[中报]中微公司(688012):2022年半年度报告
原标题:中微公司:2022年半年度报告 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2022年半年度报告 中微公司董事长尹志尧致辞 设备产业，更成为人们最关注的硬科技产业。作为国内外半 导体高端设备的领先公司，中微公司顺应这一形势，迎来了大发展的机会。今年上半年，在上海新冠疫情严重肆虐的情况下，公司坚持“封控不停产，营运零感染”，与客户和供应厂商密切合作，在复杂的形势中紧抓机遇，产量和质量齐头并进，取得了超预期的成绩。在过去的十年中，公司的营业收入一直以高于 35%的年平均增长速度持续增长。在 2021年比 2020年全年新增订单金额增长 90.46% 达到 41.29亿元、营业收入增长 36.72% 达到 31.08亿元的基础上，公司 2022年上半年新签订单金额又同比增长了约 61.83% 达到 30.57亿元，营业收入同比增长了 47.30% 达到 19.72亿元，扣非归母净利润同比增长了 615.26% 达到 4.41亿元。公司的综合竞争优势继续得到强化和提升，各项营运的指标 KPI已达到国际先进半导体设备企业的水平。公司特别重视团队总能量的最大化和在市场上竞争的净能量最大化，劳动生产率不断提高，报告期内人均年化营业收入已达到 350万元。今年上半年公司还制定并发布了“中微防新冠 40条守则” 和“防疫小贴士”，对外分享公司防疫及复工复产的成功实践经验，起到了很好的作用。 由于光刻机的波长限制以及存储器件从二维到三维的演变，等离子体体刻蚀机已成为集成电路前端设备销售增长最快的设备，全球超过了相当于 1400亿人民币的市场，我国达到约 350亿人民币市场。作为公司的主打产品，我们经过 18年的努力，已经开发出有技术创新和产品差异化的、完整的刻蚀设备系列，可以覆盖绝大多数的刻蚀应用。包括 CCP电容性高能等离子体刻蚀设备和 ICP电感性低能等离子体刻蚀设备。而且这两种设备既有单反应台的反应器，可加工最高端的应用，也有双反应台的反应器，通过一次加工两片晶圆，为客户提供极高输出量和极低加工成本的解决方案。今年上半年，公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，等离子体刻蚀设备及 MOCVD设备等核心业务保持了高速和稳定的增长。公司的 CCP电容性高能等离子体刻蚀设备持续得到众多客户的批量订单，市场占有率不断提升，在一些主要客户的生产线上已达到 30% 甚至更高的市场占有率；产品正在国际一流的 5纳米晶圆生产线的部分刻蚀应用上稳定可靠的进行大生产，并在 5纳米以下的器件试生产上取得可喜的进展。ICP电感性低能等离子体刻蚀设备刻蚀线宽均匀性已达到 1? 0.25纳米的水平，在进入市场三年后已打下坚实的基础，不断地核准更多的刻蚀应用，年销售额以超过 100%的速度持续增长。公司正在开发的用于逻辑器件大马士革刻蚀及用于极高深宽比应用的刻蚀机取得了很好的进展，将陆续进入市场。 公司经过十多年的努力，制造氮化镓基 LED的关键设备 MOCVD设备已成为国内和国际第一的占绝对领先地位的设备。公司新开发的制造 Mini-LED蓝光和绿光器件的 MOCVD设备达到了单腔 41片 4英寸外延芯片加工能力，发光波长的均匀性达到 1? 0.8纳米水平。在去年进入市场连续获得批量订单的基础上，今年上半年又获得了多家客户的大批量订单。公司也正在开发用于氮化镓和碳化硅功率器件和制造Micro-LED的 MOCVD专用设备。除此以外，公司也在开发集成电路前端所需要的低压化学气相沉积设备（LPCVD）和生长硅及锗硅极关键的外延设备（EPI），并已取得了可喜的进展。公司还在筹划开发用于更先进微观器件制程的薄膜设备和刻蚀设备。 中微开发的一系列微观加工的设备产品都已在性能和性价比上进入国际三强行列，有些产品甚至进入二强和一强地位。 公司继续瞄准世界科技前沿，坚持三维发展战略：在继续聚焦集成电路关键设备领域、继续扩展泛半导体关键设备领域的基础上，不断探索中微核心技术在其他新兴领域的发展机会。中微的子公司：聚焦环境保护节能减排设备的 “中微惠创”、开发中小企业营运软件系统的 “中微汇链”，以及探索数码技术在大健康领域广泛应用的 “芯汇康” 都取得了良好的进展。公司将继续坚持以有机生长为核心，不断组建新的团队，开发更多有竞争力的设备产品；同时积极通过投资和并购，实现外延更快的横向发展。公司积极参与符合企业发展战略的 30多个投资项目，积极谨慎布局产业链上下游部分重点领域，致力于获得战略协同效应并兼顾良好的经济效益。公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展，得到了市场认可和用户的积极评价。公司参股投资的天岳先进、拓荆科技、德龙激光已在科创板挂牌上市。报告期内，公司通过对外投资，进一步巩固产业链协同效应，完善公司业务布局。 为了确保公司今后十到十五年的高速发展，公司正在进行三个重大项目建设。在南昌的约 14万平方米的生产和研发基地已部分完工，部分生产洁净室于 2022年 7月投入试生产；公司在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基地建设也已大部分封顶，明年年初就可以部分投入使用；上海临港滴水湖畔约 10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设。未来两年时间，公司会有比现在十五倍大的厂房陆续建成，使中微有足够的研发、生产和营运的空间，为今后的大发展夯实基础。 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断提高水平。公司总结过去 18年的成长及发展的历程，学习国内外先进的高科技企业的发展经验，继续改进和升华中微“四个十大”的企业文化，包括 “产品开发的十大原则”、“战略和销售的十大准则”、“营运管理的十大章法” 和“精神文化的十大作风”。公司将持续锻造并提升经营管理能力，实现高速、稳定、健康和安全的发展，力争成为国内外一流的半导体设备和高科技领先企业！ 中微公司董事长兼总经理：尹志尧 2022年 8月 10日 重要提示 一、本公司董事会及除杨征帆外的董事、监事、高级管理人员保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。 杨征帆董事、监事、高级管理人员无法保证本报告内容的真实性、准确性和完整性，理由是：无法取得联系。请投资者特别关注。 二、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。 三、未出席董事情况
四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧）、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义..................................................................................................................................... 8 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................................................................... 10 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 14 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 42 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 44 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 45 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 65 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 69 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 69 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 70
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
在 2021年比 2020年全年新增订单金额增长 90.46% 达 41.29亿元、营业收入增长 36.72%达31.08亿元的基础上，公司 2022年上半年新签订单金额同比增长约 61.83%达 30.57亿元，营业收入同比增长 47.30%达 19.72亿元，扣非归母净利润同比增长 615.26% 达 4.41亿元。公司 2022年上半年刻蚀设备收入为 12.99亿元，较去年同期增长约 51.48%，毛利率达到 46.05%；其中CCP刻蚀设备上半年收入 8.86亿元，同比增长 13.98%；ICP刻蚀设备上半年收入 4.13亿元，同比增长 414.08%；公司 2022年上半年 MOCVD设备收入为 2.41亿元，较去年同期增长约9.90%，本期 MOCVD设备的毛利率达到 35.42%，较去年同期增长约 4.65%。 2022年上半年度归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润较上年同期增加约 3.79亿元，增长幅度为 615.26%，主要系 2022年上半年公司营业收入和毛利同比均有大幅增长。 2022年上半年度归属于上市公司股东的净利润较上年同期增加约 0.71亿元，增长约 17.94%，主要系：（1）本期收入和毛利增长下扣除非经常性损益后的归母净利润较上年同期增加约 3.79亿元；（2）本期非经常性损益较去年同期减少 3.08亿元。非经常性损益变动主要包括：本期计入非经常经损益的政府补助较去年同期减少约 2.03亿元；公司本期因股权投资产生的公允价值变动收益较去年同期减少约 1.77亿元，主要是由于公司持有的中芯国际和天岳先进的股票价格在本期有所下降。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位:万元 币种:人民币
第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所属行业情况 半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键。没有能加工微米和纳米尺度的光刻机，等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。 近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的最重要的引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的发展。SEMI《全球半导体设备市场统计报告》显示，2022年全球芯片设备支出预计在去年增长 43.8%的基础上，又将比去年同期增长 20%，创下 1090亿美元的历史新高。 中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升，已经占到了 25%， 连续两年达到全球设备市场的第一位。中国大陆的本土半导体设备产业也已初具规模。虽然在设备的门类，性能和大规模量产的能力等方面和国外设备还有一定的差距，但短板就是机会，我国的半导体设备产业有极大的生长空间和机会。 最近，微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的革命性变化。存储器件从 2D到 3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合拳“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，市场的年平均增长速度各达到 17%和 16%，远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了成长机会。 近年来泛半导体产业的发展和非常迅猛。 三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的 MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路在很多种设备，很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD设备实现。而且这个设备的大部分市场在中国大陆。近年来，中国 LED芯片产业的快速发展带动了作为产业核心设备的 MOCVD设备需求量的快速增长，特别是从 2021年下半年到 2022年 Mini-LED显示屏产业和功率器件等多种产业的大发展，迎来了一个 MOCVD市场需（二）公司主营业务情况 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿， 基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外 延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。 公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从 65纳米到 14纳米、7纳米和 5纳米及更 先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司 MOCVD设备在行业领先客户的生产线 上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED设备制造商。 2022年 6月底，公司设备累计付运台数达 2654个反应台，在客户 73条生产线全面量产。 公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下： 1、刻蚀设备
报告期内，公司主营业务未发生变化。 （三）主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备和 MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。 4、生产模式 公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。 5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜沉积设备和 MOCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进水平。 1、刻蚀设备技术 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的 12英寸高端刻蚀设备已运用在国内外知名客户 65纳米到 5纳米及更先进的芯片生产线上；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出 5纳米及更先进刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖 5纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。 在 3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64层、128层及更高层数 NAND的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖 200层以上极高深宽比的关键刻蚀应用以及其他关键刻蚀应用的刻蚀设备和工艺。 此外，公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发，以满足 5纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的 DRAM芯片和 200层以上的 3D NAND芯片等产品的刻蚀需求，并进行高产出的电感性等离子刻蚀设备的研发。 2、MOCVD设备技术 ? ? 公司的 MOCVD设备 Prismo D-Blue、Prismo A7能分别实现单腔 14片 4英寸和单腔 34片? 4英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD市场中占据领? 先地位。公司研发了用于制造深紫外光 LED的高温 MOCVD设备 Prismo HiT3，已在行业领先客户端用于深紫外 LED的生产验证并获得重复订单；用于 Mini LED生产的 MOCVD设备? Prismo UniMax，实现了单腔 41片 4英寸外延芯片加工能力，发光波长的均匀性达到 1?? 0.8纳米。该设备已在领先客户端开始进行规模生产，并取得 180台的客户订单；制造硅基氮化镓功率器件用 MOCVD设备已在客户芯片生产线上验证；此外，制造 Micro LED应用的新型MOCVD设备以及用于碳化硅功率器件应用的外延设备等也正在开发中。 3、低压化学气相沉积设备（LPCVD）技术 公司所开发的 LPCVD设备具有创新的设计，独立的知识产权和优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用，以及 64层、128层和 200层以上 3D NAND中的多个关键应用，目前已通过关键客户的工艺验证，并积极推进设备在客户产线进行量产验证。公司还在持续研发新的填充工艺方案，以满足更高深宽比接触孔及沟道电极的需求。公司的原子层沉积设备的研发也在积极推进中，所开发的设备能够满足先进存储器件和逻辑器件金属阻挡层的应用，以及先进逻辑器件中金属栅极的应用。 4、外延设备（EPI）技术 面向 28纳米及以下的逻辑器件、存储器件和功率器件等的广泛应用，公司正在开发拥有自主知识产权的外延设备（EPI），以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。 产品有极其创新的外延反应器设计，能够实现最佳的气流场均匀性和高温加热均匀性，也有独特的预清洁反应器设计，能够达到极佳的表面清洁效果。目前该设备研发进展顺利，已进入样机的制造和调试阶段。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 具体内容见下表。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 √适用 □不适用 公司依据企业会计准则的规定，在研发项目满足特定条件后将相关研发投入予以资本化。本期研发投入资本化的比重较上年同期减少 5.93个百分点，这主要系本期对新研发项目投入较多，由于新研发项目尚未达到可资本化条件，大部分仍处于费用化阶段，因此本期的研发投入资本化比率较低。 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：亿元
5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。 （一）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势 中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。 中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有近 40年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士、杨伟先生、李天笑先生、郭世平博士、苏兴才博士和刘身健博士等各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创 立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，为公司产品和技术发展做出了不可 替代的贡献。 中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验 的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员 496 名，占员工总数的 41.40%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力 学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不 断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及 MOCVD设备，并实现了 大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。 公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务 不断创新改进。 （二）持续高水平的研发投入，提前布局产业发展 持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定 性和一致性提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间 的技术积累才能进入该领域。 公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自 主研发和创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比，报告期内研发投入达到 3.46亿元，占营业收入的比重为 17.56%，研发投入同比增长 20.88%。公司具有一支技术精湛、 勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障 力量。 公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截 至 2022年 6月 30日，公司已申请 2,085项专利，其中发明专利 1,799项；已获授权专利 1,189 项，其中发明专利 1,011项。 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的 12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在 3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备技术和电感性等离子体刻蚀设备技术均已应用于客户 64层、128层及更高层数NAND的量产，市场占有率不断提升，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的? ? MOCVD设备 Prismo A7、Prismo UniMax能分别实现单腔单腔 34片 4英寸和 41片 4英寸外延? 片加工能力。公司的 Prismo A7与 Prismo UniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基 LED MOCVD市场中占据领先地位。公司和诸多一流的 LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司所开发的钨沉积设备具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用，以及 64层、128层和 200层以上 3D NAND中的多个关键应用，目前已通过关键客户的工艺验证，并积极推进设备在客户产线进行量产验证。公司的原子层沉积设备的研发正在积极推进中，所开发的设备能够满足先进存储器件和逻辑器件金属阻挡层的应用，以及先进逻辑器件中金属栅极的应用。公司还正在开发拥有自主知识产权的外延设备（EPI），采用优化的反应腔室设计，能实现气流场均匀性和高温加热均匀性。公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。 （三）持续优化营销和服务网络，打造客户认证及服务优势 经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及 MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已广泛进入了海内外半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。 半导体设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。随着全球半导体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客户维护。 公司良好的产品性能表现以及专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。 （四）持续拓展设备品类，扩大产品覆盖优势 公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED等不同的下游半导体应用市场，具有不同的周期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。 （五）建立全球化采购体系，持续提升公司生产交付的服务水平 公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球约 400家供应商建立了稳定的合作关系。同时，公司非常注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。 （六）充分发挥员工积极性，推动高效和谐的企业文化 公司高度重视企业管理文化建设，经过多年的实践发展，形成了以“产品开发的十大原则”“战略销售的十大准则”“营运管理的十大章法”“精神文化的十大作风”为核心的企业管理文化。秉承“攀登勇者，志在巅峰”企业精神，不断攀登新的发展高峰。 (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 数码产业越来越成为国民经济发展的最主要引擎，作为数码产业的基石，加工集成电路和各种微观器件的半导体设备产业，也越来越成为人们最关注的硬科技产业。作为国内外半导体高端设备的领先公司，中微公司顺应这一形势，迎来了大发展的机会。今年上半年，在上海新冠疫情严重肆虐的情况下，公司坚持“封控不停产，营运零感染”，与客户和供应厂商密切合作，设备付运台数保持增长，在复杂的形势中紧抓机遇，产量和质量齐头并进，取得了超预期的成绩。在2021年比 2020年全年新增订单金额增长 90.46% 达 41.29亿元、营业收入增长 36.72%达 31.08亿元的基础上，公司 2022年上半年新签订单金额同比增长约 61.83%达 30.57亿元，营业收入同比增长 47.30%达 19.72亿元，扣非归母净利润同比增长 615.26% 达 4.41亿元。公司的综合竞争优势继续得到强化和提升，各项营运的指标 KPI已达到国际先进半导体设备企业的水平。公司特别重视团队总能量的最大化和在市场上竞争的净能量最大化，劳动生产率不断提高，报告期内人均年化营业收入已达到 350万元。公司还制定并发布了“中微防新冠 40条守则”，分享公司防疫及复工复产的成功实践经验，起到了很好的作用。 公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，等离子体刻蚀设备及 MOCVD设备等核心业务保持了高速和稳定的增长。公司的 CCP高能等离子体刻蚀设备持续得到多个客户的批量订单，市场占有率不断提升；ICP低能等离子体刻蚀设备在进入市场三年后已打下坚实的基础，年销售以超过 100%的速度连续增长。公司新开发的制造 Mini-LED的 MOCVD设备刚进入市场一年，便获得了多家客户的大批订单，在国内外氮化镓基 MOCVD设备市场继续保持绝对领先地位。公司也正在开发用于氮化镓和碳化硅功率器件和制造 Micro-LED的 MOCVD专用设备。除此以外，公司也在开发低压化学气相沉积设备（LPCVD）和外延设备（EPI），并已取得了可喜的进展。公司还在筹划开发用于更先进微观器件制程的薄膜设备和刻蚀设备。 公司继续瞄准世界科技前沿，坚持三维发展战略：在继续聚焦集成电路关键设备领域、继续扩展泛半导体关键设备领域的基础上，不断探索中微核心技术在其他新兴领域的发展机会。中微的子公司：聚焦环境保护节能减排设备的 “中微惠创”、开发中小企业营运软件系统的 “中微汇链”，以及探索数码技术在大健康领域广泛应用的 “芯汇康” 都取得了良好的进展。公司将继续坚持以有机生长为核心，不断组建新的团队，开发更多有竞争力的设备产品；同时积极通过外延投资和并购，实现更快的横向发展。公司积极参与符合企业发展战略的多项投资机会，积极谨慎布局产业链上下游部分重点领域的投资，致力于获得战略协同效应并兼顾良好的经济效益。公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展，得到了市场认可和用户的积极评价。公司参股投资的天岳先进、拓荆科技、德龙激光已在科创板挂牌上市。报告期内，公司通过公司在南昌的约 14万平方米的生产和研发基地已部分完工，部分生产洁净室于 2022年 7月投入试生产；公司在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基地建设也已大部分封顶，上海临港滴水湖畔约 10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设。未来一两年时间，会有比现在十几倍大的厂房陆续建成，使中微有足够的研发、生产和营运的空间，为今后的大发展夯实基础。 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断提高水平。公司总结过去 18年的成长及发展的历程，学习国内外先进的高科技企业的发展经验，继续改进和升华中微“四个十大”的企业文化，包括 “产品开发的十大原则”、“战略和销售的十大准则”、“营运管理的十大章法” 和“精神文化的十大作风”。公司将持续锻造并提升经营管理能力，实现高速、稳定、健康和安全的发展，力争成为国内外一流的半导体设备和高科技领先企业。 报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。 公司持续打造领先设备公司市场形象，积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，并拓宽机台的生产能力以赢得更多的制程量产机会。 公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP刻蚀设备 ? ? 报告期内，公司 CCP刻蚀设备产品保持竞争优势，Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo ? ? SSC AD-RIE、Primo HD-RIE等产品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线，并持续提升市场占有率，在部分客户市场占有率已进入前三位。在先进逻辑电路方面，公司持续升级产品性能，成功取得 5纳米及以下逻辑电路客户的重复订单。在存储电路方面，公司的刻蚀设备在 64层、128层及更高层数 3D NAND的生产线得到广泛应用。随着 3D NAND芯片制造厂产能的迅速爬升，该等产品的重复订单高速稳步增长。同时，公司积极布局并拓展刻蚀设备在动态存储器的应用，随着更多工艺开发及验证通过，已经取得客户批量订单。公司积极与主流客户合作，定义下一代 CCP刻蚀机的主要功能及技术指标，正开发更先进的 CCP刻蚀机产品。 公司去年推出首台用于 8英寸晶圆加工的 CCP刻蚀设备，丰富了公司现有的刻蚀设备产品 线。该刻蚀设备基于已被业界广泛认可的 12英寸 CCP刻蚀设备的成熟工艺与特性，Primo AD- ? RIE 200在技术创新和生产效率方面都有了进一步提升，能够满足不同客户 8英寸晶圆的加工需 ? 求。为提高生产效率，Primo AD-RIE 200刻蚀设备可灵活配置多达三个双反应台反应腔（即六 ? 个反应台）。此外，Primo AD-RIE 200提供了可升级至 12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案， 可以满足客户生产线未来可能扩产的需求。报告期内该设备在国内多家客户累计收到超过 30腔 订单，同时，公司正在与更多客户合作进行工艺开发。 （图：Primo AD-RIE系列刻蚀机） （2）ICP刻蚀设备 ? 报告期内，公司 ICP刻蚀设备产品出货量保持高速增长。Primo nanova ICP刻蚀产品已经在超过 15家客户的生产线上进行 100多个 ICP刻蚀工艺的验证，工艺覆盖 3D NAND芯片、DRAM芯片及逻辑芯片，部分工艺的刻蚀性能和量产指标已经满足客户的要求并顺利投入量? 产，且持续扩展到更多刻蚀应用的验证。截止到 2022年 6月底，Primo Nanova已经顺利交付超过 220台反应腔，且在客户端完成验证的应用数量也在持续增加。报告期内，公司持续取得国际先进 3D NAND客户批量订单。 （未完）  |