[年报]东芯股份(688110):东芯股份2021年年度报告
原标题:东芯股份:东芯股份2021年年度报告 东芯半导体股份有限公司 2021年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人朱奇伟及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，向全体股东每10股分派现金股利1.80元（含税）。截至2021年12月31日，公司总股本为442,249,758.00股，以此计算预计分派现金红利79,604,956.44元（含税），占公司2021年度归属于母公司股东的净利润的30.41%。本年度不进行资本公积金转增股本，不送红股。如在实施权益分派的股权登记日前公司总股本及应分配股数发生变动的，拟分配总额不变，相应调整每股分配比例。 公司上述利润分配方案已经公司第一届董事会第二十六次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议批准。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 9 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 36 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 51 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 56 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 87 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 98 第九节 公司债券相关情况 ........................................................................................................... 98 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 99
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1. 本报告期公司实现营业收入 113,428.13万元，同比增长 44.62%，主要系：（1）公司产品线不断丰富，对客户的导入陆续完成，产品逐步放量，销售规模有所扩大；（2）随着市场持续回暖，产品价格上涨。 2. 本报告期公司实现归属于上市公司股东的净利润 26,179.62万元，同比增长 1240.27%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 25,526.61万元，同比增长 1354.24%，主要系：（1）产品毛利率上升：随着销售规模逐步扩大，规模效应显现，同时公司在持续微缩制程及提高良率的同时对现有产品的结构进行持续优化，高附加值和高毛利率产品的销售占比提升，从而毛利率较上年同期有较大提升；（2）财务费用降低：上年同期受人民币升值幅度较大影响，汇兑损失较大，本报告期公司通过加强外汇管理降低汇兑损失。 3. 报告期末，公司归属于上市公司股东的净资产382,025.27万元，较上期末增长661.91%，总资产417,842.80万元，较上期末增长450.68%，主要系报告期内公司完成首次公开发行股票增加了股本及资本公积，以及报告期内净利润实现较大增长所致。 4. 本报告期经营活动产生的现金流量净额为11,752.21万元，同期减少48.54%，主要系：（1）国内公司出口业务减少导致退税金额减少，（2）为提升晶圆厂产能支付保证金增加。 5. 报告期，公司基本每股收益及稀释每股收益 0.77元/股，较上年同期增长 1183.33%，扣除非经常性损益后的基本每股收益 0.75元/股，较上年同期增长 1400.00%，主要系本报告期净利润实现较大增长以及报告期末总股本较报告期初增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2021年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元币种:人民币
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十一、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 东芯股份一直以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM存储芯片的设计、生产和销售，并拥有独立自主的知识产权，是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。现就2021年度经营情况报告如下： （一）经营业绩快速增长，盈利能力持续提升 2021年全球半导体行业持续回暖，行业整体的景气度较高，公司产品对应的市场需求旺盛。随着公司产品线的不断丰富以及对客户导入期逐步完成，产品逐步放量，销售规模逐步扩大，规模效应逐步显现。其中，通讯、工业等领域增长尤其明显。公司持续加大研发投入，微缩产品制程，提高产品良率，并对现有产品的结构进行持续优化，提升公司的产品竞争力和盈利能力。在全球产能紧缺的情况下，公司积极应对，持续推进多元化多渠道布局，为业绩增长提供产能保障。2021年全年公司实现营业收入11.34亿元，较上年同期增加44.62%；实现归属于上市公司股东的净利润为2.62亿元，较上年同期增加1240.27%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为2.55亿元，较上年同期增加1354.24%。 （二）持续加大研发投入，全面升级研发平台 公司在2021年将继续增加对研发的投入，主要可以体现在以下三个方面：针对市场需求预期加快新产品的研发和生产；加大研发团队的梯队建设持续注入新鲜血液；全面升级研发平台。 报告期内，公司研发费用7,481.38万元，占当期营业收入6.60%，研发投入较上年同比增长57.37%。截至报告期末，公司研发及技术人员数量较上年同期增加29.85%。 在新产品的研发和生产方面：（1）公司聚焦国内先进工艺，与中芯国际深度合作，基于SMIC 19nm工艺平台，在2021年下半年完成了SLC NAND Flash首颗流片；（2）为满足多样化的终端需求，基于SMIC 24nm工艺平台，实现新产品最大至32Gb产品设计流片，实现1Gb到32Gb系列产品设计研发的全覆盖。（3）对已有产品进行不断迭代升级，持续改善中芯国际24nm平台的工艺和产品良率，（4）实现大容量NOR Flash设计流片，及PSRAM产品的设计流片，为下一步多样化产品设计、降低成本、提升产品盈利能力打下基础。 在研发梯队建设方面：（1）基于研发框架，持续补充新鲜血液不断扩充研发团队；（2）通过有偿奖励，积极推动以老带新机制，建设全面的培训体系，加快新人的融入速度。 在研发平台建设方面：（1）加大知识产权申请，建设知识产权的保护围栏；（2）基于已有产品设计，在不同工艺平台创建通用单元库，对通用模块进行迭代优化，加速新产品的研发速度；（3）持续建设自己的测试实验室，进一步实现测试自主化。 （三）加强产业链协同，保证保障产品交付能力 公司作为拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND、 NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售的存储芯片研发设计公司，始终与产业链的上游供应商及物联网、消费类等应用领域客户均建立长期稳定的战略合作关系。2021年，在存储行业扩张谨慎与贸易摩擦限制产能增加的紧张的情况下，公司积极地与主要供应商继续开展深入而有效的长期合作，从工艺改进、制程提升、加大设备投入等方面入手，卓有成效地完成客户的产品交付。在市场开拓方面，公司基于科学有效的需求预测方法，完善了销售管理体系，深入研究用户需求，加大差异化定制产品的比重，增强客户粘性。随着产品结构持续优化，高附加值产品占比提升，规模效应逐步显现，在国内知名终端客户中的应用份额稳步攀升，实现了有效的国产替代。另外，公司在海外市场随着推广力度的加大，也有了较大的突破，实现了在消费类、工业控制和车载等领域的多家知名客户的导入。 (四) 成功登陆资本市场，助力公司品牌腾飞 2021年12月10日，公司成功在上海证券交易所科创板挂牌上市，依托科创板的平台和资本市场的助力，公司整体实力得到了增强，进一步提升了品牌知名度和市场影响力。 (五)公司治理日趋完善，信披制度执行到位 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障股东和员工的合法权益，为公司持续健康发展提供坚实基础。 公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸多渠道，保持公司营运透明度。 公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是大陆领先的存储芯片设计公司，聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售，是大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司。凭借强大的研发能力和稳定的供应链体系，产品已进入国内外众多知名客户，广泛应用于 5G通信、物联网终端、消费电子、工业和汽车电子产品等领域。 自成立以来，公司即致力于实现本土存储芯片的技术突破，通过统一底层设计、功能性可变式的研发架构，构建了强大的设计电路图及封装测试的数据库，实现了芯片设计、制造工艺、芯片设计、封装测试等环节全流程的掌控能力，并拥有完全自主知识产权。公司设计研发并量产的24nm NAND、48nm NOR均为大陆目前领先的 NAND、NOR工艺制程。 公司立足中国、面向全球，深耕全球最大的存储芯片应用市场，精准感知瞬息万变的市场动应客户个性化需求，针对性地提供包含 NAND、NOR、DRAM的存储芯片完整解决方案。经过多年的经验积累和技术升级，公司打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品，凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现，公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证，同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。 2、主要产品或服务 公司的主要产品为非易失性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash；易失性存储芯片 DRAM以及衍生产品 MCP，各类产品具体情况如下： （1）NAND Flash NAND Flash是通用型非易失性存储芯片的一种，其存储阵列是由存储单元通过串联方式连接而成，以“页”为单位进行读写操作，以“块”为单位进行擦除操作，因此具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点。 公司聚焦平面型 SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖 1Gb至 32Gb，可灵活选择 SPI或 PPI类型接口，搭配 3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司的 SLC NAND Flash产品主要用于支持 Linux、RTOS等应用系统代码的存储和运行，实现数据的存储及快速改写，被广泛应用于如 5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。 公司 NAND Flash产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、逻辑电路与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10万次，同时可在-40℃到 105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。 公司的 NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，获得了联发科、瑞芯微、中兴微、博通等行业内主流平台厂商的验证认可，被主要应用于 5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。使用公司产品的终端知名客户包括中兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等。 （2）NOR Flash NOR Flash是一类通用型的非易失性存储芯片，其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。 公司自主设计的 SPI NOR Flash存储容量覆盖 2Mb至 256Mb，并支持多种数据传输模式，公司的产品主要被用于存储代码程序，例如在功能手机中用于存放通信数据交换时的启动程序；在智能手机的摄像头模组中用于存放校正图像分辨率的指令代码；在蓝牙无线耳机中存放启动时的引导程序，目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外知名终端客户提供产品。 （3）DRAM DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。 公司研发的 DDR3系列是可以传输双倍数据流的 DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的 LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。目前使用公司 DRAM系列产品的国际知名客户包括 LG、瑞萨、索喜、惠尔丰、伟创力等。 （4）MCP MCP是通过将闪存芯片与 DRAM进行合封的产品，以共同实现存储与数据处理功能，节约空间的同时提高存储密度，目前主要用于空间受限的电子产品，被应用于移动终端、通讯设备领域。 公司的 MCP产品集成了自主研发的闪存芯片与 DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科的 4G模块平台通过认证，被应用于功能手机、MIFI、网络电话、POS机等产品，获得了TCL科技、日海智能、捷普等知名企业的认可。 （5）技术服务 公司拥有自主完整的知识产权，凭借积淀多年的存储芯片设计经验和资深的研发团队，可根据客户的特定需求提供 NAND、NOR、DRAM等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高了产品开发效率。 在为客户进行定制化的设计过程中，公司不断了解市场对产品功能需求，接收客户对终端产品的反馈，反复验证和打磨已有的技术，建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，进一步增强技术能力。 (二) 主要经营模式 集成电路产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试等环节组成。从经营模式来看，主要分为IDM模式（企业业务覆盖集成电路的设计、制造、封装和测试的所有环节）和Fabless模式（无晶圆生产线集成电路设计模式，即企业只进行集成电路的设计和销售，将制造、封装和测试等生产环节分别外包给专业的晶圆制造企业、封装和测试企业来完成）两种。公司作为IC设计企业，自成立以来一直采取Fabless模式，专注于集成电路设计及最终销售和售后服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。 从集成电路整体产业链来看，集成电路设计是具有自主知识产权并体现核心技术含量的研发和设计环节，成品销售则是控制销售渠道、客户资源及品牌的售后服务环节，均在产业链中具有核心及主导作用，是IC设计行业原始创新的体现和价值创造的源泉。公司专注于研发设计和产品销售环节，在整个产业链中处于重要地位并拥有核心竞争力。 从销售模式看，公司的销售主要为直接销售与经销两种。直接销售模式下，公司与客户直接签署销售合同（订单）并发货；经销模式下，公司与经销商签署经销商协议和销售合同，由公司向经销商发货，再由经销商向终端客户销售。在此模式下，采取卖断式销售。经销模式作为集成电路设计行业较为常见的销售模式，有效提高了行业内企业的运作效率，助推企业快速发展。在经销模式下，作为上下游产业的纽带，经销商在高效开拓市场、提供客户维护、加快资金流转等方面发挥了重要作用。直销模式下，缩短了公司的销售流程，企业与终端客户能保持紧密联系，通过与终端客户的交流，有助于提供感知行业变化趋势，及时把握市场需求从而开展产品技术创新与改进，不断推出满足市场的优质产品。公司依靠产品稳定的性能和可靠的质量，在行业内获得了良好的品牌知名度，吸引了知名客户直接向公司采购产品。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 公司作为本土存储芯片设计行业，隶属集成电路行业，伴随着下游电子信息产业持续高速发展，在国家政策的支持下，特别是国家科技重大专项的实施，我国集成电路产业实现了快速发展。其中集成电路设计行业处于产业链的上游位置，主要从事芯片的研发设计。作为集成电路行业中对科研水平、研发实力要求较高的部分，集成电路设计行业需要不断进行创新研发、技术迭代来推动行业技术的迭代发展，同时芯片设计水平对芯片产品的成本、性能、功能有较大影响，因此集成电路设计行业研发能力的强弱也可以反映一个国家在芯片领域的地位与实力。 集成电路产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。当前是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚期，正全力追赶世界先进水平，也正处于快速发展阶段。同时也随着集成电路行业规模快速扩张，产业间竞争加剧，促使行业分工不断细化，目前集成电路行业主要可分为集成电路设计、晶圆制造、封装测试等子行业。 同时也受益于5G通讯、大数据、物联网、可穿戴设备、云计算和新能源等新兴领域的不断发展，应用场景的不断扩展，以及新兴技术如人工智能、物联网和虚拟现实的出新，集成电路产品的市场需求也在不断扩大。 NAND Flash方面，根据TrendForce数据统计公布，总结2021年NAND Flash市场销售表现，尽管自下半年开始有转弱迹象，但全年受惠于疫情所带动的远距服务与云端需求，营收表现仍较2020年显著增长，产业营收达686亿美元，年增21.1%。日益发展的5G通讯、物联网、汽车电子等新兴领域对高可靠性中小容量NAND Flash需求增加。 NOR Flash方面，近年来，随着应用场景的不断扩展，如物联网的普及、5G基站建设、汽车智能化、可穿戴设备和工业控制等新兴应用的不断发展与增多，根据CINNO Research的数据，NOR Flash的市场需求稳定增长，从2017年的24亿美元，增长至2019年的28亿美元左右。预期在2022年市场规模会增长到37亿美元。NOR Flash产品将有望迎来更多增量需求。 也可以发现近年来，三星、海力士、美光等行业的头部企业占据了存储芯片的大部分市场份额，尤其在DRAM和NAND市场中更是几乎处于垄断地位。行业龙头均从事集成电路行业较早，在几十年的发展中积累了技术开发经验，建立了完备的人才培养体系，其技术与人才壁垒使得后来者很难在短时间内赶超；头部企业通过技术优势转化为市场优势，独占了大部分市场份额，为公司带来了丰厚的资金回报，得以支撑其高昂的研发费用和指数式增资的产能投资，进一步促进技术创新和人才储备，不断产生正向的激励循环，推动了行业资源向龙头集中的现象，形成了“强者愈强”的产业格局。 本土芯片企业紧抓新机遇，汽车电子、人工智能、5G、物联网等新兴领域将是现阶段推动集成电路技术快速发展的重要驱动力。预计未来几年在上述领域需求的刺激下，5G基站、智能家居、可穿戴设备等新兴应用将持续涌现，对存储芯片的功耗、安全性、传输速率、体积和成本会有更高的要求，同时安全技术、运算能力、视觉影像的处理能力、大数据支撑平台以及显示技术、感知技术、无线连接技术等均是未来物联网、人工智能等产业发展和产品升级的关键，也会成为未来集成电路设计及相关应用研发的方向和重点。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 （1）大陆领先，产品覆盖通讯安防领域头部客户 公司是大陆领先的存储芯片设计公司，是大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司。公司设计研发并量产的24nm NAND、48nm NOR均为大陆目前领先的NAND、NOR工艺制程，实现了大陆闪存芯片技术的突破。凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现，公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证，同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。 （2）持续创新，技术持续引领大陆存储芯片行业 2021年，SLC NAND 芯片在中芯国际1x nm工艺生产线上成功流片，这也代表着公司已拥有向1x nm制程进一步迈进的经验积累和技术储备，推进公司产品制程进一步升级，增加产品市场竞争力。公司基于与各工艺平台成功的开发经验，并结合市场需求反复调试和优化，陆续丰富了SLC NAND 系列产品线，并在持续改良研发中获得更高的产品性能。 2021年，公司持续加大在车规级产品的开发，SLC NAND产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃到105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。 公司通过持续创新，不断更新迭代产品，持续微缩制程及提高良率，引领公司产品由消费级、工业级向车规级演进，技术持续引领大陆存储芯片产业。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）工艺不断精进，设计制造环节加深产业联动 集成电路制程的先进与否直接决定了存储芯片的成本和性能。以NAND Flash产品为例，近些年来，随着集成电路技术不断推进，行业领跑企业凭借IDM模式下设计部门和制造部门的默契配合，已经完成了1x nm工艺存储芯片量产，降低了存储产品的单位成本，拓宽了存储产品的使用场景。在Fabless模式下，存储芯片设计公司为了提升产品制程，缩小与头部企业的差距，将会继续加深与晶圆代工厂的合作发展，双方共享研发能力、整合技术资源，形成标准的制造工艺（2）行业规模巨大，差异化竞争形成细分市场机遇 近年来，存储芯片一直都是集成电路市场份额占比较大的类别产品，2019年存储芯片占全球集成电路市场规模的比例高达31.93%，成为全球集成电路市场销售份额占比最高的分支。 虽然存储芯片市场规模巨大，但整个市场呈现分化现象。三星电子、海力士、美光科技、铠侠等企业提供全面的存储产品，近年来专注研发大容量、高性能存储芯片，不断推进先进存储技术并凭借技术优势获取较高市场份额。行业其他企业由于各家处于的发展阶段不同，在以领先企业为目标进行技术赶超的同时，结合自身技术特点和市场需求，专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应，与行业领先企业形成差异化竞争，迎来了新的发展机遇。 （3）下游需求强劲，新兴行业崛起加速产业发展 国内集成电路产业快速发展，终端市场需求持续攀升，存储芯片作为消费电子、通讯设备、物联网等领域不可替代的功能器件，其在国内的市场销售规模亦呈现稳步上升的趋势。近年来随着科技创新技术的不断成熟和应用，5G通讯、汽车电子、可穿戴设备等新兴行业迎来快速发展，5G基站、ADAS、智能电子产品等终端产品持续涌现，其对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力的要求也在不断提升，因此存储芯片的数量、性能和成本未来将会有持续强劲的需求和不断迭代的要求。 新兴产业及新兴市场将形成对存储芯片旺盛的增量需求，存储芯片作为这些新应用中不可或缺的重要组成部分，将直接受益于日益增长的行业浪潮。 （4）紧跟国家战略，国产替代推动行业发展 2014年国务院首次发布集成电路的纲领性文件《国家集成电路产业发展推进纲要》，突出企业的主体地位，以需求为导向，以技术创新、模式创新和体制机制创新为动力，突破集成电路关键装备和材料瓶颈，推动产业整体提升，实现跨越式发展。随后我国各级政府出台了一系列政策，从资金支持、补贴奖励等方面吸引优秀企业、人才落户，进一步凸显国家对集成电路产业的重视，以打破国外在集成电路设计、制造等关键领域的垄断。 叠加近年中美在高科技领域间的贸易摩擦，由于国外厂商对国内市场的供给缩紧，国内集成电路市场需求急需具有先进产品技术和优质服务能力的国内企业填补，尤其是国内规模较大的终端品牌商为了保证经营稳定，加快本土供应链体系建设，进一步推动了我国存储芯片国产替代的进程。 (四) 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，主要产品核心技术情况如下：
国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 报告期内，申请专利2项（其中发明专利2项），公司获得专利授权3项（其中发明专利3项）；申请集成电路布图设计权26项，获得集成电路布图设计权14项；申请注册商标3项，获得注册商标1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利78项、软件著作权13项、集成电路布图设计权48项、注册商标9项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利87项，获得专利授权69项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。 报告期内获得的知识产权列表
 |