[中报]长光华芯(688048):2022年半年度报告

时间:2022年08月15日 16:22:27 中财网

原标题:长光华芯:2022年半年度报告

公司代码:688048 公司简称:长光华芯






苏州长光华芯光电技术股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险,具体内容详见本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人闵大勇、主管会计工作负责人郭新刚及会计机构负责人(会计主管人员)郭新刚声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺, 请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性


十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义........................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ...................................................................... 7
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................ 11
第四节 公司治理 ................................................................................................ 34
第五节 环境与社会责任 .................................................................................... 36
第六节 重要事项 ................................................................................................ 38
第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................ 70
第八节 优先股相关情况 .................................................................................... 80
第九节 债券相关情况 ........................................................................................ 80
第十节 财务报告 ................................................................................................ 81



备查文件目录载有单位负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人 签名并盖章的财务报表文本
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司 文件的正本及公告的原稿
 载有公司法定代表人签名的2022年半年度报告及摘要原件



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、长光华芯苏州长光华芯光电技术股份有限公司
华丰投资苏州华丰投资中心(有限合伙),公司第一 大股东
苏州英镭苏州英镭企业管理合伙企业(有限合伙), 公司股东,核心管理团队持股平台
长光集团长春长光精密仪器集团有限公司,公司股东
国投创投(上海)国投(上海)科技成果转化创业投资基金企 业(有限合伙),公司股东
伊犁苏新伊犁苏新投资基金合伙企业(有限合伙), 公司股东
璞玉投资宁波璞玉股权投资合伙企业(有限合伙), 公司股东
中科院创投中科院科技成果转化创业投资基金(武汉) 合伙企业(有限合伙),公司股东
华科创投武汉东湖华科创业投资中心(有限合伙), 公司股东
达润长光宁波梅山保税港区达润长光股权投资合伙 企业(有限合伙),公司股东
国投创投(宁波)国投(宁波)科技成果转化创业投资基金合 伙企业(有限合伙),公司股东
苏州芯诚苏州芯诚企业管理合伙企业(有限合伙), 公司股东
苏州芯同苏州芯同企业管理合伙企业(有限合伙), 公司股东
橙芯创投苏州橙芯创业投资合伙企业(有限合伙), 公司股东
南京道丰南京道丰投资管理中心(普通合伙),公司 股东
哈勃投资哈勃科技创业投资有限公司,公司股东
激光研究院苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限 公司,公司全资子公司
《公司章程》现行有效的《苏州长光华芯光电技术股份有 限公司章程》
泵浦将能量供给粒子,使粒子由低能态跃迁至高 能态的过程
分立器件具有单独功能且功能不能拆分的电子器件, 依据芯片结构和功能的不同可以分为半导 体二极管、三极管、桥式整流器、光电器件 等
半导体激光器用半导体材料作为工作物质的激光器。具有 体积小、寿命长等优点,被广泛应用于激光 加工、激光通信、光存储、光陀螺、测距以 及雷达等方面,又称激光二极管
超快激光器用于发射超短脉冲的锁模激光器,例如,持 续时间为飞秒或皮秒的脉冲
固体激光器以固体材料为激光介质的激光器,通常以特 种灯或半导体激光器作为能量泵浦源(以半 导体激光器发出的光,泵浦晶体增益介质产 生光)
光纤激光器以掺有激活粒子的光纤为激光介质的激光 器,通常以半导体激光器作为能量泵浦源 (以半导体激光器发出的光,泵浦光纤增益 介质产生光)
光纤耦合把光纤的端面和激光芯片的出光面精密对 接起来,以使芯片发射光纤输出的光能量能 最大限度地耦合到接收光纤中去,并使其介 入光链路从而对系统造成的影响减到最小
合束一种通过叠加多个设备的输出从而实现激 光源功率调整的方法,本质上就是将多个激 光源的输出合成为一个单一的输出光束,即 便每个单一的激光器的功率不可调,但这种 可扩展的合束技术使得合成后的光源的功 率变成可调
VCSELVertical CavitySurface Emitting Laser 指垂直腔面发射激光芯片。此类芯片可以将 激光垂直发射而出,一方面简化生产工艺流 程,另一方面扩展了下游领域的应用
IDM垂直整合制造( Integrated Device Manufacture),指从设计,制造,封装测试 到销售自有品牌芯片都一手包办的半导体 垂直整合型公司
MOCVDMetal-organic Chemical Vapor Deposition (金属有机化合物化学气相沉 淀)的缩写,是在气相外延生长(VPE)的基 础上发展起来的一种新型气相外延生长技 术




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称苏州长光华芯光电技术股份有限公司
公司的中文简称长光华芯
公司的外文名称Suzhou Everbright Photonics Co.,Ltd
公司的外文名称缩写Everbright
公司的法定代表人闵大勇
公司注册地址苏州高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A 区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址苏州高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A 区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
公司办公地址的邮政编码215163
公司网址www.everbrightphotonics.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名叶葆靖杜佳
联系地址苏州高新区昆仑山路189号科技城 工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂 房-2-203苏州高新区昆仑山路189号科技 城工业坊-A区2号厂房-1-102、2 号厂房-2-203
电话0512-66896988-80080512-66896988-8008
传真0512-668063230512-66806323
电子信箱[email protected] mdongban@everbrightphotonics. com

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》、《证券时报》、《上海证 券报》、《证券日报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类股票上市交易 所及板块股票简称股票代码变更前股票简 称
A股上海证券交易 所科创板长光华芯688048不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期 比上年同 期增减 (%)
营业收入250,378,250.17190,742,603.1431.26
归属于上市公司股东的净 利润59,181,809.8347,449,163.5424.73
归属于上市公司股东的扣 除非经常性损益的净利润39,834,611.9632,344,490.6723.16
经营活动产生的现金流量 净额-109,834,364.48-22,383,858.27不适用
 本报告期末上年度末本报告期 末比上年 度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净 资产3,170,631,167.42637,342,088.22397.48
总资产3,510,117,646.80983,354,568.90256.95


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.49880.46666.91
稀释每股收益(元/股)0.49880.46666.91
扣除非经常性损益后的基本 每股收益(元/股)0.33570.31805.56
加权平均净资产收益率(%)8.808.85减少0.05个百分 点
扣除非经常性损益后的加权 平均净资产收益率(%)5.926.04减少0.12个百分 点
研发投入占营业收入的比例( %)21.6019.67增加1.93个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期内,公司营业收入同比增长31.26%。公司上半年积极应对全国疫情带来的不利影响,不断拓展新的产品及客户,保持着市场的持续稳定发展,同时新的生产场地的投入,产能大幅提高,为迎接未来广阔的市场奠定基础。

2、报告期内,公司加大研发投入,研发费用较上年同期增长44.19%,公司在注重高功率激光芯片研发的基础上,同时也加大VCSEL产品的研发力度。
3、报告期内,净利润及扣除非经常性损益的利润均较上年同期稳步增加,主要系营业收入增长的贡献。

4、报告期内,归属于上市公司股东净资产增长397.48%,总资产增长256.95%,除公司利润增长贡献外,大幅度增长主要系公司公开发行股票在科创板上市所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益-53,334.90 
越权审批,或无正式批准 文件,或偶发性的税收返 还、减免  
计入当期损益的政府补 助,但与公司正常经营业 务密切相关,符合国家政 策规定、按照一定标准定 额或定量持续享受的政府 补助除外17,813,093.35 
计入当期损益的对非金融 企业收取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企 业及合营企业的投资成本 小于取得投资时应享有被 投资单位可辨认净资产公 允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产 的损益  
因不可抗力因素,如遭受 自然灾害而计提的各项资 产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职 工的支出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易 产生的超过公允价值部分 的损益  
同一控制下企业合并产生 的子公司期初至合并日的 当期净损益  
与公司正常经营业务无关 的或有事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相 关的有效套期保值业务外, 持有交易性金融资产、衍生 金融资产、交易性金融负 债、衍生金融负债产生的公 允价值变动损益,以及处置 交易性金融资产、衍生金融 资产、交易性金融负债、衍 生金融负债和其他债权投 资取得的投资收益3,028,522.02 
单独进行减值测试的应收 款项、合同资产减值准备转 回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后 续计量的投资性房地产公 允价值变动产生的损益  
根据税收、会计等法律、 法规的要求对当期损益进 行一次性调整对当期损益 的影响  
受托经营取得的托管费收 入  
除上述各项之外的其他营 业外收入和支出-9,252.85 
其他符合非经常性损益定 义的损益项目24,941.60 
减:所得税影响额1,456,771.35 
少数股东权益影响额 (税后)  
合计19,347,197.86 

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 所属行业情况
公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。

半导体产业是现代信息产业的基础,广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。

半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域,而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品,由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。

半导体激光器引领光子时代,具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点,为下游激光器提供不同光子能量,除可以直接使用外,亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源,属于其核心器件及关键部件。因此,根据不同的光子类型,其下游激光器类型众多,应用领域较为广泛,具体情况如下:

光子类型激光器类型应用领域
能量光子光纤激光器泵浦打标、雕刻、切割、焊接、金属 3D打印等材料 加工领域,应用于航空航天、汽车制造、船舶制 造、钢铁冶金、3C电子、国家战略高技术等
 固体及超快激光器泵浦精密切割、打孔、剥离、去除、划片、调阻调频、 微纳结构加工,应用于半导体微电子、显示面板 与照明、航空航天、汽车、太阳能、3C电子、3D 增材制造等
 直接半导体激光器焊接、熔覆、淬火、表面热处理,应用于汽车制 造、发电设备、3C电子、航空航天、高铁、钢铁
光子类型激光器类型应用领域
  冶金等
 生物医学用激光器医美、理疗、手术、光动力
 定向能用激光器科研与国家战略高技术
信息光子光通信激光器接入网、主干网、数据中心;5G、物联网;
 硅光芯片数据传输与运算
 激光雷达与探测器3D人脸识别与辅助摄像、探测跟踪、安防监控、 无人驾驶、机器视觉、测距和尺吋测量
 传感器液体、气体等物质传感器、接近传感器等
 中远红外、太赫兹激光器检测与影像、光电对抗
显示光子红、绿、蓝三色激光器激光电视、激光投影、汽车车灯、激光照明等
我国在激光技术应用及高端核心技术方面与欧美发达国家存在一定差距,尤其上游半导体激光芯片等核心元器件仍依赖进口。以美国、德国、日本等为代表的发达国家在部分大型工业领域已经基本完成对传统制造技术的替换,步入“光制造”时代;我国激光应用虽发展迅速,但应用渗透率仍相对较低。

从目前发展情况来看,我国激光行业发展呈现以下几个发展趋势:(1)半导体激光芯片等核心部件逐步实现国产化;(2)激光应用领域渗透速度加快、范围变广;(3)向更高功率、更好光束质量、更短波长及更快频率方向发展;(4)用于高功率激光器的光电子元器件需求进一步增长。

作为产业升级的核心技术,激光行业将继续作为国家重点支持领域,并不断扩大应用范围,最终推动我国制造业向“光制造”时代迈进。公司将进一步加强技术研发能力,借助国内广阔的市场应用空间丰富产品应用场景,提升产品性能,提升其在激光行业的整体竞争力。

(二) 公司主营业务情况
公司聚焦半导体激光行业,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内,公司主营业务未发生重大变动。

公司牢记“中国激光芯,光耀美好生活”的企业使命,保持对半导体激光芯片的持续研发投入,不断强化技术创新,努力打造自主研发的核心能力。经过多年的研发和产业化积累,针对半导体激光行业核心的芯片环节,公司已建成覆盖芯片设计、艺平台和3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术, 是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时,依托公司高功率半导体 激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展,建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通 信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸,开发器件、模块及终端直接半导体 激光器,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。 (三) 公司主要产品情况 公司聚焦半导体激光行业,核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半 导体激光芯片的设计及量产能力,纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延 伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展,主要产品包括高功 率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系 列产品。 公司主要产品及下游应用场景

报告期内,公司主要产品系列如下:

高功率单 管系列产 品    
 高功率单管芯片高功率单管器件光纤耦合模块直接半导体激光器
高功率巴 条系列产 品    
 高功率巴条芯片高功率巴条器件阵列模块 
高效率 VCSEL 系 列产品    
 PS系列TOF系列SL系列 
光通信芯 片系列产 品    
 DFB系列PD系列EML系列 
(四) 主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售,通过向下游客户销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品的销售。

2、销售模式
公司主要通过对接下游厂家及终端用户,以直销方式进行销售。

对于成熟且有明确行业标准或规格的产品,公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。

对于新产品,公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先,公司根据客户需求进行产品设计、材料选型、样品制造等,对于芯片、器件类产品,由于涉及的性能参数较多,公司先行实施内部可靠性测试。然后将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后,客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后,客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货,多批次同时合格后,会转入批量供货阶段。

在产品定价策略上,公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本等因素,经过与客户谈判协商后,确定产品价格。

3、采购模式
公司制定了供应商管理制度,对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。根据公司对生产材料的需求,采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商,收集供应商资料,组织对供应商的能力进行调查,要求供应商提供样品,送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果,综合进行判定并确定合格供应商,加入合格供应商目录。

公司根据生产计划,综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素,经审批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性,公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材,考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性,适当保证一定的库存量。

对于交期短且单价低的材料,以月或周为单位,向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料,以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。

同时,公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司的要求及标准。公司对供应商进行定期考核,综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素,进行动态管理。

4、研发模式
公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础,确定研发方向,新产品从概念设计开始先后经历6个阶段,满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。


概念设计阶段
 
技术开发阶段
 
α样品阶段
 
β样品阶段
 
小批量阶段
 
量产阶段

(1)概念设计阶段(项目立项)
由市场销售部牵头,根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容,提出新项目导入申请,填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人,会签《产品阶段评审表》后交由品质部存档、受控、发行后,新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。

(2)技术开发阶段
根据概念设计阶段的资料,项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作,包含:确定技术开发性质,明确客户需求,明确参与人员、预算、工作计划,进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析,评估风险及对应的控制措施等。

(3)α样品阶段
研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析,制定工作计划、质量保证计划,确定外观指标,进行供应商开发评审,并开始试制。样品试制完成后,项目负责人整理产品验证的相关技术资料,并根据样品情况更新原理草图、设计方案,完善技术指标。

(4)β样品阶段
β样品生产前,研发项目团队根据市场销售部识别的信息,适时依:①原理草图、设计方案、外观指标;②质量保证计划、研发预算、成本分析;③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析等,制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件,制定正式生产工作计划并实施。β样品生产完成后,研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。

(5)小批量阶段
初步作业标准化试生产前,研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化,进一步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、环保分析等,依据β样品试产的技术资料和过程试验报告,制定试生产工作计划并实施。试生产完成后,进行客户认证。

(6)量产阶段
通过客户认证后,制造中心对产能进行评估,对设备投入实施管理,对人员、潜在失效模式及后果、安全和环境评估等进行分析,确认已具备量产能力,制定生产计划并组织实施。

5、生产模式
公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式,覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程,设计、制造等环节协同优化,有利于公司充分发掘技术潜力,有助于公司率先开发并推行新技术。

由于公司生产工序较多,生产周期较长,公司实行“订单式”生产为主,结合“库存式”生产为辅的生产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准,采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排,及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货,以备生产高峰期产能不足的情况。

此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。

此外,半导体激光行业迅猛发展,产品需求增幅较大,公司为保障生产的稳定性,会策略性地调整主材及通用半成品的库存储备。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司针对行业和市场发展动态,逐步探索并明确研发方向及产品演进路线,建立健全研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和研发过程管理,不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累,在核心技术方面屡获突破,打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时,针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势,公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累,构建了GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品;横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多系列的产品矩阵,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。核心技术先进性及具体表征如下:
序 号技术 类别核心技术名 称技术来源技术介绍及先进性的具体表征产品应用情 况
1器件 设计 及外 延生 长技 术高功率高效 率高亮度芯 片结构设计自主研发半导体激光器结构设计包括垂直快轴 结构设计、水平慢轴结构设计及纵向 结构设计,通过模拟计算器件的光斑 及载流子分布对器件结构进行优化, 综合考虑器件光斑、载流子、量子阱、 能带结构对器件阈值、斜率、电压、量 子效率等参数的影响,进行最优化设 计,提高芯片的效率、功率、光束质量、 电性能和可靠性,电光转换效率可达 60%至65%,高功率单管芯片可实现30W 激光输出,芯片可靠性超过 20000小高功率激光 单管/巴条 芯片、VCSEL 芯片、光通 信芯片
    时。 
2     
  分布式载流 子注入技术自主研发公司采用分布式载流子注入技术解决 半导体激光器空间烧孔效应,提高载 流子调制效率,寻找高效抑制激光器 高阶侧模的载流子调试注入方案,提 高半导体激光芯片的亮度,最高可达 2 80MW/cmsr。高功率激光 单管/巴条 芯片
3     
  MOCVD外延 生长技术自主研发激光器晶体材料采用高质量 MOCVD外 延技术实现。公司的 MOCVD外延生长 技术包括外延工艺、MOCVD外延设备改 进工艺,如针对温度场、气场分布与 III/V比等进行调整,并建立高铟组分 应变量子阱外延生长动力学模型,得 到高质量的外延晶体材料。高功率激光 单管/巴条 芯片、VCSEL 芯片、光通 信芯片
4     
  多有源区级 联的垂直腔 面发射 (VCSEL) 半导体激光 器的设计自主研发多节VCSEL的设计让VCSEL的多个有 源发光区通过隧道结串联起来共用上 下点极和 DBR层,实现低电流下成倍 的功率增长,器件的效率也大大提高, VCSEL芯片电光转换效率超过60%,可 提供更佳的激光光源。VCSEL芯片
5FAB晶 圆工 艺技 术低损伤刻蚀 工艺技术自主研发工艺流片(Wafer Fab)是通过光刻、 刻蚀、清洗、氧化、钝化工艺,将外延 晶圆的有源区制备出脊波导,通过磁 控溅射、电子束蒸发、电镀、研磨减薄、 退火、制备激光器正负电极并进行欧 姆接触合金化。公司建立步进式自动 化光刻、程序化全自动湿法刻蚀、自动 清洗等标准自动化工序,可进行3吋、 6吋外延晶圆流片。公司在Wafer Fab 工艺和设备方面有一定的技术积累, 可提高芯片的性能和可生产性。高功率激光 单管/巴条 芯片、VCSEL 芯片、光通 信芯片
6     
  薄膜氧化热 处理工艺技 术自主研发公司在外延片背面沉积了一层氧化 硅、氮化硅、三氧化二铝等介质材料, 通过调节材料的厚度和应力水平,降 低外延片的翘曲程度,提升薄膜密排 垂直腔面发射激光器制作中的光刻精 度,从而实现薄膜密排垂直腔面发射 激光器的制备。VCSEL芯片
7腔面 钝化 处理 技术高功率芯片 腔面技术/ 高COMD阈 值的腔面保 护技术自主研发腔面抗光学灾变损伤(COMD)是限制半 导体激光器输出功率和使用寿命的关 键因素,从COMD失效的原理出发,提 高COMD阈值的技术主要包括:(1)减 少腔面的光吸收;(2)降低非辐射复 合速率;(3)降低光子密度。通过采 用腔面钝化及无吸收窗口结构解决腔 面损伤问题,提高芯片的功率和寿命, 可实现 30W激光输出,芯片寿命达 20000小时。高功率激光 单管/巴条 芯片、光通 信芯片
8封装 技术大功率半导 体激光器芯自主研发半导体激光器的封装对芯片的性能有 极大的影响,封装需要提供电极及电高功率器件 及模块
  片封装技术 路、通过焊接来提供好的散热、不能有 空焊、控制应力。公司采用大功率半导 体激光器芯片封装技术进行半导体激 光器的封装,从而提高器件的偏振性 和可靠性。 
9高亮 度合 束及 光纤 耦合 技术高亮度光谱 合束技术自主研发半导体激光器增益高、增益范围宽,只 需少量反馈即可压制本身发出波长, 实现波长锁定。公司利用高亮度光谱 合束技术采用光栅+外腔结构进行波 长选择性反馈,实现波长锁定。但是过 多的反馈将导致输出功率降低,即整 体电光效率降低。而过低的反馈又将 导致反馈光无法压制半导体激光器自 身发出波长。因此,公司通过选择光栅 参数将波长选择性反馈调整至合理的 范围,提高光纤耦合模块的输出性能。光纤耦合模 块
10     
  高质量光纤 耦合技术自主研发半导体激光器光纤耦合模块出射激光 需要通过光束整形、合束、VBG等操作, 最后耦合进光纤。公司的高质量光纤 耦合技术可实现高质量的光束整形、 波长锁定,最终成功将出射激光进行 光纤耦合。光纤耦合模 块
11激光 系统 及应 用技 术激光镀膜技 术自主研发激光系统及应用技术主要指激光镀膜 技术,公司采用该技术可以将清洗后 的基底立刻进行覆膜的压合,相比传 统的清洗和压合工序,清洗后的基底 不会再次被污染,对压合工序不会造 成不良影响。直接半导体 激光器


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
截至2022年6月30日,公司已获授权专利109项,其中发明专利62项、实用新型专利41项、外观专利6项。


报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利133013562
实用新型专利024241
外观设计专利0076
软件著作权0000
其他0000
合计1332184109

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入54,088,050.0637,511,040.6944.19
资本化研发投入---
研发投入合计54,088,050.0637,511,040.6944.19
研发投入总额占营业收入比 例(%)21.6019.67增加1.93个百 分点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内,公司研发投入总额为5,408.81万元,较上年同期增长44.19%,主要系公司始终重视研发创新能力建设,持续加大研发投入,除高功率芯片模块方向,积极拓展高效率垂直腔面发射激光芯片(VCSEL)系列产品在新型产业的应用,不断提升产品的创新性及领先性。2022年上半年公司投入使用了新的研发中心,截止2022年6月30日,公司研发人员数量增至112人。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序 号项目名称预计总投 资规模本期投入金 额累计投入 金额进展 或阶 段性 成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1高性能激光芯 片研究及设备 技改项目31,670,0 00.00825,600.8320,175,1 13.15开发 阶段1)进行外延结构的设计优化、混合 材料体系的外延工艺优化、提高半 导体激光器高功率工作条件下的腔 面抗损伤能力及优化增益纵向分 布。 2)设计优化芯片流片工艺,提高芯 片的可靠性,重点突破芯片腔面特 殊处理技术与工艺、解决高可靠芯 片封装、高效率轻量化光学封装等 国产化、批量化生产技术。国内先进工业泵浦、科学 研究、生物医学、 激光装备等领域
2高性能VCSEL 芯片研究79,900,0 00.0023,971,277 .8066,834,5 89.29开发 阶段通过项目建设,补充高精度、高水 平研发生产条件,突破高效率有源 区外延结构设计与生长、低电阻 Esaki隧道结设计与生长、高可靠 性器件制备等关键技术,提升自主 创新能力,缩短国内3D成像VCSEL 芯片产品与国外差距,并通过建设 自主可控的VCSEL6吋外延生长、晶 圆工艺、封装测试产线,大幅提升国内先进短距离传感、3D 传感、生物医学
      3D VCSEL芯片6吋片产能,满足市 场需求,为高性能3D成像VCSEL芯 片研制提供条件保障。  
3高功率激光雷 达光芯片的研 发7,000,00 0.002,656,974. 272,656,97 4.27开发 阶段开展高功率雷达芯片及相关器件的 基础研究国内先进激光雷达
4垂直腔面发射 (VCSEL)半导 体激光芯片的 研发35,000,0 00.003,550,422. 223,550,42 2.22开发 阶段开展器件结构设计、外延层生长、 晶圆制造工艺等激光器关键技术的 研究,实现增益光场与载流子耦合 分布结构设计、DBR参数的准确控 制、高性能隧道结和量子阱、应力 平衡、低应力湿法氧化及低损伤干 法刻蚀等技术的突破国内先进人脸识别、辅助 摄像、激光雷达、 AR/VR
53-5μm中红 外量子级联激 光器的研发26,000,0 00.003,333,138. 3912,042,6 54.29开发 阶段FP 量子级联激光器中心波长 4.7μm,功率≥2W;DFB单纵模边发 射量子级联激光器中心波长 4.7μm,功率≥0.8W。国内先进量痕气体测量、 工业废气检测、 呼吸疾病检测
6高功率半导体 激光芯片的研 发70,000,0 00.0017,661,668 .4518,003,6 84.33开发 阶段制备拥有完全自主知识产权的高功 率半导体激光器芯片国际先进工业泵浦、科学 研究、生物医学、 激光装备等领域
7光纤耦合半导 体激光器泵浦 模块技术研发6,000,00 0.001,975,096. 102,350,10 3.11开发 阶段掌握高效高亮度半导体激光器泵浦 源的核心制备工艺,实现核心器件 自主可控国产化,满足超大功率光 纤激光器的泵浦应用要求国内先进固体激光器泵浦 源、直接材料加 工照明、生物医 学、科学研究
合 计/255,570, 000.0053,974,178 .06125,613, 540.66////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)112106
研发人员数量占公司总人数的比例 (%)26.5430.46
研发人员薪酬合计1,645.481,530.30
研发人员平均薪酬14.6914.44


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
硕士及以上4641.07
本科5347.32
专科及以下1311.61
合计112100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30及30岁以下6053.57
31岁至40岁4136.61
41岁至50岁65.36
50岁以上54.46
合计112100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、核心技术优势
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。公司通过非对称的波导结构设计,让有源层更靠近p型限制层,且p型限制层的折射率大于n型限制层,在不改变光场模式曲线的情况下,实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构,改善了近场模式和远场输出特性;增大发光面积,相对减小输出光功率密度,在增加输出功率的同时保证器件寿命。

公司采用分布式载流子注入技术,通过图形化电极实现载流子的调制注入,平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布,解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应,最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布,进一步提升半导体激光器的输出功率。

公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案,制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构,大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生,提高芯片抗损伤阈值,最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。

公司研究的多有源区级联的半导体激光器中,让各个小数量的量子阱堆叠,分布在周期性光场的每一个峰的中心,每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置,增加了腔内增益,降低了器件的阈值,并不会增加材料的内损耗,从而提高了激光器的功率和效率。相邻两有源区之间通过势垒层连接,该设计可以显著提高VCSEL的转换效率,VCSEL效率超过60%。

公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔,每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配,所有激光单元保持输出波长一致性,从而实现波长锁定,由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。

2、产品指标优势
公司自成立以来,始终专注高功率半导体激光芯片的研发与生产,目前商业化单管芯片输出功率达到35W,巴条芯片连续输出功率达到250W(CW),准连续输出1000W(QCW),VCSEL芯片的最高转换效率 60%以上,产品性能指标与国外先进水平同步,打破国外技术封锁和芯片禁运,逐步实现了半导体激光芯片的国产化。另外,在激光器件封装、光束整形、合束耦合、直接半导体激光系统等领域拥有丰富的产品研制与生产经验,成功开发了多款光纤耦合模块及直接半导体激光器等产品。

3、研发及制造工艺平台优势
公司已建成3吋、6吋半导体激光芯片量产线,拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备,并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格,而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线,相当于是硅基半导体的12吋量产线。

大部分工艺环节达到了生产自动化,实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产,芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。

公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售,掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节,已建成 3吋及 6吋半导体激光芯片量产线,构建了GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,具备各类以GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。

4、专业人才优势
公司深耕半导体激光芯片领域多年,核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验,并且公司高度重视聚集和培养专业人才,在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上,针对性地引入专业人才。目前,公司已构建一批高层次的人才队伍,包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣,承担多项国家级及省级重大科研项目。另外,公司已获批成立“半导体激光芯片研究中心”、“国家级博士后工作站”及“江苏省研究生工作站”,打造了一支在国内领先且具有较强综合实力的技术研发团队,该团队已获批为江苏省“双创团队”和姑苏重大创新团队。

公司始终以自身平台为基础,旨在“十三五”及“十四五”期间培养一支新成长技术力量,并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院等国内高等学府与科研院所,签订产学研合作协议,建立联合实验室,推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究,进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。

5、产品可扩展性优势
公司拥有 10年以上高功率半导体激光芯片研发及规模化生产经验,并具备从芯片设计、外延、光刻、解理/镀膜、封装测试及光纤耦合、直接半导体激光器等完整工艺平台,成功实现各系列半导体激光芯片的量产,且质量控制能力较强。公司产品包括高功率半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器等,产品覆盖半导体激光行业全产业链,满足下游客户的各种产品需求,并且基于完整的工艺平台和成熟的人才储备,公司可以快速响应客户需求,为下游客户提供新产品,满足新需求。2017年,iphone X搭载VCSEL用于人脸识别功能,开启了VCSEL于消费电子领域的应用。公司基于成熟的高功率半导体激光芯片的技术积累,迅速开展VCSEL的研发工作,已经攻克了材料外延生产的精确控制、稳定性以及激光电流的氧化限制控制难题。

6、客户资源优势
公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺,公司产品质量、性能及可靠性得到客户的认可,已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。

半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过,验证周期较长,下游客户更换芯片供应商的成本也较高,双方之间的合作绑定较为紧密。凭借深厚的研发实力、持续的创新能力,在工业激光器、激光加工设备等领域,公司积累了行业龙头及知名企业客户。同时,在高能激光器的应用方面,公司为高功率光纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源,广泛服务于多家国家级骨干单位。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
□适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2022年上半年度,公司各项经营数据保持增长势头。公司持续加大对研发的投入,使公司技术不断优化和进步。随着公司新产线的投入使用,产能大幅增加,使公司实现了经营业绩的稳步增长。报告期内,公司经营成果主要情况如下: 1、经营业绩稳步增长
在疫情影响下,公司积极采取措施应对下游需求降低、原材料价格上涨等不利影响,持续加大研发投入和技术创新,并积极拓展国内外市场。2022年上半年公司实现营业收入25,037.83万元,较上年同期增长31.26%;报告期末,公司财务状况良好,总资产额为351,011.76万元,较上年末增长256.95%;归属于上市公司股东的所有者权益为317,063.12万元,较上年末增长397.48%。

2、持续加大研发投入
报告期内,研发投入5,408.81万元,研发投入总额占营业收入比例21.60%。研发投入总额较上年同期增长44.19%。公司始终重视研发创新能力建设,持续加大了对高功率芯片模块方向、VCSEL产品方向的投入,保持产品的创新性及领先性。

3、新产线投产
高功率半导体激光器广泛用作光纤激光器和固体激光器的泵浦源,或直接半导体激光系统的光源。为了满足光纤激光器、固体激光器和直接半导体激光系统的新兴需求,半导体激光器正朝着更大的制造规模、更高的性能和更低的成本的方向发展。公司已经建立了用于高功率半导体激光芯片的6吋砷化镓晶圆生产线,其中包括MOCVD外延生长和晶圆制造。凭借6吋晶圆生产线,公司每月生产数百万颗用于光纤激光泵浦的芯片。

4、VCSEL不断创新和优化生产工艺
在VCSEL市场需求快速增长的驱动下,公司依托IDM模式形成的设计与工艺相结合的综合平台基础,不断创新和优化生产工艺,在国内率先建立了 6吋VCSEL产线,并进一步在激光雷达、光通信、医美等领域产品做好开发和交付准备。

5、完善内部控制,提升公司治理水平
报告期内,公司不断完善内控流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步优化各项制度流程,提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。

报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一) 核心竞争力风险
1、技术升级迭代风险
公司经过多年的持续研发投入,在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进,技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入,或者在关键技术上未能持续创新,亦或新产品技术指标无法达到预期,则可能会面临核心技术竞争力降低的风险,导致公司在市场竞争中处于劣势,面临市场份额降低的情况。

2、研发失败风险
半导体激光行业是技术密集型行业,具有研发投入高、研发周期长、研发风险大导入和认证过程,需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下游行业客户的应用需求,未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势,无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步,可能导致公司产品研发失败,或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素,导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证,会对公司的经营业绩造成不利影响。

3、关键技术人才流失风险
半导体激光行业属于技术密集型行业,对技术人员的依赖度较高,高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分,也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员,是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。

截至2022年6月30日,公司拥有研发人员112人,占员工总人数的26.54%。未来,如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等,将难以引进更多的高端技术人才,甚至导致现有骨干技术人员流失,将对公司生产经营产生不利影响。

4、生产良率波动风险
报告期内,公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。

由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快,如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产,可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步,则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险,进而影响公司的经营业绩。

(二) 经营风险
1、客户集中度较高的风险
公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域,下游行业集中度较高,并且公司产能有限,大部分产能被用于满足下游主要客户的订单需求。受此影响,公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系发生重大不利变化,或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑,可能对公司的经营业绩产生不利影响。

2、产品价格下降的风险
报告期内,受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响,公司单管芯片产品价格和光纤耦合模块产品价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降,而公司未能采取有效措施,巩固和增强产品的综合竞争力、降低产品生产成本,公司可能难以有效应对产品价格下降的风险,导致利润率水平有所降低。

(三) 行业风险
1、宏观经济及行业波动风险
公司产品处于激光行业产业链上游,其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动,导致工业激光器等终端市场需求下降,或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期,将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。

2、市场竞争加剧风险
近年来,在产业政策和地方政府的推动下,国内半导体激光行业呈现出较快的发展态势,市场参与者数量不断增加。与此同时,国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下,公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势,可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。

3、行业增长趋势减缓或行业出现负增长的风险
未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长,可能会在存量市场中出现竞争加剧、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变化将有可能直接影响公司的业务收入,从而对公司的经营产生不利影响。

(四) 其他风险
1、法律风险
(1)知识产权争议风险
公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片制造技术,公司通过申请专利对自主知识产权进行保护,该等知识产权对公司未来发展具有重要意义,但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的风险。同时,公司一贯重视自主知识产权的研发,避免侵犯他人知识产权,但无法避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略,从而阻碍公司正常业务发展。

(2)技术秘密泄露风险
公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密,其对公司发展具有重要意义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技术泄露问题,不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非专利技术和技术秘密泄露的风险。

2、财务风险
(1)固定资产投资的风险
公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业,专利和技术投资、固定资产投资的需求较高,尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂,规模化生产所需的生产线建设投入较大。

此外,公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后,公司固定资产等长期资产将继续增加,固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长,可能导致产品单位成本中单位制造费用较高,进而影响产品毛利率水平,使得公司业绩下降。

3、内控风险
(1)不存在实际控制人风险
公司股权相对分散,不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东大会和董事会按照公司议事规则讨论后确定,但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时,分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象,从而导致公司控制权发生变化,给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。

(2)公司规模扩大导致的管理风险
公司首次公开发行完成后,随着募投项目的实施,公司的资产规模和业务规模将进一步扩大,员工人数将相应增加,需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质量管理、内部控制等诸多方面进行调整优化,对各部门工作的协调性、严密性、连续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大,公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。

(3)产品质量控制风险
公司重视产品质量管理,建立了严格的质量控制制度,在产品生命周期内进行全流程监控,建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系,并通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等,若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题,将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。


六、 报告期内主要经营情况
2022年上半年公司实现营业收入25,037.83万元,较上年同期增长31.26%;归属于上市公司股东净利润 5,918.18万元,较上年同期增长 24.73%。公司上半年受疫情影响下,销售收入仍保持稳步增长,主要系公司市场的进一步拓展及新投入的生产场地产能扩充的贡献。报告期末,公司财务状况良好,总资产额为351,011.76万元,较上年末增长256.95%;归属于上市公司股东的所有者权益为317,063.12万元,较上年末增长397.48%。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例 (%)
营业收入250,378,250.17190,742,603.1431.26
营业成本116,602,751.9189,806,734.9329.84
销售费用16,266,676.5614,783,364.2910.03
管理费用14,147,184.209,279,269.8952.46
财务费用933,824.88794,993.9817.46
研发费用54,088,050.0637,511,040.6944.19
经营活动产生的现金流 量净额-109,834,364.48-22,383,858.27不适用
投资活动产生的现金流 量净额-2,188,477,560.69-54,602,331.85不适用
筹资活动产生的现金流 量净额2,493,752,285.983,984,402.8062,487.86
营业收入变动原因说明:销售增长主要系公司市场规模及产能的进一步扩大所致。(未完)
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