[年报]芯导科技(688230):2021年年度报告

时间:2022年04月16日 06:52:28 中财网

原标题:芯导科技:2021年年度报告

公司代码:688230 公司简称:芯导科技
上海芯导电子科技股份有限公司
2021年年度报告









重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中的“四、风险因素”部分内容。

四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人(会计主管人员)张娟声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟向全体股东每10股派发现金红利6元(含税)。截至2021年12月31日,公司总股本60,000,000股,以此计算合计拟派发现金红利36,000,000.00元(含税)。本年度公司现金分红总额占2021年度归属于上市公司股东净利润的31.43%。本次利润分配不进行资本公积转增股本,不送红股。

如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间,因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的,公司拟维持分配总额不变,相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化,将另行公告具体调整情况。上述事项已获公司第一届董事会第十九次会议审议通过,尚需提交公司股东大会审议。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 12
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 42
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 57
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 62
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 83
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 92
第九节 公司债券相关情况 ........................................................................................................... 93
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 94



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
 经公司负责人签名的公司2021年年度报告文本原件
 报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及 公告的原稿



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
芯导科技、公司、本公司上海芯导电子科技股份有限公司
莘导企管上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管上海萃慧企业管理服务中心(有限合伙)
中国证监会、证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度2021年1月1日-2021年12月31日
报告期末、本报告期末2021年12月31日
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品广义的半导体、电子元器件产品,包括集成电路芯 片和其他电子元器件产品。
集成电路、ICIntegrated Circuit即集成电路,是采用半导体 制作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多 晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布 线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子 电路。
功率半导体对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的 半导体器件。
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、 封装、测试后的结果。
TVSTransient Voltage Suppresser,即瞬态电压抑 制器,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。 它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪 涌吸收能力,可用于保护设备或电路免受静电、电 感性负载切换时产生的瞬变电压,以及感应雷所 产生的过电压。
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金属氧化物半导体场效应晶体管, 简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在 模拟电路与数字电路的场效晶体管(Field- effecttransistor),依照其“通道”的极性不同, 可分为N-type与P-type的MOSFET。
GaN HEMTGaN(氮化镓) HEMT即 High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于 新一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。 与普通的半导体材料硅相比,具有更优异的物理 性能。
肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极 管(简称SBD),在通信电源、变频器等中比较常 见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的
  二极管芯片,具有反向恢复时间极短(可以小到几 纳秒),正向导通压降更低(仅0.4V左右)的特 点。
稳压二极管又称齐纳二极管,是利用pn结反向击穿状态,其 电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现 象,制成的起稳压作用的二极管。
三极管三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体 管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。 其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信 号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器 件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元 件。
ESD静电保护二极管,是用来避免电子设备中的敏感 电路受到静电放电影响的器件。
TMBSTrench MOS Barrier Schottky Diode,沟槽MOS 型肖特基势垒二极管。
DC-DC在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电 压值的电能的转换电路,也称为直流转换电源。
IDMIntegrated Design and Manufacture,垂直整合 制造模式。
Fabless无晶圆厂集成电路设计企业,只从事集成电路研 发和销售,而将晶圆制造、封装和测试环节分别委 托给专业厂商完成;也代指此种商业模式。
晶圆硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形 状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成 各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之 IC 产品。
封装把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处, 以便于其它器件连接。
测试把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能 的确认,以保证半导体元件符合系统的需求。
平面(Planar)工艺平面工艺,是MOSFET产品常见的一种生产工艺。
沟槽(Trench)工艺沟槽工艺,通常可以进一步提高MOSFET产品的沟 道密度,减小芯片尺寸,降低导通电阻,拥有更低 的导通电阻和栅漏电荷密度。
TMBS工艺含沟槽MOSFET结构的工艺,可以较大程度地降低 正向导通压降和反向漏电流,高温可靠性更好。
PSCPrisemi Switch Charger,指芯导科技开关充电 产品。
PBPower Bank,移动电源的电源管理。
ODMOriginal Design Manufactuce,原始设计制造商。 它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期 维护的全部服务,客户只需向 ODM服务商提出产 品的功能、性能甚至只需提供产品的构思,ODM服 务商就可以将产品从设想变为现实。



第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称上海芯导电子科技股份有限公司
公司的中文简称芯导科技
公司的外文名称Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Prisemi
公司的法定代表人欧新华
公司注册地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
公司办公地址的邮政编码201210
公司网址http://www.prisemi.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名兰芳云闵雨琦
联系地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之 路2277弄7号中国(上海)自由贸易试验区祖冲之 路2277弄7号
电话021-60753051021-60753051
传真021-60870156021-60870156
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址上海证券报(www.cnstock.com)、中国证券报( www.cs.com.cn)、证券时报(www.stcn.com)、证 券日报(www.zqrb.cn)
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券部

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板芯导科技688230不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、其他相关资料

公司聘请的会计师事 务所(境内)名称天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市海淀区车公庄西路19号68号楼A-1 和A-5区域
 签字会计师姓名叶慧、王俊、徐福宽
报告期内履行持续督 导职责的保荐机构名称国元证券股份有限公司
 办公地址上海市浦东新区民生路1199弄1号证大五 道口大厦16楼
 签字的保荐代表人姓名罗欣、张琳
 持续督导的期间2021.12.1-2024.12.31

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2021年2020年本期比上年 同期增减 (%)2019年
营业收入475,649,458.03368,354,094.5029.13279,629,866.40
归属于上市公司股 东的净利润114,526,286.6074,163,820.9454.4248,093,258.96
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润108,488,346.2371,603,454.7951.5145,390,268.38
经营活动产生的现 金流量净额91,553,496.9957,776,403.9858.4645,548,022.30
 2021年末2020年末本期末比上 年同期末增 减(%)2019年末
归属于上市公司股 东的净资产2,087,654,665.42142,639,699.581,363.5986,475,878.64
总资产2,148,226,007.94214,534,389.18901.34168,977,056.91

(二) 要财务指标

主要财务指标2021年2020年本期比上年同期增减 (%)2019年
基本每股收益(元/股)2.481.6550.301.07
稀释每股收益(元/股)2.481.6550.301.07
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)2.351.5947.801.01
加权平均净资产收益率(%)32.4960.02减少27.53个百分点55.01
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)30.7857.95减少27.17个百分点51.92
研发投入占营业收入的比例(%)6.196.40减少0.21个百分点6.58
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现整体销售收入47,564.95万元,较上年同期增长29.13%;实现归属于上市公司股东的净利润11,452.63万元,较上年同期增长54.42%;本期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为10,848.83万元,较上年同期增长51.51%。受益于半导体景气度的提升,以及新产品的持续推出及产品结构的优化,公司主要产品TVS销量增加,其他产品MOS及IC的销量亦快速上升。

1、销售数量增加:报告期内,半导体行业景气度上行,公司把握市场机遇,产品整体销量较上年同期增长21.35%;
2、产品结构优化:报告期内,公司积极拓展相关领域,通过不断研发创新和市场开拓,MOSFET产品营业收入同比增长 81.99%,功率 IC产品营业收入同比增长 62.29%,随着毛利率水平较高的MOSFET及功率IC产品销售收入占比的上升,公司产品综合毛利率随之上升。

截至2021年12月31日,公司总资产214,822.60万元,同比增长901.34%;归属于上市公司股东的净资产 208,765.47万元,同比增长 1,363.59%,主要由于报告期内公司首次公开发行股票募集资金增加所致。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2021年分季度主要财务数据
单位:万元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入12,352.3213,987.4310,476.5510,748.65
归属于上市公司股东 的净利润2,912.023,449.212,828.472,262.93
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 后的净利润2,791.843,398.342,700.791,957.86
经营活动产生的现金 流量净额3,024.511,972.181,183.362,975.30
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2021年金额附注(如 适用)2020年金额2019年金额
非流动资产处置损益-3,374.18 16,165.72-2,203.29
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免    
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外3,173,800.00 674,589.87724,279.58
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费    
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益    
非货币性资产交换损益    
委托他人投资或管理资产的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等    
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益    
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益    
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益    
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性 金融资产、衍生金融资产、交易 性金融负债、衍生金融负债产生 的公允价值变动损益,以及处置 交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金融 负债和其他债权投资取得的投资 收益3,426,374.72 2,154,095.692,281,246.58
单独进行减值测试的应收款项、 合同资产减值准备转回    
对外委托贷款取得的损益    
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益    
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出10,379.49   
其他符合非经常性损益定义的损 益项目101,642.60代扣代缴 个人所得 税手续费 返还  
减:所得税影响额670,882.26 284,485.13300,332.29
少数股东权益影响额(税 后)    
合计6,037,940.37 2,560,366.152,702,990.58
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:万元 币种:人民币
项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响金额
交易性金融资产6,924.28154,687.63147,763.35342.64
合计6,924.28154,687.63147,763.35342.64

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用


第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。
公司作为一家经过多年技术发展与积累的功率半导体设计企业,凭借优秀的研发能力及研发团队,已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。目前,公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台,公司针对 TVS产品先后开发了平面工艺普通容值 TVS技术平台、平面工艺低容值 TVS技术平台、改进型台面工艺 TVS技术平台、深槽隔离工艺 TVS技术平台、穿通型 NPN结构工艺 TVS技术平台等;公司针对 MOSFET产品先后开发了平面(Planar)工艺 MOSFET技术平台、沟槽(Trench)工艺 MOSFET技术平台、改进型沟槽(Trench)工艺 MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺 MOSFET技术平台等;公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽 MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台、改进型沟槽 MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台等;公司针对 IC产品先后开发了 PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步,在技术平台下持续更新、迭代,研发出新一代产品投入市场。

(一)报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入 47,564.95万元,较上年同期增长 29.13%;实现归属于母公司所有者的净利润 11,452.63万元,较上年同期增长 54.42%;归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 10,848.83万元,较上年同期增长 51.51%。

报告期末,公司总资产 214,822.60万元,同比增长 901.34%;归属于母公司的所有者权益208,765.47万元,同比增长 1,363.59%。
(二)报告期内重点任务完成情况
1、技术研发工作
报告期内,公司根据市场发展趋势、下游客户需求有计划、有步骤地进行技术开发和创新,扩展现有产品系列、加强对现有产品的更新迭代,保证公司产品的竞争优势和可持续发展;公司作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业,一直坚持以自主技术创新为基础,坚持技术领先战略,增强公司的研发储备。

功率器件研发方面:
在 TVS产品方面,超低容值(<0.2pF)的 ESD保护器件已经在客户端实现批量出货,超低容值保证了高速信号传输的完整性,可以满足 5G高速信号传输线的保护应用;同时,深回退特性、超小封装的 ESD保护器件开发成功,目前已经进入大规模推广中。近年来,在消费类电子市场,尤其是手机、平板电脑、TWS等智能便携式、可穿戴式产品领域,为提高续航能力,降低电子元器件的损耗,芯片的工作电压不断地降低,这也使芯片变得极为敏感,极易被损坏。而深回退特性的 ESD产品具有极低的钳位电压,同时还具有较强的电流泄放能力,提供了最佳保护解决方案,也使芯片朝向更低损耗、更低工作电压方向发展变得可行。

在 MOSFET产品方面,具有超低导通电阻、低开关损耗以及快速反向恢复功能的 MOSFET产品已经开发成功,并通过终端客户的验证,目前已经实现大规模生产;同时,具有超低导通阻抗和超低栅极电荷的 MOSFET产品已经完成立项,并已经开展研发工作。公司的 MOSFET产品在手机、平板电脑、TWS、PD快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等领域都有极为广泛的应用,可以提供更低的损耗,及更高的开关频率。

在肖特基产品方面,一种优化的低正向压降沟槽 MOS结构肖特基二极管项目,目前部分产品已经研发成功,并在多个客户进行验证。该产品不但降低了损耗,还增大了可持续导通电流,同时具有超小的尺寸,应用极为广泛。

在第三代半导体 GaN产品方面,第三代半导体 650V GaN HEMT项目,目前多个产品已经研发成功,并在多个客户端进行验证。GaN产品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特点,在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于 Si、GaAs等传统半导体材料,因此在快充电源、5G通讯、智能电网等领域具有广泛的应用前景。

功率 IC研发方面:
配合公司第三代半导体 650V GaN HEM器件的高整合度驱动器芯片,在 2021年顺利通过了流片验证,预计在 2022年批量投产,可广泛应用于大功率智能手机充电器及大能量密度的 LED照明等产品,有利于终端产品小型化;基于手机平台 CPU的 DCDC系列产品,具有大电流高效率特点,2021年度已完成流片验证,预计于 2022年进入量产;大电流半压充电 IC产品,具有充电效率高等特点,是当前手机平板产品中大功率充电的重要解决方案,已经进入到流片验证阶段,预计 2022年底进入量产;同时,具有高精确度、高效率,高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品,此系列产品适用于消费类电子、工业及车载等应用终端,也于 2021年提上开发设计日程。

2、供应链管理及客户管理工作
(1)供应链管理方面
成立至今,公司先后与行业内多家知名的晶圆制造厂商和封装测试厂商建立了长期稳定的合作关系,积累了丰富的供应链资源,有效保证了产品的交付能力及质量。报告期内,公司加强与现有供应商的紧密合作及管理,保障产能需求。同时,公司不断拓展和完善供应链系统,优化供应链管理流程, 提高管理效率。积极、有效的供应链管理对于公司提升品牌影响力、产品竞争力、提升市场占有率有着积极的影响。

(2)客户管理方面
公司通过经销为主直销为辅的销售模式,已经建立起较为完整的营销网络,与小米通讯、TCL、传音等手机品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等业内知名的 ODM手机厂商形成了长期稳定的合作关系并围绕上述终端客户的需求积极开展功率半导体新产品的开发与合作;此外,公司产品亦成功应用于小米,华为,OPPO,安克,森海塞尔等品牌旗下的多款 TWS耳机产品以及思摩尔、海派特等品牌的电子烟产品。报告期内,公司积极开拓新经销商并通过加强与优质经销商的合作,进一步开拓终端客户应用,2021年公司产品新增 VIVO、哈曼、倍思、飞利浦等品牌旗下的多款TWS耳机产品及悦刻等品牌电子烟产品应用。公司通过先进的研发技术能力、快速的客户服务响应速度以及优质的产品性能及质量,在行业中形成了良好的用户口碑和品牌影响力,从而对公司未来拓宽销售网络、推广新品具有积极作用。

3、知识产权方面
报告期内,公司新增专利技术申请 9项(其中发明专利 3项),当年共 13项专利获得授权(其中发明专利 5项);新增集成电路布图设计专有权 5项。截至 2021年 12月 31日,公司累计获得专利授权 40项,集成电路布图设计专有权 40项,获得 5项商标授权。

4、人才建设方面
为了进一步健全公司长效激励机制,吸引和留住优秀人才,充分调动公司员工的积极性,有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起,使各方共同关注公司的长远发展,公司加快优秀高端人才的引进,赋能公司高质量发展。

5、科创板上市,提升企业实力
2021年 12月 1日,公司成功登陆上海证券交易所科创板,募集资金净额为人民币 183,048.87万元。登陆资本市场,进一步提升了公司在行业内的影响力和市场竞争力,为进一步提升公司产品的市场占有率及新领域的业务拓展创造了良好的条件。

6、内部治理方面
公司建立了较为完善的公司内部控制制度和公司治理结构,报告期内持续完善了公司治理机制,严格贯彻执行相关制度,切实保障公司和股东的合法权益,为企业持续健康发展奠定坚实基础。

7、投资者关系管理方面
公司严格按照《公司法》、《证券法》、《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》、《信息披露制度》的要求,认真履行信息披露义务,保证信息披露的真实、准确、完整,进一步提升公司规范运作水平和透明度。同时,不断提高公司投资者关系管理工作的专业性,加强投资者对公司的了解,促进公司与投资者之间的良性互动关系,切实维护全体股东利益,特别是中小股东的利益,努力实现公司价值最大化和股东利益最大化。



的主要业务、经 或服务情况 半导体的研发与 以消费类电子为 要包括瞬态电压 二极管(SBD)模式、行业情况 售,公司功率半 ,少部分应用于 制二极管(TVS 。其中,公司的T研发情况说明 体产品包括功率 防领域、网络通 、金属-氧化物半 VS产品主要为ESD 
产品图片主要功能应用领域 
ESD保 护器件 具有静电防护、 浪涌吸收等防 过电压功能,对 电源线、信号 线、输入输出端 口等进行保护。主要应用于消 费类电子领域
普通 TVS 吸收瞬间大电 流,将两端电压 箝制在一个预 定的数值上,从 而对后面的电 路进行保护。主要应用于安 防领域、网络 通讯领域、工 业领域等
 把输入电压的 变化转化为输 出电流的变 化,起到开关 或放大等作 用。消费类电子领 域、安防领 域、网络通讯 领域、工业领 域等 
 在变频器、开 关电源、驱动 电路中用作检 波、电流整 流。消费类电子领 域、安防领 域、网络通讯 领域、工业领 域等 
(2)功率IC

IC产品主要为电源管 DC-DC类电源转换芯理IC,具体包括单节 等。各产品介绍如下电池充电芯片 所示:
产品图片主要功能应用 领域
 用于给锂电池充 电,并支持设备之 间相互充电。消费电子产 品、安防领域 等
 应用于电子产品的 电源输入口处,实 现过压保护、短路 保护、过温保护等 功能。消费电子产 品、安防领域 等
 用于放大微弱的音 频信号,以驱动扬 声器发出音量合适 的声音;内置防止 破音功能。消费电子产 品、网络通讯 产品、安防领 域等
 电压转换器,将一 定的直流电压升高 或降低至合适值, 为设备供电。消费电子产 品、网络通讯 产品、安防领 域、工业领域 等

(二) 主要经营模式
公司自设立以来一直采用 Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在 Fabless模式下,公司专注于功率半导体相关产品的设计,将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工,由外协厂商负责生产。

1、产品研发模式
公司采用 Fabless经营模式,产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术,紧跟客户需求和市场变化趋势,打造自主研发的技术平台,并以此为基础,持续推进技术迭代,丰富产品种类和型号,拓展应用领域,从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。

2、采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的 Fabless经营模式,专注于功率半导体产品的研发和销售环节,晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。

3、销售模式
根据行业、产品及市场情况,公司主要采取“经销为主,直销为辅”的销售模式。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司所处行业属于集成电路设计行业。根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据证监会《上市公司行业分类指引(2012年修订)》的行业划分,公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)”。

半导体产业是全球性产业,全球产业景气度是中国半导体产业发展的大前提,但中国半导体产业的内生力更值得关注。半导体行业发源于欧美,日韩及中国台湾在产业转移中亦建立了先进的半导体工业体系。中国半导体起步晚,但近年来,国家高度重视半导体行业的发展,不断出台多项鼓励政策大力扶持包括功率半导体在内的半导体行业。随着国内大循环、国内国际双循环格局发展,国内功率半导体产品需求继续增加,国内功率半导体设计企业不断成长,未来发展空间巨大。

根据顾问机构International Business Strategies(IBS)预测,到2030年中国的半导体市场供应将达到 5,385亿美元。2020-2030年中国市场的半导体供应量来自中国本土企业的比例将逐渐上升,到2030年将达到39.8%。预计到2030年,69%的消费量将来自中国本土公司,需求主要来自数据中心、消费电子、汽车、医疗等应用领域。

公司产品主要包括功率器件和功率 IC,应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域。

公司功率器件产品主要包括TVS(包括ESD保护器件)、MOSFET、肖特基等;功率IC产品主要为电源管理IC。目前,公司主要产品的应用领域聚焦于以手机、TWS、平板电脑、AR、VR、智能手表等为主的便携式、可穿戴式消费类电子领域。公司的功率器件产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点。

功率半导体行业属于是典型的知识密集型行业,需要融合多种专业技术,跨越多个学科领域,如半导体器件物理、电路设计、产品工艺、应用方案设计等,且技术更新速度快,需要从业人员持续不断地学习、积累,行业技术门槛较高。

公司的功率半导体产品,具有需要多种专业融合、对设计能力和持续创新能力要求高、需要对晶圆制造工艺及封装工艺具有深刻的理解和掌握等特点;产品结构设计技术和产品工艺设计技术难度大、产品测试要求高;同时,品牌客户对企业的认证周期长、对产品的测试验证要求高,一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大,因此具有较高技术门槛。

2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。

公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力,具有国内领先水平。一种GaN HEMT器件制备技术,优化了终端结构,降低工艺开发过程引入的漏电风险,同时优化了终端结构,使得GaN HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。具有自主专利技术的GaN HEMT,公司已经正式发布,并在多个客户进行验证,是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。

公司的功率器件及功率IC产品,具有高性能、低功耗、小尺寸的特点,产品市场目前主要被德州仪器(TI)、安森美(ON Semiconductor)、商升特半导体(Semtech Corporation)等国外半导体厂商占据,国产化替代空间巨大。随着消费类电子产品的持续更新发展、市场规模持续扩展,公司产品的应用需求将进一步释放,市场前景广阔。
3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 ①半导体市场发展趋势
2020 年以来,疫情席卷全球致使全球经济遭遇重创,但在危机之中,半导体行业却脱颖而出, 表现出了比较强的抗压性和韧性。因疫情而产生的远程的办公和学习、工业的自动化和数字化转型以及汽车和电子产品的智能化升级给半导体行业注入了强大的需求动力。
此外,全球集成电路产业的格局正在发生变化。集成电路产业正在经历第三次产能转移,行业需求中心和产能中心逐步向中国大陆转移。加上复杂的外部环境因素,集成电路产业实现自主可控要求越来越迫切,国产替代进口需求空间巨大,具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。国内终端厂商逐步将供应链转移至国内,有助于真正发挥上下游联动发展的协同作用,半导体产业的国产替代持续加速进行,给中国本土企业带来了绝佳的市场机会。

当前半导体产业正在发生深刻的变革,其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注,将成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域,相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功率密度大,可在高频情况下保持高效率水平工作,将有望被广泛运用于5G通讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。

展望未来,国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出要加快发展现代产业体系,坚持自主可控、安全高效,加快补齐基础元器件的瓶颈短板,半导体产业未来发展可期。

②智能消费类电子领域
IDC预计,在 2020-2025年预测期内,全球智能手机市场的复合年增长率(CAGR)将达到 3.6%。

到 2021年,5G智能手机出货量将占全球销量的 40%以上,到 2025年将增长至 69%。

随着智能手表、智能手环、TWS耳机、智能眼镜等可穿戴设备的普及,智能可穿戴设备市场规模逐年提升。2020年度全球可穿戴设备市场规模已达到 4.45亿部,较 2015年的 0.78亿台实现了快速增长,年复合增长率达到 41.66%。此外,伴随着科技的进步和智能化浪潮,智能可穿戴设备的种类也在快速增加。智能可穿戴设备市场的快速发展对电源管理芯片提出了多样需求,为电源管理芯片市场发展提供了广阔的空间。

在报告期内,公司积极推动产品升级迭代,基于自有的成熟设计模块,推陈出新,开发出了效率更高、更智能化的全系列充电芯片、保护芯片等产品。其中大电流开关充电器件,性能指标已媲美国外厂商,产品被手机平板等业界知名客户采用,为实现进口替代、自主可控做出了贡献。

③功率半导体
根据 Yole 公司发布的数据显示 2020 年~ 2026 年 GaN 功率器件市场将保持 70% 的增速增长,预计 2026 年达 11 亿美元。

目前,全球多个主要国家都将氮化镓等技术作为国家重点科技攻关方向。最新发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035年远景目标纲要》更是明确指出了氮化镓要取得发展。

在消费类电子应用中,随着大功率和多设备充电的需求愈加旺盛,氮化镓充电器已经成为近几年消费领域最具潜质的新兴产品之一。

公司在报告期内积极推动新技术开发,特别是在第三代半导体,公司领先布局,率先推出 GaN HEMT及相应驱动芯片方案,已在多家客户端进行测试验证。同时还在不断更新迭代更低损耗、更高性能、更小尺寸的 MOSFET、TVS、SBD等功率器件产品。


(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发,经过多年的技术积累和持续创新,在功率器件和功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。

在功率器件方面:公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电和高温下的可靠性,使产品在应用过程中更加安全和稳定;深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性,同时实现了产品封装的小型化,不但使产品在应用中减少了空间的占用,同时提升了浪涌防护能力,对产品的保护效果更加优异;MOSFET的沟槽优化技术实现了 MOSFET产品的低导通阻抗、低损耗特性,使产品在应用中大幅降低了功耗,减少了发热;沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性,在使用过程中降低了产品功耗。

在功率 IC方面:可连续调节占空比的环路控制技术以使功率 IC产品更快速响应负载变化,可调输出电压范围更大;一种复合DC-DC电路技术不需要额外补偿电路,可以使功率IC产品具有负载响应快、精度高的优点;一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置,即可完成负载大小的识别,实现简单且高效。

此外,公司新增加的核心技术一种GaN HEMT器件制备技术,优化了终端结构,降低工艺开发过程引入的漏电风险,同时优化了终端结构,使得我司GaN HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2021年/
2. 报告期内获得的研发成果
截至2021年12月31日,公司现行有效专利累计40项,其中发明专利16项,另有集成电路布图设计专有权40项,商标5项。其中,2021年度获得新增授权专利13项,新增集成电路布图设计5项。

报告期内获得的知识产权列表

 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利353716
实用新型专利683824
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他553945
合计141811485
3. 研发投入情况表
单位:万元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入2,942.742,357.3024.84
研发投入合计2,942.742,357.3024.84
研发投入总额占营业收入比例(%)6.196.40-0.21
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内,公司继续不断投入研发费用来进行产品开发,同时积极招揽产品研发人才,截至2021年末,研发人员增加至58人,研发投入增长24.84%,主要由于研发人员薪酬的增加。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目 名称预计总投资 规模本期投入 金额累计投入 金额进 展 或 阶 段 性 成 果拟达到目标技 术 水 平具体应用前景
1具有 超低 导通 电 阻、 低开 关损 耗以 及快 速反 向恢 复功 能的 中低 压屏 蔽栅 沟槽 MOSF ET395313.47446.40量 产 阶 段工作电压为 30~150V中低 压,导通电阻依 电压等级从 0.5mΩ到3mΩ 不等,封装方 式:TO220、 DFN5060等。国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS、PD快充适 配器等消费类产 品的充电端口保 护应用,以及锂 电池保护等多种 应用。
2带 1.5 倍电 荷泵 的G 类音 频功 放612.5618.97669.30持 续 研 发 阶 段1.1W功率下 0.01%的超低谐波 失真;2.听筒与 功放二合一模 式;3.各种安全 保护机制。国 内 领 先主要应用于智能 手机、平板电脑 扬声器驱动
3双路 摆率 可调 的大 电流 电源 负载 开关600170.85662.81持 续 研 发 阶 段1.超低阻抗, 18mΩ;2.低工作 电流30uA;3.高 精度、宽范围摆 率调整国 内 领 先主要用于笔记本 电脑内部主板电 源状态切换、USB 端口限流保护。
4650V Gan- on- si500265.13298.55持 续 研 发工作电压为650V 等;器件耐压最 高大于800V;欧国 内 领 先主要用于快充适 配器、电源等多 种应用。
 HEMT 功率 器件   阶 段姆接触电阻小于 1?*mm。  
5一种 优化 的穿 通型 沟槽 结构 的 TVS 产品 系列470135.29597.15项 目 研 发 完 成工作电压为 4.8V~24V 封装采用0201、 0402、0603等; 大Ipp、低Vc、 高性能、小封装 静电浪涌防护器 件国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS等便携式、 可穿戴式的消费 类电子产品、网 络通讯、安防、 工业等多种应 用。
6一种 优化 的低 正向 压降 沟槽 MOS 结构 肖特 基二 极管15391.2091.20持 续 研 发 阶 段采用DFN0603-2L 封装; [email protected] Ir<10uA@Vr=30V ,trr=5纳秒 开发40V耐压的 产品,拓展为多 种封装形式。国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS等便携式、 可穿戴式的消费 类电子产品、网 络通讯、安防、 工业等多种应 用。
7大功 率充 电及 保护 解决 方案 项目805649.65649.65持 续 研 发 阶 段1. 充电电流最高 达5A以上,升压 放电电流可到 2.4A。2. 端口过 压保护导通阻抗 低至60mΩ以 下。3. 高速保护 响应时间。国 内 领 先主要用于5G智能 手机、平板电脑 充电系统。
8一种 超低 钳位 电压 的深 槽结 构的 TVS 产品 系列480277.23277.23持 续 研 发 阶 段工作电压3.3V- 48V;钳位电压 5V-60V;漏电流 小于1uA;封装 类型主要采用 DFN系列。国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS等便携式、 可穿戴式的消费 类电子产品、网 络通讯、安防、 工业等多种应 用。
9一种 低容 值穿 通型 沟槽 结构 的 TVS318205.15205.15量 产 阶 段主要采用DFN封 装,工作电压 3.3V-48V,降低 容值的(最小容 值做到 0.15pF),漏电 小于1uA,对手 机、平板电脑、国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS等便携式、 可穿戴式的消费 类电子产品、网 络通讯、安防、 工业等多种应 用。
 产品 系列    TWS、智能手环手 表等产品信号线 端口的静电和浪 涌的保护  
10超低 导通 阻 抗、 超低 栅极 电荷 的 MOSF ET500185.88185.88持 续 研 发 阶 段需要布局采用 DFN SOT TO等封 装形式的系列产 品; 产品耐压要涵盖 20-1000V范围; Rdson根据不同 产品达到尽可能 小; Qg根据不同产品 越小越好。国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS、PD快充适 配器等消费类产 品的充电端口保 护应用,以及锂 电池保护等多种 应用。
11高性 能数 模混 合电 源管 理芯 片开 发及 产业 化5,70921.4821.48持 续 研 发 阶 段组合式快充技 术,配合自主研 发快充协议芯片 支持PD3.0、 BC1.2,支持最大 8A大电流充电, 效率达98%以国 内 领 先主要用于手机、 氮化镓快充充电 器、平板电脑、 笔记本、电动工 具、IoT设备等 多种应用。
12硅基 氮化 镓高 电子 迁移 率功 率器 件开 发项 目4,0108.438.43持 续 研 发 阶 段采用p-GaN HEMT 技术,DFN、TO、 CSP、BGA等多种 封装, Vds为 40V~650V, Rdson 做到尽可能小, 阈值电压为1- 2V,工作电压范 围-10V至7V 。国 内 领 先主要用于5G通讯 设备、快充电 源、无线充电等 多种应用。
13高性 能分 立功 率器 件开 发和 升级 -大 功率 高性 能的 TVS 产品1,910  立 项 完 成采用CSP DFN SOD等等的小尺 寸封装,工作电 压将覆盖 1V~48V,在非信 号线端口上,器 件达到 Ippmax>50A Ippmax>150A Ippmax>300A等 不同等级的大 Ipp防护器件, 在信号线端口 Ippmax>15A, Ippmax>20A,国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS、AR、VR等 便携式、可穿戴 式的消费类电子 产品、5G网络通 讯设备、5G通讯 终端设备、物联 网、AI人工智 能、智能安防、 新能源等多种应 用。
      Cj<0.3pF的深回 退产品。建议技 术平台,并基于 此基础平台开发 符合AECQ101标 准的汽车级产 品。逐步形成系 列化产品。  
14高性 能分 立功 率器 件开 发和 升级 -超 低导 通阻 抗 超低 栅极 电荷 的 MOSF ET3,195  立 项 完 成采用CSP DFN SOD等等的小尺 寸封装,开发具 有超低导通阻抗 超低栅极电荷的 中低压MOSFET产 品,耐压在 20~150V Rdson<1mR@Vgs=1 0V Rdson<4mR@Vgs=4 .5V的超小封装 尺寸的Qg<100的 MOSFET产品,并 逐步建立起技术 平台,开发符合 AECQ101标准的 汽车级产品,接 下来,逐步产品 系列化。国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS、AR、VR、PD 快充适配器等消 费类产品,以及 BMS锂电池管理 与保护、5G网络 通讯设备、5G通 讯终端设备、AI 人工智能、智能 安防、新能源等 多种应用。
15高性 能分 立功 率器 件开 发和 升级 -超 低Vf 的肖 特基 二极 管898  立 项 完 成基于DFN1006 DFN0603 DFN1608 SOD323 SOD523 SOD123FL等封 装,设计开发耐 压20-100V,正 向压降目标在 Vf<0.6V@If=0.5A , Vf<0.55V@If=1A, Vf<0.5V@If=2A, Vf<0.45V@If=5A ,并建立起技术 平台,基于此技 术平台开发符合 AECQ101标准的 汽车级超低Vf的 肖特基产品。国 内 领 先主要用于手机、 智能平板电脑、 TWS、AR、VR等 便携式、可穿戴 式的消费类电子 产品、5G网络通 讯设备、5G通讯 终端设备、物联 网、人AI人工 智能、智能安 防、新能源等多 种应用。
合 计/20,555.502,942.734,113.23////
情况说明

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上期数
公司研发人员的数量(人)5845
研发人员数量占公司总人数的比例(%)54.2154.22
研发人员薪酬合计2,067.171,393.06
研发人员平均薪酬40.1534.14
注:研发人员平均薪酬按照年度平均研发人员计算

研发人员学历结构 
学历结构类别学历结构人数
硕士研究生13
本科32
专科12
高中及以下1
研发人员年龄结构 
年龄结构类别年龄结构人数
30岁以下(不含 30岁)12
30-40岁(含 30岁,不含 40岁)33
40-50岁(含 40岁,不含 50岁)13
研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响
□适用 √不适用
6. 其他说明 (未完)
各版头条