[年报]美迪凯(688079):杭州美迪凯光电科技股份有限公司2021年年度报告
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时间:2022年04月22日 02:22:07 中财网 |
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原标题:美迪凯:杭州美迪凯光电科技股份有限公司2021年年度报告
公司代码:688079 公司简称:美迪凯
杭州美迪凯光电科技股份有限公司
2021年年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”。
四、 公司全体董事出席董事会会议。
五、 天健会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、 公司负责人葛文志、主管会计工作负责人华朝花及会计机构负责人(会计主管人员)周星星声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币0.75元(含税),截至2022年4月21日 ,公司总股本401,333,334股,以此计算合计拟派发现金红利人民币30,100,000.05元(含税)。本年度公司现金分红金额占归属于上市公司股东净利润的比例为30.12%,公司不进行资本公积转增股本、不送红股。
实施权益分派股权登记日期间,因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的,公司拟维持每股派发现金红利金额不变,相应调整分配的总额。
上述利润分配方案已经公司第一届董事会第二十二次会议审议通过,尚需公司股东大会审议。
八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。
十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十三、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义....................................................................................................................................5
第二节 公司简介和主要财务指标................................................................................................7
第三节 管理层讨论与分析...........................................................................................................11
第四节 公司治理...........................................................................................................................44
第五节 环境、社会责任和其他公司治理...................................................................................61
第六节 重要事项...........................................................................................................................66
第七节 股份变动及股东情况.......................................................................................................99
第八节 优先股相关情况..............................................................................................................109
第九节 公司债券相关情况..........................................................................................................110
第十节 财务报告..........................................................................................................................110
备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章
的财务报表 |
| 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告文本 |
| 经公司负责人签名的公司2021年年度报告文本原件 |
| 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本
及公告原稿 |
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义 | | |
公司、杭州美迪凯、美迪凯 | 指 | 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 |
实际控制人 | 指 | 葛文志 |
浙江美迪凯 | 指 | 浙江美迪凯现代光电有限公司,系公司一级全资子公司 |
智能光电 | 指 | 美迪凯(浙江)智能光电科技有限公司,系公司一级控股
子公司 |
美迪凯光学半导体 | 指 | 浙江美迪凯光学半导体有限公司(曾用名:浙江嘉美光电
科技有限公司),系公司一级全资子公司 |
捷姆富 | 指 | 捷姆富(浙江)光电有限公司,系公司二级控股子公司 |
美迪凯(日本) | 指 | 美迪凯(日本)株式会社,系公司二级全资子公司 |
美迪凯(新加坡) | 指 | 美迪凯(新加坡)智能光电科技有限公司,系公司二级控
股子公司 |
丽水美迪凯 | 指 | 丽水美迪凯投资合伙企业(有限合伙),系公司控股股东 |
美迪凯集团 | 指 | 美迪凯控股集团有限公司(曾用名“浙江美迪凯光学技术
有限公司”),系公司股东 |
丰盛佳美 | 指 | 香港丰盛佳美(国际)投资有限公司,系公司股东 |
景宁倍增 | 指 | 景宁倍增投资合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
丽水增量 | 指 | 丽水增量投资合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
丽水共享 | 指 | 丽水共享投资合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
海宁美迪凯 | 指 | 海宁美迪凯企业管理咨询合伙企业(有限合伙),系公司
股东 |
粤莞制造 | 指 | 粤莞先进制造产业(东莞)股权投资基金(有限合伙),
系公司股东 |
珠海成同 | 指 | 珠海成同股权投资基金合伙企业(有限合伙),系公司股
东 |
CCD | 指 | Charge-Coupled Device,即电荷耦合元件,是一种用电
荷量表示信号大小,用耦合方式传输信号的探测元件 |
CMOS | 指 | Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互补金
属氧化物半导体,指制造大规模集成电路芯片用的一种技
术或用这种技术制造出来的芯片 |
CIS/ SiC | 指 | CMOS Image Sensor,即CMOS图像传感器 |
半导体封测 | 指 | 将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立
芯片的过程 |
AR | 指 | Augmented Reality,即增强现实,通过相关设备,在现
实世界中的对象和信息之上叠加数字信息,进行展示和互
动 |
MR | 指 | Mixed Reality,即混合现实,该技术通过相关设备,在
现实场景呈现虚拟场景信息,在现实世界、虚拟世界和用
户之间搭起一个交互反馈的信息回路,以增强用户体验的
真实感 |
CCD | 指 | Charge-Coupled Device,即电荷耦合元件,是一种用电
荷量表示信号大小,用耦合方式传输信号的探测元件 |
PVD | 指 | Physical Vapor Deposition,即物理气相沉积。指利用
物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表 |
| | 面上的过程。物理气相沉积的基本方法包括真空蒸发、溅
射、离子镀等 |
CVD | 指 | Chemical Vapour Deposition,即化学气相沉积。指化学
气体或蒸汽在基材表面反应合成涂层或纳米材料的方法,
是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术 |
TTV | 指 | Total Thickness Variation,总厚度变化量,指整个晶
片的最高厚度和最低厚度之间的差值 |
晶圆 | 指 | 制造半导体晶体管或集成电路的衬底,也叫基片,由于是
晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆 |
CRA | 指 | Chief Ray Angle,即主光线角度。从镜头的传感器一
侧,可以聚焦到像素上的光线的最大角度被定义为一个参
数,称为主光线角度 |
CIM | 指 | Computer-Integrated Manufacturing,即计算机集成制
造 |
ToF | 指 | Time of Flight,飞行时间测距法,即通过给目标连续发
送光脉冲,然后用传感器接收从物体返回的光,通过探测
光脉冲的往返时间来得到目标物距离 |
QFN | 指 | quad flat no-lead package,方形扁平无引脚封装 |
DFN | 指 | Dual flat no-lead package,双边扁平无引脚封装 |
SOT | 指 | SMALL OUTLING,即封装,一种表面贴装的封装形式 |
die bond | 指 | 即贴片,自晶圆上所切下一小片有线路的"晶粒",以其背
面的金层,与定架中央的镀金面,做瞬间高温之机械压迫式
熔接,或以环氧树脂之接着方式予以固定,完成 IC 内部
线路封装的第一步 |
wire bond | 指 | 即金线键合,在对芯片和基板间的胶粘剂处理以使其有更
好的粘结性能后,用高纯金线把芯片的接口和基板的接口
键合。 |
CFA | 指 | Color Filter Array, 即彩色滤光阵列 |
MLA | 指 | Micro Lens Array, 即微透镜阵列 |
SAW Filter | 指 | 即声表面波滤波器 |
GaN | 指 | 即氮化镓,氮和镓的化合物,第三代半导体材料 |
MOSFET | 指 | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor,金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在
模拟电路与数字电路的场效晶体管 |
IGBT | 指 | Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶
体管,是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应
管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有
MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 |
SBD | 指 | SchottkyBarrierDiode,肖特基势垒二极管,是一种热载
流子二极管 |
BGBM | 指 | Backside Grinding/ Backside Metallization,晶
圆减薄-背面研磨/背面金属化 |
CMP | 指 | Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光,是半
导体晶片表面加工的关键技术之一 |
ADAS | 指 | Advanced Driving Assistance System,高级驾驶辅助系
统 |
HUD | 指 | Head Up Display,即抬头显示 |
JSW、日本制钢所 | 指 | The Japan Steel Works, Ltd,即日本制钢所株式会社。
该公司以电力、石油、天然气等与能源相关的各种产品为 |
| | 支柱,开展以树脂相关机械和激光应用产品为中心的产业
机械事业,在全球范围内开展着涉及产业机械的产业机械
事业 |
报告期 | 指 | 2021年1月1日至2021年12月31日 |
元、万元、亿元 | 指 | 若无特别说明,均以人民币为度量币种 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况
公司的中文名称 | 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 |
公司的中文简称 | 美迪凯 |
公司的外文名称 | HANGZHOU MDK OPTO ELECTRONICS CO.,LTD |
公司的外文名称缩写 | MDK |
公司的法定代表人 | 葛文志 |
公司注册地址 | 杭州经济技术开发区20号大街578号3幢 |
公司注册地址的历史变更情况 | 2015年4月16日注册地从杭州经济技术开发区三号路裕
园公寓9幢(西)6层A12座变更为杭州经济技术开发
区白杨街道20号大街578号。 2016年12月8日,注册地
从杭州经济技术开发区白杨街道20号大街578号变更为
杭州经济技术开发区白杨街道20号大街578号3幢。 |
公司办公地址 | 浙江省嘉兴市海宁市长安镇(高新区)新潮路15号 |
公司办公地址的邮政编码 | 314408 |
公司网址 | www.chinamdk.com |
电子信箱 | [email protected] |
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
公司披露年度报告的媒体名称及网址 | 上海证券报(www.cnstock.com)、中国证券报(
epaper.cs.com.cn)、证券时报(www.stcn.com)、证
券日报(www.zqrb.cn) |
公司披露年度报告的证券交易所网址 | www.sse.com.cn |
公司年度报告备置地点 | 公司董事会办公室 |
四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况 | | | | |
股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
A股 | 上海证券交易所
科创板 | 美迪凯 | 688079 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料
公司聘请的会计师事务所
(境内) | 名称 | 天健会计师事务所(特殊普通合伙) |
| 办公地址 | 浙江省杭州市西湖区西溪路128号6楼 |
| 签字会计师姓名 | 陈彩琴、孙志清 |
报告期内履行持续督导职责
的保荐机构 | 名称 | 中信证券股份有限公司 |
| 办公地址 | 上海市浦东新区世纪大道 1568 号中建大厦
22层 |
| 签字的保荐代表
人姓名 | 丁旭东、翟程 |
| 持续督导的期间 | 2021年3月2日至2024年12月31日 |
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币
主要会计数据 | 2021年 | 2020年 | 本期比
上年同
期增减
(%) | 2019年 |
营业收入 | 439,467,116.86 | 422,552,307.68 | 4.00 | 304,001,935.16 |
归属于上市公司股东的净利
润 | 99,921,316.95 | 144,078,123.15 | -30.65 | 77,139,198.87 |
归属于上市公司股东的扣除
非经常性损益的净利润 | 91,562,645.61 | 127,037,193.08 | -27.92 | 65,806,743.96 |
经营活动产生的现金流量净
额 | 191,014,794.76 | 161,210,804.32 | 18.49 | 69,035,422.04 |
| 2021年末 | 2020年末 | 本期末
比上年
同期末
增减(
%) | 2019年末 |
归属于上市公司股东的净资
产 | 1,577,589,377.53 | 578,499,839.52 | 172.70 | 434,418,125.49 |
总资产 | 1,808,791,090.39 | 1,081,013,239.90 | 67.32 | 674,046,624.93 |
(二) 主要财务指标
主要财务指标 | 2021年 | 2020年 | 本期比上年同
期增减(%) | 2019年 |
基本每股收益(元/股) | 0.26 | 0.48 | -45.83 | 0.26 |
稀释每股收益(元/股) | 0.26 | 0.48 | -45.83 | 0.26 |
扣除非经常性损益后的基本每
股收益(元/股) | 0.24 | 0.42 | -42.86 | 0.22 |
加权平均净资产收益率(%) | 7.18 | 28.45 | 减少21.27个
百分点 | 31.43 |
扣除非经常性损益后的加权平
均净资产收益率(%) | 6.58 | 25.08 | 减少18.50个
百分点 | 26.81 |
研发投入占营业收入的比例(
%) | 14.51 | 10.02 | 增加4.49个百
分点 | 9.97 |
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
(1)报告期归属于上市公司股东的净利润同比下降 30.65 %,归属于上市公司股东的净利润率下降11.36个百分点,主要是主营业务产品毛利率由56.83%下降到50.21%,下降了6.62个百分点,是因为本年度设备增加较多,新产品尚处验证阶段,导致设备使用率较低,相应折旧费用增加,以及人均薪酬支出增加;另外,公司进一步加大新技术、新产品的研发投入,本年度研发投入占营业收入的比例较上年增加了4.49个百分点。
(2)报告期末归属于上市公司股东的净资产、总资产较上年同期末分别增加 172.70%、67.32%,主要是因为报告期首次公开发行股票收到募集资金及本年新增利润。
(3)报告期基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期分别减少 45.83%、45.83%、42.86%,主要是因为报告期首次公开发行股票使得股本数量较上年同期增加,以及净利润有所下降。
七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用
八、2021年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币
| 第一季度
(1-3月份) | 第二季度
(4-6月份) | 第三季度
(7-9月份) | 第四季度
(10-12月份) |
营业收入 | 111,524,632.66 | 96,968,619.17 | 109,620,351.10 | 121,353,513.93 |
归属于上市公司股东的
净利润 | 27,131,124.54 | 20,366,834.24 | 23,687,495.70 | 28,735,862.47 |
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的
净利润 | 28,100,256.68 | 18,557,996.74 | 24,679,920.20 | 20,224,472.00 |
经营活动产生的现金流
量净额 | 34,578,642.65 | 70,131,986.71 | 39,465,808.92 | 46,838,356.48 |
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
非经常性损益项目 | 2021年金额 | 附注(如适
用) | 2020年金额 | 2019年金额 |
非流动资产处置损益 | -775,557.53 | | 3,839,390.07 | 3,002,448.80 |
越权审批,或无正式批准文件,
或偶发性的税收返还、减免 | | | | |
计入当期损益的政府补助,但与
公司正常经营业务密切相关,符
合国家政策规定、按照一定标准
定额或定量持续享受的政府补助
除外 | 7,877,440.93 | 详见本报告
第 十 节 、
七、84 政
府补助之说
明 | 8,556,467.60 | 11,596,355.15 |
计入当期损益的对非金融企业收
取的资金占用费 | | | | |
企业取得子公司、联营企业及合
营企业的投资成本小于取得投资
时应享有被投资单位可辨认净资
产公允价值产生的收益 | | | | |
非货币性资产交换损益 | | | | |
委托他人投资或管理资产的损益 | | | | |
因不可抗力因素,如遭受自然灾
害而计提的各项资产减值准备 | | | | |
债务重组损益 | | | | |
企业重组费用,如安置职工的支
出、整合费用等 | | | | |
交易价格显失公允的交易产生的
超过公允价值部分的损益 | | | | |
同一控制下企业合并产生的子公
司期初至合并日的当期净损益 | | | | |
与公司正常经营业务无关的或有
事项产生的损益 | | | | |
除同公司正常经营业务相关的有
效套期保值业务外,持有交易性
金融资产、衍生金融资产、交易
性金融负债、衍生金融负债产生
的公允价值变动损益,以及处置
交易性金融资产、衍生金融资
产、交易性金融负债、衍生金融
负债和其他债权投资取得的投资
收益 | 2,862,211.63 | 详见本报告
第 十 节 、
七、
68,70。 | 7,877,196.28 | -93,030.00 |
单独进行减值测试的应收款项、
合同资产减值准备转回 | | | 120,000.00 | |
对外委托贷款取得的损益 | | | | |
采用公允价值模式进行后续计量
的投资性房地产公允价值变动产
生的损益 | | | | |
根据税收、会计等法律、法规的
要求对当期损益进行一次性调整
对当期损益的影响 | | | | |
受托经营取得的托管费收入 | | | | |
除上述各项之外的其他营业外收
入和支出 | -56,152.75 | | -344,272.77 | -155,330.70 |
其他符合非经常性损益定义的损
益项目 | 125,703.88 | | 18,100.87 | -854,608.27 |
减:所得税影响额 | 1,503,553.47 | | 3,025,951.98 | 2,163,380.07 |
少数股东权益影响额(税
后) | 171,421.35 | | | |
合计 | 8,358,671.34 | | 17,040,930.07 | 11,332,454.91 |
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
项目名称 | 期初余额 | 期末余额 | 当期变动 | 对当期利润的影响
金额 |
交易性金融资产 | 3,490,622.28 | 201,248,604.77 | 197,757,982.49 | 2,862,211.63 |
合计 | 3,490,622.28 | 201,248,604.77 | 197,757,982.49 | 2,862,211.63 |
十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
公司围绕 2021 年战略规划及经营目标,积极落实各项经营指标。坚持以市场需求为导向,以技术创新为驱动,加强管理创新,抓住新机遇,满足不断涌现的新需求,保障公司业务的可持续性发展。
报告期内,公司主要工作开展情况如下:
(一) 业务发展及技术开发
公司把握市场环境变化及市场需求,深化与重点客户的战略合作,完善公司在产业链上下游的布局,促进公司可持续、高质量发展。
在半导体业务方面,传感器陶瓷基板精密加工产品的出货量持续增长。12 寸超薄屏下指纹传感器整套光路层、8 寸环境光传感器光路层及半导体传统封装(晶圆薄型化/背金/晶圆切割)的产品(业务)已陆续量产。
公司重点开发了12寸图像传感器(CIS)整套光路层加工技术;成功开发了环境光芯片多通道光路层加工工艺及 TOF模组用的 ITO 多层高精度图案套合工艺,突破性地解决了高温镀膜环境下光刻胶性能形貌不稳定以及镀膜后去胶困难的问题;持续加大微纳电路(SAW Filter)、半导体传统封装(QFN/DFN、SOT、陶瓷封装)、工业相机/安防相机主板表面贴装(SMT)等方面的研究和开发。QFN 封装具有良好的电和热性能、体积小、重量轻等优势,当前产品已给客户送样。在此基础上进一步研发,将 QFN 封装形式应用到陶瓷封装上,实现产品耐湿性好,不易产生微裂,热膨胀系数小,热导率高,绝缘性和气密性好,芯片和电路不受周围环境影响等更高的产品性能。
在光学光电子业务方面,公司坚持产品差异化策略,在保持现有产品份额基础上,提高升级产品的附加值。
公司致力于先进光学元件及模组封装技术的研发。在微光学领域,采用灰度光刻激光直写母板加工工艺结合纳米压印封装工艺,研发双面光学镜头晶圆模压制造技术,并在此基础上进一步结合 die bond, wire bond 工艺,实现晶圆级传感器封装;在光学薄膜设计及精密镀膜方面,成功开发了溅射镀膜的背金产品及图形化吸收式滤光片的制造工艺。
公司将技术创新放在企业发展的首位,持续加大研发投入,加速产业升级,不断推出新技术、新产品和新应用。
报告期内,公司累计投入研发费用 6,377.89 万元,专职研发人员 98人,占公司总人数比例为 14.29%。截至报告期末,公司累计申请境内外专利 214项,已经授权 155项,其中有效专利135项。
(二)项目建设
公司与海外技术团队合作设立合资公司,致力于先进光学元件及模组封装技术的研发和生产。
作为公司的控股子公司,合资公司将在公司现有业务的基础上重点开展视觉感应元器件、特殊激光照明及显示设备、棱镜、光导、光学镜片及镀膜定制模组等方面的研发、制造、销售和服务, 与公司现有主营业务具备较强协同性和互补性。 相关产品可应用到智能手机、智能显示器材、 智能汽车、人工智能、AR/VR、医疗内窥镜、微电子、精密机械等众多领域,应用前景广阔。
为及时抓住市场发展机遇,完善产业布局,丰富产品结构, 增强主营业务核心竞争力,公司正积极推进一系列新项目建设。公司筹建年产 20 亿颗(件、套)半导体器件项目,拟购置土地并进行厂房建造,引进包括光刻机、干刻机、镀膜机等高精尖生产和检测设备,用于开展 CIS集成电路晶圆上的整套光路层、环境光芯片光路层、射频芯片和功率器件芯片的微电路、半导体封测等方面的研发和生产。
(三)人力资源建设
公司始终秉持“人才支撑发展,发展造就人才”理念,重视人才梯队建设,完善人才引进机制与奖励机制。2021 年公司在留住现有核心人才的同时,积极引进海内外半导体、光学等领域的专业人才,满足公司战略发展需求。
公司与高等院校合作,定向培养人才,并在公司内建立实习基地,为公司后续人才队伍建设提供保障。
公司持续推进人才队伍能力建设,一方面坚持公司战略引导,强化员工的责任感和使命感,为客户提供全方位的业务支持;另一方面,公司以提升人才综合素质为核心,秉承“专业、专注、创新、分享”的主旨,结合时情与实境,全面推进学习型组织的建设与发展。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主要从事光学光电子、半导体元器件的研发、制造、销售和服务。公司经过多年深耕,在该领域积累了丰富的经验,拥有多项核心技术。
按照应用领域分类,公司主要有五大类产品和服务,包括半导体零部件及精密加工服务、生物识别零部件及精密加工服务、影像光学零部件、AR/MR 光学零部件精密加工服务、光学半导体。公司的产品主要应用于各类光学传感器及摄像头模组上,广泛应用于如智能手机、数码相机、安防摄像机、投影仪、智能汽车、AR/MR设备等终端产品。
1、半导体零部件及精密加工服务
产品/服务
类型 | 产品/服务用途 | 产品示意图 | 应用示意图 |
传感器陶
瓷基板精
密加工服
务 | 对用于 CCD/CMOS 传
感器的陶瓷基板进行超
精密切割加工,应用于
光学成像和生物识别领
域的光学传感器 | | |
传感器光
学封装基
板 | 用于 CCD/CMOS 传感
器的光学镀膜封装基
板,应用于光学成像领
域的光学传感器 | | |
芯片贴附
承载基板 | 对光学玻璃基材进行晶
圆级的研磨抛光加工,
以达到高平坦度、低粗
糙度要求,最终作为生
物识别芯片切割过程中
的承载基板,应用于芯
片加工制程 | | |
2、生物识别零部件及精密加工服务
产品/服务类
型 | 产品/服务用途 | 产品示意图 | 应用示意图 |
半导体晶圆光
学解决方案 | 结合半导体制程技术在
芯片上进行微纳米级光
学加工,目前主要应用
于新一代光学屏下指纹
识别解决方案 | | |
光学屏下指纹
识别模组用滤
光片 | 在近红外特定波段允许
光信号通过,避免光线
信号干扰,应用于光学
屏下指纹识别解决方案 | | |
3D 结构光模
组用光学联结
件 | 3D 脸部识别用点阵投
影器中透镜和光学衍射
元件间的组装,应用于
脸部识别领域的光学传
感器 | | |
3、影像光学零部件
产品/服务
类型 | 产品/服务用途 | 产品示意图 | 应用示意图 |
光学低通滤
波器 | 利用人造水晶的双折射
特性及红外截止膜、增
透膜等消除成像时的摩
尔纹、色差补正、更好
地还原图像真实色彩,
应用于摄像头模组 | | |
智能手机摄
像头滤光片
组立件 | 安装在镜座上的光学滤
光片组件,起到色差补
正、还原图像真实色彩
的作用,应用于摄像头
模组 | | |
安防摄像机
摄像头滤光
片组立件 | 镜座上分别装有增透膜
滤光片及红外截止膜滤
光片,通过日夜时的切
换满足安防摄像机成像
对不同光线场景的需
求,应用于摄像头模组 | | |
红外截止滤
光片 | 通过红外截止膜系过滤
红外波段,还原图像真
实色彩,应用于摄像头
模组 | | |
产品/服务
类型 | 产品/服务用途 | 产品示意图 | 应用示意图 |
光学波长板 | 利用产品的优异的透光
率和导热性,起到透光
和散热的作用,应用于
各类投影仪 | | |
吸收式涂布
滤光片 | 通过红外吸收式油墨过
滤红外波段,提高图像
成像质量,应用于智能
汽车等的摄像头模组 | | |
4、AR/MR光学零部件精密加工服务
产品/服务类
型 | 产品/服务用途 | 产品示意图 | 应用示意图 |
高折射玻璃晶
圆精密加工服
务 | 对高折射率、高
透过的玻璃晶圆
进行加工,实现
高平坦度及高表
面光滑度,应用
于 AR/MR设备 | | |
5、光学半导体(本年新增业务模块)
超薄屏下
指纹传感
器整套光
路层解决
方案(12
寸) | 通过光路层设计,结合
半导体制程技术和光学
成膜技术,在芯片上进
行微纳米级光学加工,
目前主要应用于新一代
光学屏下指纹识别解决
方案。 | | |
图像传感
器 (CIS)
整套光路
层解决方
案 | 结合半导体制程技术在
芯片上进行 CFA、MLA
等微纳米级光学加工,
目前主要应用于图像传
感器(CIS)光学解决方
案 | | |
环境光传
感器光路
层解决方
案 | 通过光路层设计,结合
半导体制程技术和光学
成膜技术,在芯片上实
现整套光路层及光学矩
阵的加工,主要应用于
环境光传感器光学解决
方案。 | | |
(二) 主要经营模式
1.研发模式
公司始终坚持以科技(技术)创新为核心的发展战略,既有结合市场、行业发展趋势的前瞻性研究,也有针对终端产品需求的新工艺、新技术应用型开发。针对产品涉及的关键技术,依托美迪凯企业研究院下各技术中心协同开发。同时,公司与产业链上下游领先企业形成了合作研发机制,使公司能够更好地贴近客户、市场需求。另外,公司多家高校院所共建合作关系,共同开展人工智能相关领域的基础及前瞻性研究和开发。
公司依据研发流程,由市场开发中心或科技管理中心提出需求,设计技术中心主导进行工艺流程策划,由各个技术中心进行相应关键技术的技术攻关。为提升研发效率,采用多研发环节并行开发,各技术中心协同作业的研发方式。涉及半导体技术的开发,统一由公司半导体事业建设委员会整合相关资源实施。取得的新产品、新技术、新工艺的知识产权由科技管理中心组织申报和管理。公司基于行业特征及自身经营特点,建立了较为完备的研发体系。
2.采购模式
公司建立了供应商管理、采购流程管理制度等一套严格、完整的采购管理体系,在运营管理中心下设采购部,主要负责供应商开发、管理以及材料、设备的采购。公司根据相关产品的行业特点,通过有效地计划、组织与控制采购管理活动,按需求计划实施采购工作,具体内容为:供应商的开发与评估、采购计划的制定、实施采购。
3.生产模式
公司的产品具有定制化特点,公司采取“按订单”及“按客户需求计划”相结合确定生产计划的模式,实现高效率、低成本、高弹性的生产及交付。公司对小批量产品按照客户下达的订单组织生产;对需求量大且稳定的产品,结合客户提供的产品需求计划以及实际下达的订单,进行组织生产,公司会对一些常规的半成品进行预先库存,再根据正式订单进行后续生产、发货,提高生产效率,缩短交货周期。
4. 销售模式
公司主要通过直销模式,为客户提供各类光学光电子、光学半导体、半导体封测的产品和服务。
公司主要的产品和服务存在定制化特点。公司成立以来坚持研发销售一体化,面向客户需求和下游市场趋势研发产品。公司客户在选择供应商时,需要对候选供应商进行评估认证,并经过多轮的样品测试及现场稽核,全面考核候选供应商的产品质量、供货能力后,公司方能取得客户的供货资格。
公司通常会与客户签订产品销售的框架协议,约定供货方式、结算方式、质量保证等条款;客户根据需求在实际采购时向公司发出订单,约定产品规格、数量、价格、交期等信息,供需双方根据框架协议及订单约定组织生产、发货、结算、回款。
(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司主要从事光学光电子、光学半导体、半导体封测等研发、制造和销售。
光学光电子是结合光学、电子、计算机等的科学技术,近十年来技术突破发展迅速。当今,光电科技已成为信息系统和网络系统中最引人注目的核心技术,光学光电子产业得到前所未有的广泛关注和大力发展。光学光电子技术是光学及电子信息技术的一个分支,是包含光学技术、微电子技术、材料技术、通信、计算机等多学科交叉产生的新技术。随着产品不断的推陈出新,其应用层面扩展至通讯、信息、生化、医疗、能源、民生等工业,光学光电子产业已成为众所瞩目的明星产业,未来随着光电在通讯、网络、多媒体等扮演核心技术角色,光学光电子产业已变成一个国家科技实力的体现,更是一个国家综合实力的体现。
半导体产业位于电子行业的中游,半导体和被动元件以及模组器件通过集成电路板连接,构成了智能手机、电脑等电子产品的核心部件,承担信息的载体和传输功能,是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。为加快推进我国半导体产业发展,国家从财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法律法规和产业政策,国家政策的高度支持为半导体产业的发展创造了良好的生态环境与重大机遇。
随着物联网、5G 通信、人工智能等新技术的不断成熟,消费电子、工业控制、汽车电子等半导体主要下游制造行业的产业升级进程加快。下游市场的革新升级强劲带动了半导体企业的规模增长。全球集成电路行业市场规模大且保持较快增长。根据 IBS 数据,预计 2022年市场规模将突破 5,000 亿美元。我国本土半导体行业起步较晚,但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下,中国半导体行业不断发展,目前,中国已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。
光学光电子、半导体行业发展面临机遇,也面临挑战,需要在全球范围内加强合作,共同打造产业链,实现更加健康和可持续的发展。随着 5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR 等新一轮科技逐渐走向产业化,未来十年中国光学光电子、半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期, 逐步在全球光学光电子、半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。
2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司致力于光学光电子、半导体行业细分领域,积累了深厚的设计技术、生产工艺技术和丰富的人才资源。公司在超精密加工、晶圆加工、光学薄膜设计及精密镀膜、光学半导体、半导体封测、光学新材料应用等领域均具有核心技术及自主知识产权,并得到国际知名客户的广泛认可。
公司不断开发光学光电子、半导体器件领域的新技术、新产品和新应用,形成技术、产品的研究公司运用光学半导体技术,为客户提供半导体晶圆光学解决方案,目前 12 寸超薄屏下指纹传感器整套光路层产品陆续投产,应用于 5G 手机的超薄屏下指纹模组,该产品和技术实现国内自主可控;8寸环境光传感器光路层的产品也实现量产。
重点加大了 12寸图像传感器(CIS)整套光路层的研发;持续加大微纳电路(SAW Filter)、半导体传统封装(BGBM、QFN/DFN、SOT、陶瓷封装)、工业相机和安防摄像机主板表面贴装(SMT)等方面的研究开发。
3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 报告期内,随着智能手机、安防摄像机、智能汽车、无人机等市场需求的高速成长带动了半导体元器件产业发展,中国国内市场发展迅速。伴随世界贸易格局的变动和国内产业升级进程的推进,政府逐渐加大对国内高端制造业的鼓励和扶持力度,包括半导体元器件在内的高端制造业正加速国产替代进程。国内生产的半导体元器件正在逐步走向高端化、核心化,促进我国半导体产业乃至整个信息产业发展。主要发展趋势如下:
(1) 第三代半导体材料带来发展新机遇
第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料;第二代半导体材料主要是指化合物半 导体材料,如砷化镓、锑化铟;第三代半导体材料是宽禁带半导体材料,其中最为重要的就是 SiC 和 GaN。和传统半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的 开关频率下运行。SiC具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点,使得其器件适用 于高频高温的应用场景,相较于硅器件,可以显著降低开关损耗。因此,SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如 MOSFET、IGBT、SBD 等,用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比,GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,是超高频器件的极佳选择,适用于 5G 通信、微波射频等领域的应用。未来,随着第三代半导体材料的成本因生产技术的不断提升而下降,其应用市场也将迎来爆发式增长,给半导体行业带来新的发展机遇。
(2) 新兴科技产业的发展孕育新的市场机会
随着物联网、5G 通信、人工智能等新技术的不断成熟,消费电子、工业控制、汽车电子等半 导体主要下游制造行业的产业升级进程加快。下游市场的革新升级强劲带动了半导体企业的规模增长。如在汽车电子领域,相比于传统汽车,新能源汽车需要用到更多传感器与制动集成电路,新能源汽车单车半导体价值将达到传统汽车的两倍。新兴科技产业将成为行业新的市场推动力,并且随着国内企业技术研发实力的不断增强,国内半导体行业将会出现发展的新契机。
(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的技术创新体系,不断对各项核心技术进行更新迭代,在提升现有产品的技术水平和生产效率的同时,不断开拓新领域的产品应用,与各领域的领先企业共同成长。公司的核心技术具有平台特征,可实现多领域多产品的应用。公司设立了精密分析实验室,具备物质成分、光学特性、表面形貌、内部结构以及电性方面的分析能力,为各类型新产品研发提供精准检测及分析服务。
经过多年的技术积累,公司在精密光学、微纳电路、光学半导体、半导体传统封装、半导体贴装(SMT)、微光学、晶圆传感器封装等领域具有核心技术及自主知识产权。目前,各项核心技术的技术特点及先进性,在各类产品中的具体应用情况及技术来源如下:
序
号 | 核心技术
名称 | 核心技术的技术特点及先进性 | 应用产品/
服务 | 技
术
来
源 |
1 | 精密光学 | 1.公司自主研发多线切割技术,可对水晶、石英、蓝宝
石、陶瓷、铌酸锂等材料进行高精度加工。
2.公司自主研发对各类材质基板进行高精度外形加工,其
中玻璃晶圆的通孔技术可实现在12英寸玻璃晶圆上加工近
五千个孔,孔的尺寸散差在±5 微米以内,位置度<10 微
米。
3.公司自主研发各类材质晶圆衬底的研磨、抛光(包含
CMP)技术,最大加工尺寸可到 30 英寸,厚度公差、面
型、粗糙度等指标具有较强的市场竞争力。
4.公司自主研发,掌握了包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜的
PVD 工艺,以及原子层沉积的 CVD 工艺等各类薄膜技
术,并完成各种光学膜系设计及生产工艺开发,能够满足
影像光学及生物识别零部件等产品对精密薄膜的要求。同
时公司自主设计,结合使用新型光学材料,进行膜层加
工,可使光学器件实现降低杂光、消除鬼影、增透的效果
或实现光学光电子元器件薄型化、消除摩尔纹、高清晰成
像效果。 | 各类影像
光学零部
件、生物
识别零部
件及精密
加 工 服
务、
AR/MR
光学零部
件精密加
工服务等 | 自
主
研
发 |
2 | 微纳电路 | 公司自主研发在各类晶圆衬底上,通过涂胶、光刻、显
影、PVD、CVD、湿法蚀刻、干法蚀刻、CMP 等半导体
制程,进行微纳电路加工。 | SAW等射
频芯片 | 自
主
研
发 |
3 | 光学半导
体 | 公司自主研发的光学半导体相关工艺技术,通过涂胶、光
刻、显影、PVD、CVD、湿法蚀刻、干法蚀刻等半导体制
程,直接在各种尺寸的晶圆上叠加光学成像传输所需的包
括各种无机薄膜、有机薄膜(Color Filter等)、微透镜阵列
等在内的整套光路层(光学解决方案)。 | 半导体晶
圆光学解
决方案、
超薄屏下
指纹传感
器、图像
传感器、
环境光传
感器等 | 自
主
研
发 |
序
号 | 核心技术
名称 | 核心技术的技术特点及先进性 | 应用产品/
服务 | 技
术
来
源 |
4 | 半导体传
统封装 | 通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片贴合、
引线键合、植球、倒装、塑封(或真空印刷)和分选测试
等工艺研究,成功开发了芯片 QFN/DFN 封装、陶瓷封装
等,实现半导体器件小型化、薄型化及良好的导电和散热
性能。 | 半导体零
部件及精
密加工服
务等 | 自
主
研
发 |
5 | 表面贴装
(SMT) | 通过锡膏印刷、SPI、元件贴装、真空回流焊、AOI 检测
等工艺研究,成功开发了各类主板表面贴装技术
(SMT)。 | 工 业 相
机、安防
摄像机 | 自
主
研
发 |
6 | 微光学 | 公司自主研发采用双面晶圆模具结合环氧树脂材料液态注
胶技术,开发双面光学镜头晶圆模压制造工艺。双面光学
镜头一次成型,产品具备尺寸较小,较薄,能满足终端设
备对光学元件小型化的趋势要求。 | 生物识别
零部件、
AR/VR零
部件、医
疗检测等 | 自
主
研
发 |
7 | 晶圆传感
器封装 | 公司自主研发一种新型晶圆级传感器模压封装技术。其主
要技术特点包括利用双面模具模压工艺结合 die bond, wire
bond以实现晶圆级传感器封装技术,一次模压产能大大提
高;整个工艺流程易管控;具备封装后的传感器模组尺寸
小、厚度薄的优势。 | 生物识别
零部件、
AR/VR零
部件、医
疗检测等 | 自
主
研
发 |
公司致力于光学光电子、半导体行业的细分领域,始终将技术创新放到企业发展的首位,紧盯行业发展趋势,围绕客户和市场需求,战略性聚焦关键核心技术攻关,推动新知识、新技术的深度连接和耦合发力,不断丰富技术和产品路线,致力为客户提供更优质、多类型、定制化的产品及解决方案。
公司积极开展对外合作、加强资源协同。公司投资设立子公司智能光电,在公司现有业务的基础上重点开发视觉感应元器件、特殊激光照明及显示设备、棱镜、光导、光学镜片及镀膜定制模组等方面的研发、制造、销售和服务;通过与浙江大学、北京理工大学、中国计量大学等国内知名大学的合作,开展应用技术开发及科研成果的产业转化;通过与行业领先企业的共同合作研发,参与产品先期的开发与设计,从而掌握市场趋势及新产品的商机,准确把握未来的产品和技术方向。公司将持续推动产业链伙伴的交流合作,加强行业上下游的技术整合,促进行业前沿技术的发展。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司获得授权专利 34项(其中发明专利 4项),申请受理专利 37项(其中发明专利10项),申请商标2项。截至报告期末,公司累计申请境内外专利214项,已经授权155项,封装等公司主要核心技术,并取得境内外商标 3项。公司综合实力不断提升。
报告期内获得的知识产权列表
| 本年新增 | | 累计数量 | |
| 申请数(个) | 获得数(个) | 申请数(个) | 获得数(个) |
发明专利 | 10 | 4 | 63 | 15 |
实用新型专利 | 27 | 30 | 151 | 140 |
外观设计专利 | 0 | 0 | 0 | 0 |
软件著作权 | 0 | 0 | 0 | 0 |
其他 | 2 | 0 | 5 | 3 |
合计 | 39 | 34 | 219 | 158 |
3. 研发投入情况表
单位:元
| 本年度 | 上年度 | 变化幅度(%) |
费用化研发投入 | 63,778,921.27 | 42,338,712.02 | 50.64 |
资本化研发投入 | 0 | 0 | 不适用 |
研发投入合计 | 63,778,921.27 | 42,338,712.02 | 50.64 |
研发投入总额占营业收入
比例(%) | 14.51 | 10.02 | 增加 4.49个百分
点 |
研发投入资本化的比重
(%) | 0 | 0 | 不适用 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
研发投入较上年同比增长 50.64%,主要原因为新增了半导体微纳电路、半导体传统封装、表面贴装等领域的研究和开发,本年度的研发设备、研发材料和研发人员等相关费用大幅增加。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元
序
号 | 项目名称 | 预计总
投资规
模 | 本期投
入金额 | 累计投
入
金额 | 进展或
阶段性
成果 | 拟达到目标 | 具体应用
前景 |
1 | 低透低反膜工
艺研发 | 292 | 50.86 | 294.16 | 已量产 | 开发介质膜加金属膜相互叠
加的镀膜工艺,实现低透过
和低反射的光学特性。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
2 | 透镜表面低反
射膜层加工工
艺研发 | 305 | 87.35 | 314.64 | 已量产 | 在摄像头模组中的透镜表面
形成低反射膜层,实现消除
眩光、鬼影的效果。 | 主要应用
于智能手
机、安防
摄像、车
载等领域 |
3 | 半导体制程涂
胶工艺优化方
案的研发 | 300 | 146.86 | 401.68 | 已量产 | 通过半导体制程涂胶工艺的
优化并结合表层镀膜,达到
强化涂胶层附着力等效果。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
4 | 高精度lift-
off制程的研
发 | 260 | 84.46 | 297.00 | 已量产 | 选择合适介质材料并结合涂
胶、光刻、显影工艺参数的
优化,达到光刻胶高精度、
高效剥离的效果。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
5 | 三角棱镜超精
密加工工艺的
研发 | 268 | 79.49 | 313.88 | 已量产 | 在三角棱镜多个面上进行研
磨、抛光、镀膜、丝印等加
工的工艺开发。 | 主要应用
于智能手
机、可穿
戴设备等
领域 |
6 | 光学长波通滤
光片研发 | 232 | 64.88 | 242.81 | 已量产 | 采用真空蒸镀技术,在光学
玻璃基板上进行红外长波通
镀膜并运用精密切割技术进
行毫米以下的极小尺寸加
工。 | 主要应用
于可穿戴
设备等领
域 |
7 | 窄带双通极小
尺寸滤光片镀
膜、切割工艺
研发 | 212 | 107.48 | 313.56 | 已量产 | 自主设计开发红外双通窄带
成膜工艺及玻璃晶圆毫米以
下的极小尺寸切割工艺。 | 主要应用
于可穿戴
设备等领
域 |
8 | 条形生物识别
用产品工艺研
发 | 187 | 77.20 | 181.86 | 已量产 | 高硬度、高折射率玻璃基材
高精度四面抛光工艺的研
发。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
9 | 极小尺寸高反
射棱镜加工工
艺研发 | 210 | 66.85 | 200.47 | 已量产 | 毫米以下尺寸棱镜,斜面精
密加工及高反射镀膜工艺研
发。 | 主要应用
于可穿戴
设备等领
域 |
10 | 贵金属图形化
镀膜LED封装
基板研发 | 312 | 72.78 | 295.75 | 已量产 | 在光学玻璃基板表面,结合半
导体工艺进行多层贵金属图
形化成膜,实现高强度膜层
附着力及高精度图形化尺寸
要求。 | 主要应用
于大健康
等领域 |
11 | 氧化铝材质陶
瓷基板无残胶
切割工艺研发 | 189 | 167.33 | 223.44 | 已量产 | 研发传感器陶瓷基板无膜切
割工艺及有机洗剂清洗工
艺,在实现切割精度的同
时,保证切割后陶瓷基板的
高标准外观要求。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
12 | 新一代3D结构
光模组用光学
联结件激光通
孔工艺研发 | 306 | 312.42 | 312.42 | 已量产 | 采用异形激光切割及特殊蚀
刻工艺,通过制程优化,精
准控制通孔的位置度和孔侧
壁垂直度等。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
13 | 多层图案套刻
工艺及ITO镀
膜工艺研发 | 267 | 293.11 | 293.11 | 已量产 | 开发ITO层、钝化层、金属
层等多膜层叠加的高精度套
刻加工工艺,满足产品多膜
层间相对位置度要求。同时
研发ITO镀膜及退火工艺,
满足特定电阻区间及光谱要
求。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
14 | ToF模组用棱
镜研发 | 357 | 288.80 | 288.80 | 工程验
证阶段 | 结合印刷、镀膜、剥离等技
术,在条形棱镜不同面上进
行图形化高反射膜层及低反
射低透过膜层加工。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
15 | 钽酸锂晶圆微
电路加工工艺
研发 | 237 | 172.52 | 172.52 | 工艺设
计阶段 | 射频滤波器用高平坦、低翘
曲、超薄钽酸锂晶圆,单面
化学研抛工艺研发及金属溅
射镀膜结合半导体工艺的表
面微电路加工工艺研发。 | 主要应用
于智能手
机、车
载、物联
网等领域 |
16 | 图形化膜层吸
收式滤光片制
造工艺及产品
的研发 | 298 | 200.57 | 200.57 | 工程验
证阶段 | 采用真空镀膜技术,结合吸
收式油墨及可剥离丝印油墨
材料,通过涂布和丝印工
艺,实现吸收式滤光片的图
形化膜层研发,可满足不同
通光孔尺寸的摄像模组。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
17 | CIS传感器光
路层工艺研发 | 376 | 68.58 | 68.58 | 工程验
证阶段 | 通过涂胶、光刻、显影、蚀
刻等半导体技术,研发有机
薄膜(Color Filter
等)、微透镜阵列等光路层
叠层工艺,实现各种尺寸
CIS传感器晶圆的全套光路
层加工工艺研发。 | 主要应用
于智能手
机/车载/
安防等领
域 |
18 | 高穿透率梯形
微棱镜加工工
艺研发 | 237 | 221.63 | 221.63 | 工程验
证阶段 | 通过特殊粘合、切割、研
磨、抛光、镀膜等工艺,实
现梯形棱镜斜面、底部高穿
透率镀膜及梯形体高精度外
形尺寸加工。 | 主要应用
于可穿戴
设备等领
域 |
19 | 高外观要求镀
膜工艺研发 | 183 | 117.95 | 117.95 | 工程验
证阶段 | 采用特殊清洁方式及优化镀
膜工艺,提升镀膜机腔体洁
净度,实现真空蒸发镀膜的
高外观要求。 | 主要应用
于高端数
码相机等
领域 |
20 | 高清成像红外
吸收滤光片光
学成膜工艺研
发 | 153 | 128.76 | 128.76 | 已量产 | 在光学基板表面,通过吸收
式新型材料与光学镀膜的结
合运用,满足摄像模组高清
成像且大角度不失真效果。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
21 | 微小尺寸Lens
功能薄膜喷墨
打印工艺研发 | 187 | 155.98 | 155.98 | 工程验
证阶段 | 通过喷墨打印工艺,在Lens
表面,实现厚度120nm以下
功能薄膜的高效加工。 | 应用于智
能手机、
安防摄像
等领域 |
22 | 环境光芯片双
光路层半导体
工艺研发 | 257 | 302.52 | 302.52 | 已量产 | 进行环境光芯片双光路层膜
系设计,在半导体晶圆集成
电路上,通过涂胶、曝光、
显影、成膜工艺,实现红外
截止膜层与长波通膜层交界
处完全衔接且不相互堆叠的
结构,满足高光学性能要
求。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
23 | 半导体干法刻
蚀工艺优化方
案研发 | 273 | 292.08 | 292.08 | 已量产 | 研发双射频干法蚀刻工艺,
通过温度的控制、蚀刻气体
的配比调整等,提升有机物
刻蚀效率。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
24 | 指纹识别芯片
晶圆磨划工艺
研发 | 180 | 198.58 | 198.58 | 工程验
证阶段 | 研发晶圆背部减薄及切割工
艺,实现12英寸晶圆TTV
<2.5μm、切割后崩边< | 主要应用
于智能手
机等领域 |
| | | | | | 10μm及芯片表面的高标准
外观要求。 | |
25 | F pad 腐蚀
新型处理工艺
的研发 | 327 | 75.07 | 75.07 | 工程验
证阶段 | 采取非化学蚀刻方式清除晶
圆F pad腐蚀,通过光刻
胶包裹F pad,配合干法刻
蚀工艺,达到晶圆F pad腐
蚀去除的目的。 | 主要应用
于智能手
机/车载/
安防等领
域 |
26 | DFN封装工艺
的研发 | 279 | 5.67 | 5.67 | 工程验
证阶段 | 研发芯片贴片、焊线及塑封
等工艺,结合新材料的应
用,实现半导体器件小型
化、薄型化及良好的导电和
散热性能。 | 主要应用
在手机充
电器电源
管理领域 |
27 | 光学封装基板
电路层加工工
艺研发 | 327 | 379.29 | 379.29 | 已量产 | 通过镀膜和半导体工艺,在
基板上进行微电路层加工并
达到特定光学特性要求。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
28 | 红外深度截止
光学新材料应
用技术研发 | 238 | 317.46 | 317.46 | 已量产 | 运用新材料光学基板,采用
低折射率油墨进行低反射膜
层加工,实现红外深度截止
及可见光区波段低反射效
果。 | 主要应用
于智能手
机等领域 |
29 | 功率器件晶元
背金工艺的研
发 | 265 | 94.44 | 94.44 | 工程验
证阶段 | 采用真空溅射镀膜技术,在
减薄加工后的晶圆背部溅镀
多层金属膜,实现晶圆较好
的电学特性要求,并保证各
金属膜层致密性。 | 智能家电
等领域 |
30 | 应用于可调焦
光学元件的特
殊镀膜光刻技
术研发项目 | 98 | 75.42 | 75.42 | 工程验
证阶段 | 研发特定金属氧化物溅射镀
膜技术,实现在可见光特定
波段具有高吸收光学特性,
并研发双面光刻辅助对位技
术,实现双面光刻图案位置度
偏差≤10μm。 | 智能手机
等领域 |
合
计 | / | 7612.00 | 4706.39 | 6780.10 | / | / | / |
(未完)