[中报]格科微(688728):格科微有限公司2022年半年度报告

时间：2022年08月22日 20:01:41 中财网

原标题:格科微:格科微有限公司2022年半年度报告

公司代码：688728 公司简称：格科微






格科微有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。



三、公司全体董事出席董事会会议。



四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人赵立新、主管会计工作负责人郭修贇及会计机构负责人（会计主管人员）杨佳蓓声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
√适用 □不适用
公司治理特殊安排情况：
√本公司为红筹企业
□本公司存在协议控制架构
□本公司存在表决权差异安排
公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规及规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。


八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否

十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 24
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 26
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 28
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 54
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 60
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 60
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 62

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表
	经公司负责人签名的公司2022年半年度报告文本原件
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、格科微	指	格科微有限公司（GalaxyCore Inc.）
Uni-sky	指	Uni-sky Holding Limited，系公司控股股东
Cosmos	指	Cosmos L.P.，系公司员工持股平台
NewCosmos	指	New Cosmos L.P.，系公司顾问持股平台
Hopefield	指	Hopefield Holding Limited，系公司股东
Keenway	指	Keenway International Limited，系公司股东
Walden V	指	Pacven Walden Ventures V,L.P.，系公司股东
Walden V-A	指	Pacven Walden Ventures Parallel V-A C.V.，系公司股东
Walden V-B	指	Pacven Walden Ventures Parallel V-B C.V.，系公司股东
Walden V-QP	指	Pacven Walden Ventures V-QP Associates Fund,L.P.，系 公司股东
华登美元基金	指	Pacven Walden Ventures V, L.P.、Pacven Walden Ventures Parallel V-A C.V.、Pacven Walden Ventures Parallel V- B C.V.、Pacven Walden Ventures V-QP Associates Fund, L.P.、Pacven Walden Ventures V Associates Fund, L.P.
上海橙原	指	上海橙原科技合伙企业（有限合伙），系公司股东
杭州芯正微	指	杭州芯正微股权投资合伙企业（有限合伙），系公司股东
常春藤藤科	指	日照常春藤藤科股权投资中心（有限合伙），系公司股东
中电华登	指	中电华登（成都）股权投资中心（有限合伙），系公司股东
小米长江	指	湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙），系公司股东
H&S	指	H&S Technologies Ltd.，系公司股东
TRANSSION	指	TRANSSION TECHNOLOGY LIMITED，系公司股东
摩勤智能	指	上海摩勤智能技术有限公司，系公司股东
拉萨闻天下	指	拉萨经济技术开发区闻天下投资有限公司，系公司股东
聚源聚芯	指	上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙）， 系公司股东
深圳TCL	指	深圳TCL战略股权投资基金合伙企业（有限合伙），系公司 股东
石溪产恒	指	合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业（有限合伙）， 系公司股东
俱成秋实	指	南京俱成秋实股权投资合伙企业（有限合伙），系公司股东
金泰丰	指	广州金泰丰投资有限公司，系公司股东
上海咨勋	指	上海咨勋信息科技合伙企业（有限合伙），系公司股东
湖杉芯聚	指	湖杉芯聚（成都）创业投资中心（有限合伙），系公司股东
Ritz	指	Ritz Holdings Limited，系公司股东
SVIC	指	SVIC NO.38 NEW TECHNOLOGY BUSINESS INVESTMENT L.L.P.， 系公司股东
DianZhi	指	Hong Kong DianZhi Technology Co.,Limited（香港典知科 技有限公司），系公司股东
格科微上海	指	格科微电子（上海）有限公司，系公司全资子公司
上海算芯微	指	上海算芯微电子有限公司，系公司全资子公司
格科置业	指	格科（浙江）置业有限公司，系公司全资子公司
格科半导体	指	格科半导体（上海）有限公司，系公司全资子公司
格科微浙江	指	格科微电子（浙江）有限公司，系公司全资子公司
格科微香港	指	格科微电子（香港）有限公司，系公司全资子公司
格科集成电路	指	格科集成电路(上海)有限公司，系公司全资子公司
开曼/开曼群岛	指	Cayman Islands
三星、三星电子	指	Samsung Electronics Co.,Ltd.，主要从事电子产品的生产 和销售业务的韩国公司，为韩国证券交易所上市公司
小米	指	小米科技有限责任公司，一家以手机、智能硬件和IoT 平台 为核心的知名互联网公司，为香港证券交易所上市公司
TCL	指	TCL 科技集团股份有限公司，一家全球性规模经营的消费类 电子企业，为深圳证券交易所上市公司
中芯国际	指	中芯国际集成电路制造有限公司，知名晶圆制造商，为香港 证券交易所上市公司
SilTerra	指	Silterra Malaysia Sdn.Bhd.，知名晶圆制造商
Powerchip	指	Powerchip Technology Corporation，知名晶圆制造商，为 台湾证券交易所上市公司
华虹半导体	指	华虹半导体有限公司，知名晶圆制造商，为香港证券交易所 上市公司
粤芯半导体	指	广州粤芯半导体技术有限公司，中国晶圆制造商
Frost&Sullivan	指	弗若斯特沙利文咨询公司
苏州京浜	指	苏州京浜光电科技股份有限公司
上海芯物	指	上海芯物科技有限公司
麦斯南京	指	麦斯卓微电子(南京)有限公司
湖北三维	指	湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
建广广兴	指	建广广兴(德州)半导体产业投资基金合伙企业(有限合伙)
建广广辉	指	建广广辉(德州)股权投资管理中心(有限合伙)
AMOLED	指	Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，即有源矩 阵有机发光二极管，AMOLED 因为其对比 TFT-LCD 的优点， 被称为继TFT-LCD 后的新一代显示技术，其中 OLED （有机发光二极管）是描述薄膜显示技术的具体类型，AM（有 源矩阵体或称主动式矩阵体）是指背后的像素寻址技术
BSI	指	Back Side Illumination，即背照式入射，将感光二级管元 件调转方向，光线从光电二级管的背面入射，从而避免了光 电二级管电路面的金属和电路对光线的阻挡，能够显著增加 光电二级管的量子效率，进而改善低光照条件下的图像效果
CML	指	Cambridge Mechatronics Limited
CMOS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧 化物半导体，指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用 这种技术制造出来的芯片
CMOS 图像传感器 / CIS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor图像传感器， 是采用 CMOS 工艺制造的图像传感器；CIS 是 CMOS Image Sensor的简称
COB	指	Chips On Board，即板上芯片封装，指将裸芯片用导电或非 导电胶粘附在PCB上，然后进行引线键合实现其电气连接， 并用胶把芯片和键合引线包封的封装技术
COF	指	Chip On Flex或Chip On Film，即薄膜覆晶，在柔性线路板 上芯片封装，指将芯片固定在柔性线路板上的芯片或模组封 装技术
COF-Like	指	是发行人自行研发的显示驱动芯片创新设计，能够以较低的 成本实现手机屏幕窄边框效果
COG	指	Chip On Glass，即芯片被直接键合在玻璃上的一种封装技术
COM	指	Chip On Module，是发行人自行创新研发的高像素CMOS图像
		传感器封装工艺
Fabless	指	无晶圆厂的集成电路企业经营模式，Fabless 企业仅进行芯 片的设计、研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试外包给 专业的晶圆代工、封装和测试厂商
Fab-Lite	指	轻晶圆厂的集成电路企业经营模式，是介于Fabless模式与 IDM模式之间的经营模式，即在晶圆制造、封装及测试环节采 用自行建厂和委外加工相结合的方式
FHD	指	Full High Definition，通常为1920*1080或1920*1200分 辨率，最高可支持2560*1080分辨率
FPPI	指	Floating Poly Pixel Isolation，浮压多晶像素隔离，一种 像素隔离技术
HD	指	High Definition，通常为1280*720至1600*720分辨率，最 高可支持1600*720分辨率
IDM	指	Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造模式，即 厂商拥有自有品牌，并涵盖集成电路设计、晶圆加工及封装 和测试等各业务环节，形成一体化的完整运作模式
LCD	指	Liquid Crystal Display，即液晶显示，是一种借助于薄膜 晶体管驱动的有源矩阵液晶显示器
SoC	指	System-on- Chip，即片上系统，是一种系统级芯片
TDDI	指	Touch and Display Driver Integration，即触控与显示驱 动器集成，将触控芯片与显示芯片整合进单一芯片中
QQVGA	指	Quarter Quarter Video Graphics Array，通常为120*160 分辨率
低阶/中阶/高阶CMOS图 像传感器	指	低阶、中阶、高阶CIS分别主要包括：500万像素以下（不含 500万像素）、500万至1,600万像素、3,200万像素及以上 的CIS
分辨率	指	屏幕图像的精密度，代表了显示器所能显示的像素数量
光罩	指	为晶圆制造过程中光刻工艺所需的掩模版，用于将电路图案 复刻到晶圆上
晶圆	指	制造半导体晶体管或集成电路的衬底，可加工制作成各种电 路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品，通常 指做完电路加工后的成品晶圆，其尺寸分为8英寸或12英寸 等
流片	指	将集成电路设计转化为芯片的试生产或生产过程
显示驱动芯片	指	显示面板的主要控制元件之一，可实现对屏幕亮度和色彩的 控制
像素	指	组成图像的最小单位，像素数代表了图像中最小单位点的数 量
制程	指	半导体加工工艺的精细度，可加工线条越精细，制程越小， 相应的工艺越先进
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
《上市规则》	指	《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《章程指引》	指	《上市公司章程指引》
《开曼群岛经济实质 法》	指	开曼群岛的 The International Tax Co-operation （Economic Substance）Law（经修订）
《公司章程》	指	《Memorandum of Association of GalaxyCore Inc.》 和《Articles of Association of GalaxyCore Inc.》， 包括对其不时进行的修订和重述
报告期	指	2022年1月1日-2022年6月30日
元、万元、亿元	指	人民币元、人民币万元、人民币亿元

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	格科微有限公司
公司的中文简称	格科微
公司的外文名称	GalaxyCore Inc.
公司的外文名称缩写	GCORE
公司的法定代表人	赵立新
公司注册地址	One Nexus Way,Camana Bay,Grand Cayman,KY1-9005 Cayman Islands
公司注册地址的历史变更情况	无
公司办公地址	中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号2幢第11层整层、 第12层整层
公司办公地址的邮政编码	201210
公司网址	www.gcoreinc.com
电子信箱	[email protected]

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	郭修贇	郭修贇
联系地址	中国（上海）自由贸易试验区盛夏路 560号2幢第11层整层、第12层整层	中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560 号2幢第11层整层、第12层整层
电话	021-58968527	021-58968527
传真	021-58968522	021-58968522
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》（www.cnstock.com）《中国证券报》 （www.cs.com.cn）《证券时报》（www.stcn.com）《 证券日报》（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司证券事务部

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	格科微	688728	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	3,294,417,161	3,686,112,272	-10.63
归属于上市公司股东的净利润	513,659,759	643,941,811	-20.23
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润	508,760,806	632,016,353	-19.50
经营活动产生的现金流量净额	177,582,171	597,131,710	-70.26
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	8,025,614,035	7,549,704,072	6.30
总资产	17,355,381,173	13,303,645,703	30.46

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.21	0.29	-27.59
稀释每股收益（元／股）	0.20	0.28	-28.57
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.20	0.28	-28.57
加权平均净资产收益率（%）	6.60	20.90	减少14.30个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	6.53	20.52	减少13.99个百分 点
研发投入占营业收入的比例（%）	7.26	6.85	增加0.41个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2022年上半年公司营业收入为32.94亿元，同比下降10.63%，主要原因是受到海内外疫情、通货膨胀、地缘政治等宏观因素影响，智能手机市场出货量下滑。

2022 年上半年归属于上市公司股东的净利润下降 20.23%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比下降19.50%，主要原因是受上述因素影响，导致利润下降。

2022 年上半年经营活动产生的现金流量净额为 1.78 亿元，主要系报告期内公司当期收入、政府补助减少所致。

总资产和归属于上市公司股东的净资产较报告期初分别增长30.46%和6.30%，主要原因为公司公司的经营模式将由Fabless 模式转变为Fab-Lite 模式增加资产投入带来的增长以及利润累积。

2022年上半年基本每股收益0.21元，较上年同期下降27.59%；稀释每股收益0.20元，较上年同期下降28.57%；扣除非经常性损益后的基本每股收益0.20元，较上年同期下降28.57%，主要系受疫情及市场波动影响，导致利润下降。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	-7,133
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外	1,015,907
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费	7,843,865
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	-2,867,349
其他符合非经常性损益定义的损 益项目
减：所得税影响额	1,086,337
少数股东权益影响额（税 后）
合计	4,898,953

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码“C39”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“新一代信息技术产业”之“电子核心产业”之“集成电路制造”行业。

公司主营业务为CMOS图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计和销售。根据Frost&Sullivan统计，2012年，全球CMOS图像传感器出货量为21.9亿颗，市场规模为55.2亿美元。至2021年，全球CMOS图像传感器市场出货量为71.0亿颗，市场规模达到188.4亿美元，2017年-2021年年均复合增长率达 15.3%。得益于智能手机、汽车电子、AR/VR 等下游应用的驱动，预计未来全球CMOS图像传感器市场仍将保持较高的增长率，至2026年全球出货量达到98.6亿颗，市场规模将达到252.9亿美元，分别实现6.5%和5.7%的年均复合增长率。

目前，手机是CMOS图像传感器的主要应用领域，其他主要下游应用还包括平板电脑、笔记本电脑等其他电子消费终端，以及汽车电子、智慧城市、医疗影像等领域。根据Frost&Sullivan统计，2021年，全球智能手机及功能手机CMOS图像传感器销售额占据了全球54.6%的市场份额，平板电脑、笔记本电脑等消费终端CMOS图像传感器销售额占据了全球6.6%的市场份额。至2025年，新兴领域应用将推动 CMOS 图像传感器持续增长，但随着智能手机多摄趋势的不断发展，手机用CMOS图像传感器仍将保持其关键的市场地位。

公司是国内领先、国际知名的半导体和集成电路设计企业之一，主营业务为CMOS图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计、封测和销售。公司目前主要提供QVGA（8万像素）至1,600万像素的CMOS图像传感器和分辨率介于QQVGA到FHD之间的LCD以及HD和FHD的TDDI显示驱动芯片，其产品主要应用于手机领域，同时广泛应用于包括平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、移动支付、汽车电子等在内的消费电子和工业应用领域。

二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
目前公司技术水平先进、工艺节点成熟，并拥有多项专利和专有技术，多项核心技术处于国际先进水平。截止2022年6月30日，公司掌握的主要核心技术如下：

产品类型	核心技术	领先程度	认定依据
CMOS图 像传感器	高像素 CIS 的 3层金属 设计技术	国际领先	行业主流参与者大多采用 5 层及以上的金属设计，而公司 的 3 层金属设计实现了与主流设计相同的产品性能，并同 时大幅降低了生产成本，产品性价比国际领先。
	电路噪声抑 制技术	国际领先	采用数字相关双采样以及创新的噪声补偿修正电路，实现 抗干扰能力和噪声水平的优化，从而在较少的光罩层数下 完成产品的设计开发，并且通过设计优化减小芯片面积。 手机应用下，200万（1.75μm）、500万（1.12μm）及 800 万（1.12μm）像素产品最大信噪比分别达到 37.5dB、37.3dB 和 36.8dB，Readnoise@16x（16倍增益下的读出噪声）分别 达到 1.75e-、1.5e-和 1.2e-；同类产品最大信噪比的国际领先 水平分别为 35~38dB、35~38dB和 36~38dB，Readnoise@16x 的国际领先水平分别为 1.75~2e-、1.4~1.9e-和 1.15~1.9e-， 公司处于国际领先水平。
	低噪声像素 技术	国际领先	显著降低高温场景下暗电流带来的噪声，配合高像素增益 带来的低读出噪声，显著提升图像传感器在低照度及高温 场景下的信噪比。 手机应用下，60℃下暗电流可达到 1e-10A/cm2以下；国 际领先水平为 0.8~2.0e-10A/cm2，公司处于国际领先水 平。
	黑电平改善 技术	国际领先	保证黑电平模块的稳定性，同时利用数字模块对黑电平 信号进行补偿，保证黑电平信号的一致性，在 32倍增 益下黑电平的波动小于±0.5DN；国际领先水平为 ±0.7DN及以下，公司处于国际领先水平。
	像素的光学 性能提升技 术	国际领先	降低像素间的入射光线串扰和像素内的不同材料界面反 射，有效提升对应像素的光线收集效率，提高像素的感光灵 敏度。 手机应用下，200万（1.75μm）、500万（1.12μm）及 800 万（1.12μm）像素产品灵敏度分别达到 1,260mV（/ lux*sec） 2,400e-/（lux*sec）和 2,950e-/（lux*sec）； 同类产品的国际领先水平分别为 1,100~1300mV（/ lux*sec） 2,200~2500e-/（lux*sec）和 2,800~3200e-/（lux*sec），公司 处于国际领先水平。
	低光高灵敏 度像素技术	国际领先	提升高像素增益可以带来更高的红外波长光线吸收量子效 率，而提升感光灵敏度则可以有针对性地进行可见光和近 红外波长下的优化，两者的配合能够使得低光下的图像信 噪比显著提升。 手机应用下，200万（1.75μm）、500万（1.12μm）及 800 万（1.12μm）像素产品最大信噪比分别达到 37.5dB、37.3dB 和 36.8dB；同类产品的国际领先水平分别为 35~38dB、 35~38dB和 36~38dB，公司处于国际领先水平。
	COM封装 技术	国际领先	为公司独创技术，相比主流的 COB封装技术，能够有效帮 助模组厂降低生产成本、提升生产效率和良率，获得了广泛 的市场认可。
产品类型	核心技术	领先程度	认定依据
	FPPI技术	国际领先	消除了 STI隔离带来的侧壁 Si/SiO2界面的各种界面态和陷 阱复合中心等白点及暗电流来源，在高温下效果尤其明显 同时，该技术也避免了单纯靠 PN结隔离带来的光学 cross- talk加大和满阱容量下降等无法克服的缺点。
	高像素单芯 片集成技术	国际领先	在片内 ADC电路、数字电路以及接口电路方面拥有众多创 新设计，相比于市场上同规格双片堆叠式 3200万图像传感 器，面积仅增大约 8%，消除了下层堆叠的逻辑芯片发热带 来的像素热噪声，显著提高了晶圆面积利用率，满足 5G手 机紧凑的 ID设计需求。
显示驱动芯 片	COF-Like 技术	国际领先	为公司独创技术，采用传统 COG封装工艺，实现了能够媲 美 COF封装技术的下边框尺寸及屏占比，但其系统成本远 低于 COF组装技术。 公司目前部分在研产品在 COF-Like技术下能够实现 1.6mm 的屏幕下边框宽度，显著低于主流 COG封装下的 3.3mm， 并低于主流 COF封装下的 1.8mm，处于国际领先水平。
	无外部元器 件的显示驱 动芯片设计 技术	国际领先	无需使用外部元器件，能够减少模组生产及加工工序及原 材料消耗，显著降低产品的生产成本。 公司在 QQVGA至 HD区间内均已实现了 0D0C，而行业主 流参与者在该区间内大多尚未全部实现 0D0C，公司处于国 际领先水平。
	图像压缩算 法	国际领先	节省约一半的芯片内置缓存电路面积，进而显著减小芯片 的尺寸，减少原材料的消耗，实现产品成本的降低。 经图像压缩后，公司部分 QVGA产品的内部缓存电路面积 可达到 114万μm2；国际主流领先 QVGA产品大多未经图 像压缩，其电路面积为接近 200 万μm2，公司处于国际领 先水平。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
格科微电子（上海）有限公司	单项冠军示范企业	2021	CMOS图像传感器

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司新增知识产权项目申请71件（其中发明专利68件），共20件知识产权项目获得授权（其中发明专利8件）。截至2022年6月30日，公司累计获得境外专利授权15项，获得境内发明专利授权194项，实用新型专利192项。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	68	8	670	208
实用新型专利	3	12	241	193
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权			2	2
其他			1	1
合计	71	20	914	404

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	239,133,537	252,452,139	-5.28
资本化研发投入	0	0	0
研发投入合计	239,133,537	252,452,139	-5.28
研发投入总额占营业收入 比例（%）	7.26	6.85	增加0.41个百分 点
研发投入资本化的比重（%）	0	0	0

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名称	预计总投 资规模	本期投 入金额	累计投 入金额	进展或阶 段性成果	拟达到目标	技术 水平	具体 应用 前景
1	背照式亚微 米高像素 CMOS图像 传感器芯片 研发及产业 化	34,750	5,329	33,748	在研	开发小于1um的 图像传感器像素 和新型BSI 工艺 和电路技术，以 现实背照式亚微 米高像素 CMOS 图像传感芯片研 发及产业化	国内 先进	CMOS 图像 传感 器
2	第四代高性 能1.12um 背照式 CMOS图像 传感器芯片 研发及产业 化	4,500	912	3,548	在研	通过新开发的工 艺技术、逻辑架 构等技术，将国 内的供应链整合 在一起，利用创 新的设计及供应 链的优势开发出 性能与功耗平衡 的BSI产品	国内 先进	CMOS 图像 传感 器
3	基于图像传 感器的SoC 芯片研发及 产业化	6,700	973	1,483	在研	基于图像传感器 的SoC芯片研发 及产业化项目属 于智能手机图像 传感器领域的 SoC芯片，主要研 发一颗与格科微 CMOS图像传感器	国内 先进	CMOS 图像 传感 器
						配套的数字图像 处理芯片。
4	国产高性能 0.11um FSI CIS 工艺研 发	4,851	2,578	4,851	在研	在 Fab 厂基于 0.11um CIS工艺 平台，研究新的 工艺技术、逻辑 架构、数字算法、 模拟电路，来实 现高性价比的 CMOS图像传感器	国内 先进	CMOS 图像 传感 器
5	第五代高性 能1.12um 背照式CIS 研发及产业 化	4,000	1,488	2,842	在研	格科通过新开发 的工艺技术、逻 辑架构、数字算 法、模拟电路、封 装技术将国内的 供应链整合在一 起，进一步精简 工艺流程，开发 高性能 1.12um BSI CMOS图像传 感器	国内 先进	CMOS 图像 传感 器
6	第二代背照 式亚微米高 像素CMOS 图像传感芯 片研发	9,800	3,266	3,266	在研	迭代国内晶圆厂 的工艺制程，研 究新的工艺技 术、逻辑架构、数 字算法、模拟电 路、封装技术，来 实现高性能 0.7um BSI CMOS 图像传感 器，满足品牌客 户对 32M 以上 BSI CMOS图像传 感芯片的需求	国内 先进	CMOS 图像 传感 器芯 片
7	自适应白点 去除算法在 2M产品的 研发及产业 化	4,000	163	163	在研	通过精简的自适 应白点去除算 法，提升2M CIS 产品性能，增加 测试效率进一步 提升 2M CIS 产 品竞争力。	国际 先进	CMOS 图像 传感 器芯 片
8	封测开发项 目	3,000	1,124	1,124	在研	大幅提升封测业 务自动化水平和 生产效率，显著 提高封装测试良 率和品质，从而 提升产品竞争力	国内 先进	CMOS 图像 传感 器芯 片
9	智能穿戴 AMOLED显	4,500	462	462	在研	研发智能穿戴 AMOLED显示驱动 芯片	国内 先进	显示 驱动 芯片
	示驱动芯片 的研发
合 计	/	76,101	16,295	51,487	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	562	431
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	44.92	47.00
研发人员薪酬合计	12,033.87	8,711.34
研发人员平均薪酬	21.41	20.21

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士	15	2.67
硕士	246	43.77
本科	235	41.81
专科	58	10.32
其他	8	1.43
合计	562	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
25岁以下	97	17.26
26-35岁	357	63.52
36-45岁	101	17.97
46岁以上	7	1.25
合计	562	100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、电路设计和工艺研发优势
公司将工艺研发和产品设计创新能力视作价值创造的主要源动力，多年来致力于核心技术的研发，追求通过技术创新来给客户提供更大的影像整体解决方案（totalsolution），为客户创造更多价值。在工艺研发方面，公司拥有丰富的制造工艺创新经验，独创了一系列特色工艺路线，与市场上其他参与者相比，公司的产品能够以较少的光罩层数完成生产，并进行了优化的 Pixel工艺创新，在保障产品性能的同时实现了成本的大幅削减。在电路设计方面，公司采用成本较低的三层金属光罩设计，并通过对产品设计的持续优化有效缩小了芯片的尺寸，与同性能的其他产品相比实现了更为精益的成本控制。此外，公司还凭借对摄像头模组及屏模组的设计及工艺流程的深刻理解，独创了 COM 封装技术、COF-Like 创新设计等多项有别于行业主流的特色解决方案，技术，消除了STI隔离带来的侧壁Si/SiO2界面的各种界面态和陷阱复合中心等白点及暗电流来源，在高温下效果尤其明显。同时，该技术也避免了单纯靠PN结隔离带来的光学cross-talk加大和满阱容量下降等无法克服的缺点。此外，公司研发的高像素单芯片集成技术，在片内ADC电路、数字电路以及接口电路方面拥有众多创新设计，相比于市场上同规格双片堆叠式3200万图像传感器，面积仅增大约8%，消除了下层堆叠的逻辑芯片发热带来的像素热噪声，显著提高了晶圆面积利用率，满足5G手机紧凑的ID设计需求。因此，公司凭借卓越的工艺研发及电路设计，辅以在后道环节的不断创新，全方位地提升了产品的性价比，从而使公司在激烈的市场竞争中脱颖而出，并占据了有利的行业地位。未来，公司将继续坚持自主创新的研发模式，进一步扩大研发投入，以面向行业前沿的创新技术和市场需求为研发导向，不断开发新产品和新工艺，丰富核心技术，提升现有产品的性能与品质。

2、模式创新性
目前，公司运营正在从Fabless往Fablite的转型中，通过自有Fab产线的基础，把整个产品从设计，研发，制造，测试，销售全环节打通，在当前半导体整体产能紧缺的情况下极高的提升了自身的产品竞争力。在此基础上，公司精准捕捉了行业运行规律，深刻理解了产业链各环节的联动方式与发展痛点，通过商业模式的优化与创新推动了行业经营效率的提升。

未来，公司将建立更为高效的内生性产品研发模式，在公司内部形成由产品设计到批量生产的闭环机制，从而大幅提升工艺研发效率，推动公司在高像素领域达到行业前沿水平，满足客户日益更迭的产品需求。

3、供应链优势
公司具有高效且强大的供应链协调能力，与三星电子、中芯国际、Powerchip、SilTerra、SKHynix、华虹半导体、粤芯半导体等关键委外生产环节的供应商建立了长期稳定的合作关系。

由于设计企业的产品生产、新产品工艺流片均需通过委外的方式进行，在全球产能紧缺的时期，与上游生产资源的有效绑定将决定设计企业的产品开发和交付能力，是经营过程中至关重要的一环。基于良好的产业链上下游合作关系，公司制定了科学、有效的生产策略，通过逆周期采购方式应对产能供给的周期性变化，在资源有限的条件下实现了产品的稳定开发与交付。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
半导体及集成电路行业是国民经济支柱性行业之一，是信息技术产业的核心。作为中国新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化进程的强劲推动力量，半导体及集成电路行业是国家的战略性、基础性和先导性产业，在保障国家安全等方面发挥着至关重要的作用。一方面，为驱动行业持续发展、鼓励企业不断创新，我国各级政府先后出台了一系列支持性政策；另一方面，下游应用行业需求推动市场增长，高像素摄像头、多摄方案等推动了CMOS图像传感器的量价齐升，而高分辨率、大面积的显示设备也带动了显示驱动芯片产品在终端设备中重要性的提升。


2022年上半年，公司克服疫情影响，实现营业收入329,441.72万元，同比下降10.63%；实现归属于上市公司股东的净利润51,365.98万元，同比下降20.23%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润50,876.08万元，同比下降19.50%。截止2022年6月30日，公司总资产1,735,538.12万元，较上年度末增长30.46%；归属于上市公司股东的净资产802,561.40万元，较上年度末增长6.30%。


1、CMOS图像传感器
受到全球通胀及国内疫情的双重影响，消费电子市场需求放缓，手机行业景气度降低。在手机CMOS图像传感器领域，尽管产品出货量有所减少，公司传统优势产品200-800万像素手机CMOS图像传感器依然依托市占率优势，毛利率水平保持在30%以上；1,300-1,600万像素产品采用具有特色的工艺路线，已获得品牌认可，并逐步在国内供应链量产；3,200万及以上像素产品取得突破性进展，公司克服疫情对研发测试工作的不利影响，于近日正式发布全球首款单芯片3200万像素CMOS图像传感器——GC32E1。该产品采用格科微最新FPPI专利技术的GalaxyCell? 0.7μm工艺，配合4Cell Bayer 架构可实现等效1.4μm像素性能，同时支持sHDR视频录像，为高端智能手机前摄需求提供成熟的高像素解决方案。在GC32E1的研发过程中，格科微R&D团队创新地采用了高像素单芯片集成技术，在片内ADC电路、数字电路以及接口电路方面拥有众多创新设计，相比于市场上同规格双片堆叠式3200万图像传感器，面积仅增大约8%，消除了下层堆叠的逻辑芯片发热带来的像素热噪声，显著提高了晶圆面积利用率，满足5G手机紧凑的ID设计需求。

在非手机CMOS图像传感器领域，公司加强在智慧城市、汽车电子、笔记本电脑、物联网等非手机领域CMOS图像传感器的推广，连续推出3颗基于自有知识产权65nm+ CIS工艺平台和 FPPI专利技术的智慧城市/汽车电子系列新品。格科微自有知识产权的65nm+ CIS平台，是基于目前业界成熟的65nm逻辑制程，为满足CIS器件的特殊要求，针对性地精?优化了工艺技术，包括调整了氧化、CVD、刻蚀、离子注入等大量工艺步骤，从而在显著降低晶体管的1/f噪声和电路白噪声的同时，大大降低像素的暗电流, 热噪声, 高温白点等指标, 让CIS芯片的低噪高温表现更为优秀。相比于传统的FSI像素用STI浅槽和/或PN结作为像素之间光电信号隔离，格科微专利的FPPI 像素隔离技术，消除了STI隔离带来的侧壁Si/SiO2界面的各种界面态和陷阱复合中心等白点及暗电流来源，在高温下效果尤其明显。另一方面，也避免了单纯靠PN结隔离带来的光学cross-talk加大和满阱容量下降等无法克服的缺点。实测结果证明：相比传统的STI 隔离技术，FPPI工艺能够在80°C条件下，Hot Pixel数?下降20%，Dark Current下降10%。

相应地，对?于PN结隔离，光学Cross-talk下降5%，Well Capacity增加10%。凭借优越的性能，特别是卓越的高温图像表现，星光级超低噪声暗态效果以及高性价比，进?步丰富了格科微CMOS图像传感器产品线，将最大限度满足非手机市场不同客户的需求。


2、显示驱动芯片
报告期内，公司显示驱动芯片业务迅速发展，2022 年上半年产品销售额突破 4 亿元。同时，公司积极研发新产品，随着本报告期内HD和FHD分辨率的TDDI产品问世，迅速与国际知名手机品牌建立合作，已获得品牌客户订单，目前正在积极进AMOLED驱动芯片的研发。


3、募投项目
公司募投项目“12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目”进展顺利，报告期内，项目洁净室点亮、ASML光刻机等主要设备顺利入场，初步预计于今年下半年实现通线及风险量产。该项目是公司由Fabless转为Fab-lite模式的一大标志，并将为公司提升研发迭代速度、保护自主工艺能力、保障产能安全提供基础。未来，CMOS图像传感器像素的提升将成为行业主流企业竞争的主要切入点，拥有自主产线的企业将在产能保障更为有效的同时，进行高效的内部协同与研发，从而推动新产品及新工艺的快速推出，是占据行业前沿地位、提升市场份额的有力手段。IDM、Fab-lite将成为半导体企业发展的一大趋势。

同时，公司不断引入优秀的研发及各类人才，增强公司竞争实力。截至2022年6月30日，公司共有员工1,251人，较上年同期增加334人，同比增长36.43%，其中，研发人员562人，较上年同期增加131人，同比增长30.39%。


报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
1、技术创新风险
随着下游市场对产品的性能需求不断提升，半导体和集成电路设计行业技术升级和产品更新换代速度较快，企业需紧跟市场发展步伐，及时对现有产品及技术进行升级换代，以维持其市场术迭代趋势保持较高的敏感度，根据市场需求变动和工艺水平发展制定动态的技术发展战略。例如，在CMOS图像传感器领域，不断缩小像素尺寸的工艺技术研发是紧跟行业技术前沿水平的根本。未来若公司技术研发水平落后于行业升级换代水平，或公司技术研发方向与市场发展趋势偏离，将导致公司研发资源浪费并错失市场发展机会，对公司产生不利影响。

2、产品研发风险
公司的主要产品包括CMOS图像传感器和显示驱动芯片，其产品的开发具有技术含量高、研发周期长、前期投入大的特点。目前，CMOS图像传感器市场正朝着更高像素的方向不断发展，由于集成电路的研发存在前期规划偏离市场需求、研发成果不及预期、市场推广进程受阻的风险，公司当前产品研发最终的产业化及市场化效果存在一定的不确定性。因此，公司面临产品研发项目失败的风险，并有可能导致前期研发投入难以收回，从而对后续研发项目的开展和经营活 动的正常进行造成负面影响
3、核心技术泄密风险
公司所处的半导体及集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点，核心技术是设计企业在市场立足的根本，是企业核心竞争力的主要体现。未来，如果因核心技术信息保管不善等原因导致公司核心技术泄露，将对公司造成不利影响。

4、生产经营模式发生变化的风险
12 英寸 CIS 集成电路特色工艺研发与产业化项目投产后，公司的经营模式将由 Fabless 模式转变为 Fab-Lite 模式，部分 BSI 图像传感器产品的生产将从直接采购 BSI 晶圆转变为先采购标准 CIS 逻辑电路晶圆，再自主进行晶圆键合、晶圆减薄等 BSI 晶圆特殊加工工序，使得公司在人员构成、技术储备、管理模式等方面需要做出适当调整和提高。经营模式的转变能够有力保障公司 12 英寸 BSI 晶圆的产能供应，但同时也可能降低运营效率和灵活性，如果经营模式转变效果不达预期，可能会对经营业绩带来不利影响。

六、 报告期内主要经营情况
具体参见 “报告期内公司所属行业及主营业务情况说明”的相关内容。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目	本期数	上年同期数	变动比例（%）
营业收入	3,294,417,161	3,686,112,272	-10.63
营业成本	2,219,935,552	2,489,650,439	-10.83
销售费用	55,082,924	61,509,187	-10.45
管理费用	101,127,633	42,634,183	137.20
财务费用	-43,728,181	64,466,795	-167.83
研发费用	239,133,537	252,452,139	-5.28
经营活动产生的现金流量净额	177,582,171	597,131,710	-70.26
投资活动产生的现金流量净额	-3,209,088,680	-226,842,493	不适用
筹资活动产生的现金流量净额	2,862,184,946	1,638,432,228	74.69

营业收入变动原因说明:主要系报告期内受到海内外疫情、通货膨胀、地缘政治等宏观因素影响，智能手机市场出货量下滑。（未完）