[中报]华海清科(688120):2022年半年度报告

 时间：2022年08月15日 16:47:15 中财网

原标题:华海清科:2022年半年度报告

公司代码：688120 公司简称：华海清科

华海清科股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述了公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者注意投资风险，审慎作出投资决定。

三、公司全体董事出席董事会会议。


四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人张国铭、主管会计工作负责人王怀需及会计机构负责人（会计主管人员）王峰声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否

十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ................................................................ 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................... 6 第三节 管理层讨论与分析 ..................................................... 9 第四节 公司治理 ........................................................... 31 第五节 环境与社会责任 ...................................................... 32 第六节 重要事项 ........................................................... 35 第七节 股份变动及股东情况 .................................................. 61 第八节 优先股相关情况 ...................................................... 66 第九节 债券相关情况 ....................................................... 67 第十节 财务报告 ........................................................... 68


备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责（会计主 管人员）签名并盖章的财务报表。
　报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义　　
华海清科、公司、本公司指华海清科股份有限公司
华海清科（北京）指华海清科（北京）科技有限公司
长存创新指长江先进存储产业创新中心有限责任公司
清控创投指清控创业投资有限公司
清华控股指清华控股有限公司，现已更名为“天府清源控股有限公 司”
科海投资指天津科海投资发展有限公司
清津厚德指清津厚德（天津）科技合伙企业（有限合伙）
清津立德指清津立德（天津）科技合伙企业（有限合伙）
清津立言指清津立言（天津）科技合伙企业（有限合伙）
国投基金指国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合 伙）
金浦国调指上海金浦国调并购股权投资基金合伙企业（有限合伙）
金浦新兴指上海金浦新兴产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）
国开科创指国开科技创业投资有限责任公司
天津领睿指天津领睿股权投资基金合伙企业（有限合伙）
浙创投指浙江省创业投资集团有限公司
青岛民芯指青岛民芯投资中心（有限合伙）
大成汇彩指大成汇彩（深圳）实业合伙企业（有限合伙）
石溪资本指合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业（有限合 伙）
中芯海河指中芯海河赛达（天津）产业投资基金中心（有限合伙）
水木愿景指南宁水木愿景创业投资中心（有限合伙）
武汉建芯指武汉建芯产业基金合伙企业（有限合伙）
融创租赁指融创融资租赁有限公司
金浦新潮指南京金浦新潮创业投资合伙企业（有限合伙）
长江存储指长江存储科技有限责任公司
武汉新芯指武汉新芯集成电路制造有限公司
中芯国际指中芯国际集成电路制造有限公司
华虹集团指上海华虹（集团）有限公司
华虹无锡指华虹半导体（无锡）有限公司
华力微电子指上海华力微电子有限公司
华力集成指上海华力集成电路制造有限公司
英特尔指英特尔半导体（大连）有限公司
长鑫存储指长鑫存储技术有限公司
厦门联芯指联芯集成电路制造（厦门）有限公司
广州粤芯指广州粤芯半导体技术有限公司
鼎泰匠芯指上海鼎泰匠芯科技有限公司
晶合集成指合肥晶合集成电路股份有限公司
君享资管计划指国泰君安君享科创板华海清科1号战略配售集合资产管 理计划
《公司章程》指《华海清科股份有限公司公司章程》
股东大会指华海清科股份有限公司股东大会
董事会指华海清科股份有限公司董事会
监事会指华海清科股份有限公司监事会
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
中国证监会指中国证券监督管理委员会
上交所指上海证券交易所
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制 造技术可分为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传 感器，可广泛应用于下游通信、计算机、消费电子、网 络技术、汽车及航空航天等产业
IC、集成电路、芯片指Integrated Circuit 的简称，指集成电路，通常也叫 芯片 （Chip），是一种微型电子器件或部件。采用一定 的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电 感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导 体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具 有所需电路功能的微型结构
化学机械抛光（CMP）指Chemical Mechanical Polishing，集成电路制造过程中 实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺
晶圆、基片、Wafer指晶圆指制造集成电路芯片的衬底（也叫基片）。由于是 晶体材料，其形状为圆形，所以称为晶圆。按其直径主 要分为6英寸、8英寸、12英寸等规格
硅片指Silicon Wafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器 件、传感器等半导体产品制造
晶圆再生、再生晶圆指对晶圆制程所需挡、控片（材质为晶圆）进行回收，通 过去除晶圆表面的杂质和缺陷，使处理后的晶圆在平整 度和表面的颗粒数量上都达到新片的标准，实现其循环 再利用
减薄指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精 度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态
封装指在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包 裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片 连接到电路板的工艺技术
先进封装指处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC） 结构的封装、圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、 2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴
MEMS指Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统
TSV指一种封装技术，Through Silicon Via 的缩写，即晶圆 级系统封装-硅通孔，是一种通过硅通道垂直穿过组成堆 栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的封装技 术
1X/1Y/1Z nm指内存芯片制造半导体制程工艺进入 20纳米之后，制造 难度越来越高，继续提升制程工艺费效比越来越低，内 存芯片厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是通 过两代或三代1Xnm节点去升级DRAM；大体上DRAM 1Xnm 工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm 工艺相当于12-14nm级别
逻辑芯片指一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程来确 定
DRAM指动态随机存取存储器，属于易失性存储器
NAND指闪存，属于非易失性存储器
节点、制程指泛指在集成电路制造过程中的“晶体管栅极宽度的尺 寸”，尺寸越小，表明工艺水平越高，意味着在同样面
　　积的晶圆上，可以制造出更多的芯片，或者同样晶体管 规模的芯片会占用更小的空间，主要节点如90nm、65nm、 45nm、28nm、14nm、7nm、5nm等
SEMI指Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体设备与材料产业协会
报告期指2022年1-6月
报告期期末指2022年6月30日
元、万元指人民币元、人民币万元




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称华海清科股份有限公司
公司的中文简称华海清科
公司的外文名称Hwatsing Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Hwatsing
公司的法定代表人张国铭
公司注册地址天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司注册地址的历史变更情况2021年10月19日注册地址由天津市津南区咸水沽镇 聚兴道9号3号楼一层变更为天津市津南区咸水沽镇 聚兴道11号
公司办公地址天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司办公地址的邮政编码300350
公司网址www.hwatsing.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引无

二、 联系人和联系方式

　董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表
姓名王同庆王旭
联系地址天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
电话022-59781962022-59781962
传真022-59781796022-59781796
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、中国证券报、证券日报、证券时报
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号资本证券部
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况　　　　
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板华海清科688120不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
√适用 □不适用


公司聘请的会计师事务所名称立信会计师事务所（特殊普通合伙）
　办公地址上海市黄浦区南京东路61号四楼
　签字会计师姓名权计伟、张欢
报告期内履行持续督导职 责的保荐机构名称国泰君安证券股份有限公司
　办公地址中国（上海）自由贸易试验区商城路 618号
　签字的保荐代表人姓名唐伟、裴文斐
　持续督导的期间2022年6月8日至2025年12月31日

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年同期 增减(%)
营业收入717,198,683.99293,610,219.13144.27%
归属于上市公司股东的净利润185,709,691.2770,542,056.85163.26%
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润143,834,225.6234,583,665.43315.90%
经营活动产生的现金流量净额-178,135,954.97222,012,033.61-180.24%
　本报告期末上年度末本报告期末比上年度 末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产4,484,392,594.64808,212,455.19454.85%
总资产6,916,215,969.023,028,106,042.87128.40%

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）2.200.88149.91%
稀释每股收益（元／股）2.200.88149.91%
扣除非经常性损益后的基本每股收益（ 元／股）1.700.43296.12%
加权平均净资产收益率（%）12.52%10.95%增加1.57个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率（%）9.70%5.37%增加4.33个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）11.79%14.34%减少2.55个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2022年上半年，公司积极把握集成电路产业需求拉动所带来的市场机遇，努力克服国内疫情的不利影响，持续加大研发投入和生产能力建设，增强了企业核心竞争力，提高了CMP设备等生产和交付能力，积极拓展相关业务领域，配套服务及晶圆再生业务也得到了显著提升，同期新增订单、营业收入及净利润均实现较大幅度同比增长。

公司2022年上半年营业收入同比增长144.27%达到7.17亿元，归母净利润同比增长163.26%达到1.86亿元，扣非归母净利润同比增长315.90%达到1.44亿元，利润增长主要系：（1）公司本期营业收入7.17亿元，较上年同期增长144.27%；（2）公司强化费用控制，本期期间费用的增长幅度低于营业收入的增长幅度；（3）本期所销售产品中的嵌入式软件增值税实际税负超过 3%的部分开始享受增值税即征即退政策，产生其他收益1,664万。

2022年上半年度经营活动产生的现金流量净额较上年同期下降180.24%，主要系公司业务规模扩大及备货增加，采购支出增幅较大。

报告期末，归属于上市公司股东的净资产较上年末增加 454.85%，总资产较上年末增加128.40%，主要系公司于2022年6月首次公开发行股票扣除发行费后募集资金净额34.90亿元。

2022年上半年每股收益变动主要系受净利润增长的影响，另外由于本报告期首次公开发行股本增加，每股收益增长幅度小于净利润的增长幅度。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注（如适用）
非流动资产处置损益-1,491.89　
越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收 返还、减免　　
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业 务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助除外38,621,230.36　
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费　　
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成 本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益　　
非货币性资产交换损益　　
委托他人投资或管理资产的损益　　
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项 资产减值准备　　
债务重组损益　　
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等　　
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部 分的损益　　
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日 的当期净损益　　
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益　　
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务4,115,023.24　
外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性 金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损 益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交 易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取 得的投资收益　　
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准 备转回　　
对外委托贷款取得的损益　　
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产 公允价值变动产生的损益　　
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益 进行一次性调整对当期损益的影响　　
受托经营取得的托管费收入　　
除上述各项之外的其他营业外收入和支出206,373.62　
其他符合非经常性损益定义的损益项目　　
减：所得税影响额-1,065,669.68　
少数股东权益影响额（税后）　　
合计41,875,465.65　

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币

项目涉及金额原因
软件增值税即征即 退退税16,635,283.23公司所销售产品中的嵌入式软件增值税即征即退 是因公司正常经营业务产生的持续性事项，与主 营业务密切相关且能够持续取得，体现公司正常 的经营业绩和盈利能力，不符合非经常性损益的 定义，因此归于经常性损益。
合计16,635,283.23——


九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
一、所属行业
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，根据中国证监会颁布的《上市公司行业分类指引（2012年修订）》，公司属于专用设备制造业（行业代码：C35）。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司属于专用设备制造业下的半导体器件专用设备制造（行业代码：C3562）。根据国家统计局《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2.1新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。

随着物联网、大数据、云计算、人工智能、新能源、医疗电子等新兴应用领域迅速崛起，对行业快速发展。根据SEMI发布的《全球半导体设备业发展回顾与展望》，2021年全球半导体设备销售总额首次突破1,000亿美元。

半导体设备具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户壁垒，以美国应用材料、荷兰阿斯麦、美国泛林、日本东京电子、美国科磊等为代表的国际半导体设备企业起步较早，经过多年发展，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了全球和中国大陆地区半导体设备市场的主要份额。随着近年来全球半导体产业格局和市场环境的不断变化，半导体设备作为半导体制造行业的基石,其关键技术和产品的自主可控尤为重要，也给我国本土半导体设备制造商带来挑战和机遇。

CMP设备市场在全球处于高度垄断状态，主要由美国应用材料和日本荏原两家设备制造商占据，两家合计拥有全球CMP设备绝大部分的市场份额，尤其在 14nm以下先进制程工艺的大生产线上所应用的CMP设备仅由这两家国际巨头提供，公司作为CMP设备的主要参与者将迎来巨大的成长机会。

近年来，集成电路向高集成化、高密度化和高性能化方向持续突破，晶圆背面减薄技术和3D IC制造技术在集成电路制造过程中的重要性不断提高，而国内IC制造厂商所需的减薄设备严重依赖进口。国外晶圆超精密减薄加工起步早，以日本DISCO公司为代表开发的减薄设备拥有着较高技术水平。国内厂商在晶圆减薄设备与工艺开发方面起步较晚，虽然整体技术积累与国外尚有一定差距，但也迎来了非常好的发展机遇和成长空间。

二、主要产品
公司是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体设备供应商，主要产品包括CMP设备、减薄设备、供液系统、晶圆再生、关键耗材与维保服务等。

公司自成立以来始终坚持自主创新的发展路线，在纳米级抛光、纳米精度膜厚在线检测、纳米颗粒超洁净清洗、大数据分析及智能化控制等关键技术层面取得了有效突破和系统布局，开发出了Universal系列CMP设备、Versatile系列减薄设备、HSDS/HCDS系列供液系统，以及晶圆再生、关键耗材与维保服务等技术服务，初步实现了产品+服务的平台化战略布局。公司主要产品及服务已广泛应用于集成电路、先进封装、大硅片、第三代半导体、MEMS、Micro LED等制造工艺，具体如下：
1、CMP设备

类别/型号图示产品特征/应用领域
Universal- 300 E　具有四个12英寸抛光单元和单套组合清洗单 元，可配备 7区抛光头，可集成多种终点检 测技术，满足集成电路、先进封装、大硅片等 制造工艺。
Universal- 300 Dual　具有四个12英寸抛光单元和双套组合清洗单 元，可集成多种终点检测技术，满足集成电 路、先进封装、大硅片等制造工艺。
Universal- 300 X　具有四个12英寸抛光单元和双套组合清洗单 元，配备 7区抛光头，可集成多种终点检测 技术，满足集成电路、先进封装、大硅片等制 造工艺。
Universal- 300 T　在Universal-300 X机型基础上搭载了更先 进的组合清洗技术，可满足集成电路、先进封 装、大硅片等制造工艺。
Universal- 300 B　具有一个独立的12英寸抛光单元，可兼容4- 12英寸和多种材料，适用于大硅片、第三代 半导体、MEMS等制造工艺。
Universal- 200 Smart　具有四个 8英寸抛光单元和单套组合清洗单 元，可集成多种终点检测技术，满足集成电 路、先进封装、硅片、第三代半导体、MEMS、 Micro LED等制造工艺。
Universal- 200 D　具有两个 8英寸抛光单元和单套组合清洗单 元，可兼容4-8英寸和多种材料，满足硅片、 第三代半导体、MEMS、Micro LED等制造工艺。
Universal- 200　具有一个独立的8英寸抛光单元，可兼容4- 8英寸和多种材料，满足硅片、第三代半导体、 MEMS等制造工艺。
Universal- 150 Smart　可用于 6-8英寸各种半导体材料抛光，拥有 四个独立的抛光单元，工艺搭配灵活，产出率 高，满足第三代半导体、MEMS等制造工艺。
Universal- 150 W　可用于 4-8英寸各种半导体材料抛光，拥有 两个独立的抛光单元，产品干进湿出，工艺搭 配灵活，产出率高，满足第三代半导体、MEMS 等制造工艺。
2、减薄设备

类别/型号图示产品特征/应用领域
Versatile- GP300　减薄设备通过创新布局，集成超精密磨削、抛 光及清洗单元，配置先进的厚度偏差与表面 缺陷控制技术，提供多种系统功能扩展选项， 具有高精度、高刚性、工艺开发灵活等优点， 可以满足集成电路、先进封装等制造工艺的 晶圆减薄需求。

3、供液系统

类别/型号图示产品特征/应用领域
HSDS　HSDS系列研磨液供应系统，满足半导体制造 过程中湿法工艺设备的研磨液等供应需求， 操作维护便捷，具有高可靠性、安全性和低维 护保养成本，配置灵活等优点。
HCDS　HCDS系列化学品供应系统，满足半导体制造 过程中湿法工艺设备的清洗液等化学品供应 需求，操作维护便捷，具有高可靠性、安全性 和低维护保养成本，配置灵活等优点。

4、晶圆再生

类别/型号图示产品特征/应用领域
晶圆再生　晶圆再生是将集成电路制造厂商在制造芯片 的过程中使用过的控挡片回收，将其工艺薄 膜、金属颗粒残留等杂质去除，使其达到再次 使用的标准，公司为客户提供晶圆再生服务 和再生晶圆销售。

5、关键耗材与维保服务

类别/型号图示产品特征/应用领域
关键耗材 与维保　关键耗材与维保服务主要是向客户的 CMP设 备提供设备关键易磨损零部件的维保、更新 服务，以保证设备的稳定运行。关键耗材主要 包括7分区抛光头、保持环、气膜等，维保服 务主要包括为客户进行7分区抛光头维保等。

三、主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，通过向下游集成电路制造商及科研院所等客户销售 CMP、减薄等半导体设备，并提供关键耗材与维保、升级等技术服务和晶圆再生业务。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于关键耗材与维保、晶圆再生等技术服务。

2、研发模式
公司主要采取自主研发模式，取得了 CMP设备、减薄设备关键核心技术领域的重要成果。

集成电路装备研发难度极高，按照国际行业惯用研发模式，公司的产品研发及商品化流程主要包括规划和概念阶段、设计阶段、开发实现阶段（Alpha和 Beta）、验证确认阶段、量产及生命周期维护阶段。

3、采购模式
公司采购的主要原材料包括机械标准件类、机械加工类、气体/液体控制类、电气类和机电一体类等，其中机械加工类是供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料并完成定制加工的零部件。

其他常规标准零部件，公司面向市场进行独立采购。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。公司通常会与供应商签订年度框架合同并以订单形式具体执行采购，会根据主生产计划、物料 BOM清单和零部件的库存量，动态计算和更新零部件的采购计划，并按照采购计划在《合格供应商名录》中选择供方并进行采购。采购物资送达后，质量部进行到货检验，检验合格后由库房部办理入库手续，完成采购。

4、生产模式
公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产和库存式生产相结合的生产管理方式。基于公司 CMP设备采用模块化设计的优势，公司在客户有较明确采购预期、形成公司的销售预测单时就可以开始安排销售机台的模块库存式生产，通常先预生产一部分通用模块；等待获得正式订单后再开始订单式生产，根据确定的参数配置需求设计差异模块，生产剩余的通用模块（如有）和定制化方案中的差异模块并完成总装、测试。

5、销售模式
公司通过直销模式销售产品，与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。公司设有销售部负责市场开发、产品的销售，同时客户服务部的服务工程师在客户所在地驻场工作，负责公司产品的安装、调试、保修、维修、技术咨询。同时，公司也从事 CMP设备有关的耗材、配件销售以及相关技术服务，对于客户的 CMP设备耗材、备件以及维保、工艺测试、设备升级、晶圆再生等服务需求，公司在与之签订相关合同或订单后，协调公司有关部门完成相关发货、安装、测试等。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司为解决集成电路制造纳米尺度“抛得光”、晶圆全局“抛得平”、纳米厚度“停得准”、纳米颗粒“洗得净”等关键难题，先后攻克了纳米级抛光、纳米精度膜厚在线检测、纳米颗粒超洁净清洗、大数据分析及智能化控制和超精密减薄等关键核心技术，均达到了国内领先的水平。

主要核心技术概况如下：

序号核心技术类别核心技术名称技术来源具体表征
1纳米级抛光直驱式抛光驱 动技术自主研发抛光盘与转子整体形成，支撑轴承的内圈固 定安装于转子轴盘，支撑轴承的外圈固定安 装于轴承座内，支撑轴承为转子轴盘和抛光 盘提供精密的旋转支撑，直驱电机定子通过
　　　　支撑盘安装于转子轴盘内部。
2　　　　
　　多区压力调控 抛光技术自主研发TM 即Flapa 系列承载头成套产品，具有多元迭 代的弹性膜耦合连接部和自动补偿的叠层边 缘结构，可实现腔室压力的协同及独立调控 ，将动态终端控制分区从6个扩展至8个，提 升边缘区域调压能力。
3　　　　
　　自适应承载头 技术自主研发结合历史工艺数据的分析和制程需求，在承 载头的内部设置由复合材料和/或功能合金制 成的旋转枢轴，通过适应性吸收电磁波干扰 ，实现不同类型晶圆抛光的准确停止，并且 旋转枢轴的外缘部与承载头基座的内壁形成 为线性隔离接触，增加基板与抛光垫之间的 平行度。
4　　　　
　　预适应保持环 技术自主研发在承载头的内部设置复合材料和功能合金制 成的旋转枢轴，选择性吸收电磁波干扰，实 现化学机械抛光的准确停止；承载头的内部 设置用于定心的旋转枢轴，旋转枢轴的外缘 部与承载头基座的内壁形成为线性的隔离接 触。
5纳米精度膜厚在 线检测归一化抛光终 点识别技术自主研发根据驱动抛光盘的电机负载率随时间变化率 、摆臂的摆动角度随时间变化率和承载头相 对于抛光盘中心的摆动距离随时间变化的数 据，计算得到归一化摩擦力矩随时间变化的 数据，以消除抛光单元运行参数的波动影响 。
6纳米颗粒超洁净 清洗马兰戈尼干燥 技术自主研发TM 即VRM 竖直干燥装置，采用可旋转固定的 整流喷头组件将干燥溶剂喷射至“气-固- 体”的三相交界线，整流喷头组件的喷头的 喷射角度和距离均经过系统性迭代优化，能 够将漂洗液准确喷射至晶圆表面形成完整的 螺旋液流膜并将干燥气体喷射覆盖所述三相 交界线。
7　　　　
　　智能清洗技术自主研发在清洗刷从初始位置移向晶圆的过程中，根 据驱动电机负载变化，检测清洗刷与晶圆的 接触状态并记录为接触零点，按照预设工艺 控制清洗刷在设定位置对晶圆刷洗；并且将 清洗效果、清洗刷与晶圆的距离以及刷洗摩 擦力矩等参数构建模型，迭代优化预设工艺 流程。
8大数据分析及智 能化控制高产能设备架 构技术自主研发采用多工位串行并行兼容的模块化布局，基 于浏览器/服务器模式的符合SEMI标准的分布 式工程控制软件，引入复杂工艺流程调度及 应急处理与恢复算法来处理系统级颗粒污染 控制等集成难题，保证设备的可靠性和高效 率。
9　　　　
　　抛光装备运行 参数智能监测 与调控技术自主研发实时监控抛光垫的形貌和表面温度等运行参 数，同时利用电涡流传感器测量保持环金属 部的位移，预测其磨损程度，并使上述运行 参数与磨损程度等数据与承载头的载荷耦联
　　　　，调控承载头的载荷施加。
10　　　　
　　基于智能控制 的抛光技术自主研发TM 即SPTC 智能调控系统，获取抛光压力分布 、去除速率形貌、目标去除速率形貌、压力 响应模型，然后利用目标去除速率形貌和去 除速率形貌计算去除速率形貌变化；利用去 除速率形貌变化和压力响应模型计算压力变 化并通过历史大数据回归分析推荐抛光参数 。
11超精密减薄超精密研磨面 形控制技术自主研发将研磨面形特征分解为凹凸度和饱满度，采 用非接触测量方式，检测晶圆关键位置的厚 度，省去中间位置的检测步骤，基于人工智 能技术，构建磨抛参数与晶圆面形智能模型 ，精确预测磨抛补偿参数，提升面形控制的 准确性。
12　　　　
　　超精密集成减 薄技术自主研发通过移动缓存部在集成设备空间的磨削单元 和化学机械抛光单元之间传输晶圆，并具有 固定机构、定心机构和水平移动机构，定心 机构设置在固定机构上以将放置于固定机构 的基板定位至与固定机构同心的位置，固定 机构与水平移动机构连接以使固定机构带载 基板水平高速移动提高机台生产效率。
13　　　　
　　超精密集成减 薄智能控制技 术自主研发根据化学机械抛光之前测量的晶圆的厚度分 布与历史大数据的比较分析，通过机器学习 调整承载头对晶圆的各分区的初试加载，同 时根据对晶圆进行化学机械抛光期间在线测 量的厚度分布和TTV阈值实时修整压力分布。

报告期内，公司核心技术及其先进性未发生变化。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年 度产品名称
中华人民共和国工业和信息 化部国家级专精特新“小巨人”企业2021年化学机械抛光设备
中华人民共和国工业和信息 化部、中国工业经济联合会单项冠军示范企业2021年化学机械抛光设备

2. 报告期内获得的研发成果
截至2022年6月30日，公司累计获得授权专利221件，软件著作权17件。具体情况详见下表：
报告期内获得的知识产权列表


　本期新增　累计数量　
　申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）
发明专利36290120
实用新型专利00101101
外观设计专利0000
软件著作权13102017
其他0000
合计1616411238

3. 研发投入情况表
单位：元

　本期数上年同期数变化幅度（%）
费用化研发投入84,587,655.1737,995,567.35122.63
资本化研发投入-4,109,468.23-100.00
研发投入合计84,587,655.1742,105,035.58100.90
研发投入总额占营业收入 比例（%）11.79%14.34%减少2.55个百分点
研发投入资本化的比重（%）-9.76%减少9.76个百分点

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司高度重视核心技术的创新和研发以及技术人才的培养和发掘，持续加大研发投入，本期研发投入中研发直接投入和研发人员薪酬均有较大幅度增加。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号项目名称预计总投资 规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶 段性成果拟达到目 标技术 水平具体应用 前景
1先进制程3D NAND CMP工艺 研究项目8,700.00246.132,824.81产线量产研发先进 制程 3D NAND CMP 设备与成 套工艺， 满足量产 要求。国际 先进 水平≥128层 3D NAND 芯片制造
2减薄设备研发 项目8,550.00108.042,835.44产线验证研发先进 制程 IC 后道工序 中的晶圆 背面超精 密减薄设 备并建立 减薄工艺 体系，满 足量产要 求。国际 先进 水平3D IC晶 圆制造
3先进制程DRAM CMP工艺研究 项目9,150.00832.213,743.47产线量产研制出先 进制程 DRAM CMP 装备，开 发出与之 相匹配的 CMP成套 工艺，满 足量产要 求。国际 先进 水平1X/1Y DRAM芯 片制造
4关键节点金属 CMP机台研制 及工艺开发10,090.00248.494,330.60产线量产突破关键 核心技 术，研制 满足先进 制程及工 艺节点的 金属 CMP 机台及工 艺。国际 先进 水平28-14nm 逻辑芯片 制造
5关键零部件项 目21,400.005,605.386,514.41产业化应 用研制出集 成电路设 备相关核 心零部 件，满足 产业化应 用要求。国际 先进 水平集成电路 设备
6先进抛光装备 项目3,890.00178.79178.79工艺验证研制先进 半导体领 域专用的 抛光设 备，满足 量产要 求。国际 先进 水平第三代化 合物半导 体
7先进零部件项 目8,400.0065.2965.29工艺验证研制纳米 级量测零 部件，通 过集成验 证与应 用，满足 集成电路 制造精密 量测需 求。国际 先进 水平集成电路 设备
8先进CMP工艺 项目2,600.00474.09474.09开发阶段突破先进 制程 CMP 材料及工 艺技术， 具备先进 制程 CMP 工艺整体国际 先进 水平14nm逻辑 芯片制造
　　　　　　解决方案 的能力。　　
93D NAND 芯片 制造 Oxide CMP装 备研发1,360.00197.41253.17产业化应 用研制 3D NAND Oxide CMP 装 备，满足 量产要 求。国际 先进 水平≥128层 3D NAND 芯片制造
10基于机器学习 算法的SAPC 系统研发1,571.30116.95116.95开发阶段开发先进 制程 SAPC 系 统，提高 CMP设备 整体工艺 性能。国际 先进 水平14-7nm集 成电路 CMP设备
11高可靠性刷洗 模块研发及适 用性验证670.000.69486.88产业化应 用研发高可 靠性刷洗 模块及配 套工艺， 满足不同 制程要 求。国际 先进 水平14-7nm集 成电路 CMP设备
12先进湿法设备 项目1,044.50208.28351.33开发阶段研制半导 体湿法设 备并满足 量产要 求。国际 先进 水平逻辑芯 片、存储 芯片
13其他小项目169.92177.01182.34////
合 计/77,595.728,458.7622,357.57////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况　　
　本期数上年同期数
公司研发人员的数量（人）277159
研发人员数量占公司总人数的比例（%）34.9331.12
研发人员薪酬合计3,957.191,925.11
研发人员平均薪酬14.2912.11


教育程度　　
学历构成数量（人）比例(%)
博士93.25
硕士12846.21
大学本科及以下14050.54
合计277100.00
年龄结构　　
年龄区间数量（人）比例(%)
30岁以下11140.07
31-40岁15254.87
41-50岁134.69
50岁以上10.36
合计277100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
（1）掌握核心技术，技术储备丰富
公司高度重视核心技术的自主研发与创新，保持高额的研发投入，保证了科技创新成果的持续输出。通过承担、实施各类重大科研项目，华海清科的技术创新能力得到了显著的提升，先后攻克了纳米级抛光、纳米颗粒超洁净清洗、纳米精度膜厚在线检测、大数据分析及智能化控制等多项关键核心技术，研制出具有自主知识产权的CMP设备系列产品，满足逻辑芯片、存储芯片、先进封装、大硅片等制造工艺。同时公司围绕集成电路先进制程中晶圆减薄、再生晶圆代工等市场需求，突破了晶圆减薄设备、供液系统、晶圆再生、关键耗材与维保服务等技术。公司在不断研发与创新的过程中，截至2022年6月30日，已累计拥有专利221件、软件著作权17件，对公司的研发技术成果进行保护。

（2）资深、优秀的研发技术团队
公司高度重视技术人才的培养和发掘，坚持人才培养与优秀人才引进并举的策略，持续培养和引进国际及国内一流的技术人才，形成了以董事长兼首席科学家路新春先生为核心的核心技术研发团队，主要核心技术团队成员均有多年集成电路行业从业研究经历。同时，公司在研发高端半导体装备的过程中，坚持自主创新，通过承接国家重大专项及地方重大科研任务，培养建立了高效稳定的研发人才体系，截至 2022年 6月 30日，公司研发人员达 277人，占公司总人数的34.93%，形成了具有层次化人才梯队。

（3）健全有效的质量管理体系
公司秉承以顾客为中心的原则，将质量管理体系贯穿到整个价值链当中，为客户提供高质量的产品和一流的服务。公司建立了符合行业规范的全面质量管理体系，已在 2014年通过GB/T19001-2016/ISO9001：2015质量管理体系认证并持续保持其有效性；针对晶圆再生业务通过了IECQ QC080000：2017有害物质过程管理体系认证。公司始终将保证产品质量贯穿到产品研发、设计和生产工作中，并通过质量标准化操作和规范化业务处理流程，保证各项业务和流程在每个环节均处于可控状态，产品质量和可靠性得到客户的高度认可。

（4）优质、稳定的客户资源
公司自成立至今，一直专注于高端半导体设备和工艺及配套耗材的研发，坚持自主研发和持续创新，产品已成功进入中芯国际、长江存储、华虹集团、长鑫存储、英特尔、厦门联芯、广州粤芯、上海积塔等行业知名集成电路制造企业，取得了良好的市场口碑，与客户建立了良好的合作关系。公司通过在上述集成电路制造企业的产品验证过程，对客户的核心需求、技术发展的趋势理解更为深刻，有助于在设备具体定制化研发方向的选择上更加贴近客户的需求。

（5）本地化的售后服务
半导体设备制造商售后服务的快速响应和无障碍沟通方面尤为关键，关系到设备在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导体制造环节向亚洲尤其是中国大陆转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近客户，能提供更快捷、更经济、更顺畅的技术支持和客户维护。为保证公司的售后服务水平，公司组建了一支现场与远程相结合的经验丰富的技术支持和售后服务团队，能够保证 7×24小时快速响应客户的需求，并在约定时间内到达现场排查故障、解决问题。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
近年来，受益于物联网、大数据、人工智能、汽车电子等多元化下游应用对芯片的需求旺盛，全球半导体市场高景气度运行，产能高度紧张，呈现供不应求的卖方市场态势。全球多个大型集成电路制造厂持续扩产，资本支出保持在较高水平，且伴随着芯片领域国际竞争形势变化剧烈，半导体设备国产替代步伐进一步加快，为我国半导体设备产业提供新发展机遇。

公司是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体设备供应商，始终坚持以技术创新为企业发展的驱动力，践行“自强成就卓越，创新塑造未来”的企业精神，持续优化企业管理体系及客户服务保障能力，努力提高产品市场表现及竞争能力，实现了公司主营业务的稳健发展，在 2019-2021年三年营业收入复合增长率达 95.34%的基础上，公司 2022年上半年营业收入同比增长144.27%达7.17亿元，新签订单金额同比增长133%达20.19亿元。同时公司凭借领先的研发能力和优异的产品质量赢得了社会各界的广泛赞誉，荣获 “中国机械工业科学技术奖（技术发明）特等奖”、“天津市科学技术奖（技术发明）一等奖”、“国家制造业单项冠军示范企业”、“国家专精特新重点小巨人企业”、“国家企业技术中心”等荣誉及奖励，并获批成立“院士专家工作站”、“博士后科研工作站”等科研创新平台。（未完）
各版头条