[中报]盛美上海(688082):2022年半年度报告

时间：2022年08月07日 16:01:42 中财网

原标题:盛美上海:2022年半年度报告

公司代码：688082 公司简称：盛美上海






盛美半导体设备（上海）股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”

三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人HUI WANG、主管会计工作负责人LISA YI LU FENG及会计机构负责人（会计主管人员）LISA YI LU FENG声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。


九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 30
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 31
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 33
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 56
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 61
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 61
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 63

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表。
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
	经现任法定代表人签字和公司盖章的本次半年报全文和摘要。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司,本公司,盛美 上海,盛美半导体	指	盛美半导体设备（上海）股份有限公司
香港清芯	指	CleanChip Technologies Limited，清芯科技有限公司，盛美上海 全资子公司
盛美加州	指	ACM RESEARCH (CA), INC.，香港清芯的全资子公司
盛奕科技，盛奕半 导体	指	盛奕半导体科技（无锡）有限公司，盛美上海参股公司
美国ACMR，ACMR	指	ACM RESEARCH, INC.，美国NASDAQ股票市场上市公司，盛美上海控 股股东
长江存储	指	长江存储科技有限责任公司，盛美上海客户
中芯国际	指	中芯国际集成电路制造有限公司，盛美上海客户
海力士	指	SK Hynix Inc.，盛美上海客户
华虹集团	指	上海华虹（集团）有限公司，盛美上海客户
长电科技	指	江苏长电科技股份有限公司，盛美上海客户
通富微电	指	通富微电子股份有限公司，盛美上海客户
中芯长电	指	中芯长电半导体（江阴）有限公司，盛美上海客户
Nepes	指	Nepes corporation，盛美上海客户
台湾合晶科技	指	合晶科技股份有限公司，盛美上海客户
华进半导体	指	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，盛美上海客户
NINEBELL	指	NINEBELL CO.,LTD.，盛美上海供应商
NASDAQ	指	National Association of Securities Dealers Automated Quotations，美国纳斯达克股票市场
半导体	指	常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制造技术可分 为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，可广泛应用于下游 通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业
硅片	指	Silicon Wafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、传感器 等半导体产品制造
IC、集成电路	指	Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、 二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联 并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功能的电路 或系统
晶圆	指	在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金 属化等特定工艺加工过程中的硅片
芯片	指	集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结 果
图形晶圆	指	表面带图案结构的晶圆
晶圆制造、芯片制 造	指	将通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过 程，分为前道晶圆制造和后道封装测试。
功率器件	指	用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件
NAND闪存	指	快闪记忆体/资料储存型闪存
5G	指	5th-Generation，即第五代移动电话行动通信标准
光刻	指	利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到 单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术
刻蚀	指	用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过程，是 与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺的
		关键步骤
涂胶	指	将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程
显影	指	将曝光完成的晶圆进行成像的过程，通过这个过程，成像在光阻上 的图形被显现出来
ALD	指	Atomic Layer Deposition，原子层沉积，是一种可以将物质以单原 子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法
DRAM	指	Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器
SFP	指	Stress Free Polish，无应力抛光技术，该技术利用电化学反应原 理，在抛除晶圆表面金属膜的过程中，摒弃抛光过程的机械压力， 根除机械压力对金属布线的损伤
良率	指	被测试电路经过全部测试流程后，测试结果为良品的电路数量占据 全部被测试电路数量的比例
前道、后道	指	芯片制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、清洗、离子 注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA 植球、 检查、测试等
封装	指	封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如 芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连 接到电路板的工艺技术
先进封装	指	处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封 装、圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装 等均被认为属于先进封装范畴
凸块下金属、UBM	指	UBM是焊盘和焊球之间的金属过渡层，位于圆片钝化层的上部。UBM 与圆片上的金属化层有着非常好的粘附特性，与焊料球之间也有着 良好的润湿特性，在焊球与IC金属焊盘之间作为焊料的扩散层。UBM 作为氧化阻挡层还起着保护芯片的作用
UBM/RDL技术	指	凸点底层金属/薄膜再分布技术，可以在去除阻挡层和种子层的同时 尽量减少底切，控制和精确监测刻蚀步骤完成的时间，从而减少底 切并保证临界特征（线或凸点）尺寸
Pillar Bump	指	柱状凸块
FinFET	指	Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管，是一种新的互 补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶 体管的栅长
IPA干燥	指	利用异丙醇（IPA）的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的 具有较高表面张力的水分，然后用氮气吹干，达到彻底干燥硅片水 膜的目的
PTFE	指	聚四氟乙烯（Poly Tetra FluoroEthylene），具有抗酸抗碱、抗各 种有机溶剂、耐高温、摩擦系数极低的特点
TSV	指	Through Silicon Vias，穿过硅片通道，通过硅通孔（TSV）铜互连 的立体（3D）垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之 一
机器人手臂	指	一种能模仿人手和臂的某些动作功能，用以按固定程序抓取、搬运 物件或操作工具的自动操作装置，特点是可以通过编程来完成各种 预期的作业，构造和性能上兼有人和机械手机器各自的优点
SAPS清洗技术	指	Space Alternative Phase Shift，空间交替相移技术，利用兆声波 的交替相，在微观水平上以高度均匀的方式向平板和图案化的晶圆 表面提供兆声波能量，有效地去除整个晶圆上的随机缺陷，并减少 化学药品的使用
TEBO清洗技术	指	Timely Energized Bubble Oscillation，时序能激气穴震荡，通过 使用一系列快速的压力变化迫使气泡以特定的尺寸和形状振荡，在 兆频超声清洗过程中精确、多参数地控制气泡的空化，避免传统超
		音速清洗中出现的由瞬时空化引起的图案损坏，对图案化芯片进行 无损清洗
Tahoe技术	指	盛美上海自主研发的清洗技术，在单个湿法清洗设备中集成了槽式 模块和单片模块，兼具二者的优点；Tahoe清洗设备的清洗效果与工 艺适用性可与单片清洗设备相媲美，还可大幅减少硫酸使用量，帮 助客户降低生产成本又能更好的符合节能环保的政策
大马士革工艺	指	衍生自古代的Damascus（大马士革）工匠之嵌刻技术，先在介电层 上刻蚀金属导线用的图膜，然后再填充金属，特点是不需要进行金 属层的刻蚀
工艺、节点、制程	指	即晶体管栅极宽度的尺寸，用来衡量半导体芯片制造的工艺水准
ECP	指	ElectroChemical Plating，电化学电镀，利用电解原理在晶圆表面 上镀上一薄层其它金属或合金的过程
mm	指	-3 毫米，10米，用于描述半导体晶圆的直径的长度
nm	指	-9 纳米，10米
报告期、本报告期	指	2022年1月1日至2022年6月30日

第二节 公司简介和主要财务指标
十三、 公司基本情况

公司的中文名称	盛美半导体设备（上海）股份有限公司
公司的中文简称	盛美上海
公司的外文名称	ACM Research (Shanghai), Inc.
公司的外文名称缩写	ACMSH
公司的法定代表人	HUI WANG
公司注册地址	中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
公司注册地址的历史变更情况	无
公司办公地址	中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
公司办公地址的邮政编码	201203
公司网址	www.acmrcsh.com.cn
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

十四、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	罗明珠	/
联系地址	中国（上海）自由贸易试验区蔡伦 路1690号第4幢	/
电话	021-50276506	/
传真	021-50808860	/
电子信箱	[email protected]	/

十五、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	中国证券报（www.cs.com.cn）、上海证券报（ www.cnstock.com）、证券时报（www.stcn.com）、证 券日报（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢公司 董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	无

十六、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	盛美上海	688082	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
十七、 其他有关资料
□适用 √不适用

十八、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	1,095,532,237.00	625,280,772.35	75.21
归属于上市公司股东的净利润	236,588,451.67	89,675,980.48	163.83
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	257,424,223.79	48,856,614.19	426.90
经营活动产生的现金流量净额	-327,610,151.50	40,932,126.37	-900.37
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	5,067,633,603.14	4,814,961,103.13	5.25
总资产	6,697,457,136.58	6,337,413,410.30	5.68

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同期 增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.55	0.23	139.13
稀释每股收益（元／股）	0.54	0.23	134.78
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.59	0.13	353.85
加权平均净资产收益率（%）	4.80	8.20	减少 3.40个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	5.22	4.47	增加 0.75个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	17.05	18.33	减少 1.28个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2022年 1-6月公司营业收入为 10.96亿元，同比增长 75.21%，主要原因是全球半导体行业景气以及市场对公司半导体设备的强劲需求，公司销售订单及产能均持续增长，营业收入进一步提升。公司继续产品多元化的发展策略，新产品的强劲增长使收入结构多样化并扩大了市场规模。公司 2022年 1-6月半导体清洗设备、前道半导体电镀设备和先进封装湿法设备（包含后道电镀设备）的营业收入均有较大增长。

2022年 1-6月归属于上市公司股东的净利润同比增长 163.83%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长 426.90%，主要原因是公司主营业务收入增长。

2022年 1-6月经营活动产生的现金流量净额为-3.28亿元，同比下降主要是销售订单增长引起的本期购买原材料支付的现金较上期增加以及支付职工薪酬较上期增长所致。

2022年 1-6月基本每股收益 0.55元，较上年同期增长 139.13%；稀释每股收益 0.54元，较上年同期增长 134.78 %；扣除非经常性损益后的基本每股收益 0.59元，较上年同期增长353.85 %。主要原因是公司主营业务收入增长。


十九、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

二十、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	-24,175.48
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外	2,093,556.63
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾
害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益	-27,762,704.76
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	338,086.80
其他符合非经常性损益定义的损 益项目	1,547,560.02	代扣个人所得税手续费返还
减：所得税影响额	-2,971,904.67
少数股东权益影响额（税 后）
合计	-20,835,772.12

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

二十一、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
半导体产业作为全球经济的重要组成部分，产业发展与全球经济状况密切相关。2022年上半年上海疫情对半导体产业的供应链造成了很大的影响，尤其是汽车、手机等消费类的产品的供应和需求受到了极大的冲击，2022年整个半导体市场面临的不稳定因素非常多。同时，电动汽车产业、大数据及人工智能的快速发展，对芯片产出的需求量与日俱增。目前，半导体产业链中涉及材料、设备、制造等环节的头部企业的垄断已经形成。近年来，全球主要国家和地区在半导体领域相继发布多项政策，如美国加大半导体和芯片领域投资规模；欧盟扩大半导体产业综合竞争力；日本则加强半导体产业薄弱环节建设，不断促进本国或本地区半导体产业的发展。

公司自设立以来，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略，通过自主研发，建立了较为完善的知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了具有国际领先或先进水平的半导体清洗系列设备、半导体电镀设备、立式炉管设备、先进封装湿法设备以及无应力抛光设备等先进技术和产品线，致力于为全球集成电路行业提供先进的设备及工艺解决方案。

公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有成熟的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借先进的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑，同时公司还在研发两款全新设备，因此公司对将来的销售增长保持乐观态度。

报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利。公司连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，入选首批上海市“上海市企业重点实验室”，“SAPS兆声波清洗技术”荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖，被评为上海市专利示范企业。

（二）公司主营业务情况
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管设备和先进封装湿法设备等。公司坚持差异化竞争和创新的发展战略，通过自主研发的单片兆声波清洗技术、单片槽式组合清洗技术、电镀技术、无应力抛光技术和立式炉管技术等，向全球晶圆制造、先进封装及其他客户提供定制化的设备及工艺解决方案，有效提升客户的生产效率、提升产品良率并降低生产成本。

公司立足自主创新，通过多年的技术研发和工艺积累，成功研发出全球首创的SAPS、TEBO兆声波清洗技术和Tahoe单片槽式组合清洗技术，可应用于45nm及以下技术节点的晶圆清洗领域，可有效解决刻蚀后有机沾污和颗粒的清洗难题，并大幅减少浓硫酸等化学试剂的使用量，在帮助客户降低生产成本的同时，满足节能减排的要求。

公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了单片清洗、槽式清洗以及单片槽式组合清洗等清洗设备，用于芯片制造的前道铜互连电镀设备、立式炉管设备、后道先进封装电镀设备，以及用于先进封装的湿法刻蚀设备、涂胶设备、显影设备、去胶设备、无应力抛光设备及立式炉管系列设备等。目前，公司产品主要应用于集成电路行业，公司的主要产品情况如下：

主要产品	技术特点	应用领域
半导体清洗设备
单片清洗设备	可实现晶圆正背面同时清洗，每台 设备可配置多种化学药液，可应用 于单片湿法清洗及单片湿法刻蚀工 艺。	可用于芯片制造的薄膜沉 积前后清洗，干法刻蚀后 清洗，离子注入灰化后清 洗，化学机械研磨后清 洗，抛光和外延后的清 洗，化学湿法刻蚀清洗等 工艺。
SAPS单片清洗设备	在传统单片清洗设备配置的基础上 加配公司自主研发的兆声波清洗技 术（SAPS），主要针对平坦晶圆表 面和深孔内的清洗工艺，专注于小 颗粒的去除，在45nm以下工艺有效 解决刻蚀后有机沾污和颗粒的清洗 难题，清洗效率大大提升。	可用于芯片制造的薄膜沉 积前后清洗，干法刻蚀后 清洗，离子注入灰化后清 洗，化学机械研磨后清 洗，抛光和外延工艺后的 清洗等工艺。
TEBO单片清洗设备	在传统单片清洗设备配置的基础上 加配公司自主研发的时序气穴振荡 控制（TEBO）兆声波清洗技术，为 3D结构晶圆提供高效清洗。在3D 芯片高深宽比逐渐提高的情况下， TEBO技术可以稳定气泡的震荡，达 到低损伤甚至零损伤。	可用于芯片制造的薄膜沉 积前清洗，干法刻蚀后清 洗，离子注入灰化后清洗 等工艺。
单片槽式组合清洗设备	集成单腔体清洗模块和槽式清洗模 块，将槽式去胶工艺与单片清洗工 艺整合，相比传统单片清洗设备， 可极大节约硫酸用量，清洗能力可 和单片清洗设备相媲美。	可用于芯片制造的光刻胶 剥离及清洗、干法刻蚀后 清洗、离子注入后清洗、 化学机械研磨后清洗、金 属膜层去除等工艺。
单片背面清洗设备	采用伯努利悬浮非接触式夹持方 式，对晶圆器件面提供有效保护， 对晶圆背面喷淋化学药液进行清洗 或湿法刻蚀，可用于大翘曲度超薄 晶圆或者带载片的键合晶圆。	可用于芯片制造的晶圆背 面清洗与晶圆背面湿法刻 蚀等工艺。
前道刷洗设备	采用单片腔体对晶圆正背面依工序 清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、 晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗 等清洗工序；设备占地面积小，产 能高，稳定性强，多种清洗方式灵 活可选。	可用于芯片制造的中前段 至后段各道刷洗工艺。
槽式清洗设备	采用纯水、碱性、酸性药液作为清 洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡 等清洗方式组合，再配以先进的 IPA干燥方式，对晶圆进行批量清 洗。	可用于芯片制造的清洗、 湿法刻蚀、薄膜剥离、光 刻胶去除等工艺。
半导体电镀设备
前道铜互连电镀设备	针对55nn、40nm、28nm及20-14nm 以下技术节点的前道铜互连镀铜技 术Ultra ECP map，主要作用在晶 圆上沉淀一层致密、无孔洞、无缝 隙和其他缺陷、分布均匀的铜。	可用于逻辑电路和存储电 路中双大马士革电镀铜工 艺。
后道先进封装电镀设备	针对先进封装电镀需求进行差异化 开发，适用于大电流高速电镀应 用，并采用模块化设计便于维护和 控制，减少设备维护保养时间，提 高设备使用率。	可用于先进封装Pillar Bump、RDL、HD Fan-out 和TSV中，铜、镍、锡、 银、金等电镀工艺。
先进封装湿法设备
湿法刻蚀设备	采用单片腔体对晶圆表面进行湿法 刻蚀，将一个完整工艺流程的所有 药液，纯水以及干燥所用气体管路 均集成于一个腔体中设备占地小， 化学品与纯水消耗量少，工艺调整 弹性高。	可用于先进封装的12英 寸及8英寸晶圆的湿法硅 刻蚀和UBM的铜，钛， 镍，锡，金等金属湿法刻 蚀工艺。
涂胶设备	采用单片腔体对晶圆表面旋涂光刻 胶，并在热板与冷板中，完成后续 的烘烤和冷却工序；首创腔室自清 洗功能，代替了传统人工手动拆卸 清洗腔室的方法，避免了人工频繁 拆卸精密涂胶机台对机台的损害， 与此同时也大大提高了清洗效率， 降低了机台维护成本，提高机台的 使用寿命。	可用于先进封装的12英 寸及8英寸晶圆的正负胶 和薄厚胶的涂胶工艺。
显影设备	采用单片腔体对晶圆表面喷洒显影 液，并对显影液后的晶圆进行清洗 与干燥。该设备采用Spray（喷 射）与puddle（积液）相结合的显 影技术。	可用于先进封装的12英 寸及8英寸晶圆的显影工 艺。
去胶设备	该设备将槽式去胶与单片去胶整 合，将浸泡工艺在槽体中完成，软 化并去除大部分厚胶，后续残胶的 去除，污染物及颗粒的去除则通过 单片去胶完成，可弥补单片设备产 能不足的缺点。	可用于先进封装的12英 寸及8英寸晶圆的去胶工 艺。
先进封装刷洗设备	采用单片腔体，对晶圆正背面喷淋 化学药液或去离子水实现清洗，辅 助以物理刷子对晶圆进行刷洗。	可用于先进封装的12英 寸及8英寸晶圆的刷洗清 洗工艺。
无应力抛光设备	无应力抛光技术（Ultra SFP）基于 电化学原理，整合了无应力抛光、 化学机械研磨、和湿法刻蚀工艺， 在先进封装应用中，可大幅降低抛 光液耗材费用，减少化学排放。	可用于先进封装的3D TSV、2.5D硅中介层、 RDL、HD Fan-out等。
其他设备
立式炉管设备	可进行批次处理晶圆工艺，实现不 同类型的非金属薄膜在晶圆表面的 沉积工艺，主要是多晶硅，氮化 硅，氧化硅等薄膜，高温氧化扩散 及回火。	可用于逻辑电路和存储电 路中前道工艺中的多晶 硅，氮化硅，氧化硅薄膜 沉积，高温氧化扩散及回 火。

二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术情况
公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。

国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平，具体如下表所示：

核心技术名称		技术先进性
清洗设备	一．SAPS兆声波清洗技术	国际先进
	二．TEBO兆声清洗技术	国际领先
	三．单晶圆槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术	国际领先
抛光设备	四．无应力抛光技术	国际领先
电镀铜设备	五．多阳极电镀技术	国际先进
先进封装湿法设备	六．ECP电化学电镀技术	国际领先
立式炉管设备	七．Furnace立式炉管技术	国际先进

（2）公司的技术先进性及具体表征
①SAPS兆声波清洗技术
针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。

②TEBO兆声波清洗技术
随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片技术节点进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。

公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术
公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。综合了槽式和单片的优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证的良好的清洗效果，实现了绿色工艺，成本节约，环境友好的技术突破，解决④无应力抛光技术
公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极，利用电解反应过程，使晶圆上的铜膜失去电子，形成铜离子进入到电解质溶液（抛光液）中，在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。

⑤多阳极局部电镀技术
公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄仔晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护。

⑥ECP电化学电镀技术
公司研发的ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装 Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out 和TSV中的铜、镍、锡、银、金等电镀工艺。

⑦Furnace立式炉管技术
公司研发的立式炉管技术可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：晶圆自动传输模块；工艺腔体模块，包括真空室、加热炉；反应气体气路控制及分配模块；温度控制模块；尾气处理模块；软件控制模块，并将应用领域向氧化和扩散炉发展，最后进入ALD应用。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
截至2022年6月30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利368项，其中境内授权专利161项，境外授权专利207项，其中发明专利共计363项。该等在中国境内已授权的专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	24	21	804	363
实用新型专利	0	0	3	3
外观设计专利	0	0	3	2
软件著作权	0	0	0	0
其他	0	0	0	0
合计	24	21	810	368

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	153,433,398.18	114,602,769.83	33.88
资本化研发投入	33,329,518.34		不适用
研发投入合计	186,762,916.52	114,602,769.83	62.97
研发投入总额占营业收入 比例（%）	17.05	18.33	减少1.28个百分 点
研发投入资本化的比重（%）	17.85		增加17.85个百 分点

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
2022年1-6月研发投入总额为1.87亿元，较上年同期研发投入总额增长62.97%。主要是随着现有产品改进及工艺开发以及新产品及新工艺开发，研发测试等服务费增加，聘用的研发人员人数以及支付研发人员的薪酬增加。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
√适用 □不适用
本期研发投入资本化的比重较上年同期大幅增加，主要原因是研发项目达到资本化的条件而予以资本化。


4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：亿元

序 号	项目名 称	预计 总投 资规 模	本期投 入金额	累计投 入金额	进展或阶段性成 果	拟达到目 标	技术水平	具体应用前景
1	SAPS兆 声波清 洗技术	4.50	0.45	1.75	完成28nm工艺验 证并进入生产线 量产阶段	14nm及以 下工艺量 产	达到国际先 进水平	专注于小颗粒的去除：集成电路制造流程中的薄膜沉积 前后清洗，干法刻蚀后清洗，离子注入灰化后清洗，化 学机械研磨后清洗等工艺平坦晶圆表面和深孔内的清 洗；抛光和外延工艺后的清洗。
2	ECP电化 学电镀 技术	1.60	0.42	1.76	65/55/4028nm技 术节点实现大规 模产线量产； 14nm及以下工艺 正在开始在大规 模产线进行验 证。	14nm及以 下工艺量 产	达到国际先 进水平	应用1：逻辑和存储产品：公司研发前道电镀设备ECP map可应用于28nm以上节点的12英寸晶圆制造，以及 更先进的技术节点；在应用广度方面，ECP map设备可 应用于具有3D结构的FinFET、DRAM和3D NAND等产 品，以及未来新型纳米器件和量子器件等的金属线互 连。应用2：晶圆级先进封装：公司研发先进封装电镀 设备ECP ap可应用于主要应用于先进封装Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out和TSV中的铜、镍、锡、银、 金等电镀工艺。应用3：三维堆叠：公司研发三维堆叠 电镀设备ECP 3d可应用于3D TSV及2.5D Inteposer 工艺中高深宽比深孔铜电镀工艺。应用4：第三代半导 体电镀工艺以及设备。可应用于SiC, GaN 第三代半导 体以及其他化合物半导体金属层沉积以及先进封装可以 电镀金膜，深孔镀金以及Cu，Ni，SnAg 等金属的电镀 工艺。
3	Wet Bench槽 式清洗 技术	1.00	0.18	0.62	65/55nm工艺量 产	65/55nm工 艺量产， 拿到多台 重复订 单。 40/28nm工 艺验证 中。3D NAND设备	达到国内领 先水平	槽式清洗。
						研发图纸 基本完 成。
4	背面清 洗技术 Backsid e	2.50	0.05	1.17	28nm工艺量产	14nm及以 下工艺量 产	达到国内领 先水平	背面薄膜去除、晶圆背面的多晶硅腐蚀和晶背减膜等工 艺，主要性能指标达到国际先进水平，适用于55nm及 以上、40nm、28nm技术节点。
5	TEBO兆 声波清 洗技术	2.00	0.03	0.17	28nm工艺验证	14nm及以 下工艺量 产	达到国际先 进水平	针对未来清洗技术的难点，比如细微脆弱结构清洗、高 深宽比结构清洗、微小颗粒去除以及材料损失控制等， 基于目前的TEBO兆声清洗技术，研发应用拓展至更小 尺寸以及更高深宽比的结构，以及针对不同尺寸和不同 结构的声波控制模型，配合极稀释药液的TEBO清洗工 艺，用于控制更少的材料损失。
6	Tahoe单 片槽式 组合清 洗设备 研发与 产业化	2.50	0.09	0.66	正在进行40nm及 28nm的工艺验证	28nm及以 下工艺量 产	全球首创， 初步数据显 示清洗效率 与单片高温 硫酸清洗设 备相当，可 大幅节省硫 酸用量	用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺：（1）降低 运营成本：与现阶段的单片高温硫酸清洗设备相比，可 大幅减少高温硫酸使用量；（2）减少排放，有益于环 保；（3）整合槽式和单片清洗工艺，减少工艺步骤， 提高工艺性能，缩短产品生产周期。
7	SFP无应 力铜抛 光技术	0.30	0.02	0.31	正在进行5nm以 下工艺验证	5nm以下工 艺量产	创新技术路 线等待验 证；目标达 到国际同行 业企业同等 水平	应用1：前道铜互连平坦化：整合无应力铜抛光SFP Ruk工艺与湿法刻蚀工艺，可用于12英寸晶圆生产线的 5nm以下工艺铜互连结构钌阻挡层去除：（1）解决化学 机械研磨对钌阻挡层去除速率低问题；（2）减少环境 污染，回收利用电化学抛光液和湿法刻蚀液，减少排 放，降低工艺成本。应用2：先进封装金属层平坦化： SFP ap无应力铜抛光设备工艺与湿法刻蚀工艺相结合， 可用于RDL、HD Fan-Out、TSV结构金属铜层及其阻挡 层平坦化工艺：（1）工艺无应力（2）减少化学机械研 磨液使用量，减少排放，降低工艺成本，保护环境。
8	全自动 槽式磷 酸清洗 技术	0.30		0.0004	工艺验证初步完 成，量产验证中	量产	目标达到国 际同行业企 业同等水平	12英寸晶圆生产线的前端热磷酸氮化物薄膜湿法刻蚀工 艺。
9	Furnace 立式炉 管技术	0.51	0.15	0.48	部分工艺量产	90-14nm工 艺量产	等待工艺及 可靠性结果	可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜 在晶圆表面的沉积工艺：（1）晶圆自动传输模块； （2）工艺腔体模块，包括真空室、加热炉；（3）反应 气体气路控制及分配模块；（4）温度控制模块；（5） 尾气处理模块；（6）软件控制模块，并将应用领域向 氧化、扩散和回火发展，最后进入ALD应用。
10	面向半 导体设 备的聚 四氟乙 烯腔体 制造工 艺的研 发及产 业化	0.25	0.01	0.06	进行工艺验证	量产应用	达到行业先 进水平	通过开发和优化模压、烧结和机加工工艺，实现可应用 于公司产品零部件的PTFE材料生产工艺。
11	立式炉 管ALD 薄膜沉 积设备 技术	0.50			设备正在出厂测 试阶段	28及以下 工艺量产	目标达到国 际同行业企 业同等水平	可用于12英寸晶圆生产线，主要实现原子层沉积的 SiO2和SiN薄膜在晶圆表面的沉积工艺以满足先进芯片 生产工艺对薄膜质量的超高要求。
12	边缘清 洗蚀刻 设备系 统研制 和开发	0.25	0.0001	0.0045	工艺验证	28nm及以 下工艺量 产	等待工艺及 可靠性结果	可用于12英寸晶圆生产线，主要实现边缘光阻剂膜去 除、边缘污染物去除、边缘氧化物的去除。
13	单片高 温SPM 清洗设 备系统 研制和 开发	0.25	0.0002	0.12	进行工艺验证	28nm及以 下工艺量 产	目标达到国 际同行业企 业同等水平	用于12英寸晶圆生产线，主要实现有机物如光刻胶去 除、金属残留物去除工艺。
14	超临界 CO2干燥 设备系 统研制 和开发	2.00	0.03	0.03	Alpha样机在腔 体加工和主机制 造阶段	19nm及以 下DRAM工 艺量产	目标达到国 际同行业企 业同等水平	可用于12英寸晶圆DRAM或先进制程的Logic生产线高 深宽比结构图形的清洗和干燥工艺。
15	先进封 装湿法 设备技 术改进 与研发	0.62	0.14	0.55	新应用进行工艺 验证	覆盖所有 先进封装 工艺	目标达到国 际同行业企 业同等水平	覆盖全部先进封装湿法设备，包括涂胶、显影、去胶、 刻蚀、刷洗、清洗、先进封装电镀（含在 ECP电化学电 镀技术中）等。随着先进封装技术不断进步，进行进一 步开发。
16	前道刷 洗设备 技术改 进与研 发	0.57	0.12	0.18	14nm以下工艺 验证	45-14nm 及以下工 艺	目标达到国 际同行业企 业同等水平	前道刷洗设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗， 可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流 体清洗等清洗工序。针对 14nm 及以下技术节点清洗技 术发展，进一步改进与研发。
合 计	/	19.65	1.69	7.86	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	460	292
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	45.63	41.95
研发人员薪酬合计	7,873.97	4,697.70
研发人员平均薪酬	18.42	17.93

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	6	1.30
硕士研究生	185	40.22
本科	225	48.91
专科	32	6.96
高中及以下	12	2.61
合计	460	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含30岁）	229	49.78
30-40岁（含30岁，不含40岁）	183	39.78
40-50岁（含40岁，不含50岁）	16	3.48
50-60岁（含50岁，不含60岁）	32	6.96
60岁及以上	0	0.00
合计	460	100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，公司兆声波单片清洗设备、单片槽式组合清洗设备及铜互连电镀工艺设备与国内及国际同行业企业的差别及核心竞争力体现的具体情况如下：

项目	盛美上海	中国同行 业企业	国际巨头
兆声波单片清洗设备
技术特点	通过控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长相对 运动，实现晶圆表面兆声波能量的均匀分布，解 决了传统兆声清洗中由于晶圆翘曲引起的兆声波 清洗不均一的难题；通过精确控制兆声波的输出 方式，使气泡在受控的温度下保持一定尺寸和形 状的振荡，将气泡振荡控制在稳定空化状态而不 会产生内爆或塌陷，解决了传统兆声波清洗过程 中由于气泡爆裂而引起的图形损伤问题。	主要为二 流体清洗 技术	主要采用化 学液体清洗 配合氮气雾 化水物理清 洗
技术节点及所 覆盖下游行业	SAPS技术目前已应用于逻辑28nm技术节点及 DRAM 19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片 14nm、DRAM 17/16nm技术节点、32/64/128层3D NAND、高深宽比的功率器件及TSV深孔清洗应 用，在DRAM上有70多步应用，而在逻辑电路 FinFET结构清洗中有近20步应用；TEBO技术主 要针对45nm及以下图形晶圆的无损伤清洗，目 前已应用于逻辑芯片28nm技术节点，已进行16- 19nm DRAM工艺图形晶圆的清洗工艺评估，并可 拓展至14nm逻辑芯片及nm级3D FinFET结构、 高深宽比DRAM产品及多层堆叠3D NAND等产品 中，在DRAM上有70多步应用，而在逻辑电路 FinFET结构清洗中有10多步应用。	相比公 司，其清 洗设备技 术节点较 落后、应 用领域较 窄	相比公司， 其已销售的 清洗设备应 用于5nm及 以上生产 线、应用领 域更广
晶圆尺寸	12英寸为主，也可用于8英寸功率器件的深沟槽 清洗	无明显差 异	无明显差异
市场占有率	中国市场较高，国际市场较低	中国市场 较低	中国市场较 高，国际市 场垄断
单片槽式组合清洗设备
技术特点	相比当前主流单片设备，可大幅减少硫酸使用 量；保持湿润及一定水膜厚度传送硅片至单片清 洗模块；在单片清洗模块中进行晶圆最终清洗， 清洗能力优于传统槽式清洗设备，可和单片清洗 设备相媲美。	-	-
技术节点及所 覆盖下游行业	应用包括前段干法蚀刻后聚合物及残胶去除，抛 光后研磨液残留物去除，离子注入后光刻胶残留 物去除，通孔前有机残留物去除等工艺，目前已 完成逻辑芯片逻辑40nm及28nm技术节点产线验 证，并可拓展至14nm逻辑芯片、20nm DRAM及以 上技术节点及64层及以上3D NAND，可用于20 步及以上的清洗高温硫酸及高温磷酸的清洗步 骤。	无此产品	无此产品
晶圆尺寸	12英寸为主	无此产品	无此产品
市场占有率	中国市场较低	无此产品	无此产品
铜互连电镀工艺设备
技术特点	利用多阳极局部电镀技术，采用精确可控电源分 别接通各个阳极，实现局部电镀，适用于超薄种 子层覆盖小孔及沟槽结构的无空穴电镀填充；独 立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提 供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场；电镀夹 具密封技术，通过全封闭式密封圈对接触电极的 保护，提高工艺性能和延长接触电极使用寿命， 降低工艺耗材成本；工艺腔体模块化设计，提升 设备有效运行时间。	-	采用虚拟阴 极电镀技 术，克服晶 圆边缘效 应，提高晶 圆内电镀均 匀性；配合 智能入水功 能，降低入 水造成的电 镀沉积缺 陷。
技术节点及所 覆盖下游行业	双大马士革铜互连结构铜电化学沉积工艺：55nm 至14nm及以上技术节点；先进封装凸块、再布 线、硅通孔、扇出工艺的电化学镀铜、镍、锡、 银、金等。	无此产品	双大马士革 铜互连结构 铜电化学沉 积工艺： 55nm至7nm 及以上技术 节点；支持 5nm及以下技 术节点在其 他材料上电 镀沉积铜。
晶圆尺寸	12英寸为主，也可用于8英寸铜工艺的应用	无此产品	无明显差异
市场占有率	中国市场低	无此产品	市场垄断

如上表所述，公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的SAPS/TEBO兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于12英寸的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。

公司预期，受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户仍然处于连续扩产阶段，进而能够带动清洗设备及镀铜设备在内的半导体制造设备需求保持稳定增长。



(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用 （未完）