[中报]银河微电(688689):2022年半年度报告

时间:2022年08月22日 19:41:15 中财网

原标题:银河微电:2022年半年度报告

公司代码:688689 公司简称:银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 2022年半年度报告 重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容。



三、公司全体董事出席董事会会议。



四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人杨森茂 、主管会计工作负责人关旭峰及会计机构负责人(会计主管人员)李福承声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告内容涉及的未来计划等前瞻性陈述因存在不确定性,不构成公司对投资者的实质性承诺,请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................. 8
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 24
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 25
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 30
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 51
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 56
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 56
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 57












备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报告
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
 其他相关资料


第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
银河微电、公 司、本公司常州银河世纪微电子股份有限公司
银河星源常州银河星源投资有限公司,本公司控股股东
恒星国际恒星国际有限公司(Action Star International Limited),本公司股东
银江投资常州银江投资管理中心(有限合伙),本公司股东
银冠投资常州银冠投资管理中心(有限合伙),本公司股东
聚源聚芯上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心(有限合伙),本公司股东
银河电器常州银河电器有限公司,本公司子公司
银河寰宇泰州银河寰宇半导体有限公司,本公司孙公司
《公司章程》《常州银河世纪微电子股份有限公司章程》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所、交易 所上海证券交易所
保荐机构、中 信建投中信建投证券股份有限公司
会计师、立信 会计师立信会计师事务所(特殊普通合伙)
报告期2022年上半年度
报告期末2022年6月30日
元、万元、亿 元人民币元、万元、亿元
IDMIntegrated Device Manufacture 的缩写,又称纵向一体化经营,指半导 体行业集产品设计、芯片制造、封装测试、销售服务一体化整合的经营模 式,能够实现设计、制造环节的协同优化,充分挖掘技术潜力,有条件率先 试验并推行新的半导体技术,为诸多领先分立器件厂商采用。
半导体分立 器件以半导体材料为基础的,具有固定单一特性和功能的电子器件。
集成电路将一定数目的二极管、三极管、电阻、电容和电感等集成在一个芯片里,从 而实现电路或者系统功能的电子器件。
小信号器件耗散功率小于1W(或者额定电流小于1A)的分立器件。
功率器件耗散功率不小于1W(或者额定电流不小于1A)的分立器件。
光电器件利用半导体光-电子(或电-光子)转换效应制成的各种功能器件。
二极管是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件。
三极管全称为半导体三极管,包括双极晶体管、场效应晶体管等。
MOSFET、 MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体 管,属于电压控制型器件。
桥式整流器用多只(四只、六只等)二极管芯片以桥式整流方式连接,并用绝缘模塑料 封装成整体,具有将单相(三相)交流电转换成直流电功能的半导体分立 器件。
光电耦合器是由发光二极管和光敏三极管合并使用,以光作为媒介传递信号的光电器 件。
轴向二极管在同一轴线上两端引出引线的半导体二极管。
芯片如无特殊说明,本文所述芯片专指半导体分立器件芯片,系通过在硅晶圆
  片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺加工后,在一个硅晶圆片 上同时制成许多构造相同、功能相同的单元,再经过划片分离后便得到单 独的晶粒,即为芯片。
OJ芯片将做过PN结的晶圆片直接分离开所形成的(开放结)芯片,需要进行引线 焊接、台面腐蚀,涂覆硅橡胶保护层等才能形成稳定的电性。
晶圆是制造半导体芯片的硅单晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。
整流用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程。
开关利用半导体分立器件模拟机械开关,起导通和截止的作用。
稳压利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程。
肖特基肖特基势垒,是指具有整流特性的金属-半导体界面,和 PN结具有类似的 整流特性。肖特基势垒相较于PN结最大的区别在于具有较低的接面电压, 以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)耗尽层宽度。
封装测试、封 测封装是把芯片按一定工艺方式加工成具有一定外形和功能的器件的过程。 测试是把封装完的器件按一定的电性规格要求进行区分,把符合规格与不 符合规格的产品分开的过程。
塑封用注塑、挤压等方法将热塑性或热固性树脂施加在制件上包覆成特定外形 而作为保护或绝缘层的一种作业。
氧化在特定气体成分、压力、温度等条件下,(在高温氧化炉内)晶圆表面生长 一定厚度的致密SiO2薄膜的过程。
光刻一种利用光照、感光剂(光刻胶)、掩膜版(其上有设计好的图形)配合的 复印技术,可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上。
钝化在半导体器件PN结表面覆盖保护介质膜,防止表面污染的工艺过程。
LED半导体发光二极管(Light-emitting Diode),是一种可以将电能转化为 光能的半导体器件。
TVS瞬态电压抑制二极管
DFNDual Flat No-lead Package的缩写,双边扁平无引脚封装。
CSPChip Scale Package的缩写,指芯片级尺寸封装。
可见光电磁波谱中人眼可以感知的部分,如红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫各色光, 其波长范围在380纳米~760纳米之间。
可见光传感 器将可见光作为探测对象,并转换成输出信号的器件。
MOS继电器 光耦是指由MOSFET光耦合LED制成的半导体继电器,主要用作信号继电器的代 替品。光继电器不含有动触点,所以相比机械继电器而言具有更长久的可 靠性。
功率晶体管耗散功率在 1瓦以上的晶体管。在电力电子器件中为一大类,包括双极型 功率晶体管、功率场效应晶体管、功率静电感应晶体管、隔离栅晶体管、复 合晶体管等。
FRD快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的 半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路 中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。





第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称常州银河世纪微电子股份有限公司
公司的中文简称银河微电
公司的外文名称Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.
公司的外文名称缩写GALAXY MICROELECTRONICS
公司的法定代表人杨森茂
公司注册地址常州市新北区长江北路19号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址常州市新北区长江北路19号
公司办公地址的邮政编码213022
公司网址http://www.gmesemi.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名李福承岳欣莹
联系地址常州市新北区长江北路19号常州市新北区长江北路19号
电话0519-688593350519-68859335
传真0519-851202020519-85120202
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券 日报》《中国日报网》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券事务部
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板银河微电688689不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入365,269,762.44404,504,217.96-9.70
归属于上市公司股东的净利润53,483,113.3457,846,081.97-7.54
归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润43,479,708.0555,421,210.59-21.55
经营活动产生的现金流量净额69,060,194.7945,177,883.9352.86
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产1,088,550,211.661,074,550,646.221.30
总资产1,421,044,789.261,390,429,749.322.20

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.420.47-10.64
稀释每股收益(元/股)0.420.47-10.64
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.340.45-24.44
加权平均净资产收益率(%)4.916.28减少1.37个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)3.996.01减少2.02个百分 点
研发投入占营业收入的比例(%)7.765.53增加2.23个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2022年上半年公司实现营业收入365,269,762.44元,同比减少9.70%。

报告期内,公司实现归属于母公司所有者的净利润53,483,113.34元,同比减少7.54%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润43,479,708.05元,同比减少21.55%。

报告期末,公司财务状况良好,总资产1,421,044,789.26元,较报告期初增加2.20%;归属于母公司的所有者权益1,088,550,211.66元,较报告期初增加1.30%。

经营活动产生的现金流量净额6,906.02万元,同比增加52.86%,主要系报告期内公司回款较快,销售商品收到的现金增加所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适
  用)
非流动资产处置损益-294,899.86 
越权审批,或无正式批准文件,或偶发性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相 关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受 的政府补助除外4,778,297.88 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得 投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益155,380.23 
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准 备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损 益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持有交 易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融 负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易性金融资产、 衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益6,647,530.42 
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变 动产生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性 调整对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出463,170.15 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额1,746,073.53 
少数股东权益影响额(税后)  
合计10,003,405.29 

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
一、公司所属行业及其发展情况
公司主要从事半导体分立器件芯片及分立器件成品的研发、生产及销售,以及提供封装测试等制造服务,属于半导体行业。

按照《国民经济行业分类》国家标准(GB/T4754-2017),公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”下的“C3972半导体分立器件制造业”。

根据中国证监会颁布的《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类(2018)》,公司所属行业为“新型电子元器件及设备制造”下的“半导体分立器件制造”。

半导体行业位于电子行业的中游,是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业。半导体产品按结构和功能可进一步细分为分立器件和集成电路,分立器件与集成电路共同构成半导体产业两大分支。近年来,分立器件占全球半导体市场规模的比例基本稳定维持在18%-20%之间。

与海外半导体产业进入成熟阶段不同,我国半导体处在奋起追赶的发展黄金窗口期,产业发展任重道远。近年来,我国分立器件企业紧跟国际先进技术发展,通过持续的技术创新不断推动产品升级,在技术研发和先进装备方面进行了大量的投资,并积极向中高端市场渗透,与国际厂商展开竞争,已经在消费电子等细分应用领域取得了一定的竞争优势。

二、公司主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,致力于成为半导体分立器件细分领域的专业供应商及电子器件封测行业的优质制造商。公司以客户应用需求为导向,以封装测试专业技术为基础,积极拓展二极管芯片制造技术,初步具备IDM模式下的一体化经营能力,可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案,满足客户一站式采购的需求。

2、主要产品或服务情况
公司主营各类小信号器件(小信号二极管、小信号三极管、小信号MOSFET)、功率器件(功率二极管、功率三极管、功率MOSFET、桥式整流器),同时还生产车用LED灯珠、光电耦合器等光电器件和少量三端稳压电路、线性恒流IC等其他电子器件。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域,并可以为客户进行封测定制加工。

三、公司经营模式
公司坚持以客户需求为导向,依托技术研发和品质管控能力,积极实施包括多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合(IDM),采用规模生产与柔性定制相结合的生产组织方式,以自主品牌产品直销为主满足客户的需求,从而实现盈利。

1、采购模式
公司采用“集中管理、分散采购”的模式,将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快捷灵活性有效地结合起来,并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式,达到兼顾快速交付订单和有效管控存货风险的要求。

2、生产模式
公司采用“以销定产,柔性组织”的生产模式。公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产,以实现产能的规模效应和专业化管理。同时,公司以市场为导向,努力构造并不断优化适应客户需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。

3、营销模式
公司依托自主品牌和长期积累的客户资源,采用直销为主、经销为辅的营销模式,并利用丰富的产品种类和专业化的支持,为客户提供一站式采购服务。公司建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务团队,依托丰富的产品种类和专业化的技术支持,为客户提供一站式采购服务。

4、研发模式
公司采用“自主研发、持续改善”的研发模式,并在产学研合作方面展开探索和尝试。公司技术研发中心统一组织管理新产品研发以及技术储备研发活动,涵盖需求识别、产品设计、新材
、模拟试验和验证、应用服务等各个技术环节,构建相互 在报告期内未发生重大变化,未来还将继续保持。公司将 ,充分满足下游产业和客户对产品的需求,促进公司业务 主要业绩驱动因素 导体分立器件市场集中度较高,且由于国外企业的技术领 制、医疗设备等利润率较高的应用领域。因此,总体而言 企业在规模及技术上都存在一定差距。 呈现金字塔格局,第一梯队为国际大型半导体公司,凭借 内少数具备IDM经营能力的领先企业,通过长期技术积累 势领域逐步实现进口替代;第三梯队是从事特定环节生产 几种规格封装测试。 深耕,在多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多 心技术,具备较强的根据客户需求进行产品定制,并以多 的能力,在国内属于具备一定技术优势的半导体分立器件 核心优势产品,布局较早、具备先发优势,在国内市场的 。公司在功率器件领域具有一定的市场影响力,属于国内 企业。 立器件行业的核心门槛之一,公司在计算机及周边设备、 汽车电子、工业控制等领域得到了诸多知名龙头客户的长 升,产品逐步进入工业控制、安防设备、汽车电子、医疗 优势。 以及报告期内的变化情况 过程的标准化程度高,技术一般与特定的工艺环节相结合 则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多个系列的产品 件封装测试通用技术,并对组装、成型、测试过程进行工 体分立器件芯片领域,逐步掌握了功率二极管部分品类芯 测试通用技术 
技术描述及特点 
高密度阵列式 框架设计技术框架设计多排化使每条框架产品数增加,同时提高单位 面积内的产品数,提高生产效率及降低材料消耗。以 SOT-23为例,使用该技术使每平方厘米产品数从4.75 颗提高至5.71颗,密度提高20%。
芯片预焊技术将锡膏或焊片预焊在芯片两面,增加一道工序,在提升 焊接工序效率,减少芯片沾污方面有明显效果,焊接气 孔由5%减少到3%以下。
绝缘膜装片技 术是多芯片堆叠封装的重要支撑技术,可以满足同种或不 同芯片堆叠的需求,使芯片底部与基岛连接处不会有溢 胶,并达到精准的装片效果。
在线式真空烧 结技术以自动化流水线方式运行,预热及降温在移动过程中完 成,真空烧结在固定工位进行,出入口采用自动搬运结 构。焊点机械强度大幅提高,焊点空洞率低至1%以下。
  
超低弧度焊线 技术在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制及焊 线方法的改进,使小信号器件封装焊线线弧高度最低可 以控制至40um以下,从而实现产品超薄型化,如 DFN0603厚度达到0.25mm以下。
点胶量CPK自 动测量控制技 术通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控制,提 高芯片的受控程度,确保每个点位的胶量都在受控范 围。
功率芯片画锡 焊接技术是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走,达到胶 量更均匀位置更可控,从而达到焊锡均匀、焊接气孔减 少的目的,可提升功率器件的性能和可靠性。
光耦CTR控制 技术通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度和控 制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实现目标 CTR参数的调整,调整后的CTR一次对档率高。
低应力焊接封 装技术通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料及后 固化特殊处理工艺等措施及技术,降低封装应力,提高 产品的抗热应力能力和可靠性。
高温反向漏电 控制技术通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶体气 泡,结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技术,提高 OJ芯片产品的高温性能,使产品在高温下反向漏电更 小。
跳线焊接技术在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极与框 架的连接,有效降低芯片所受应力,降低产品潜在失效 风险。
MGP模封装技术采用多注射头封装模具,多料筒、多注射头封装形式, 优势在于可均衡流道,实现近距离填充,树脂利用率 高,封装工艺稳定。
变速注塑技术使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术,有效解决 塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。
DFN封装低应力 成型技术采用优化的塑封模具设计、优选的包封材料,自主开发 的包封、后固化及成型工艺技术,降低成型应力,提高 产品可靠性和安装性能。
光电产品复合 封装技术将发光芯片(IR)及接收芯片(PT)进行集成复合封装 时,通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度的控制, 实现光、电及光电传输参数的控制,并实现输入与输出 端绝缘隔离效果。
基于产品特性 数据分析的测 试技术针对芯片对产品特性的影响,通过分析量化,制定测试 方案,并用PAT方法筛选出产品性能离散及有潜在失效 模式的产品。
基于FMEA的测 试技术针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影响,通 过分析量化,制定测试方案,筛选出生产过程中的潜在 异常品及有潜在失效模式的产品。
全参数模拟寿 命试验验证技 术通过器件电、热、环境、力全方位测试验证,器件芯片 设计仿真能力,基础数据的长期大量积累,为器件研发 设计的验证、生产制造质量保障、市场服务保障。
  
  
基于潜在失效 风险的过程管 控技术通过对产品制造过程中实时在线数据的收集,包括环 境、工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除品的类 型分布、解剖分析等,对该生产批次产品及前后批次产 品进行失效风险评估,并按风险等级采取相应的措施, 以实现汽车应用市场失效率低于 500PPB(千万分之 五)的目标。
技术 
技术描述及特点 
平面结构芯片 无环高耐压终 端技术特有的无环高耐压平面结构设计,避免了传统台面结构 挖槽工艺的应力大、难清洗等问题,可以采用标准半导 体工艺(氧化、扩散、光刻、注入、CVD等)制备技 术,达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可靠性 等目的。
平面结构芯片 表面多层钝化 技术采用多层(至少3层)CVD钝化膜技术,形成芯片表面 所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化, 平面玻璃电泳等保护技术,可以使平面芯片具备 5um~20um的钝化介质层。多层CVD钝化膜起到固定可动 电荷、稳定耐压,隔离水汽渗透,绝缘电介质等功能, 从而形成芯片表面所需的综合钝化保护膜,相应产品性 能稳定性优异。聚酰亚胺钝化,平面玻璃电泳技术有效 解决了芯片封装中遇到的可靠性问题,提高器件极限条 件下的稳定性、可靠性。
平面结构功率 稳压二极管、 TVS芯片设计 及制备技术特有的平面结构设计及表面多层钝化技术,避免了传统 台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题,可以采用 标准半导体工艺制备技术制备,达到提升产品一致性、 稳定性、可靠性的目的。
平面结构高结 温芯片制造技 术通过芯片结构优化设计、主辅材料的优选,自主开发的 芯片制造工艺,实现高达175℃以上的工作结温能力。 达到提升产品性能和可靠性的目的。
台面结构特种 工艺功率FRD 芯片设计及制 备技术选择合适电阻率、厚度的单晶片,通过采用标准半导体 工艺制备技术,达到设计的基区结构参数,实现二极管 的正反向动态性能。可以针对不同应用要求提供针对性 优化产品系列。
上述技术来源均为公司自主研发,并独立享有相关知识产权成果。

公司半导体分立器件封装测试通用技术一般可用于多种封装,并最终应用于多种主营产品,功率二极管芯片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片,最终应用于功率二极管产品。此外,公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针对性测试的技术,广泛应用于公司各类主营产品。公司多项核心技术成熟度高,可应用于车规级产品生产,为公司车规级产品线的拓展提供了技术保障。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司继续加大技术研发的力度,通过加强研发团队建设、加强对外合作,增加配置及充分利用公司研发资源,提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定的成效。报告期内,公司主要取得的研发成果如下: (1)公司成功完成工业级可见光传感器产品的量产,并成功进入感光测试设备领域。

(2)公司完成了对第三代半导体晶圆切割、高温无铅焊接工艺的技术开发,并应用于新一代TO-247、窄引脚TO-220封装产品。

(3)实现了高密度SOD-723、SOT-523产品的稳定量产,将公司微型器件高密度化提升到新的水平。

(4)RFID完成了系统架构设计,完成基本云平台工作分配;
(5)IPM已完成首款样件开发及2轮改进,解决了部分性能问题,可靠性基本已达到要求; (6)低成本消费级SMA封装产品进入批量验证阶段。

(7)CSP封装技术完成总体技术路径验证,申请发明专利二项和PCT专利一项。

(8)抛负载保护器件芯片、1000V/1200V/1600V高压整流二极管芯片、外延台面FR芯片完成了第一次流片,性能基本符合预期,进入第一次改版阶段。

报告期内,公司投入研发费用2,832.98万元,研发投入总额占营业收入的比例为7.76%;公司申报国家专利19项,获得专利授权15项。截止报告期末,公司累计拥有有效专利205项,其中发明专利24项。

报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利404224
实用新型专利1515267181
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他0000
合计1915309205
注:
(1)“本期新增”中的“获得数”为报告期内新获得的专利数;
(2)“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入28,329,825.0722,364,731.9326.67
资本化研发投入---
研发投入合计28,329,825.0722,364,731.9326.67
研发投入总额占营业收入 比例(%)7.765.53增加2.23个百分点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投资 规模本期投入 金额累计投入金 额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
1CSP封装 ESD保护器 件开发350.00122.87268.18已完成试验线的安装调试及0603 封装尺寸5V/10pF产品的设计,已 完成开槽工艺、二次回填工艺、凸 点蒸发等工艺验证。即将进入全流 程验证。建立有特色的CSP工艺平 台,开发0603和0402两种 封装规格的ESD保护器件, 封装厚度小于0.25mm和 0.2mm国内 领先主要应用于手机等通讯 设备、可穿戴设备、智 能化终端等高密度组装 场合
2可见光传感 器的开发175.0066.76171.35工业级可见光传感器已转入正式批 量生产,民用级可见光传感器也已 开发完成,暂未形成销售。设计开发可见光传感器,建 立封测技术平台,形成系列 化产品国内 领先主要用于安防、智能穿 戴、智能家居等领域
3第三代半导 体功率器件 封装研究1,050.00400.711,042.78产品及工艺开发已完成,下一步重 点展开GaN和SiC测试技术研究建立第三代半导体器件封装 工艺平台,根据市场需求产 品逐步系列化国内 先进应用于电力及能源,车 载电源、白色家电、开 关电源等领域
4新型微型器 件开发530.00151.57521.88项目已完成,转入正式批量生产。推进微型封装技术的应用研 究国内 先进广泛应用于家电、电 源、智能电表、照明、 通信、汽车电子等行业
5智能芯片和 功率模块研 发2,185.001,016.141,144.55RFID完成了系统架构设计,完成 基本云平台工作分配;IPM已完成 首款样件开发及2轮改进,目前仍 在性能和可靠性验证阶段;大功率 IGBT产品进入产品设计与验证阶 段。安全模块(芯片)通过国际 标准NIST测试等,申请专 利2项以上,其中发明1 项。功率模块产品:1、已 完成产品样件开发;2、产 品耐压630V以上;3、绝缘 耐压:2000VAC,1分钟以上 4、产品静电等级: HBM>2000V,MM>200V国内 领先RFID芯片用于ID识 别、智能仓储、无人零 售等;功率模块用于变 频电机驱动,主要应用 于变频空调、洗衣机、 冰箱、汽车电子等
6高密度功率 二极管封装 开发470.00296.29468.17目前已进入批量验证阶段,为正式 量产进行前期准备。在达到同类封装产品性能的 前提下凸显成本优势国内 先进应用于各类小型电器充 电器、通讯产品、家用 电器等多种行业
7车规级抛负 载保护器件 开发1,100.00513.41513.41芯片已完成初版验证,改版进行 中;封装已完成样件制作,性能验 证中。1.实际瞬态功率吸收能力大 于8000W,2.满足AEC-Q101 标准要求3.满足ISO7637-2 标准要求国内 领先应用于燃油及新能源汽 车抛负载保护或大浪涌 电压保护
8倒装封装技 术开发及不 可见光收发 器件开发160.0070.7870.78已完成工艺路线研究,设备调研, 材料选型。下一阶段将展开产品设 计和验证。1.功率1~3W,光通量 ≥300lm2.开发并实现共 晶、芯片贴膜、围坝胶、划 片切割技术3.白光、白转黄 产品系列化4.产品符合 AEC-Q102标准要求国内 领先应用于新一代车灯照明 系统。
9工业级整流 器开发250.00194.44194.44已完成平面及台面芯片的初版验 证,改版进行中;封装已完成结构 更新设计,正在进行样件制作和性 能验证。1、产品反向耐压VB> 1000V/1200V/1600V等三种 规格;2.产品正向电压VF国内 先进应用于工业高频整流领 域,如大功率开关电 源、电焊机、逆变器 等。
合 计/6,270.002,832.984,395.55////


5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)162164
研发人员数量占公司总人数的比例(%)14.9014.32
研发人员薪酬合计1,303.671,086.83
研发人员平均薪酬8.056.63


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
硕士研究生42.47
本科6439.51
专科6137.65
高中及以下3320.37
合计162100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
60岁及以上53.08
50-60岁(含50岁,不含60岁)95.56
40-50岁(含40岁,不含50岁)3521.60
30-40岁(含30岁,不含40岁)8653.09
30岁以下(不含30岁)2716.67
合计162100.00


6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术优势
公司及子公司银河电器均被认定为高新技术企业,公司技术研发中心是“江苏省认定企业技术中心”,公司建有“江苏省半导体分立器件芯片与封装工程技术研究中心”和“江苏省片式半导体分立器件工程技术研究中心”,多次承担省市级科研课题。公司为国际汽车电子协会技术委员会(AEC Technical Committee)成员,在半导体分立器件领域同为该委员会成员的还有英飞凌、安森美等公司。

公司以封装测试专业技术为基础,并通过不断的研发投入拓展了芯片相关核心技术,已经具备较强的器件一体化设计及生产整合能力,是细分行业内分立器件品种最为齐全的公司之一,能够满足客户一站式采购需求。公司在多个专门领域拥有资深技术研发团队,建有规范运作的研发中心,配有先进的研发设备,并建立了知识产权管理体系,通过与外部院校和专业供应商开展深入的技术合作,能够满足产品的精细化设计和生产的要求。

通过多年的努力,公司逐步积累自身的核心技术,依据多工艺的产线验证和高精度的试验分析手段,形成了众多专业工艺核心技术和授权保护的专利技术,并实现了多项技术的成果转化。

截至2022年6月30日,公司拥有有效专利205项,其中发明专利24项,多项产品被评定为高2、产品优势
公司目前产品涵盖小信号器件、功率器件、光电器件及其他电子器件,掌握了20多个门类、近80种封装外形产品的设计技术和制造工艺,已量产8,000多个规格型号分立器件。无论从产品功能和封装形式多样性,还是产品质量可靠性方面,均得到客户的广泛认可,建立了良好的行业口碑和品牌形象。

随着公司在芯片设计制造能力的持续提升,不仅能够有效增强与客户进行产品同步开发的能力和有效缩短产品开发周期,而且也可以依托芯片研发制造平台,为客户研发更具个性化的定制产品,进一步增强为客户提供一揽子配套服务的能力。近年来公司产品研发不断向系列化、前沿化发展,逐步开发了ESD、TVS系列产品、功率整流桥、功率MOSFET、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别,已经为诸多知名客户进行配套。

3、客户优势
优质客户在选择供应商时,通常对供应商资质有非常严格的审定程序,对供应商的设计研发、生产组织、质量管控、服务弹性、个性化订单快速响应能力,甚至经营状况等多个方面提出严格的要求。对供应商的资质审定周期往往需要1-2年左右,之后再通过一段时间的小批量供货考核后才能正式成为其合格供应商,从而建立起长期、稳定的战略合作关系。

经过多年的努力,公司在计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域拥有长期稳定的知名客户群体,此类优质客户市场竞争力强,产品需求量稳定,对产品设计和质量等方面要求严格,产品附加值也比较高,这为公司业务的发展奠定了基础。公司已与美的、TCL、创维、格力、赛尔康、航嘉、普联技术、吉祥腾达、比亚迪等众多知名客户形成了长期稳定的合作关系。此外,公司还积极开发三星、戴尔、惠普、台达、光宝、群光、中兴通讯、施耐德、西门子等中高端应用领域客户,部分客户已经实现批量配套。

4、品牌优势
公司一向注重品牌建设,产品营销坚持以自主品牌为主。通过多年努力,公司在行业内树立了良好的品牌形象。公司及其子公司在国内外拥有数十项注册商标,其中“BILIN”商标被国家工商行政管理局商标局认定为中国驰名商标,“G牌硅塑封微贴片半导体分立器件”是江苏省名牌产品。

公司凭借多年积累所形成的品牌知名度,大力拓展市场,不断提升公司的经营业绩,推动公司长期良性发展。公司多次被中国半导体行业协会评为“功率器件十强企业”、“分立器件封装产能十强企业”,在同行业中拥有较高的品牌影响力。凭借过硬的产品质量、齐全的产品种类,快速交付的能力和全过程的技术保障服务,公司产品不仅实现境内销售,同时出口到中国台湾、韩国、日本和欧美等地区,获得了国内外知名客户的认可。

5、管理和生产优势
公司拥有行业管理经验丰富、事业心强的管理团队;拥有掌握专业理论知识、实践经验丰富的技术带头人,有涵盖半导体器件材料研究和制造技术、半导体器件结构设计技术、产品可靠性分析和控制技术、以及相关配套设施技术等在内的专业技术团队;拥有一支工作踏实、动手能力强的技术员工队伍。公司建有适合于规模化生产的高洁净、防静电专用厂房和完备的配套设施,配备有行业先进的自动化专业生产设备和检测设备,具备规模化、系列化的产品生产能力。

公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产,以实现产能的规模效应和专业化管理。同时,公司以市场为导向,努力构造适应客户需求的多品种、多批次、定制、快捷的柔性化生产组织模式。公司先后通过了ISO/IATF16949质量管理体系、ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全和GB/T29490知识产权管理体系的第三方认证,将各项管理体系真正融入企业的经营管理活动,从而不断提升产品品质和工作质量。另外,公司还积极推进QIT/QCC(质量改善小组)活动、内部管理体系运行情况评估、外部审核问题点的深入分析和整改等活动来推动内部管理的持续改善,保证公司管理效率和管理效益的不断提升。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2022年上半年,宏观环境波动较大。一方面,受疫情反复、俄乌冲突等影响,受通货膨胀冲击,个人可支配收入紧缩,消费端信心薄弱,导致消费电子需求下滑。2022年上半年度公司实现营业收入365,269,762.44元,同比减少9.70%;实现归属于母公司所有者的净利润53,483,113.34元,同比减少7.54%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润43,479,708.05元,同比减少21.55%。

另一方面,随着“双碳”政策深化、汽车智能化和电动化的进一步发展等因素导致汽车电子领域对半导体需求增强。面对困难复杂的形势,公司董事会及管理层科学调配、灵活应对,保障生产经营正常有序进行,并继续完善公司产业结构升级。

报告期内,公司积极推进向不特定对象发行可转换公司债券项目的进行,计划募集资金人民币 5亿元用于车规级半导体器件产业化项目及补充流动资金。车规级半导体器件产业化项目的建设将基于公司战略发展方向,顺应行业发展趋势,积极把握汽车电动化、智能化发展机遇。通过提升车规级半导体分立器件产能,加快公司在汽车电子应用领域的布局,促进公司业务规模进一步发展,增强公司可持续发展动力,强化公司 IDM模式下的经营能力,提高车规级分立器件一体化设计及生产整合能力。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用
五、 风险因素
√适用 □不适用
1、经营风险
(1)原材料价格波动风险
报告期内,公司材料成本占成本的比例约60%,对公司毛利率的影响较大。公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切,受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动,将直接导致公司产品成本出现波动,进而影响公司的盈利能力。

(2)寄存销售模式下的存货管理风险
报告期内,公司针对部分客户的订单排程需求,先将产成品发送至客户端寄存仓库,待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入,在确认收入前,作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理,尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制,但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。

(3)芯片外购比例较高风险
芯片属于分立器件的核心部件,虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原理,具备对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力,但不具备制造生产经营所需全部芯片的能力。公司生产经营模式以封测技术为基础,外购芯片占公司芯片需求的比例较高,如果部分芯片由于各种外部原因无法采购,将对公司生产经营产生重大不利影响。

(4)未来持续巨额资金投入风险
半导体行业具有技术强、投入高、风险大的特征。企业为保证竞争力,需要在研发、制造等各环节持续不断进行资金投入。在研发环节,公司需要持续进行研发投入来跟随市场需求完成产品的开发或者升级换代;在制造环节,产线的扩建或新建都需要巨额的资本开支及研发投入。

(5)固定资产折旧的风险
固定资产折旧的风险随着扩建项目的陆续投产使用,将新增较大量的固定资产,使得新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平,则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

2、财务风险
(1)存货减值风险
报告期末,公司存货账面价值为17,505.06万元,占公司总资产比例分为12.32%。

报告期内,针对存货中在产品和产成品余额较高的状况,公司通过完善存货管理制度促使存货在资产总额中所占比例基本保持合理水平,但如果市场形势发生重大变化,公司未能及时加强生产计划管理和库存管理,可能出现存货减值风险。

(2)汇率波动风险
报告期内,公司出口销售收入占主营业务收入比例超过 25%。公司境外销售货款主要以美元结算,汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性,汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价格水平及汇兑损益,进而影响公司经营业绩。

报告期内,公司汇兑损益金额为-510.27万元(负数为收益),如未来公司主要结算外币的汇率出现大幅不利变动,或公司对于结汇时点判断错误,将对公司业绩造成一定影响。

3、行业风险
(1)与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势,无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品,缩小与同行业国际领先水平的技术差距,则无法拓展高性能要求领域的收入规模,将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响,甚至部分传统产品存在被迭代的风险。

(2)市场竞争风险
国际市场上,经过60余年的发展,以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时,国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术,其研发投入强度也高于国内企业,在全球竞争中保持优势地位,几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。

国内市场较为分散,市场化程度较高,各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场,并保持着较快的发展速度,这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧,公司如果研发效果不达预期,不能满足新兴市场及领域的要求,公司市场份额存在下降的风险。

(3)产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下,我国半导体分立器件行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关产业扶持力度,将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步,加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖,进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。

4、宏观环境风险
(1)宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业,电子器件行业渗透于国民经济的各个领域,行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域,如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响,半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎,公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响,进而影响公司盈利水平。

(2)国际经贸摩擦风险
经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化,在经济全球化日益深化的背景之下,经贸关系的变化对于我国的宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。

报告期内,公司出口销售收入占主营业务收入比例超过 25%,海外市场是公司重要的收入来源,并促进公司产品结构、客户结构持续提升。在全球主要经济体增速放缓的背景下,贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在,国际贸易政策存在一定的不确定性,如未来发生大规模经贸摩擦,存在对公司业绩造成不利影响的风险。

(3)税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。公司及子公司银河电器均系高新技术企业,公司分别于2016年11月、2019年12月通过审批被认定为高新技术企业,子公司银河电器分别于2017年11月、2020年12月通过审批被认定为高新技术企业,因此报告期内公司、银河电器减按 15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质,或者所享受的其他税收优惠政策发生变化,将会对公司业绩产生一定影响。


六、 报告期内主要经营情况
2022年上半年度公司实现营业收入365,269,762.44元,同比减少9.70%;实现归属于母公司所有者的净利润53,483,113.34元,同比减少7.54%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润43,479,708.05元,同比减少21.55%。


(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入365,269,762.44404,504,217.96-9.70
营业成本254,479,375.95274,482,281.59-7.29
销售费用11,227,371.2414,085,520.78-20.29
管理费用16,602,939.2618,353,749.24-9.54
财务费用-7,211,206.19379,218.69-2,001.60
研发费用28,329,825.0722,364,731.9326.67
经营活动产生的现金流量净额69,060,194.7945,177,883.9352.86
投资活动产生的现金流量净额-64,197,827.39-431,780,089.21不适用
筹资活动产生的现金流量净额-46,183,097.66360,139,475.60-112.82
营业收入变动原因说明:无
营业成本变动原因说明:无
销售费用变动原因说明:无
管理费用变动原因说明:无
财务费用变动原因说明:主要系美元汇率变动,汇兑损失减少所致。

研发费用变动原因说明:无
经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系报告期内公司回款较快,销售商品收到的现金增加所致。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系本期购买理财产品,及募投项目投资支付现金减少所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:现金流量净额变动原因说明:主要系上年同期首次公开发行股票,收到募集资金所致。


2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:元

项目名称本期期末数本期期末 数占总资上年期末数上年期末 数占总资本期期末 金额较上情 况
  产的比例 (%) 产的比例 (%)年期末变 动比例 (%)说 明
货币资金169,883,505.6211.95207,883,222.0614.95-18.28 
应收票据33,153,514.862.3350,938,701.173.66-34.91注 1
应收账款231,332,594.2216.28245,121,418.6117.63-5.63 
应收款项融 资11,322,816.890.805,856,872.300.4293.33注 1
预付款项1,371,176.950.10638,657.800.05114.70注 2
其他应收款1,135,788.000.083,808,737.680.27-70.18注 3
存货175,050,593.4312.32142,302,873.2010.2323.01 
其他流动资 产4,508,480.180.3210,860,751.960.78-58.49注 4
长期股权投 资6,559,630.000.466,784,410.970.49-3.31 
固定资产322,746,231.9622.71262,622,251.9318.8922.89 
在建工程30,363,908.542.1423,119,339.831.6631.34注 5
使用权资产5,864,380.480.416,653,314.140.48-11.86 
其他非流动 资产3,838,612.000.2720,819,593.011.50-81.56注 6
应付票据106,065,000.007.4678,800,000.005.6734.60注 7
合同负债1,552,103.880.112,439,046.330.18-36.36注 8
应交税费3,080,290.890.222,368,078.890.1730.08注 9
租赁负债6,032,837.320.426,768,475.750.49-10.87 
递延所得税 负债19,905,709.741.409,455,066.930.68110.53注 10
(未完)
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