[中报]东微半导(688261):苏州东微半导体股份有限公司2022年半年度报告
原标题:东微半导:苏州东微半导体股份有限公司2022年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................................................ 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................... 6 第三节 管理层讨论与分析 ..................................................... 9 第四节 公司治理 ........................................................... 36 第五节 环境与社会责任 ..................................................... 37 第六节 重要事项 ........................................................... 38 第七节 股份变动及股东情况 .................................................. 66 第八节 优先股相关情况 ..................................................... 73 第九节 债券相关情况 ....................................................... 73 第十节 财务报告 ........................................................... 74
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
√适用 □不适用 1、2022年上半年,公司营业收入相较上年同期增长 45.33%，主要系报告期内，公司持续开拓新兴市场，通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作，持续扩大产能，同时，不断优化产品组合结构。公司主营产品广泛应用于新能源汽车直流充电桩、通信电源、储能和光伏逆变器、新能源车车载充电机、数据中心服务器电源、快速充电器等领域。报告期内，公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域需求增长、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响。 2、2022年上半年,归属于上市公司股东的净利润与归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别同比增长 125.42%、130.30%，主要系报告期内营业收入持续上升及毛利率大幅上涨所致，公司毛利率较去年同比增加 6.71个百分点，主要系公司持续技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素所致。 3、2022年上半年,经营活动产生的现金流量净额同比增长 85.25%，主要系报告期内，公司营业收入持续增长和毛利率大幅增加，同时公司加大对客户回款管理，收到客户现金回款增加所致。 4、2022年上半年,归属于上市公司股东的净资产与总资产分别同比增长 371.36%、335.13%，主要系报告期内，公司首次公开发行股票募集资金增加以及伴随着公司业务的不断开展，净利润大幅增长所致。 5、2022年上半年，基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益分别同比增长 75.73%、75.73%、80.00%，主要系报告期内公司营业收入持续上升，净利润大幅增加，盈利能力不断提升所致。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
□适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 1、所处行业及行业发展概况 （1）所处行业 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码“C39”。 根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T 4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。 （2）行业发展概况 在功率半导体发展过程中，20 世纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪 60至 70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪 70年代末，平面型功率 MOSFET发展起来。20世纪 80年代后期，沟槽型功率 MOSFET和 IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪 90年代，超级结 MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率 MOSFET特别是超级结 MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。根据 Omdia数据：2021年全球功率半导体市场规模约为 435.62亿美元，预计 2024年市场规模将达到 532.19亿美元，未来三年复合增速为 6.9%；中国市场为功率半导体消费大国，市场规模不断发展，2021年中国功率半导体市场规模约为 157亿美元，预计 2024年市场规模将达到 195.22亿美元，未来三年 CAGR为 7.53%，占全球市场约为 36.68%。近年来，国家政策及顶层设计持续完善，“碳达峰、碳中和”双碳目标促使新能源、新型绿色数据中心等领域需求持续高景气，加速新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域不断发力，有望实现高速增长。 MOSFET：在全球新能源汽车、光伏等市场高速发展的推动下，功率 MOSFET 需求持续增长。相较于普通硅基 MOSFET功率器件，高压超级结 MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。尽管未来在第三代半导体材料成熟后会有相应器件的推出，但是由于高压超级结 MOSFET的产品特性、生产成本等方面对于新能源等成长性应用领域的需求较为契合，行业生态不断向更高性能的产品演进，因此，未来高压超级结 MOSFET行业增速有望超过中低压产品。在光伏、储能及新能源汽车相关需求放量的推动下，新能源产业下游终端应用对超级结 MOSFET的需求预计将高速增长。根据 Omdia数据：2021年全球功率 MOSFET市场规模约为 80亿美元，约占功率器件市场 54%。国内市场约 30亿美元，约占全球市场 39.9%，未来 3年市场保持稳定增长。 IGBT：IGBT作为一种新型电力电子器件，是新能源、工业控制及自动化领域的核心元器件，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。从 IGBT市场空间来看，2021年全球 IGBT（分立+模块）市场规模约 57亿美元，国内 IGBT市场规模约为 22.43亿美元，国内市场规模占比约为 40%，国内市场规模增长与海外基本同步。 新能源汽车、新能源发电这些领域都是行业发展最大的催化剂。 第三代半导体器件。碳化硅（SiC）是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、高频高效、低损耗等特性，在新能源汽车、光伏、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。根据 Yole数据：2021-2027年全球碳化硅功率器件市场将保持年均34%的复合增速，市场规模由 2021年的 10.90亿美元，增长到 2027年的 62.97亿美元。其中，汽车领域将是未来碳化硅最大的应用市场。2027年，汽车领域碳化硅市场规模将达 49.86亿美元，占总规模的 79.18%。氮化镓（GaN）基于其开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等特点可应用于各种电力控制转换系统以及微波射频通讯系统，替代传统的硅材料和 III-V 族材料。根据Yole Development发布的《GaN Power 2021报告》预期：到 2026年 GaN功率市场规模预计会达到 11亿美元。 2、主营业务、主营产品或服务情况说明 （1）主营业务 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结 MOSFET、中低压功率器件、IGBT 等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出 650V、1200V及 1350V等电压平台的多种 TGBT系列 IGBT 器件已经实现量产，批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。 （2）主营产品 公司的主要产品包括 GreenMOS系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS系列及 FSMOS系列中低压屏蔽栅 MOSFET、以及 TGBT系列 IGBT产品。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级与车载电子应用领域，以及以 PC电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。 公司上述产品的具体介绍如下：
1）高压超级结 MOSFET 公司的高压超级结 MOSFET产品主要为 GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。 公司 GreenMOS高压超级结功率器件的各系列特点以及介绍如下表所示：
公司的中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS产品系列。其中，公司的 SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。 公司的 FSMOS 产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS 与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。 公司中低压 MOSFET功率器件产品涵盖 25V-200V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。各系列的具体介绍如下表所示：
公司的超级硅 MOSFET 产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅 MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基种高密度高效率电源，包括直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC适配器、TV电源板等。 4）TGBT 公司的 IGBT产品采用具有独立知识产权的 TGBT器件结构，是区别于国际主流 IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-160A。公司的 TGBT系列 IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达 100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至 1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达 1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路；650V及 1350V的逆导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合在高压谐振电路中使用。 公司的 TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。 3、公司所处的行业地位 基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一。 （1）产品品类方面 在高压超级结 MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。 在中低压屏蔽栅 MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。 在 IGBT领域，公司的 TGBT是基于新型的 Trident Gate Bipolar Transistor (简称 Tri-gate IGBT) 器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代 IGBT芯片的技术实力。 （2）产品结构方面 公司的功率器件产品以具有更高技术含量的高压超级结 MOSFET产品为主。报告期内，公司的高压超级结 MOSFET 产品销售收入占比为 78.05%。由于高压超级结产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间，发展空间巨大。 公司的创新型 Tri-gate IGBT器件产品在 2021年上半年开始送样认证并少量出货，2022年上半年度实现销售收入 1,710.46 万元，同比增长高达 70 倍以上，顺利对基于传统 trench-gate FS-IGBT技术的芯片进行替代，表现出高速增长的态势。 （3）产品应用领域方面 公司的产品以工业级应用为主，同时也进入了车载电子应用。应用领域包括新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源等。由于工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，其产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 经过持续底层器件结构的自主创新，公司在高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET以及 TGBT产品领域形成了一系列具有自主知识产权的核心技术。公司进一步开发出具有自主知识产权的新型高压超级硅 MOSFET功率器件及其工艺技术，以及新型高压 Hybrid-FET器件及其工艺技术。公司掌握的核心技术大部分为国内领先或国际先进，其中公司的高压超级结 MOSFET与Tri-gate IGBT技术具备国际先进水平。上述核心技术均广泛应用于公司各类产品的批量生产中。 截至本报告期末，公司主要核心技术与变化情况如下： （1）产品核心技术
报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循公司技术路线图稳步推进各项技术迭代，在高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET及 TGBT产品领域积极进行新一代技术开发，有序推进产品从 8英寸转 12英寸的工艺平台拓展工作，进展顺利。在 TGBT 产品领域，公司加强对自有知识产权技术 Tri-gate IGBT技术研发力度，产品顺利通过多个客户验证并被批量使用，迅速实现了高性能 IGBT产品的国产化替代。报告期内，公司第二代 Tri-gate IGBT技术开发成功，产品性能进一步提升。同时，公司积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步推进。报告期内，公司研发经费、研发人员数量、专利数量、新品开发数量均保持快速发展态势。此外，公司的研发管理体系与质量体系进一步健全与完善。报告期内公司数字化管理系统如产品生命周期管理系统、质量管理系统、良率管理系统、运营管理系统等运行通畅，研发效率、产品质量管控以及交付效率等能力持续提升。 （3）公司分产品系列技术先进性情况 报告期内，公司分产品系列具体技术及相关参数情况如下： 1）MOSFET 深槽超级结 MOSFET设计及其工艺技术。公司深槽超级结 MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡，性能更加稳定。栅极结构优化以及缓变电容核心原胞结构技术解决了超级结器件由于开关速度快导致的开关震荡的问题。由于导通损耗与导通电阻成正比，超级结器件在导通损耗方面具有很大的优势；同时，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低。超级结 MOSFET拥有极低的 FOM值，从而拥有极低的开关能量损耗和驱动能量损耗。 基于上述核心技术，公司的 GreenMOS 系列高压深槽超级结 MOSFET 产品具有比肩国际一流公司产品的性能，在优化器件性能的同时提高了产品的生产良率与工作可靠性，控制了生产成本，整体具有较高的市场竞争力。 公司的深槽超级结 MOSFET 设计及其工艺技术处于国内领先、国际先进的水平。本报告期内，公司高压超级结 MOSFET量产产品规格数量在 12英寸产线持续增加，12英寸和 8英寸产线的产品布局得到进一步优化。新一代超级结 MOSFET已经量产并且出货规模迅速扩大。 2）中低压屏蔽栅 MOSFET设计及其工艺技术 公司中低压屏蔽栅 MOSFET 设计及其工艺技术包括自对准的制造技术、电荷平衡原理以及全新的器件结构与生产工艺，实现了电场调制耐压的提高，形成了高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。 公司的中低压屏蔽栅 MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平。本报告期内，公司多个电压平台的屏蔽栅MOSFET在12英寸产线实现量产，产品规格数量相比上一报告期进一步增加，新一代中低压 SGT器件实现量产并逐步上量。 3）超级硅 MOSFET设计及其工艺技术 公司的超级硅 MOSFET设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势。 公司的超级硅系列 MOSFET产品具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟度高的特点及优势。由于超级硅系列产品采用的硅基制造工艺更加成熟，一方面相较氮化镓器件可靠性更高，另一方面具有优秀的动态特性，可以进入 SiC MOSFET及 GaN HEMT的应用领域。 4）Tri-gate 结构 IGBT器件设计及其工艺技术 Tri-gate 结构 IGBT 器件设计及其工艺技术具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了 IGBT 器件在导通时的内部载流子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀，避免了局部电压电流过大而导致的器件失效，使得器件具有更高的工作稳定性；独创的器件结构提升了产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度，因此提升了产品整体的可靠性。 基于上述核心技术，公司 TGBT产品的导通压降与开关速度同时得到优化，在关键技术参数上有着大幅的提高，在应用过程中拥有发热低、效率高的优势，可使整体应用系统的功耗更低，并拥有高功率密度、低开关损耗、高可靠性以及自保护等优势。 本报告期内，基于公司发明的新型 TGBT技术，公司新增多个电压及电流规格的 TGBT产品，进一步优化了产品的综合性能，提高了与传统 IGBT技术的兼容性和可替换性。公司第二代 TGBT技术开发成功并开始批量生产，芯片的电流密度得到进一步提高。 5）Hybrid-FET器件及其工艺技术 Hybrid-FET器件及其工艺技术包括全新的器件结构以及电流动态调整技术。这种特殊的器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流的处理能力；采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的电学表现，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性。 公司的 Hybrid-FET器件及其工艺技术处于国内领先水平。基于此核心技术，公司的 Hybrid-FET器件兼具 IGBT、超级结 MOSFET等功率器件的优点，目前已将该技术申请专利并开始产业化。Hybrid-FET器件基于 TGBT技术，因此是 TGBT的一个子类。本报告期内，Hybrid-FET器件持续稳定批量出货，产品规格型号进一步增加，其性能优势已经被客户所认可。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 报告期内，公司进一步加大对新产品与新技术研发的投入力度，持续优化 8英寸与 12英寸工艺平台的产品布局，取得较好成效。截止本报告期末，公司共计拥有产品规格型号 1958款。其中，高压超级结 MOSFET产品（包括超级硅 MOSFET）1150款，中低压屏蔽栅 MOSFET产品 710款，TGBT产品 98款。 报告期内，公司取得的主要研发成果如下： 持续拓展基于公司第三代高压超级结 MOSFET技术平台的产品规格，单晶圆产出芯片颗数提高，同时产品性能得到进一步提升。第三代高压超级结 MOSFET实现了大规模出货。 公司第四代高压超级结 MOSFET实现批量出货，同时，公司启动第五代超级结 MOSFET技术研发，目前进展顺利。 公司基于深沟槽超级结技术的中低压超级结 MOSFET技术开发顺利进行。公司基于 12英寸的先进制造工艺的高压超级结 MOSFET技术大规模稳定量产，同时产品性能进一步提升。公司基于 12英寸的先进制造工艺的新一代高压超级结 MOSFET技术开发顺利进行。 公司新一代超级硅 MOSFET开发成功，进入认证阶段。 公司持续拓展基于第三代 25V-30V低压高密度屏蔽栅 MOSFET 工艺平台的产品规格，公司数据中心电源专用中低压屏蔽栅 MOSFET产品技术开发顺利进行。 公司新一代高密度屏蔽栅 MOSFET 开发成功，开始批量生产。 公司持续拓展基于自主 IGBT专利技术的 TGBT产品规格，持续提升产品性能。 公司第二代 TGBT技术开发顺利进行，多个规格型号的产品进入批量验证阶段，芯片的电流密度得到显著提高。 公司 8英寸及 12英寸的先进制造工艺的 IGBT技术开发及扩产顺利进行，随着新产线的扩充及新一代 TGBT产品的研发成功，公司 TGBT产能将得到迅速增加。 公司研发的高速大电流功率器件 600/650V Hybrid-FET 器件产业化顺利进行，报告期内产品规格数量及出货量持续增加。 公司 TGBT 器件在光伏逆变器、储能、直流充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用。 公司积极布局第三代功率半导体器件如 SiC MOSFET相关器件，申请多项第三代半导体相关专利，完善对相关知识产权的全面保护，相关产品的开发在顺利进行。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
□适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：元
单位:万元 币种:人民币
6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、强大的研发能力，保证公司产品性能国内领先甚至国际领先 公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。 公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系。完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。凭借优秀的研发实力，公司在主要产品方面均已具备了国内领先甚至国际领先的核心技术，并在核心技术的基础上实现了高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 产品的量产与销售。公司的高压超级结 MOSFET产品运用了包括电容缓变技术、超低栅极电荷等行业领先的核心技术，使关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域，公司的产品技术水平亦达到了国内领先水平。公司的超级硅系列 MOSFET产品已经研发成功并实现量产出货，实现了比传统超级结更高的效率，获得了众多客户的认可。公司提出的新型结构 TGBT的多款产品进入了批量生产状态。公司亦提出创新的 SiC器件技术路线，为顺利进入第三代半导体领域打下了技术基础。在大力投入研发的同时，公司也持续完善专利布局以充分保护核心技术，为业务开展及未来新业务的拓展打下了坚实的基础。（未完）  |