[中报]赛微电子(300456):2022年半年度报告

时间:2022年08月26日 05:09:11 中财网

原标题:赛微电子:2022年半年度报告

证券代码:300456 证券简称:赛微电子 公告编号:2022-071 北京赛微电子股份有限公司
2022年半年度报告



2021年08月
第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人杨云春、主管会计工作负责人蔡猛及会计机构负责人(会计主管人员)霍夕淼声明:保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。公司已在本报告第三节“管理层讨论与分析”第十一项“公司面临的风险和应对措施”章节中,对可能面临的风险及对策进行了详细描述,敬请广大投资者留意查阅。

本公司请投资者认真阅读本半年度报告全文,并特别注意下列风险因素: 1、新型冠状病毒COVID-19疫情风险
2020年初以来,新型冠状病毒 COVID-19疫情在全球陆续爆发,各国纷纷采取不同措施抗击疫情,也有部分国家放弃
主动措施,但疫情的未来发展、持续时间以及对全球经济、产业协作、资本市场的影响或冲击难以预测。公司 MEMS及GaN
业务、产业投资活动均离不开国际交流与合作,尤其是MEMS与GaN业务,采购、生产、销售各环节都具有突出的国际化特
征。公司目前在瑞典、美国、香港均设有子公司,在德国设有尚待审批交割的汽车芯片产线 SPV,尤其在瑞典拥有两条高
效运转的8英寸MEMS代工产线,若该等境外国家或地区的疫情在未来无法得到有效控制或消除,存在该等子公司的经营运
转受到不同程度影响的风险;此外公司位于境内的 MEMS、GaN业务子公司的建设、发展也面临一定的疫情冲击风险,同时
还面临受到疫情背景下全球产业协作生态变化影响的风险;该等风险因素叠加将使得公司的整体经营情况因新型冠状病毒
COVID-19疫情而存在一定的不确定性。

2、国际局势紧张及汇率波动风险
自二战之后,特别是上世纪八九十年代以来,全球化发展日益加速,已成为时代发展的重要特征和显著标志,国家之
间在经济、政治、文化、社会等方面的交流程度大幅提升,在加速科技进步和生产力发展的同时,也使得民族国家的利益
面临着多元化的冲击和挑战,最终导致民族主义情绪的累积并在近年来显著抬头,右翼民粹主义、反全球化主义、贸易保
护主义、本土主义等主张在全球,尤其是欧美国家泛起,引发国际局势紧张及日趋复杂化,对跨国经营的企业提出诸多新
的挑战。公司同时持有境内外资产及业务,近年来直接源自境外营业收入的比例处于高位,2019-2021年及本报告期的比
例分别为 70.00%、84.72%、75.66%、77.42%,且公司部分原材料采购以及 MEMS、GaN业务的大部分机器设备采购亦采用外
币结算,日常涉及美元、欧元、瑞典克朗、日元、人民币等货币。因此,公司日常经营活动客观上面临着国际政治经济局
势剧烈变化的风险,随之而来的还包括因汇率大幅波动对公司报表业绩(以人民币计算)产生较大影响的风险。

3、政府补助风险
公司目前主营业务MEMS与GaN均属于国家鼓励发展的高科技行业,且于2021年3月均被纳入《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中的科技前沿攻关领域,且近年来公司已陆续获得数笔与主营
业务相关的政府补助。2020-2021年及本报告期,公司计入当期损益的政府补助金额分别为13,070.98万、13,007.65万元、
496.60万元,占当期利润总额绝对值的比例分别为54.46%、66.01%、12.36%,对2020-2021年公司经营业绩构成重大影响。

虽然通过政策支持、资金补贴、税收优惠和低息贷款等措施大力支持半导体行业(尤其是制造环节)的发展属于国际通行
做法,但公司在后续财务报告期间能否持续取得政府补助、涉及多少金额、会计处理方法等均存在不确定性,因此公司存
在经营业绩受政府补助影响、影响大小不确定的风险。

4、行业竞争加剧的风险
公司半导体业务直接参与全球竞争,如 MEMS业务的竞争对手既包括博世、德州仪器、意法半导体、惠普、松下等 IDM
企业,也包括 MEMS代工企业 Teledyne MEMS.、台积电(TSMC)、X-FAB Silicon Foundries、索尼(SONY)、IMT
(Innovative Micro Technology,后更名为Atomica Corp.)、Tronics(Tronics Microsystems),以及中芯集成、上海先
进、华虹宏力、华润微、士兰微等国内含 MEMS业务的代工企业。MEMS属于技术、智力及资金密集型行业,涉及电子、机
械、光学、医学等多个专业领域,技术开发、工艺创新及新材料应用水平是影响企业核心竞争力的关键因素;公司 GaN材
料与器件业务也直接参与全球竞争。若公司不能正确判断未来市场及产品竞争的发展趋势,不能及时掌控行业关键技术的
发展动态,不能坚持技术创新或技术创新不能满足市场需求,将存在技术创新迟滞、竞争能力下降的风险。

5、新兴行业的创新风险
公司现有 MEMS、GaN业务均属于国家鼓励发展的高技术产业和战略性新兴产业,同时也是国家“十四五”规划纲要中
的科技前沿攻关领域,该等产业技术进步及迭代迅速,要求行业参与者不断通过新技术/工艺的研究和新产品的开发以应对
下游需求的变化。如公司对新技术/工艺、新产品的投入不足,或投入方向偏离行业创新发展趋势或未能符合重要客户需求
的变化,将会损害公司的技术优势与核心竞争力,从而给公司的市场竞争地位和经营业绩带来不利影响;此外,近年来,
公司研发费用支出的绝对金额以及占营业收入的比重均处于高位,2019-2021年及本报告期,公司研发费用分别达 1.10亿
元、1.95亿元、2.66亿元、1.39亿元,占营业收入的比重分别为 15.39%、25.54%、28.69%、36.85%,而研发活动本身存
在一定的不确定性,公司还存在研发投入不能获得预期效果从而影响公司盈利能力的创新风险。

6、募集资金运用风险
公司募集资金投资项目综合考虑了当时的市场状况、技术水平及发展趋势、产品及工艺、原材料供应、生产场地及设
备采购等因素,并对其可行性进行了充分论证,但如果国内外的行业环境、市场环境等情况发生突变,或由于项目建设过
程中的主客观因素影响,将会给募集资金投资项目的实施带来不利影响,存在募集资金投资项目不能顺利实施、不能达到
预期收益、折旧摊销影响经营业绩的风险。

对于“8英寸MEMS国际代工线建设项目”,其基于下游市场需求正在持续扩充MEMS代工产能,但在瑞典Silex向赛莱
克斯北京出口MEMS技术和产品的许可申请被瑞典ISP否决、公司境内工厂从瑞典Silex引入技术变得困难的背景下,公司
北京FAB3需要依靠自身积累工艺,自主推动从工艺开发到产品验证、规模量产的业务过程,时间周期及产能消化速度的不
确定性提高。因此,北京 FAB3在客观上存在新增 MEMS代工产能短期无法消化、相关投资所形成资产在一定时期内闲置或
部分闲置的风险。

对于“MEMS先进封装测试研发及产线建设项目”,由于 MEMS封测业务属于向产业链下游延伸的新拓展业务,公司并无
法确保在MEMS晶圆制造环节积累的客户会将其封装测试业务交由公司进行,且封装测试业务的取得也需要经历客观的工艺
验证过程,潜在客户向现实客户转化的概率与周期均存在不确定性,公司与潜在客户形成稳定的供货关系的时间与封测项
目的产能释放节奏难以形成预期中的匹配关系。因此,公司 MEMS先进封装测试研发及产线在客观上存在新建 MEMS封测产
能短期无法消化、相关投资所形成资产在一定时期内闲置或部分闲置的风险。

对于“MEMS高频通信器件制造工艺开发项目”,高频通信器件必须通过严苛的微观尺寸、成分以及结构的高度一致性,
来达到对通信频段的准确反应,同时,必须通过特别的精细结构和材料微观结构来严格控制电磁波信号的各种传输损耗,
这也意味着高频通信MEMS器件的制造困难程度大大高于一般的MEMS器件。


公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求:
本公司从事集成电路相关业务,近年来的公司业绩对政府补助构成一定程度的依赖。

公司计划不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。


目录
第一节 重要提示、目录和释义 .................................................. 1 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................ 8 第三节 管理层讨论与分析 ..................................................... 11 第四节 公司治理 ............................................................ 51 第五节 环境和社会责任 ....................................................... 53 第六节 重要事项 ............................................................ 55 第七节 股份变动及股东情况 ................................................... 65 第八节 优先股相关情况 ....................................................... 79 第九节 债券相关情况 ......................................................... 80 第十节 财务报告 ............................................................ 81
备查文件目录
一、载有公司负责人、主管会计工作责任人、会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。

二、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

三、载有法定代表人签名的2022年半年度报告文本原件。

以上备查文件备置地点:公司证券投资法务部。


释义

释义项释义内容
赛微电子、公司、本公司北京赛微电子股份有限公司,原名称"北京耐威科技股份有限公司",原简称"耐威科 技"
赛莱克斯国际北京赛莱克斯国际科技有限公司,原为北京瑞通芯源半导体科技有限公司,系本公司 全资子公司
赛莱克斯北京赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司,原为纳微矽磊国际科技(北京)有限公司, 系赛莱克斯国际控股子公司
赛莱克斯、SilexSilex Microsystems AB,注册在瑞典的公司,为赛莱克斯国际间接控股的全资子公 司,从事微机电系统(MEMS)产品工艺开发及代工生产业务
运通电子运通电子有限公司(GLOBAL ACCESS ELECTRONICS LIMITED),为赛莱克斯国际100%持 股的在香港设立的控股型公司,持有 Silex87.80%的股权
瑞典 Silex 国际Silex Microsystems International AB,系瑞典 Silex 的全资子公司
微芯科技北京微芯科技有限公司,系本公司全资子公司
极芯传感北京极芯传感科技中心(有限合伙),系本公司控股合伙企业
中科赛微北京中科赛微电子科技有限公司,系微芯科技控股子公司
聚能海芯北京聚能海芯半导体有限公司,系本公司全资子公司
聚能制造北京聚能海芯半导体制造有限公司,系本公司全资子公司
海创微芯北京海创微芯科技有限公司, 系微芯科技控股子公司
聚能创芯青岛聚能创芯微电子有限公司,系本公司控股子公司
聚能晶源聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司,系聚能创芯全资子公司
耐威时代北京耐威时代科技有限公司,原本公司全资子公司
中测耐威中测耐威科技(北京)有限公司,前身为北京神州半球科技有限公司,系本公司全资 子公司
光谷信息武汉光谷信息技术股份有限公司,新三板挂牌公司,股份代码 430161,系本公司参 股子公司
中科昊芯北京中科昊芯科技有限公司,原本公司全资子公司微芯科技参股子公司
北斗产业基金湖北北斗产业创业投资基金合伙企业(有限合伙),系本公司参股合伙企业
海丝民合基金,半导体产 业基金青岛海丝民合半导体投资中心(有限合伙),系本公司参股合伙企业
国家集成电路基金国家集成电路产业投资基金股份有限公司
飞纳经纬飞纳经纬科技(北京)有限公司,系本公司控股子公司
赛微私募基金北京赛微私募基金管理有限公司,原名称为北京赛微股权投资管理有限公司,系本公 司参股子公司
联星科技广州联星科技有限公司,系微芯科技参股子公司
聚能国际青州聚能国际半导体制造有限公司,系本公司参股子公司
爱集微爱集微咨询(厦门)有限公司,原名称“厦门积微信息技术有限公司”,系本公司参 股子公司
火眼基金海南火眼曦和股权投资私募基金合伙企业(有限合伙),系本公司参股合伙企业
思丰可科技北京思丰可科技有限公司,系微芯科技参股子公司
吉姆西吉姆西半导体科技(无锡)有限公司,系微芯科技参股子公司
阿基米德阿基米德半导体(合肥)有限公司,系本公司参股子公司
展诚科技青岛展诚科技有限公司,系微芯科技参股子公司
依迈微依迈微(北京)科技有限公司,系海创微芯参股子公司
ODI境外直接投资(ODI,Overseas direct investment)是指我国企业、团体在国外及港 澳台地区以现金、实物、无形资产等方式投资,并以控制国(境)外企业的经营管理 权为核心的经济活动
FDI外国直接投资(Foreign Direct Investment),是指一国的投资者将资本用于他国的 生产或经营,并掌握一定经营控制权的投资行为
SEB瑞典北欧斯安银行(Skandinaviska Enskilda Banken,SEB)是瑞典银瑞达集团核心 投资的银行之一,也是北欧最大的金融集团之一
集成电路、ICIntegrated Circuit,一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所 需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导 体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构
IDMIntegrated Device Manufacturer,整合器件制造商,又称为集成器件制造商,指自 行进行芯片的设计、制造及封测,掌握芯片设计与生产制造工艺的半导体公司
MEMS、微机电系统Micro-Electro-Mechanical Systems 的缩写,即微电子机械系统,简称为微机电系 统,是指由基于 Micro-machining 技术制造的微传感芯片(或微执行芯片),和控制 /处理芯片(ASIC)组成的微型电子机械系统,MEMS 能够将信息的获取、处理和执行 集成在一起,是一种将微电子技术与微机械工程融合到一起、具有多功能的工业技术 及相应的集成系统。MEMS 能够大幅度地提高系统的自动化、智能化水平
晶圆硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上 可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之 IC 产品
英寸
DRIEDeep Reactive Ion Etching,深反应离子刻蚀,基于氟基气体的高深宽比的干法硅 刻蚀技术,同时使用物理与化学作用进行刻蚀。该技术不仅可将等离子的产生和自偏 压的产生分离,而且采用了刻蚀和钝化交替进行的工艺,实现对侧壁的保护,能够实 现可控的侧向刻蚀,大大提高了刻蚀的各向异性特性,是超大规模集成电路工艺中很 有发展前景的一种刻蚀方法
Chiplet芯粒,一般指不同功能裸芯片的拼搭,代表的是一类先进的裸芯片三维晶圆级集成技 术,可以是同质同构、同质异构、异质异构等晶圆级集成方式,具体实现技术上:可 以是D2W(芯片到晶圆技术)、W2W(晶圆到晶圆技术)、D2W+W2W(混合/复合晶圆级集 成技术)
第三代半导体材料宽禁带半导体材料(Eg>2.3eV),主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌 (ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等,与第一代、第二代半导体材料相比,具有宽的 禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更 适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件
GaN氮化镓,氮和镓的化合物,是一种新型半导体材料,适合于制造光电子、高温大功率 器件和高频微波器件
GaN-on-Si硅基氮化镓,以硅(Si)为衬底的氮化镓外延材料
GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓,以碳化硅(SiC)为衬底的氮化镓外延材料
控股股东、实际控制人杨云春
元/万元人民币元/万元
证监会、中国证监会中国证券监督管理委员会
交易所、深交所深圳证券交易所
章程、公司章程北京赛微电子股份有限公司章程
报告期2022年1月1日至 2022年6月30日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司简介

股票简称赛微电子股票代码300456
股票上市证券交易所深圳证券交易所  
公司的中文名称北京赛微电子股份有限公司  
公司的中文简称(如有)赛微电子  
公司的外文名称(如有)Sai MicroElectronics Inc.  
公司的外文名称缩写(如有)SMEI  
公司的法定代表人杨云春  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名张阿斌刘波
联系地址北京市西城区裕民路18号北环中心A 座2607室、北京市北京经济技术开发 区科创八街21号院1号楼北京市西城区裕民路18号北环中心A 座2607室、北京市北京经济技术开发 区科创八街21号院1号楼
电话010-82252103010-82251527
传真010-59702066010-59702066
电子信箱[email protected][email protected]
三、其他情况
1、公司联系方式
公司注册地址,公司办公地址及其邮政编码,公司网址、电子信箱在报告期是否变化 ?适用 □不适用

公司注册地址北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)
公司注册地址的邮政编码100029
公司办公地址北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)、 北京市北京经济技术开发区科创八街21号院1号楼
公司办公地址的邮政编码100029、100176
公司网址www.smeiic.com
公司电子信箱[email protected]
临时公告披露的指定网站查询日期(如有)2022年01月28日
临时公告披露的指定网站查询索引(如有)巨潮资讯网http://www.cninfo.com.cn
2、信息披露及备置地点
信息披露及备置地点在报告期是否变化
□适用 ?不适用
公司选定的信息披露报纸的名称,登载半年度报告的中国证监会指定网站的网址,公司半年度报告备置地报告期无变化,
具体可参见2021年年报。

3、注册变更情况
注册情况在报告期是否变更情况
□适用 ?不适用
公司注册情况在报告期无变化,具体可参见2021年年报。

四、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是 ?否

 本报告期上年同期本报告期比上年同期增减
营业收入(元)377,431,827.16394,837,209.69-4.41%
归属于上市公司股东的净利润 (元)8,298,711.7272,064,145.07-88.48%
归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益后的净利润(元)-61,880,531.59-5,490,592.03-1,027.03%
经营活动产生的现金流量净额 (元)22,734,652.91-59,166,374.62138.42%
基本每股收益(元/股)0.01140.1128-89.89%
稀释每股收益(元/股)0.01140.1128-89.89%
加权平均净资产收益率0.16%2.37%-2.21%
 本报告期末上年度末本报告期末比上年度末增减
总资产(元)6,712,902,871.257,239,642,304.26-7.28%
归属于上市公司股东的净资产 (元)5,005,144,867.925,082,992,412.37-1.53%
五、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

六、非经常性损益项目及金额
?适用 □不适用


单位:元

项目金额说明
非流动资产处置损益(包括已计提资产减值准备的冲销部分)83,960,227.50 
计入当期损益的政府补助(与公司正常经营业务密切相关,符合国家政 策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外)4,595,124.34 
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-249,730.72 
减:所得税影响额17,326,491.15 
少数股东权益影响额(税后)799,886.66 
合计70,179,243.31 
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用 ?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项
目的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经
常性损益的项目的情形。


第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司从事的主要业务
公司需遵守《深圳证券交易所创业板行业信息披露指引第12号——上市公司从事集成电路相关业务》的披露要求 一、主要业务
公司是全球领先、国际化运营的高端集成电路晶圆代工生产商,也是国内拥有自主知识产权和掌握核心半导体制造技
术的特色工艺专业晶圆制造商。公司在国内外拥有多座中试平台及量产工厂,业务遍及全球,服务客户包括国际知名的
DNA/RNA 测序仪、光刻机、元宇宙、计算机网络及系统、硅光子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头
厂商以及细分行业的领先企业,涉及产品范围覆盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等诸多领域。公司同时在境内
外布局中试线及量产线,以同时满足境内外客户的不同需求,致力于形成可支持“内循环”、兼顾“双循环”的代工服务
体系,与此同时,公司正在打造先进的晶圆级封装测试能力,致力于为客户提供从工艺开发、晶圆制造到封装测试的一站
式系统化高端制造服务,努力发展成一家国际化经营的知名半导体制造领军企业。

报告期内,公司从事的主要业务包括 MEMS工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长及芯片设计;与此同时,公司围
绕半导体主业开展产业投资布局,对实体企业、产业基金进行参股型投资。

报告期内,为公司贡献业绩的具体业务主要为 MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造。

(一)MEMS业务
公司现有 MEMS业务包括工艺开发和晶圆制造两大类:
公司 MEMS工艺开发业务是指根据客户提供的芯片设计方案,以满足产品性能、实现产品“可生产性”以及平衡经济效
益为目标,利用工艺技术储备及项目开发经验,进行产品制造工艺流程的开发,为客户提供定制的产品制造流程。

公司 MEMS晶圆制造业务是指在完成 MEMS芯片的工艺开发,实现产品设计固化、生产流程固化后,为客户提供批量晶圆制造服务。

MEMS是指利用半导体生产工艺构造的集微传感器、信号处理和控制电路、微执行器、通讯接口和电源等部件于一体
的微米至毫米尺寸的微型器件或系统;MEMS将电子系统与周围环境有机结合在一起,微传感器接收运动、光、热、声、
磁等信号,信号再被转换成电子系统能够识别、处理的电信号,部分 MEMS器件可通过微执行器实现对外部介质的操作功
能。

(二)GaN业务
公司现有 GaN业务包括外延材料和芯片设计两个环节:
公司 GaN外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍,根据既定技术参数或客户指定参数,通过 MOCVD设备生长并
对外销售 6-8英寸 GaN外延材料。

公司 GaN芯片设计业务是指基于技术积累设计开发 GaN功率及微波芯片,向下游客户销售并提供相关应用方案。

GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别,因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体
材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、
高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

二、经营模式
(一)MEMS业务
以成熟商业化运营的 MEMS产线为基础,以专业技术及生产团队、核心专利技术、核心工艺设备、二十多年 400余项
工艺开发项目经验为条件,通过为客户开发并确定特定 MEMS芯片的工艺及制造流程获得工艺开发收入,通过为客户批量
制造 MEMS晶圆获得代工生产收入。

(二)GaN业务
以 6-8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)等新型材料与器件技术为基础,以专业技术及
生产团队为条件,通过向 GaN(氮化镓)器件设计、制造厂商研发、生产并销售外延材料,向通讯设备、数据中心、新型
电源、智能家电等厂商研发、设计并销售氮化镓(GaN)器件获得一次性销售收入。

三、主要业绩驱动因素
(一)MEMS业务
随着物联网生态系统的逐步发展落地、MEMS终端设备的广泛拓展应用、MEMS产业专业化分工趋势的不断演进,源自通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域的 MEMS芯片工艺开发及晶圆制造需求不断增长;公司全资子公司瑞典
Silex是全球领先的纯 MEMS代工企业。

公司能够制造流量、红外、加速度、压力、惯性等多种 MEMS传感器,微流体、微超声、微镜、光开关、硅麦克风、
RF射频等多种器件以及各种 MEMS基本结构模块,公司 MEMS晶圆产品的终端应用涵盖了通讯、生物医疗、工业汽车、
消费电子等领域。

(二)GaN业务
GaN材料及芯片具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点,拥有广阔的应用前景;公司拥有业界领先的研发及
生产团队,自主掌握 GaN外延材料生长的工艺诀窍并积累了丰富的 GaN功率及微波芯片设计经验。

公司在 GaN外延材料方面拥有一条 6-8英寸 GaN外延材料产线(一期),具备了相关研发、生长条件,已与下游客户
建立合作,形成产品序列并推向市场,形成正式销售。公司在 GaN器件设计方面已陆续研发、推出不同规格的功率器件产
品及应用方案,已形成产品序列并推向市场,已形成正式销售。

四、所属行业的发展阶段
根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》及《国民经济行业分类》,公司 MEMS、GaN业务所属行业为“计
算机、通信和其他电子设备制造业”(行业代码 C39)。

(一)MEMS行业
MEMS是微电路和微机械按功能要求在芯片上的一种集成,基于光刻、腐蚀等传统半导体技术,融入超精密机械加工,
并结合力学、化学、光学等学科知识和技术基础,使得一个毫米或微米级的 MEMS具备精确而完整的机械、化学、光学等
特性结构。MEMS行业系在集成电路行业不断发展的背景下,传统集成电路无法持续地满足终端应用领域日渐变化的需求
而成长起来的。随着微电子学、微机械学以及其他基础自然科学学科的相互融合,诞生了以集成电路工艺为基础,结合体
微加工等技术打造的新型芯片。随着终端应用市场的扩张,使得 MEMS应用越来越广泛,产业规模日渐扩大,日趋成为集
成电路行业的一个新分支。

(二)GaN行业
第三代半导体材料及器件主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料及在其基础上开发制造的相应器件,因
其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓
(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对
高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。随着 5G时代的到来及物联网产业的发展,第三代半导体材料
及器件即将迎来巨大的市场应用前景。

公司 MEMS、GaN业务所处行业正处于成长阶段,且均属于国家鼓励发展的行业,同时也是国家“十四五”规划纲要中
的科技前沿攻关领域,发展前景广阔。

五、所属行业的周期性特点
(一)MEMS行业
集成电路行业处于电子产业链的上游,其发展受到下游终端应用的深刻影响,其行业发展速度与全球经济增速正相关,
呈现出周期性的波动趋势。近年来,随着行业分工的深化,集成电路设计、制造及封测各环节专业化程度显著提高,行业
整体能够更加准确的把握需求变动趋势、更有计划地控制产能规模及资本性支出、更加及时地对市场变化做出反应及修正;
同时,集成电路产业在社会其他行业的渗透日益深入,终端消费群体基数庞大,一定程度上抵消了经济周期的影响。集成
电路行业整体的周期性波动日趋平滑。MEMS行业作为基于集成电路技术演化而来的新兴子行业,其周期性与集成电路行
业相似;同时由于 MEMS技术具有前沿性、创造性,其技术和产品的更新迭代将为下游市场注入活力,并引导下游突破现
有瓶颈限制、拓宽终端应用范围,推动社会经济有机增长,故其行业周期性波动风险可得到有效降低。

(二)GaN行业
第三代半导体行业是在硅基电力电子器件逐渐接近其理论极限值背景下催生新一代电子信息技术革命的新兴行业,行
业整体发展受技术进展情况及下游新兴半导体材料及器件应用需求所影响。目前,从全球发展情况来看,第三代半导体材
料及器件具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点,拥有广阔的应用前景,行业整体属于初创期,但基于 GaN技术
的器件及材料应用案例已不断涌现。

公司半导体业务所处行业必然受到宏观经济周期的影响,但由于行业正处于成长阶段,所处的微观驱动环境各有不同,
且正是推动全球经济发展的新兴力量,其中 MEMS、GaN业务更是技术变更与竞争的新兴领域,因此在当前阶段,该等行
业更多受自身发展周期的影响,受宏观经济周期的直接影响有限。

六、公司所处的行业地位
(一)MEMS业务
公司全资子公司瑞典Silex是全球领先的纯MEMS代工企业,服务于全球各领域巨头厂商,且公司正在瑞典扩充产能,
同时北京“8英寸 MEMS国际代工线”已投入运营,有望继续保持纯 MEMS代工的全球领先地位。根据世界权威半导体市场
研究机构 Yole Development的统计数据,2012年至今,瑞典 Silex在全球 MEMS代工厂营收排名中一直位居前五,与
TELEDYNE MEMS、台积电(TSMC)、X-FAB、索尼(SONY)、意法半导体(STMicroelectronics)等厂商持续竞争,
2019-2021年连续三年在全球 MEMS晶圆代工厂商中位居第一。随着公司境内外新增产线及产能的陆续建设及投入使用,
公司将继续保持在全球 MEMS代工产业竞争中的第一梯队。

(二)GaN业务
公司相关技术团队具备第三代半导体材料与器件,尤其是氮化镓(GaN)外延材料及器件的研发生产能力,在研制 8
英寸硅基氮化镓外延晶圆方面具备业界领先水平,已陆续研发、推出不同规格的产品及应用方案,同时已与境内外产业链
上下游公司达成良好合作,公司属于行业的新进入者和竞争者,正在积极把握住产业发展机遇、积累业务竞争要素、奠定
自身的行业地位。


公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
(一)集成电路行业发展状况及对公司未来经营业绩的影响
1、集成电路行业整体发展情况、行业政策及对公司的影响
近年来,国家颁布了多项鼓励支持集成电路行业的产业政策及措施,《集成电路产业“十二五”发展规划》,《国家集成电
路产业推动纲要》以及 2015年提出的《〈中国制造 2025〉重点领域技术路线图(2015版)》中,均把集成电路及专用设备列
为国家重点推进的战略新兴产业,其中建设特色工艺的 8英寸生产线和先进封测平台也是规划要求实施的重点任务之一。

2021年是中国“十四五”开局之年,在国内宏观经济运行良好的驱动下,国内集成电路产业继续保持快速、平稳增长态势,
2021年中国集成电路产业首次突破万亿元。中国半导体行业协会统计,2021年中国集成电路产业销售额为 10,458.3亿元,
同比增长 18.2%。其中,设计业销售额为 4,519亿元,同比增长 19.6%;制造业销售额为 3,176.3亿元,同比增长 24.1%;封
装测试业销售额 2,763亿元,同比增长 10.1%。2022年上半年,在复杂的国际政治经济环境下,叠加疫情影响,国内集成
电路产业增速有所放缓,但仍保持了较高的景气度。

随着万物互联与人工智能的兴起,MEMS产品种类增加、市场规模扩大,行业对产品生产周期的缩短及生产成本的降
低提出了更高要求,同时 MEMS工艺研发费用迅速上升以及未来建厂费用高启促使更多的半导体厂商将工艺开发及生产相
关的制造环节进行外包,纯 MEMS代工厂与 MEMS产品设计公司合作开发的商业模式将成为未来主流行业业务模式。类
似于传统集成电路行业发展趋势,MEMS产业将逐步走向设计与制造分立、制造环节外包的模式。从趋势上看,全球
MEMS代工业务,尤其是纯 MEMS代工业务将会快速扩张;从结构上看,纯 MEMS代工业务在 MEMS代工业务中所占比重将逐步升高。

2012年至今,公司在全球 MEMS代工厂营收排名中一直位居前五,2019-2021年连续三年排名第一,与 TELEDYNE MEMS、台积电(TSMC)、X-FAB、索尼(SONY)、意法半导体(STMicroelectronics)等厂商持续竞争,长期保持在全球
MEMS晶圆代工第一梯队。

公司当前的核心业务为 MEMS工艺开发及晶圆制造,因此,基于该细分行业整体发展长期向好的态势以及国家的长期
战略政策支持,公司 MEMS业务的进一步发展将继续拥有良好的产业发展及政策支持环境。

2022年初至本报告披露日,公司旗下控股子公司合计获得中央及地方集成电路项目资金支持约 3.01亿元,有利于公司
进一步加大相关投入,推动业务发展。

2、MEMS主流技术水平、市场需求变化及对公司的影响
根据 Yole Development的研究预测,全球 MEMS行业市场规模将从 2021年的 136亿美元增长至 2027年的约 223亿美
元,复合增长率(CAGR)达 9%,通讯、生物医疗、工业汽车及消费电子的应用增速均非常可观,其中通讯领域的复合增
长率高达25%。预计到2026年,10亿美元以上的MEMS细分领域包括射频MEMS(40.49亿美元)、MEMS惯性器件(40.02
亿美元)、压力 MEMS(23.62亿美元)、麦克风(18.71亿美元)以及未来应用(13.63亿美元)。

MEMS的生产制造使用了包括体微机械加工和表面微机械加工在内的微细加工技术,并结合沉积、光刻、键合、刻蚀
等集成电路工艺,在硅片上实现微型机械三维结构的构建,在保留器件机械性能的基础上大幅缩减了机械体积、降低了能
耗并提高了机械可靠性,同时可批量生产,大大降低生产成本。公司长期保持在全球 MEMS晶圆代工第一梯队,同时代表
着业内主流技术水平。公司拥有覆盖 MEMS领域的全面工艺技术储备,关键技术已经成熟并经过多年的生产检验,TSV、
TGV、SilVia、MetVia、DRIE及晶圆键合等技术模块行业领先。公司的核心工艺及技术水平状况如下:
核心工艺模块对应的生产环节效果/作用技术水平
硅通孔技术 SilVia?TSV芯片互连、CMOS-MEMS 集成、先进封装在先进的三维集成电路中实现多层芯片之间的互 联,能够在三维方向使得堆叠度最大而外形尺寸 最小,提升芯片速度和低功耗性能国际领先
硅通孔金属层 MetVia?TSV   
   国际领先
玻璃通孔 MetVia?TGV   
   国际领先
深反应离子刻蚀 DRIE刻蚀在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔国际领先
晶圆键合 Wafer Bonding键合与退火将晶圆相互结合,使表面原子相互反应,产生共 价键合,让其表面间的键合能达到一定强度,使 晶片间无需媒介物而纯由原子键结为一体国际领先
压电材料 Piezo material材料应用利用压电材料受压力作用在两端面间出现电压的 特性,实现机械能和电能的互相转换相对领先
MEMS磁性材料 MagMEMS材料应用磁性材料内部由于磁化状态的改变而引起长度变 化,实现磁能和电能的互相转换相对领先
聚合物材料 Polymer材料应用聚合物增强了断裂强度、具有低杨氏模量、延长 断裂时间和相对低成本,其具有惰性和生物相容 的特点,适于生物和化学应用相对领先
无铅焊锡电镀 Plating solders电镀利用电解作用使金融或其他材料的表面附着一层 金属膜,从而防止腐蚀,并提高耐磨性、导电 性、反光性等相对领先
封帽 Capping圆片封盖密封形成机械结构所需的真空空间并保护晶圆避免受 到机械刮伤、高温破坏相对领先
由于 MEMS应用场景及产品种类的多样性,对 MEMS制造工艺的需求也体现出高度的定制化与复杂性,公司熟练掌握的硅通孔(TSV)工艺技术、玻璃通孔(TGV)工艺技术举例图示如下:

硅通孔(TSV)工艺技术图示 数据来源:半导体行业观察,瑞典 Silex 压电材料(PTZ)工艺技术图示 数据来源:赛微电子,瑞典 Silex
因此,在市场需求保持旺盛态势、公司代表着业内主流技术水平的情况下,公司 MEMS业务的进一步发展拥有良好的
市场及竞争要素。

3、MEMS核心技术、成本控制及公司竞争优劣势
MEMS代工业务的本质是通过集成电路大规模、标准化工艺技术,实现各类传感器件的低成本制造,同时实现小体积
与低功耗。作为全球领先的 MEMS纯代工厂商,公司 MEMS工艺开发及晶圆制造业务的主要生产技术类别及环节与其他
竞争厂商相比并无重大差异,公司的竞争优势更多地体现在通过长期实践,在制造工艺中集成了大量的专利技术(IP)和技
术诀窍(Know-how)。MEMS代工涉及的主要生产技术类别及环节具体如下:
主要技术具体内容使用的设备或技术
光刻除去晶圆表面薄膜的特定部分,主要分为涂胶、曝光、显 影、去除等步骤步进式光刻机、接触式光刻机
键合通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材 料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和 体硅加工相结合,被用于 MEMS的加工工艺中阳极/熔融/热压/共晶键合
氧化退火氧化是在硅上形成二氧化硅,退火提高了温度使注入的掺 杂剂离子从晶格间迁移到晶格点FGA氧化退火炉
沉积采用物理和化学等方法在晶圆表面或近表面形成薄膜金属溅射机、二氧化硅/氮化硅等离子增强化 学气相沉积、物理气相淀积
干法刻蚀干法刻蚀的刻蚀剂为等离子体,利用等离子体和表面薄膜 反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀 的工艺深反应离子刻蚀(博世工艺);二氧化硅/氮 化硅/多晶硅/聚酰亚胺薄膜刻蚀、螺旋波等 离子体源二氧化硅刻蚀
湿法刻蚀通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物 质剥离下来的刻蚀方法KOH溶液湿法硅刻蚀、HNA系统湿法硅刻 蚀、氮化硅湿法刻蚀
量测对加工中集体的电性/机械/化学/形貌/尺寸等参数进行测 量,用于控制工艺参数、较调生产设备、分析失效因素和 验证基本功能6吋及 8吋全自动探针机台、显微镜
切割使用高速旋转的晶圆切割设备采用磨削的方式切割晶圆, 以使晶粒间得以切割分离全自动晶圆切割机
MEMS制造上连产品设计,下接产品封测,是 MEMS产业链中必不可少的一环。MEMS产品类别多样、应用广泛,客户定制化程度非常高,其生产采用的微加工技术强调工艺精度,属于资金、技术及智力密集型行业。与 CMOS相比,
MEMS代工行业呈现出多品种、小批量的特点,同时对代工厂商的成本控制能力提出极高要求。

作为全球领先的 MEMS纯代工厂商,公司在 MEMS业务成本控制方面具有如下特点: A、形成了标准化、结构化的工艺模块
虽然 MEMS产品的特殊性要求制造者为每种产品开发独特的工艺流程,但实践中许多工艺步骤是可为多种器件通用的。

公司以最大化利用工程资源为目标,提炼出多种可重复使用的工艺制程模块,将这些模块类别命名为“SmartBlock”。标准
工艺模块作为工艺集成规划的起点,再对单个产品的关键工艺开发、调整和优化,最后对单个产品开发特殊工艺或材料。

标准化的工艺模块加上调整优化后的关键工艺和特殊工艺能直接整合客户的产品,实现工艺标准化和规模量产定制化相结
合。

B、丰富的项目开发及代工经验
公司在历史经营期内参与了 400余项 MEMS工艺开发项目,与下游客户开展广泛合作,代工生产了包括微镜、光开关、
片上实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种 MEMS产品。长期
实践中,公司严格按照新产品导入流程(NPI)进行项目管理,在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理;公
司团队自主开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制,形成了一套行之有效的 MEMS代工厂运
营管理办法。

C、新建产线的初期状态
由于公司北京 FAB3属于新建产线,报告期内仍处于运营初期、努力进行产能爬坡,面临着持续扩大的折旧摊销压力,
工厂运转及人员费用也在持续增长,客观上必须经历投入成本与收入回报严重不匹配的时期,公司相应的成本控制手段,
一方面根据规模量产工厂的定位要求建立成本控制体系,另一方面则是积极扩大产品范围及客户群体,通过规模效应来实
现边际业务成本的降低。

(二)报告期内集成电路制造业务情况
(1)晶圆厂基本情况
报告期内,公司在瑞典拥有一座成熟运转的 MEMS晶圆工厂,内含两条 8英寸产线;在北京拥有一座处于建成运营初
期、具备规模产能的 MEMS晶圆工厂,内含一条 8英寸产线;该两座晶圆工厂均处于持续扩产状态,其中瑞典产线主要是
添购部分设备以满足相关客户的订单需求;北京产线则主要是陆续从当前的 1万片/月向 3万片/月产能扩充。

报告期内,公司在山东青岛拥有一条 8英寸 GaN外延晶圆产线。

上述 MEMS及 GaN产线的基本情况如下:


晶圆产线产品制程总体产能(片晶圆/年)期间产能(片晶圆)产能利用率生产良率
瑞典 8英寸 MEMS产线 (FAB1&FAB2)0.25um-1um84,00042,00052.46%71.43%
北京 8英寸 MEMS产线 (FAB3)0.25um-1um60,00030,00015.11%76.88%
青岛 8英寸 GaN外延晶 圆产线-10,0005,0008.38%92.60%
注:1、瑞典FAB1&FAB2的定位属于中试+小批量产线,其产能利用率及生产良率均受到工艺开发业务的影响,工艺开发对
产线的产能利用率天然低于晶圆制造业务,且由于属于开发试验阶段,生产良率并非是产线与客户双方所注重的考虑因素。

由于本报告期瑞典FAB1&FAB2的工艺开发业务占比显著提升,影响其产能利用率较2021年水平降低。

2、北京FAB3的定位属于规模量产线,其生产良率水平相对较高,在瑞典ISP审查并最终否决了公司瑞典FAB1&FAB2与北京
FAB3技术交易的背景下,其自2021年第二季度末才开始实现正式生产,一期产能10,000片晶圆/月,第一阶段已实现产能
5,000片晶圆/月,根据第一阶段已实现产能计算的实际总体产能为60,000片晶圆/年,根据6个完整月计算的期间产能为
30,000片晶圆,其产能利用率较低的原因是仍处于产线运营初期,本报告期已实现量产的品类较少,大部分仍处于工艺开
发、产品验证或风险试产阶段,产能爬坡较为缓慢。

3、受限于GaN芯片合作代工产能不足,公司GaN业务潜能尚未得到释放,显著影响了自身业务对GaN外延晶圆的需求,因此
GaN业务旗下青岛8英寸GaN外延晶圆产线的产能利用率处于较低水平;但由于公司GaN业务团队掌握了成熟的硅基GaN外延材
料生长技术,其生产良率较高。

4、由于MEMS属于集成电路的特色工艺分支,考验制造厂商水平的主要因素是工艺、三维结构与功能,而不是单纯地追求细
线宽线距(二维);此外,由于MEMS晶圆常常是2个以上的晶圆键合在一起,因此上表产能数据中的单片“晶圆”数在多数
情况下为复合晶圆的个数。即一个MEMS“晶圆”所蕴含的硅(或玻璃)晶圆数相当于多个(2个以上)普通CMOS晶圆,这大
幅增加了制造的难度和复杂性。

5、单片晶圆可以制造的MEMS芯片颗数因产品不同而存在巨大差异,平均而言每张8英寸晶圆可以产出大约为6英寸晶圆2倍
数量的芯片,每张12英寸晶圆可以产出大约为8英寸晶圆2.25倍数量的芯片。

(2)特色生产工艺情况
MEMS属于集成电路行业中的特色工艺。公司 MEMS业务经营采用“工艺开发+代工生产”的模式。“工艺开发(NRE)”

模式,即 MEMS代工厂商根据客户提供的芯片设计方案,以满足产品性能、实现产品“可生产性”以及平衡经济效益为目标,
利用工艺技术储备及项目开发经验,进行产品制造工艺流程的开发,为客户提供定制的产品制造流程;“代工生产
(Foundry)”模式则是 MEMS代工厂商在完成 MEMS产品的工艺开发,实现产品设计固化、生产流程固化后,为客户提供
MEMS产品的批量代工生产服务。



MEMS工艺开发过程示意图 MEMS晶圆制造基本工艺步骤 数据来源:赛微电子
(3)在建晶圆厂或产线情况
截至报告期末,公司瑞典 FAB1&FAB2出于业务需要,通过添购关键设备继续提升现有产线的整体产能;公司北京FAB3在继续推进一期规模产能(1万片/月)爬坡的同时,继续开展二期规模产能(2万片/月)的建设。其中,北京 FAB3
已实现硅麦克风、电子烟开关的量产,正在进行小批量试产 BAW滤波器,同时对于加速度计、气体、振镜、微流控、压力、
微扬声器、硅光子、光刻机透镜部件等MEMS器件,正积极从工艺开发向验证、试产、量产阶段推进。

报告期内,公司参股子公司聚能国际仍在推进 GaN芯片制造产线一期产能(5000片/月)的建设。

(三)宏观需求分析
1、MEMS行业:
全球传感器行业市场规模达数千亿美元,而基于 MEMS工艺批量生产的传感器件凭借其功耗低、体积小、性能出色等
特点可以在各个行业和领域应用并逐步对传统传感器件进行替代。预计未来随着 MEMS产品应用领域的不断延伸,其市场
规模将迅速扩大。在移动终端上,硅麦克风、惯性传感器已被广泛采用,且耗用量仍在不断上升;另外,随着 MEMS产品
在医疗设备、工业设备、汽车电子、消费类电子等领域应用的推广和普及,市场对超声、压力、微针、芯片实验室、红外、
硅光子、射频前端、振镜、超声波换能、气体等 MEMS器件的需求也在迅速提升;此外,物联网、可穿戴等创新设备对器
件形态便捷化、微型化需求也将成为推动 MEMS发展的新力量。

MEMS器件目前被广泛应用于消费电子、汽车电子、工业与通讯、生物与医疗等行业。受益于 5G通信、人工智能、移动互联网(智慧城市、智慧医疗、智慧安防)、光电通信、自动工业控制等市场的高速成长,MEMS行业发展势头强劲。

根据 Yole Development的研究预测,全球 MEMS行业市场规模将从 2021年的 136亿美元增长至 2027年的约 223亿美元,
CAGR达 9%,通讯、生物医疗、工业汽车及消费电子的应用增速均非常可观,其中通讯领域的复合增长率高达 25%。预计
到 2026年,10亿美元以上的 MEMS细分领域包括射频 MEMS(40.49亿美元)、MEMS惯性器件(40.02亿美元)、压力
MEMS(23.62亿美元)、麦克风(18.71亿美元)以及未来应用(13.63亿美元)。

2、GaN行业:
近年来,随着物联网、云计算、人工智能、新能源汽车等领域的高速发展,对电能的消耗急剧增加,要求功率电子系
统具有更高的能量转换效率以及更小的体积;同时,随着 5G通信时代的来临,要求更快的数据传输速度、更低的传输延
迟、更高的数据密度和增强高速应用等。而 GaN由于具有特殊的材料压电效应,具备高频、高功率特性,在功率及微波领
域均拥有巨大的需求潜力。根据 Yole Development的研究预测,2022年 GaN功率器件市场规模将达到 4.5亿美元,2019至
2022年的年复合增长率将高达 91%;至 2023年,GaN微波器件市场规模将达到 13.2亿美元,2017至 2023年的年复合增长
率可达 22.9%。

(四)国内外主要行业公司
1、MEMS业务:
MEMS芯片制造处于产业链的中游,该行业根据设计环节的需求开发各类 MEMS芯片的工艺制程并实现规模生产,兼具资金密集型、技术密集型和智力密集型的特征,对企业资金实力、研发投入、技术积累等均提出了极高要求。经历汽车
电子、消费电子、物联网三次发展浪潮,MEMS芯片制造行业已形成较为稳定的市场竞争格局,瑞典 Silex、TELEDYNE
MEMS、台积电(TSMC)、X-FAB、索尼(SONY)、意法半导体(STMicroelectronics)长期保持在全球 MEMS代工第一梯
队,合计占据着超过 65%的市场份额。截至目前,公司控股子公司赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司在北京投资建设的
规模量产线“8英寸 MEMS国际代工线”已投入运营,此外国内正在建设运营 MEMS代工线的公司主要有绍兴中芯集成电路
制造股份有限公司、上海先进半导体制造股份有限公司、无锡华润上华科技有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、
杭州士兰微电子股份有限公司等。

2、GaN业务:
第三代半导体材料及器件是全球战略竞争的新领域,美国、日本、欧洲正在积极进行战略部署,我国也正在积极推进。

GaN业务是目前集成电路产业中不多的不存在显著代差的领域,且国内市场拥有巨大的需求及进口替代潜力。目前主要的
GaN功率器件厂商有英飞凌(Infeneon)、GaN systems、纳微(Navitas)、宜普(EPC)、德州仪器(TI)、Transphorm、
Exagan等;主要的 GaN微波器件厂商有科锐(Cree)、Qorvo、Macom、NXP、住友(Sumitomo)等;主要的外延材料厂商
有日本住友、日本信越、富士电机、台湾汉磊等。截至目前,国内从事 GaN外延材料以及功率、微波器件业务的厂商主要
有苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、英诺赛科(珠海)科技有限公司等。

(五)发展战略及经营计划
1、MEMS业务:
公司的长期发展战略为:由于当前国际局势紧张及日趋复杂化,经济全球化与国际产业链分工协作面临着可能的挑战,
公司同时在境内外布局建立兼具“工艺开发”与“晶圆制造”功能的代工服务体系,继续满足差异化的全球市场需求。

公司当前的经营计划为:继续推动旗下 MEMS业务资源的融合,由赛莱克斯国际统筹公司 MEMS业务资源;北京 8英
产能,有利于公司进一步拓展全球市场尤其是亚洲市场,结合先进工艺与规模产能,更好地为下游客户服务;同时积极推
动境内外产线的产能及良率爬坡,继续扩大公司 MEMS业务的竞争优势,继续保持在 MEMS纯代工领域的全球领先地位。

2、GaN业务:
积极把握第三代半导体产业发展及国产替代的发展机遇,加快 GaN外延材料的研发,在已形成产品序列并推向市场的
情况下,继续推动外延材料生长工艺的成熟化和批量化;加快 GaN功率及微波器件的研发及应用方案开发,已形成产品序
列并推向市场的情况下,进一步保障产能与供应链稳定,以更好地服务客户需求。

(六)报告期内的新产品或新工艺
1、MEMS业务:继续投入研发,继续升级硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)、晶圆键合、深反应离子刻蚀等多项工艺
技术和工艺模块,持续研发硅麦克风、惯性、射频滤波器、射频谐振器、微振镜、超声波换能器、微流控、气体、红外、
硅光子等各型/新型 MEMS器件的生产制造工艺,一方面为持续提高产线技术水平,满足不断新增的 MEMS工艺开发及晶
圆制造需求;另一方面基础及专项工艺技术的积累也将有利于北京 8英寸 MEMS产线扩大服务产品品类、推进产能及良率
爬坡。截至目前,该等工艺开发升级活动仍在持续进行中,将随着业务规模的增长不断应用并成熟,最终将有利于加强公
司在 MEMS代工领域的国际领先竞争力。

2、GaN业务:继续投入研发,推动 6-8英寸 GaN外延材料生长工艺的成熟迭代;推动 GaN功率及微波器件产品及应
用方案的开发,包括650V功率芯片、高频功率器件等。截至目前,该等工艺、产品开发活动仍在持续进行中,且部分已通
过客户验证并推向市场,部分继续推进客户验证及市场检验,最终将有利于公司 GaN业务的进一步发展,把握 GaN产业的
发展机遇。

二、核心竞争力分析
报告期内,公司持续进行技术创新和市场拓展,加大研发投入,核心竞争力得到进一步提升和扩大,主要表现在如下方
面:
1、突出的全球竞争优势
公司 MEMS、GaN业务均直接参与全球竞争且具备突出的竞争优势,其中公司 MEMS业务发展积累超 20年,拥有世界先进的纯 MEMS代工工艺及正在扩张的代工产能,在 2019-2021年全球 MEMS纯代工厂商排名中Silex连续三年位居第
一。公司拥有业内领先的 GaN技术团队,长期从事宽禁带化合物半导体材料与芯片的设计、制造、测试和应用技术研究及
产业化工作,直接与全球一线厂商进行竞争。

2、自主创新及研发优势
公司坚持自主创新战略,公司研发团队围绕 MEMS、GaN业务的关键技术进行了深入系统研究,自主研发并掌握了相
关工艺核心技术及相关产品的软硬件设计核心技术,不断扩大自主创新及技术研发成果。截至本报告期末,公司拥有各项
国际/国内软件著作权 98项,各项国际/国内专利 166项,正在申请的国际/国内专利 65项(集成电路相关商标、软著及专利
明细列表详见本节“四、主营业务分析”之“研发投入情况”)。凭借技术研发经验和人才优势,公司具备承担重要科研
项目的能力,在 MEMS工艺开发、晶圆制造等领域均积累了超过 20年的丰富研发经验,在 GaN等领域也正在依托成熟技
术团队迅速积累创新及研发能力。

3、高端人才优势
公司 MEMS、GaN业务所属行业均为国家鼓励发展的高新技术产业及战略新兴产业,专业的技术团队以及具有丰富从
业经验、对行业有深刻理解的管理层是企业可持续发展的保障。公司 MEMS、GaN业务均拥有业界一流的专家与工程师团
队,其中包括多名国家特聘专家、十数名国际国内行业知名技术专家、数十名来自著名半导体企业和高校科研院所的技术
团队以及专家顾问团队。截至本报告期末,公司拥有博士 40名,硕士 193名,合计占公司总人数的 27.48%;公司研发及技
术人员合计 356人,占公司总人数的 41.98%。在 MEMS领域,公司核心技术团队均是资深专业人士,服务公司多年且经验
丰富,CEO、首席技术专家和核心产品组经理从业时间均超过 10年;在 GaN领域,公司核心技术团队从业经验丰富,具
备把握市场机遇、推动产品落地及产业化的能力。

4、先进制造、工艺技术及项目经验优势
在 MEMS方面,公司掌握了硅通孔、晶圆键合、深反应离子刻蚀等多项在业内具备国际领先竞争力的工艺技术和工艺
模块。Silex拥有目前业界最先进的硅通孔绝缘层工艺平台(TSI),通过 MEMS技术在硅晶片上形成电介质隔离区域,利
用 DRIE实现刻蚀高宽比和垂直侧壁,在硅片中形成沟槽并延伸贯通整个硅片,经过 TSI处理后的晶圆将单晶硅用高质量的
绝缘沟槽进行隔离。截至目前,公司在 MEMS领域已有 10年以上的量产历史、生产过超过数十万片晶圆、100多种不同的
产品,技术可以推广移植到 2.5D和 3D圆片级先进封装平台。

公司在经营期内参与了 400余项 MEMS工艺开发项目,与下游客户开展广泛合作,代工生产了包括微镜、光开关、片
上实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种 MEMS产品。长期实
践中,公司严格按照新产品导入流程(NPI)进行项目管理,在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理;公司
团队自主开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制,形成了一套行之有效的 MEMS代工厂运营
管理办法。

5、境内外业务“双循环”体系优势
MEMS属于集成电路行业中的特色工艺,公司 MEMS业务经营采用“工艺开发+晶圆制造”的模式。由于当前国际局势
紧张及日趋复杂化,经济全球化与国际产业链分工协作面临着可能的挑战,2021年 10月公司瑞典子公司向中国子公司提供
MEMS生产制造技术支持的许可被瑞典战略产品检验局(the Swedish Inspectorate of Strategic Products,简称为 ISP)否决。

虽然公司当前MEMS业务仍面向全球市场,但为应对未来可能的不利挑战,公司正同时在境内外布局兼具“工艺开发”与“晶
圆制造”功能的代工服务体系。

在中国境外,基于瑞典 Silex成熟的中试线,公司积极扩充瑞典产线,同时正计划通过收购 Elmos位于德国的汽车芯片
制造产线,迅速扩充可兼容 MEMS的规模产能,大幅提高境外规模量产能力。在中国境内,依托于已建成的北京 FAB3,
一方面继续扩充产能、规划面向未来需求的规模量产线;另一方面规划在中国境内建设独立自主的 MEMS 中试线,通过提
供工艺开发及小批量代工服务,为境内 MEMS规模量产线储备并导入相应的客户及产品,最终同时提高境内的工艺开发及
规模量产能力。同时公司 GaN业务也正在致力于逐步建设从基础技术、知识产权、核心团队到股权架构、供应体系各方面
均能实现自主可控的“全本土化”产业链生态。

6、正在逐步建立的一体化服务优势
相对于 IC(Integrated Circuit,集成电路,一种微型电子器件或部件)产品的封装测试,MEMS的封装测试面对的是一个
需要与外界环境进行交互的器件或系统,在专用性、复杂性、保护性及可靠性等多方面存在其独特性,整体而言更为复杂
且难度更高,MEMS封装测试也因此具有更高的附加值。公司当前已具备先进封装的核心发展要素,掌握 TSV(硅通孔)
等三维堆叠(包括 Chiplet)系统集成所必须的首要工艺,拥有目前业界领先的 TSV绝缘层工艺和制造平台;公司拥有庞
大且不断增长 MEMS客户基础,具备拓展 MEMS封装测试业务的技术研发实力及一定的技术、人员储备。因此,出于
MEMS产业发展趋势以及自身发展战略需要,依托公司在 MEMS代工制造领域的全球领先竞争优势,公司正积极在 MEMS
产业链向下游进行延伸拓展,公司拟建设 MEMS先进封装测试能力,面向硅麦克风、压力、惯性、光学、RF、生物医疗等
MEMS器件提供先进集成封装、测试服务,在市场需求增长的背景下,充分利用业务间的高度相关性与紧密性,逐步建立
从工艺开发到晶圆制造再到封装测试的一体化服务能力。

7、专业资质优势
由于性能及工艺的独特性,MEMS产品的工艺开发周期较长,视产品结构、技术要求及材料应用的不同,开发期间从
数月至数年不等,期间代工厂商需要与客户持续交互反馈,客户的粘性及厂商转换成本均非常高,公司 MEMS业务主要服
务全球各领域巨头客户,公司瑞典 FAB1&FAB2产线满足该等厂商对供应商的苛刻资质认证要求,且有利于将已有的资质
优势拓展至新的生产平台。公司北京 FAB3产线正在结合业务需要推进各项管理系统的认证,包括 ISO9001、ISO14001、
ISO45001、ISO27001、IATF16949、QC08000等。与此同时,公司 GaN业务起点较高,自相关业务子公司设立之日起便重
视资质认证工作,拥有完整的环境、安全、特殊原材料、进出口资质和 ISO认证。

8、优质客户资源优势
在 MEMS领域,从北美科技之都到英伦学术重镇,从欧洲制造强国到亚洲新兴经济,从尖端生命科学到日常娱乐消费,
从成熟行业巨头到创新创意团队,公司 MEMS客户遍布全球,产品覆盖了通讯、生物医疗、工业科学、消费电子等诸多领
域,尤为特别的是,公司作为同时具备先进工艺开发能力的纯 MEMS代工企业,在服务巨头企业的同时,一直耐心陪伴众
多创业型团队或公司,并且通过多年的相互紧密协作,不断有各领域的新兴公司陆续从工艺开发阶段向批量生产甚至规模
量产阶段切换,且受全球 MEMS应用的持续增长,该等细分领域客户的发展往往具有爆发性,能够为公司 MEMS业务的
持续发展提供巨大的发展潜力,该等客户包括国际知名的 DNA/RNA 测序仪、光刻机、元宇宙、计算机网络及系统、硅光
子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头厂商以及细分行业的领先企业。在 GaN领域,公司已成为全球
GaN功率器件及 PD快充领域的头部供应商之一,服务下游知名消费类、工业级客户。

三、报告期经营情况概述
一、整体经营情况
报告期内,公司半导体业务保持良好发展状态,尤其主营业务 MEMS(微机电系统)工艺开发与晶圆制造具备全球竞争
优势,拥有业内顶级专家与工程师团队以及持续扩张的 8英寸成熟产能,较好地把握了下游生物医疗、通讯、工业汽车、
消费电子等应用领域的市场机遇;其中瑞典 MEMS产线的订单、生产与销售状况良好,在 COVID-19疫情全球持续、国际地
缘政治冲突的背景下,在本报告期内继续实现了业务增长,保持了良好的盈利能力(但由于瑞典克朗与人民币之间的汇率
波动,导致瑞典 MEMS产线实现的收入及利润按人民币折算的呈现结果为下降)。北京 FAB3本报告期实现业务收入,但由
于产线仍处于运营初期,代工晶圆中已实现量产的品类较少,大部分仍处于工艺开发、产品验证或风险试产阶段,产能爬
坡较为缓慢,收入规模较小。由于客观上继续面临较大的折旧摊销压力,工厂运转及人员费用持续增长,叠加COVID-19疫
情等外部因素,北京 MEMS产线发生较大亏损,最终导致本报告期 MEMS业务发生亏损。公司为把握市场机遇,继续增加半
导体业务的资本投入和人员招聘,保障核心业务 MEMS和潜力业务 GaN(氮化镓)的持续投入,本报告期内相关管理费用大
幅增长,研发费用继续处于较高投入水平。另外,公司出售了部分参股子公司的股权,投资参与的半导体产业基金等处于
回报期,综合贡献了投资收益。

报告期内,公司实现营业收入37,743.18万元,较上年同期下降4.41%;实现营业利润-3,993.24万元,较上年同期大
幅下降 150.48%;实现利润总额-4,018.21万元,较上年同期大幅下降 150.79%;实现净利润-3,580.68万元,较上年同期
大幅下降176.50%;实现归属于上市公司股东的净利润829.87万元,较上年同期大幅下降88.48%;归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益的净利润-6,188.05万元,较上年同期大幅下降 1,027.03%。报告期内,公司基本每股收益 0.0114元,
较上年同期下降 89.92%;加权平均净资产收益率 0.16%,较上年同期下降 2.21%(绝对数值变动),主要是由于归属于上
市公司股东的净利润同比下降88.48%。本报告期末,公司总资产671,290.29万元,较期初下降7.28%;归属于上市公司股
东的所有者权益 500,514.49万元,股本 733,289,072.00元,归属于上市公司股东的每股净资产 6.83元,较期初基本持
平。

此外,在非经常性损益方面,因公司报告期内出售部分参股公司股权、产业基金继续提供回报,公司合计取得长期股
权投资处置收益7,809.78万元;公司主营业务活动陆续取得系列政府补助,其中部分补助在本报告期内补偿了部分相关成
本费用或损失,公司取得补助收益459.51万元。

二、各主要业务情况
(一)MEMS业务保持发展韧性
报告期内,公司 MEMS业务体现了较为充分的发展韧性。一方面,在欧洲普遍不再针对 COVID-19疫情采取主动措施、
突发俄罗斯-乌克兰战争的背景下,瑞典 FAB1&FAB2产线仍按计划推动新增产能的磨合,持续调试产线以实现成熟运转,
在2022年上半年继续实现了收入及利润的增长(瑞典克朗口径),且继续为下一步的业务增长奠定产能及工艺基础;另一
方面,北京 FAB3产线持续加大研发投入,自主积累基础工艺,积极探索各类 MEMS器件的生产诀窍,但由于在报告期进入
量产的品类较少,因此仅实现收入3,643.92万元,基于目前已覆盖的客户及产品类型,随着后续进入试产及量产阶段的产
品品类增加,北京FAB3产线具备充足的发展潜力。

报告期内,公司MEMS业务整体继续保持高水平发展质量,2022年上半年实现收入35,763.41万元,较上年下降0.96%,
其中,MEMS晶圆制造实现收入18,621.64万元,较上年下降26.93%,MEMS工艺开发实现收入17,141.77万元,较上年增长
61.36%,上述变化的主要原因是:基于公司旗下不同中试线及量产线的定位,即瑞典 FAB1&FAB2属于中试线+小批量生产
线,北京FAB3和德国FAB5(若该收购能够获批完成)均属于规模量产线,瑞典FAB1&FAB2产线在新增产能磨合释放前,
突出的竞争优势及业务重点在于工艺开发业务,且工艺开发业务具有前置导入属性,需要基于瑞典产线及德国产线的新增
产能做好更多储备。与此同时,由于北京FAB3仍处于运营初期,营收规模体量仍较小,且现阶段工艺开发业务的比重高于
晶圆制造业务。因此,本报告期公司MEMS业务呈现晶圆制造业务收入下降、工艺开发业务收入大幅增长的状态。当然,假
设相比去年同期剔除本报告期瑞典克朗与人民币之间的汇率波动影响,本报告期MEMS晶圆制造业务的收入降幅将显著收窄
至下降17.19%,MEMS工艺开发业务的收入增幅将进一步扩大至增长81.96%。

报告期内容,公司MEMS业务的综合毛利率为33.24%,较上年下降13.95%,其中MEMS工艺开发毛利率为51.70%,较上
年下降 29.15%(绝对数值变动),MEMS晶圆制造毛利率为 16.24%,较上年下降 16.92%(绝对数值变动),上述变化的主
要原因是:(1)本报告期MEMS业务收入(以人民币计算)整体与去年同期基本持平(其中MEMS晶圆制造业务收入显著下
降,MEMS工艺开发业务收入显著增长);(2)本报告期MEMS业务成本较上年同期上升25.21%,共同影响因素包括:欧洲
供应链紧张程度加剧、欧元区通货膨胀高企,推高了原材料及人员成本,直接材料成本上升 6.22%;集团 2021年限制性股
票激励向境内外业务单元倾斜(超过70%;其中MEMS业务在本报告期分摊的股权激励成本费用为2,918.32万元),带来额
外的人工成本增加,共同导致直接人工成本大幅上升68.32%;瑞典及北京MEMS产线均持续添购设备,本报告期MEMS业务
端分摊的折旧规模达3,464.26万元,较上年同期增长了32.80%,导致制造费用上升14.23%;(3)随着公司境内外产能的
进一步扩充,公司重视并持续开拓北美地区及中国境内潜力产品的战略性客户,在客户导入的不同阶段,销售策略作出一
些调整,北美地区及中国境内在本报告期的毛利率均显著下降,尤其是中国境内下降了 41.28%,拉低了整体毛利率水平;
(4)北京FAB3仍处于运营初期,实现收入规模较小,但折旧摊销压力巨大,工厂运转及人员费用大幅上升,其MEMS业务
的综合毛利率为 5.48%,远低于瑞典产线,拉低了整体毛利率水平;(6)对于 MEMS晶圆制造业务,由于原材料、人工、
折旧等大额支出在收入中的占比扩大,以及境内外产线在晶圆制造方面的规模效应均未得到释放,最终导致了毛利率的大
幅下降;(7)对于MEMS工艺开发业务,基于集团在当前阶段对MEMS工艺开发业务的侧重,各项投入激增,突出战略性考
量,也最终呈现为毛利率的大幅下降。

报告期内,得益于MEMS应用市场的高景气度,并基于持续扩充的瑞典产线及北京产线,公司积极开拓全球市场,并积
极承接生物医疗、通讯、工业汽车、消费电子等领域厂商的工艺开发及晶圆制造订单,继续服务全球DNA/RNA 测序仪、光
刻机、元宇宙、计算机网络及系统、硅光子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头厂商以及细分行业的领
先企业。

报告期内,公司瑞典 FAB1&FAB2升级改造完成后的产能逐步磨合,其自身的 MEMS工艺开发及晶圆制造业务的保障能
力均得到加强;公司北京FAB3持续扩大覆盖不同的产品及客户,积极推进产能及良率爬坡,并进一步扩充产能。随着瑞典
产线产能利用率的恢复提升,北京产线整体运营状态的持续提升,以及公司正在推进的其他产线布局,公司境内外同时拥
有不同定位的合格产能,不同产线在产能、市场等方面的协同互补将有力保证公司继续保持纯MEMS代工的全球领先地位。

(二)GaN业务持续布局投入
报告期内,公司GaN业务积极推进,在GaN外延材料方面,公司基于自身掌握的业界领先的 8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基 GaN外延生长技术,积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、芯片设计公司以及高校、科
研机构等的合作并进行交互验证,开始签订GaN外延晶圆的批量销售合同并陆续交付;在GaN芯片方面,公司已陆续研发、
推出不同规格的功率芯片产品及应用方案,已推出数款 GaN功率芯片产品并进入小批量试产,与知名电源、家电及通讯企
业展开合作,进行芯片系统级验证和测试,开始签订 GaN芯片的批量销售合同并陆续交付,并寻求长期稳定的产业链合作
伙伴。

报告期内,公司持续布局 GaN产业链,以参股方式建设 GaN芯片制造产线,积极推动技术、工艺、产品积累,以满足
下一代功率与微波电子芯片对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性 GaN外延材料以及 GaN芯片的需求,努力为 5G通
讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心部件的材料保障及芯片配套。

(三)原有业务剥离
近年来,公司剥离了全部航空电子业务以及大部分导航业务,公司自2022年第二季度起不再从事惯性导航业务。

(四)研发情况
公司一直重视技术和产品的研发投入,包括人才的培养引进及资源的优先保障。公司MEMS及GaN业务均属于国家鼓励
发展的高技术产业和战略性新兴产业,需要公司进行重点、持续的研发投入。近年来,公司一直保持着较高的研发投入水
平和强度,2019-2021年,公司研发费用分别达 1.10亿元、1.95亿元、2.66亿元,占营业收入的比重分别为 15.39%、
25.54%、28.69%。报告期内,结合半导体业务长远发展的需要,公司大力推进 MEMS工艺开发技术、MEMS晶圆制造技术、
GaN材料生长工艺技术、GaN器件及应用设计技术等的研发,2022上半年共计投入研发费用13,908.94 万元,占营业收入
的 36.85%,研发投入规模和强度呈现出极高的水平。具体详见本节“四、主营业务分析”之“研发投入情况”的相关内容。

(五)投融资情况
报告期内,为更好地服务于主业发展,公司根据长期发展战略继续积极开展投融资活动:(1)业务剥离方面,延续发
展战略重大调整、资源聚焦半导体业务的需要,公司继续剥离剩余部分导航业务;(2)股权调整方面,积极推动重点业务
子公司的架构调整及股权融资、转让所持中科昊芯股权;(3)新增投资方面,根据发展需要投资参股依迈微、青岛展诚;
(4)产业基金方面,公司继续跟踪半导体产业基金、北斗产业基金的投资与投后情况,继续关注赛微私募基金的运行情况;
(5)融资租赁方面,瑞典Silex与赛莱克斯北京继续执行相关融资租赁交易。

报告期内,公司共实现投资收益合计 7,400.33万元,其中处置长期股权投资的投资收益 7,809.78万元,权益法核算
的长期股权投资-409.44万元。具体明细如下:
单位:万元

投资收益总额7,400.33
投资处置收益7,809.78
其中: 
北京中科昊芯科技有限公司6,191.94
北京耐威时代科技有限公司1,209.52
青岛海丝民合半导体投资中心(有限合伙)408.32
持有股权收益-409.44
其中: 
湖北北斗产业创业投资基金合伙企业(有限合伙)51.02
广州联星科技有限公司-14.94
北京思丰可科技有限公司-17.57
北京赛微私募基金管理有限公司-89.78
武汉光谷信息技术股份有限公司-338.16
(六)整体发展战略
自成立以来,公司以传感终端应用为起点,通过内生发展及外延并购成功将业务向产业链上游延伸拓展,且MEMS工艺
开发及晶圆制造已成为公司的主要业务。基于对MEMS与GaN产业发展前景的判断,且受囿于复杂的国际政治经济环境,公
司对长期发展战略作出重大调整,陆续剥离非半导体业务,集中资源,形成以半导体为核心的业务格局,MEMS、GaN成为(未完)
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