[中报]清溢光电(688138):清溢光电2022年半年度报告

时间:2022年08月24日 20:46:49 中财网

原标题:清溢光电:清溢光电2022年半年度报告

公司代码:688138 公司简称:清溢光电






深圳清溢光电股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了存在风险因素,敬请查阅第三节“管理层讨论与分析”中关于风险因素的内容。



三、公司全体董事出席董事会会议。



四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人唐英敏、主管会计工作负责人吴克强及会计机构负责人(会计主管人员)熊成春声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用


八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析................................................................................................ 9
第四节 公司治理............................................................................................................ 46
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................. 47
第六节 重要事项............................................................................................................ 53
第七节 股份变动及股东情况 .......................................................................................... 77
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................. 81
第九节 债券相关情况..................................................................................................... 81
第十节 财务报告............................................................................................................ 82



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表
 载有公司法定代表人签字和公司盖章的半年度报告全文和摘要
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
清溢光电、公 司、本公司、 深圳清溢深圳清溢光电股份有限公司
控股股东、香 港光膜、香港 光膜公司光膜(香港)有限公司,2006年12月7日由美维科技集团有限公司更名而 来
实际控制人唐英敏、唐英年
清溢精密光 电公司公司前身深圳清溢精密光电有限公司、清溢精密光电(深圳)有限公司
苏锡光膜苏锡光膜科技(深圳)有限公司,公司第二大股东,为香港光膜全资子公司
瑞珝企业新余市瑞珝企业管理有限公司,公司股东,原名称:深圳市华海晟投资有限 公司
煜博科技抚州市煜博科技服务中心(有限合伙),公司股东,原名称:深圳市熠昌投 资合伙企业(有限合伙)
燚璟科技抚州市燚璟科技服务中心(有限合伙),公司股东,2022年7月7日更名为 新余市燚璟科技服务中心(有限合伙)
广百企业新余市广百企业管理中心(有限合伙),公司股东,原名称:深圳市百连投 资合伙企业(有限合伙)
焜创科技抚州市焜创科技服务中心(有限合伙),公司股东,原名称:深圳市熠腾翔 投资合伙企业(有限合伙)
常裕光电常裕光电(香港)有限公司,公司全资子公司
合肥清溢合肥清溢光电有限公司,公司全资子公司
维信诺维信诺科技股份有限公司(A股上市公司,股票代码002387)及其子公司的 统称,公司客户
京东方京东方科技集团股份有限公司(A股上市公司,股票代码000725)及其子公 司的统称,公司客户
天马天马微电子股份有限公司(A股上市公司,股票代码000050)及其子公司的 统称,公司客户
信利信利半导体有限公司、信利光电股份有限公司、信利(惠州)智能显示有限 公司、信利电子有限公司以及信利(仁寿)高端显示科技有限公司的统称, 公司客户
华星光电TCL华星光电技术有限公司(原深圳市华星光电技术有限公司)、武汉华星 光电半导体显示技术有限公司、深圳市华星光电半导体显示技术有限公司、 武汉华星光电技术有限公司的统称,公司客户
群创光电群创光电股份有限公司,中国台湾上市公司(股票代码3481),公司客户
瀚宇彩晶瀚宇彩晶股份有限公司,中国台湾上市公司(股票代码6116),公司客户
龙腾光电昆山龙腾光电股份有限公司(A股上市公司,股票代码688055),公司客户
艾克尔艾克尔国际科技股份有限公司(美股上市公司,股票代码 AMKR)及其子公 司的统称,公司客户
颀邦科技颀邦科技股份有限公司(中国台湾上市公司,股票代码:6147)及其子公司的 统称,公司客户
长电科技江苏长电科技股份有限公司,A股上市公司(股票代码:600584),公司客 户
中芯国际中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,公司客户
士兰微杭州士兰微电子股份有限公司,A股上市公司(股票代码:600460),公司
  客户
英特尔Intel Corporation,美股上市公司(股票代码:INTC),公司客户
和辉光电上海和辉光电股份有限公司,A股上市公司(股票代码688538),公司客户
紫翔电子珠海紫翔电子科技有限公司、苏州紫翔电子科技有限公司的统称,公司客户
鹏鼎控股鹏鼎控股(深圳)股份有限公司(A股上市公司,股票代码002938)及其子 公司的统称,公司客户
上海先进上海先进半导体制造有限公司,公司客户
惠科长沙惠科光电有限公司、绵阳惠科光电科技有限公司等惠科集团公司的统 称,公司客户
赛微电子北京赛微电子股份有限公司(A股上市公司,股票代码:300456)及其全资子 公司赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司,公司客户
通富微电通富微电子股份有限公司(A股上市公司,股票代码:002156)及其参股公 司厦门通富微电子有限公司,公司客户
华微电子指吉林华微电子股份有限公司(A股上市公司,股票代码:600360),公司 客户
泰科天润指浏阳泰科天润半导体技术有限公司,公司客户
三安光电指厦门三安光电有限公司、安徽三安光电有限公司、天津三安光电有限公 司、厦门市三安集成电路有限公司及厦门市三安光电科技有限公司,公司客 户
方正微电子指深圳方正微电子有限公司,公司客户
株洲半导体指株洲中车时代半导体有限公司,公司客户
MycronicMycronic AB(瑞典上市公司,股票代码MYCR),公司设备供应商,生产的 光刻机全球范围内领先
保荐机构广发证券股份有限公司
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
报告期2022年1月1日至2022年6月30日
元、万元人民币元、人民币万元
掩膜版掩膜版(Photomask)又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等,是微电 子制造过程中的图形转移工具或母版,用于下游电子元器件行业批量复制 生产。掩膜版在生产中起到承上启下的关键作用,是产业链中不可或缺的重 要环节
TFTTFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写。薄膜晶体管是一类特 殊的场效应管,其通过在非导体的基板上沉积半导体主动层、介电质层和金 属电极层来制作。薄膜晶体管广泛用于 TFT-LCD 材质,一种 LCD 技术的应 用。同时,AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)也内建了TFT层
AMOLED有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板,AMOLED(Active- Matrix Organic Light-Emitting Diode)具有反应速度较快、对比度更高、 视角较广等特点
半导体半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。半导 体的分类,按照其制造技术可以分为:集成电路器件,分立器件、光电半导 体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类
IC又称集成电路,英文为Integrated Circuit,是一种微型电子器件或部件。 采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等组件及 布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体芯片或介质基片上,然后封装 在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构
LTPSLTPS(Low Temperature Poly-silicon)即低温多晶硅技术,是运用于TFT- LCD和AMOLED面板的一种技术,该技术具有高分辨率、反应速度快、高开 口率等优点
第三代半导 体第三代半导体材料以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石等为代表具有更宽的 禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等 特性,可以实现更好的电子浓度和运动控制,更适合于制作高温、高频、抗 辐射及大功率电子器件
IGZOIGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写,非晶IGZO材 料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,是金属氧化物(Oxide)面 板技术的一种
MicroLEDMicroLED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元,将其 组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称深圳清溢光电股份有限公司
公司的中文简称清溢光电
公司的外文名称Shenzhen Qingyi Photomask Limited
公司的外文名称缩写SQM
公司的法定代表人唐英敏
公司注册地址深圳市南山区朗山二路北清溢光电大楼
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址深圳市南山区朗山二路北清溢光电大楼
公司办公地址的邮政编码518053
公司网址http://www.supermask.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代 表)证券事务代表
姓名秦莘刘元
联系地址深圳市南山区朗山二路北清溢 光电大楼深圳市南山区朗山二路北清溢 光电大楼
电话0755-863598680755-86359868
传真0755-863522660755-86352266
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》、《上海证券报》、《证券时报》、 《证券日报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券事务部
报告期内变更情况查询索引不适用
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板清溢光电688138/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入341,868,016.49227,573,063.4950.22
归属于上市公司股东的净利润38,985,545.8720,704,048.3188.30
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润31,290,505.4615,537,525.42101.39
经营活动产生的现金流量净额52,717,623.4039,828,575.6932.36
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产1,221,729,046.361,198,751,500.491.92
总资产1,566,410,381.111,523,487,024.842.82

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.150.0887.50
稀释每股收益(元/股)0.150.0887.50
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.120.06100.00
加权平均净资产收益率(%)3.221.76增加1.46个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)2.591.32增加1.27个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)5.587.75减少2.17个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
营业收入同比增长 50.22%,主要是因为子公司合肥清溢产能释放,产销规模迅速增长所致;归属于上市公司股东的净利润和归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比分别增长88.30%、101.39%,主要是因为子公司合肥清溢本期内实现盈利,从而拉动公司净利润及扣非后净利润同比大幅上升;经营活动产生的现金流量净额增长32.36%,主要是因为公司整体产销规模大幅增长所致;基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比大幅增长,主要原因是净利润及扣非后净利润大幅增长;加权平均净资产收益率、扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率提升原因亦同;研发投入占营业收入的比例有所下降,是因为营业收入增长幅度大幅领先研发费用增长幅度。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益-229,715.43 
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外8,589,247.24 
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有  
效套期保值业务外,持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益,以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益  
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-157,291.08 
其他符合非经常性损益定义的损 益项目  
减:所得税影响额507,200.32 
少数股东权益影响额(税 后)  
合计7,695,040.41 


将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析

一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
公司主要从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务,是国内成立最早、规模最大的掩膜版生产企业之一。公司的主要产品为掩膜版(Photomask),又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等,是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具,是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体。掩膜版用于下游电子元器件制造业批量生产,是下游行业生产流程的关键模具,是下游产品精度和质量的决定因素之一。报告期内,公司主要业务及产品未发生重大变化。

公司生产的掩膜版产品根据基板材质的不同主要可分为石英掩膜版、苏打掩膜版和其他(包含凸版、菲林)。产品主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业,是下游行业产品制程中的关键工具。公司掩膜版产品主要应用的下游行业和相关客户情况如下: 平板显示行业用掩膜版包括薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)掩膜版含阵列(Array)掩膜版(a-Si/LTPS技术)及彩色滤光片(CF)掩膜版、有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)掩膜版、超扭曲向列型液晶显示器(STN-LCD)掩膜版和 Fine Metal Mask用掩膜版、MicroLED显示用掩膜版和硅基半导体显示用掩膜版等。服务的典型客户包括京东方、惠科、天马、华星光电、群创光电、瀚宇彩晶、信利、龙腾光电、维信诺等客户。

半导体芯片行业用掩膜版主要包括半导体集成电路凸块(IC Bumping)掩膜版、集成电路代工(IC Foundry)掩膜版、集成电路载板(IC Substrate)掩膜版、发光二极管(LED)封装掩膜版及微机电(MEMS)掩膜版等。服务的典型客户包括艾克尔、颀邦科技、长电科技、通富微电、赛微电子、中芯国际、士兰微、英特尔、上海先进等客户。

触控行业用掩膜版主要包括内嵌式触控面板(In Cell、On Cell)掩膜版、外挂式触控(OGS、Metal Mesh)掩膜版。服务的典型客户包括京东方、天马等。

电路板行业用掩膜版主要包括柔性电路板(FPC)掩膜版、高密度互连线路板(HDI)掩膜版。服务的典型客户包括紫翔电子、鹏鼎控股等。

(一) 主要经营模式
公司的盈利模式、研发模式、采购模式、生产模式、销售模式及市场开拓模式如下: 1、盈利模式。从上游供应商采购原材料,针对客户个性化的需求,通过公司专业化设计,在自有的恒温、恒湿高洁净度生产车间使用高精密设备,通过多个高度专业化的生产流程,将原材料制作成符合客户定制化需求的产品,并交付给客户,实现产品销售并获得盈利。
2、研发模式。公司自成立以来,为打破国外垄断、填补国内空白,始终坚持自主研发、自主创新的研发模式。作为国内规模最大的掩膜版专业制造商之一,公司始终致力于探索、改进掩膜版的工艺制造流程,提升产品良率,提高生产制造效率,同时对于掩膜版生产所需的部分设备进行了研发、改进,从工艺到设备多角度提升掩膜版产品性能。
3、采购模式。公司设立采购部,主管供应商的开发与管理、原材料采购工作。公司根据相关产品的行业特点,制定和执行供应链管理环境下的采购模式,通过实施有效的计划、组织与控制等采购管理活动,按需求计划实施采购。
采购分为境内采购和境外采购。境内采购,因物资采购周期比较短,需求比较稳定,采购人员根据月、周采购计划,结合物资的采购周期、检验周期,在与各合格供应商签订采购合同的前提下,每月/周以采购订单的形式,实施采购。境外采购,因物资采购周期相对较长、流程繁杂,采购部门指定专业人员负责采购,由负责采购的人员根据月/周采购计划,结合物资的采购周期、检验周期,每笔以采购合同的形式实施采购。计划外采购的物资,由相关部门以物资需求申请单的形式提出,经批准后,交采购部门实施采购。
4、生产模式。公司的产品全部由公司自行生产,不存在外协生产的情况。掩膜版为定制化产 品,公司采用“以销定产”的生产模式,根据客户订单需求情况进行生产调度、管理和控制。通常 客户单次采购的量较少,对所采购产品的品质要求较高,同时对交货期要求严格,因此公司的产 品制造过程中的品质管理能力和按时交货能力至关重要。 公司针对不同的客户需求自主创新开发,或根据拟推出的产品成立专门的项目组,由项目组 根据研发部门的创新方案或客户的构思和需求,设计开发工艺技术方案,并制作产品,送交客户 认证。 5、销售模式。公司的销售模式均为直接销售,即公司直接与客户签署合同,直接将货物交付 至客户指定的地点,客户直接与公司进行结算。 6、市场开拓模式。公司采取两种市场开拓模式:自行开拓模式、代理商开拓模式。 ①自行开拓模式:公司自行通过行业交流、展会宣传以及老客户口碑相传等形式开拓新的客 户资源。 ②代理商开拓模式:代理商自行接洽境外潜在需求客户,如开拓成功,客户将订单直接下达 给公司,款项与货物通过客户直接与公司往来,代理商不参与交易过程中的具体环节。公司按客 户成交金额根据事先与代理商约定的佣金比例计算具体佣金金额。通常在收到客户的付款之后, 公司再向代理商支付佣金。 (二) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 1)平板显示市场 平板显示行业长期发展呈现像素高精度化、尺寸大型化、竞争白热化、转移加速化、产品定 制化等特点,受益于电视平均尺寸增加,大屏手机、车载显示和公共显示等需求的拉动,根据 Omdia 2021年 9月预测,2025年全球平板显示需求达到 300百万平方米。(如下图:全球 2018-2027年 平板显示需求预测,单位:百万平米)
我国集中建设高 示产业布局向中 、珠三角以及成 下特征:①产业 球面板产能最多 达到 43.6%。 进一步提高,量 天马、维信诺、 术上加大投入。 国产化率进一步 线,其中 8.5/8.6 ,中国大陆预计 2023年有 18条 8.度、高世代面板线 转移的进程明显加 鄂等四大产业聚集 模持续扩大,自给 地区。根据 Omdia 进程稳步推进。多 辉光电等企业在 A 本土产业链不断完 升。根据 Omdia 2 合计有 18条,中国 22条 6代及以下 /8.6代高精度 TFT为承接全球新型显示 快。我国平板显示产 区都拥有高精度、高 能力稳步提升,市场 2021年 9月预计, 数 AMOLED/LTPS生 OLED/LTPS高分辨 善,配套体系逐步形 21年 9月统计分析 陆 AMOLED/LTPS 精度线。 线,产线情况如下产能转移提供了 业集中度进一步 世代面板线。我 占有率持续增长 026年中国大陆 6 来源:Omdia 20 线建设进展顺利 率、折叠屏、全 成,平板显示产 预计 2023年有 2 造商仍在继续
生产商工厂应用主要技术
京东方BOE B4LCDa-Si
京东方BOE B8LCDa-Si
京东方BOE B10LCDa-Si
京东方BOE B5LCD+OLEDa-Si
京东方BOE B18LCDOxide
京东方BOE B19LCDOxide
华星光电CSOT T1LCD+EPDa-Si
华星光电CSOT T2LCDa-Si
华星光电CSOT T10LCDa-Si
    
生产商工厂应用主要技术
华星光电CSOT T9LCDa-Si/Oxide
惠科HKC H1LCDa-Si
惠科HKC H2LCDa-Si
惠科HKC H4LCDa-Si
惠科HKC H5LCDa-Si
咸阳彩虹CECX 1LCDa-Si
LG DisplayLGD GP1LCDa-Si
LG DisplayLGD GP3OLEDOxide
天马G8.6 PlanningLCDa-Si
2023年有 22条 6及以下高精度线,6中精度及 6代高精数据来 AMOLED/LT
生产商工厂应用主要技术
友达光电AUO L6KLCDLTPS
京东方BOE B7OLEDLTPS
京东方BOE B12OLEDLTPS
京东方BOE B3LCDa-Si
京东方BOE B11OLEDLTPS
京东方BOE B6LCD+OLEDLTPS
中电熊猫C1LCDa-Si
华星光电CSOT T4OLEDLTPS
华星光电CSOT T3LCDLTPS
华星光电CSOT T5OLEDLTPS
和辉光电Everdisplay 1OLEDLTPS
和辉光电Everdisplay 2OLEDLTPS
华佳彩MDT 1LCD+OLEDa-Si
柔宇Ryl Fab 1OLEDOxide
天马TM16LCDLTPS
天马TM6 LTPS R&DLCD+OLEDLTPS
天马TM10LCDLTPS
天马TM17OLEDLTPS
天马TM18OLEDLTPS
    
生产商工厂应用主要技术
维信诺VSX V1OLEDLTPS
维信诺VSX V2OLEDLTPS
维信诺VSX V3OLEDLTPS
数据来源:Omdia 平板显示领域的同一世代生产线,根据下游显示产品的需求,对分辨率、尺寸等主要技术指 标的要求不同,进而对掩膜版精度的要求也存在高、中、低差异。 未来,中国大陆面板厂商仍将加速高世代或 AMOLED/LTPS产线的投产。中国大陆平板显 示行业对掩膜版产品尤其是高世代、高精度掩膜版产品的需求将持续增长。根据 Omdia分析, 预计 2025年全球 8.6代及以下平板显示行业掩膜版销售收入为 972亿日元,占全球平板显示行 业掩膜版销售额的比例为 88%,8.6代及以下平板显示行业用掩膜版需求保持稳定增长。(下 图:全球 8.6代及以下平板显示行业掩膜版销售预测, 单位 10,000日元) 数据来源:Omdia 2021年
根据 Omdia分析,中国大陆平板显示行业掩膜版需求占全球比重,从 2017年的 32%上升到2020年的 51%。未来随着相关产业进一步向国内转移,中国大陆平板显示行业掩膜版的需求将持续上升,预计到 2024年,中国大陆平板显示行业掩膜版需求全球占比将达到 60%。

数据来源:Omdia 2021年
综上,报告期内及未来可预见的期间内,中国大陆的平板显示行业处于快速发展期,发展前景乐观,对掩膜版的需求将持续增加。

高精度掩膜版是生产 AMOLED/LTPS及高分辨率 TFT-LCD显示屏的关键要素,随着中国大陆 AMOLED/LTPS、高世代面板线的陆续投产,对高精度、大尺寸的掩膜版需求将大幅增加。中国大陆掩膜版的发展滞后于平板显示投资的增长,特别在 AMOLED/LTPS高精度掩膜版上国产化率不足,仍严重依赖进口,国产替代的空间巨大。报告期及未来可预见的期间内有广阔的市场空间。

2)半导体芯片市场
半导体芯片位于电子行业的中游,上游是电子材料和设备。半导体芯片被广泛应用于通信、安防、军事、工业、金融、交通、消费电子(例如:电视、电脑、平板、手机、VR\AR等)等领域, 在国家安全、经济发展和日常生活中发挥着重要的作用,是社会信息化、经济数字化的基础。

在半导体市场需求旺盛的引领下,2021 年全球半导体市场高速增长。根据 WSTS 统计,2021 年全球半导体销售达到 5,559亿美元,同比增长 26.2%。中国仍然是最大的半导体市场,2021年的销售额总额为 1,925亿美元,同比增长 27.1%。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计,2022年,全球半导体市场预计将增长 16.3%,市场规模达到 6,460亿美元。

数据来源:WSTS、中国半导体行业协会 中国半导体行业协会统计,2021年是中国“十四五”开局之年,在国内宏观经济运行良好的 驱动下,国内集成电路产业继续保持快速、平稳增长态势,2021年中国集成电路产业首次突破 万亿元。中国半导体行业协会统计,2021年中国集成电路产业销售额为 10,458亿元,同比增长 18.2%。其中,设计业销售额为 4,519亿元,同比增长 19.6%;制造业销售额为 3,176亿元,同比 增长 24.1%;封装测试业销售额 2,763亿元,同比增长 10.1%。 数据来源:中国半导体行业协会
半导体芯片行业作为半导体行业的主要代表,是整个电子信息技术行业的基础,中国大陆半导体自给率水平非常低,特别是核心芯片极度缺乏。
未来,半导体芯片产能将进一步向中国大陆转移,在智能汽车、人工智能、存储器市场、物联网、5G通信、元宇宙等领域快速发展的带动下,半导体芯片产业迎来新一轮的发展高潮。

SEMI报告指出,半导体制造设备全球总销售额预计将在 2022年达到创纪录的 1,175亿美元,比 2021的 1,025亿美元增长 14.7%,并预计在 2023年增至 1,208亿美元。晶圆前端和后端半导体设备市场都在为全球增长做出贡献,晶圆制造设备领域包括晶圆加工、晶圆制造和掩膜版设备。

SEMI预计从 2021年 9月到 2024年,对于新建的 200mm和 300mm晶圆厂,将有 25家 8英寸(200mm)晶圆厂投入运营,其中 19家位于亚洲(中国大陆 14家、日本 3家及中国台湾地区2家),5家位于美洲及 1家位于欧洲/中东。预计 2020年至 2024年,200mm晶圆的产能将增加18%。除上述之外,新增扩建 300mm晶圆厂约有 60家,细分为 44家在亚洲(其中,中国大陆和中国台湾地区分别有 15家,韩国 8家,日本 5家,新加坡 1家),10家在欧洲及 6家在美洲。

中国大陆半导体芯片产业生产线的投资布局将进一步拓展,半导体芯片相关产品技术将继续加快变革,中国大陆半导体芯片、MicroLED芯片、半导体先进封装领域均有望实现突破。2022年 3月 SEMI分析,全球半导体材料市场 2021年收入增长 15.9%至 643亿美元,其中 2021年晶圆制造材料和封装材料的收入总额分别为 404亿美元和 239亿美元,同比增长 15.5%和 16.5%。硅、湿化学品和掩膜版等领域在晶圆制造材料市场中表现出最强劲的增长。

根据 Yole的研究,随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标,带来更多绿色能源发电、绿色汽车、充电桩、储能等需求,促使电源 IC产业中的企业提高产能,截至 2026年可将市场规模扩大到超过 250亿美元,2020年-2026年 CAGR为 3.0%。汽车和工业两个应用市场增长最快,2020年至2026年间的 CAGR分别为 9.0%和 5.6%。移动与消费市场是最大的应用细分市场,预期截至 2026年将超过 115亿美元。电源管理芯片主要采用 Bipolar-CMOS-DMOS (BCD)工艺制造,制程从 1um到 90nm不等,三星和台积电正在寻求将其进一步降低到 65nm,间接导致了产品料号种类多,市场份额比较分散,长尾效应明显,将带动 1um到 90nm半导体芯片掩膜版的需求。

受益于 5G通信、人工智能、移动互联网(智慧城市、智慧医疗、智慧安防)、光电通信、自动工业控制等市场的高速成长,MEMS行业细分领域包括射频 MEMS、MEMS惯性器件、压力传感器、MEMS麦克风等发展势头强劲。根据 Yole预测,全球 MEMS行业市场规模将从 2020年的121亿美元增长至 2026年的约 182亿美元,CAGR达 7.2%。MEMS行业将带动半导体芯片掩膜版的需求进一步增长。

在半导体芯片用掩膜版领域,半导体芯片需求的增加,是推动半导体芯片掩膜版市场增长的主要因素。根据 SEMI在 SEMICON Japan 2020年 12月的分析报告,2019年全球半导体芯片用掩膜版市场规模约有 41亿美元,预计 2022年市场规模将达到 44亿美元。受益于过去几年中国大陆半导体制造的快速发展,中国大陆半导体芯片用掩膜版市场规模出现快速增长的趋势。

综上,未来可预见的期间内,中国大陆半导体芯片行业处于快速发展期,半导体芯片行业用掩膜版市场空间巨大。

3)触控市场

用于智能手机、平板电 趋完善,关键技术水平 OGS),产业转型升级 可预见的期间内,触控 于智能手机、平板电脑 路板行业处于成熟期, 精密度较高的定制化产 高的定制化产品,具有 控等行业,需要在图形 陷控制与修补和洁净室 从基础理论还是研发、 是公司竞争优势的关键 内领先地位。 较高的技术门槛,市场 争格局将较为稳定。 分析及其变化情况 比国际竞争对手起步较 的时间差距逐步缩短、 中高端掩膜版市场的占 对国际竞争对手偏小、 场上的竞争力并不领先 业,根据 Omdia 2021年 福尼克斯、SKE、HOY 9年上升一名。 7月统计,2020年全球脑、笔记本电脑、车载 持续提升,内嵌触控技 逐渐加快。 行业处于成熟期,触控 手持触控电子产品、数 电路板行业用掩膜版具 ,具有较高的技术门 较高的技术门槛。掩膜 设计处理、光刻工序工 建设等领域积累大量的 设计和制造等方面,都 因素。公司是国内最早 主要参与者主要为境内 ,经过二十余年的努力 品性能上差距越来越小 率较低,明显低于国际 术沉淀相对国际竞争对 风险。 7月统计的 2020年全球 、LG-IT和清溢光电, 要平板显示掩膜版企业
销售金额销售金额占有率
2,014,89922.31
1,818,37220.13
1,770,51619.60
  
销售金额销售金额占有率
1,763,16419.52
597,5896.62
525,2955.82
541,8966.00
9,031,731100.00
团旗下公司 Samsung等 7月统计,2018年到 20公司。 5年度全球平板显示掩
全球中国大陆
9,068,1693,662,959
10,099,4225,000,150
9,031,7314,584,014
9,439,6575,129,392
10,264,9415,929,102
10,597,7716,302,605
10,775,5316,425,805
11,006,0006,620,798
数据来源:Omdia
公司的平板显示掩膜版产品和技术在业内有较高的知名度,与国内主要平板显示面板厂商均有合作,服务的典型客户包括京东方、惠科、天马、华星光电、群创光电、瀚宇彩晶、信利、龙腾光电、维信诺、和辉光电等。根据 Omdia 7月统计,2020年中国大陆平板显示掩膜版需求 458亿日元,公司平板显示掩膜版产品内销金额 35,038.33万元人民币,在中国大陆市场的占有率为 12%左右。

(注:公司在中国大陆市场的占有率为 12%左右,该数据由公司根据公开数据测算得出,但汇率、信息不对称等因素可能导致与实际有差异。)
截至目前,公司掌握的相关技术能满足下游客户的需求。

在半导体芯片掩膜版行业,公司 250nm半导体芯片用掩膜版技术的 CD精度为 50nm,位置精度为 70nm,根据同行业公司信息披露文件,公司 250nm半导体芯片用掩膜版的技术水平为国际主流水平。目前公司已量产250nm工艺节点的6英寸和8英寸半导体芯片用掩膜版,主要应用在IGBT、MOSFET、碳化硅和 MEMS等半导体芯片领域,凭借丰富的半导体集成电路凸块(IC Bumping)掩膜版、集成电路代工(IC Foundry)掩膜版、集成电路载板(IC Substrate)掩膜版、发光二极管(LED) 封装掩膜版及微机电(MEMS)掩膜版等产品立足中国市场的优势,公司与国内重点的 IC Foundry、 功率半导体器件、MEMS、MicroLED 芯片、先进封装等领域企业均建立了深度的合作关系,如中 芯国际、士兰微、上海先进、赛微电子、长电科技、安靠、华微电子、泰科天润、三安集成、方正 微电子和株洲半导体等公司。公司以行业发展趋势和国家的产业政策为导向,通过持续拓展半导体 芯片的工艺研发能力和先进产品的竞争力,提升半导体芯片掩膜版的国产化率。 在半导体芯片掩膜版行业,根据 SEMI 2021年 4月统计,2020年全球半导体芯片掩膜版企业 市场份额排名,半导体芯片厂商自行配套的掩膜版工厂的市场份额为 65%,半导体芯片掩膜版商 用厂商前五位依次排名 TOPPAN、福尼克斯、DNP、HOYA和中国台湾的台湾光罩,前五家半导 体芯片掩膜版商用市场份额达到 33%。中国大陆半导体芯片掩膜版商用市场长期以来被全球前五 大半导体芯片掩膜版厂商所占用,目前我国国产半导体芯片掩膜版制造能力还较为薄弱,掩膜版 仍依赖海外生产商。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 1)平板显示市场 由于 8.6代比 8.5代面板厂有更好的切割效率和 OLED技术的增进,目前大多数新建的面板 厂都是 8.6代线,8.6代面板厂产能包括 TFT- LCD、WOLED、QD OLED和 RGB OLED等面 板。根据 Omdia预测, 8.6代面板厂的产能已从 2017年的 510万平方米增长到 2022年的 6940 万平方米,预计 2025年将进一步增长到 1.229亿平方米。
数据来源:Omdia 2022年 随着新一代信息技术的发展,消费者对显示产品的要求逐步提高,手机、平板电脑、VR、 AR等移动终端向多元化显示发展,终端产品对半导体芯片和平板显示等下游厂商对掩膜版运用 方面提出了更高的技术和精度要求,线缝精度要求越来越高。随着元宇宙概念延伸将推动更多厂 商增加虚拟世界的投资,社群交流、游戏娱乐、内容创作、虚拟经济以及工业应用等领域都会是 近年发展的重心。用户端所使用的虚拟现实(VR)和增强现实(AR)装置的普及也会成为元宇宙 产业发展的关键。2021年 12月,Omdia最新研究表明,到 2026年,消费类虚拟现实(VR)市 场规模将达到 160亿美元,比 2021年增长 148%。到 2026年,VR头盔的激活数量将超过 Xbox 游戏机,达到 7,000万台。
数据来源:Omdia 2021年
近年来微型发光二极管 MicroLED,因其发光效率高和显示效果好而被认为是具有潜力的下一代显示技术,但由于技术难点较多,成本高,距离量产仍需时间。在 MicroLED 技术开发期,Mini LED作为折中技术率先推出,有望在背光端和直显端重塑产业格局。根据 Omdia预测,全球Mini LED背光 TV产品销量将由 2019年的 400万台增长至 2025年的 5,280万台,年均复合增速54%。2025年 MicroLED显示器出货量将达 500万台,产生 70亿美元的收入。到 2027年,市场将增长到超 1,100万台。

数据来源:Omdia 2021年
近年来,在国家政策加持以及新能源汽车行业快速发展的持续推动下,我国智能汽车市场的发展,电子化、新能源化和轻量化等成为汽车行业的发展新趋势。智能驾驶系统、新能源管理系统等电子模块成为智能汽车的心脏,进而催生了车载触控显示面板市场需求的增加。作为汽车座舱产业链中的重要一环,车载显示面板的需求亦随着汽车智能化的推进不断扩张。从车载显示面板产品端来看,包括中控、仪表、智能后视镜、抬头显示等具备集成触控、超窄边框、曲面及可动态调光等定制化车载显示产品。

随着汽车行业的快速发展,车载显示屏的配备数量将不断增加,配备多屏幕及触摸屏在汽车领域应用需求将大幅上升。根据 Omdia数据显示,2020年全球汽车显示屏出货量达 1.27亿,其中大多数为中控显示屏,出货 7,380万片;电子仪表盘占比第二,出货 4,680万片。除了这两大类,还有电子后视镜、HUD抬头显示以及后排娱乐用显示屏。Omdia预计车用显示屏市场将保持平均每年 6.5%的增长率,2030年出货量将达到 2.38亿片。

随着下游行业的产品和技术更新升级,掩膜版行业也涌现出诸多新技术,用以支持更高端产品的生产,例如 AMOLED/LTPS用掩膜版生产技术、FMM用掩膜版生产技术、MicroLED/ Mini LED 芯片技术、3D 厚胶生产技术、4K/8K高分辨率显示屏掩膜版生产技术以及平板显示用半透膜(HTM)、PSM等先进的掩膜版工艺技术。

2)半导体芯片市场
未来十年,中国半导体芯片行业有望迎来产业升级与进口替代的黄金时期,中国半导体芯片的产业结构将逐步优化升级。在海外技术封锁和贸易摩擦等不确定性因素增加的背景下,我国半导体芯片产业加速进口替代,实现半导体芯片产业自主可控已上升到国家战略高度,中国半导体芯片行业发展迎来了历史性的机遇。

第三代半导体芯片带来了新机遇,半导体芯片材料目前已经发展形成了三代半导体材料,第一代半导体材料主要是指硅、锗元素等单质半导体材料;第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓、锑化铟;第三代半导体材料是 SiC和 GaN为主。SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如 MOSFET、IGBT等,用于高铁、智能电网、新能源汽车等行业。未来,随着第三代半导体芯片应用市场的增长,第三代半导体芯片将迎来新的发展机遇。

半导体芯片在封装技术领域持续发展,各种先进封装技术和形式不断涌现,如 SiP 系统级封装、硅穿孔、2.5D、3D等。越来越多的半导体芯片企业正通过开发先进封装技术,巩固其在半导体芯片行业内的技术领先地位。根据 Yole的预测,2020-2026年,半导体芯片先进封装市场的年复合增长率约为 7.9%,到 2025年该市场规模将突破 420亿美元。虽然中国本土供应商在传统封装领域已占据较高比例的全球市场份额,但在半导体芯片先进封装领域仍需持续提升国际竞争力,我国半导体芯片先进封装占总营收比例约为 25%,仍有较大的提升空间。未来,随着半导体芯片先进封装市场的增长,半导体先进封装行业将迎来新的发展机遇。

近年来,随着半导体芯片和新型平板显示等新一代信息技术产业的快速发展,产业内出现更多新兴的需求,如低温多晶硅(LTPS)、金属氧化物(IGZO)、有源矩阵有机发光二极体(AMOLED )、MicroLED显示、硅基半导体显示、第三代半导体、先进封装等技术均需要更高要求的掩膜版产品与之配套。

3)掩膜版行业未来发展趋势
掩膜版行业的发展主要受下游平板显示行业、半导体芯片行业、触控行业和电路板行业的发展影响,与下游终端行业的主流消费电子(手机、平板、可穿戴设备)、笔记本电脑、车载电子、网络通信、家用电器、LED照明、物联网、医疗电子、VR/AR产品的发展趋势密切相关,未来几年掩膜版将向更高精度和全产业链方向发展。

(1)掩膜版产品精度趋向精细化
平板显示行业,随着消费者对显示产品的要求逐步提高,手机、平板电脑等移动终端向着更高清、色彩度更饱和、更轻薄化发展。对平板显示掩膜版的半导体层、光刻分辨率、最小过孔、CD 均匀性、精度、缺陷大小、洁净度均提出了更高的技术要求。根据 Omdia 对 2020 年至 2022年平板显示掩膜版技术路线分析,除了允许缺陷尺寸进一步降低外,其他技术指标保持稳定。

半导体芯片行业,6英寸半导体成熟制造工艺主要为 800nm、500nm、350nm和 250nm等节点工艺,8英寸半导体成熟制造工艺主要为 500nm、350nm、250nm、180nm、130nm和 110nm等节点工艺,12英寸半导体目前境内主流制造工艺为 150nm、110nm、90nm、65nm、45nm、28nm和 14nm等节点工艺。中芯国际已提供 14nm节点工艺的半导体芯片,台积电计划于 2022 年下半年开始量产 3nm 节点工艺的半导体芯片,未来半导体芯片的制造工艺将进一步精细化工艺发展,这对与之配套的半导体芯片及封装用掩膜版提出了更高要求,对线缝精度的要求越来越高,掩膜版厂商采取例如光学邻近校正(OPC)和相移掩膜(PSM)等技术来应对。

综上,未来掩膜版产品的精度将趋向精细化。
(2)掩膜版产品尺寸趋向稳定
自 2007 年液晶电视开始占据主流市场后,其平均尺寸大约按照每年增加 1 英寸的速度平稳增长。根据 Omdia 2021年预测,在 2019年和 2022年之间,LCD和 OLED电视平均尺寸预计将
5.6 英寸增 mm x3370 (3)掩膜 掩膜版的主 断提高,促 品质具有重 上游产业链 力,这不仅 业内具有一 核心 核心技术 公司主要依 术,具体情到 50.2 英寸。电视尺寸趋向 m尺寸之内,平板显示行业掩 行业产业链向上游拓展 原材料为掩膜版基板。同时 掩膜版企业不断追求产品品 影响。因此,从降低原材料 伸,部分企业已经具备了研 以有效降低原材料的采购成 实力的企业,将逐步向上游 术与研发进展 其先进性以及报告期内的 自主研发,在生产实践中不断 如下:型化,国 膜版产品 随着掩膜 上的突破 购成本和 、抛光、 ,而且能 业链拓展 化情况 完善和提面板 寸稳定 行业 而掩 制终 铬、 有效 工艺板从 2018 年开始 在 1620 mm x1780 m 游客户对其最终产 版基板的质量,对 产品质量出发,掩 胶等掩膜版基板全 升掩膜版产品质量 术水平。现共拥有3
核心技术技术简介应用技术 来源对应的专利情况
3.5代 Touch Panel用 大尺寸掩 膜版制造 技术在 800mm×960mm的尺寸范 围,实现最小线/间宽 8μm 图形的精度与缺陷控制达 到:线/间(CD)精度 =±0.75μm;总长(TP)精度 =±1.5μm;允许缺陷尺寸 ≤5.0μm。该技术属国内先 进。触控自主 研发获得降低光掩模 板条纹的方法及 装置 1项发明专 利
液体感光 性树脂凸 版技术印刷 PI模厚偏差(固化 后):±30?;印刷 PI尺寸偏 差(单边):±0.1mm。该技 术获得深圳市 2003年科技进 步三等奖。液晶显 示器 (LCD )制造 过程中 定向材 料移印自主 研发获得液体感光性 树脂凸版表面除 粘方法、带凹槽 的液体感光性树 脂凸版的制作方 法 2项发明专利
IC Bumping 用掩膜版 制造技术在 152.4mm×152.4mm的尺 寸范围,实现最小线/间宽 1.5μm图形的精度与缺陷控 制达到:线/间(CD)精度 =±0.1μm;总长(TP)精度 =±0.2μm;允许缺陷尺寸 ≤2μm。该技术属国际先进。IC封装自主 研发获得 FPD掩膜版 制作设备制作 Reticle掩膜版的 方法、一种 IC专 用掩膜版上黑点 类缺陷的修补方 法 2项发明专利
     
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5代 a-Si TFT- LCD用 掩膜版制 造技术在 520mm×800mm的尺寸范 围,实现最小线/间宽 2μm 图形的精度与缺陷控制达 到:线/间(CD)精度 =±0.35μm;总长(TP)精度 =±0.5μm;允许缺陷尺寸 ≤3.0μm。该技术属国内先 进。TFT- LCD用 掩膜版自主 研发获得一种光刻机 曝光系统及其控 制方法、一种检 版平台的移动方 法、检版平台移 动装置及检测系 统、降低光掩模 条纹的方法及装 置 3项发明专利
5.5代 Touch Panel用 超大尺寸 掩膜版制 造技术在 850mm×1,400mm的尺寸 范围,实现最小线/间宽 8μm 图形的精度与缺陷控制达 到:线/间(CD)精度 =±0.75μm;总长(TP)精度 =±1.5μm;允许缺陷尺寸 ≤5.0μm。该技术属国内先 进。大尺寸 触控自主 研发未单独申请专利
4.5代及 以下 AMOLE D用掩膜 版制造技 术在 520mm×610mm的尺寸范 围,实现最小线/间宽 2μm 图形的精度与缺陷控制达 到:线/间(CD)精度 =±0.2μm;总长(TP)精度 =±0.4μm;允许缺陷尺寸 ≤2μm。该技术属国内先进。AMOL ED用 掩膜版自主 研发除 5代 a-Si TFT- LCD用掩膜版制 造技术使用的 3 项专利外,还获 得半灰阶掩模板 半曝光区的设计 方法及其制造方 法 1项发明专 利,一种旋覆与 狭缝液帘配合的 显影设备 1项实 用新型专利
5.5代 LTPS用 掩膜版制 造技术在 800mm×920mm的尺寸范 围,实现最小线/间宽 2μm 图形的精度与缺陷控制达 到:线/间(CD)精度 =±0.10μm;总长(TP)精度 =±0.30μm;允许缺陷尺寸 ≤1.0μm。该技术属国内先 进。LTPS 用掩膜 版自主 研发除 5代 a-Si TFT- LCD用掩膜版制 造技术使用的 5 项专利外,还获 得降低光掩模板 条纹的方法及装 置 1项发明专利
8.5代及 以下 TFT-LCD 用掩膜版 制造技术在 1,220mm×1,400mm的尺 寸范围,实现最小线/间宽 2μm图形的精度与缺陷控制 达到:线/间(CD)精度 =±0.35μ;总长(TP)精度 =±0.50μm;允许缺陷尺寸 ≤3.0μm。该技术属国际水 平,国内先进。大尺寸 面板自主 研发除 5代 a-Si TFT- LCD用掩膜版制 造技术使用的 5 项专利外,还获 得一种通过加曝 图形制作掩模板 的方法 1项发明 专利
     
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激光修补 图形缺陷 技术修(ZAP激光祛除黑缺陷)/ 补(LCVD激光化学气相沉 积补白缺陷)最小尺寸: 2μm/3μm;精度达到 0.16μm/0.45μm。该技术属国 内先进。缺陷修 补自主 研发获得激光气相沉 积方式修补白缺 陷的方法、一种 铬版修补胶及采 用该铬版修补胶 修补铬版白缺陷 的方法 2项发明 专利和一种半透 膜掩模版 LCVD 修补系统 1项实 用新型专利
线/间宽 (CD) 精度测量 技术线/间宽(CD)精度测量: 重复精度<10nm(3sigma),再 现精度<+/-20nm。该技术属 国内先进。CD测 量自主 研发获得一种显微镜 透射照明系统、 一种激光共聚焦 显微系统、掩膜 版的显影方法 3 项发明专利,一 种光学照明系统 及非接触式测量 装置 1项实用新 型专利
高精度长 尺寸 (TP)测 量技术测量精度重复性可达到 0.4μm(3sigma)。该技术属 国内先进。TP测 量自主 研发获得一种光学照 明系统及非接触 式测量装置 1项 实用新型专利
Pellicle 贴膜技术贴附精度≤0.5mm,贴附压力 满足 150~3,000N(可调)。 该技术属国内先进。掩膜版 贴膜自主 研发获得贴膜机 1项 发明专利
PDP障壁 修补技术修补精度:<0.5μm;定位精 度:±3μm;修补速度: 20μm /Sec。该技术属国内先 进。缺陷修 补自主 研发获得一种激光器 障壁修补系统 1 项实用新型专利
QYCAM 图形设计 技术对客户的产品参数进行设计 规则检查和图形元素符合性 检查,自动进行图形逻辑处 理、优化及对比检查,将客 户参数转换为符合掩膜版制 造要求的数据格式,极大的 提高了图形设计效率及质 量。该技术属国内先进。产品设 计自主 研发未申请专利,公 司专门成立图形 设计部从事相关 工作
     
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光刻机掩 膜版 JOB 转换与确 认技术该技术实现光刻工艺参数及 图形参数自动上传,及 JOB 参数自动下载及比对,有效 提高数据转换效率,防止人 工操作错误。该技术属国内 先进。制程执 行与控 制自主 研发未单独申请专利
半透膜 (HTM) 掩膜版技 术在 800mm×960mm的尺寸范 围,实现最小线/间宽 2μm 图形的精度与缺陷控制达 到:线/间(CD)精度 =±0.35μm;总长(TP)精度 =±0.5μm;允许缺陷尺寸 ≤3μm。透过率±1.5%。该技 术属国际先进。TFT- LCD HTM 用掩膜 版自主 研发计划待技术进一 步深化后申请专 利
洁净室污 染控制技 术通过对洁净室规划、利用技 术和管理手段对掩膜版生产 区域的微粒、有机物离子、 无机离子、微生物进行污染 控制,提升光刻机工艺、光 刻性能、掩膜版表面的清洗 可靠性。该技术属国内先 进。高精度 AMOL ED用 掩膜版自主 研发未单独申请专利
掩膜版清 洗技术清洗技术通过利用溶剂、各 种酸碱、表面活性剂和水, 通过超声波、腐蚀、溶解、 化学反应转入溶液和冷热液 体冲洗等方法,去除掩膜版 表面的有机物、无机物等污 染物颗粒和离子。该技术属 国内先进。高精度 AMOL ED用 掩膜版自主 研发获得一种清洗装 置 1项发明专利
芯片级封 装和系统 级封装 (SiP) 用掩膜版 技术在 152.4mm×152.4mm的尺 寸范围,实现最小线/间宽 1μm图形的精度与缺陷控制 达到:线/间(CD)精度 =±0.1μm;总长(TP)精度 =±0.1μm;允许缺陷尺寸 ≤1.0μm。该技术属国际先 进。3D芯 片级封 装和系 统级封 (SiP)自主 研发计划待技术进一 步深化后申请专 利
Micro- LED用掩 膜版技术在 152.4mm×152.4mm的尺 寸范围,实现最小线/间宽 3μm图形的精度与缺陷控制 达到:线/间(CD)精度Micro- LED自主 研发计划待技术进一 步深化后申请专 利
     
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 =±0.25μm;总长(TP)精度 =±0.25μm;大数据处理技 术。该技术属国内先进。   
大尺寸 FMM用 掩膜版 Mura控 制技术在 813mm*1379mm的尺寸 范围,对 Pixel(像素点)均 匀性进行控制,减少 Mura 和 Taper产生。该技术属国 内先进。FMM 用掩膜 版自主 研发计划待技术进一 步深化后申请专 利
6代 LTPS (含 OLED) 用掩膜版 产品制造 技术在 6代 LTPS(含 OLED)用 掩膜版实现最小线/间宽 1.5μm图形的精度与缺陷控 制达到:线/间(CD)精度 =±0.10μm;总长(TP)精度 =±0.30μm;允许缺陷尺寸 ≤1.0μm。LTPS/A MOLE D用掩 膜版自主 研发获得小尺寸 MASK贴膜机发 明专利
5代多栅 (Multi- slit)产品 关键技术5代多栅(Multi-slit)产品 关,实现最小线/间宽 2μm 图形的精度与缺陷控制达 到:线/间(CD)精度 =±0.12μm;总长(TP)精度 =±0.35μm;允许缺陷尺寸 ≤1.0μm。该技术属国内先 进。5代多 栅 (Multi -slit)产 品自主 研发获得 1项超薄反 应腔发明专利
混切 (MMG)面 版 MASK 的 MURA 控制实现 G8.5 MASK及以下的 MMG面版中所有尺寸图形 的 MURA控制。实现所有世 代 MASK,2种及以上面板 混排的图形 MURA控制。MMG 掩膜版自主 研发获得一种 MMG 掩模板的制作方 法的发明专利
AMOLE D产品清 洗工艺脏点控制≤1μm一次通过清 洗率达到 90%(透射检测) AMOLED订单出货一次通过 清洗率≥70%AMOL ED自主 研发获得一种光掩膜 清洗装置的实用 新型专利
高精度 6 代 800*945 LTPS掩膜版尺寸: 800mm*945mm,CD精度 ±0.08μm,位置精度 ±0.25μm,最大缺陷 <1μmLTPS自主 研发获得机械夹子的 实用新型专利
8.5代高 精度掩膜 版光刻工 艺高精度光刻工艺开发,套合 精度≤150nm,位置精度 ≤0.4μm,线条边缘锐度整 齐,图形边界≤50nm8.5代 高精度 掩膜版自主 研发获得一种应用于 OLED曝光机的 发明专利
     
核心技术技术简介应用技术 来源对应的专利情况
8.5代 a- Si array 用掩膜版 清洗工艺经清洗后 2μm及以上的颗粒 可以通过检测,无静电产生8.5代 高精度 掩膜版自主 研发获得①一种手工 显影蚀刻脱模设 备②一种用于设 备内部的清洁工 具的实用新型专 利
高精度掩 膜版自动 光学测量 检查机改 造缺陷检出灵敏度为 0.35μm, Die to Database 检测逻辑达 分辨率达到 0.5μm高精度 掩膜版自主 研发获得①一种用于 自动光学检查机 的测试板夹具② 掩模版存放装置 的实用新型专利
掩膜版制 造工艺升 级改造最小线缝:2μm;CD:真值 ≤±0.2μm;位置精度: ≤±0.4μm;贴膜: ≤±0.5mm;居中:≤±0.5mm高精度 掩膜版自主 研发发表论文《基于 2-opt蚁群算法在 掩膜版缺陷点路 径优化中的应用 研究》
高精度掩 膜版夹持 设备工艺与各设备对接(X,Y,Z方 向)对准精度±1mm;与光 刻机对接倾斜角度精度 ±0.5m rad;机器人重复定位 精度±0.06mm;高精度 掩膜版自主 研发获得掩模版夹持 设备控制单元电 路设计布图
CD测量 机图形线 缝宽度测 量重复性重复性测试:3σ≤10nm;线 性测试: 100x:±20nm; 50x:± 30nm高精度 掩膜版自主 研发已受理发明专利 《一种用于 CD 测量机的线宽测 量误差补偿方 法》
6代 AMOLE D/LTPS 中等规格 精度用掩 膜版显 影、蚀刻 精度CD精度:0.1μm;CD 极 差:0.15μmAMOL ED/LTP S自主 研发获得一种手工显 影蚀刻脱模设备 的实用新型专利
PPO技术 测试与功 能应用达成软件最终符合改善 mura 及 CD均匀性的要求高精度 掩膜版自主 研发获得 1项降低光 掩模板条纹的方 法及装置的发明 专利
高精度 6 代 850*1200 LTPS掩膜版尺寸: 850mm*1200mm,CD精度 ±0.08μm ,位置精度 ±0.25μm,最大缺陷 <1μmAMOL ED/LTP S自主 研发获得 1项清溢掩 膜版生产工艺路 线调整软件 V1.0 软件著作权
IC MASK 数据处理 综合提升通过开发 IC 掩膜版的数据 处理方法与程序,提高 IC掩 膜版数据的处理效率;IC 掩 膜版自主 研发计划待技术进一 步深化后申请专 利
     
核心技术技术简介应用技术 来源对应的专利情况
大尺寸超 精密坐标 掩膜版测 量机PA重复性(3σ),四个方 向(0度、90度、180度、 270度)均小于 50nm;四方 向套合精度(3σ)(0度-90 度-180度-270度)小于 90nm高精度 掩膜版自主 研发计划待技术进一 步深化后申请专 利
大尺寸高 精度掩膜 版显影 Puddle工 艺调试8092及以下尺寸,达到 CD精 度<100nm,CD Range<80nm高精度 掩膜版自主 研发一种用于 CD测 量机的线宽测量 误差补偿方法 (发明专利已受 理)
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