商生产的情形,即公司与外协供应商签订协议,外协供应商严格按照公司提供的工艺文件、技术标准来组织生产,进行质量管理控制。公司所有的产品配方、生产工艺、任何发明、设计、技术信息、技术、专有技术或者由公司依协议授权外协供应商使用的商标、商业秘密及其他知识产权属于公司单独所有。公司的外协采购主要流程如下:
①生产运营部根据月度销售预测生成外协采购申请单;
②采购部根据外协采购申请单下订单;
③外协供应商按订单要求安排生产;
④财务部每月末进行外协采购成本核算。

2、研发模式
公司始终围绕自身的核心技术,以自主研发、自主创新为主,形成了科研、生产、市场一体化的自主创新机制。同时,公司与高校、客户等外部单位建立了良好的合作关系,积极开展多层次、多方式的合作研发。公司的研发目标一方面系跟随行业界的技术发展路线图,研发适应产业需求的产品平台;另一方面系基于下游客户的需求,针对性研发满足客户需求的产品。由于从开始研发到实现规模化销售需要较长的时间,公司与技术领先的客户合作开发,有助于了解客户需求并为其开发创新性的解决方案。

公司制定了《研发管理制度》,并建立了研发管理内部控制流程,涵盖研发计划、研发立项、研发过程跟进和费用核算管理、专利申请和取得等环节。公司产品研发及产业化的一般路径主要包括项目立项、产品开发、产品优化和定型、量产、持续改进等五个阶段。

公司在产品设计及研发前期,即投入大量资源与下游客户进行技术、品质、性能交流。当产品通过客户评价和测试后,销售部会根据客户的产品订单及对于客户使用需求的预测制定滚动出货预测,生产运营部根据年度/月度生产计划、滚动出货预测和库存情况制订具体的生产计划、安排库存。具体而言,生产运营部每年组织各相关部门,根据排产计划编制年度生产计划及月度生产计划。生产运营部会定期进行集体评审,根据每月存货存量、滚动出货预测制定具体的生产计划,以确保生产计划满足销售合同以及生产产能的要求;生产运营部组织各相关部门、各产品线负责人召开生产调度会,对生产计划的执行情况进行评审,以确保充分沟通可能影响生产计划变更的各种因素,及时调整生产计划(如及时关闭停工订单),以确保计划调整的及时性及有效性。

公司已经掌握了化学机械抛光液和功能性湿电子化学品生产中的核心技术,通过合理调配机器设备和生产资源组织生产。

4、销售模式
公司产品主要应用于集成电路制造和先进封装领域,销售主要采用直接面对终端客户的直销模式。公司在开拓新客户或在原有客户推广新产品时,首先要根据客户的需求进行认证测试,包括产品性能、可靠性、稳定性等多方面测试,认证测试周期一般较长。公司在通过下游客户认证后,客户直接向公司下达采购订单,公司按要求直接向客户发货。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业定位
公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液和功能性湿电子化学品,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。

根据中国证监会《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”;根据国家统计局《2017年国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业——C3985电子专用材料制造”。按照行业界的一般分类标准,公司所处行业为半导体材料行业。

公司产品作为新一代信息技术产业用材料,属于战略性新兴产业中新一代信息 技术产业和新材料产业的交叉领域。根据国家统计局《战略性新兴产业分类 (2018)》,公司产品属于“1新一代信息技术产业——1.2电子核心产业—— 1.2.3高储能和关键电子材料制造(C3985电子专用材料制造)”和“3新材料产业 ——3.3先进石化化工新材料——3.3.6专用化学品及材料制造(C3985电子专用材 料制造)”。 (2)行业发展阶段 制造更先进技术节点的逻辑芯片、3D 存储芯片架构和异构集成技术需要更多的 工艺步骤,带来更高的晶圆制造材料和封装材料消耗需求。根据 SEMI,2021年全球 主要晶圆制造材料中,晶圆、湿电子化学品、CMP抛光材料和光罩增长最为强劲。 a. 化学机械抛光液市场情况 化学机械抛光(CMP)是半导体先进制程中的关键技术,其主要工作原理是在一 定压力下及抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机 械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达 到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求, 每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的 CMP 抛光工艺步骤。与传统的 纯机械或纯化学的抛光方法不同,CMP 工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术 结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面的高度(纳米级) 平坦化效应,使下一步的光刻工艺得以进行。 CMP工艺原理图 随着制程节点的进步,CMP技术越来越重要,已成为0.35μm以下制程不可或缺 的平坦化工艺,且随着多层布线的数量及密度增加,其对后续工艺良率的影响越来 越大。此外,先进封装技术的应用使CMP从集成电路前道制造环节走向后道封装环 节,如硅通孔(TSV)等先进封装技术对引线尺寸要求更小更细,因此会引入刻蚀、 光刻等工艺,而CMP作为每道工艺间的抛光工序,得以广泛应用。 对于逻辑芯片,制程的缩小意味着光刻次数、刻蚀次数增加,也带动CMP工艺 步骤数增加。例如14纳米技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数将 由180纳米技术节点的10次增加到20次以上,而7纳米及以下技术节点的逻辑芯 片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数甚至超过30次。此外,更先进的逻辑芯片工艺 可能会要求抛光新的材料,为抛光液带来了更多的增长机会。同样地,对于存储芯 片,随着由2D NAND向3D NAND演进的技术变革,也会使CMP工艺步骤数近乎翻 倍,带动了钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。 CMP工艺步骤数随逻辑芯片和存储芯片技术进步而增加 (Total CMP Steps at Different Logic Nodes)
数据来源:根据公开信息整理
(Total CMP Steps at Different 3DNAND Nodes)
数据来源:根据公开信息整理
化学机械抛光液在 CMP技术中至关重要,在抛光材料中价值占比约 50%,其耗用量随着晶圆产量和 CMP平坦化工艺步骤数增加而增加。根据应用的不同工艺环节,可以将抛光液分为硅/多晶硅抛光液,浅槽隔离(STI)抛光液,金属栅极抛光液,介电材料(二氧化硅、氮化硅)抛光液,钨抛光液,铜及铜阻挡层抛光液,以及用于三维集成的硅通孔(TSV)和混合键合抛光液等。抛光液特点为种类繁多,即使是同一技术节点根据不同客户的工艺技术要求也有不同配方,其主要原料包括纳米磨料、各种添加剂和超纯水。其中,纳米磨料是决定抛光液性能的关键原料,主要包括硅溶胶和氧化铈等品类,约占抛光液价值的三分之一。

根据 TECHCET,2021年全球抛光液市场规模为 18.9亿美元,同比增长 13%,预计未来五年复合增长率为 6%。根据中金公司证券研究报告,国内抛光液市场增速有望显著高于全球市场,2025 年国内抛光液市场有望占全球市场的 25%,达 40 亿元,2021-2025年复合增长率达 15%。

b. 湿电子化学品市场情况
湿电子化学品是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的关键性基础化工材料之一,一般要求超净和高纯,对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同,可将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。通用湿化学品以高纯化学品溶液为主,例如过特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复配类化学品,主要包括光刻胶剥离 液、清洗液、刻蚀液、电镀液等。 具体而言,功能性湿电子化学品在半导体制造领域的应用主要涉及光刻、刻蚀、 离子注入、CMP、金属化、电镀等工艺。在集成电路制造过程中,光刻工艺结束后, 紧接着是干法刻蚀工艺,干法刻蚀后需要刻蚀后清洗液对刻蚀后残留物实现完全去除, 同时对金属或者非金属基材进行选择性保护,其应用的功能性湿化学品包含铝工艺刻 蚀后清洗液和铜工艺刻蚀后清洗液。在金属化工艺中,应用的主要湿化学品为铜电镀 液,起到芯片铜互连的作用,铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁移性,能够满足 芯片尺寸越小、功能越强大、能耗更低的技术性能要求。在 CMP 工艺中,需要抛光 后清洗液实现抛光后残留物完全去除,从而实现低缺陷、低表面残留、高可靠性等技 术要求。 湿电子化学品的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分 重要的影响。随着集成电路技术的不断发展,更精细的器件结构、更复杂的前后段工 艺集成、193nm浸没式光刻结合多重曝光技术及 EUV光刻的引入等多种复杂因素的 推动,工艺步骤数量显著增加,而愈加精细的尺寸、图形和更复杂的结构均将使湿法 工艺变得繁琐。这些新工艺、新结构和新材料的引入对功能湿化学品提出了新的需求。 归纳起来,总的需求就是在达到特定刻蚀、电镀和清洗工艺需求的同时减少对衬底材 料的损失,改善晶片表面微观特征,减小产品缺陷率,提升产品的良率和可靠性。 对逻辑电路来讲,16nm工艺节点使用功能性湿化学品约 90次,10nm技术节点 使用次数上升到 120多次,3nm约 140次;3D NAND 92层时使用功能性湿化学品约 50次,368层达到 100次。 数据来源: Linx Consulting
(3)行业主要壁垒
a.技术壁垒
化学机械抛光液和功能性湿电子化学品是化学、化工、材料科学、电子工程等多学科结合的综合学科领域,产业链整体壁垒较高,属于典型的技术密集型产业,对技术、工艺、专利等要求严格。特别是集成电路领域高端产品,对产品配方及生产工艺流程控制要求更高,对技术把控需要长时间的经验性积累。

长期以来,以美国和日本为代表的化学机械抛光液和功能性湿电子化学品供应商利用先发优势,掌握核心技术,并在研发和生产方面不断革新,同时实行非常严格的保密和专利保护措施,对新进入行业的企业构筑了难以突破的技术壁垒。特别是对于新产品开发而言,开发周期长、技术要求高,对企业的研发能力、技术水平和生产工艺提出了更高的要求。

b.人才壁垒
集成电路领域化学机械抛光液和湿电子化学品的技术含量高,研发及产业化需要大批专业背景深厚、实践经验丰富的高层次技术人才。这些人才具备复合专业知识结构,准确把握行业和技术的发展趋势,并且需要在长期实践工作中积累应用经验,以深刻理解生产工艺中的关键技术环节,开发出满足下游客户需求的产品。公司的产品在销售给客户后,需要经验丰富的工程师提供专业的技术支持服务,协助客户将产品应用到具体产线。

全球范围内,美国和日本等垄断厂商人才储备充足,而国内集成电路领域化学机械抛光液和湿电子化学品产业起步较晚,滞后的人才培养导致国内专业人才匮乏,构成新进入企业的主要壁垒之一。

c.客户壁垒
在逻辑芯片、存储芯片等集成电路技术不断推进过程中,与行业内领先客户联合开发成为关键半导体材料企业成功的先决条件。由于集成电路领域化学机械抛光液和湿电子化学品技术含量高,其产品质量、性能指标直接决定了终端产品的品质和稳定性,属于下游客户的关键材料。因此,下游客户实施严格的供应商认证机制,只有通过严格的认证满足客户对质量标准和性能的要求,才能成为下游客户的合格供应商。

由于下游客户需要对供应商进行严格的供应商认证和定期考核,产品一旦通过下游客户的认证,客户更换供应商时通常需要评估成本、所需的时间和对生产的影响,更换时间长、成本高。因此供应商一旦通过下游客户的认证成为其合格供应商,就会形成相对稳定的合作关系。新进入企业只有在技术水平、供应价格、产品 质量和后续服务等方面显著超过原有供应商,才有可能获得客户订单。 d.资金壁垒 关键半导体材料的研发和产业化是一项投入大、周期长的系统性工程,产品从 研究开发、性能检测到最终的产业化实现销售,需要投入大量的资金,用于建造实 验室和生产车间、引进先进的研发生产设备和精密的检验测量仪器。 快速的技术升级和产品更新是半导体行业最显著的特点,也是推动行业发展的动 力。随着下游应用领域发展速度不断加快,市场竞争加剧,生产技术标准越来越严 格,集成电路领域化学机械抛光液和湿电子化学品生产企业只有具备雄厚的资金实 力,不断加大对产品研发和产业化的投资力度,才能匹配下游行业更新换代快的要 求,从激烈的市场竞争中脱颖而出。 (4)行业基本特点 材料和设备是半导体产业的基石,是推动集成电路技术创新的引擎。一代技术依 赖于一代工艺,一代工艺依赖一代材料和设备来实现。 半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,对半导体产业发展起着重要支撑 作用,具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。 材料是半导体产业的重要支撑 第一,产业规模大。半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料。根据 SEMI,2021年全球半导体材料销售额为 643亿美元,增长 15.9%,超越 2020年创下的 555亿美元纪录,再创新高,其中晶圆制造材料和封装材料的销售额分别为 404亿美元和239亿美元,同比增长率分别为 15.5%和 16.5%。

从地区来看,2021 年中国台湾因为拥有大规模晶圆代工和封装基地,已连续 12年成为全球最大半导体材料消费市场,总金额达 147亿美元;年度增长率则是中国最 为亮眼,排名第二;韩国则继续稳居半导体材料第三大消费国。 第二,细分行业多。半导体材料行业是半导体产业链中细分领域最多的产业链环 节,其中晶圆制造材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、工艺化学品、 电子特气、抛光液和抛光垫、靶材及其他材料,封装材料包括引线框架、封装基板、 陶瓷基板、键合丝、包封材料、芯片粘结材料及其他封装材料,每一种大类材料又包 括几十种甚至上百种具体产品,细分子行业多达上百个。 2019年全球晶圆制造材料和封装材料市场结构 资料来源:SEMI
第三,技术门槛高、研发投入大、研发周期长。由于半导体材料尤其是晶圆制造材料在集成电路芯片制造中扮演着重要的角色,甚至部分关键材料直接决定了芯片性能和工艺发展方向,因此下游客户对于产品的要求极为苛刻,在上线使用前需要长周期的测试论证工作,并且上线使用后也会通过较长周期逐步上量。加之产品在能够进入测试论证阶段之前需要经历长时间、高难度的研发阶段,研发过程中需要大量的研发投入。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司自成立以来一直致力于集成电路领域化学机械抛光液和功能性湿电子化学品的研发,以填补国产关键半导体材料的空白。公司成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断,实现了进口替代,使中国在该领域拥有了自主供应能力。公司经过多年以来的技术和经验积累、品牌建设,凭借扎实的研发实力及成本、管理和服务等方面的优势,在半导体材料行业取得了一定的市场份额和品牌知名度。

公司围绕自身的核心技术,依托现有技术平台,在化学机械抛光液板块,积极加强、全面开展全品类产品线的布局,旨在为客户提供完整的一站式解决方案;在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道封装用等高端产品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案。公司围绕自身核心技术,基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品能力的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。报告期内,公司继续加强研发投入,与行业领先客户合作,进一步了解客户需求,并为其开发创新性的整体解决方案。目前公司已经形成了铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液、功能性湿电子化学品、和新材料新工艺七大产品平台,并且在报告期内均取得了不同程度的进展和突破。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 2021年,新冠疫情和地缘政治等因素对于半导体行业的影响依旧显著,“缺芯”现象从汽车、消费电子等重点行业,扩大至半导体行业上下游产业链和全球消费者,上游供应端的涨价给半导体行业造成了巨大压力。但是得益于以云计算、大数据、人工智能为代表的数字化技术的快速发展,全球半导体行业总体上依然保持着高速发展的态势,半导体供应从全球分工逐渐朝向区域化的方向发展,中国、美国、欧洲等国家和地区纷纷出台相关政策提振本国的半导体产业发展。

2022年,中美贸易争端对半导体产业的影响仍在持续,年初新冠疫情在中国的反扑也给整个行业的发展带来了诸多不确定性。但是可以确定的是,电动汽车和智能驾驶的发展驱动力依旧强劲,多个国家和地区出台的提振本国半导体产业发展的相关政策和各界资金向半导体行业的集中反映出相关政府和市场对于行业的认可和正向预期。

2021年是“十四五”开局之年,全国各地都制定了相关集成电路产业规划,并提出了2025年产业规模目标。预估,到2025年,我国集成电路产业规模将高达4万亿元。国家集成电路产业投资基金二期也继续向集成电路产业投资支持产业发展。汽车行业、手机厂商和互联网大场纷纷下场造芯。国内芯片制造的市场规模增长十分迅速,对于上游的材料需求增长也同样可观,为公司未来几年的业务增长提供了有力支撑。

(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,核心技术权属清晰,技术水平国际先进或国内领先,成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程,包括金属表面氧化(催化)技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术、选择性刻蚀技术、电子级添加剂纯化技术、磨料制备技术等。

公司核心技术的应用主要体现在产品配方和生产工艺流程两个方面。一方面,公司基于核心技术研发产品配方并通过申请专利等方式加以保护,产品配方是核心技术的具体体现。另一方面,生产工艺流程是公司产品生产过程的关键,也是核心技术转化为最终产品的实现手段,公司通过技术秘密等形式对生产工艺流程予以保护。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
1.产品平台进一步完善
公司围绕自身的核心技术,依托现有技术平台,在化学机械抛光液板块,积极加强、全面开展全品类产品线的布局,旨在为客户提供完整的一站式解决方案;在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道封装用等高端产品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案。公司围绕自身核心技术,基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品能力的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。报告期内,公司继续加强研发投入,与行业领先客户合作,进一步了解客户需求,并为其开发创新性的整体解决方案。目前公司已经形成了铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液、功能性湿电子化学品、和新材料新工艺七大产品平台,并且在报告期内均取得了不同程度的进展和突破。

2.HKMG工艺的铝抛光液打破垄断
HKMG工艺抛光液是集成电路芯片制造中的关键抛光液品类,且技术难度极高,被国外厂商垄断。报告期内,公司持续投入研发力量,在用于28nm技术节点HKMG工艺的铝抛光液取得重大突破,通过客户验证,打破了国外厂商在该应用的垄断并实现量产,进一步完善了公司的抛光液品类。

3.基于氧化铈磨料的抛光液实现国产自主供应
在基于氧化铈磨料的抛光液方面,公司与客户紧密合作,共同开发的基于氧化铈磨料的抛光液产品突破技术瓶颈,目前已在3D NAND先进制程中实现量产并在逐步上量。报告期内,基于氧化铈磨料的抛光液产品在存储芯片领域取得重要进展,并已实现量产销售,在逻辑芯片领域处于客户论证阶段。截至目前,公司已成功实现同类产品的国产自主供应。

4.衬底抛光液取得突破性进展
近几年,国内大硅片企业发展迅速,多个大硅片生产厂商陆续建立产能以满足过完芯片制造企业对硅片的需求,实现大硅片的国产化。公司紧跟国内大硅片企业的发展和打造材料自主可控能力的趋势,充分了解客户的需求后定制化开发抛光液产品,并在硅的精抛液取得突破,技术性能达到国际主流供应商的同等水平,产品在国内领先硅片生产厂论证按计划顺利进行。第三代半导体作为下一代的衬底材料同样发展迅猛,公司积极投入研发,为客户定制开发的用于第三代半导体衬底材料的抛光液,进展顺利,部分产品获得海外客户的订单,拓展了海外市场。

5. 功能性湿电子化学品平台持续突破
在功能性湿电子化学品方面,公司铝制程及铜大马士革工艺刻蚀后清洗液已量产并且持续扩大应用,广泛应用于8英寸、12英寸逻辑电路、3D NAND及DRAM存储器件、特色工艺等晶圆制造领域;光刻胶剥离液广泛应用于后道晶圆级封装等超越摩尔领域。28nm技术节点后段硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后清洗液技术取得突破性进展,并已在重要客户上线稳定使用,实现该类产品在 28nm 技术节点的进口替代,品质性能达到国际领先水平;14nm-7nm技术节点后段硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后清洗液的研究及验证正在按计划进行。抛光后清洗液方面,目前已经量产,应用于 12 英寸芯片制造领域;针对新的应用持续开发新产品、优化产品性能,并在客户端测试论证中。

刻蚀液方面,针对 12 英寸先进制程独特要求,成功建立功能性刻蚀液技术平台,并开始客户端验证。

报告期内公司加速建立核心原材料自主可控供应的能力,以优化产品性能及成本结构,提升现有产品竞争力,同时支持新产品的研发,保障长期供应的可靠性,并取得突破性进展。在化学机械抛光液板块,公司与国内具备优质研发及生产能力的合作伙伴合资成立子公司山东安特纳米材料有限公司,建立关键原材料硅溶胶的自主可控生产供应能力,其开发的多款硅溶胶已在公司多款抛光液产品中通过内部测试,并在积极与客户合作进行测试验证中;同时,公司通过自研自建的方式持续加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主可控能力,进展顺利。在功能性湿电子化学品板块,公司通过自建、合作等多种方式,加强产品及原料的自主可控,并已取得突破性进展,部分关键原材料成功实现量产。

报告期内,公司及其子公司共获得授权发明专利29项。截至2021年12月31日,公司及其子公司共获得234项发明专利,其中中国大陆176项、中国台湾48项、美国5项、新加坡3项、韩国2项;另有238项发明专利申请已获受理。


报告期内获得的知识产权列表


 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利4929238234
实用新型专利0000
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他0000
合计4929238234

3. 研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入153,107,847.9288,898,406.1772.23
资本化研发投入---
研发投入合计153,107,847.9288,898,406.1772.23
研发投入总额占营业收入 比例(%)22.3021.05增加1.25个百分点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内,公司持续加大产品研发力度,完善产品布局,聚焦产品创新,多个研发项目有序开展,公司在研发人力、物料和设备等方面持续加大投入,研发费用同比增长72.23%。在化学机械抛光液方面,硅衬底抛光液、用于新材料、新工艺的抛光液和用于先进制程的抛光液等研发项目实现突破性进展。在功能性湿电子化学品方面,刻蚀后清洗液和刻蚀液的产品研发和应用也取得了新的突破。在核心原材料自主可控方面,持续加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主研究和开发,进展顺利,并成功建立电子级添加剂纯化平台,原材料自主可控能力取得突破性进展。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
1铜抛光液 系列产品15,0002,834.7013,758.83用于14nm及以下技术节点的产 品持续在更多产品上验证,扩大 应用。 完成用于DRAM的产品研发和验 证,实现量产。 针对成熟技术节点的需求优化产 品,并在客户端测试优化用于10nm以下技术 节点的产品并完成测试验 证。 完成用于成熟节点产品的 优化和客户端验证,扩大 成熟技术节点应用市场达到 国际 先进 水平产品满足成熟 制程和先进制 程的技术要 求,具有成长 空间
2阻挡层抛 光液系列 产品10,0001,419.977,090.15用于14nm及以下技术节点的产 品持续在更多产品上验证,扩大 应用。 完成用于DRAM的产品研发和验 证,实现量产。 针对成熟技术节点的需求开发相 关产品并在客户端测试优化用于10nm以下技术 节点的产品并完成测试验 证。 完成用于成熟节点产品的 优化和客户端验证,扩大 成熟技术节点应用市场达到 国际 先进 水平产品满足成熟 制程和先进制 程的技术要 求,具有成长 空间
3钨化学机 械抛光液10,0004,535.938,716.14完成用于DRAM的产品的研发和 客户端验证,实现量产。研发了 多款用于逻辑芯片制程的产品并 在多个客户端测试验证,其中 28nm的测试验证已完成,准备量 产持续研发用于逻辑芯片, 3D NAND和DRAM的具有不 同选择比的钨抛光液并在 客户端验证达到 国际 先进 水平逐步完善产 品,持续扩大 应用,扩大市 场份额
4硅抛光液 系列产品1,50098.881,119.74硅精抛液取得突破,技术性能达 到国际主流供应商的同等水平持续研发和优化硅精抛液 并在客户端验证,达到规 模量产。研发和优化硅粗达到 国际逐步完善产 品,实现精抛 液规模量产,
      抛并在客户端验证,扩大 市场份额先进 水平持续扩大应 用,扩大市场 份额
5介电材料 抛光液系 列产品4,0001,953.583,287.81基于氧化铈磨料的抛光液在3D NAND先进制程中实现量产多个产 品在逻辑制程中完成验证,逐步 上量研发用于逻辑芯片和存储 芯片的基于氧化铈磨料的 抛光液达到 国际 先进 水平满足存储芯片 对高去除速率 和高选择比的 要求,扩大市 场份额
6刻蚀后清 洗液10,0003,460.903,460.9028nm技术节点硬掩模铜大马士革 工艺刻蚀后清洗液技术取得突破 性进展,在重要客户上线稳定使 用;14nm-7nm技术节点后段刻蚀 后清洗液以及DRAM先进制程刻 蚀后清洗液的研究及验证正在按 计划进行开发集成电路刻蚀后清洗 液,满足集成电路逻辑电 路及存储技术等发展的需 求达到 国际 先进 水平满足特色工艺 以及先进工艺 发展需求,市 场前景广阔
7光刻胶剥 离液1,00066.5166.51批量应用于晶圆级封装等超越摩 尔领域中,并持续扩大应用厚膜光刻胶剥离液持续优 化,满足超越摩尔等产品 需求达到 国际 先进 水平满足先进技术 节点需求,市 场前景广阔
8刻蚀液2,000252.19252.19成功建立刻蚀液技术平台,刻蚀 液研发正在按计划进行中开发适用于12英寸先进 制程独特配方型刻蚀液, 支持先进工艺发展达到 国际 先进 水平满足先进技术 节点需求,市 场前景广阔
9电子级添 加剂纯化1,000295.59295.59成功建立电子级添加剂纯化技术 平台,并实现量产开发电子级添加剂纯化技 术,实现原材料自主可控达到 国际 先进 水平满足先进技术 发展需求,有 效支持公司长 期发展
10高端纳米 磨料1,000392.53392.53多个磨料颗粒进入中试阶段抛光指标和性能接近国际 同类产品接近 国际 同类客制化磨料与 进口磨料互
       产品 特性补,保障供应 安全
合 计/55,50015,310.7838,440.39////
(未完)
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