[年报]普冉股份(688766):普冉半导体(上海)股份有限公司2021年年度报告

时间:2022年04月15日 02:53:14 中财网

原标题:普冉股份:普冉半导体(上海)股份有限公司2021年年度报告

公司代码:688766 公司简称:普冉股份
普冉半导体(上海)股份有限公司
2021年年度报告







重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述经营过程中可能面临的风险及应对措施,有关内容详见第三节“管理层讨论与分析”,敬请投资者注意阅读。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人王楠、主管会计工作负责人钱佳美及会计机构负责人(会计主管人员)沈奕声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2021年年度利润分配预案如下:
根据公司聘请的审计机构立信会计师事务所(特殊普通合伙)对公司2021年度财务报告的审计结果:截至2021年12月31日,期末公司可供分配利润为335,748,917.91元。根据《公司法》《公司章程》等规定,公司拟以截至实施权益分派的股权登记日登记的总股本为基数分配利润,并拟定本次利润分配方案如下:
公司拟向全体股东每10股派发现金红利8.04元(含税)。截至2021年12月31日,公司总股本3,622.8719万股,以此计算合计拟派发现金红利29,127,890.08元(含税),本年度公司现金分红金额占当年度归属于上市公司股东净利润的比例为10.00%。

如在利润分配方案经董事会审议通过之日起至实施权益分派股权登记日期间,公司总股本发生变动的,公司将维持每股分配比例不变,调整拟分配的利润总额。

上述2021年年度利润分配预案已经公司第一届董事会第二十一次会议及第一届监事会第十七次会议审议通过,公司独立董事发表明确同意的意见,尚待公司2021年年度股东大会审议。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 47
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 65
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 71
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 92
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 104
第九节 公司债券相关情况 ......................................................................................................... 105
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 106



备查文件 目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告文本
 经公司负责人签名的公司2021年年度报告文本原件
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、普冉 半导体、普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司
《公司章程》普冉半导体(上海)股份有限公司章程
赛普拉斯、CypressCypress Semiconductor Corporation,即赛普拉斯半导体公司
英飞凌Infineon Technologies.Ltd.,德国 IC设计制造商
NEC日本电气股份有限公司(Nippon Electric Company, Limited)
华邦华邦电子股份有限公司
旺宏旺宏电子股份有限公司
美光Micron Technology, Inc,美光科技有限公司
安森美ON Semiconductor,安森美半导体
微芯科技Microchip Technology Inc.,美国微芯科技公司
意法半导体STMicroelectronics N.V.
罗姆ROHM Co.,Ltd.,日本 IC设计制造商
聚辰股份聚辰半导体股份有限公司
华力上海华力微电子有限公司、上海华力集成电路制造有限公司
中芯国际中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
盛合晶微盛合晶微半导体(江阴)有限公司上海分公司
上海伟测上海伟测半导体科技股份有限公司
华天科技天水华天科技股份有限公司及其子公司华天科技(西安)有限公 司
紫光宏茂紫光宏茂微电子(上海)有限公司
通富微电通富微电子股份有限公司及其下属控股子公司合肥通富微电子有 限公司和南通通富微电子有限公司
三星三星电子集团
松下Panasonic Corporation Global Procurement Company
中证投资中信证券投资有限公司
嘉兴揽月嘉兴揽月投资合伙企业(有限合伙),公司股东
嘉兴得月嘉兴得月投资合伙企业(有限合伙),公司股东
深圳创智深圳创智战新三期创业投资企业(有限合伙),公司股东
杭州赛智杭州赛智云壹股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
深圳南海深圳南海成长同赢股权投资基金(有限合伙),公司股东
张江火炬上海张江火炬创业投资有限公司,公司股东
杭州翰富杭州翰富智维知识产权运营投资合伙企业(有限合伙),公司股 东
深圳创维深圳南山创维信息技术产业创业投资基金(有限合伙),公司股 东
赛伯乐瓦特杭州赛伯乐瓦特投资合伙企业(有限合伙),公司股东
北京武岳峰北京武岳峰亦合高科技产业投资合伙企业(有限合伙),公司股 东
赛伯乐伽利略杭州赛伯乐伽利略投资合伙企业(有限合伙),公司股东
宁波志佑宁波志佑企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东
江苏元禾江苏疌泉元禾璞华股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
杭州早月杭州早月投资合伙企业(有限合伙)
杭州晓月杭州晓月投资合伙企业(有限合伙),公司股东
5G5th-Generation,即第五代移动电话行动通信标准
AMOLEDActive-matrix Organic Light-emitting Diode,有源矩阵有机发光 二极体,一种显示屏技术。其中 OLED(有机发光二极体)是描 述薄膜显示技术的具体类型:有机电激发光显示;AM(有源矩 阵体或称主动式矩阵体)是指背后的像素寻址技术
BLEBluetooth Low Energy的英文缩写,蓝牙低能耗技术,是短距 离、低成本、可互操作性的无线技术,利用许多智能手段最大限 度地降低功耗
CEChip erase,全片擦除
DRAMDynamic Random Access Memory 的缩写,中文名称为动态随 机存取存储器,是一种半导体存储器
ECCError Checking and Correcting,即错误检查和纠正技术
EEPROMElectrically Erasable Programmable Read-Only Memory,即电可 擦除可编程只读存储器
ETOX由多晶硅栅组成,利用浮栅用来存储电荷的一种存储单元结构
FablessFabrication-Less,无晶圆厂集成电路设计公司经营模式
Fan-out扇出型封装工艺
FN隧穿Fowler-Nordheim tunneling,福勒-诺德海姆隧穿,量子隧穿效应 中的一种情况。
Hall霍尔效应传感器
IDCInternational Data Corporation,国际数据有限公司
IDMIntegrated Device Manufacturer,指涵盖集成电路设计、晶圆制 造、 封装及测试等各业务环节的集成电路企业
MCUMicro Control Unit,称为微控制单元、单片微型计算机、单片 机,集 CPU、RAM、ROM、定时计数器和多种 I/O接口于一体 的芯片
Memory 、存储器、 存储芯片、存储器芯 片具备存储功能的半导体元器件,作为基本元器件,广泛应用于各 类电子产品中,发挥着运行程序或数据存储功能
Mura面板上人眼可识别的颜色差异
NAND Flash数据型闪存芯片,主要非易失闪存技术之一
nmn表示 nano,中文称纳米,长度计量单位,1纳米为十亿分之一 米
NOR Flash闪存芯片,主要非易失闪存技术之一,耐擦写性能至少 10万 次,具备芯片内执行程序的功能,主要用于存储中小容量的数据
OICAOrganisation internationale des constructeurs automobiles,世界汽 车工业国际协会
RAMRandom Access Memory的缩写,中文名称为动态随机存取存储 器,是一种半导体存储器
SESector erase,按区域擦除
SEMI国际半导体设备材料产业协会
SIPSiP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以 及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一 定功能的单个标准封装件,形成一个系统或者子系统。
SoCSystem on Chip,中文称为芯片级系统,意指一个有专用目标的 集成电路,其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。
SONOS硅基-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-多晶硅,一种存储结构
TDDITouch and Display Driver Integration的缩写,触控与显示驱 动器集成,为新一代显示触控技术,将触控芯片与显示芯片二合 一
TWS蓝牙耳机True Wireless Stereo蓝牙耳机,具有无线结构、高音质等优点
USONUltrathin small outline no-lead package,即超薄无引线小外廓封 装
VCMVoice Coil Motor,属于线性直流马达,原来用于扬声器产生振 动发声,现用于推动镜头移动产生自动聚焦的装置
WLCSPWafer Level Chip Scale Packaging,即晶圆级芯片封装方式
WSTS世界半导体贸易统计协会(World Semiconductor Trade Statistics 的缩写)
XIPeXecute In Place,指应用程序可以直接在 Flash闪存内运行,不 必再把代码读到系统 RAM中
μmμ表示 micron,微米,长度计量单位,1微米为 100万分之一米
衬底用于支撑芯片的半导体材料
浮栅晶体管中的组成结构,周围由绝缘材料包裹,呈悬浮状态
工艺制程、工艺节点集成电路制造过程中,以晶体管最小线宽尺寸为代表的技术工 艺,尺寸越小,工艺水平越高,意味着在同样面积的晶圆上,可 以制造出更多的芯片,或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的 空间
光掩模版、光罩在制作 IC的过程中,利用光蚀刻技术,在半导体上形成图型, 为将图型复制于晶圆上,通过曝光显影的原理,类似于冲洗照片 时,利用底片将影像复制至相片上
集成电路测试集成电路晶圆测试、成品测试、可靠性试验和失效分析等工作
集成电路封装把从晶圆上切割下来的集成电路裸片(Die),用导线及多种连 接方式把管脚引出来,然后固定包装成为一个包含外壳和管脚的 可使用的芯片成品。集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合 点与外部进行电气连接的作用,也为集成电路芯片提供了一个稳 定可靠的工作环境,对集成电路芯片起到机械或环境保护的作 用,从而使集成电路芯片能够发挥正常的功能,并保证其具有高 稳定性和可靠性
集成电路设计包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、绘 制及验证,以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程
晶圆经过特定工艺加工,具备特定电路功能的硅半导体集成电路圆 片,经切割、封装等工艺后可制作成 IC成品
晶圆厂晶圆代工厂,指专门负责芯片制造的厂家
流片为了验证集成电路设计是否成功,必须进行流片,即从一个电路 图到一块芯片,检验每一个工艺步骤是否可行,检验电路是否具 备所需要的性能和功能。如果流片成功,就可以大规模地制造芯 片;反之,则需找出其中的原因,并进行相应的优化设计——上 述过程一般称之为工程流片。在工程流片成功后进行的大规模批 量生产则称之为量产流片
模组厂加工制造具备一定完整独立功能的电子产品部件(即模组)的厂 商
摩尔定律集成电路行业的一种现象,由英特尔创始人之一戈登·摩尔于 1965年提出,其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元 器件的数目,约每隔 18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一 倍
物联网、IoTIoT是物联网(Internet of things)的英文缩写,意指物物相连的 互联网。物联网是一个动态的全球网络基础设施,具有基于标准
  和互操作通信协议的自组织能力,其中物理的和虚拟的“物”具 有身份标识、物理属性、虚拟的特性和智能的接口,并与信息网 络无缝整合
芯片、集成电路、IC一种微型电子器件或部件,采用一定的半导体制作工艺,把一个 电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件通过一 定的布线方法连接在一起,组合成完整的电子电路,并制作在一 小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳 内,成为具有所需电路功能的微型结构。 IC是集成电路 (Integrated Circuit)的英文缩写。
载流子电流载体,称载流子
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
证监会中国证券监督管理委员会



第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称普冉半导体(上海)股份有限公司
公司的中文简称普冉股份
公司的外文名称Puya Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Puya semiconductor
公司的法定代表人王楠
公司注册地址中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号504室
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号504室
公司办公地址的邮政编码201210
公司网址www.puyasemi.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名钱佳美袁宜璇
联系地址中国(上海)自由贸易试验区盛夏路 560号504室中国(上海)自由贸易试验区盛夏路 560号504室
电话021-60791797021-60791797
传真021-61347010021-61347010
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》(www.cnstock.com)、《中国证 券报》(www.cs.com.cn)、《证券时报》( www.stcn.com)、《证券日报》(www.zqrb.cn)
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司董事会办公室

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板普冉股份688766不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务名称立信会计师事务所(特殊普通合伙)
所(境内)办公地址上海市南京东路 61号 4楼
 签字会计师姓名张建新、周康康
报告期内履行持续督导 职责的保荐机构名称中信证券股份有限公司
 办公地址广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代 广场(二期)北座
 签字的保荐代表人姓名王建文、赵亮
 持续督导的期间2021年 8月 23日至 2024年 12月 31日

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2021年2020年本期比上年 同期增减(%)2019年
营业收入1,102,924,005.84717,332,010.9853.75362,989,595.47
归属于上市公司股 东的净利润291,150,636.6986,039,458.44238.3932,320,848.35
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润273,110,636.4080,343,810.53239.9342,674,763.66
经营活动产生的现 金流量净额181,786,418.71-49,149,994.61不适用31,430,460.14
 2021年末2020年末本期末比上 年同期末增 减(%)2019年末
归属于上市公司股 东的净资产1,931,920,162.40391,206,946.69393.84212,416,127.25
总资产2,024,718,068.86473,228,786.51327.85276,861,339.92

(二) 主要财务指标

主要财务指标2021年2020年本期比上年同期增 减(%)2019年
基本每股收益(元/股)9.643.20201.25%-
稀释每股收益(元/股)9.633.20200.94%-
扣除非经常性损益后的基本每 股收益(元/股)9.052.99202.68%-
加权平均净资产收益率(%)30.5826.06增加4.52个百分点23.62
扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率(%)28.6924.34增加4.35个百分点31.19
研发投入占营业收入的比例(% )8.306.41增加1.89个百分点8.58

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2021年度营业收入同比增长 53.75%,主要系报告期内全球半导体行业景气度较高,下游应用需求旺盛。公司在国内市场地位进一步巩固和提升,在海外实现了经营业绩的高速增长;同时,公司不断优化产品和客户结构,综合毛利率提升;
2021年归属于上市公司股东的净利润与归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别同比增长 238.39%和 239.93%,主要系 2021年营业收入和综合毛利率大幅上升所致; 基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增长 201.25%、200.94%及 202.68%,主要系报告期营业收入大幅上升,净利润增加、盈利能力提升所致。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2021年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入235,669,108.56275,950,789.38312,046,992.55279,257,115.35
归属于上市公司股东 的净利润38,416,633.6975,098,862.40109,217,931.4168,417,209.19
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 后的净利润38,261,748.3971,880,280.83107,259,760.4855,708,846.70
经营活动产生的现金 流量净额38,453,105.4552,333,351.3669,894,413.2021,105,548.70

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2021年金额附注(如 适用)2020年金额2019年金额
非流动资产处置损益    
越权审批,或无正式 批准文件,或偶发性 的税收返还、减免    
计入当期损益的政府 补助,但与公司正常 经营业务密切相关, 符合国家政策规定、 按照一定标准定额或 定量持续享受的政府 补助除外17,863,951.84第十节 七、 67/749,656,537.47877,340.39
计入当期损益的对非   48,665.63
非经常性损益项目2021年金额附注(如 适用)2020年金额2019年金额
金融企业收取的资金 占用费    
企业取得子公司、联 营企业及合营企业的 投资成本小于取得投 资时应享有被投资单 位可辨认净资产公允 价值产生的收益    
非货币性资产交换损 益    
委托他人投资或管理 资产的损益    
因不可抗力因素,如 遭受自然灾害而计提 的各项资产减值准备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安 置职工的支出、整合 费用等    
交易价格显失公允的 交易产生的超过公允 价值部分的损益    
同一控制下企业合并 产生的子公司期初至 合并日的当期净损益    
与公司正常经营业务 无关的或有事项产生 的损益    
除同公司正常经营业 务相关的有效套期保 值业务外,持有交易 性金融资产、衍生金 融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债 产生的公允价值变动 损益,以及处置交易 性金融资产、衍生金 融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债 和其他债权投资取得 的投资收益192,150.00第十节 七、 68/70  
单独进行减值测试的 应收款项、合同资产 减值准备转回    
对外委托贷款取得的 损益    
采用公允价值模式进 行后续计量的投资性    
非经常性损益项目2021年金额附注(如 适用)2020年金额2019年金额
房地产公允价值变动 产生的损益    
根据税收、会计等法 律、法规的要求对当 期损益进行一次性调 整对当期损益的影响    
受托经营取得的托管 费收入    
除上述各项之外的其 他营业外收入和支出6,648.43 -2,813.00-193,637.23
其他符合非经常性损 益定义的损益项目  -2,751,361.00-10,994,738.00
减:所得税影响额22,749.98 1,206,715.5691,546.10
少数股东权益影 响额(税后)    
合计18,040,000.29 5,695,647.91-10,353,915.31

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响 金额
以公允价值计量且其 变动计入当期损益的 金融负债-远期结售 汇产品-82,450.0082,450.00-82,450.00
合计-82,450.0082,450.00-82,450.00

十一、非企业会计准则业绩指标说明
√适用 □不适用
单位:万元 币种:人民币

主要会计数据2021年2020年本期比上年同期增减 (%)
剔除股份支付影响的 归属于上市公司股东 的净利润29,477.348,879.09231.99

第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
公司秉承“普冉之芯,造福世界”的愿景,始终坚持 “持续创新、卓越品质、恒久伙伴、信守承诺”的核心价值观,专注于集成电路设计领域的科技创新,围绕非易失存储器领域,以先进工艺低功耗 NOR Flash和高可靠性 EEPROM为核心,完善和优化产品,满足客户对高性能存储器需求,实现对工业和车载应用的支持。同时,启动实施基于先进工艺和存储器优势的“存储器+”战略。现将 2021年公司的整体经营情况总结报告如下:
(一) 经营业绩快速增长,盈利能力持续提升
2021年是全球半导体行业充满变化一年,行业产能紧张、需求旺盛等诸多因素,对公司的经营管理提出了挑战。存储器芯片应用场景不断延伸拓展,下游客户对芯片要求日趋多样,尤其是可穿戴设备、物联网场景、车载应用的快速发展提高了对芯片功耗、速度、可靠性等特性和供应链产能保障的要求。变局之下,公司抓住机遇,发挥自身产品超低功耗与高可靠性的优势,大力推进市场拓展,在物联网和工业控制等多个下游细分应用领域实现了较大突破。依托与上游晶圆厂的长期战略配合,公司发挥供应链优势,实现了既定的产能目标。公司在国内市场的地位进一步巩固和提升,并在海外实现了经营业绩的高速增长;同时,通过产品研发迭代、优化客户结构和合理的价格调整,实现了综合毛利率的提升。

报告期内,公司 2021年全年实现营业收入 110,292.40万元,同比增长 53.75%;实现归属于母公司所有者的净利润 29,115.06万元,较上年同期增加 238.39%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 27,311.06万元,较上年同期增加 239.93%。报告期内实现每股收益 9.64元,较上年同期增长 201.25%。

(二) 加大研发投入,新品布局全面
2021年是公司持续推进技术创新的一年,保持高力度的研发费用投入,最大程度保证新产品研发进程。报告期内,公司研发费用共计 9,148.87万元,占当期营业收入的 8.30%,研发投入较上年同比增长 99.01%。截至报告期末,公司研发及技术人员数量较上年同期增加 37.36%。

2021年 5月 29日,公司被认定为国家重点集成电路设计企业。

在存储器芯片产品矩阵方面,公司在 2021年上半年完成了 SONOS工艺平台 40nm工艺节点下的 NOR Flash全系列产品的开发,提供 4Mbit到 128Mbit的容量选择,满足多样化的终端应用市场需求,并于第三季度全部实现量产出货。通过制程升级,公司的 NOR Flash产品具备了更高的芯片集成度、更低的功耗和相同容量下更优的毛利水平。

基于 ETOX工艺并结合既有的低功耗技术平台,公司构建了中大容量 NOR Flash产品解决方案,并完成了首个 ETOX SPI NOR Flash产品设计,并已顺利通过多家主控芯片厂商的认证。

ETOX产品将与 SONOS产品相辅相成,完善公司从小容量至大容量的完整产品线布局。

EEPROM产品方面,在原有的高可靠性 130nm EEPROM的基础上,公司实现了 95nm及以下 EEPROM的研发及量产,进一步降低芯片的面积和单位成本,实现大容量和小尺寸的结合。

依托新一代的 EEPROM产品,公司的下游应用已经逐渐从消费电子领域拓展到工业控制和汽车电子市场,部分车载产品完成了 AEC-Q100标准的全面考核。同时,在手机摄像头模组等公司传统消费类电子领域,公司也陆续推出超低工作电压和超小尺寸的 EEPROM产品,保持了产品竞争力的领先地位。

公司积极推进“存储+”的战略布局:即以存储为核心的拓展产品线,为未来持续增长储备新动能。

(1) 基于领先工艺和超低功耗与高集成度的存储器优势,布局通用性 MCU产品线: 基于 ARM M0+的原型产品完成开发、流片和测试验证;
基于内置存储器及支持 1.2V应用的产品完成设计,进入流片阶段。

(三) 上下游产业链协同,保证产品交付能力
公司作为 Fabless集成电路设计企业,与产业链的头部供应商及物联网、消费类等应用领域客户均建立了长期的战略合作关系。

2021年,在半导体行业整体产能紧张的情况下,公司与主要供应商继续开展深入而有效的合作,以工艺改进、制程提升、改善流程管控为抓手,卓有成效地保证了产品的交付能力。

在市场开拓方面方面,公司完善了销售体系,提高客户服务响应速度和技术现场支持能力。

随着产品品类增加、性能提升以及服务的优化,公司与国内知名主控芯片厂和模组厂共同壮大,在知名终端客户中的应用份额不断上升,实现了有效的国产替代。另外,公司在韩国、日本等海外市场实现了较大的突破,境外销售额较去年同期上升 129.80%,并实现了在消费类、工控和车载领域的多家知名客户的导入。

(四) 科创板成功上市,首期股权激励落地
2021年 8月 23日,公司成功在上海证券交易所科创板挂牌上市,依托科创板的平台和资本市场的助力,公司整体实力得到了增强,进一步提升了品牌知名度和市场影响力。

报告期内,公司推出了上市后首个股权激励计划,并在报告期内完成了首次授予,范围覆盖112名员工。股权激励充分调动了员工的积极性,发挥团队的创新能力,为公司经营效率的提升和公司业务的长期稳健发展提供了重要的动力保障。

(五) 公司治理日趋完善,信披制度执行到位
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构,报告期内持续完善公司治理机制,强化风险管理和内部控制,严格贯彻执行相关制度,切实保障股东和员工的合法权益,为公司持续健康发展提供坚实基础。

公司严格遵守法律法规和监管机构规定,严格执行公司信息披露管理制度,真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务,通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证 e互动、电话、邮件等诸多渠道,保持公司营运透明度。

公司高度重视内幕交易防范,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。


二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、 主要业务情况
公司的主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售,目前主要产品包括 NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片,属于通用型芯片,可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。例如,根据存储需求的不同,公司的 NOR Flash产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS蓝牙耳机、手机触控和指纹、TDDI(触屏)、AMOLED(有源矩阵有机发光二极体面板)、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域,公司的 EEPROM产品应用于手机摄像头模组(含 3-D)、智能仪表、工业控制、网络通信、家电等领域。

公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年,凭借其低功耗、高可靠性的产品优势,在下游客户处积累了良好的品牌认可度,成为了国内 NOR Flash和 EEPROM的主要供应商之一。公司也正积极开拓海外市场,寻求和更多国际知名品牌厂商的潜在合作。

2、 主要产品情况
(1) NOR Flash
NOR Flash是现在市场上主要的非易失闪存技术之一,具备随机存储、读取速度快、芯片内执行(XIP)等特点。作为数据存储的重要器件,其主要功能是数据的存储和读取,同时实现开容量的代码存储器,用来在较小能耗下实现功能需求,而 NOR Flash在此类应用中具备性能和成 本上的优势,因此 NOR Flash是电子产品中不可或缺的重要元器件,广泛应用于蓝牙模块、 TDDI触控芯片、AMOLED手机屏幕等消费电子产品领域和汽车电子、安防、可穿戴设备、物联 网设备等其他领域。 图:公司 NOR Flash产品 图:NOR Flash应用领域 公司 NOR Flash产品采用电荷俘获(SONOS)工艺结构,提供了 512Kbit到 128Mbit容量的 系列产品,覆盖1.65V-3.6V的操作电压区间,具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优 异性能,报告期内,公司 NOR Flash产品实现销售收入 78,373.33万元,同比增长 58.93%,出货 量 27.60亿颗,同比增长 12.15%,应用领域集中在蓝牙、IOT、TDDI、AMOLED等相关市场。 目前 NOR Flash行业主流工艺制程为 55nm,公司 40nm工艺制程下 4Mbit到 128Mbit容量的全系 列产品均已实现量产,处于行业内领先技术水平,并实现了公司对现有 55nm工艺制程下的产品 进行了部分的有效的替换,NOR Flash产品结构得到优化,2022年公司将会以 40nm工艺节点作 为公司 SONOS工艺结构下 NOR Flash产品的主要工艺节点。 (2) EEPROM EEPROM是一类通用型的非易失性存储器芯片,在断电情况下仍能保留所存储的数据信息, 可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程,可擦写次数至少 100万次,数据保存时间超 过 100年。该类产品相较于 NOR Flash的容量更小、擦写次数高,因此适用于各类电子设备的小 容量数据存储和反复擦写的需求,广泛应用于智能手机摄像头、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计 算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子、工业控制等领域。 图:公司 EEPROM产品 图:EEPROM应用领域
公司已形成覆盖 2Kbit到 1Mbit容量的 EEPROM产品系列,操作电压均为 1.7V-5.5V,主要采用130nm工艺制程,具有高可靠性、面积小、性价比高等优势,同时实现了分区域保护、地址编程等功能,可对芯片中存储的参数数据进行保护,避免数据丢失和篡改,可擦写次数可达到400万次,数据保持时间可达 200年。报告期内,公司 EEPROM产品实现销售收入 31,859.62万元,同比增长 43.55%,出货量 20.46亿颗,同比增长 29.59%,应用领域集中在手机摄像头模组、 工业控制、家电、计算机周边等领域。目前 EEPROM产品国内行业主流工艺制程为 130nm,公 司 95nm及以下工艺制程下产品已实现量产,领先于业界主流工艺制程。 (3) 其他产品 除 NOR Flash和 EEPROM外,公司的其他产品主要包括 Hall芯片。 Hall芯片主要用于工业的开关控制。报告期内公司 Hall芯片的销售收入为 57.13万元,占同 期销售收入占比为 0.05%。 (二) 主要经营模式 公司的主要经营模式为 Fabless模式,该模式下公司仅需专注于从事产业链中的集成电路的 设计和销售环节,其余环节委托给晶圆制造企业、晶圆测试企业和芯片封装测试企业代工完成。 1、研发模式 在 Fabless模式下,产品设计研发环节是公司运营活动的核心。公司紧密跟踪与了解市场需 求,通过可行性分析和立项,将市场现时或潜在应用需求转化为研发设计实践,通过一系列研发 工作,将研发设计成果体现为设计版图,最终经由晶圆代工厂、晶圆测试厂和封装测试厂的配合 完成样品的制造、测试和封装,达到量产标准。公司与主营业务相关的核心专利均属公司所有。 2、采购与运营模式 在 Fabless模式下,公司专注于集成电路的设计和销售,而晶圆制造、晶圆测试、芯片的封 装测试通过委外加工方式完成。其中,公司委托晶圆代工厂进行晶圆制造,委托晶圆测试厂进行 晶圆测试服务,委托封装测试厂进行封装测试服务。 3、销售模式 公司采用“经销+直销”的销售模式。经销模式下,经销商根据终端客户需求向公司下订单, 并将产品销售给终端客户;公司与经销商之间进行买断式销售,公司向经销商销售产品后的风险 由经销商自行承担。直销模式下,终端客户直接向公司下订单,公司根据客户需求安排生产与销 售。公司产品的定价机制是根据存储器芯片市场价格与客户协商定价。 根据产品形态的不同,公司销售产品可以分为未封装晶圆(Known Good Die,即 KGD)和 成品芯片,其中未封装晶圆主要销售给采用 SIP系统级封装方式生产的主控芯片厂商。两种形态 的产品在芯片电路、制造工艺等方面不存在差异。 图:未封装晶圆 图:成品芯片

(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售,根据中国证监会《上市公司行业分类指引》,公司所处行业为“C制造业——C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据《国民经济行业分类(GB/T 4754—2017)》,公司所处行业为“6520 集成电路设计”。

(1) 公司所处行业的发展阶段、基本特点
集成电路行业作为全球信息产业的基础,经历了 60多年的发展,如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用,成为现代日常生活中必不可少的组成部分。集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业,属于资本与技术密集型行业,业内企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力、客户资源和产业链整合能力。随着根据美国半导体行业协会(SIA)最新的数据,2021年全球半导体集成电路市场总销售额达到 5,559亿美元,相比 2020年增长 26.2%,创历史新高。

近些年来,在国家政策扶持以及市场应用带动下,国内集成电路产业保持快速增长,继续保 持增速全球领先的势头。受此带动,在国内集成电路产业发展中,集成电路设计业是国内集成电 路产业中保持较高发展活力的领域,保持高速增长的态势。根据中国半导体行业协会(CSIA) 统计,2021年至 2023年我国半导体市场需求将有望分别达到 21,467.00亿元、24,269.60亿元和 27,633.40亿元,2022年及 2023年中国半导体市场同比增速将分别扩大至 13.06%和 13.86%。集 成电路设计业销售收入从 2010年的 363.9亿元增长到 2021年的 4,519亿元,年均复合增长率为 25.74%,增速较为可观。 在全球集成电路市场中,存储器芯片一直是集成电路市场份额占比最大的产品类别。根据世 界半导体贸易统计协会(WSTS)最新数据统计,2021年全球集成电路市场规模为 5,530亿美元, 同比上升了25.6%,2021年其中全球存储器芯片市场规模为1,582亿美元,同比上升34.6%。2021 年存储器芯片占全球集成电路市场规模的比例为 35.05%。受到国际形势以及全球新冠病毒疫情 和供应链产能供给紧张影响,以及下游应用领域(数据中心、5G、汽车电子、工业控制等)需 求的增长,2021年,全球存储芯片市场重回高成长轨道。根据国际研究机构 IC Insights预测, 2021-2023年全球存储芯片的市场规模将分别达到 1,552亿美元、1,804亿美元及 2,196亿美元, 增幅分别达到 22.5%、16.2%和 21.7%。较 2020年有所上升,主要是受到存储器芯片市场价格上 升的影响。在众多存储器芯片中,市场规模最大的仍是 DRAM和 NAND Flash,2021年全球 DRAM市场规模约占整个存储市场的 56%(约 869亿美元),NAND Flash市场规模约占整个存 储市场的41%(约636亿美元),NOR Flash市场规模约占整个存储市场的2%(约31亿美元), 其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM等)合计占比为 1%(约 16亿美元)。 数据来源:WSTS
近些年国产芯片的替代和消费电子需求快速增长的背景下,国内存储器芯片市场规模保持稳定上升,尤其是在智能手机行业,多摄像头配置的趋势和 5G兴起带来的智能手机更新换代,打开了存储器芯片市场增长的空间,智能移动设备已经成为推动中国存储器芯片产业及市场发展的重要驱动力。

随着物联网、可穿戴设备、汽车电子等新兴科技应用的发展,存储器芯片面临日益增长的市场需求。在物联网领域,实时的数据交互需要更多容量进行数据的存储和处理,拉动存储器芯片市场需求的同时,也对存储器芯片的快速读写等功能提出了更高的要求。在可穿戴设备领域,随着电子产品功能的多样化和续航能力的提升,对存储器芯片的功耗、性能等方面都提出了多样化的要求,也将开拓出更为广阔的存储器芯片市场空间。在汽车电子领域,随着汽车行业不断向智能化、电子化方向发展,将进一步拉动存储器芯片的市场规模增长。

(2) 主要技术门槛
集成电路设计行业是典型的技术密集、知识密集和资本密集型行业,拥有较高的行业准入壁垒,行业产品具有高度的复杂性和专业性,在电路设计、软件开发等方面对创新型人才的数量和专业水平均有很高要求。由于国内行业发展时间较短、技术水平较低,高端、专业人才仍然十分紧缺,和国际顶尖集成电路企业相比,国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段,与国外大厂依然存在技术差距,尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板,目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此,产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路设计行业的发展。

就公司产品涉及的技术来看,存储器芯片产品的标准化程度较高,差异化竞争较小,因此技术升级是存储器芯片公司间竞争的主要策略,存储器芯片的技术升级主要体现在工艺制程和产品性能两方面。工艺制程方面,受限于摩尔定律及底层架构技术的应用,向更高制程迭代需要公司在工艺设计、专利等知识产权、底层架构授权等方面具备坚实的技术储备,而综合芯片设计的研发周期、不同工艺下的制造周期、产品的市场销售周期等因素,NOR Flash和 EEPROM的产品迭代周期为 3-5年;产品性能方面,合格的芯片产品需要在功耗、可靠性、读取速度、寿命等性能指标满足市场要求,并不断进行指标上的突破和优化,能适用于市场上种类繁多的各种电子系统,因此芯片设计公司需要具备从芯片工艺、电路、到系统平台等全方位的技术储备。行业内的新进入者往往需要经历较长一段时间的技术摸索和积累时期,在不断更新的竞争优势和创新技术的基础上才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
(1) NOR Flash行业
公司是中国大陆主要的 NOR Flash存储器芯片供应商之一。据 Web-Feet Research报告显示,在 2020年 Serial NOR Flash 市场销售额排名中,公司位列第六,在国内 NOR Flash存储器芯片供应商中仅次于兆易创新。2020年和2021年公司NOR Flash产品的出货量分别为24.60亿颗和27.60亿颗,对应销售收入为 49,314.07万元和 78,373.33万元,同比增长 58.93%。

从工艺制程来看,公司采用电荷俘获的 SONOS工艺结构 40nm工艺节点下的 NOR Flash全系列产品研发完成并将成为量产交付主力,实现对公司原有 55nm工艺节点下的 NOR Flash产品的升级替代。相对于行业主流的浮栅 55nm工艺制程,SONOS工艺结构 40nm工艺节点下的 NOR Flash 产品具备更高的芯片集成度、更低的功耗水平。

从细分市场来看,公司的 NOR Flash产品在中小容量(512Kbit-128Mbit)具备竞争力,并持续推进大容量产品的研发设计,主要系公司的 NOR Flash产品的功耗、读写速度等性能具备较强竞争力且在中小容量领域具备较高的成本优势,随着客户认可度的提升和业务合作的深入,公司的 NOR Flash出货量呈现爆发式增长。

公司 2021年销售收入方面公司和华邦、旺宏、兆易创新等厂商尚有一定差距,但近年来公司出货量与收入均保持高速增长,市场地位呈现显著提升的态势。从产品体系来看,华邦、旺宏的NOR Flash已覆盖512Kbit-2Gbit的完整产品线,兆易创新也已经推出了512Mbit、1Gbit、2Gbit的 NOR Flash产品。公司目前 NOR Flash产品主要为 512Kbit-128Mbit,集中在 TWS蓝牙耳机、BLE、AMOLED等中小容量应用领域,对大容量 NOR Flash覆盖不足,在汽车电子、工业等领域尚未形成具备竞争力的 NOR Flash产品。

伴随着公司募投项目的顺利展开,公司将会加速布局大容量 NOR Flash产品,补齐 NOR Flash产品线。2022年,公司大容量 NOR Flash产品将会实现量产,推进 5G、工业控制等更多的应用领域,进一步提升公司在 NOR Flash领域的行业地位。

(2) EEPROM行业
公司深耕于 EEPROM行业,具备丰富的产业经验和深厚的技术积累,在芯片设计上实现了更高的可靠性以及分区域保护、地址编程等功能。同时,基于对芯片的制造工艺的深度了解,研发团队在行业主流的130nm工艺制程基础上对存储单元结构和操作电压进行了改进和优化,降低了公司 EEPROM芯片面积,提高了产品的成本竞争优势。

近年来公司的 EEPROM出货量呈现明显的增长。据 Web-Feet Research报告显示,在 2020年EEPROM市场销售额排名中,公司位列全球第六。2020年和 2021年公司 EEPROM出货量分别为15.79亿颗和20.46亿颗,对应销售收入为22,194.50万元和31,859.62万元,同比增长43.55%,保持稳定增长的趋势。

从应用领域来看,聚辰股份和公司的 EEPROM主要应用于摄像头模组。多摄像头配置拉动下游智能终端市场增长,进而带动 EEPROM市场需求增长,公司现已成为国内摄像头模组市场中主要的 EEPROM供应商。

从产品体系来看,公司和国内竞争对手,如聚辰股份,均已推出 2Kbit-1024Kbit EEPROM产品,在手机摄像头领域表现出较强的产品竞争力。但相较于意法半导体、安森美等境外企业,在 2Mbit、4Mbit的大容量 EEPROM产品和汽车电子、工业 EEPROM领域,尚未形成具有较强竞争力的产品,公司竞争力仍有进一步提升的空间。

伴随着公司在海内外市场的业务铺设和开展,2022年公司的 EEPROM出货量有望持续攀升,公司在 EEPROM领域的行业地位有望得到进一步的巩固和提升。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 (1)存储器芯片行业技术发展与现状
近年来,集成电路行业按照摩尔定律继续发展演变,芯片的集成度和性能不断改善升级。存储器芯片产品的标准化程度较高,差异化竞争较小,因此技术升级是存储器芯片公司间竞争的主要策略,存储器芯片的技术升级主要体现在工艺制程和产品性能两方面。

1)NOR Flash
可穿戴设备、传感器、汽车、智能家居等新兴电子产品需要用到不同容量的 NOR Flash产品,同时不同的使用场景对 NOR Flash的功能和性能方面提出了更多样化的要求,包括高速随机读取、睡眠模式唤醒、“即时开启”等功能。基于下游客户的产品需求,NOR Flash产品不断在工艺制程和产品性能上方面实现了技术升级和产品迭代。

工艺制程方面,NOR Flash芯片企业通过升级工艺制程提升存储器芯片中的存储密度,工艺制程从 90nm发展到了 65nm、55nm,考虑到下游客户对低功耗、小型化的要求不断提高,各个NOR Flash芯片厂商正在针对制程升级开展研发和设计,继续向 40nm及以下工艺推进,以实现产品功耗的进一步降低。

容量方面,随着下游电子产品功能日益丰富,存储器芯片的容量逐渐提高。如蓝牙耳机的主动降噪功能,推动 NOR Flash的容量需求从 8Mbit、16Mbit升级到 32Mbit至 128Mbit,在苹果的AirPods产品中采用了 256Mbit的 NOR Flash方案。

功耗方面,终端消费电子厂商为了实现更长的产品续航时间,对存储器芯片的功耗提出了更高的要求,存储器芯片行业整体表现出功耗指标下降的趋势,低功耗已经成为存储器芯片产品的重要竞争力之一。

读取速度方面,随着物联网部署的快速推进,产生了海量数据信息的存储需求,对存储器芯片的数据读取速度提出了更高的要求,截至 2019年年底行业内 NOR Flash的数据读取频率可达到 200MHz,数据读取速度可达到 400Mbit/s。

2)EEPROM行业
除了摄像头模组外,EEPROM在通信、工业、医疗和汽车等市场的应用保持着稳定增长的态势。EEPROM存储器芯片整体表现出存储容量和可靠性上升的特点,具体在工艺制程和性能方面的表现如下:
工艺制程方面,EEPROM产品的主流工艺制程已经发展到了 130nm,未来有望继续向 95nm及以下推进。

容量方面,随着下游电子产品功能日益丰富,存储器芯片的容量逐渐提高。如手机摄像头的快速对焦和成相品质提升,EEPROM的容量需求也逐渐从 32Kbit、64Kbit提升到 128Kbit、256Kbit;如智能电表正在转换成 256Kbit、512Kbit、1Mbit和 2Mbit EEPROM。随着下游产品的逐步升级,高容量 EEPROM的市场占比将持续提升;
可靠性方面,芯片的可靠性要求在逐步提高。当前行业内 EEPROM产品主流的可擦写次数为 100万次,数据保存时间为 100年,随着工业、汽车电子等应用场景的拓展,对 EEPROM的产品可靠性提出了更高的要求,包括更长的数据保存时间、更多的擦写次数等方面。


(2)行业主流技术水平、发展趋势和芯片迭代周期
目前市场上主流的 NOR Flash和 EEPROM在设计技术上各有特色,可以通过工艺制程、擦写模式、读取速度和功耗等几个外部可观测指标综合讨论行业技术水平和发展趋势。


产品技术指标主流技术水平未来技术发展趋势
NOR Flash工艺制程55nm50nm及以下
 擦写模式SE/CESE/CE/PE
 总线模式QPI/DTRQPI/OPI/DTR
 功耗DPD:1μA;E/P:20mADPD: <0.2μA;E/P: <5mA
EEPROM制造工艺130nm-110nm95nm及以下
 擦写次数100万次400万次
 数据保存时间100年200年
现阶段 NOR Flash和 EEPROM市场已经相对成熟,产品迭代周期比较稳定。综合芯片设计的研发周期、不同工艺下的制造周期、产品的市场销售周期等因素,NOR Flash和 EEPROM的产品迭代周期为 3-5年。


(3)产品对应的不同应用领域的需求发展趋势
1)NOR Flash应用领域的需求发展趋势
NOR Flash凭借快速读写、XIP等特点,满足了消费电子、工业控制、家电、通信等应用领域的数据需求。随着智能化社会的发展,设备小型化、万物互联等场景催生出 NOR Flash更多的新兴需求,诸如无线耳机、汽车电子、AMOLED、5G等领域快速增长,同时,NOR Flash作为硬件层支撑着汽车电子、5G、工业领域等方面应用软件层的启动,它的价值不可取代。

a)中小容量领域(512kbit-128Mbit)NOR Flash需求发展
现阶段,中小容量领域,TWS蓝牙耳机和低功耗蓝牙数传、TDDI、AMOLED等手机屏幕相关的产品需求成为了 NOR Flash市场增长的主要驱动力,而随着可穿戴设备的普及和 IoT技术的应用发展,NOR Flash将会在以下甚至更多领域有所发展:
? TWS耳机领域,未来,TWS耳机会不断向生物识别、健康监测等领域拓展,有望实现人体健康监测功能。根据市场调研机构 Counterpoint Research数据,2020年全球 TWS蓝牙耳机销量超预期增长,达到 2.3亿部,同比增长 78%;2021年 TWS耳机销售预计高达 3.1亿部,同比增长 33%。可以预见,未来随着 TWS蓝牙耳机功能的提升和拓展,对 NOR Flash的容量和性能将提出更多要求,由此促进 NOR Flash的需求量稳步提升。

? 可穿戴设备领域,AR/VR作为下一代移动终端计算平台,相当于一台独立的 PC机,需要 NOR Flash用以存放 AR/VR启动系统的相关代码,性能较高的 AR/VR设备通常会配置一颗中容量(32Mbit-128Mbit)的 NOR Flash,据 Omdia Analysis数据显示,在 2022年,全球 VR内容市场收入预计将达到 31亿美元;而智能手表方面,智能手表的性能和功能的差异决定了 NOR Flash的配置不同,根据 Gartner的预测,2021年手表将有 18.1%的增速,相比较 2020年销售额为 690亿美元,2021年销售额将会有 815亿美元;
? IoT及低功耗蓝牙数传领域,由于 IoT设备不需要复杂的计算功能,核心在于其连接速度。因此,通常情况下,小容量、低成本、低功耗的 NOR Flash在 loT中被广泛地用于存储启动和运行系统的操作代码。根据 IDC的数据与预测,2019年全球 AIoT市场规模达到 2264亿美元,预计到 2022年达到 4820亿美元,2019-2022年复合增长率为 28.65%。

? 手机电子领域,①AMOLED:由于手机屏幕应用的 AMOLED都需要 De-Mura,而根据AMOLED显示器的电流和亮度差异数据计算出的De-Mura数据需要储存到NOR Flash中,另外,随着屏幕分辨率的提升,De-Mura的补偿数据量也会变大,因此 AMOLED中单块储存芯片的容量和价值也会增加,据 CINNO Research数据显示,随着 AMOLED的面板技术普遍成熟且产品良率不断提升,市场渗透率将从 2021年的 42%提升至 2022年的 46%,由此可以预见,未来AMOLED会带动 NOR Flash进一步的市场空间提升;②手机摄像头:由于目前智能手机主流摄像头主要在对焦速度和暗光拍摄成像质量上具有一定缺陷。未来消费电子摄像头数量和拍摄质量的升级对企业的图像集成处理能力和精密算法要求提出了更高的要求。NOR Flash作为专用图像内存将在未来成为标配,成为 NOR Flash在消费电子领域的一大增量需求;③TDDI:由于 TDDI触控功能编码所需容量较大,无法一并整合进 TDDI芯片,需要外挂一个 4~16Mb的 NOR Flash进行存储,并辅助 TDDI进行参数调整,随着 TDDI渗透率的不断提高,NOR Flash的市场需求相应持续增长;④屏下指纹:指纹识别芯片一般由主控芯片和存储芯片组成,存储器芯片负责存储指纹的参数,根据 CINNO Research月度屏下指纹市场报告数据显示,2019年全球屏下指纹手机出货量约为 2.0亿台,同比增长 614%,预估至 2024年,整体屏下指纹手机出货量将达 11.8亿台,年均复合增长率 CAGR达 42.5%。

b)大容量领域(256Mbit及以上)NOR Flash需求发展
大容量领域,NOR Flash应用于汽车仪表盘的显示屏、ADAS系统(高级辅助驾驶系统)等对启动速度要求较高的电子设备中,而 5G基站对 512Mbit/1Gbit的 NOR Flash需求量也非常大。

? 汽车电子领域,汽车在每次发动则需要快速启动 ADAS系统界面。车载系统的快速启动对代码的快速读取有要求,而 NOR Flash在此方面具备优势。IDC数据显示,中国新能源市场将迎来强劲增长,到 2025年新能源汽车销量将达 542万辆,年复合增长率超过 30%。IDC认为,到 2025年,汽车将不仅仅是交通工具,而将成为办公娱乐的场景之一。

? 5G基站领域和工业控制领域,5G基站系统受 FPGA/SoC调用,FPGA和 SoC在每次系统启动时需要进行配置。NOR Flash可以在 5G设备的初始响应和启动时提供更高可靠性和更低延时的启动配置支撑。同时工业级或车规级的 NOR Flash可以运行在(-40°C-105°C)的恶劣环境,并能在市场上有存活 10年或更长时间的生命周期,满足 5G基站或工业仪表对产品必须具备“高容量+高性能+高可靠”特性。

? 另外,相较于 AMOLED、TDDI中 NOR Flash实现功能的单一和固定,蓝牙耳机、可穿戴设备等产品的功能呈现丰富化态势,存储的容量需求亦随之上升。如传统蓝牙耳机采用 2Mbit-16Mbit的 NOR Flash以实现开机快速启动、调节音量等简单功能,随着 TWS蓝牙耳机的兴起和功能的复杂化,TWS蓝牙耳机的容量需求逐渐上升到 32Mbit-128Mbit甚至更高容量,为语音、降噪等复杂功能预留了充分的存储空间。

得益于广泛且爆发式的下游市场,公司在中小容量领域迅速切入,并实现从 2019至 2021年营业收入三年复合增长率达 84%的高速发展,同时为应对 TWS蓝牙耳机、可穿戴设备、物联网等日益增长的容量需求,公司推出了 128Mbit NOR Flash,充分契合下游行业发展趋势。未来,公司将补齐大容量领域产品,同时不断完善公司 NOR Flash在操作电压、工艺制程、全容量等方面的全系列产品线,满足下游需求,巩固公司在 NOR Flash领域的领先地位。(未完)
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