[中报]芯导科技(688230):2022年半年度报告

时间:2022年08月26日 20:51:58 中财网

原标题:芯导科技:2022年半年度报告

公司代码:688230 公司简称:芯导科技 上海芯导电子科技股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”部分内容。


三、公司全体董事出席董事会会议。


四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人(会计主管人员)张娟声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ................................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标................................................................................................................ 6
第三节 管理层讨论与分析 ......................................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ......................................................................................................................................... 31
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................................. 33
第六节 重要事项 ......................................................................................................................................... 35
第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................................... 51
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................................. 58
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................................. 59
第十节 财务报告 ......................................................................................................................................... 60



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表
 经公司负责人签名的公司 2022年半年度报告文本原件
 报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及 公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
芯导科技、公司、本公司上海芯导电子科技股份有限公司
莘导企管上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管上海萃慧企业管理服务中心(有限合伙)
中国证监会、证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度2022年 1月 1日-2022年 6月 30日
报告期末、本报告期末2022年 6月 30日
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品广义的半导体、电子元器件产品,包括集成电路 芯片和其他电子元器件产品。
集成电路、ICIntegrated Circuit即集成电路,是采用半导体制 作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶 体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布 线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电 子电路。
功率半导体对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理 的半导体器件。
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、 封装、测试后的结果。
TVSTransient Voltage Suppresser,即瞬态电压抑制器, 是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具 有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌 吸收能力,可用于保护设备或电路免受静电、电 感性负载切换时产生的瞬变电压,以及感应雷所 产生的过电压。
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transist or,即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金 氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电 路与数字电路的场效晶体管(Field-effecttransist or),依照其“通道”的极性不同,可分为 N-type与 P-type的 MOSFET。
GaN HEMTGaN(氮化镓) HEMT即 High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于新 一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。与 普通的半导体材料硅相比,具有更优异的物理性 能。
肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极 管(简称 SBD),在通信电源、变频器等中比较 常见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础 的二极管芯片,具有反向恢复时间极短(可以小 到几纳秒),正向导通压降更低(仅 0.4V左右) 的特点。
ESD静电保护二极管,是用来避免电子设备中的敏感
  电路受到静电放电影响的器件。
TMBSTrench MOS Barrier Schottky Diode,沟槽 MOS 型肖特基势垒二极管。
DC-DC在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个 电压值的电能的转换电路,也称为直流转换电 源。
IDMIntegrated Design and Manufacture,垂直整合制造 模式。
Fabless无晶圆厂集成电路设计企业,只从事集成电路研 发和销售,而将晶圆制造、封装和测试环节分别 委托给专业厂商完成;也代指此种商业模式。
晶圆硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形 状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作 成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之 IC产品。
封装把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头 处,以便于其它器件连接。
测试把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功 能的确认,以保证半导体元件符合系统的需求。
平面(Planar)工艺平面工艺,是 MOSFET产品常见的一种生产工 艺。
沟槽(Trench)工艺沟槽工艺,通常可以进一步提高 MOSFET产品 的沟道密度,减小芯片尺寸,降低导通电阻,拥 有更低的导通电阻和栅漏电荷密度。
PSCPrisemi Switch Charger,指芯导科技开关充电产 品。
PBPower Bank,移动电源的电源管理。
ODMOriginal Design Manufactuce,原始设计制造商。 它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期 维护的全部服务,客户只需向 ODM服务商提出 产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思, ODM服务商就可以将产品从设想变为现实。
NPN半导体工艺中,通过参杂实现的 N型+P型+N型 三种结构层,用来实现器件的特殊的功能。
EOS电气过应力,这里指大功率的瞬态电压电流的失 效
E-MODE增强型氮化镓器件,是一种常关型的器件。随之 对应的 D-MODE指耗尽型氮化镓器件,一种常 开型器件。

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称上海芯导电子科技股份有限公司
公司的中文简称芯导科技
公司的外文名称Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Prisemi
公司的法定代表人欧新华
公司注册地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号; 上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄 54号(D幢)10-11层
公司办公地址的邮政编码201210;201203
公司网址http://www.prisemi.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引详见公司于2022年8月18日在上海证券交易所网站 (www.sse.com.cn)披露的公告

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名兰芳云闵雨琦
联系地址上海市浦东新区张江集成电路设计产业 园盛夏路565弄54号(D幢)11层上海市浦东新区张江集成电路设计产 业园盛夏路565弄54号(D幢)11层
电话021-60753051021-60753051
传真021-60870156021-60870156
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报(www.cnstock.com)、中国证券报( www.cs.com.cn)、证券时报(www.stcn.com)、证券 日报(www.zqrb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引详见公司于2022年8月18日在上海证券交易所网站( www.sse.com.cn)披露的公告

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板芯导科技688230不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入186,612,728.32263,397,486.22-29.15
归属于上市公司股东的净利润68,580,464.4063,612,347.207.81
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润43,638,398.9461,901,816.51-29.50
经营活动产生的现金流量净额40,035,486.5649,966,925.50-19.88
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产2,120,235,129.822,087,654,665.421.56
总资产2,176,624,376.772,148,226,007.941.32

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同期增 减(%)
基本每股收益(元/股)0.821.01-18.81
稀释每股收益(元/股)0.821.01-18.81
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.520.99-47.47
加权平均净资产收益率(%)3.2336.47减少33.24个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)2.0635.48减少33.42个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)8.935.48增加3.45个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现销售收入 18,661.27万元,较上年同期减少 29.15%;实现归属于上市公司股东的净利润 6,858.05万元,较上年同期增长 7.81%;本期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 4,363.84万元,较上年同期减少 29.50%。

报告期内,由于受到全球疫情扩散、地缘政治形势及通货膨胀等因素的叠加影响,以智能手机为代表的消费电子领域市场规模受到了一定的冲击。根据 CINNO Research数据,2022年上半年中国市场智能机的销量约为 1.34亿部,同比下降 16.9%;终端销量的下滑也让下游客户在备货策略上更为保守,新产品的推出时间也存在一定的延迟。报告期内,上述因素给公司各业务带来了一定的影响,导致公司营业收入和归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润相比去年同期下降;报告期内公司以暂时闲置资金进行现金管理,导致公司的净利润相比去年同期增长。

经中国证券监督管理委员会《关于同意上海芯导电子科技股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》(证监许可[2021]3364号)的批准,公司 2021年 12月于上海证券交易所向社会公众公开发行人民币普通股(A股) 15,000,000.00股,同时,报告期内,公司实施 2021年年度利润分配及转增股本方案,转增 24,000,000股,相比去年同期,股本和净资产增加,导致每股收益和加权平均净资产相比去年同期下降。

截至 2022年 6月 30日,公司总资产 217,662.44万元,同比增长 1.32%;归属于上市公司股东的净资产 212,023.51万元,同比增长 1.56%;
公司根据市场发展趋势、下游客户需求,有计划、有步骤地进行技术开发和创新,扩展现有产品系列,加强对现有产品的更新迭代,保证公司产品的竞争优势和可持续发展。公司的第三代半导体 650V GaN HEMT产品已经在多客户的项目中测试和验证,配合公司第三代半导体 650V GaN HEMT器件的高整合度驱动器芯片已处于客户端测试阶段。报告期内,公司研发投入占营业收入的比例同比增加 3.45个百分点,主要为公司研发人员增加致职工薪酬增长;新品测试开发费增加。


七、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益  
越权审批,或无正式批准文件,或偶发 性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与公司正 常经营业务密切相关,符合国家政策规 定、按照一定标准定额或定量持续享受 的政府补助除外19,038.32 
计入当期损益的对非金融企业收取的资 金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合营企业 的投资成本小于取得投资时应享有被投 资单位可辨认净资产公允价值产生的收 益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而计 提的各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支出、整 合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的超过公 允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初 至合并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产 生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有效套期 保值业务外,持有交易性金融资产、衍 生金融资产、交易性金融负债、衍生金 融负债产生的公允价值变动损益,以及 处置交易性金融资产、衍生金融资产、 交易性金融负债、衍生金融负债和其他 债权投资取得的投资收益27,735,302.80 
单独进行减值测试的应收款项、合同资 产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资 性房地产公允价值变动产生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的要求对 当期损益进行一次性调整对当期损益的 影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支 出-106,819.06 
其他符合非经常性损益定义的损益项目65,884.01代扣代缴个人所得税手 续费返还
减:所得税影响额2,771,340.61 
少数股东权益影响额(税后)  
合计24,942,065.46 

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

八、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业情况
1、行业发展情况
公司所处行业属于集成电路设计行业。根据国家统计局 2017年修订的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据证监会《上市公司行业分类指引(2012年修订)》的行业划分,公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)”。

半导体产业是全球性产业,全球产业景气度是中国半导体产业发展的大前提,但中国半导体产业的内生力更值得关注。半导体行业发源于欧美,日韩及中国台湾在产业转移中亦建立了先进的半导体工业体系。中国半导体起步晚,但近年来,国家高度重视半导体行业的发展,不断出台多项鼓励政策大力扶持包括功率半导体在内的半导体行业。随着国内大循环、国内国际双循环格局发展,国内功率半导体产品需求继续增加,国内功率半导体设计企业不断成长,未来发展空间巨大。

根据顾问机构 International Business Strategies(IBS)预测,到 2030年中国的半导体市场供应将达到 5,385亿美元。2020-2030年中国市场的半导体供应量来自中国本土企业的比例将逐渐上升,到 2030年将达到 39.8%。预计到 2030年,69%的消费量将来自中国本土公司,需求主要来自数据中心、消费电子、汽车、医疗等应用领域。

当前半导体产业正在发生深刻的变革,其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注,将成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域,相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功率密度大,可在高频情况下保持高效率水平工作,将有望被广泛运用于 5G通讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。

展望未来,国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十四五”规划和 2035年远景目标纲要提出要加快发展现代产业体系,坚持自主可控、安全高效,加快补齐基础元器件的瓶颈短板,半导体产业未来发展可期。

2、行业地位
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。


种降低芯片反向 、沟槽 MOS型 DC-DC电路、一 国内领先水平。 风险,同时优化 经正式发布具有 品较早开发成功 率 IC产品,具有 (ON Semicondu 代空间巨大。随着 一步释放,市场 半导体的研发与 消费类电子、网 要包括瞬态电压 垒二极管(SBD 各产品介绍如下:电流的技术、深 特基势垒二极管的 负载识别电路等核 种 GaN HEMT器 终端结构,使得 G 主专利技术的 GaN 国内企业。 高性能、低功耗、 tor)、商升特半导 消费类电子产品的 景广阔。 售,公司功率半导 通讯、安防、工业 制二极管(TVS) 、氮化镓(GaN H隔离及穿 改进技术、 心技术显著 制备技术, N HEMT产 HEMT产品 尺寸的特点 (Semtech 续更新发展 体产品包括 、汽车、储 金属-氧化 MT)等。 
产品图片主要功能应用领域 
 GaN功率器件可 以实现更小的导 通电阻和栅极电 荷。因此 GaN功 率器件作为开关 和驱动应用时, 特别适合于高频 应用场合,对提 升变换器的效率 和功率密度非常 有利。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业等领域 
ESD保 护器件 具有静电防护、 浪涌吸收等防过 电压功能,对电 源线、信号线、 输入输出端口等 进行保护。消费类电 子等领域
普通 TVS 吸收瞬间大电流, 将两端电压箝制 在一个预定的数 值上,从而对后 面的电路进行保 护。安防、网 络通讯、 工业等领 域
 把输入电压的变 化转化为输出电 流的变化,起到开 关或放大等作 用。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业等领域 
 在变频器、开关 电源、驱动电路 中用作检波、电 流整流。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业等领域 
IC IC产品主要为电源管 C-DC类电源转换芯片理 IC,具体包括单节锂 氮化镓驱动 IC等。池充电芯片 产品介绍如下 
产品图片主要功能应用 领域 
 用于电力电子领域 的能量转换开关及 控制。消费类电 子、网络通 讯、汽车等 领域 
 用于给锂电池充电, 并支持设备之间相 互充电。消费类电 子、安防等 领域 

   
 应用于电子产品的 电源输入口处,实现 过压保护、短路保 护、过温保护等功 能。消费类电 子、安防等 领域
 用于放大微弱的音 频信号,以驱动扬声 器发出音量合适的 声音;内置防止破 音功能。消费类电 子、网络通 讯、安防等 领域
 电压转换器,将一定 的直流电压升高或 降低至合适值,为设 备供电。消费类电 子、网络通 讯、安防、 工业等领域

2、主要经营模式
公司自设立以来一直采用 Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在 Fabless模式下,公司专注于功率半导体相关产品的设计,将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工,由外协厂商负责生产。

(1)产品研发模式
公司采用 Fabless经营模式,产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术,紧跟客户需求和市场变化趋势,打造自主研发的技术平台,并以此为基础,持续推进技术迭代,丰富产品种类和型号,拓展应用领域,从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。

(2)采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的 Fabless经营模式,专注于功率半导体产品的研发和销售环节,晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。

(3)销售模式
根据行业、产品及市场情况,公司主要采取“经销为主,直销为辅”的销售模式。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发,经过多年的技术积累和持续创新,在功率器件和功率 IC工艺设计方面积累了多项核心技术。

在功率器件方面:公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产构技术实现了 TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性,同时实现了产品封装的小型化,不但使产品在应用中减少了空间的占用,同时提升了浪涌防护能力,对产品的保护效果更加优异;MOSFET的沟槽优化技术实现了 MOSFET产品的低导通阻抗、低损耗特性,使产品在应用中大幅降低了功耗,减少了发热;沟槽 MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性,在使用过程中降低了产品功耗。

报告期内,公司积极布局第三代半导体 GaN HEMT,并在开发工作方面已取得显著成果,目前已经在多个客户的项目中进行产品验证。基于第三代半导体 GaN HEMT的核心技术已经开发成功,相关专利已经获得批准,为产品量产提供了保障。通过此项技术公司的 GaN HEMT产品将具备更好的参数性能,优化了终端结构,降低工艺开发过程引入的漏电风险,提升产品的良率及可靠性,从而降低成本,使产品更具有市场竞争力。同时,基于此项技术,公司开发建立了高压 P-GaN HEMT技术平台,为 GaN HEMT产品的系列化打下了坚实的基础。

在功率 IC方面:可连续调节占空比的环路控制技术使功率 IC产品更快速响应负载变化,可调输出电压范围更大;一种复合 DC-DC电路技术不需要额外补偿电路,可以使功率 IC产品具有负载响应快、精度高的优点;一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置,即可完成负载大小的识别,实现简单且高效。

报告期内,公司推出并量产的带路径管理充电新品,在主流软硬件兼容的基础上,突出了全面 EOS防护能力,配合公司的 TVS产品,可以轻松实现输入口和输出口+-450V的浪涌水平,在保持大电流精度的同时,小电流精度也大幅度优于主流水平;公司的保护 IC系列新品,在维持快速保护响应的同时,采用了小型化的封装,可以有效降低客户的布板空间;公司的负载开关 IC系列新品,在维持持续 6A负载能力的同时,将待机静态电流降低到远低于业界平均值的水平;全新一代直驱型 E-Mode氮化镓驱动 IC,传统的电源控制器可以直接进行驱动,无需配置复杂的电平转换电路,使得产品具有最佳的整合度,并具有更高的可靠性,降低了客户开发难度,利于产品快速推向市场产生效益。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
中华人民共和国工业和信息化部国家级专精特新“小巨人”企业2021年度/

2. 报告期内获得的研发成果
截至 2022年 6月 30日,公司现行有效专利累计 48项,其中发明专利 19项,另有集成电路布图设计专有权 40项,商标 5项。报告期内,公司获得新增授权专利 8项。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利834519
实用新型专利754529
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他104745
合计16813793

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入16,671,532.9914,434,506.0915.50
资本化研发投入00 
研发投入合计16,671,532.9914,434,506.0915.50
研发投入总额占营业收入 比例(%)8.935.48增加 3.45个百分点
研发投入资本化的比重(%)00 

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
本期研发费用较上年同期增长 15.50%,主要原因为报告期内公司研发人员增加致职工薪酬增加;新产品测试开发费增加。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投 资规模本期投入金 额累计投入金额进展或阶段 性成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
1双路摆率可调 的大电流电源 负载开关6000662.81量产阶段1.超低阻抗,18mΩ;2.低工作 电流 30uA;3.高精度、宽范围 摆率调整国内 领先主要用于笔记本电脑 内部主板电源状态切 换、USB端口限流保 护。
2带 1.5倍电荷 泵的 G类音频 功放1,150175.30844.60持续研发阶 段1.1W功率下 0.01%的超低谐波 失真;2.听筒与功放二合一模 式;3.各种安全保护机制。国内 领先主要应用于智能手 机、平板电脑扬声器 驱动
3650V Gan-on- si HEMT功率 器件500117.86416.41持续研发阶 段工作电压为 650V等;器件耐压 最高大于 800V;欧姆接触电阻 小于 1?*mm。国内 领先主要用于快充适配 器、电源等多种应 用。
4一种优化的低 正向压降沟槽 MOS结构肖 特基二极管15332.88124.08量产阶段采用 DFN0603-2L封装; [email protected], Ir<10uA@Vr=30V,trr=5纳秒 开发 40V耐压的产品,拓展为 多种封装形式。国内 领先主要用于手机、智能 平板电脑、TWS等便 携式、可穿戴式的消 费类电子产品、网络 通讯、安防、工业等 多种应用。
5大功率充电及 保护解决方案 项目1,500361.131,010.78持续研发阶 段1. 充电电流最高达 5A以上, 升压放电电流可到 2.4A。2. 端 口过压保护导通阻抗低至 60mΩ 以下。3. 高速保护响应时间。国内 领先主要用于 5G智能手 机、平板电脑充电系 统。
6一种超低钳位 电压的深槽结 构的 TVS产品 系列480165.38442.61持续研发阶 段工作电压 3.3V-48V;钳位电压 5V-60V;漏电流小于 1uA;封 装类型主要采用 DFN系列。国内 领先主要用于手机、智能 平板电脑、TWS等便 携式、可穿戴式的消 费类电子产品、网络 通讯、安防、工业等 多种应用。
7超低导通阻 抗、超低栅极 电荷的 MOSFET500309.98495.86持续研发阶 段需要布局采用 DFN SOT TO等 封装形式的系列产品;产品耐 压要涵盖 20-1000V范围; Rdson根据不同产品达到尽可能 小;Qg根据不同产品越小越 好。国内 领先主要用于手机、智能 平板电脑、TWS、PD 快充适配器等消费类 产品的充电端口保护 应用,以及锂电池保 护等多种应用。
8高性能数模混 合电源管理芯 片开发及产业 化5,709221.35242.83持续研发阶 段组合式快充技术,配合自主研 发快充协议芯片支持 PD3.0、 BC1.2,支持最大 8A大电流充 电,效率达 98%以国内 领先主要用于手机、氮化 镓快充充电器、平板 电脑、笔记本、电动 工具、IoT设备等多种 应用。
9高性能分立功 率器件开发和 升级-大功率高 性能的 TVS产 品1,91047.0847.08持续研发阶 段采用 CSP DFN SOD等等的小尺 寸封装,工作电压将覆盖 1V~48V,在非信号线端口上, 器件达到 Ippmax>50A Ippmax>150A Ippmax>300A等 不同等级的大 Ipp防护器件, 在信号线端口 Ippmax>15A, Ippmax>20A, Cj<0.3pF的深 回退产品。建议技术平台,并 基于此基础平台开发符合 AECQ101标准的汽车级产品。 逐步形成系列化产品。国内 领先主要用于手机、智能 平板电脑、TWS、 AR、VR等便携式、 可穿戴式的消费类电 子产品、5G网络通讯 设备、5G通讯终端设 备、物联网、AI人工 智能、智能安防、新 能源等多种应用。
10高性能分立功 率器件开发和 升级-超低导通 阻抗 超低栅 极电荷的 MOSFET3,19592.1492.14持续研发阶 段采用 CSP DFN SOD等小尺寸封 装,开发具有超低导通阻抗 超 低栅极电荷的中低压 MOSFET 产品,耐压在 20~150V Rdson<1mR@Vgs=10V Rdson<4mR@Vgs=4.5V的超小 封装尺寸的 Qg<100的 MOSFET产品,并逐步建立起 技术平台,开发符合 AECQ101国内 领先主要用于手机、智能 平板电脑、TWS、 AR、VR、PD快充适 配器等消费类产品, 以及 BMS锂电池管理 与保护、5G网络通讯 设备、5G通讯终端设 备、AI人工智能、智
      标准的汽车级产品,接下来, 逐步产品系列化。 能安防、新能源等多 种应用。
11硅基氮化镓高 电子迁移率功 率器件开发项 目4,010144.05152.48持续研发阶 段采用 p-GaN HEMT技术, DFN、TO、CSP、BGA等多种 封装, Vds为 40V~650V, Rdson做到尽可能小,阈值电压 为 1-2V,工作电压范围-10V至 7V。国内 领先主要用于 5G通讯设 备、快充电源、无线 充电等多种应用。
12高性能分立功 率器件开发和 升级-超低 Vf 的肖特基二极 管89800立项完成基于 DFN1006 DFN0603 DFN1608 SOD323 SOD523 SOD123FL等封装,设计开发 耐压 20-100V,正向压降目标在 Vf<0.6V@If=0.5A, Vf<0.55V@If=1A, Vf<0.5V@If=2A, Vf<0.45V@If=5A,并建立起技 术平台,基于此技术平台开发 符合 AECQ101标准的汽车级超 低 Vf的肖特基产品。国内 领先主要用于手机、智能 平板电脑、TWS、 AR、VR等便携式、 可穿戴式的消费类电 子产品、5G网络通讯 设备、5G通讯终端设 备、物联网、人 AI人 工智能、智能安防、 新能源等多种应用。
合计/20,6051,667.154,531.68////
注: 因产品性能提升优化,版本升级等需要,根据项目的实际研发情况,经公司总经理办公会决定,将“带 1.5倍电荷泵的 G类音频功放”项目预计总
投入规模由原有 612.5万元调整为 1,150万元;将“大功率充电及保护解决方案项目”项目预计总投入规模由原有 805万元调整为 1,500万元。

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)6049
研发人员数量占公司总人数的比例(%)4851.58
研发人员薪酬合计1,179.401,022.13
研发人员平均薪酬19.5821.11


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
硕士及以上1321.67
本科3456.66
专科及以下1321.67
合计60100
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含 30岁)1525
30-40岁(含 30岁,不含 40岁)3355
40-50岁(含 40岁,不含 50岁)1220
合计60100

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术和研发优势
公司作为功率半导体设计企业,拥有完善的技术创新体系、强大的研发能力和一定的技术优势。经过多年的技术积累,凭借公司强大的研发投入及优秀的研发团队,已经自主研发一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型 NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽 MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节占空比的环路控制技术、一种复合 DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术、一种 GaN HEMT器件制备技术。该等核心技术使得公司芯片产品及应用方案在性能、面积、功耗、兼容性等方面较为先进。

得益于国内 FAB厂的技术沉淀与发展,结合国内设计公司的设计优势,目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当;公司的部分 TVS、MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列,与国际大厂的技术相当。

在功率 IC产品方面,公司已在快充领域深耕多年,已有多个成熟量产的产品线,覆盖了 PSC、PB系列,能够满足客户需求。公司目前还在不断加大研发投入,扩充产品线,研发小功率场景的线性充电技术,研发更大功率的电荷泵快充技术及配合的多协议支持的协议芯片,研发供电电源芯片巩固和提升在电源领域的竞争力。

2、新产品开发优势
在功率半导体新产品开发方面,公司高度注重客户需求,注重客户的意见反馈,在新产品开发设计方面具有一定的优势。受益于国产替代,公司凭借较好的技术储备和一定的研发优势,结合下游客户需求及行业发展趋势,对现有产品不断进行更新迭代,为后续的销售增长打下了良好的基础。

3、产品供应优势
近年来,公司基于在功率半导体领域已有的研发优势和下游客户资源优势,不断丰富和优化产品类别,进一步优化供应商管理,完善产品供应体系,公司的产品供应能力得到了较高的提升。

公司合作的主要晶圆、封测厂商大多为行业内知名厂商,产品供应得到有效的保证。

4、终端客户优势
半导体行业上下游产业链之间具有高度的粘性,下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求,一旦对选用的半导体产品经过测试、认证并规模化使用之后不会轻易更换供应商。

终端手机厂商与供应商建立合作前,会对供应商的整体资质进行评价,从供应商的整体规模、产品结构、现有客户结构多维度了解相关情况,并由专人进行现场审核,审核通过后,方可进入终端厂商的合格供应商体系;待双方合作关系建立后,手机品牌厂商和 ODM厂商在供应商产品进入批量供应前通常需要对产品进行认证,认证流程主要包括:样品性能测试、整机性能测试、综合可靠性测试、小批量试产评估等。由于终端的认证体系复杂且认证周期较长,一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大。

公司一直注重客户需求,高度重视产品质量管理和客户关系维护,通过快速的客户服务和高效的客户反馈响应机制,既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场变化,确保公司产品持续更新、保持先进水平。凭借自身较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的服务,公司产品成功应用于下游行业内小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等 ODM客户。

5、品牌优势
公司各类产品广泛应用于小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等 ODM客户。

多年来,公司在消费电子行业中积累了良好的口碑,形成了一定的品牌优势。目前公司以经销模式为主,公司产品的客户认知度和忠诚度均较高,公司品牌获得了客户和经销商的认可。随着公司业务的增长,公司将进一步提升公司品牌优势,与业绩增长形成良性循环。
6、营销及服务网络优势
公司总部位于上海张江高科技园区,以国内销售为主,拥有本土优势和营销网络优势,具备丰富的客户资源和一定的品牌知名度。公司通过“经销+直销”的方式建设营销网络,可快速响应客户需求。此外,针对功率半导体行业的特性,公司在上海、深圳建立了技术服务中心,为客户提供专业服务,最大限度保证客户产品的售后服务,有利于公司与客户保持长期稳定的合作关系,提高市场竞争力。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。
公司作为一家经过多年技术发展与积累的功率半导体设计企业,凭借优秀的研发能力及研发团队,已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。目前,公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台,公司针对 TVS产品先后开发了平面工艺普通容值 TVS技术平台、平面工艺低容值 TVS技术平台、改进型台面工艺 TVS技术平台、深槽隔离工艺 TVS技术平台、穿通型 NPN结构工艺 TVS技术平台等;公司针对 MOSFET产品先后开发了平面(Planar)工艺 MOSFET技术平台、沟槽(Trench)工艺 MOSFET技术平台、改进型沟槽(Trench)工艺 MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺 MOSFET技术平台等;公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽 MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台、改进型沟槽 MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台等;公司针对第三代半导体 GaN HEMT产品开发了高压 P-GaN HEMT技术平台;公司针对 IC产品先后开发了 PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步,在技术平台下持续更新、迭代,研发出新一代产品投入市场。

(一)报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入 18,661.27万元,较上年同期减少 29.15%;实现归属于母公司所有者的净利润 6,858.05万元,较上年同期增长 7.81%;归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 4,363.84万元,较上年同期减少 29.50%。

报告期末,公司总资产 217,662.44万元,同比增长 1.32%;归属于母公司的所有者权益212,023.51万元,同比增长 1.56%。
(二)报告期内重点任务完成情况
1、技术研发与创新
报告期内,公司根据市场发展趋势、下游客户需求,有计划、有步骤地进行技术开发和创新,扩展现有产品系列,加强对现有产品的更新迭代,保证公司产品的竞争优势和可持续发展;公司作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业,一直坚持以自主技术创新为基础,坚持技术领先战略,增强公司的研发储备。

(1)功率器件研发方面:
①在 TVS产品方面:
A.公司具有深回退特性的低容 ESD,包括:DFN0603、 DFN1006、 DFN2510等多种封装形式的产品,分别成功进入多个大客户新项目,报告期内相关产品已实现销售。具有深回退特性的低容 ESD产品,以其超低的钳位电压特性,既满足了目前集成电路产品的超低工作电压保护需求;同时,以其低容的特性,又满足了高速信号传输线的保护应用。

B.最新的超低容值具有深回退特性的 ESD产品,已完成制版,并将进入流片阶段。该产品可以为 5G相关应用,特别是 5G信号传输方面提供更为卓越的保护性能。

C.在超低钳位电压、超大泄放电流的 TVS产品方面,开发出更多工作电压的 TVS产品,强化了高性能 TVS产品阵容,满足了对于高压快充等应用方向的市场发展和客户需求。

②在 MOSFET产品方面:
A.100V具有超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET产品已经研发成功(<4.5mΩ),85V~120V产品目前已有产品进入大规模推广阶段,将主要面向 PD快充适配器、BLDC驱动,BMS等多个领域。公司将继续推进后续进入快速产品系列化过程。

B.20-40V具有超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET产品,从参数性能和封装方面逐步形成了产品系列化,并已经在多家客户中批量应用。公司的 MOSFET产品在手机、平板电脑、TWS、PD快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等领域都有极为广泛的应用。

公司将完善不同导通电阻和电压规格的 MOSFET产品,不断拓展新的应用领域,提升MOSFET产品的市场份额。

③在肖特基产品方面:
A.具有超低正向导通压降、大正向导通电流的超小封装尺寸(0.6*0.3mm)的肖特基产品进入大规模推广阶段,并在多个大客户的新项目中进行性能验证。

B.目前正在开发的小型封装具有更低正向导通压降的肖特基产品,目前已经进入评估阶段,开发成功后,性能将具有业界领先水平。

④在 GaN HEMT产品方面:
第三代半导体 650V GaN HEMT产品已经在多客户的项目中测试和验证,公司基于一种高可靠性硅基 GaN HEMT改进技术建立的高压 P-GaN HEMT平台为 GaN HEMT产品系列化打下了良好基础。公司将持续完善产品阵容,逐步进行产品系列化。

由于 GaN HEMT产品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特点,在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料,因此在快充电源、5G通讯、智能电网等领域将具有广泛的应用前景。

(2)功率 IC研发方面:
配合公司第三代半导体 650V GaN HEM器件的高整合度驱动器芯片,可广泛应用于大功率智能手机充电器及大能量密度的 LED照明等产品,有利于终端产品小型化,此产品在 2021年顺利通过了流片验证,目前已处于客户端测试阶段,预计将于今年批量投产;基于手机平台 CPU的DCDC系列产品,具有大电流高效率特点,2021年度已完成流片验证,预计将于 2022年进入量产;大电流半压充电 IC产品,具有充电效率高等特点,是当前手机平板产品中大功率充电的重要解决方案,已经进入到流片验证阶段,预计将于今年底进入量产;同时,具有高精确度、高效率,高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品,此系列产品适用于消费类电子、工业及车载等应用终端,目前已进入设计验证阶段。

2、完善供应链与客户管理
(1)供应链管理
公司成立至今,已先后与行业内多家知名的晶圆制造厂商和封装测试厂商建立了长期稳定的合作关系,积累了丰富的供应链资源,有效保证了产品的交付能力及质量。

报告期内,公司不断加强与现有供应商的紧密合作及管理,积极保障产能需求。同时,公司还不断拓展和完善供应链系统,优化供应链管理流程,提高管理效率。报告期内,公司已与多家晶圆制造厂商和封装测试厂商建立起了新的合作关系,多款新产品正在评估中,将逐步形成深度合作关系。这将对公司提升品牌影响力、产品竞争力及市场占有率有着积极的影响。

(2)客户管理
公司通过经销为主直销为辅的销售模式,已经建立起较为完整的营销网络,与小米通讯、TCL、传音等手机品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等业内知名的 ODM手机厂商形成了长期稳定的合作关系并围绕上述终端客户的需求积极开展功率半导体新产品的开发与合作;此外,公司产品亦成功应用于小米,华为,OPPO,安克,森海塞尔、VIVO、哈曼、倍思、飞利浦等品牌旗下的多款TWS耳机产品以及思摩尔、海派特、悦刻等品牌的电子烟产品。公司积极开拓新经销商并通过加强与优质经销商的合作,进一步开拓终端客户应用,报告期内,公司产品新增麦克韦尔品牌电子烟等产品应用。公司通过先进的研发技术能力、快速的客户服务响应速度以及优质的产品性能及质量,在行业中形成了良好的用户口碑和品牌影响力,从而对公司未来拓宽销售网络、推广新品具有积极作用。

3、知识产权申报与授权
报告期内,公司新增专利技术申请 15项(其中发明专利 8项),共 8项专利获得授权(其中发明专利 3项)。截至 2022年 6月 30日,公司累计获得专利授权 48项,集成电路布图设计专有权 40项,获得 5项商标授权。

4、推进研发中心建设,不断充实人才队伍
报告期内,公司积极推动推进公司募投项目的实施及研发中心的建设,购置标的资产用于““高性能分立功率器件开发和升级”、“高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化”、“硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目”、“研发中心建设项目”募投项目的办公场地以及自有办公场地使用。2022年 6月 29日,公司与上海张江集成电路产业区开发有限公司签署了《上海市产权交易合同》。截至本报告披露日,上海联合产权交易所有限公司针对本次交易已出具资产交易凭证,公司已支付相应购房款 13,515.39万元,公司新增的研发中心办公场地已正式启用。新增研发办公场地后,研发办公面积将扩大 4倍,能够进一步引进功率半导体领域的优秀人才,购置先进的研发及实验设备,对公司现有核心技术、主要产品以及战略规划中未来拟研发的新技术、新产品及新兴应用领域进行长期深入的研究和开发。
公司高度重视人才储备,报告期内不断新增吸纳各类优秀人才、扩充人才团队,持续完善人力资源管理体系、职级体系、培训体系,并通过建立有竞争力的薪酬体系和激励机制,充分调动员工积极性,推动公司人才队伍持续成长,保障公司未来业务发展。

5、注重投资者回报
报告期内,公司严格执行利润分配相关制度,完成了 2021年年度权益分派的实施工作,公司将继续做好经营管理工作,提升公司核心竞争力与盈利能力,努力为投资者创造中长期价值。

6、提升投资者关系管理水平
公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露制度》的要求,认真履行信息披露义务,保证信息披露的真实、准确、完整,进一步提升公司规范运作水平和透明度。同时,不断提高公司投资者关系管理工作的专业性,加强投资者对公司的了解,促进公司与投资者之间的良性互动关系,切实维护全体股东利益,特别是中小股东的利益,努力实现公司价值最大化和股东利益最大化。

报告期内,公司通过上证路演中心以视频录播结合网络文字互动的方式召开了 2021年度暨2022年第一季度业绩说明会,针对公司 2021年度及 2022年第一季度经营成果及财务指标的具体情况与投资者进行互动交流,对投资者普遍关注的问题进行回复说明,使广大投资者更全面深入地了解公司的经营情况与财务状况。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
1、产品升级换代的风险
集成电路设计行业产品更新换代及技术升级速度较快,在公司产品主要应用的以手机为主的消费类电子领域,终端产品的更新换代较快,公司需根据下游需求和技术发展趋势对产品进行持续创新,从而维持技术先进性。公司产品具有一定的迭代周期,一般为 3-5年左右。公司未来若未能准确把握下游客户需求或不能持续推出适应市场需求的产品,将面临公司竞争力下降的风险;且由于功率半导体产品的升级换代需要一定周期,如果产品更新换代的进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势,公司将面临产品升级换代不及预期的风险,进而对公司的经济效益产生不利影响。

2、技术失密风险
公司所属的功率半导体行业具有技术密集的特点,核心技术保密对公司的发展尤为重要。如果公司在经营过程中因核心技术信息保管不善导致核心技术泄密,将对公司的竞争力产生不利影响。

3、产品收入结构较为集中,存在产品单一的风险
公司主营业务收入来源于功率器件和功率 IC。功率器件主要产品为 TVS、MOSFET和肖特基等,其中 TVS产品收入占比较高,占主营业务的收入比例为 59.04%,未来若因技术升级不及预期、市场竞争加剧或下游应用领域如手机的出货量下降等因素影响,导致主要产品 TVS产品的生产或销售出现不利变化,则将对公司现金流、盈利能力产生不利影响。

4、公司产品下游应用主要以手机为主的消费类电子领域,受下游手机出货量影响较大的风险 公司产品下游应用领域包括消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域,目前主要在以手机为主的消费类电子领域。受下游应用领域集中度较高的影响,全球智能手机出货量对公司产品的销售影响较大。若未来下游消费类电子产品需求量出现波动,如手机市场需求萎缩,或公司在其他应用领域的技术研发及市场开发不及预期,则会对公司的业绩造成一定不利影响。

5、晶圆产能不足和价格上涨风险
公司采取 Fabless的运营模式。近年来随着半导体产业链格局的变化以及晶圆市场需求的快速上升,特别是自 2020年下半年以来,晶圆产能整体趋紧,晶圆供货持续短缺,采购价格整体呈上涨趋势。公司采购的晶圆主要为 6英寸和 8英寸晶圆,其中 8英寸晶圆的供货紧张,公司使用8英寸晶圆的产品收入占比相对较小。若未来晶圆供货持续紧张并蔓延至 6英寸晶圆,晶圆采购价格大幅上涨,或产能排期紧张导致无法满足公司采购需求等情形,或公司主要晶圆供应商的业务经营发生不利变化,将会对公司产品的出货和销售造成不利影响。

6、市场竞争风险
公司所处的功率半导体行业属于技术密集型行业,技术门槛较高。目前国内功率半导体市场的主要参与者仍主要为欧美企业,目前,具有 ESD保护器件研发设计能力的国内企业相对较少,随着功率半导体新技术、新应用领域的大量涌现,对功率半导体设计企业的研发提出了非常高的技术要求。尤其是部分竞争对手采用 IDM模式,在市场地位、技术实力以及产能保障方面具备一定优势,公司与该等竞争对手相比尚存在差距。如果公司未能准确把握市场和行业发展趋势,持续提升市场地位和技术水平,以及加大产能保障,将会导致公司竞争能力下降,从而对公司的经营业绩产生不利影响。

7、关于公司产品市场拓展的风险
报告期内,公司以境内销售为主,境外销售占比较低,主要系公司根据目前的发展程度,将主要精力集中在境内市场开拓,在境外销售策略上采取跟随终端品牌客户境外拓展的策略。考虑公司 TVS及 ESD产品已经成功进入小米、传音、TCL等手机品牌厂商以及华勤、闻泰、龙旗等手机 ODM厂商,在境内市场取得一定的市场地位,公司未来将加强 TVS及 ESD产品对境外市场的主动开拓,提升产品的市场份额及品牌影响力。

此外,随着公司 MOSFET和功率 IC相关产品的开发以及在终端客户的持续推广,报告期内上述产品的销售收入持续增加。但上述产品目前占整体市场份额较小,短期内上述产品的市场开拓还将围绕目前的主要客户群体在境内进行开拓。

因此,在上述产品的市场拓展过程中,若因 TVS及 ESD产品境外市场开拓不顺利、产品开发不及预期或下游测试认证出现不利因素,将对公司业绩增长造成不利影响。

8、客户相对集中度较高的风险
报告期内,公司对前五名客户销售收入合计占当期营业收入的 52.48%,集中度相对较高。如果未来公司主要客户的经营、采购战略产生较大变化,或由于主要客户的经营情况和资信状况发生重大不利变化,将对公司经营产生不利影响。

如果公司未能准确把握市场和行业发展趋势,持续提升市场地位和技术水平,竞争能力有可能下降,从而对公司的经营业绩产生不利影响。

9、市场变化的风险
公司的产品主要用于手机、平板和可穿戴设备等消费类电子产品,上述消费类电子产品的市场变化对公司业绩产生一定的影响。未来随着人工智能、物联网、5G等新兴领域的迅速发展,功率半导体的需求将会随之增加。但如果未来发生市场变化,将导致公司下游市场需求波动,进而影响公司经济效益。

10、客户认证失败的风险
公司多款型号的产品在对客户进行批量供应前,都需要通过终端客户的测试认证。由于公司所属的功率半导体行业具有产品更新换代较快的特点,因此,每年都会有多款产品需要终端客户认证,若终端客户测试认证失败,公司产品将不能在终端客户形成销售,可能导致公司营业收入和市场份额下降的情况,对公司盈利能力产生不利影响。

11、产品质量控制的风险
公司的主要产品主要应用于消费电子市场的智能终端设备的品牌客户,其中包括小米、TCL、传音等知名品牌,下游客户对产品质量有着严格的要求。如果未来公司质量控制工作出现疏忽或因为其他原因影响产品的质量,可能给公司带来法律、声誉及经济方面的风险。


六、 报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现销售收入 18,661.27万元,较上年同期减少 29.15%;实现归属于上市公司股东的净利润 6,858.05万元,较上年同期增长 7.81%;本期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 4,363.84万元,较上年同期减少 29.50%。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入186,612,728.32263,397,486.22-29.15
营业成本119,550,378.80170,537,313.46-29.90
销售费用3,516,266.884,034,268.72-12.84
管理费用6,329,907.025,103,180.9624.04
财务费用-7,067,456.14189,034.7-3,838.71
研发费用16,671,532.9914,434,506.0915.50
经营活动产生的现金流量净额40,035,486.5649,966,925.5-19.88
投资活动产生的现金流量净额-207,549,948.2314,705,750.82-1,511.35
筹资活动产生的现金流量净额-36,339,752.60-352,615.44不适用
营业收入变动原因说明:主要由于报告期内受市场行情及疫情影响,公司产品销售数量较上年同期下降导致营业收入减少。(未完)
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