[中报]澜起科技(688008):澜起科技2022年半年度报告

时间:2022年08月09日 20:51:13 中财网

原标题:澜起科技:澜起科技2022年半年度报告

公司代码:688008 公司简称:澜起科技 澜起科技股份有限公司 2022年半年度报告


重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人杨崇和、主管会计工作负责人苏琳及会计机构负责人(会计主管人员)苏琳声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 42
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 44
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 46
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 64
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 71
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 71
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 72



备查文件目录载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员 签名并盖章的公司半年度财务报表。
 载有公司法定代表人签字和公司盖章的半年报及摘要文件。
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司原件的正本及公告 原件。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、澜起 科技澜起科技股份有限公司
报告期2022年 1月 1日至 2022年 6月 30日
报告期末2022年 6月 30日
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
芯片、集成电路、IC一种微型电子器件或部件,采用一定的半导体制作工艺,把一个电路 中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件通过一定的布线 方法连接在一起,组合成完整的电子电路,并制作在一小块或几小块 半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电 路功能的微型结构。IC是集成电路(Integrated Circuit)的英文缩写
晶圆又称 Wafer、圆片、晶片,是半导体集成电路制作所用的圆形硅晶片。 在硅晶片上可加工制作各种电路元件结构,成为有特定电性功能的集 成电路产品
集成电路设计包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、绘制及 验证,以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程
混合安全内存模组采用具有澜起科技自主知识产权的内存监控技术,为数据中心服务器 平台提供数据安全功能的内存模组
流片为了验证集成电路设计是否成功,必须进行流片,即从一个电路图到 一块芯片,检验每一个工艺步骤是否可行,检验电路是否具备所需要 的性能和功能。如果流片成功,就可以大规模地制造芯片;反之,则 需找出其中的原因,并进行相应的优化设计——上述过程一般称之为 工程流片。在工程流片成功后进行的大规模批量生产则称之为量产流 片
工程样片提供给客户用来进行前期工程验证和评估的芯片
量产版本芯片通过客户评估及认证,用于量产和销售的最终版本芯片
数据中心数据中心是一整套复杂的设施,不仅包括计算机系统和其它与之配套 的设备(例如通信和存储系统),还包含冗余的数据通信连接、环境 控制设备、监控设备以及各种安全装置。它为互联网内容提供商、企 业、媒体和各类网站提供大规模、高质量、安全可靠的专业化服务器 托管、空间租用、网络批发带宽等业务。数据中心是对入驻企业、商 户或网站服务器群托管的场所;是各种模式电子商务赖以安全运作的 基础设施,也是支持企业及其商业联盟(其分销商、供应商、客户等) 实施价值链管理的平台
ASICApplication Specific Integrated Circuit的缩写,中文名称为专用集成电 路,是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成 电路,与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、 性能提高、保密性增强、成本降低等优点
BIOSBasic Input Output System,中文名称为基本本输入输出系统,是计算 机主板上一种标准的固件接口
CPUCentral Processing Unit的缩写,中文称为中央处理器,是一块超大规 模的集成电路,是电子产品的运算核心和控制核心
CKD芯片Clock Driver 的缩写,中文称为时钟驱动器芯片,随着 DDR5传输速 率持续提升,到 DDR5中期,原本不需要信号缓冲的 UDIMM、 SODIMM(主要用于台式机和笔记本电脑),将需要一颗时钟驱动器 (Clock Driver)对内存模组的时钟信号进行缓冲再驱动,从而提高时 钟信号的信号完整性和可靠性
CXLCompute Express Link的缩写,是一种开放性的互联协议标准,该标准 是 2019年初由英特尔公司牵头,多家国际知名公司共同推出,旨在提 供 CPU和专用加速器、高性能存储系统之间的高效、高速、低延时接 口,以满足资源共享、内存池化和高效运算调度的需求
Cache高速缓冲存储器
DDRDouble Data Rate的缩写,意指双倍速率,是内存模块中用于使输出增 加一倍的技术
DRAMDynamic Random Access Memory的缩写,中文名称为动态随机存取存 储器,是一种半导体存储器
DIMMDual Inline Memory Module,中文名称为双列直插内存模组,俗称“内 存条”
DBData Buffer的缩写,中文名称为数据缓冲器,用来缓冲来自内存控制 器或内存颗粒的数据信号
DSP Cluster多个 DSP(Digital Signal Processing)核心组成的计算单元,主要用于 通用向量计算
EmbeddingAI计算中将离散变量转为连续向量表示的一个方式
FPGAField Programmable Gate Array的缩写,中文名称为现场可编程逻辑门 阵列,属于专用集成电路中的一种半定制电路,是可编程的逻辑阵列, 既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的 缺点
Fabless没有晶圆厂的集成电路设计企业,只从事集成电路研发设计和销售, 而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成。有时也代 指此种商业模式
FBDIMMFully Buffered DIMM,中文名称为全缓冲双列直插内存模组,是在 DDR2的基础上发展出来的一种内存模组架构
GPUGraphics Processing Unit的缩写,中文名称为图形处理器,是一种专门 在个人电脑、工作站、游戏机和一些移动设备上做图像和图形相关运 算工作的微处理器
Gartner知名信息技术研究、咨询及顾问机构
I2C/I3C总线一种串行接口总线,用于多个主从设备之间的低速通信
JEDECJEDEC固态技术协会,为全球微电子产业的领导标准机构。旧称:电 子器件工程联合委员会(英文全称 Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC为缩写)
LPDDRLow Power Double Data Rate SDRAM,是 DDR SDRAM的一种,又称 为 mDDR(Mobile DDR SDRAM),是 JEDEC固态技术协会面向低功耗 内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电 子产品
LRDIMMLoad Reduced DIMM,中文名称为减载双列直插内存模组, DDR4 LRDIMM是采用了 RCD和 DB套片对地址、命令、控制信号及数据 信号进行缓冲的内存模组,主要应用于服务器
MCR内存模组Multiplexer Combined Ranks DIMM的缩写,中文名称为多路合并阵列 双列直插内存模组,是一种更高带宽的内存模组,采用了 DDR5 LRDIMM“1+10”的基础架构(即需要搭配 1颗 MCR RCD芯片及 10 颗 MCR DB芯 Graphics Processing Unit的缩写,中文名称为图形处理 器,是一种专门在个人电脑、工作站、游戏机和一些移动设备上做图 像和图形相关运算工作的微处理器片)。与 LRDIMM相比,MCR内 存模组可以同时访问内存模组上的两个阵列,提供双倍带宽,第一代 产品最高支持 8800MT/s速率
MCR RCDMCR DIMM中搭配的 RCD芯片,与用于 RDIMM/LRDIMM的 RCD 芯片相比,设计更为复杂、速率更高
MCR DBMCR DIMM中搭配的 DB芯片,与用于 LRDIMM的 DB芯片相比, 设计更为复杂、速率更高
MXCMemory Expander Controller的缩写,中文名称为内存扩展控制器,是 基于 CXL协议的高带宽高容量内存扩展模组的核心芯片,芯片支持 CXL1.1/CXL2.0,内置内存控制器可驱动 DDR4/DDR5内存模组,同 时通过 CXL接口和主机相连,为服务器系统提供高带宽低延迟的内存 访问性能,并且支持丰富的 RAS功能,MXC主要应用于大数据、AI、 云服务的内存扩展和池化
NVDIMMNon-volatile DIMM,中文名称为非易失性双列直插内存模组,使用非易 失性的 flash存储介质来保存数据,设备掉电关机后,NVDIMM模组上 面的实时数据不会丢失
NVMe SSDNon-Volatile Memory express Solid State Disk,指支持非易失性内存主 机控制器接口规范的固态硬盘
PCIePeripheral Component Interconnect Express的缩写,是一种高速串行计 算机扩展总线标准,可实现高速串行点对点双通道高带宽传输。是全 球应用最广泛的高性能外设接口之一,提供了高速传输带宽的解决方 案,已经在多个领域中得到广泛采用,其中包括高性能计算、服务器、 存储、网络、检测仪表和消费类电子产品等
PCIe 4.0/5.0/6.0 Retimer适用于 PCIe第四代/第五代/第六代的超高速时序整合芯片,主要解决 数据中心数据高速、远距离传输时,信号时序不齐、损耗大、完整性 差等问题
PMICPower Management IC的缩写,中文名称为电源管理芯片。本报告特指 在 DDR5内存模组上为各个器件提供多路电源的芯片
RCDRegistering Clock Driver的缩写,中文名称为寄存缓冲器,又称“寄存 时钟驱动器”,用来缓冲来自内存控制器的地址/命令/控制信号
RDIMMRegistered DIMM,中文名称为寄存式双列直插内存模组,采用了 RCD 芯片对地址、命令、控制信号进行缓冲的内存模组,主要应用于服务 器
Riser Card用于服务器内部的功能扩展卡或转接卡,旨在解决服务器空间有限、 无法将众多功能模块集成至主板的问题
SPDSerial Presence Detect的缩写,中文名称为串行检测。本报告特指串行 检测集线器,是专用于 DDR5内存模组的 EEPROM(带电可擦可编写 只读存储器)芯片,用来存储内存模组的关键配置信息
SerDesSERializer(串行器)/DESerializer(解串器)的缩写,是一种主流的 时分多路复用、点对点的串行通信技术,即在发送端将多路低速并行 信号转换成高速串行信号,经过传输媒体(光缆或铜线),最后在接 收端将高速串行信号重新转换成低速并行信号。作为一种重要的底层 技术,SerDes通常作为一些重要协议(比如 PCIe、USB、以太网等) 的物理层,广泛应用于服务器、汽车电子、通信等领域的高速互连
SRAMStatic Random-Access Memory的缩写,中文名称为静态随机存取存储 器,是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要 保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持,但当电力供应停止时, SRAM储存的数据还是会消失,主要用作 CPU与内存模组间的高速缓 存
SODIMMSmall Outline DIMM,中文名称为小型双列直插内存模组,主要应用 于笔记本电脑
TSTemperature Sensor的缩写,中文名称为温度传感器。本报告特指用来 实时监测 DDR5内存模组温度的传感器
UDIMMUnbuffered DIMM,中文名称为无缓冲双列直插内存模组,指地址和 控制信号不经缓冲器,无需做任何时序调整的内存模组,主要应用于
  桌面计算机
瑞萨电子Renesas Electronic Corporation,知名半导体企业,日本东京证券交易 所上市公司
IDTIntegrated Device Technology, Inc.于 2019年被瑞萨电子收购
RambusRambus Inc.,美国纳斯达克上市公司
英特尔Intel Corporation,世界知名的半导体企业,美国纳斯达克上市公司
三星电子世界知名的半导体及电子企业
海力士世界知名的 DRAM制造商
美光科技世界知名的半导体解决方案供应商
中电投控中国电子投资控股有限公司
嘉兴芯电嘉兴芯电投资合伙企业(有限合伙)
珠海融英珠海融英股权投资合伙企业(有限合伙)
上海临理上海临理投资合伙企业(有限合伙)
上海临丰上海临丰投资合伙企业(有限合伙)
上海临骥上海临骥投资合伙企业(有限合伙)
上海临利上海临利投资合伙企业(有限合伙)
上海临国上海临国投资合伙企业(有限合伙)
临桐建发上海临桐建发投资合伙企业(有限合伙)
上海临齐上海临齐投资合伙企业(有限合伙)
嘉兴宏越嘉兴宏越投资合伙企业(有限合伙)
嘉兴莫奈嘉兴莫奈股权投资合伙企业(有限合伙)
WLTWLT Partners, L.P.
Xinyun IXinyun Capital Fund I, L.P.
XinyunXinyun Capital Fund, L.P.
Xinyun IIIXinyun Capital Fund III, L.P.
Intel CapitalIntel Capital Corporation
SVIC No. 28 InvestmentSVIC No.28 New Technology Business Investment L.L.P.
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《公司章程》《澜起科技股份有限公司章程》



第二节 公司简介和主要财务指标
十三、 公司基本情况

公司的中文名称澜起科技股份有限公司
公司的中文简称澜起科技
公司的外文名称Montage Technology Co.,Ltd
公司的外文名称缩写Montage Technology
公司的法定代表人杨崇和
公司注册地址上海市徐汇区漕宝路181号1幢15层
公司注册地址的历史变更情况2021年度,公司注册地址发生变更 变更前注册地址为:上海市徐汇区宜山路 900号 1幢 A6 变更后注册地址为:上海市徐汇区漕宝路 181号 1幢 15层
公司办公地址上海市徐汇区宜山路900号1幢A6
公司办公地址的邮政编码200233
公司网址http://www.montage-tech.com/cn
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引-

十四、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名傅晓孔旭
联系地址上海市徐汇区宜山路 900号 1幢 A6上海市徐汇区宜山路 900号 1幢 A6
电话021-5467 9039021-5467 9039
传真021-5426 3132021-5426 3132
电子信箱[email protected][email protected]

十五、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、证券时报
登载半年度报告的网站地址http://www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点上海市徐汇区宜山路900号1幢A6
报告期内变更情况查询索引-

十六、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板澜起科技688008-

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
十七、 其他有关资料
□适用 √不适用

十八、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
营业收入1,927,334,132.29724,463,317.63166.04
归属于上市公司股东的净利润680,956,480.43307,846,788.00121.20
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润493,067,665.53177,747,195.31177.40
经营活动产生的现金流量净额617,991,509.65253,890,660.81143.41
 本报告期末上年度末本报告期末比上年 度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产9,031,983,536.218,390,699,376.467.64
总资产10,354,430,040.398,958,562,224.9415.58


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.600.27122.22
稀释每股收益(元/股)0.600.27122.22
扣除非经常性损益后的基本每股收益 (元/股)0.440.16175.00
加权平均净资产收益率(%)7.663.74增加 3.92个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率(%)5.542.16增加 3.38个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)10.6819.84减少 9.16个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期内公司实现营业收入 19.27亿元,较上年同期增长 166.04%,主要是因为:(1)互连?
类芯片产品线实现营业收入 12.36亿元,较上年同期增长 80.04%;(2)津逮服务器平台产品线实现营业收入 6.90亿元,较上年同期增长 17.3倍。

2、报告期内归属于上市公司股东的净利润较上年同期增长 121.20%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期增长 177.40%,主要是由于营业收入同比大幅增长,同时费用增长幅度较小。

3、报告期内公司经营活动产生的现金流量净额较上年同期增加 143.41%,主要是由于净利润增加所致。

4、报告期内公司基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期增长均是由于公司净利润增长所致。


十九、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


二十、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
越权审批,或无正式批准文件,或偶发性的税收返还、 减免866,535.64第十节 七、67
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切 相关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持 续享受的政府补助除外6,851,993.78第十节 七、67
委托他人投资或管理资产的损益3,529,706.84第十节 七、68
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持 有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、 衍生金融负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易 性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金 融负债和其他债权投资取得的投资收益215,772,176.96第十节 七、68、70
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-51,813.70第十节 七、74、75
结构性存款投资收益14,733,641.26第十节 七、68
减:所得税影响额53,813,425.88 
合计187,888,814.90 

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

二十一、 非企业会计准则业绩指标说明
√适用 □不适用
报告期内,公司股份支付费用为 0.66亿元,该费用计入经常性损益,对归属于母公司所有者的净利润影响为 0.57亿元(已考虑相关所得税费用的影响)。因此,报告期内剔除股份支付费用影响后的归属于母公司所有者的净利润为 7.38亿元,较上年同期增加 85.78 %;报告期内剔除股份支付费用影响后的归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为 5.50亿元,较上年同期增加105.92%。



第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司是一家集成电路设计企业,集成电路行业作为全球信息产业的基础,是世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 PC、互联网、智能手机、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用,成为现代日常生活中必不可少的组成部分。移动互联时代后,5G、云计算、AI计算、高性能计算、智能汽车等应用领域的快速发展和技术迭代,正推动集成电路产业进入新的成长周期。

集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业,属于资本与技术密集型行业。

2022年 6月,世界半导体贸易统计协会(WSTS)预测全球半导体市场将延续 2021年的增长态势,预计在 2022年增长 16.3%。

(1)服务器市场行业情况
?
公司主要产品内存接口及模组配套芯片、PCIe Retimer芯片、MXC芯片、津逮 CPU以及混合安全内存模组主要应用于服务器,因此,服务器行业的发展情况与公司业务紧密相关。服务器是数据中心的“心脏”,其本质是一种性能更高的计算机,但相较于普通计算机,服务器具有更高速的 CPU计算能力、更强大的外部数据吞吐能力和更好的扩展性,运行更快,负载更高。基于全球数据总量的爆发式增长以及数据向云端迁移的趋势,新的数据中心建设热度不减,同时围绕新增数据的处理和应用,云计算、人工智能、虚拟现实和增强现实等数字经济方兴未艾,服务器作为基础的算力支撑,从长远来看,整体服务器市场将持续保持高景气度。

根据 Gartner发布的报告显示:2022年第一季度,得益于超大规模数据中心的强劲需求以及疫情压制的企业市场的复苏,全球服务器市场高速增长,整体出货量为 330.5万台,同比增长 20.7%。

中国服务器市场保持高速增长态势,根据 Gartner发布的数据显示,2022年第一季度,中国服务器市场出货量为 89.7万台,同比增长 20.1%。随着国产品牌的竞争实力不断加强,国产品牌的服务器相关产品将在中国服务器市场享受更多的成长红利。

(2)内存模组行业情况
内存模组是当前计算机架构的重要组成部分,作为 CPU与硬盘的数据中转站,起到临时存储数据的作用,其存储和读取数据的速度相较硬盘更快。按应用领域不同,内存模组可分为:1、服务器内存模组,其主要类型为 RDIMM、LRDIMM,相较于其他类型内存模组,服务器内存模组由于服务器数据存储和处理的负载能力不断提升,对内存模组的稳定性、纠错能力以及低功耗均提出了较高要求;2、普通台式机、笔记本内存模组,其主要类型为 UDIMM、SODIMM。而平板、手机内存主要使用的 LPDDR通过焊接至主板或封装在片上系统上发挥功能。

内存模组行业的发展主要来自于技术的更新迭代和计算机生态系统的推动。内存模组的发展有着清晰的技术升级路径,JEDEC组织定义内存模组的组成构件、性能指标、具体参数等,2021年 DDR5第一子代相关产品已开始量产,内存模组正在从 DDR4世代开始向 DDR5世代切换,同时 JEDEC正在制定 DDR5第二子代、第三子代产品标准。内存模组与 CPU是计算机的两个核心部件,是计算机生态系统的重要组成部分,支持新一代内存模组的 CPU上市将推动内存模组的更新换代。支持 DDR5的主流桌面级 CPU已于 2021年正式发布,普通台式机/笔记本电脑 DDR5内存模组逐渐上量;未来随着支持 DDR5的主流服务器 CPU规模出货,DDR5服务器内存模组渗透率将持续提升。

全球 DRAM行业市场 90%以上的市场份额由三星电子、海力士及美光科技占据,他们也是公司内存接口芯片及内存模组配套芯片主要的下游客户。

(3)内存接口芯片及内存模组配套芯片行业情况
内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件,其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性,满足服务器 CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。

内存接口芯片的发展演变情况如下:

内存接口 芯片世代技术特点主要厂商研发时间跨度
DDR2最低可支持 1.5V工作电压TI(德州仪器)、英特尔、西门 子、Inphi、澜起科技、IDT等2004年-2008年
DDR3最低可支持 1.25V工作电压, 最高可支持 1866MT/s的运 行速率Inphi、IDT、澜起科技、Rambus、 TI(德州仪器)等2008年-2014年
DDR4最低可支持 1.2V工作电压, 最高可支持 3200MT/s的运 行速率澜起科技、IDT、Rambus2013年-2017年
内存接口 芯片世代技术特点主要厂商研发时间跨度
DDR5最低可支持 1.1V工作电压, 可实现 4800MT/s的运行速 率,并在此产品基础上,继 续研发 5600MT/s、6400MT/s 的产品澜起科技、瑞萨电子(原 IDT)、 Rambus2017年至今
从 2016年开始,DDR4技术的发展进入了成熟期,成为内存市场的主流技术。为了实现更高的传输速率和支持更大的内存容量,JEDEC组织进一步更新和完善了 DDR4内存接口芯片的技术规格,增加了多种功能,用以支持更高速率和更大容量的内存。在 DDR4世代,从 Gen1.0、Gen1.5、Gen2.0到 Gen2plus,每一子代内存接口芯片所支持的最高传输速率在持续上升,DDR4最后一个子代产品 Gen2plus支持的最高传输已达 3200MT/s。随着 JEDEC组织不断完善对 DDR5内存接口产品的规格定义,DDR5内存技术正在逐步实现对 DDR4内存技术的更新和替代。DDR5第一子代内存接口芯片相比于 DDR4最后一个子代的内存接口芯片,采用了更低的工作电压(1.1V),同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步。从 JEDEC已经公布的相关信息来看,DDR5内存接口芯片已经规划了三个子代,支持速率分别是 4800MT/s、5600MT/s、6400MT/s,预计后续可能还会有 1~2个子代,可见通过不断的技术创新,实现更高的传输速率和支持更大的内存容量将是内存接口芯片行业未来发展的趋势和动力。

根据 JEDEC组织的定义,在 DDR5世代,服务器内存模组上除了需要内存接口芯片之外,同时还需要配置三种配套芯片,包括一颗 SPD芯片、一颗 PMIC芯片和两颗 TS芯片;普通台式机、笔记本电脑的内存模组 UDIMM、SODIMM上,需要配置两种配套芯片,包括一颗 SPD芯片和一颗 PMIC芯片。

随着 DDR5传输速率持续提升,到 DDR5中期,原本不需要信号缓冲的 UDIMM、SODIMM(主要用于台式机和笔记本电脑),将需要一颗时钟驱动器(Clock Driver)对内存模组的时钟信号进行缓冲再驱动,从而提高时钟信号的信号完整性和可靠性,目前 JEDEC(固态技术协会)正在制定相应产品的标准。

为了满足不断增长的 AI处理对更高带宽、更高容量内存模组需求,JEDEC组织目前正在制定服务器 MCR内存模组相关技术标准。MCR内存模组采用了 LRDIMM“1+10”的基础架构,与普通 LRDIMM相比,MCR内存模组可以同时访问内存模组上的两个阵列,提供双倍带宽,第一代产品最高支持 8800MT/s速率,预计在 DDR5世代还会有两至三代更高速率的产品。服务器高带宽内存模组需要搭配的内存接口芯片为 MCR RCD芯片和 MCR DB芯片,与普通的 RCD芯片、DB芯片相比,设计更为复杂、速率更高。

目前 DDR5内存接口芯片的竞争格局与 DDR4世代类似,全球只有三家供应商可提供 DDR5第一子代的量产产品,分别是公司、瑞萨电子和 Rambus,公司在内存接口芯片的市场份额保持稳定。在配套芯片上,SPD和 TS目前主要的两家供应商是公司和瑞萨电子;PMIC的竞争对手更多,在初期竞争会更复杂。

关于 CKD芯片和 MCR RCD/DB芯片,公司正积极参与国际标准制定和产品研发。

(4)PCIe及 PCIe Retimer芯片行业情况
PCIe协议是一种高速串行计算机扩展总线标准,自 2003年诞生以来,近几年 PCIe互连技术发展迅速,传输速率基本上实现了每 3-4年翻倍增长,并保持良好的向后兼容特性。PCIe协议由PCIe 3.0发展为 PCIe 4.0,传输速率已从 8GT/s提升到 16GT/s,到 PCIe 5.0,传输速率将进一步提升到 32GT/s。2022年 1月,PCI-SIG协会正式发布了 PCIe 6.0标准规范,传输速率再次翻倍,达到 64GT/s。

随着 PCIe协议传输速率的快速提升,并依托于强大的生态系统,平台厂商、芯片厂商、终端设备厂商和测试设备厂商的深入合作,PCIe已成为主流互连接口,全面覆盖了包括 PC机、服务器、存储系统、手持计算等各种计算平台,有效服务云计算、企业级计算、高性能计算、人工智能和物联网等应用场景。

然而,一方面随着应用不断发展推动着 PCIe标准迭代更新,速度不断翻倍,另一方面由于服务器的物理尺寸受限于工业标准并没有很大的变化,导致整个链路的插损预算从 PCIe3.0时代的22dB增加到了 PCIe 4.0时代的 28dB,并进一步增长到了 PCIe 5.0时代的 36dB。如何解决 PCIe信号链路的插损问题,提高 PCIe信号传输距离是业界面临的重要问题。

一种思路是选用低损 PCB,但价格高昂,仅仅是主板就可能会带来较大的成本增加,而且并不能有效覆盖多连接器应用场景;另一种思路是引入适当的链路扩展器件如 Retimer,使用 PCIe Retimer芯片,采用模拟信号和数字信号调理技术、重定时技术,来补偿信道损耗并消除各种抖动的影响,从而提升 PCIe信号的完整性,增加高速信号的有效传输距离。

因此,PCIe Retimer芯片作为 PCIe协议升级迭代背景下新的芯片需求,其主要解决数据中心、服务器通过 PCIe协议在数据高速、远距离传输时,信号时序不齐、损耗大、完整性差等问题。相比于市场其他技术解决方案,现阶段 Retimer芯片的解决方案在性能、标准化和生态系统支持等方面具有一定的比较优势,未来根据系统配置,Retimer芯片可以灵活地切换 PCIe或 CXL模式,更受用户青睐。

而随着传输速率从 PCIe 4.0的 16GT/s到 PCIe 5.0的 32GT/S,再次实现翻倍,Retimer芯片技术路径的优势更加明显,Retimer芯片的需求呈“刚性化”趋势。有研究预测,到 PCIe 5.0时代,PCIe Retimer芯片有望为行业主流解决方案。

(5)AI芯片行业情况
报告期内 AI行业和市场继续快速发展,除了传统的监控和互联网等业务,AI应用在医学、商业领域的新应用不断增加。而 AI算法在自然语言处理(NLP)任务上的进步也推动了机器翻译、人机对话、智能文本分析等应用的推广。同时,由 AI应用所带动的 AI硬件市场也以两位数的年增速在不断增长。现阶段,按基本功能划分,AI芯片可分为训练芯片和推理芯片;按技术路径划分,AI芯片可分为 GPU、FPGA、ASIC芯片;从终端应用场景来看,除了传统的视频监控和互联网等业务,AI芯片在医学、商业领域的新应用不断增加。

目前 AI应用仍然处于算法快速迭代、对算力要求不断提高的阶段,包括 GPU、AI加速卡、CPU、FPGA在内的各类 AI硬件也在迭代发展。客户最关注的是单位价格带来的 AI算力规模及其功耗成本。数据中心的 AI硬件部署目前仍然以 GPU为主,但近两年来各类 AI专用的训练、推理硬件已经开始规模部署,并在相应场景下展现出功耗、性能、成本等方面的优势。


2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
(1)内存接口芯片及内存模组配套芯片
公司的内存接口芯片受到了市场及行业的广泛认可,公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术,为新一代服务器平台提供完全符合 JEDEC标准的高性能内存接口解决方案,是全球可提供从 DDR2到 DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一,在该领域拥有重要话语权。

产品标准制定方面,公司是全球微电子行业标准制定机构 JEDEC固态技术协会的董事会成员之一,在 JEDEC下属的三个委员会及分会中担任主席职位,深度参与 JEDEC相关产品的标准制定。其中,公司牵头制定 DDR5第一子代、第二子代内存接口芯片(RCD/DB)的标准,并积极参与 DDR5内存模组配套芯片标准制定。

技术实力方面,公司处于国际领先水平。公司发明的 DDR4全缓冲“1+9”架构被 JEDEC国际标准采纳,该架构在 DDR5世代演化为“1+10”框架,继续作为 LRDIMM的国际标准。在 DDR5世代,公司在内存接口芯片方面继续保持技术领先,进一步巩固了在该领域的优势。2022年 5月,公司在业界率先试产 DDR5第二子代 RCD芯片。

市场份额方面,公司在 DDR4世代逐步确立了行业领先优势,是全球可提供 DDR4内存接口芯片的三家主要厂商之一,占据全球市场的重要份额。在 DDR5世代,公司继续领跑,内存接口芯片的市场份额保持稳定。公司可为 DDR5系列内存模组提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案,是目前全球可提供全套解决方案的两家公司之一。

(2)PCIe Retimer芯片
公司是全球可量产 PCIe 4.0 Retimer芯片唯一的中国公司。公司 PCIe 5.0 Retimer芯片的研发进展顺利,有望成为国内首家可提供 PCIe 5.0 Retimer芯片的厂家,以及该细分领域中全球的重要供应商之一。

(3)MXC芯片
2022年 5月,公司发布全球首款 CXL内存扩展控制器芯片(MXC)。该 MXC芯片专为内存AIC扩展卡、背板及 EDSFF内存模组而设计,可大幅扩展内存容量和带宽,满足高性能计算、人工智能等数据密集型应用日益增长的需求。

?
(4)津逮服务器平台
?
津逮服务器平台是公司面向中国市场设计的本土服务器平台解决方案,其技术具有独创性、先进性,且该产品线可持续更新迭代。鉴于服务器 CPU以及内存模组的市场准入门槛较高,需要较长的测试及认证周期,公司作为行业生态的新进入者,需要一定时间在该领域立足。

?
经过多年的市场拓展,津逮服务器平台已具备一定的客户基础及市场份额,持续的更新迭代?
提高了津逮 CPU的产品竞争力,坚持不懈的客户导入和及时的本地服务也逐步获得客户与市场?
的认可。津逮服务器平台产品线 2022年上半年实现销售 6.90亿元,较上年同期增长 17.3倍。


二、报告期内公司所从事的主要业务
公司是一家国际领先的数据处理及互连芯片设计公司,致力于为云计算和人工智能领域提供?
高性能、低功耗的芯片解决方案,目前公司拥有两大产品线,互连类芯片产品线和津逮服务器平台产品线。其中,互连类芯片产品主要包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIe Retimer芯? ? ?
片、MXC芯片等,津逮服务器平台产品包括津逮 CPU和混合安全内存模组(HSDIMM )。同时,公司正在研发基于“近内存计算架构”的 AI芯片。

? 互连类芯片产品线
1、内存接口芯片
内存接口芯片是服务器内存模组(又称“内存条”)的核心逻辑器件,作为服务器 CPU存取内存数据的必由通路,其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性,满足服务器 CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套,并通过服务器 CPU、内存和 OEM厂商针对其功能和性能(如稳定性、运行速度和功耗等)的全方位严格认证,才能进入大规模商用阶段。因此,研发此类产品不仅要攻克内存接口的核心技术难关,还要跨越服务器生态系统的高准入门槛。

现阶段,DDR4及 DDR5内存接口芯片按功能可分为两类:一是寄存缓冲器(RCD),用来缓冲来自内存控制器的地址、命令、控制信号;二是数据缓冲器(DB),用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。RCD与 DB组成套片,可实现对地址、命令、控制信号和数据信号的全缓冲。仅采用了 RCD芯片对地址、命令、控制信号进行缓冲的内存模组通常称为 RDIMM(寄存双列直插内存模组),而采用了 RCD和 DB套片对地址、命令、控制信号及数据信号进行缓冲的内存模组称为 LRDIMM(减载双列直插内存模组)。

公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术,长期致力于为新一代服务器平台提供符合JEDEC标准的高性能内存接口解决方案。随着 JEDEC标准和内存技术的发展演变,公司先后推出了 DDR2 - DDR5系列内存接口芯片,可应用于各种缓冲式内存模组,包括 RDIMM及 LRDIMM等,满足高性能服务器对高速、大容量的内存系统的需求。目前,公司的 DDR4及 DDR5内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域,并占据全球市场的重要份额。

DDR4世代的内存接口芯片产品目前仍是市场的主流产品,报告期内以 DDR4 Gen2 Plus子代为主。公司 DDR4内存接口芯片子代产品及其应用情况如下:

DDR4内存接口芯片产品应用
Gen1.0 DDR4 RCD芯片DDR4 RDIMM和 LRDIMM,支持速率达 DDR4-2133
Gen1.0 DDR4 DB芯片DDR4 LRDIMM,支持速率达 DDR4-2133
Gen1.5 DDR4 RCD芯片DDR4 RDIMM和 LRDIMM,支持速率达 DDR4-2400
Gen1.5 DDR4 DB芯片DDR4 LRDIMM,支持速率达 DDR4-2400
Gen2 DDR4 RCD芯片DDR4 RDIMM和 LRDIMM,支持速率达 DDR4-2666
Gen2 DDR4 DB芯片DDR4 LRDIMM,支持速率达 DDR4-2666
Gen2 Plus DDR4 RCD芯片DDR4 RDIMM、LRDIMM和NVDIMM,支持速率达DDR4-3200
Gen2 Plus DDR4 DB芯片DDR4 LRDIMM,支持速率达 DDR4-3200

DDR5是 JEDEC标准定义的第 5代双倍速率同步动态随机存取存储器标准。与 DDR4相比,DDR5采用了更低的工作电压(1.1V),同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步,其支持的最高速率可能超过 6400MT/S,是 DDR4最高速率的 2倍以上。

公司 DDR5内存接口芯片产品及其应用情况如下:

DDR5内存接口芯片产品应用
Gen1.0 DDR5 RCD芯片DDR5 RDIMM和 LRDIMM,支持速率达 DDR5-4800
Gen1.0 DDR5 DB芯片DDR5 LRDIMM,支持速率达 DDR5-4800
Gen2.0 DDR5 RCD芯片DDR5 RDIMM和 LRDIMM,支持速率达 DDR5-5600
(1)DDR5第一子代 RCD芯片支持双通道内存架构,命令、地址和控制信号 1:2缓冲,并提供奇偶校验功能。该芯片符合 JEDEC标准,支持 DDR5-4800速率,采用 1.1V工作电压,更为节能。该款芯片除了可作为中央缓冲器单独用于 RDIMM之外,还可以与 DDR5 DB芯片组成套片,用于 LRDIMM,以提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。

(2)DDR5第一子代 DB芯片是一款 8位双向数据缓冲芯片,该芯片与 DDR5 RCD芯片一起组成套片,用于 DDR5 LRDIMM。该芯片符合 JEDEC标准,支持 DDR5-4800速率,采用 1.1V工作电压。在 DDR5 LRDIMM应用中,一颗 DDR5 RCD芯片需搭配十颗 DDR5 DB芯片,即每个子通道配置五颗 DB芯片,以支持片上数据校正,并可将数据预取提升至最高 16位,从而为高(3)2022年 5月,公司在业界率先试产 DDR5第二子代 RCD芯片。DDR5第二子代 RCD芯片支持双通道内存架构,命令、地址和控制信号 1:2缓冲,并提供奇偶校验功能。该芯片符合JEDEC标准,支持 DDR5-5600速率,采用 1.1V工作电压,更为节能。


2、DDR5内存模组配套芯片
根据JEDEC标准,DDR5内存模组上除了内存颗粒及内存接口芯片外,还需要三种配套芯片,分别是串行检测集线器(SPD)、温度传感器(TS)以及电源管理芯片(PMIC)。

公司 DDR5内存模组配套芯片产品及其应用情况如下:

DDR5内存模组配套芯片产品应用
DDR5 SPDDDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM和 SODIMM
DDR5 TSDDR5 RDIMM和 LRDIMM
DDR5 PMIC(低/高电流)DDR5 RDIMM和 LRDIMM
(1)串行检测集线器(SPD)
公司与合作伙伴共同研发了 DDR5第一子代串行检测集线器(SPD),芯片内部集成了 8Kbit EEPROM、I2C/I3C总线集线器(Hub)和温度传感器(TS),适用于 DDR5系列内存模组(如LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM等),应用范围包括服务器、台式机及笔记本内存模组。

SPD是 DDR5内存模组不可或缺的组件,也是内存管理系统的关键组成部分,其包含如下几项功能:
第一,其内置的 SPD EEPROM是一个非易失性存储器,用于存储内存模组的相关信息以及模组上内存颗粒和相关器件的所有配置参数。根据 JEDEC的内存规范,每个内存模组都需配置一个 SPD器件,并按照 JEDEC规范的数据结构编写 SPD EEPROM的内容。主板 BIOS在开机后会读取 SPD内存储的信息,并根据读取到的信息来配置内存控制器和内存模组。DDR5 SPD数据可通过 I2C/I3C总线访问,并可按存储区块(block)进行写保护,以满足 DDR5内存模组的高速率和安全要求。

第二,该芯片还可以作为 I2C/I3C总线集线器,一端连接系统主控设备(如 CPU或基板管理控制器(BMC)),另一端连接内存模组上的本地组件,包括 RCD、PMIC和 TS,是系统主控设备与内存模组上组件之间的通信中心。在 DDR5规范中,一个 I2C/I3C总线上最多可连接 8个集线器(8个内存模组),每个集线器和该集线器管理下的每个内存模组上的本地组件都被指定了一个特定的地址代码,支持唯一地址固定寻址。

第三,该芯片还内置了温度传感器(TS),可连续监测 SPD所在位置的温度。主控设备可通过 I2C/I3C总线从 SPD中的相关寄存器读取传感器检测到的温度,以便于进行内存模组的温度管理,提高系统工作的稳定性。

(2)温度传感器(TS)
公司与合作伙伴共同研发了 DDR5第一子代高精度温度传感器(TS)芯片,该芯片符合 JEDEC规范,支持 I2C和 I3C串行总线,适用于 DDR5服务器 RDIMM和 LRDIMM内存模组。TS作为 SPD芯片的从设备,可以工作在时钟频率分别高达 1MHz I2C和 12.5MHz I3C总线上;CPU可经 由 SPD芯片与之进行通讯,从而实现对内存模组的温度管理。TS是 DDR5服务器内存模组上重 要组件,目前主流的 DDR5服务器内存模组配置 2颗 TS。 (3)电源管理芯片(PMIC) 公司与合作伙伴共同研发了符合 JEDEC规范的 DDR5第一子代低/高电流电源管理芯片 (PMIC)。该芯片包含 4个直流-直流降压转换器,两个线性稳压器(LDO,分别为 1.8V和 1.0V), 并能支持 I2C和 I3C串行总线,适用于 DDR5服务器 RDIMM和 LRDIMM内存模组。PMIC的作 用主要是为内存模组上的其他芯片(如 DRAM、RCD、DB、SPD和 TS等)提供电源支持。CPU 可经由 SPD芯片与之进行通讯,从而实现电源管理。低电流电源管理芯片应用于 DDR5服务器较 小电流的 RDIMM内存模组,高电流电源管理芯片则应用于 DDR5服务器较大电流的 RDIMM和 LRDIMM内存模组。 公司 DDR5内存接口芯片及内存模组配套芯片示意图如下: 公司可为 DDR5系列内存模组提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案,是目前全球可提供全套解决方案的两家公司之一。


3、PCIe Retimer芯片
PCIe Retimer芯片是适用于 PCIe高速数据传输协议的超高速时序整合芯片,这是公司在全互连芯片领域布局的一款重要产品。

16GT/S),数据传输速度翻倍的同时带来了突出的信号衰减和参考时钟时序重整问题,这些问题较大限制了超高速数据传输协议在下一代计算平台的应用范围。PCIe 4.0的高速传输问题提高了对优化高速电路与系统互连的设计需求,加大了在超高速传输下保持信号完整性的研发热度。为了补偿高速信号的损耗,提升信号的质量,通常会在链路中加入超高速时序整合芯片(Retimer)。

PCIe Retimer芯片已成为高速电路的重要器件之一,主要解决数据中心数据高速、远距离传输时,信号时序不齐、损耗大、完整性差等问题。

2020年公司研发的 PCIe 4.0 Retimer芯片成功量产,该芯片采用先进的信号调理技术来补偿信道损耗并消除各种抖动源的影响,从而提升信号完整性,增加高速信号的有效传输距离,为服务器、存储设备及硬件加速器等应用场景提供可扩展的高性能 PCIe互连解决方案。该系列 Retimer芯片符合 PCIe 4.0基本规范,支持业界主流封装,功耗和传输延时等关键性能指标达到国际先进水平,并已与 CPU、网卡、固态硬盘、GPU和 PCIe交换芯片等进行了广泛的互操作测试。

公司 PCIe 4.0 Retimer芯片产品及其应用情况如下:

PCIe 4.0 Retimer芯片产品应用
8通道 PCIe 4.0 Retimer服务器、存储设备和硬件加速器
16通道 PCIe 4.0 Retimer服务器、存储设备和硬件加速器
公司的 PCIe 4.0 Retimer芯片可应用于 NVMe SSD、AI服务器、Riser卡等典型应用场景,同时,公司提供基于该款芯片的参考设计方案、评估板及配套软件等完善的技术支持服务,帮助客户快速完成导入设计,缩短新产品上市周期。PCIe 4.0 Retimer芯片的典型应用场景图示如下: 报告期内,公司正在研发 PCIe 5.0 Retimer芯片。 4、MXC芯片 MXC芯片是一款 CXL内存扩展控制器芯片,属于 CXL协议所定义的第三种设备类型。该芯 ? 片支持 JEDEC DDR4和 DDR5标准,同时也符合 CXL 2.0规范,支持 PCIe 5.0的速率。该芯片 可为 CPU及基于 CXL协议的设备提供高带宽、低延迟的高速互连解决方案,从而实现 CPU与各 CXL设备之间的内存共享,在大幅提升系统性能的同时,显著降低软件堆栈复杂性和数据中心总 体拥有成本(TCO)。 公司 MXC芯片示意图如下:

该 MXC芯片专主要用于内存扩展及内存池化领域,为内存 AIC扩展卡、背板及 EDSFF内存模组而设计,可大幅扩展内存容量和带宽,满足高性能计算、人工智能等数据密集型应用日益增长的需求,典型应用场景如下:

?
? 津逮服务器平台产品线
? ? ?
津逮服务器平台主要由澜起科技的津逮 CPU和混合安全内存模组(HSDIMM)组成。该平台具备芯片级实时安全监控功能,可在信息安全领域发挥重要作用,为云计算数据中心提供更为安全、可靠的运算平台。此外,该平台还融合了先进的异构计算与互联技术,可为大数据及人工智能时代的各种应用提供强大的综合数据处理及计算力支撑。

?
1、津逮 CPU
?
津逮 CPU是公司推出的一系列具有预检测、动态安全监控功能的 x86架构处理器,适用于? ?
津逮或其他通用的服务器平台。2021年,公司推出了更高性能的第三代津逮 CPU产品,旨在满?
足服务器市场对 CPU性能和安全性日益提升的需求。相较上一代产品,第三代津逮 CPU采用先进的 10nm制程工艺,支持 64通道 PCIe 4.0,最高支持 8通道 DDR4-3200内存,单插槽最大容量6TB。其最高核心数为 28核,最高基频为 3.1GHz,最大共享缓存为 42MB,实现了较大幅度的性?
能提升。此外,第三代津逮 CPU显著提升了各种标准的加解密、验签、数据完整性等密码应用的运算性能;丰富了内存保护机制,可对不同内存区域或内存全域进行加密保护;内置增强型深度学习加速技术,带来了更为出色的人工智能推理和训练能力。该款服务器 CPU支持公司独有的安全预检测(PrC)技术,可在公司认证的可信环境中对处理器行为进行安全预检测,以排查预定应用场景下的处理器异常行为,从而保障处理器的安全,特别适用于金融、交通、政务、能源等对硬件安全要求较高的行业。

?
报告期内,公司正在研发第四代津逮 CPU。

?
2、混合安全内存模组(HSDIMM)
?
混合安全内存模组采用公司具有自主知识产权的 Mont-ICMT(Montage, Inspection & Control on Memory Traffic)内存监控技术,可为服务器平台提供更为安全、可靠的内存解决方案。目前,?
公司推出两大系列混合安全内存模组:标准版混合安全内存模组(HSDIMM)和精简版混合安?
全内存模组(HSDIMM -Lite),可为不同应用场景提供不同级别的数据安全解决方案,为各大数据中心及云计算服务器等提供了基于内存端的硬件级数据安全解决方案。

? ?
津逮服务器平台主要针对中国本土市场,截至目前,已有多家服务器厂商采用津逮服务器平台相关产品,开发出了系列高性能且具有独特安全功能的服务器机型。这些机型已应用到政务、交通等领域及高科技企业中,为用户实现了计算资源池的无缝升级和扩容,在保障强劲运算性能的同时,更为用户的数据、信息安全保驾护航。

? AI芯片
1、AI芯片解决方案概述
公司在研的 AI芯片解决方案由 AI芯片等相关硬件及相应的适配软件构成,采用了近内存计算架构,主要用于解决 AI计算在大数据吞吐下推理应用场景中存在的 CPU带宽、性能瓶颈及 GPU内存容量瓶颈问题,为客户提供低延时、高效率的 AI计算解决方案。

AI芯片是上述解决方案的核心硬件,主要由 AI计算子系统、CXL控制器、DDR内存控制器等模块组成,其中 AI计算子系统具有较强的可扩展性,包含了 DSP Cluster和 AI Core Cluster,DSP 支持通用向量计算,AI Core支持矩阵和张量计算。该芯片面向大数据场景下 AI的应用进行了针对性设计,集成了 AI高性能计算、异构计算、CXL高速接口技术、DDR内存控制技术等相关技术,具有对大容量数据搜索和排序等高效的硬件加速功能,并且兼具数据压缩和数据加解密等功能。

同时,公司的 AI芯片解决方案将支持完善的 AI软件生态,能够针对性地对各类 AI算法和模型进行软硬件联合深度优化,可支持业内主流的各类神经网络模型,比如视觉算法、自然语言处理和推荐系统等方向,有利于后续软硬件生态建设及市场推广工作。

1、 AI芯片未来典型应用场景
公司在研的 AI芯片未来的典型应用场景如下:
(1)互联网领域大数据吞吐下的推荐系统。目前业界常规方案是将推荐系统中“Embedding(向量化)”、“Embedding Search(向量搜索)”两个主要步骤分别交由不同平台计算平台处理,由高算力的 GPU、FPGA或 ASIC芯片负责“Embedding”部分,由 CPU+大数据系统部署“Embedding Search”部分,这种步骤分割,产生大量的数据交换,并且由于硬件的限制,存在搜索效率的瓶颈。公司 AI芯片的目标是整合上述两个步骤,同时平衡算力和内存容量,使计算资源和内存得以高效利用,解决系统的效率瓶颈问题。

(2)医疗领域生物医学/医疗大图片流处理。目前业界常规方案是在 CPU中对大图片进行切割, 切割获取的子图通过 PCIe接口被传送到 GPU进行 AI处理;通过多次交互,最终实现一张大图的处理,该方案下同样受到二者之间的接口带宽及其内存的限制。公司的 AI芯片可大幅提升内存容量,减少甚至无需图片切割,同时 CXL接口可以充分利用 cache性能,并直接访问近内存计算模组的 DDR内存,从而提升接口的效率。

(3)人工智能物联网领域的大数据应用场景。

总体来说,公司 AI芯片解决方案的目标是在类似上述应用场景下,相较于传统方案,可以为客户提供更有效率、更具性价比的解决方案。

3、AI芯片的技术先进性
在 AI芯片解决方案的研发过程中,公司自主研发及系统整合了一系列关键的核心技术,攻克了在大数据高性能计算场景下存在的内存墙的技术难点,支持异构多核、高速稳定的互连互通以及与 x86软硬件生态的无缝兼容,提升了 AI推理计算和大数据吞吐应用场景下的运算效率。其技术先进性主要体现在:
(1)AI芯片整体架构采用“基于 CXL协议的近内存计算”这一创新的架构,旨在解决数据中心的 AI推理计算和大数据融合的业务场景下多方面用户痛点和技术难点; (2)AI计算引擎模块为交互计算的异构计算系统,同时融合高速 SRAM及自主研发硬件加速器,并兼备灵活的可编程多核异构设计思路,可同时进行处理命令和数据的高速交互,提高了运算效率;
(3)公司的 CXL控制器可实现 CPU与 AI芯片的高速交互,提供了大容量数据搜索和排序等高效的硬件加速功能,并且兼具数据压缩和数据加解密等特色功能; (4)完善的 AI软件生态,能够针对性地对各类 AI算法和模型进行软硬件联合深度优化,适用于业内主流的各类神经网络模型,并与主流软件框架的完全兼容和无缝对接; (5)自研的灵活可多维扩展的高性能计算核心具备模块设计的理念,有利于 AI芯片后续不断迭代升级。



二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
(1)核心技术及其先进性
公司具备自有的集成电路设计平台,包括数字信号处理技术、内存管理与数据缓冲技术、模拟电路设计技术、高速逻辑与接口电路设计技术以及低功耗设计技术,方案集成度高,可有效提高系统能效和产品性能。

公司历经十余年的专注研发和持续投入,成为全球可提供从 DDR2到 DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一。公司的核心技术完全基于自主知识产权,突破了一系列关键技术壁垒。由公司发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统框架,突破了 DDR2、DDR3的集中式架构设计,创新性采用 1颗寄存缓冲控制器为核心、9颗数据缓冲控制器芯片的分布结构布局,大幅减少了 CPU与 DRAM颗粒间的负载效应,降低了信号传输损耗,解决了内存子系统大容量与高速度之间的矛盾。该技术架构最终被 JEDEC国际标准采纳,提升了国际话语权,为推动国内集成电路设计产业的进步做出了显著的贡献。该架构已在 DDR5世代演化为“1+10”框架,继续作为 LRDIMM的国际标准。

公司提出了一种内存接口校准算法,发明了新型高速、低抖动收发器,解决了多点通讯、突发模式下内存总线的信号完整性问题。在服务器内存最大负载情况下,该技术可支持 DDR4内存实现最高速率(3200MT/s),达到国际领先水平。此外,公司还提出一种先进的内存子系统的低功耗设计技术,发明了新型自适应电源管理电路,并采用动态时钟分配等创新技术,显著降低了相关内存接口芯片产品的功耗。

在 DDR5内存接口芯片的研发过程中,公司的核心技术在原有的基础上经过持续不断技术创新与积累,建立了新一代 DDR5高速内存接口产品所需的关键设计技术,研发出高速高精度自动化测试技术与测试平台,加快了产品设计、全面评估与迭代速度,为 DDR5新一代系列产品的研发奠定了坚实的基础。

在高速接口应用领域,SerDes是一项非常重要的技术,公司正在持续投入研发,该项技术将为公司相关新产品的研发奠定基础。SerDes是 SERializer(串行器)/DESerializer(解串器)的简称,它是一种主流的时分多路复用、点对点的串行通信技术,即在发送端将多路低速并行信号转换成高速串行信号,经过传输媒体(光缆或铜缆),最后在接收端将高速串行信号重新转换成低速并行信号。作为一种重要的底层技术,SerDes是相关重要高速传输技术(比如 PCIe、USB、以太网等)的物理层基础,广泛应用于服务器、汽车电子、通信等领域的高速互连。


(2)核心技术在报告期内的变化情况
2022年上半年,公司在 DDR5内存接口芯片技术方面持续投入研发,保持在该领域核心技术
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
中国工业和信息化部、中国工 业经济联合会单项冠军示范企业2021-2023年DDR系列内存接口芯片

2. 报告期内获得的研发成果
2022年上半年,公司在多项产品的研发上取得积极进展,其中 2022年 5月公司发布全球首款 CXL内存扩展控制器芯片(MXC),并在业界率先试产 DDR5第二子代 RCD芯片。具体情况如下:
(1)互连类芯片
Ⅰ.DDR5内存接口芯片
2022年上半年,公司在业界率先试产 DDR5第二子代 RCD芯片,目前正在开展产品的质量及客户认证等工作,预计下半年完成量产版本的研发。同时,公司正在进行 DDR5第三子代内存接口芯片的研发。

Ⅱ.MCR RCD/DB芯片
2022年上半年,公司根据客户要求和 JEDEC相关标准的制定进度,有序进行相关产品的研发工作,公司已基本完成 DDR5第一子代 MCR RCD/DB芯片工程样片的设计工作,正在基于客户反馈意见及相关标准的更新进行工程样片流片前的优化准备工作。

Ⅲ.CKD芯片
2022年上半年,公司已完成 DDR5第一子代 CKD芯片工程样片的设计工作,计划在 2022年下半年完成工程样片的流片。

Ⅳ.PCIe Retimer芯片
2022年上半年,公司根据客户反馈意见及 PCIe标准的更新,正进行 PCIe 5.0 Retimer芯片量产版本的研发,计划在 2022年下半年完成量产版本的流片。

Ⅴ.MXC芯片
2022年上半年,公司已完成第一代 MXC芯片工程样片的研发,并开始送样给客户及合作伙伴进行系统验证,正在基于客户反馈意见及相关标准的更新进行量产版本的研发。


?
(2)津逮服务器平台
?
2022年上半年,公司正在开展的第四代津逮 CPU产品的研发工作。


(3)AI芯片
2022年上半年,公司持续推进 AI芯片的软硬件协同及性能优化,同时积极推进第一代 AI芯片工程样片流片前的准备工作。


公司在 2022年上半年新获各项知识产权情况如下:
A、专利
2022年上半年,公司新获授权的发明专利共 9项,具体如下:

序 号专利名称专利 类型专利号专利申请 日授权公告 日国家 或地 区
1驱动输出电路、芯片及驱动输出方法发明 专利ZL202011551720.92020/12/242022/3/18中国
2一种时间数字转换器、相位差的检测 方法发明 专利ZL201910219184.32019/3/212022/4/5中国
3用于对存储模块进行访问控制的装置 及方法发明 专利ZL201910320442.72019/4/192022/6/7中国
4通信装置发明 专利ZL201911212328.92019/12/22022/6/28中国
5MEMORY CONTROLLER AND METHOD FOR ACCESSING MEMORY MODULE发明 专利US11226768B22018/4/112022/1/18美国
6APPARATUS AND METHOD FOR TESTING A DEFECT OF A MEMORY MODULE, AND A MEMORY SYSTEM发明 专利US11257563B22020/7/22022/2/22美国
7TEST DEVICE AND METHOD WITH BUILT-IN SELF-TEST LOGIC发明 专利US11255906B22020/9/152022/2/22美国
8LAMINATE STRUCTURE AND TEST METHOD FOR DETECTING INTER-METAL DIELECTRIC LAYER DEFECTS发明 专利US11270918B22019/5/272022/3/8美国
9MEMORY CONTROLLER AND METHOD FOR MONITORING ACCESSES TO A MEMORY MODULE发明 专利US11360887B22020/11/302022/6/14美国

B、集成电路布图设计
2022年上半年,公司新获得 3项集成电路布图设计证书,具体情况如下:
序号布图设计名称登记号申请日创作完成日颁证日
1HN-RCDXS-B1BS.2255278202022/3/152021/9/102022/6/8
2HN-RCDXS-C0BS.2255278552022/3/152022/2/182022/6/15
3M88RCD4XS2P-C0BS.22552354X2022/3/42021/12/102022/6/10
(未完)
各版头条