[中报]臻镭科技(688270):臻镭科技2022年半年度报告

时间：2022年08月24日 20:37:48 中财网

原标题:臻镭科技:臻镭科技2022年半年度报告

公司代码：688270 公司简称：臻镭科技






浙江臻镭科技股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。


二、重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析：五、风险因素”部分内容。


三、公司全体董事出席董事会会议。


四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人张兵、主管会计工作负责人李娜及会计机构负责人（会计主管人员）李娜声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析................................................................................................ 9
第四节 公司治理............................................................................................................ 27
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................. 28
第六节 重要事项............................................................................................................ 30
第七节 股份变动及股东情况 .......................................................................................... 41
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................. 45
第九节 债券相关情况..................................................................................................... 45
第十节 财务报告............................................................................................................ 46

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表。
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、母公司、 股份公司、臻镭科技、	指	浙江臻镭科技股份有限公司
城芯科技、城芯公司	指	杭州城芯科技有限公司，发行人全资子公司
航芯源、航芯源公司	指	浙江航芯源集成电路科技有限公司，发行人全资子公司
集迈科、集迈科公司	指	浙江集迈科微电子有限公司
钰煌投资、钰煌公司	指	杭州钰煌投资管理有限公司
基尔区块链	指	杭州基尔区块链科技有限公司
《公司章程》	指	浙江臻镭科技股份有限公司章程
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
报告期	指	2022年1-6月
元、万元	指	人民币元、人民币万元
芯片、集成电路、IC	指	集成电路是一种微型电子器件或部件，采用相应的工艺，将所 需的晶体管、电阻、电容和电感等电子元器件按照要求连接起 来，制作在同一晶圆衬底上，实现特定功能的电路。IC是集成 电路（Integrated Circuit）的英文缩写，芯片是集成电路的 俗称
晶圆厂	指	晶圆代工厂，指专门负责芯片制造的企业
晶圆	指	又称Wafer、圆片、晶片，用以制造集成电路的圆形硅或化合 物晶体半导体材料
封测	指	“封装、测试”的简称；“封装”指为芯片安装外壳，实现固 定、密封、导热、屏蔽和保护芯片的作用；“测试”指检测封 装后的芯片功能、性能指标是否满足要求
光罩	指	又称光掩模、掩模版（英文称为：Mask、Photomask或Reticle）， 是生产晶圆（晶片）的模具。光罩是根据芯片设计公司设计的 集成电路版图来生产制作的，一套光罩按照芯片的复杂程度通 常有几层到几十层，晶圆制造商根据制作完成的光罩进行晶圆 生产
流片	指	为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电 路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是 否具备所需要的功能和性能。如果流片成功，就可以大规模地 制造芯片；反之，则需定位原因，并进行相应的优化设计—— 上述过程一般称之为工程试作流片。在工程试作流片成功后进 行的大规模批量生产则称之为量产流片
列装	指	一种装备经设计定型后被列入军队的装备序列并批量装备
相控阵雷达	指	利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相 位，使天线波束指向在空间快速变化的雷达。其特点是：目标 容量大、数据率高，可同时监视和跟踪多目标；具有搜索识别、 跟踪、制导等多种功能；对复杂目标环境的适应能力强，抗干 扰性能好，可靠性高
数字相控阵	指	采用数字算法实现波束形成或同时多波束的相控阵系统
模拟芯片	指	一种处理连续性模拟信号的集成电路。狭义的模拟芯片，其内 部电路完全由模拟电路的基本模块构成；广义的模拟芯片还包 括数模混合信号芯片和射频前端芯片
数模混合芯片	指	一种结合模拟电路和数字电路功能的集成电路。其内部既能包
		含电压源、电流源、运算放大器、比较器等模拟电路基本模块， 又能包含反相器、寄存器、触发器、微处理器、存储器等数字 电路基本模块
微波	指	频率范围为300MHz~300GHz的电磁波，是无线电波中一个有限 频带的简称，即波长在 1毫米~1米之间的电磁波。根据频率 由低到高依次包括：L波段（1~2GHz）、S波段（2~4GHz）、C 波段（4~8GHz）、X波段（8~12GHz）、Ku波段（12~18GHz）、 K波段（18~26.5GHz）、Ka波段（26.5~40GHz）、Q波段（30~50GHz） 等
毫米波	指	微波中一类高频的电磁波，频率范围为30GHz~300GHz，波长在 1毫米~10毫米之间
射频、RF	指	Radio Frequency，简称RF，一种高频交流变化的电磁波，频 率范围在300kHz～300GHz之间
终端射频前端芯片	指	将无线电信号转换成一定的无线电信号波形，并通过天线谐振 发送出去的电子元器件，具备处理高频连续小信号的功能，包 括天线开关、低噪声放大器、功率放大器和滤波器等，主要用 于手机和物联网等无线场景
射频收发芯片	指	位于射频前端芯片与基带芯片之间，具有频率变换、滤波、增 益控制和采样等功能，实现数字信号和模拟信号的互相转换
终端射频开关、RF Switch	指	构成终端射频前端的一种芯片，主要用于射频链路中不同方向 （接收或发射）、不同频率的信道切换
终端低噪声放大器、LNA	指	Low-Noise Amplifier，简称 LNA，构成终端射频前端的一种 芯片，主要用于天线接收的信号放大，以便于后级的电子设备 处理
终端射频功率放大器、 PA	指	Power Amplifier，简称PA，构成终端射频前端的一种芯片， 是各种无线发射机的重要组成部分，将调制振荡电路所产生的 射频信号功率放大，以输出到天线上辐射出去
电源管理芯片	指	在电子设备系统中负责电能的变换、分配、检测及其它电能管 理功能的芯片
T/R组件、T/R射频微系 统	指	一个无线收发系统连接中频处理单元与天线之间的部分，实现 射频信号的发射、接收、放大、移相、衰减、滤波和信道切换 等功能
ADC/DAC	指	模数转换器/数模转化器
SDR	指	软件定义无线电
射频微系统	指	在传统模组基础上，采用垂直互联、MEMS硅腔、TSV硅转接板、 高精度MMIC微组装以及晶圆级键合等技术，将多功能异质芯 片及无源器件进行一体化三维异构集成，形成多种高集成度、 高可靠性的微系统产品
基带处理芯片	指	用来合成发射的基带信号或对接收到的信号进行解码的芯片
馈电网络	指	对相控阵天线中对各个天线单元进行馈电和馈相的网络
信号处理机	指	实现数据记录、信号调制解调、自动跟踪、目标识别等功能的 电子设备
雷达	指	利用电磁波探测目标，并测定其距离、方位、速度的一种电子 设备

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	浙江臻镭科技股份有限公司
公司的中文简称	臻镭科技
公司的外文名称	Great Microwave Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	GREAT MICROWAVE
公司的法定代表人	张兵
公司注册地址	浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢502室
公司注册地址的历史变更情况	2017年3月1日注册地址由杭州市余杭区仓前街道绿 汀路1号1幢565室变更为杭州市西湖区西园三路3 号5幢502室；2017年3月9日注册地址由杭州市西 湖区西园三路3号5幢502室变更为杭州市西湖区三 墩镇西园三路3号5幢502室；2017年5月4日注册 地址由杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢502室 变更为浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢 502室
公司办公地址	浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号B幢6楼
公司办公地址的邮政编码	310030
公司网址	http://www.greatmicrowave.com/
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书 （信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	李娜	孙飞飞
联系地址	浙江省杭州市西湖区三墩镇西 园三路3号B幢6楼	浙江省杭州市西湖区三墩镇西园 三路3号B幢6楼
电话	0571-81023677	0571-81023677
传真	0571-81023675	0571-81023675
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	中国证券报、上海证券报、证券时报、证券日报、经 济参考网
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号B幢6楼公司证 券部
报告期内变更情况查询索引	无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	臻镭科技	688270	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入	104,846,515.85	83,738,925.86	25.21
归属于上市公司股东的净利润	50,400,694.31	40,917,388.92	23.18
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	45,472,074.27	38,760,217.89	17.32
经营活动产生的现金流量净额	-18,012,223.15	14,351,662.25	不适用
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	2,017,006,871.64	460,546,368.02	337.96
总资产	2,066,878,250.90	502,307,000.73	311.48

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.48	0.50	-4.00
稀释每股收益（元／股）	0.48	0.50	-4.00
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.43	0.47	-8.51
加权平均净资产收益率（%）	2.87	10.71	减少7.84个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	2.59	10.14	减少7.55个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	28.04	21.16	增加6.88个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2022 年1-6月公司实现营业收入 104,846,515.85元，较上年同期增长 25.21%。实现归属于母公司所有者的净利润为 50,400,694.31元，较上年同期增长 23.18%；截止2022年6月30日公司总资产2,066,878,250.90元，归属于上市公司股东的净资产为2,017,006,871.64元。
2022年上半年公司不断开发新产品、积极开拓新客户，强化内部管理，营业收入和净利润实现稳定增长。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外	4,471,191.83
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益	457,427.72
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	0.49
其他符合非经常性损益定义的损 益项目
减：所得税影响额
少数股东权益影响额（税 后）
合计	4,928,620.04

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
近年来，中国集成电路行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持，国家陆续出台了多项政策，如《国务院关于印发“十四五”数字经济发展规划的通知》《关于加强产融合作推动工业绿色发展的指导意见》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》等，鼓励集成电路行业的发展。正是在这样的背景下，集成电路被喻为现代工业的“粮食”，是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，被确定为国家战略先导产业。2022年上半年，我国共进口集成电路2797亿块，同比减少10.4%；进口总金额为1.3511万亿元人民币，同比上升 5.5%。此外，在 2022年上半年，我国集成电路共出口 1410亿块，同比减少6.8%；出口总金额为4993亿元人民币，同比上升16.4%。

公司自设立以来，始终坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略，凭借深耕射频集成电路设计产业多年，通过自主正向研发，市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利，公司现已成为国内行业通信、雷达领域中射频芯片、微系统及模组核心供应商之一。

（二）主营业务情况
1.主要业务情况
公司专注于集成电路芯片和微系统的研发、生产和销售，并围绕相关产品提供技术服务。公司主要产品包括终端射频前端芯片、射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等，为客户提供从天线到信号处理之间的芯片及微系统产品和技术解决方案。公司产品及技术已广泛应用于无线通信终端、通信雷达系统、电子系统供配电等特种行业领域，并逐步拓展至移动通信系统、卫星互联网等民用领域。

2. 主要产品和服务情况
1）终端射频前端芯片
报告期内，公司深度优化国产半导体工艺线和宽带功放匹配技术，新研6款高压、宽带、高线性功放，实现3GHz以下全频段高效大功率输出，产品体积小、可靠性高、应用简单，广泛适用于大功率背负电台和车载电台通信，极大简化了客户的匹配工作，并提升性能和降低成本，为国内首批商业应用产品。另外，公司进一步优化大功率多路开关产品，适配于大功率功放，形成系列套片。新研4款金属管壳封氮化镓功放管，覆盖50W以内功率等级，指标优于国内外知名公司同类产品。

2）射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC芯片
报告期内，公司开展4款射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC的研制工作，实现3款射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC的定型量产，进一步巩固了在射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC领域的先发优势，持续推进了新产品定义与既有产品的性能提升。公司研发的四通道可多芯片同步的ADC、四通道高线性DAC、低功耗时钟分配芯片实现量产，多项产品性能比肩国际友商，在国内终端通信、相控阵通信、相控阵雷达、声呐设备、数据链、一体化综合电子系统等领域中已得到广泛应用；另外围绕客户需求、市场与技术发展趋势，公司定义了宽带射频收发芯片、多通道高速高精度ADC/DAC等升级型产品，在工作频段、带宽等性能指标上实现进一步提升，维持技术优势；并定义了多通道低功耗高精度ADC、窄带高线性收发芯片等新型产品，其线性度、带内杂散、片上频综相噪等指标性能在窄带抗干扰通信领域具备竞争优势。

3）电源管理芯片
报告期内，公司电源管理芯片团队形成了负载点电源芯片、低压差线性稳压器、T/R电源管理芯片、MOSFET和GaN驱动器、PWM控制器、微模块电源、固态电子开关、电荷泵、电池均衡器等产品线。公司新研了8款用于T/R组件的电源管理芯片，包括电源调制、串并转换、逻辑门等，以适配最新的T/R组件电源调制与控制模式。新研了6款低压差线性稳压器，输入电压覆盖-20V~20V需求，具有并联均流能力，满足噪声敏感模块AD/DA、PLL、VCO等供电应用需求。新研了6款微模块电源，具有高可靠、小体积、高功率密度等特点，满足航天器中高集成领域点负载电源应用需求。其中新研面向宇航应用的高集成度多拓扑隔离控制芯片C42603RH，单芯片集成PWM控制、源副边驱动、同步整流、过压过流过温保护等功能，可大幅降低当前宇航隔离电源产品的体积；以公司MT0720RH为代表的抗辐照微模块电源，具备单路20A或者双路10A的输出电流能力，实现完整的开关电源变换功能，并满足宇航环境适应性要求。

4）微系统及模组
报告期内公司新研发了5款高集成、轻量化的射频微系统产品，主要应用于新一代的数据链、导引头和低慢小目标探测雷达等领域。公司研发的微系统产品相较于传统产品，通过多层内嵌芯片的三维堆叠极大地提高了功能集成度、产品重量可大幅缩减至传统TR组件的10%以内，并通过具有高一致性的半导体晶圆级量产加工使成本缩减至原先的 30%，满足了新一代装备向小型化、高性能、低成本方向发展的需求。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司是国内少数能够在特种行业领域提供终端射频前端芯片、射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等产品整体解决方案及技术服务的企业之一，在国产装备跨越式发展中起到重要作用，公司研制的集成电路芯片产品技术性能达到国内一流、国际先进水平。

公司产品作为国家重大装备中的核心芯片，具有较高的技术门槛，已在国内形成较强的先发优势。预计未来一定期间内，公司通过持续的研发投入和新产品开发，仍将在相关领域内保持有利的市场地位。

（一） 核心技术情况

序号	主要 应用 产品	核心技术 名称	技术 来源	主要应用 和贡献	核心技术说明
1	终端 射频 前端 芯片	基于低通滤 波器结构有 耗式匹配电 路技术	自主 研发	宽带高效 率功放芯 片设计	为了解决宽带匹配问题，研究出一个具有 广泛适用性的分析及计算理论，基于低通 滤波结构的宽带有耗匹配结构，其核心思 想在于将输入寄生电容作为低通滤波器的 到地并联电容构成一低通滤波器。根据输 入有效电容值构造二阶低通滤波器，在不 加外输入匹配时，直接匹配到系统阻抗， 具有明显的带宽和集成度优势
2
		带阈值跟踪 和温度补偿 功能的有源 偏置电路技 术	自主 研发	提升功 放、低噪 放温度稳 定性和线 性度	改进镜像电流源的偏置电路，增加反馈回 路，补偿电压源的波动。利用片上电阻的 温度变化特性，根据环境温度变化进行阈 值电压补偿，使放大器输出稳定在一定范 围，保证放大器的稳定工作，具有明显的 宽温优势
3
		功放堆叠技 术	自主 研发	宽带高功 率功放芯 片设计	针对单管胞击穿电压低、输出寄生电容大 的缺点，进行管胞堆叠设计，提升器件的 工作电压和输出功率，并减小寄生电容， 达到宽带匹配的效果。
序号	主要 应用 产品	核心技术 名称	技术 来源	主要应用 和贡献	核心技术说明
4		开关耐受功 率提升技术	自主 研发	高耐受功 率开关芯 片设计	结合开关器件模型，优化前馈电容容值， 对栅漏电压、栅源电压进行合理分配，研 制高耐受功率射频开关器件
5	射频 收发 芯片	宽窄带信号 兼容大动态 范围接收通 道设计技术	自主 研发	提升芯片 射频、模 拟通道的 动态范围	宽带多模应用存在小信号、强干扰的应用 场景，要求接收机具备大动态范围。根据 系统需求选择合适的接收机体系架构，同 时在可实现高比特模数转换器精度的前提 下，进一步比较和选择接收通道的低噪 放、混频器、滤波器等模拟单元不同模型 架构的增益、噪声系数、线性度，并进行 系统仿真选择相关参数经过设计后得到的 最优值，具有明显的高动态指标优势
6
		低杂散低噪 声发射通道 设计技术	自主 研发	满足发射 通道输出 信号对带 外的杂波 和镜频提 供尽可能 高的抑制 的要求	在选择合适的发射机架构满足多种模式宽 频需要基础上，优化发射通道各模块的电 路设计及校正算法，使发射通道同时满足 输出信号带外的频谱纯净度要求，并对带 外的杂波和镜频提供尽可能高的抑制，具 有明显的杂波与噪声抑制指标优势
7
		多芯片同步 设计技术	自主 研发	芯片具备 多片同步 功能	相控阵系统的多通道需要具备统一的相位 特性来进行波束合成，往往采用时钟馈线 系统实现，在频率较高时实现难度大、功 耗高，该技术设计了片上可同步的本振及 时钟电路，降低了相控阵系统中时钟同步 网络的实现难度以及功耗，具有多通道组 阵同步优势
8	电源 管理 芯片	耐辐射微型 磁隔离固体 电子开关设 计技术	自主 研发	满足不同 客户对磁 隔离固体 电子开关 微型化、 耐辐射需 求	耐辐射磁隔离固体电子开关是航天能源供 配电系统的核心器件，传统的磁隔离固体 电子开关采用磁性线圈和分立器件进行搭 建，不仅体积大且保护监测功能简单。公 司拥有高压大电流耐辐射微型化磁隔离固 体电子开关设计能力，成功量产了耐辐射 微型磁隔离固体电子开关芯片，将磁隔离 线圈和保护监测功能在芯片内集成，最终 实现超小体积全功能保护的耐辐射磁隔离 固体电子开关，该技术方案较国内外相关 磁隔离固体电子开关芯片具有明显的耐辐 射和集成度优势
9
		耐辐射T/R 组件电源管 理芯片设计 技术	自主 研发	满足客户 对耐辐射 T/R组件 电源管理 芯片小型 化、芯片 化需求	传统T/R组件中存在大量非微波芯片，如 波控、电源调制、功率管、负压保护、栅 压调节等一系列芯片，占用了T/R组件大 量的体积、功耗，公司拥有耐辐射T/R电 源管理系统工艺融合设计能力，成功量产 了全功能耐辐射T/R组件电源管理芯片， 将所有非射频功能芯片整合至单芯片中， 并可IP化嵌入至微波单片中，最终实现
序号	主要 应用 产品	核心技术 名称	技术 来源	主要应用 和贡献	核心技术说明
					T/R组件小型化、芯片化，该技术方案较 国内外相关T/R电源管理芯片具有明显耐 辐射和集成度优势
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		高可靠/耐辐 射、高功率 密度微电源 模块设计技 术	自主 研发	满足客户 对电源超 小体积超 高功率密 度的需求	传统开关电源电路需要控制器、功率管、 电感、变压器、电容和外部配置等大量电 路，占用电路板面积且需要用户自行配置 调试。公司拥有高密度多通道电源微系统 设计能力，将外围磁性器件进行微模块内 集成，已研制出多款高功率密度、高可靠 或耐辐射的微电源模块，可将多路开关电 源集成到微小型封装内，实现超小体积超 高功率密度应用，该方案较国内外相关高 功率密度微电源模块具有一定集成度优势 和明显高可靠或者耐辐射优势
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		耐辐射隔离 开关电源控 制芯片设计 技术	自主 研发	满足客户 对隔离开 关电源系 统超小体 积超高功 率密度的 需求	传统隔离开关电源控制器需要PWM控制 器、隔离反馈、功率管、隔离变压器、去 耦电容和外围配置阻容等大量电路，占用 电路板面积较大。公司拥有多拓扑高频率 隔离控制驱动器芯片设计能力，可支持交 错正激、推挽、半桥及全桥隔离电源拓 扑，具有预偏置启动和同步整流、功率管 驱动能力，方便外围电源拓扑设计，并具 有打嗝过流、过温过压等保护模式，该技 术方案较国内外相关隔离开关电源控制芯 片具有明显耐辐射和集成度优势。
12	T/R 射频 微系 统及 模组	三维异构微 系统无源结 构与多物理 场综合设计 技术	自主 研发	满足客户 对T/R射 频微系统 小型化、 轻量化、 高密度集 成的需求	通过对三维异构集成相控阵T/R微系统进 行详细的电、热设计，实现典型无源结构 的高精度模型提取，建立可支持用户仿真 的PDK模型库，利用多物理场仿真软件分 析射频功放芯片在三维集成结构中的散热 过程，评估立体散热设计的散热效果，以 及电磁-热-力多物理场联合作用下，热应 力形变等多物理场问题对TR微系统产生 的电性能和可靠性方面的影响，具有高精 度和快速设计收敛优势
13
		多通道T/R 射频微系统 数字、模 拟、射频隔 离度优化设 计技术	自主 研发	满足客户 对T/R射 频微系统 多通道集 成、高隔 离度的需 求	相较于传统的多通道T/R组件，多通道 T/R射频微系统将电源管理芯片、数字控 制芯片和射频芯片采用三维堆叠的形式集 成在很小的硅基板上，其集成度特别高， 各种信号之间的串扰问题将变得不容忽 视。因此在多通道T/R射频微系统的设计 过程中，必须对通道间的隔离特性进行研 究，了解信号干扰的机理，建立量化的通 道隔离模型，采用多种手段优化通道间的 隔离，具有高隔离、抗干扰指标优势

（二） 技术先进性及其表征
公司掌握的上述核心技术先进性的具体表征情况如下：

序号	核心技术名称	先进性具体表征
1	基于低通滤波 器结构有耗式 匹配电路技术	该项技术能够实现功放超宽带匹配，在全频带内实现小于1dB的增 益平坦度，而且采用有耗结构增加电路稳定性，大幅减少外围匹配 电路设计复杂度
2	带阈值跟踪和 温度补偿功能 的有源偏置电 路技术	该项技术针对低噪放项目进行详细的分析建模，在理论和数值分析 上获取低噪放产品设计的关键数值，快速获取电路的各项初始参 数，减少设计迭代时间，工作温度可扩展至-55℃~125℃，具有宽 温工作优势
3	功放堆叠技术	管胞堆叠技术可有效提升器件的工作电压，进而提高器件的输出功 率，并减小输出寄生电容，满足高压高功率宽带器件应用需求
4	开关耐受功率 提升技术	基于电压悬浮结构，结合开关器件模型参数，对前馈电容进行优化 设计，有效缩短设计周期，提升不同工作电压下射频开关的耐受功 率能力
5	宽窄带信号兼 容大动态范围 接收通道设计 技术	终端类设备需支持多种模式，中频带宽变化很大，该技术的优势在 于使得射频收发芯片支持20kHz~60MHz的中频信号收发，且在各个 增益下具备低噪底、高线性特征，在各个带宽下具备较大的直流抑 制、镜频抑制性能等，动态范围大于60dB，覆盖绝大多数通信雷 达系统要求
6	低相噪快速跳 频宽温频率综 合器设计技术	频率综合器是射频收发器的核心模块，公司通过多年的技术积累， 自主研发的频率综合器同时具备低相噪、宽温、快速跳频特征，可 满足宽带高信噪比通信、窄带抗干扰通信等应用需求，全温相噪低 于-100dBc/Hz@100kHz
7	多芯片同步设 计技术	相控阵系统往往需要提供同步的高频时钟同步网络实现多通道的相 位一致性，该技术使得相控阵仅需提供低频的同步信号即可实现多 通道、多芯片间小数频综相位同步，降低了相控阵系统中同步网络 的实现难度以及功耗，多通道相位同步一致性优于3°，具有多通 道组阵同步优势
8	耐辐射微型磁 隔离固体电子 开关设计技术	单颗芯片集成片上磁隔离器件，具备完整的单边供电、隔离能量传 递、隔离数传、隔离驱动、短路保护、反时限过流保护、过温保护 和状态隔离指示等功能，在大幅减小磁隔离固体电子开关产品体积 的同时还具备丰富的保护功能和耐辐射适应性，体积较传统方案缩 小50%以上
9	耐辐射T/R组 件电源管理芯 片设计技术	单颗芯片集成脉冲调制、栅压调节、串并转换、负压驱动、负压保 护等所有非微波芯片组所需的功能，并研制T/R组件专用数字控制 与保护联动机制和快速收发切换电源脉冲调制技术，具备在统一工 艺条件下的单芯片集成和耐辐射工作优势，体积较传统方案缩小 50%以上
10	高功率密度微 电源模块设计 技术	单颗电源微模块内集成开关电源控制器、功率开关管、电感、去耦 电容、环路调节阻容等开关电源核心元器件与外围电路，并研制可 将磁性器件集成在微模块内或芯片片内的超高密度集成技术，实现 单一封装或芯片内完整的开关电源变换功能，具备高能量密度多通 道电源微系统的小型化高可靠工作优势
11	耐辐射隔离开 关电源控制芯 片设计技术	单颗芯片集成源、副边控制器，可支持交错正激、反激、推挽、半 桥及全桥隔离电源拓扑，同时内置预偏置启动、死区时间调节同步 整流、电压模/电流模控制、高精度电压输出、软启动、打嗝保 护、斜坡补偿斜率可调、2MHz工作频率、前沿消隐、外部信号同
序号	核心技术名称	先进性具体表征
		步、逐周期限流、过压过温过流保护等模块，并将功率管驱动器内 置，具有灵活多变的工作模式和较少外围电路优势
12	三维异构微系 统无源结构与 多物理场综合 设计技术	通过对三维异构集成相控阵T/R微系统进行详细的电、热设计，实 现典型无源结构的高精度模型提取，建立可支持用户仿真的PDK模 型库，大大缩短了产品的开发的时间，提高了产品一致性。利用多 物理场仿真软件分析射频功放芯片在三维集成结构中的散热过程， 评估立体散热设计的散热效果，以及电磁-热-力多物理场联合作用 下，热应力形变等多物理场问题对TR微系统产生的电性能和可靠 性方面的影响，产品的散热性能成倍增加
13	多通道T/R射 频微系统数 字、模拟、射 频隔离度优化 设计技术	多通道T/R射频微系统将电源管理芯片、数字控制芯片和射频芯片 采用三维堆叠的形式集成在很小的硅基板上，通过建立量化的通道 隔离模型和隔离度优化设计技术。多通道T/R射频微系统的设计过 程中，各种信号之间无串扰，隔离度增加20dB以上，可满足绝大 多数通信雷达系统使用要求

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
截至2022年6月30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的专利33项，其中境内授权专利32项，境外授权专利1项，其中发明专利32项，实用新型专利1项，该等专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。

报告期内公司未申请新的知识产权。

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	29,398,146.44	17,723,313.70	65.87
资本化研发投入	0	0	不适用
研发投入合计	29,398,146.44	17,723,313.70	65.87
研发投入总额占营业收入 比例（%）	28.04	21.16	增加6.88个百分 点
研发投入资本化的比重（%）	0	0	不适用

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司报告期内研发投入29,398,146.44元，同比增长65.87%，主要系报告期内公司不断引进高水平研发人才，通过持续加大研发投入以保持技术创新优势。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名称	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶段性 成果	拟达到目标	技术 水平	具体 应用 前景
1	宇航高可 靠精密电 源系统套 片研究	814.29	1,914.16	已完成电源系 统套片设计仿 真，其中与之 匹配的开关电 源控制器、线 性电源点负载 等芯片已进入 样品阶段	针对宇航电源系统高可靠性、 高冗余、全功能监测保护特 性，实现开关电源控制、线性 电源点负载、隔离高压驱动、 专用控制保护等系列套片，可 接入一次母线进行高压隔离开 关变换，并具有二次高精度稳 压、开关保护、高速驱动控制 等功能，可重构形成多型多参 数电源变换系统	国内 领先	空间 电源 变换 与控 制保 护系 统
2	宽带高线 性射频收 发芯片研 究	489.24	2,579.26	完成样片的研 制生产、多通 道同步验证、 QEC校准算 法、DPD算法 验证	针对5G通信、基站等领域实现 ADRV9009射频收发芯片功能替 代，具备两收两发、一观测通 道，片上实现处理器，带宽大 于200MHz	国际 先进	智能 终 端、 5G通 信和 基站
3	多路射频 直采收发 芯片及同 步收发系 统研究	513.23	1,300.24	完成多路直采 收发芯片的设 计和仿真验证	实现具备同步能力的8收8发 宽带直采收发芯片，并基于所 研芯片实现多通道同步收发板 卡，具有宽带、大动态、高集 成度等特征	国内 领先	数字 相控 阵、 宽带 中频 收发 系统
4	宽带高线 性高效率 射频前端 芯片研究	167.97	430.19	已完成原理图 设计和版图设 计流片，正进 行样品试制	针对智能终端、5G通信等领域 结合新工艺和新架构，实现宽 带射频前端芯片的高线性和高 效率指标	国内 领先	智能 终 端、 5G通 信和 基站
5	综合相控 阵微系统 研究	485.06	1,410.86	已完成三维异 构硅基微系统 的设计、仿 真、制造与测 试，性能达到 预期设计目 标，目前已进 入样品阶段	实现超宽频带多功能相控阵的 可重构功能切换和高密度三维 集成	国内 领先	综合 相控 阵雷 达
6	基带射频 一体化 SDR微系 统研究	464.26	964.98	已完成SDR微 系统的原理图 设计，目前正 在开展版图布 局布线及微系 统的仿真优化	实现基带芯片与射频收发芯片 的一体化三维集成，显著降低 互连损耗，显著减少对外引脚 数量和空间占用	国际 先进	数据 链终 端
7	高可靠精 密微电源 模块研究	5.76	5.76	微电源模块设 计仿真阶段	可直接接入常用装备的供电母 线，实现高功率密度和恶劣环 境适应能力的隔离、非隔离微 电源模块，具备高效率、高可 靠的拓扑特性，并可监测电源 输入输出电压电流变化情况， 具有多种短路过流、过欠压、 过温保护模式。	国内 领先	空间 电源 变换 领域
8	卫星配电 用宇航固 态电子开 关研究	0.00	548.86	项目已完成	可直接接入100V母线，实现功 率电源和用电负载之间的功率 接通和切断，可实时监测配电 线路中的电流变化，具有过流 保护功能和短路保护恢复功 能，额定电流可配置	国内 领先	空间 智能 配电 领域
合 计	/	2,939.81	9,154.31		/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	115	67
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	52.51	48.91
研发人员薪酬合计	1,848.67	1,111.94
研发人员平均薪酬	19.16	18.37

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	7	6.08
硕士研究生	51	44.35
本科	51	44.35
专科	6	5.22
合计	115	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含30岁）	69	60.00
30-40岁（含30岁，不含40岁）	42	36.52
40-50岁（含40岁，不含50岁）	4	3.48
合计	115	100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
公司主要产品包括终端射频前端芯片、射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等，各类主要产品与同行业可比公司对标产品的性能指标对比情况如下： （1）终端射频前端芯片
公司终端射频前端芯片中代表产品为终端射频功率放大器和终端低噪声放大器。

1）终端射频功率放大器

公司	臻镭科技	马科姆 （MACOM）	公司产品比较说明
型号	GM1115	MAPC-A1000	-
工作频率（GHz）	0.03~2.7	0.03~2.7	工作频段与对标产品相当
饱和输出功率（dBm）	44	44	包和输出功率与对标产品相当
小信号增益（dB）	13	12.8	小信号增益与对标产品相当
功率增益（dB）	8	10	功率略差与对标产品
平均漏极效率(%)	63	55	平均漏极效率远高于对标产品
输入反射系数（dB）	-20	-10	反射系数优于对标产品
工作电压（V）	44	50	工作电压小于对标产品
封装方式	金属法兰	塑封QFN	-

2）终端低噪声放大器

公司	臻镭科技	科沃（Qorvo）	公司产品比较说明
型号	GM2305	SPF5043	-
工作频率（GHz）	0.03~4	0.03~4	工作频段与对标产品相当
增益（dB）	26~10	24~7	增益略优于对标产品
噪声系数（dB）	0.5@1GHz	0.73@1GHz	噪声系数优于对标产品
1dB压缩点（dBm）	20@1GHz	17.4@1GHz	1dB压缩点功率优于对标产品
输出三阶交调(OIP3)	30@1GHz	28@1GHz	三阶交调优于对标产品
工作电流（mA）	40	37	工作电流与对标产品相当
输入回波损耗|S11| （dB）	15@1GHz	10@1GHz	输入回波损耗优于对标产品
输出回波损耗|S11| （dB）	20@1GHz	15@1GHz	输出回波损耗优于对标产品

（2）射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC
公司射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC中代表产品为射频收发芯片和高速高精度ADC/DAC。

1）射频收发芯片

公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）	公司产品比较说明
型号	CX9261A	AD9361	-
通道数	3收2发 （各通道本振独立， 支持三模并发）	2收2发 （收、发共用本 振，仅支持单模）	集成度优于对标产品
射频频段 (MHz)	30~7000	70~6000	射频频段范围优于对标产品
中频带宽 (kHz)	20~60000	200~56000	中频带宽优于对标产品，应用 范围更广
接收噪 声系数	≤3.6dB @40dB 增益	≤3.8dB @最大RX增益	接收噪声系数与对标产品相当
接收输入三阶 交调截点	-5dBm @55dB 增益	-17dBm @最大模拟增益	接收输入三阶交调截点与对标 产品相当
发射输出三阶 交调截点	[email protected]	[email protected]	发射输出三阶交调截点与对标 产品相当
通道间隔离度 （dB）	70	55	通道间隔离度优于对标产品， 产品多通道并发工作时相互干 扰相对更小
频综积分 相噪	0.29°@2.4GHz	0.37°@2.4GHz	频综积分相噪优于对标产品， 支持更高阶的调制及更优抗干 扰能力
频率切换时间	≤1μs	未公开	-
片上处理器	有	无	通过集成处理器可配置度优于 对标产品
数字预失真 （DPD）功能	有	无	通过集成DPD功能，相比对标 产品可支持更高线性的波形输 出
工作温度 （℃）	-55~125	-40~85	工作温度优于对标产品，应用 范围相对更广

2）高速高精度ADC/DAC
2.1中等采样率产品CX8142

公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）		同行业公司A		公司产品比较说明
型号	CX8142	AD9694	AD9152	型号A	型号B	-
通道数	2T2R	4R	2T	2R	4T	单颗芯片兼具ADC 和DAC功能，集成 度优于对标产品
ADC位数/采样 频率 （bit/MSPS）	14/750	14/500	无	14/1000	无	ADC位数/采样频率 与对标产品相当
输入频率范围 （MHz）	1~1500	最大为 1400	无	最大为 1400	无	输入频率范围与对 标产品相当
ADC 无杂散动态范 围（SFDR）	83dBFS@240 MHz （1.8Vpp、 -1dBFS）	82dBFS @305MHz	无	80.5dBF S@253MH z	无	ADC 无杂散动态范 围优于对标产品， 线性性能更好
公司	臻镭科技	亚德诺（ADI）		同行业公司A		公司产品比较说明
		（1.8Vpp 、- 1dBFS）		（1.7Vp p、- 1dBFS）
ADC 信号噪声失真 比 （SNDR或 SINAD）	68.8dBFS @240MHz （1.8Vpp、 -1dBFS）	66.6dBFS@ 305MHz （1.8Vpp 、- 1dBFS）	无	65.1dBF S @253MHz （1.7Vp p、- 1dBFS）	无	ADC信号噪声失真 比优于对标产品， 接收信噪比性能更 好
ADC噪底 （NSD）	- 156.2dBFS/ Hz (750MSPS,1 .8Vpp)	- 151.5dBFS /Hz(500MS PS,1.8Vpp )	无	- 150dBFS /Hz(1GS PS,1.7V pp)	无	ADC噪底与对标产 品相当
接收功耗 （接口+数字 +ADC）	1W （2通道）	1.66W （4通道）	无	3.6W（2 通道）	无	接收功耗与对标产 品相当
DAC位数/ 采样频率 （bit/GSPS）	14/3	无	16/2.25	无	16/2.5	DAC位数/采样频率 与对标产品相当
输出频率范围 （MHz）	1~1500	无	最大为1125	无	最大为 1250	输出频率范围与对 标产品相当
DAC 无杂散动态范 围（SFDR）	89.1dBc @3GSPS (325MHz)	无	78dBc @1.966GSPS （180MHz）	无	72dBc	DAC 无杂散动态范 围优于标产品，线 性性能更好
DAC噪底 （NSD）	-161dBm/Hz @750MHz	无	-163dBm/Hz @180MHz	无	- 150dBm/ Hz	DAC噪底与对标产 品相当
发射功耗 （接口+数字 +DAC）	1W （2通道）	无	1.4W （2通道）	无	2.6W （4通 道）	发射功耗优于对标 产品
最高接口 速率 （Gbps）	15	15	12.38	10	6.25	最高接口速率优于 对标产品，与基带 或处理器的数据传 输速率更快
片上采样时钟	有	无	有	无	有	片上采样时钟与对 标产品一致
时钟相噪 @500MHz （3GSPS， 250MHz Ref.）	-121dBc @100kHz -132dBc @600kHz -139dBc @1.2MHz	无	未公开	无	未公开	-

2.1高等采样率产品CX8242K （未完）