[中报]唯捷创芯(688153):2022年半年度报告
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时间:2022年08月25日 17:27:52 中财网 |
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原标题:唯捷创芯:2022年半年度报告

公司代码:688153 公司简称:唯捷创芯
唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
2022年半年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在生产经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者予以关注,注意投资风险。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人孙亦军、主管会计工作负责人辛静及会计机构负责人(会计主管人员)辛静声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用。
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。
九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 .................................................................. 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................... 8
第三节 管理层讨论与分析.............................................................................................. 11
第四节 公司治理............................................................................................................ 35
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................. 37
第六节 重要事项............................................................................................................ 38
第七节 股份变动及股东情况 .......................................................................................... 64
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................. 70
第九节 债券相关情况..................................................................................................... 71
第十节 债券相关情况..................................................................................................... 72
第十一节 财务报告............................................................................................................ 73
| 备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章
的财务报表 |
| | 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 |
第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
| 常用词语释义 | | |
| 唯捷创芯、公司、
本公司 | 指 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 |
| 唯捷精测 | 指 | 北京唯捷创芯精测科技有限责任公司 |
| 联发科 | 指 | 联发科技股份有限公司,总部位于中国台湾,全球知名集成电路设
计公司,中国台湾证券交易所上市公司(2454.TW) |
| 联发科投资 | 指 | MediaTek Investment Singapore Pte. Ltd., 一家依据新加坡法
律设立的公司,联发科持有其100%的股权 |
| Gaintech | 指 | Gaintech Co. Limited,一家依据开曼群岛(Cayman Islands)法
律设立的有限责任公司,联发科投资持有其100%股权 |
| 贵人资本 | 指 | 深圳市贵人资本投资有限公司 |
| 北京语越 | 指 | 北京语越投资管理中心(有限合伙) |
| 天津语捷 | 指 | 天津语捷科技合伙企业(有限合伙) |
| 哈勃投资 | 指 | 哈勃科技创业投资有限公司 |
| OPPO移动 | 指 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 维沃移动 | 指 | 维沃移动通信有限公司 |
| 天津语尚 | 指 | 天津语尚科技合伙企业(有限合伙) |
| 天津语腾 | 指 | 天津语腾科技合伙企业(有限合伙) |
| 小米基金 | 指 | 湖北小米长江产业基金合伙企业(有限合伙) |
| 昆唯管理 | 指 | 昆唯(深圳)企业管理咨询合伙企业(有限合伙) |
| 西藏泰达 | 指 | 西藏津盛泰达创业投资有限公司 |
| 顺水孵化 | 指 | 深圳市顺水孵化管理有限公司 |
| 集封投资 | 指 | 北京集成电路设计与封测股权投资中心(有限合伙) |
| 中芯海河 | 指 | 中芯海河赛达(天津)产业投资基金中心(有限合伙) |
| 北京元实 | 指 | 北京元实企业管理有限公司,曾用名:烟台博诚企业管理有限公司 |
| 华芯投资 | 指 | 青岛华芯创原创业投资中心(有限合伙) |
| 亦合投资 | 指 | 北京武岳峰亦合高科技产业投资合伙企业(有限合伙) |
| 天创保鑫 | 指 | 天津天创保鑫创业投资合伙企业(有限合伙) |
| 澜阁投资 | 指 | 珠海横琴澜阁创业投资合伙企业(有限合伙) |
| 天创海河 | 指 | 天津天创海河先进装备制造产业基金合伙企业(有限合伙) |
| 长鑫投资 | 指 | 天津长鑫印刷产业投资合伙企业(有限合伙) |
| 稳懋开曼 | 指 | Win Semiconductors Cayman Islands Co., Ltd.,一家依据开曼群
岛(Cayman Islands)法律设立的有限公司 |
| 天创鼎鑫 | 指 | 天津天创鼎鑫创业投资管理合伙企业(有限合伙) |
| 天津语唯 | 指 | 天津语唯科技合伙企业(有限合伙) |
| 远宇实业 | 指 | 深圳市远宇实业发展有限公司 |
| Skyworks | 指 | Skyworks Solutions, Inc.,一家提供无线通信解决方案的企业,
设计并生产应用于移动通信领域的射频及完整半导体系统解决方
案,总部位于美国,纳斯达克上市公司(股票代码:SWKS) |
| Qorvo | 指 | Qorvo, Inc.,一家无线及有线通信产品及解决方案提供商,总部位
于美国,纳斯达克上市公司(股票代码:QRVO) |
| Broadcom | 指 | Broadcom Inc.,主要从事半导体及软件基础架构解决方案的研发、
设计和销售,总部位于美国,纳斯达克上市公司(股票代码:AVGO) |
| Qualcomm | 指 | Qualcomm, Inc.,一家无线通信技术研发公司,总部位于美国,纳
斯达克上市公司(股票代码:QCOM) |
| Murata、村田 | 指 | Murata Manufacturing Co., Ltd,一家设计、制造电子元器件及多 |
| | | 功能高密度模块的企业,总部位于日本京都,东京/新加坡证券交易
所上市公司(股票代码:6981) |
| 台积电 | 指 | 台湾积体电路制造股份有限公司,一家专业集成电路制造服务公司,
总部位于中国台湾,中国台湾上市公司(股票代码:2330) |
| 稳懋 | 指 | 稳懋半导体股份有限公司,六英寸晶圆生产砷化镓微波集成电路的
专业晶圆代工服务公司,中国台湾上市公司(股票代码:3105) |
| 格罗方德 | 指 | Global Foundries U.S.2 LLC.,一家总部位于美国加利福尼亚州硅
谷桑尼维尔市的半导体晶圆代工厂商 |
| 长电科技 | 指 | 江苏长电科技股份有限公司,上海证券交易所主板上市公司(股票
代码:600584.SH) |
| 苏州日月新 | 指 | 苏州日月新半导体有限公司 |
| 甬矽电子 | 指 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
| 珠海越亚 | 指 | 珠海越亚半导体股份有限公司(曾用名:珠海越亚封装基板技术股
份有限公司),一家专注于无芯集成电路封装基板研发、设计、生产
以及销售的公司 |
| 络达科技 | 指 | 达发科技股份有限公司,曾用名:络达科技股份有限公司,中国台
湾集成电路企业,系联发科子公司 |
| 股票期权激励计
划、《期权激励计
划》 | 指 | 公司于2020年10月21日正式授予的上市前制定、上市后实施的股
票期权激励计划,即《唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司2020
年股票期权激励计划(草案)》及其修订稿 |
| 《公司章程》 | 指 | 《唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司章程》及历次修订稿 |
| IPO | 指 | 首次公开发行股票 |
| 国务院 | 指 | 中华人民共和国国务院 |
| 中国证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 财政部 | 指 | 中华人民共和国财政部 |
| 中信建投、保荐机
构 | 指 | 中信建投证券股份有限公司 |
| 中兴华会计师 | 指 | 中兴华会计师事务所(特殊普通合伙) |
| 信达律师、法律顾
问 | 指 | 广东信达律师事务所 |
| 中联评估 | 指 | 中联资产评估集团有限公司 |
| 报告期、报告期内 | 指 | 2022年1月-6月 |
| 报告期末 | 指 | 2022年6月30日 |
| 集成电路、芯片、
IC | 指 | Integrated Circuit的简称,是采用一定的工艺,将一个电路中所
需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线连在一起,制作在一
小块或几小块半导体晶片或介质基片上,形成芯片裸片,然后封装
在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构 |
| 蜂窝移动通信 | 指 | 采用蜂窝无线组网方式,在终端和网络设备之间通过无线通道连接,
进而实现用户在活动中可相互通信的通信技术,其主要特征是终端
的可移动性,并具有越区切换和跨本地网自动漫游等功能 |
| 2G、3G、4G、5G | 指 | 第二代、第三代、第四代和第五代移动通信技术与标准 |
| EDA | 指 | Electronic Design Automation,指利用计算机辅助设计软件完成
超大规模集成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计(包括布
局、布线、版图、设计规则检查等)等流程的设计方式 |
| Wi-Fi 6 | 指 | 第六代无线网络技术与标准 |
| ODM | 指 | Original Design Manufacturer 的简称,原始设计制造商,企业根
据品牌厂商的产品规划进行设计和开发,然后按品牌厂商的订单进
行生产,产品生产完成后销售给品牌厂商 |
| 射频、RF | 指 | Radio Frequency,简称RF,一种高频交流变化电磁波的简称,频率 |
| | | 范围在300KHz-300GHz之间 |
| 射频前端 | 指 | Radio Frequency Front-End,在通讯系统中天线和中频(或基带)
电路之间的部分,包括发射通路和接收通路,一般由射频功率放大
器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等芯片共同
组成 |
| 射频功率放大器、
PA | 指 | 射频前端中的一种芯片,是各种无线发射机的重要组成部分,将调
制电路所产生的射频信号功率放大,以输出到天线上辐射出去;在
讨论模组产品时,则指代模组中集成的,实现前述功率放大功能的
一颗或多颗芯片裸片及其匹配网络 |
| 射频功率放大器模
组、PA模组 | 指 | 集成射频功率放大器及其他芯片的模组 |
| 射频开关 | 指 | 射频前端中的一种芯片,在移动智能终端设备中主要用于对信号传
输路径上(接收或发射)不同频率或不同通信制式下的信号进行切
换 |
| 射频低噪声放大
器、LNA | 指 | 构成射频前端的一种芯片,主要用于通信系统中将接收自天线的信
号放大,以便于后级的电子设备处理 |
| 滤波器 | 指 | 构成射频前端的一种芯片,负责滤除特定频率以外的频率成分,从
而将输入的多种射频信号中特定频率的信号输出 |
| LTCC滤波器 | 指 | Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷滤波器 |
| 双工器、多工器 | 指 | 构成射频前端的一种芯片,使得工作在不同频率上的接收和发射通
路能够共享一个天线。它通常由两个或两个以上的带通滤波器并联
而成,其作用是将发射和接收讯号相隔离,保证接收和发射都能同
时正常工作,互不干扰。根据滤波器数量不同,包括双工器、三工器、
四工器和五工器等,统称为多工器 |
| L-PAMiD | 指 | 集成射频功率放大器、双工器、射频开关和低噪声放大器的射频功
率放大器模组 |
| L-PAMiF | 指 | 集成射频功率放大器、滤波器、射频开关和低噪声放大器的射频功
率放大器模组 |
| L-FEM | 指 | 集成滤波器、低噪声放大器和开关的射频前端模组 |
| LNA Bank | 指 | 集成多个低噪声放大器和射频开关的射频前端模组,用于主集和分
集的信号接收与放大 |
| Fabless | 指 | Fabrication(制造)和less(无、没有)的组合词;一指集成电路
市场中,没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式,通常也被
称为“Fabless模式”;也用来指代无芯片制造工厂的IC设计公司,
经常被简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商” |
| 晶圆代工厂 | 指 | 在集成电路领域中专门负责生产、制造芯片的厂家 |
| 封装 | 指 | 为芯片安装外壳,起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能
的作用 |
| 测试 | 指 | 检测封装后的芯片是否可正常运作 |
| 封测 | 指 | “封装、测试”的合称 |
| GaAs | 指 | 砷化镓,一种应用于半导体产品的砷元素和镓元素的化合物 |
| CMOS | 指 | Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导
体,是制造大规模射频前端芯片用的一种工艺 |
| SOI | 指 | Silicon-On-Insulator,简称SOI,即绝缘衬底上的硅,该技术是在
顶层硅和背衬底之间引入一层埋氧化层,有助于减少寄生电容,提
升工艺性能 |
| SMD | 指 | Surface Mounted Devices,表面贴装器件,含电阻、电容、电感等 |
| 流片 | 指 | 集成电路设计,制造和生产中的一个环节,把通过计算机辅助设计
软件完成的电路设计,在晶圆厂按一定的制程生产出芯片的过程。
通过流片,检验电路是否具备所需要的性能和功能 |
| 频段 | 指 | 在通讯领域中,频段指的是电磁波的频率范围,单位为Hz,按照频
率的大小,可分为低频、中频、高频等 |
| 线性度 | 指 | 射频功率放大器的指标之一,用来度量放大器使信号形状失真的程
度,线性度越高,失真越小 |
| dB | 指 | 分贝,是一个比值。在电子工程领域,dB 数代表了设备(或系统)
输入端口和输出端口信号强度的相对比值,也即增益 |
| LDO | 指 | Low Dropout Regulator,一种低压差线性稳压器 |
| Vreg | 指 | 基准电压,全称 Reference Voltage |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
| 公司的中文名称 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 唯捷创芯 |
| 公司的外文名称 | Vanchip (Tianjin) Technology Co., Ltd. |
| 公司的外文名称缩写 | Vanchip |
| 公司的法定代表人 | 孙亦军 |
| 公司注册地址 | 天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室 |
| 公司注册地址的历史变更情况 | 不适用 |
| 公司办公地址 | 天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 300457 |
| 公司网址 | www.vanchip.com |
| 电子信箱 | [email protected] |
| 报告期内变更情况查询索引 | 不适用 |
二、 联系人和联系方式
| | 董事会秘书(信息披露境内代
表) | 证券事务代表 |
| 姓名 | 赵焰萍 | 高原 |
| 联系地址 | 天津开发区信环西路19号2号楼
2701-3室 | 天津开发区信环西路19号2号楼
2701-3室 |
| 电话 | 010-84298116-3666 | 010-84298116-3666 |
| 传真 | 010-84298119 | 010-84298119 |
| 电子信箱 | [email protected] | [email protected] |
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
| 公司选定的信息披露报纸名称 | 《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券
日报》《经济参考报》 |
| 登载半年度报告的网站地址 | www.sse.com.cn |
| 公司半年度报告备置地点 | 公司董事会办公室 |
| 报告期内变更情况查询索引 | 不适用 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| 人民币普通股(A股
) | 上海证券交易所
科创板 | 唯捷创芯 | 688153 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币
| 主要会计数据 | 本报告期
(1-6月) | 上年同期 | 本报告期比上
年同期增减
(%) |
| 营业收入 | 1,311,581,903.16 | 1,701,891,845.77 | -22.93 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 26,581,450.09 | 4,258,555.52 | 524.19 |
| 归属于上市公司股东的扣除非经常
性损益的净利润 | 10,099,221.64 | -16,504,011.72 | 不适用 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | -346,154,860.26 | 77,218,108.35 | -548.28 |
| | 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比
上年度末增减
(%) |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 3,747,314,673.90 | 1,098,811,501.96 | 241.03 |
| 总资产 | 4,401,656,970.50 | 2,039,382,136.02 | 115.83 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 本报告期
(1-6月) | 上年同期 | 本报告期比上年
同期增减(%) |
| 基本每股收益(元/股) | 0.0712 | 0.0100 | 612.00 |
| 稀释每股收益(元/股) | 0.0712 | 0.0100 | 612.00 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收
益(元/股) | 0.0270 | -0.0458 | 不适用 |
| 加权平均净资产收益率(%) | 1.33 | 0.61 | 增加0.72个百分
点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率(%) | 0.50 | -2.37 | 增加2.87个百分
点 |
| 研发投入占营业收入的比例(%) | 18.42 | 12.46 | 增加5.96个百分
点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、2022年上半年归属于上市公司股东的净利润增长524.19%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润均扭亏为盈,主要系2022年上半年公司盈利能力提高,产品结构优化促进毛利率进一步提升、同比总费用降低,带动净利润及扣非净利润增长。
2、2022年上半年经营活动产生的现金流量净额为-34,615.49万元,同比减少 42,337.30万元, 主要系营收下降,以及公司为进一步夯实供应链的稳定,本期支付的原材料采购金额增长所致。
3、2022年上半年,公司股份支付费用为 11,885.85万元,剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司股东的净利润以及剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别为 14,543.99万元和12,895.77万元。
4、2022年上半年基本每股收益及稀释每股收益均同比增长 612.00%,主要系本期净利润增长所致。
5、2022年上半年加权平均净资产收益率及扣除非经常损益后加权净资产收益率分别增长0.72个百分点和2.87个百分点,主要系本期净利润增长带动加权平均净资产收益率提升。
6、2022年上半年归属于上市公司股东的净资产同比增长241.03%,主要系公开发行股票产生的股本溢价所致。
7、2022年上半年总资产同比增长115.83%,主要系收到募集资金所致。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 金额 | 附注(如适用) |
| 非流动资产处置损益 | 643,091.66 | 处置固定资产 |
| 计入当期损益的政府补助,但与
公司正常经营业务密切相关,符
合国家政策规定、按照一定标准
定额或定量持续享受的政府补助
除外 | 17,796,924.97 | 政府补助 |
| 除同公司正常经营业务相关的有
效套期保值业务外,持有交易性金
融资产、衍生金融资产、交易性金
融负债、衍生金融负债产生的公允
价值变动损益,以及处置交易性金
融资产、衍生金融资产、交易性金
融负债、衍生金融负债和其他债权
投资取得的投资收益 | 549,630.67 | 套期保值及公允价值变动收
益 |
| 除上述各项之外的其他营业外收
入和支出 | 391,525.98 | |
| 减:所得税影响额 | 2,898,944.83 | |
| 合计 | 16,482,228.45 | |
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
唯捷创芯是专注于射频前端芯片研发、设计、销售的集成电路设计企业,主要为客户提供射
频功率放大器模组产品、射频开关芯片、Wi-Fi射频前端模组和接收端模组等集成电路产品,广泛
应用于智能手机、平板电脑、无线路由器、智能穿戴设备等具备无线通讯功能的各类终端产品。
公司自设立以来不断致力于提供高性能的射频前端芯片产品解决方案,自 2G射频功率放大
器芯片开始,通过 10余年间不断的设计迭代和量产验证,已具备成熟的 2G至 5G射频功率放大
器模组产品,业已成为智能手机射频前端功率放大器领域国内优质的供应商之一。
(一) 公司主要产品
1、 射频前端概述
射频前端指位于射频收发器及天线之间的中间模块,其功能为无线电磁波信号的发送和接收,
是移动终端设备实现蜂窝网络连接、Wi-Fi、蓝牙、GPS等无线通信功能所必需的核心模块。射频
前端与基带、射频收发器和天线共同实现无线通讯的两个本质功能,若没有射频前端芯片,手机
等移动终端设备将无法拨打电话和连接网络,失去无线通信功能。因此,射频前端在无线通信中
有不可或缺、至关重要的作用。
射频前端的简化架构如下图所示: 报告期内,公司对外销售的产品主要为射频功率放大器模组、射频开关芯片、Wi-Fi射频前端模组及接收端模组,均属于射频前端范畴内的芯片或模组产品。
2、 公司产品具体介绍
(1)射频功率放大器模组(PA模组)
射频功率放大器是射频前端信号发射的核心器件,作用是将射频前端发射通道的微弱射频信号进行放大,使信号功率达到天线发射以及被通信基站接收的功率要求。经过通信技术的发展和多年的研发投入和产品迭代,公司 PA模组的集成度不断提高,中集成度的 PA模组产品以 MMMB PA和 TxM为主,此外,公司实现了在高集成度的 L-PAMiF等产品上的量产销售。除 SMD和高集成度模组中的 LTCC滤波器属于直接对外采购的配套器件,其余集成的芯片裸片和基板均系公司自主设计后委托供应商制造。
(2)射频开关
射频开关是用于切换射频信号通路的电子开关,引导信号按照预定路径输入或者输出至不同的模块或者天线端口。射频开关应用于射频信号的接收和发射通路中,可减少不同信号之间的相互干扰,提高信号收发的灵敏度。公司的射频开关涵盖了单刀多掷、多刀多掷等各种模式的产品,用于各类通信设备;且均为射频开关芯片裸片单独封装后的产品,与 PA模组、Wi-Fi射频前端模组中集成的射频开关芯片裸片不可相互替代使用。
(3)Wi-Fi射频前端模组
Wi-Fi射频前端模组根据 Wi-Fi通信技术协议要求设计,无法适用于蜂窝移动通信技术,是移动终端设备通过 Wi-Fi联网实现无线通讯必不可少的器件。公司 Wi-Fi射频前端模组集成了 PA、LNA、开关以及控制芯片,以导线键合方式集成为模组,同时可实现电压和功率检测功能。目前,公司已经实现 Wi-Fi局域网通信技术下射频前端模组的销售,满足 Wi-Fi 5和 Wi-Fi 6两代通信标准。
(4)接收端模组
接收端模组指射频前端的信号接收链路中集成了 LNA、射频开关、滤波器等两种或以上芯片裸片的模组产品,其主要作用是将天线接收到的微弱射频信号放大,同时尽量减少噪声的引入,从而在移动智能终端上达到更强的接收信号、更好的通话质量和更高的数据传输率。公司于 2021年上半年开始销售接收端模组产品,包括 LNA Bank以及 L-FEM两类。本报告期接收端模组的营收大幅增加,较去年同期增加 2,964.33%,占本期主营业务收入的 8.85%。
(二)公司主要经营模式
作为专业的集成电路设计企业,公司采用行业通行的 Fabless模式运营。公司主要负责产业链中的集成电路研发、设计和销售环节,将晶圆的制造、封装环节分别交由产业链对应的专业晶圆代工厂商和封装厂商完成,测试环节根据公司的产品类型和产能规划等因素选择由外部供应商或者唯捷精测完成。Fabless模式下,公司初始投资规模小、运行费用较低,可以充分发挥研发、技术优势,快速开发产品并上市。
1、研发模式
公司的产品均为自主研发和设计。为了在保证质量的基础上开发出符合市场和客户需要的产品,公司已制定多项制度,对研发活动的各个环节:项目立项阶段、产品设计阶段、产品试产评估阶段与量产阶段,实施全流程管控,通过多次的技术评审和评估来降低研发失败的风险。
2、采购和生产模式
公司采用 Fabless模式经营,自身不从事生产工作,专注于研发设计环节,制造、封装及测试工作主要由专业的晶圆代工厂、封装和测试企业完成,部分产品的测试工作由唯捷精测完成。
为保障外部供应商资信水平健康,提供予公司的产品和服务符合要求,公司制定了多项制度,对采购、生产的各个环节进行管控。
3、销售模式
按照集成电路行业惯例和企业自身特点,公司采用“经销为主、直销为辅”的销售模式。公司与经销商的关系属买断式销售关系,实行销售框架协议基础上的订单销售。此外,对于部分终端客户,公司采用直销模式。
(三)公司所处行业情况
公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售,根据中国证监会《上市公司行业分类指引》,公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据国务院颁布的《关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策的通知》,公司所处的集成电路行业属于鼓励类产业。
1、全球射频前端行业的竞争格局
全球射频前端市场的主要参与者以美日系厂商为主。根据 Yole Development的统计数据,2019年度,全球前五大射频前端器件提供商占据全球射频前端市场份额的 79%。其中,Murata、Skyworks、Broadcom、Qorvo和 Qualcomm占据的市场份额比例分别为 23%、18%、14%、13%和 11%。
射频前端包括射频功率放大器、滤波器、射频开关、射频低噪声放大器等产品,各细分领域的市场竞争格局与行业整体的竞争格局略有差异,但均呈现美系和日系厂商占据主导地位的格局。
射频前端行业是我国集成电路行业中对外依存度较高的细分领域之一,特别是在 5G、高集成度射频前端模组等前沿市场,全球前五大射频前端厂商占据我国大部分的市场份额。
相较前述射频前端领域的美系和日系领先厂商,参与射频前端市场竞争的国内企业在资本实力、产品性能和产品线宽度、技术和知识产权积累、研发人员数量和体系、前沿技术定义能力等方面仍存在一定的差距。
2、我国射频前端行业的竞争格局及公司的市场地位
随着我国集成电路行业近年来高速发展,创业企业不断进入射频前端领域,在射频前端领域参与竞争的国内企业数量日益增加。
公司是国内最早一批从事射频前端分立器件和模组研发、设计及销售的集成电路设计企业,成立伊始即坚定追赶头部厂商,并在发展过程中逐步缩小差距。在射频功率放大器分立器件和模组产品的细分领域,公司紧跟通信技术的最新发展,已具备较强的技术实力和竞争优势。
此外,凭借媲美国外领先厂商的产品性能和经多款移动终端机型量产验证的高可靠性,公司也是较早通过小米、OPPO、vivo等主流手机品牌厂商严格的射频器件供应商认证,并实现产品大批量供应的国内企业之一。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司高度重视技术、产品的研发,具备自有的集成电路设计平台。公司的核心技术来源于自主研发,并已基本应用在公司的主要产品的设计中。截至本报告期末,公司的主要核心技术情况如下:
| 序
号 | 主要
核心技术 | 技术
阶段 | 技术先进性 | 对应专利 | 应用产品 |
| 1 | 高功率,抗
负载变化
的平衡式
功率放大
技术 | 量产
阶段 | 通过90度功分器单元将射频输入信号
分成两路等幅信号,进行放大后再通
过可调90度功合器将两路信号合成一
路射频输入信号。提高了输出的最大
线性功率,降低了对射频天线负载变
化的敏感度。 | 一种平衡式射
频功率放大器、
芯片及通信终
端 | 高功率
4G/5G
MMMB
PA模组 |
| 2 | 改善射频
功率放大
器线性度
技术 | 量产
阶段 | 通过在共发射极放大器的晶体管的基
极和集电极之间连接补偿电路,抵消
电容随射频信号变化造成的影响,易
于与主体放大电路集成,且不影响主
体放大电路的其他性能,可调性高。 | 改善射频功率
放大器线性度
的方法、补偿电
路及通信终端 | 高功率
4G/5G
MMMB
PA模组 |
| 3 | 芯片复用
及可变编
码技术 | 量产
阶段 | 公开了一种实现芯片重用的可变编码
方法,可以使完全相同的两个或多个
集成电路芯片实现不同的逻辑控制功
能,从而简化了实现系统功能的芯片
种类,大大降低集成电路系统的开发
成本及量产供应链的管理复杂性。 | 一种实现芯片
重用的可变编
码方法及其通
信终端 | 高功率
4G/5G
MMMB
PA模组 |
| 4 | 具有功率
检测反馈
的功率放
大技术 | 量产
阶段 | 通过功率检测反馈电路,检测出本级
放大电路的输出功率,产生与输出功
率成反向变化的控制电压,及相应的
控制电流,从而来控制电路的静态工
作电流。本技术使得功率放大器工作
在增益和输出功率稳定的状态。 | 基于功率检测
反馈的射频功
率放大器、芯片
及通信终端 | TxM模组 |
| 5 | 功率放大
器的模式
切换技术 | 量产
阶段 | 通过灵活配置偏置电压,该多模功率
放大器可以实现饱和模式和线性模式
的切换,满足多种通信制式的实际需
求。该多模功率放大器还具有成本较
低、电路简单灵活、易于实现等优点。 | 多模功率放大
器、多模切换方
法及其移动终
端 | TxM模组 |
| 6 | 低温漂振
荡电路技
术 | 量产
阶段 | 通过频率采样产生控制信号,为RC核
心振荡模块输出合适温度系数的电
压,以实现对时钟频率进行温度补偿;
同时输出合适大小的零温度系数电
流,以便对时钟频率进行精确校准。 | - | PA模组和
射频开关 |
| 7 | 提高射频
开关性能
的设计和
布图技术 | 量产
阶段 | 通过改变金属层布线方向与多晶硅层
布线方向,使得关断电容变小;通过增
加射频晶体管的沟道宽度,减小导通
电阻。通过减小关断电容及导通电阻,
有效提高射频开关的性能。 | 一种提高射频
开关性能的射
频晶体管、芯片
及移动终端 | 射频开关 |
| 8 | 宽耐压线
性稳压器
技术 | 量产
阶段 | 稳压器能够随着电源电压改变而自动
改变其偏置条件,进而保证每个器件
端口间的电压差不超出自身工艺标称 | 一种宽耐压范
围的自适应低
压差线性稳压 | 射频开关 |
| | | | 电压值,最终使产品能应用于高出标
称电源电压的系统或芯片中。 | 器及其芯片 | |
| 9 | 低噪放中
的谐波抑
制技术 | 量产
阶段 | 通过隔离单元把谐波抑制单元与输出
匹配网络/输入匹配网络隔离,提高了
信号放大电路的设计灵活性,降低了
设计难度。 | 谐波抑制方法
及相应的低噪
声放大器、通信
终端 | Wi-F 6射
频前端模
组 |
| 10 | 射频模组
的测试夹
具和测试
方案 | 量产
阶段 | 通过该测试夹具可以有效减少因焊接
带来的新品导入时间,缩短产品的可
靠性认证的周期和上市时间;同时避
免了芯片损伤风险,便于反馈可靠的
评估结果。 | 一种芯片测试
夹具及测试系
统 | 射频前端
模组 |
| 11 | 高电源抑
制比的低
压差线性
稳压器技
术 | 量产
阶段 | 针对中频处的电源抑制,配合调整带
隙基准模块中的中频零点调整单元和
LDO电路中的中频零点产生单元,使中
频电源抑制性能优化到更好的效果。
包含该 LDO的电压偏置电路,可增强
射频芯片电源对中频信号的抑制能
力,进而提升射频芯片在移动通信终
端里的性能。 | 一种具有电源
抑制的 LDO电
路、芯片及通信
终端 | TxM 模组 |
| 12 | 基准电路
自适应过
冲电压抑
制技术 | 量产
阶段 | 根据实时检测的待测基准电路输出的
采样电压,产生瞬态高频感应的电压,
实现减小待测基准电路启动瞬间的非
线性启动电流,实现在一定程度上保
证基准电路满足时序要求的同时,对
基准电路输出的参考电压过冲快速响
应有效地进行抑制。 | 自适应过冲电
压抑制电路、基
准电路、芯片及
通信终端 | TxM 模组 |
| 13 | 射频功率
放大器功
率检测温
度补偿技
术 | 量产
阶段 | 本发明解决了不同电路模块的偏置电
压Vreg的温度系数要求不同,需要多
个不同温度系数的偏置电压Vreg供电
的技术问题,所提供的功率检测电路
及其射频前端模块具有结构设计简
单、生产成本降低,使用性能可靠等有
益效果。 | 一种带有温度
补偿功能的功
率检测电路及
其射频前端模
块 | Wi-Fi 6射
频前端模
组 |
| 14 | 射频开关
电荷泵输
出电压快
速建立和
纹波抑制
技术 | 量产
阶段 | 本电荷泵电路不仅能够实现各个子电
荷泵模块的输出电压的快速建立,而
且能够极大地减小电荷泵电路从输入
电源汲取的峰值电流,减轻了电荷泵
电路对输入电源以及输出电压造成的
较大纹波。 | 一种电荷泵电
路、芯片及通信
终端 | 射频开关 |
| 15 | 射频 3dB
耦合器技
术 | 量产
阶段 | 根据 3dB正交混合耦合器的工作频率
和端口特征阻抗的要求,调整直通金
属线圈与耦合金属线圈的匝数、层数,
以降低耦合器插入损耗,优化 3dB正
交混合耦合器的端口反射系数,端口
隔离度等射频性能。利用本发明,可以
有效节省芯片面积,降低了射频前端
模块的设计成本。 | 一种3dB正交混
合耦合器及射
频前端模块、通
信终端 | 高功率
4G/5G
MMMB PA模
组 |
| 16 | 射频功率
放大器线
性化技术 | 量产
阶段 | 利用线性化电路对从功放电路的射频
信号输入端输入的射频信号进行捕
捉,捕捉到的射频信号反馈给偏置电 | 一种具有高线
性度和功率附
加效率的射频 | MMMB PA模
组 |
| | | | 路,偏置电路在此基础上产生相应的
偏置电流。反馈的射频信号和偏置电
流被输入到功率放大电路,从而增加
射频功率放大器输出信号的线性度和
功率附加效率。 | 功率放大器模
块及其实现方
法 | |
报告期内公司拥有 16项核心技术,已经应用在高功率 4G/5G MMMB PA模组、TxM模组、射频开关和 Wi-Fi 射频前端模组等主要产品的研发设计或测试环节。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
公司经过多年的技术积累,已自主研发多项核心技术。截至报告期末,公司拥有37项发明专利、5项实用新型专利和101项集成电路布图设计。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本期新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数(个) | 获得数(个) | 申请数(个) | 获得数(个) |
| 发明专利 | 8 | 11 | 74 | 37 |
| 实用新型专利 | 0 | 2 | 5 | 5 |
| 外观设计专利 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 软件著作权 | 1 | 0 | 2 | 1 |
| 其他 | 0 | 0 | 101 | 101 |
| 合计 | 9 | 13 | 182 | 144 |
注:其他代指集成电路布图设计。
3. 研发投入情况表
单位:元
| | 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度(%) |
| 费用化研发投入 | 241,569,513.13 | 212,130,848.79 | 13.88 |
| 资本化研发投入 | 0.00 | 0.00 | 0 |
| 研发投入合计 | 241,569,513.13 | 212,130,848.79 | 13.88 |
| 研发投入总额占营业收入
比例(%) | 18.42 | 12.46 | 增加5.96个百分
点 |
| 研发投入资本化的比重(%) | 0 | 0 | 0 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元
| 序号 | 项目
名称 | 预计总投
资规模 | 本期投入
金额 | 累计投入金
额 | 进展或
阶段性
成果 | 拟达到
目标 | 技术水
平 | 具体应
用前景 |
| 1 | 5G PA
模组 | 11,284.18 | 1,704.86 | 10,069.46 | 工程样
品阶段 | 支持
低、中、
高频段
的功率
放大器
模组,
支持
4G-5G
B3+n41
双连接 | 基于初
样结
果,在
发射额
定功
率、效
率方面
接近国
际先进
水平 | 主要应
用于国
内 SA
场景 |
| 2 | 中、高
频 L-
PAMiD
模组 | 5,266.45 | 1,348.09 | 2,755.88 | 小批量
阶段 | 集成低
噪声放
大器、
射频功
率放大
器、射
频开关
以及双
工器,
支持中
频和高
频的
3G-5G
通信频
段,同
时在
n41 频
段支持
PC2 功
率等级 | 基于初
样结
果,预
计在集
成度和
发射额
定功
率,效
率和接
收噪声
系数方
面达到
或接近
国际先
进水平 | 1. 手
机、平
板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 3 | 低频
L-
PAMiD
模组 | 1,450.61 | 573.51 | 970.42 | 小批量
阶段 | 集成了
低噪声
放大
器、射
频功率
放大
器、射
频开关
以及双
工器,
支持 2G
以及
3G-5G
多个低
频频段 | 工程样
品整体
性能
(额定
功率、
线性
度、接
收噪声
等)接
近国际
先进水
平 | 主要应
用于国
内的手
机市场 |
| 4 | LNA
Bank | 4,007.76 | 1,166.90 | 3,258.10 | 第一、二
代产品 | 支持
低、中、 | 基于自
主研发 | 1. 手
机、平 |
| | | | | | 已经量
产;
第三代
产品研
发设计
阶段 | 高频段
的低噪
声放大
器模
组,支
持 MIMO
和载波
聚合,
支持多
通道信
号输入
和输出 | 的 LNA
技术,
提供业
界先进
的噪声
系数和
功耗 | 板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 5 | 支持
5G单
频 L-
PAMiF
模组 | 4,048.35 | 783.10 | 3,467.92 | 第一、二
代产品
已经量
产并实
现销售;
第三代
产品在
研发设
计阶段 | 支持 5G
NR n77
频段的
L-
PAMiF
模组,
集成低
噪声放
大器、
射频功
率放大
器和滤
波器;
支持高
通和
MTK 手
机平台 | 采用
SIP 封
装,其
中 PA、
LNA 和
射频开
关等芯
片均为
自主研
发。在
产品的
额定功
率、功
耗、线
性度和
灵敏度
等方面
都达到
业界较
高水
平,尤
其是在
功率回
退下的
效率有
优势 | 1. 手
机、平
板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 6 | 支持
5G双
频 L-
PAMiF
模组 | 1,317.12 | 527.28 | 1,033.85 | 第一代
产品进
入量产
阶段;
第二代
产品在
研发设
计阶段 | 支持 5G
NR n77
和 n79
频段的
L-
PAMiF
模组,
集成低
噪声放
大器, | 采用
SIP 封
装,其
中 PA、
LNA 和
射频开
关等芯
片均为
自主研
发。在 | 1. 手
机、平
板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智 |
| | | | | | | 功率放
大器和
滤波
器;支
持高通
和 MTK
手机平
台 | 产品功
率、功
耗、线
性度和
灵敏度
等方面
都达到
业界较
强水
平,尤
其在功
率回退
下的效
率和
5G-Wi-
Fi共存
上有优
势 | 慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 7 | 支持
Wi-Fi
6 和
Wi-Fi
6E的
射频
前端
模组 | 11,304.72 | 2,542.01 | 6,901.87 | 支持 Wi-
Fi 6 标
准的第
一代和
第二代
产品已
实现量
产;第三
代 Q4量
产;
Wi-Fi 6E
产品在
研发设
计阶段,
Q4 送样 | 满足
Wi-Fi 6
要求的
中功率
和高功
率接收
/发射
模组,
工作频
率分别
在
2.4GHz
和
5GHz;
工作频
率在
6GHz以
上的
Wi-Fi
6E的接
收发模
组 | 第一代
Wi-Fi 6
线性功
率达到
业界较
高水
准;第
二代产
品性能
进一步
提升,
已经在
客户端
大规模
量产;
第三代
产品会
进一步
丰富
WiFi6
的产品
类型,
覆盖更
多的应
用需要
和客户
群体,
2022年
Q4量产 | 1. 手
机、平
板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 8 | 支持
5G NR
的高 | 10,335.60 | 2,597.13 | 8,353.12 | 已经实
现量产
并大批 | 高功率
射频开
关支持 | 采用独
特的电
荷泵频 | 1. 手
机、平
板电 |
| | 功率
射频
开关
及天
线调
谐开
关 | | | | 量出货,
后续研
发投入
用于性
能改善
和提升,
以及丰
富产品
线 | 低频段
到 6GHz
频率范
围,应
用于手
机射频
前端发
射通路
的频段
切换、
通道扩
展及天
线交
换;天
线调谐
开关支
持不同
电压要
求,用
于改善
手机天
线效率 | 率控制
技术和
升压降
压技
术,将
实现高
压天线
调谐开
关,达
到业界
较高水
准 | 脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 9 | L-FEM
模组 | 5,414.47 | 1,214.44 | 5,046.22 | 第一、二
代产品
均已量
产并大
批量发
货;
第三代
产品研
发设计
中 | 支持 5G
NR 的
n77 和
n79 频
段 MIMO
接收的
需求;
支持高
通和
MTK 手
机平台 | 基于自
主研发
的开
关、LNA
和成熟
的芯片
倒装技
术,实
现了业
界优质
的增
益、噪
声系
数、功
耗和线
性度,
在能耗
和带外
抑制有
突出优
势 | 1. 手
机、平
板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 10 | 基站
射频
功率
放大
器产
品 | 971.23 | 446.75 | 704.90 | 第一代
产品量
产阶段;
第二代
产品研
发设计
中 | 支持
B1/ 3/
5/ 8/
40/ 41/
42 频
段,输
出功率 | 采用自
主研发
的高效
率功率
放大器
电路结
构,在 | 手机、
平板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备 |
| | | | | | | 可达
28dBm
的高功
率、高
增益、
高效率
产品 | 效率和
带宽方
面具有
竞争优
势 | |
| 11 | DiFEM
模组 | 3,102.66 | 260.03 | 897.19 | 设计开
发阶段 | 用于信
号分集
接收通
路,支
持 Sub
3GHz频
段的射
频开关
和滤波
器模组 | 采用自
主研发
的射频
开关、
滤波
器,预
计在插
损方面
达到业
界较高
水平 | 1. 手
机、平
板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 12 | 分集
接收
端模
组 | 2,289.63 | 79.84 | 1,700.08 | 设计开
发阶段 | 用于信
号分集
接收通
路,支
持 Sub
3GHz频
段的集
成射频
开关、
滤波器
和 LNA
的模组
产品 | 采用自
主研发
的射频
开关、
滤波器
和LNA,
在增益
控制和
噪声系
数方面
预计达
到业界
较高水
平 | 1. 手
机、平
板电
脑、数
据卡等
通信终
端设备
2. 智
能家
居、智
慧城
市、可
穿戴设
备等物
联网终
端 |
| 合计 | / | 60,792.78 | 13,243.93 | 45,159.00 | / | / | / | / |
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
| 基本情况 | | |
| | 本期数 | 上年同期数 |
| 公司研发人员的数量(人) | 299 | 171 |
| 研发人员数量占公司总人数的比例(%) | 55.78 | 53.11 |
| 研发人员薪酬合计 | 7,493.41 | 4,083.35 |
| 研发人员平均薪酬 | 25.06 | 23.88 |
| 教育程度 | | |
| 学历构成 | 数量(人) | 比例(%) |
| 研究生(硕士、博士) | 117 | 39.13 |
| 本科 | 143 | 47.83 |
| 专科及以下 | 39 | 13.04 |
| 合计 | 299 | 100.00 |
| 年龄结构 | | |
| 年龄区间 | 数量(人) | 比例(%) |
| 21-30 | 165 | 55.18 |
| 31-40 | 112 | 37.46 |
| 41-50 | 20 | 6.69 |
| 51及以上 | 2 | 0.67 |
| 合计 | 299 | 100.00 |
6. 其他说明
□适用 √不适用
三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、管理优势——健全、完善的企业管理体系,保障公司业务持续发展 公司从公司管理层到各业务线负责人,均具备十数年的芯片行业从业经验,熟悉行业及市场特点、具有丰富管理经验和开拓创新精神。经十余年的发展,公司健全、完善的企业管理体系,能够保障各项业务稳定、高效地展开,推动公司业务的持续增长。同时,公司通过实施股权激励,实现关键管理人员、核心技术人员持股,有利于维护公司团队的稳定,确保公司经营战略、技术研发等能够有效执行。
2、产品优势——公司产品性能突出、可靠性高,满足多种无线通信技术 在国内射频前端集成电路设计企业中,公司产品线的丰富程度较为突出,射频前端产品品类不断增加,产品线宽度不断拓宽。目前,公司已经研发设计覆盖 2G-5G通信技术的多款高性能、高可靠性 PA模组、射频开关、接收端模组以及满足 Wi-Fi 6的射频前端产品。一方面,丰富的产品线有助于公司发挥各产品的协同效应,共享部分通用的研发成果,节约研发资源;另一方面,随着射频前端产品集成度的不断提高,丰富的产品线可以帮助公司提供更全面的射频前端解决方案。
3、技术及研发优势——深厚的技术积累和经验丰富的研发团队
公司自设立以来,始终深耕射频前端领域,积累了丰富的研发设计经验。截至 2022年 6月 30日,公司已取得专利 42项(其中发明专利 37项),集成电路布图设计专用权 101项。公司能够积极顺应通信技术的变革,快速推出适应最新通信技术的产品。公司高度重视研发人员的引进、培养和研发团队的建设。截至 2022年 6月 30日,公司的研发人员共 299名,占公司员工比例55.78%。公司的研发人员深耕射频前端行业多年,核心技术人员的从业经历已经超过二十年。同时,公司持续引进行业人才,有力地保障了公司人才的储备。
4、客户优势——通过国内外知名移动终端客户认证,开启深度合作模式 公司产品已覆盖了小米、OPPO、vivo等众多知名移动智能终端厂商。该类厂商十分重视品牌信誉度和产品质量,因此对供应商的甄选十分严苛,导入周期通常在一年以上,认证内容繁多。
公司已与众多知名厂商形成了稳定的客户关系,构筑起一定的客户壁垒,公司品牌知名度得到明显提高。随着合作愈发紧密,公司与部分终端客户厂商在研发过程中开展深度合作。公司根据终端客户新项目的需求设计产品,并在样品、小批量等阶段与终端客户共同推进研发进程,一定程度降低了研发风险,有利于公司缩短产品推广时间、降低运营成本。
5、产业链优势——甄选产业链尖端的供应商,长期稳定的合作关系保证产品交付 行业内领先的供应商在选择下游客户合作的过程中,会充分考虑下游客户的产量和成长性。
公司已经与多家业内知名供应商建立了长期的合作关系。公司主要晶圆供应商稳懋、台积电、格罗方德等,系 GaAs、CMOS、SOI晶圆制造行业中的领军企业,拥有行业内先进的生产工艺,其良率和一致性在业内处于领先水平;主要基板供应商珠海越亚具有世界领先的“铜柱法”无芯封装基板技术和精密的工艺制程;SMD原材料主要由全球一流厂商村田提供,其 SMD产品种类丰富,性能卓越;封装测试厂商主要为长电科技、苏州日月新、甬矽电子等,均系国内知名的封测厂商。同时,与供应商长期稳定的合作关系,有效地保障了公司的产能供给,降低了产能波动对公司的交付及时性的影响;供应商自身卓越的工艺和服务水平,也有力地保障了公司产品品质和品牌信誉度。
6、5G模组产品优势——较早具备 5G射频前端芯片解决方案,并在品牌手机中大批量应用 公司具备提供 5G射频前端解决方案的能力,在 5G新增频段的信号发射端和接收端均已具备相应的模组产品,是较早推出该类产品的集成电路设计企业之一。公司的 5G射频前端解决方案产品已实现向小米、OPPO、vivo等知名终端厂商的销售,并得到该等头部客户的认可,有利于公司在射频前端产品 5G领域的市场拓展,保持营业收入增长。公司通过采用中、高集成度模组组合的 5G射频前端解决方案,在满足手机等通信终端对 5G射频前端需求的基础上,实现更高的性价比。与国际厂商同等性能的产品相比,公司产品定价更加合理,有助于客户适当优化成本。(未完)
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