[中报]新洁能(605111):2022年半年度报告
原标题:新洁能:2022年半年度报告 无锡新洁能股份有限公司 2022年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司全体董事出席董事会会议。 三、 本半年度报告未经审计。 四、 公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无。 六、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 七、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“可能面对的风险”的内容。 十一、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6 第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................. 9 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 26 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 28 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 30 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 43 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 50 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 50 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 51
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司信息
二、 联系人和联系方式
三、 基本情况变更简介
四、 信息披露及备置地点变更情况简介
五、 公司股票简况
六、 其他有关资料 □适用 √不适用 七、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 （1）追溯调整原因：根据财政部 2021年 12月 30日下发的《关于印发<企业会计准则解释第 15号>的通知》对上年同期相关科目进行追溯调整，详见公司在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《关于会计政策变更的公告》（公告编号：2022-031）。 （2）由于 2021年度公司的股份数量因送股发生变动，根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订）规定，以调整后的股数重新计算并列示上年同期的的基本每股收益、稀释每股收益。 八、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 九、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用 √不适用 十、 其他 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 1、主要业务 公司的主营业务为 MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。通过持续的自主创新，已构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出 SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、智能功率 IC等新产品。公司的产品先进且系列齐全，目前产品型号超1600款，电压覆盖12V~1700V全系列，是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司，重点应用领域包括汽车电子、光伏和储能、数据中心、5G通讯、工业电源、机器人、安防、变频家电、农用无人机、医疗设备、锂电保护等十余个行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；同时子公司金兰半导体正在建设先进功率模块生产线，以满足光伏、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、行业情况 根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”大类下“3972半导体分立器件制造”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在 22%-25%之间。 半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。 根据 Omida数据显示，全球 2021年功率半导体市场规模约为 435.62亿美元，预计 2024年市场规模将达到 532.19亿美元，未来三年复合增速为 6.9%；2021年中国功率半导体市场规模约为157亿美元，预计 2024年市场规模将达到 195.22亿美元，未来三年复合增速为 7.53%，占全球市场约为 36.68%，中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。 市场研究机构 IC Insights指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET与 IGBT模块。主要的半导体功率器件（MOSFET和 IGBT）的市场需求规模如下： MOSFET：全球市场规模约 80亿美元，国产替代空间巨大。根据 Omdia数据显示，功率MOSFET全球市场规模在近几年保持比较稳定，约为 80亿美元，约占功率器件市场 54%。国内市场约 30亿美元，约占全球市场 39.9%，未来 3年市场保持稳定。 IGBT：全球市场空间约 57亿美元，国内占 40%，新能源领域为其核心增长催化剂。从 IGBT市场空间来看，2021年全球 IGBT（分立+模块）市场规模约 57亿元，国内 IGBT市场约为 22.43亿元，国内市场规模占全球比约为 40%。根据 Omdia的统计和预测，全球 IGBT市场规模 2024年预计达到 66.19亿美元，2020-2024年复合增速约为 5.16%；中国 IGBT市场规模 2024年预计达到 25.76亿美元，2020-2024年复合增速约为 4.34%，中国市场占全球比例约为 40%左右。由于 2020年以来，新能源汽车、光伏、储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。 公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率 MOSFET及超结功率 MOSFET的公司，也是国内最早在 12英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET及 IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内 MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据 Omdia统计数据，2020年国内 MOSFET市场销售额排名中，含国际厂商在内公司排名第 8，其中设计领域公司名列第一。 二、 报告期内核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有165项专利，其中发明专利 47项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在 IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文 14篇，其中 SCI收录论文 8篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，不断缩小与国际一流半导体功率器件企业的技术差距。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 MOSFET、IGBT的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆 IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先在国内研发并量产基于 12英寸芯片工艺平台的 MOSFET产品，实现基于 12英寸芯片工艺平台的 IGBT产品的量产，并新增开发多款模块产品及功率 IC产品以不断丰富产品品类；提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，逐步实现对 SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司主要产品为 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、沟槽型功率 MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖 12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。 公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有 1600余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力、华润上华等领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了 ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率 MOSFET”、“沟槽型功率 MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品相继通过 AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。MOSFET、IGBT相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，MOSFET、IGBT的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得 MOSFET、IGBT主要基于 8英寸以及 12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内 8英寸和 12英寸工艺平台上 MOSFET和 IGBT芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品，同时子公司金兰半导体正在建设先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET以及沟槽型场截止 IGBT等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与国外一线品牌主流产品甚至最新产品基本相当，实现对 MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入汽车电子、光伏逆变和光伏储能等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长兼总经理朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于 8英寸和 12英寸芯片工艺平台对 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 三、 经营情况的讨论与分析 报告期内，公司共实现营业收入 86,112.62万元，较去年同期增长 25.73%；其中主营业务收入 85,912.93万元，较去年同期增长 25.77%；归属于上市公司股东的净利润 23,421.95万元，较去年同期增长 34.42%；归属于上市公司股东的扣非净利润 22,225.45万元，较去年同期增长 30.94%。 （一）市场开发与销售 2022年上半年，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用需求相对减弱，光伏、储能、新能源汽车等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，加大加快相应产品供给，将产品导入并大量销售至新能源汽车、光伏、储能等相关领域客户，并持续开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力。 产品结构方面：2022年上半年以来，公司进一步加大了 IGBT、SGT-MOSFET和 SJ-MOSFET产品的销售投入，从结果来看： （1）IGBT产品作为光伏、储能行业的重点应用产品，公司持续加大芯片及封装全方位的资源投入，上半年实现销售收入 12,518.13万元，比去年同期增长了 371.23%，销售占比从去年同期 的 3.89%提升到今年的 14.57%，预计下半年 IGBT产品的销售将进一步加速放量； （2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平 台，其中有较多料号上半年进入了新能源汽车电子领域，上半年实现销售收入 35,984.74万元，相 比去年同期增长了 32.83%；销售占比从去年同期的 39.66%提升到今年的 41.89%； （3）SJ-MOSFET产品方面，公司持续加大数据中心、汽车 OBC、充电桩、微型逆变器等下 游应用领域的开拓，上半年实现销售收入 9,893.99万元，相比去年同期增长了 66.16%；其销售占 比从去年同期的 8.72%提升至 11.52%； （4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，报告期内公司持续降低 其销售比例，其销售占比从去年同期的 47.67%降低至 31.88%。 市场结构和客户结构方面：公司 2022年上半年度进一步降低了智能短距离交通应用以及部分 消费电子应用的市场份额，积极发展汽车电子、光伏储能、5G基站电源、工业自动化等中高端行 业应用。 等。 汽车电子方面，2022年上半年，公司与比亚迪继续扩大合作规模，目前已经实现近二十几款产品的大批量供应，另外公司产品已对小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等数十家车企形成持续规模出货，涉及车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、辅助驾驶域等多个领域应用，并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统，产品交付数量已超过 40款且持续增加，产品交付至今无任何异常反馈。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多，出货数量最大的功率器件设计公司。 光伏储能方面，公司紧密抓住新能源快速增长的市场需求，重点发力光伏储能市场，产品相关性能已达到国际厂商主流竞品水平，成功导入并大量供应国内 80%以上的 Top10光伏企业，进一步加强与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等头部企业的合作规模，并根据行业特色要求以及未来市场需求，与部分客户签订了保供协议。公司所生产的光伏用公司推出全球首款 1200V 100A光伏用单管 IGBT，未来将陆续推出 120A、150A等全系列产品，并进一步加快客户端验证，以满足客户的多样化需求，实现对功率模块的部分替代，从而保证公司 IGBT器件产品在该领域的领先地位。 （二）研发创新 2022年上半年，公司实现研发投入 3,833.23万元。截至目前，公司（含子公司）新增授权专利 25项，其中发明专利 13项、实用新型专利 12项；当期申报专利 12项，其中发明专利 11项。 累计来看，公司（含子公司）共有专利 165项，其中发明专利 47项（不含已到期专利），集成电路布图专有权 16项，新增产品 110余款。 ? IGBT平台： （1）以光伏储能这类对能效和长期高可靠性有极致要求的典型行业为聚焦对象，公司进一步提升产品的电流密度，优化开关特性，目标综合功率损耗达到业界领先水平的新一代 FS-E系列1200V IGBT产品正在进行首轮工程流片。 （2）为满足新能源市场功率提升的需求和重点客户的定制要求，开发的业界首款 TO-247Plus封装 1200V 150A单管产品已在开发中，之前开发的 1200V 100A产品已经在多个光伏重点客户开始批量使用，反馈良好。 （3）针对光伏储能和汽车电子市场的高能效需求，公司的 650V/750V 超高密度沟槽栅场截止 IGBT（Trench FS-IGBT）FS-E系列产品目前已完成工程开发，该产品采用超高密度沟槽栅结构与多梯度背面缓冲层技术，其产品关键性能参数与国际龙头厂商的最新一代同规格产品达到相近水平，且芯片尺寸较市面上同规格产品可以小 20%以上。 （4）针对某国内大客户汽车逆变单管应用需求，公司开发了市面上首款 TO-247Plus封装750V/225A IGBT产品，该工程流片已完成，产品参数达到预期水平，目前已进入应用评估阶段。 （5）8寸 650V超高密度沟槽栅场截止 IGBT结合背面光刻、注入工艺技术，开发的低饱和压降逆导 IGBT（RC-IGBT）平台，已完成首轮工程流片，参数符合预期。该产品可以将 IGBT与FRD集成到同一芯片中，在不影响器件性能的同时可以显著降低芯片成本。 （6）12寸超薄厚度 650V IGBT平台开发已完成首轮流片，参数符合预期，并已通过可靠性考核，为后续 650V/750V产品量产提供了产能基础。 ? SJ-MOS平台： （1）为满足充电桩和车载充电器等大功率电源需求，公司已在 12寸平台已成功实现 650V第三代集成超快恢复体二极管的超结产品稳定量产，并在现有 12寸 650V第三代带有超快恢复体二极管的超结 MOSFET产品的基础上，通过工艺流程优化，开发了进一步降低特征导通电阻（Rsp）的 650V和 600V产品系列，产品特征导通电阻降低 10%以上。 （2）针对充电桩、车载 OBC、大功率电源等应用，公司开发的 12寸平台第四代 600V和 650V超结产品已完成流片，600V产品特征导通电阻可以降低至 1.1m?.mm2。此外，为满足更大功率电源的特殊需求开发的 TO-247封装下，600V/ 17mohm的产品已经在工程流片中。 （3）业界首款在 200V低压超结基础上研发的超结 300V 快恢复超结产品，目前已进入单芯片工程开发，首款 300V 70A产品目标应用于工业逆变、光伏储能等领域。 ? SGT-MOS平台： （1）国内首个针对 5G通讯电源及大功率高可靠性工业电源开发的 P100V SGT MOS平台实现量产，其可靠性达到多家行业头部客户的要求，同时，针对 5G通讯电源及大功率高可靠性工业电源应用，特征导通电阻（Rsp）目标达到业界领先的 P150V SGT MOS正在进行工程批流片，目标 2022年底完成产品设计与工艺固化。 （2）为满足汽车车舱域控、汽车水泵/油泵、新能源车锂电保护、大功率数据中心、服务器电源、通讯电源与工业电源、小体积大功率下一代电动工具等多个行业应用要求，公司同步在 8寸和 12寸平台开发达到业界领先水平的超小元胞尺寸和超高元胞密度的 N25V、N30V、N40V第三代 SGT MOS，目前正处于工程批晶圆流片中，目标 2022年底完成产品设计与工艺固化。 （3）为满足混动新能源车 48V系统、工程机械专用车辆主驱电控、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型电动车电控及锂电保护等多个行业应用要求，公司正在 12寸平台开发可达业界领先水平的超低特征导通电阻和高鲁棒性的 N85V、N100V第三代SGT MOS，目前正在进行工程批晶圆流片中，目标 2022年底完成产品设计与工艺固化。 （4）针对服务器主板和笔记本电脑主板市场，国内首款集成快恢复二极管的 N30V SGT MOS完成测试评估，其反向恢复电荷 Qrr相较于普通同电流规格的 SGT MOS降幅达 20%以上，该技术将应用至第三代 N30V SGT产品。 ? Trench-MOS平台： （1）8英寸方面，满足汽车、5G通讯及工业自动化等高可靠性应用的新型结构 P60V~150V 完成多芯片设计阶段（MPW）工程批流片，主要参数符合预期目标，目标 2022年 4季度完成产品设计与工艺固化。 （2）针对新一代汽车中控、mini LED、手机及周边、变频家电与小家电、锂电池保护、工业电源等行业应用，公司开发了基于超高元胞密度和全新硅外延材料的新一代超低特征导通电阻P20V~P40V平台，预计在 2022年四季度完成流片和测试。 （3）针对汽车车舱域控、汽车应急启动电源、新一代手持式电动工具电控与锂电保护、锂电化成电源等行业应用，公司结合 12寸特色工艺制程与先进的超薄片工艺技术，正在开发具有业界最低特征导通电阻的 N30V~40V工艺平台。 汽车电子方面：P20V、P30V、P40V、P60V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V 、N150V SGT MOS与 Trench MOS平台、650V SJ MOS平台、1200V IGBT平台合计近 40款典型产品通过AEC-Q101车规级考核，完成 PPAP程序，并且已大批量交付近 20家 Tier1厂商及终端车企，各平台系列车规型号产品也在持续扩充增量中， 产品已广泛应用于域控制器、主驱电控、自动启停、油泵/水泵、OBC等多个汽车细分应用中。公司已建立并持续升级汽车电子质量管理体系，致力于向汽车客户提供零缺陷产品：设计阶段，基于 APQP进行先期导入；认证阶段，基于汽车客户要求+IATF16949+VDA6.3进行质量管理；验证阶段，确保产品满足客户要求以及 AEC-Q101标准；持续运用 VDA6.3&VDA6.5等管理体系，通过创技术新、质量管理以及持续改善满足客户需求。 第三代半导体功率器件平台：公司目前已推出 1200V 60mohm SiC MOSFET样品，同时，已通过相关电性能测试评估及可靠性考核，产品综合特性达到国际先进水平，预计 2022年下半年向客户送样测试；公司同时将在 Q3推出 1200V 17mohm、1200 V 32mohm、1200V 75mohm 等 SiC MOSFET系列产品，预计今年下半年会推向市场，主要目标市场是光伏逆变和汽车；在 GaN HEMT方面，公司目前也推出了 650V 175mohm的样品，预计 2022年下半年可以对客户送样评估。以上产品，预计将在 2023年逐步上量。 功率 IC产品平台：公司控股国硅集成电路技术（无锡）有限公司，产品系列得到进一步完善。 今年上半年已推出 20V低侧栅极驱动，主要用于光伏逆变及储能市场、工业电源、服务器电源；推出 600V 半桥栅极驱动产品，用于光伏逆变器、机器人技术、工业控制、伺服电机、变频器等市场；推出 40V互补推挽式栅极驱动芯片，用于空调、新风系统等智能家居应用。相关产品处于积极市场推广阶段，预计 2022年下半年将逐步起量。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，截至目前，公司的研发人员已达 90余人，并持续引入高学历人才，以进一步加强汽车电子和半导体功率模块产品的开发力度。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2022年以来，国内疫情反复，物流成为供应链的瓶颈，公司运营部门积极寻求新的运输模式，以保速保产。随着新能源汽车、光伏储能行业迎来新机遇，公司相应产品的产能持续紧张，公司的运营部门积极协调产能，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都做好产销衔接及产能调配工作，与各主要供应商继续保持良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 芯片代工业务方面，公司涵盖了华虹宏力、华润上华等国内主要的具备 MOSFET、IGBT等大尺寸晶圆芯片代工能力的本土芯片代工供应商；尤其是华虹宏力，公司与其建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均批量投产。公司已成为国内 8英寸、12英寸芯片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一，且整体产能持续增长。功率 IC产品已与各代工厂建立了良好合作关系，并实现批量投产。同时，为满足 IGBT合封需求，公司积极协调 FRD供应商增加产能，FRD回货数量同比 2021年上半年增加 158%；随着 FRD产能的进一步提升，公司下半年 IGBT产能亦将获得较大增长。 封装测试环节，受市场景气度变化影响，普通消费类产品封装数量与上半年相比略有下降，但是 IGBT、汽车电子应用的 MOSFET产品提升较快。公司与日月光、成都集佳签订 IGBT封测产能协议，确保 IGBT产品的产能供应；汽车电子产品方面，公司同时开发了日月光、成都集佳、长电科技等几家具备车规供应能力的封测厂；子公司电基集成 TO-247封装生产线顺利通线投产，汽车产线启动评估，为后续大规模量产做好充分支持。 此外，公司正在积极开发 SiC MOSFET产品供应商，以谋求更大的发展空间。 （四）子公司发展情况 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品。从设立之初，电基集成就特别注重车规级封测产线的建设与管理，并顺利通过 SGS IATF 16949体系认证。 2022年上半年，电基集成营业收入与去年同期相比增加了 20.17%。用于无人机和车载辅助系统的 PDFN5x6 Full Clip封装形式继续扩大生产规模，规划产能增加到原来的三倍；适用于高电流汽车应用，包括电池管理、电子动力转向（EPS）、主动式交流发电机等系统的 TOLL封装继续增加产能和产量；用于光伏和储能的 TO247和 TO247P新封装形式完成调试并顺利转入批量生产。 2022年上半年，电基集成完成汇川、理想、BYD等客户 VDA6.3/VDA6.5 的过程、产品审核和产品导入，全力打造多条车规级的封装和测试产品线，开展多款车载器件的项目论证，同期进行了 ANSI/ESD S20.20体系的认证。 2、金兰半导体 2021年 11月，公司发起设立子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前金兰半导体已建立起一支完整的熟练掌握产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队多数成员有数十年丰富的 IGBT模块产品及工艺开发经验，并拥有良好的生产品质管理经验。金兰半导体正致力于建设第一条 IGBT模块的封装测试生产线，设备正在购建过程中，预计2023年 1月底完成通线。功率模块产品的开发在也正在同步进行，基于 650V和 1200V平台的多款应用于光伏逆变行业的 IGBT模块产品，预计产线通线后即可进行样品的试制以及验证评估。 3、国硅集成 2022年上半年公司以自有资金对国硅集成电路技术（无锡）有限公司进行增资并实现控股，其主要致力于车规级智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，国内首创四端口单片集成高压自举、自适应高压侧窄脉冲传输、增强型快速电平移位、互导型电容隔离信号传输、超高精度的片上集成双向过流保护等多项功率 IC芯片核心技术，已形成系列智能功率集成电路芯片产品，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。 公司控股国硅集成电路技术（无锡）有限公司，产品系列得到进一步完善，目前已覆盖20V~600V栅极驱动产品系列，并积极联合开发结合 MOSFET创新、封装创新、IC创新的智能功率集成产品，以提高公司产品的整体领先性与综合技术门槛，增强公司的核心竞争力，进一步满足高端客户的创新需求，为终端客户提供包含 IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结 MOSFET、智能功率 IC芯片、智能功率模块等功率半导体芯片的整体解决方案。 （五）内部管理 2022年上半年，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。 （六）投资情况 公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 2022年上半年，根据公司发展战略规划以及金兰半导体的生产经营需要，公司向金兰半导体追加投资 5,000万元，并为金兰半导体引入相关战略投资者。此外，公司向国硅集成进行增资，持股比例从 5%增加至 52.50%，实现对国硅集成的控股。 （七）其他资本运作 2022年上半年，公司完成了权益分派工作。 2022年 8月，公司完成了上市后非公开发行的相关工作，实际募集资金净额 14.01亿元，此募集资金的取得，将促使公司的进一步加速发展。 （八）主要荣誉奖项 截至目前，公司 2022年度新增荣誉奖项如下： 荣获中国半导体行业协会颁布的“2021年中国半导体功率器件十强企业”荣誉称号； 获批“无锡市级企业技术中心”； 董事长荣获批“无锡市产才融合突出贡献人才” 荣誉称号； 荣获华虹宏力半导体“卓越贡献客户”称号； 荣获“福布斯 2022中国创新力企业 50强”称号。 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 四、报告期内主要经营情况 (一) 主营业务分析 1 财务报表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币
营业成本变动原因说明：主要系报告期内公司收入增加，成本亦相应增加所致。 销售费用变动原因说明：主要系公司对销售人员实施股权激励，股份支付费用增加所致。 管理费用变动原因说明：主要系公司对管理人员实施股权激励，股份支付费用增加所致。 财务费用变动原因说明：主要系公司银行存款增加，通过现金管理增加利息收入，以及汇率波动带来的汇兑损益变化所致。 研发费用变动原因说明：主要系公司持续增加研发投入所致。 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司当期购买商品、接受劳务支付的现金增加较多所致。 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司当期理财产品到期赎回产生的现金增加，且购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金减少所致。 筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司当期收到的股权激励款项和子公司吸收少数股东投资的现金增加所致。 其他收益变动原因说明：主要系当期收到的政府补助相比上期减少所致。 投资收益变动原因说明：主要系处置其他非流动金融资产取得的投资收益增加所致。 动较少所致。 资产减值损失变动原因说明：主要系当期公司存货余额增加，存货跌价准备计提增加所致。 2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用 (二) 非主营业务导致利润重大变化的说明 □适用 √不适用 (三) 资产、负债情况分析 √适用 □不适用 1. 资产及负债状况 单位：元
注（1）交易性金融资产变动原因说明：主要系报告期内公司购买的保本浮动型理财产品赎回所致。 注（2）预付款项变动原因说明：主要系报告期内公司预付给供应商的款项增加所致。 注（3）存货变动原因说明：主要系随着公司产能的快速提升以及为应对下游旺盛需求积极备货，期末结存的存货产品增加所致。 注（4）其他流动资产变动原因说明：主要系当期预缴及待抵扣税款减少所致。 注（5）在建工程变动原因说明：主要系封装生产线和待安装通用设备转入固定资产所致。 注（6）无形资产变动原因说明：主要系报告期内公司控股国硅集成，国硅集成智能功率驱动芯片技术并入所致。 注（7）商誉变动原因说明：主要系报告期内公司向国硅集成增资并实现控股所致。 注（8）递延所得税资产变动原因说明：主要系报告期内递延收益和股份支付可抵扣金额增加所致。 注（9）应付职工薪酬变动原因说明：主要系报告期末公司应付职工短期薪酬减少所致。 注（10）应交税费变动原因说明：主要系公司销售规模、利润总额扩大，导致当期应交增值税和企业所得税增加所致。 注（11）其他应付款变动原因说明：主要系公司对员工实施股权激励引起的限制性股票回购义务所致。 注（12）递延收益变动原因说明：主要系计入当期递延收益的政府补助项目增加所致。 注（13）递延所得税负债变动原因说明：主要系本期通过非同一控制下合并形成资产增值带来的暂时性差异所致。 2. 境外资产情况 √适用 □不适用 (1) 资产规模 其中：境外资产 1,085,939.55（单位：元 币种：人民币），占总资产的比例为 0.05%。 (2) 境外资产占比较高的相关说明 □适用 √不适用 其他说明 无。 3. 截至报告期末主要资产受限情况 √适用 □不适用 单位：元
4. 其他说明 □适用 √不适用 (四) 投资状况分析 1. 对外股权投资总体分析 √适用 □不适用 截至 2022年 6月末，公司的长期股权投资净值为 402,417,341.68元（母公司口径），相比期初增加了 89,754,808.77元，主要系报告期内公司向国硅集成进行增资并实现控股、以及确认对子公司电基集成的以权益结算的集团股份支付计入长期股权投资所致。 (1) 重大的股权投资 √适用 □不适用 2022年 6月 13日，公司召开第四届董事会第三次会议，审议通过《关于对全资子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司增资的议案》，根据公司发展战略规划以及金兰功率半导体（无锡）有限公司的生产经营需要，公司拟对金兰半导体进行增资，注册资本由 1,000.00 万元增加至 6,000.00 万元。具体详见在上交所网站（www.sse.com.cn）披露的 2022-037号公告。 2022年 6月 27日，公司召开第四届董事会第四次会议，审议通过《关于对国硅集成电路技术（无锡）有限公司增资的议案》，根据公司发展战略规划及实际发展经营的需要，拟以自有资金 8,000万元人民币对国硅集成电路技术（无锡）有限公司进行增资，注册资本由 315.7895万元增加至 631.579万元，增资后公司持股比例由 5%增至 52.5%。增资后国硅集成电路技术（无锡）有限公司纳入公司 2022年度合并财务报表范围。具体详见在上交所网站（www.sse.com.cn）披露的 2022-042号公告。 (2) 重大的非股权投资 √适用 □不适用 单位：万元
(3) 以公允价值计量的金融资产 √适用 □不适用 单位：元
(五) 重大资产和股权出售 □适用 √不适用 (六) 主要控股参股公司分析 √适用 □不适用 单位：万元
(七) 公司控制的结构化主体情况 √适用 □不适用 无锡富力鑫企业管理合伙企业（有限合伙）为公司纳入合并报表范围控制的结构化主体。该朱袁正作为普通合伙人持有其 13.40%的份额，因此其为公司控制的结构化主体。2022年 6月末，富力鑫总资产为 5,002.89万元，净资产为 4,999.39万元，当期净利润为-0.04万元。 五、其他披露事项 (一) 可能面对的风险 √适用 □不适用 1、市场波动风险 半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅巨大，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。 针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，加大汽车电子、光伏逆变和光伏储能等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，实现业绩规模快速增长。 2、采购价格波动风险 芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续大幅上涨，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。 针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。 3、供应商依赖的风险 公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华等国内少数几家具备 MOSFET、IGBT等 8英寸和 12英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。 针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。 4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险 公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。 针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。 (二) 其他披露事项 □适用 √不适用 第四节 公司治理 一、 股东大会情况简介
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