[中报]东芯股份(688110):2022年半年度报告

时间:2022年08月26日 21:12:06 中财网

原标题:东芯股份:2022年半年度报告

公司代码:688110 公司简称:东芯股份



东芯半导体股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分,请投资者注意投资风险。



三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人朱奇伟及会计机构负责人(会计主管人员)刘海萍声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 23
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 26
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 28
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 58
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 64
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 64
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 65



备查文件目录载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖 章的财务报告
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及 公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、发行人、 东芯股份东芯半导体股份有限公司
东芯南京东芯半导体(南京)有限公司,东芯股份全资子公司
东芯香港东芯半导体(香港)有限公司,东芯股份全资子公司
FidelixFidelix Co., Ltd., 东芯股份控股子公司
NemostechNemostech Inc., 东芯股份全资子公司
东芯深圳分公司东芯半导体股份有限公司深圳分公司,东芯股份分支机构
东方恒信东方恒信资本控股集团有限公司,东芯股份控股股东
聚源聚芯上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心(有限合伙), 东芯股份股东
东芯科创、员工持股平台苏州东芯科创股权投资合伙企业(有限合伙),东芯股份股 东
中金锋泰杭州中金锋泰股权投资合伙企业(有限合伙),东芯股份股 东
时代鼎丰杭州时代鼎丰创业投资合伙企业(有限合伙)(曾用名为杭 州中车时代创业投资合伙企业(有限合伙)),东芯股份股 东
鹏晨源拓深圳市前海鹏晨源拓投资企业(有限合伙),东芯股份股东
小橡创投上海小橡创业投资合伙企业(有限合伙),东芯股份股东
哈勃科技哈勃科技投资有限公司,东芯股份股东
中电基金中电电子信息产业投资基金(天津)合伙企业(有限合伙), 东芯股份股东
国开科创国开科技创业投资有限责任公司,东芯股份股东
景宁芯创景宁芯创企业管理咨询合伙企业(有限合伙),东芯股份股 东
海通创投海通创新证券投资有限公司,东芯股份股东
嘉兴海通嘉兴海通创新卫华股权投资合伙企业(有限合伙),东芯股 份股东
上海瑞城上海瑞城企业管理有限公司,东芯股份股东
青浦投资上海青浦投资有限公司,东芯股份股东
中芯国际、SMIC中芯国际集成电路制造有限公司
力积电力晶积成电子制造股份有限公司
紫光宏茂紫光宏茂微电子(上海)有限公司
华润安盛无锡华润安盛科技有限公司
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易 统计协会
南茂科技ChipMOS Technologies Inc.,南茂科技股份有限公司
AT SemiconAT Semicon Co., Ltd.
A股人民币普通股
证监会中国证券监督管理委员会
招股说明书《东芯半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上 市招股说明书》
元、万元人民币元、万元
MCPMultiple Chip Package,即多芯片封装存储器
DDRDouble Data Rate SDRAM,即双倍速率同步动态随机存储器
LPDDRLow Power Double Data Rate SDRAM,即低功耗双倍速率同 步动态随机存储器
IDMIntegrated Device Manufacturer 的简称,指垂直整合制造 工厂,是集芯片设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一 体的整合元件制造商,属于半导体芯片行业的一种运作模式
FablessFabrication和Less的组合,是指没有制造业务、只专注于 设计的一种运作模式。Fabless 公司负责芯片的电路设计与 销售,将生产、测试、封装等环节外包。也指未拥有芯片制 造工厂的 IC 设计公司,经常被简称为“无晶圆厂”(晶圆 是芯片/硅集成电路的基础,无晶圆即代表无芯片制造);通 常说的 IC design house(IC 设计公司)即为 Fabless
Memory 、存储器、存储 芯片、存储器芯片具备存储功能的半导体元器件,用来实现运行程序或数据存 储功能
闪存芯片、Flash一种非易失性(即断电后存储信息不会丢失)半导体存储芯 片,具备反复读取、擦除、写入的技术属性,属于存储器中 的大类产品。相对于硬盘等机械磁盘,具备读取速度快、功 耗低、抗震性强、体积小的应用优势;相对于随机存储器, 具备断电存储的应用优势。目前闪存广泛应用于手持移动终 端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、通讯设备、医疗 设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域
晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳 压、信号调制等多种功能
NAND、NAND Flash存储单元串联型数据闪存芯片,主要非易失闪存技术之一
NOR、NOR Flash存储单元并联型数据闪存芯片,主要非易失闪存技术之一
DRAM动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)
EEPROMElectrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 即电可擦除可编程只读存储器
PSRAMPSRAM(Pseudo static random access memory)是一种伪静 态SRAM存储器,它具有类似SRAM的接口协议:给出地址、 读、写命令,就可以实现存取;PSRAM的存储 cell由 1T1C 一个晶体管和一个电容构成。与SRAM相比,体积更有优势, 与SDRAM相比,功耗有优势
nmnm表示nano meter,中文称纳米,长度计量单位,1 纳米为 十亿分之一米
工艺制程集成电路制造过程中,以晶体管最小线宽尺寸为代表的技术 工艺,尺寸越小,工艺水平越高,意味着在同样面积的晶圆 上,可以制造出更多的芯片,或者同样晶体管规模的芯片会 占用更小的空间
5G第五代移动通信技术与标准,是4G技术的延伸,关键技术包 括大规模天线阵列、超密集组网、新型多址、全频谱接入和 新型网络架构等
存储介质指存储数据的载体
浮栅Flash存储单元的组成结构之一,周围由绝缘材料包裹,用 于存储俘获电子,同时与外界没有电气连接,即使掉电后, 电子也不会流失
存储单元又称为cell,为存储芯片中最基本的信息存储单元
块、页、Byte、bit数据存储芯片逻辑地址划分结构
LinuxLinux,是一种性能稳定、开源的类Unix操作系统。其核心 防火墙组件性能高效、配置简单,保证了系统的安全。Linux 不仅仅是被网络运维人员当作服务器使用,又可以当作网络
  防火墙
RTOS实时操作系统(RTOS)是保证在一定时间限制内完成特定功 能的操作系统
SLC、MLC、TLC、QLCSLC:每个cell单元存储1bit信息,只有0、1两种状态MLC: 每个cell单元存储2bit信息,有00到11四种状态TLC: 每个cell单元存储3bit信息,从000到111有8种状态QLC: 每个cell单元存储4bit信息,从0000到1111有16种状态
SPI、PPI具备串行外设接口、具备并行外设接口
GB、MB1GB=1024*1024*1024 Byte、1MB=1024*1024 Byte
Gb、Mb1Gb=1024*1024*1024 bit、1Mb=1024*1024 bit
存储阵列由大量的存储单元组成,每个存储单元能存放1位二值数据 (0,1)
集成电路设计、芯片设计包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、 绘制及验证,以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程
芯片封装、封装把从晶圆上切割下来的集成电路裸片(Die),用导线及多种 连接方式把管脚引出来,然后固定包装成为一个包含外壳和 管脚的可使用的芯片成品。集成电路封装不仅起到集成电路 芯片内键合点与外部进行电气连接的作用,也为集成电路芯 片提供了一个稳定可靠的工作环境,对集成电路芯片起到机 械或环境保护的作用,从而使集成电路芯片能够发挥正常的 功能,并保证其具有高稳定性和可靠性
芯片测试、测试集成电路晶圆测试、成品测试、可靠性试验和失效分析等工 作
物联网IoT是物联网(Internet of things)的英文缩写,意指物 物相连的互联网。物联网是一个动态的全球网络基础设施, 具有基于标准和互操作通信协议的自组织能力,其中物理的 和虚拟的“物”具有身份标识、物理属性、虚拟的特性和智 能的接口,并与信息网络无缝整合
3D、3D堆叠与传统的二维芯片把所有的模块放在平面层相比,三维芯片 允许多层堆叠
ECCError Correcting Code,即错误检查和纠正技术
阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化 转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压
车规级符合汽车安全的电子产品标准
AEC-Q100为汽车电子委员会(Automotive Electronics Council,简称 AEC)组织所制订的一种车用可靠性测试标准
报告期、本报告期2022年1月1日至2022年6月30日

注:本报告除特别说明外,若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况,均为四舍五入原因造成。




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称东芯半导体股份有限公司
公司的中文简称东芯股份
公司的外文名称Dosilicon Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Dosilicon
公司的法定代表人蒋学明
公司注册地址上海市青浦区赵巷镇沪青平公路2855弄1-72号B座12层 A区1228室
公司注册地址的历史变更情况2019年4月由“中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路 498号1幢203/03室”变更为“上海市青浦区赵巷镇沪 青平公路2855弄1-72号B座12层A区1228室”
公司办公地址上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心 L4A-F5
公司办公地址的邮政编码201799
公司网址http://www.dosilicon.com/
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代 表)证券事务代表
姓名蒋雨舟黄沈幪
联系地址上海市青浦区徐泾镇诸光路 1588弄虹桥世界中心L4A-F5上海市青浦区徐泾镇诸光路 1588弄虹桥世界中心L4A-F5
电话021-61369022021-61369022
传真021-61369024021-61369024
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报
登载半年度报告的网站地址上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)
公司半年度报告备置地点公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用


四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板东芯股份688110不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入713,737,192.93454,735,718.9856.96
归属于上市公司股东的净利润214,658,572.6279,890,787.91168.69
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润210,223,501.6673,970,362.62184.20
经营活动产生的现金流量净额-185,032,776.5556,459,943.39-427.72
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产3,958,941,257.493,820,252,676.533.63
总资产4,383,720,019.744,178,428,032.664.91

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.490.24104.17
稀释每股收益(元/股)0.490.24104.17
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.480.22118.18
加权平均净资产收益率(%)5.4614.76减少9.30个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)5.3513.66减少8.31个百分 点
研发投入占营业收入的比例(%)7.726.86增加0.86个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、本报告期公司实现营业收入71,373.72万元,同比增长56.96%,主要系当前疫情下公司积极保障供应链的稳定,同时持续开拓市场与新客户,优化产品和客户结构,实现销售规模稳步上升。

2、本报告期公司实现归属于上市公司股东的净利润21,465.86万元,同比增长168.69%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润21,022.35万元,同比增长184.20%,主要系:(1)销售规模上升:本期公司实现营业收入71,373.72万元,同比增长56.96%;(2)产品毛利率上升:公司产品和客户结构的不断优化使得高附加值和高毛利率产品的销售占比提升;(3)财务费用降低:本期受美元升值幅度较大影响,汇兑收益较大,同时,募集资金产生利息收入较大。

3、本报告期经营活动产生的现金流量净额为-18,503.28万元,同期减少427.72%,主要系本期公司对晶圆代工厂支付一定产能保证金,以保障晶圆厂产能。

4、报告期,公司基本每股收益及稀释每股收益为0.49元/股,较上年同期增长104.17%,扣除非经常性损益后的基本每股收益0.48元/股,较上年同期增长118.18%,主要系本报告期净利润实现较大增长所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益- 
越权审批,或无正式批准文件,或 偶发性的税收返还、减免- 
计入当期损益的政府补助,但与公 司正常经营业务密切相关,符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外143,883.18第十节七、84
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费- 
企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时 应享有被投资单位可辨认净资产 公允价值产生的收益- 
非货币性资产交换损益- 
委托他人投资或管理资产的损益- 
因不可抗力因素,如遭受自然灾害 而计提的各项资产减值准备- 
债务重组损益- 
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等- 
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益- 
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益- 
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益- 
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益,以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益5,227,026.83 
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回- 
对外委托贷款取得的损益- 
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益- 
根据税收、会计等法律、法规的要- 
求对当期损益进行一次性调整对 当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入- 
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-7,880.24 
其他符合非经常性损益定义的损 益项目72,741.94 
减:所得税影响额991,388.68 
少数股东权益影响额(税后)9,312.07 
合计4,435,070.96 


将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用


九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)公司所属行业情况说明
公司是一家专注存储类芯片设计的企业,聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售,致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》,公司所处行业为“C 制造业——C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计数据显示,2021年全球存储芯片市场规模为1,353亿美元,同比增长13.32%。2021年全球半导体存储器市场规模为1,538.38亿美元,同比增长30.9%,占集成电路市场规模比例为33%。WSTS预计2022年全球半导体存储器市场规模为1,554.58亿美元,占全球半导体市场规模比例为25.34%。

目前存储芯片已逐渐运用在汽车电子、5G通讯、智能终端等新兴领域,在监控安防、5G基站、智能家居等终端产品将产生持续的需求,随着应用领域及终端产品的快速发展,将进一步带动存储芯片需求的不断增加,新兴市场将给存储芯片行业企业带来新的发展契机,对存储芯片的市场需求形成有力的支撑。

(二)主要业务、产品及行业地位分析
公司是一家可以同时提供NAND、NOR、DRAM、MCP以及技术服务的IC设计类公司,公司已建立完整的产品线,目前产品覆盖了5G基站、工业控制、监控安防、消费类电子、穿戴式设备、物联网等多场景应用领域的多样化需求。各类产品的具体情况如下:
1. NAND Flash产品
公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发,主要产品采用浮栅型工艺结构,存储容量覆盖1Gb至32Gb,可灵活选择SPI或PPI类型接口,搭配3.3V/1.8V两种电压,可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司的SLC NAND Flash产品主要用于支持Linux、RTOS等应用系统代码的存储和运行,实现数据的存储及快速改写,被广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。

公司的SLC NAND Flash 产品核心技术优势明显,工艺制程不断更新迭代,实现了从 1Gb 到 32Gb 系列产品设计研发的全覆盖。公司的NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点,满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的车规产品正在进行AEC-Q100的验证;公司先进制程的19nm完成首轮晶圆流片后,产品正在不断调试过程中。

NOR Flash是一类通用型的非易失性存储芯片,其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成,在实现按位快速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,因此具有芯片内执行、读取速度快等特点,通常被用于存储相关数据和代码程序,来满足快速启动应用系统的需求,普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。

公司自主设计的SPI NOR Flash存储容量覆盖 2Mb至256Mb,符合-40℃到85℃的工业标准,并支持多种数据传输模式,公司的产品主要被用于存储代码程序,例如在功能手机中用于存放通信数据交换时的启动程序。公司中高容量的NOR Flash也在研发进程中。

3. DRAM
公司研发的DDR3具有高带宽、低延时等特点,在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。自主研发的LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点,多应用于智能终端、可穿戴设备领域。

在研的LPDDR4x进度符合公司预期,主要针对基带市场和模块类客户,预计今年可以为客户提供样品。

4. MCP
公司研发的MCP产品将闪存芯片和DDR合二为一进行封装,简化走线设计,节省组装空间,高效集成电路,提高产品稳定性,目前主要用于空间受限的电子产品,被应用于移动终端、通讯设备领域。

5. 技术服务
公司拥有自主完整的知识产权,凭借积淀多年的存储芯片设计经验和资深的研发团队,可根据客户的特定需求提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案,帮助客户降低产品开发时间和成本,提高了产品开发效率。

(三)经营模式
公司作为IC设计类公司采用集成电路设计行业典型的Fabless经营模式,专注于集成电路设计业务及销售业务,将芯片制造、封装测试工序交给专业的晶圆制造企业和封装测试企业代工完成。公司取得芯片成品后,用于对外销售。



二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入,公司在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术,主要产品核心技术情况如下:
序号涉及 产品核心技术名称技术来源用途所处阶段备注
1NAND Flash局部自电位升压 操作方法自主研发能有效降低在编写 操作时的干扰,提 高产品可靠性。已量产使用非专利技术
2      
  步进式、多次式编 写/擦除操作方法自主研发可有效控制阈值电 压分布,提高产品 可靠性。已量产使用非专利技术
3      
  内置8比特ECC技 术自主研发通过先进的 ECC技 术,提高产品可靠 性。已量产使用非专利技术
4      
  针对提高测试效 率的芯片设计方 法自主研发通过复用引脚和并 行测试等方法实现 同时测试超 1,000 颗裸片。已量产使用非专利技术
5      
  内置高速 SPI接 口技术自主研发通过闪存工艺,实 现SPI接口的集成。已量产使用非专利技术
6      
  缩减布局区域的 闪存装置自主研发通过共用有源区的 方法,缩减芯片面已量产使用专利技术
    积。  
7NOR Flash提高擦除可靠性 技术自主研发通过优化擦除操作 算法,提高产品可 靠性。已量产使用专利技术
8      
  数据自动刷新技 术自主研发通过优化刷新操作 算法,提高产品可 靠性。已量产使用专利技术
9DRAMDRAM单元 2D/3D 制造方法自主研发通过优化DRAM单元 布局,减少DRAM单 元面积已完成技术 开发专利技术


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,申请专利41项(其中发明专利41项);获得集成电路布图设计权12项;获得注册商标1项。截至报告期末,公司持有境内外有效专利75项(包括原始取得与受让取得)、软件著作权13项、集成电路布图设计权60项、注册商标10项。截至报告期末,公司累计自主申请境内外专利128项(均为发明专利),累计获得专利授权69项(均为发明专利),专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节,公司技术实力不断提升。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利41012869
实用新型专利0000
外观设计专利0000
软件著作权001313
其他0137170
合计4113212152
注:“其他”一栏包括集成电路布图设计权及注册商标。


3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入55,070,898.8931,213,067.8676.44
资本化研发投入---
研发投入合计55,070,898.8931,213,067.8676.44
研发投入总额占营业收入比 例(%)7.726.86增加0.86个百分 点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
本期随着公司研发项目的新增和现有项目的展开,研发人员、研发设备等均较上期有所增加。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投资 规模本期投入 金额累计投入金 额进展 或阶 段性 成果拟达到目标技 术 水 平具体应用前 景
124nm NAND Flash系 列产品7,500.00881.365,272.94个别 产品 已量 产研发更低功 耗更低成本 读写速度更 快的小容量 PPI&SPI NAND Flash 芯片国 内 领 先通讯设备、 安防监控、 可穿戴设 备、移动终 端
228nm NAND Flash系 列产品5,000.00855.244,628.02个别 产品 已量 产研发更低功 耗更低成本 读写速度更 快的小容量 SPI NAND Flash芯片国 内 领 先通讯设备、 安防监控、 可穿戴设 备、移动终 端
348nm NOR Flash系 列产品6,500.00938.105,123.60个别 产品 已量 产研发更低制 程的中高容 量NOR Flash 芯片国 际 领 先通讯设备、 安防监控、 可穿戴设 备、移动终 端
419nm NAND Flash系 列产品19,940.00445.563,607.02研发 阶段研发更低制 程的中小容 量NAND Flash芯片国 际 领 先通讯设备、 安防监控、 可穿戴设 备、移动终 端
5车规产品14,273.881,128.141,330.37研发 阶段符合AEC国 际车规认证 标准国 内 领 先车联网、仪 表盘等
625nm 4Gb LPDDR4x2,800.00377.311,240.35研发 阶段研发第四代 低功耗DDR 产品,实现 LPDDR系列产 品升级迭代。国 内 领 先高端数据模 块
755nm NOR Flash系 列产品3,000.00428.21428.21研发 阶段研发更低制 程的中高容 量NOR Flash 芯片国 内 先 进通讯设备、 安防监控、 可穿戴设 备、移动终 端
8其他DRAM 产品2,000.00453.171,566.74已量 产, 持续提升产品性 能国 内 领 
     升级  
合 计/61,013.885,507.0923,197.26////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)9975
研发人员数量占公司总人数的比例(%)51.5642.61
研发人员薪酬合计3,556.721,898.86
研发人员平均薪酬35.9321.83


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士11.01
硕士2121.21
本科7373.74
大专及以下44.04
合计99100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)1515.15
30-40岁(含30岁,不含40岁)3030.30
40-50岁(含40岁,不含50岁)3333.33
50-60岁(含50岁,不含60岁)1919.19
60岁及以上22.02
合计99100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
2022年上半年,公司在疫情区域性爆发与国内外宏观环境复杂多变的背景下,循序渐进,稳步发展。为保障公司的有序经营,公司在研发体系、供应链体系、质量管理体系、服务体系、人才团队建设及发展自主产权等方面持续投入,聚焦存储领域打造核心竞争力,着眼公司可持续发展。

(1)完善的研发体系
公司建立了产品线的定期规划流程,加强产品开发的中长期规划,优化资源配置。建立研发和技术开发的完整流程,加强行业前沿技术跟踪、核心技术开发、技术更新、知识库建设等工作,促进技术改进和技术积累,提高核心技术能力。公司中小容量存储领域已具备较强的技术、研发优势。公司产品广泛应用于5G基站、工业控制、监控安防、消费类电子、穿戴式设备、物联网等众多领域,也在积极向车规级方向发展。

(2)稳定可靠的供应链体系
公司作为Fabless设计公司,积极与上游国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂建立良好的合代工厂方面,公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立战略合作关系,目前双方在NAND领域进行深入合作开发,积极推进产线制程,将NAND Flash工艺制程推进至19nm,属于先进制程。此外公司与全球最大的存储芯片代工厂力积电紧密合作,在其多个存储芯片先进制程节点上实现了产品的稳定量产,不断进行产品的更新迭代,提升了公司市场竞争力。在封装测试方面,公司已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。

(3)广泛的平台认证和高效灵活的服务体系
公司高度重视产品从研发到交付各道环节的质量把控,建立了完善的质量管理体系。公司与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作,通过产品在平台厂商验证的方式,不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度,还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。

公司致力于为客户提供高效、优质的服务。公司为了保证提供高效、优质的客户服务搭建了高效的服务体系,建立了专业的技术支持团队即时响应客户的服务需求,为客户有效运用公司产品提供了有力的保障。

(4)完善的人才团队建设
集成电路设计属于技术密集型行业,人才是集成电路设计企业研发能力不断升级的基石。公司高度重视半导体领域尤其是研发和管理领域人才的培养,积极引进来自存储芯片先进产业地区和企业任职多年的资深人才,建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队。
(5)自主清晰的知识产权
公司高度重视知识产权的自主性与完整性,经过多年持续不断的研发和创新,拥有多项发明专利,相关专利自主完整、权属清晰。公司稳定的技术研发不仅推出了具备技术、成本优势的产品,而且积累了自主清晰的知识产权。截至报告期末,公司持有覆盖主流存储芯片的境内外发明专利75项。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2022年上半年,面对复杂多变的国际局势、不断反复的新冠肺炎疫情,公司积极应对,始终坚持以市场和客户需求为导向,致力于产品的不断研发创新和稳定的供应链布局。公司专注于中小容量存储产品的研发设计,为下游客户提供NAND、NOR、DRAM等多条产品线,随着公司产品结构的逐步优化,公司产品技术的不断提升以及公司产业链的稳步发展,公司经营业绩保持稳定增长。报告期内,公司实现营业收入7.14亿元,较上年同期增长56.96%;归属于上市公司股东的净利润为2.15亿元,较上年同期增长168.69%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为2.10亿元,较上年同期增长184.20%。

报告期内主要业务情况:
1、产品研发方面
公司重视技术研发,持续加大研发投入。报告期内,公司研发费用达到0.55亿元,同比增长76.44%。研发投入总额占营业收入比例达到7.72%,同比增长0.86个百分点。公司保持稳步向上的研发投入,研发实力不断精进。报告期内公司多个项目研发进度稳定:公司19nm闪存产品已完成首轮晶圆流片,目前正在产品调试过程中。公司NAND Flash和NOR Flash车规产品均在AEC-Q100的验证过程中,目前为止进展一切顺利。

公司致力于走贴近市场的研发方向,研发成果符合市场需求并持续与产业发展深度融合。通过不断的研发投入持续提升产品良率和竞争力,对于产品线和产品结构的不断优化帮助公司在提升客户认可度和持续丰富产品布局方面起到关键作用。

2、供应链建设方面
公司作为Fabless设计公司,注重建立稳定可靠的供应链体系,与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂建立互助、互利、互信的合作关系,有效保证了供应链运转效率和产品质量,打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。报告期内,公司进一步加强与上游合作伙伴的深度交流,共同应对市场需求波动带来的巨大挑战。公司与晶圆厂进行深度战略合作,双方在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的交流与合作,通过签署产能保证协议等方式加深上下游合作、为公司业务发展提供产能的保障。公司与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等国内外知名封测厂建立稳定的合作关系,保证公司供应链的持续稳定。

3、人才建设方面
公司高度重视人才的扩充和建设工作,积极招募行业经验丰富的技术及管理人才,同时通过内外部培训及学习加强对公司现有人才的培养,挖掘优秀人才。公司持续优化绩效评估机制和职位晋升机制,建立合理有效的激励机制,激发人才的创新思维和主观能动性,提高人才的自我认同感,保证公司人才团队的稳定健康发展。2022年2月14日,公司向 77名激励对象授予170.04万股限制性股票。

4、信息披露及防范内幕交易方面
公司严格遵守法律法规和监管机构规定,严格执行公司信息披露管理制度,真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务,通过上市公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证e互动、投资者关系热线、邮箱等诸多渠道,与投资者积极沟通。

公司高度重视内幕交易防范,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票交易的相关法律规定。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一) 核心竞争力风险
1. 研发团队风险
集成电路设计行业亦属于人才密集型行业,需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础,也是公司推进技术持续创新升级的关键。

截止报告期末,公司拥有研发与技术人员99人,占公司总人数的51.56%。公司通过持续招募,培养,校企合作等方式,通过具备竞争力的薪酬体系及激励手段,持续扩充研发与技术团队,尤其重视国内存储设计人员培养及运营管理团队的建设。

如公司现有团队不能持续提升经验积累,或公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员,将影响公司核心竞争力和持续创新能力。

2. 技术升级导致产品迭代风险
集成电路设计行业产品更新换代及技术升级速度较快,持续研发新技术、推出新产品是集成电路设计公司在市场中保持优势的重要手段。

NAND、NOR及DRAM仍为市场主流存储芯片,同时新型存储芯片技术亦不断涌现。

存储行业中,NAND系列中的中小容量产品围绕着高可靠性方向发展,大容量产品围绕着3D NAND方向发展,两者具备不同性能,因而应用于不同应用场景,基本不存在相互替代效应;NOR凭借擦写次数多、读取速度快、芯片内可执行等特点主要通过提升产品性能、拓展应用场景来扩大市场;DRAM产品通过不断提升制程、提升性能来打开市场。

近年来,新型存储技术如MRAM(磁阻存储器)、RRAM(阻变存储器)、PRAM(相变存储器)、FRAM(铁电存储器)不断发展,其特殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能,目前新型存储器过高的成本或较大的工艺难度,尚未实现规模化和标准化。

目前,存储行业内企业主要根据市场需求和工艺水平对现有技术进行升级迭代,以持续保持产品竞争力。未来如公司技术升级进度或成果未达预期、未能准确把握行业发展趋势,同时如果新型存储技术成熟并达到规模化量产并形成商业化产品,将影响公司市场竞争力并错失发展机会,可能对公司未来业务发展造成不利影响。

3. 研发风险
公司主营业务为存储芯片的研发、设计和销售。存储芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践,周期较长。如果公司未来不能紧跟行业前沿需求,正确把握研发方向,可能导致产品定位偏差。同时,新产品的研发过程较为复杂,耗时较长且成本较高,存在不确定性。

如果公司不能及时推出契合市场需求且具备成本优势的产品,可能导致公司竞争力有所下降,从而影响公司后续发展。

4. 核心技术泄密风险
公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点,核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用,是公司核心竞争力的具体体现。

为了保证核心技术的保密性,公司针对商业保密工作制定了保密制度,明确了核心技术信息的管理流程并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素,公司仍可能存在核心技术泄密的风险,将对公司研发和经营造成不利影响。

(二) 经营风险
1. 委外加工及供应商集中度较高的风险
公司采用Fabless经营模式,公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行。由于集成电路行业的特殊性,晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。

公司晶圆代工厂主要为中芯国际和力积电,封测厂主要为紫光宏茂、AT Semicon、南茂科技等公司,在晶圆代工厂及封装测试厂方面均集中度较高。

未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化,导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加,可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。

2. 境外经营风险
公司推行全球化的研发设计和市场销售布局,报告期内公司的境外业务主要集中在日本、韩国、美国、巴西等国家。

未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化,或公司国际化运营能力不足,将对公司未来经营情况造成不利影响。

(三) 财务风险
1. 应收账款回收风险
报告期末,公司应收账款账面价值为31,005.11万元,占当期营业收入的比例为43.44%,占比较大。如果公司后续对应收账款不能有效控制,无法及时回收应收账款,则可能存在应收账款余额较大或形成坏账,将增加公司资金压力,对公司未来业绩情况造成重大不利影响。

2. 存货跌价风险
公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。报告期末,公司存货的账面价值为50,247.83万元,计提的存货跌价准备余额为5,674.73万元。存储芯片产品属于通用性产品,受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产能等因素影响,价格呈现周期性波动。如果未来公司客户需求、市场竞争格局发生变化,价格持续下行,或公司未能有效拓宽销售渠道,使得库存产品滞销,可能导致存货库龄变长、可变现净值降低,公司将面临存货跌价的风险。

3. 毛利率波动的风险
公司产品主要为存储芯片,具有市场竞争较为激烈、产品和技术更迭较快的特点。公司在报告期内的毛利率较高,未来如果行业竞争加剧或公司无法通过持续研发完成产品的更新换代导致公司产品毛利率下降,将对公司的业绩产生较大影响。

4. 税收优惠政策变动风险
2019年12月6日公司取得上海市科学技术委员会、上海市财政部、国家税务总局上海市税务局联合颁发的《高新技术企业证书》(证书编号:GR201931005164),认定公司为高新技术企业,认定有效期为三年,可享受企业所得税优惠税率15%。

2022年5月公司被认定为国家鼓励的重点集成电路设计企业,根据财政部、税务总局、发展改革委、工业和信息化部公告2020年第45号文的规定,公司自获利年度起,第一年至第五年免征企业所得税,接续年度减按10%的税率征收企业所得税。

如果未来国家上述优惠政策发生改变,或公司不再具备享受相应税收优惠政策的条件,公司可能因所得税税率变动而影响公司的盈利能力。

(四) 行业风险
公司为客户提供NAND、NOR及DRAM等存储芯片,产品覆盖了通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等多个领域。

受全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响,集成电路行业特别是存储芯片行业存在一定的周期性。因此,存储芯片市场与宏观经济整体亦密切相关。如果宏观经济波动较大,存储芯片的市场需求也将随之受到影响;另外下游市场需求的低迷亦会导致存储芯片的需求下降,进而影响存储芯片企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。

(五) 宏观环境风险
1. 国际贸易摩擦的风险
近年来国际贸易环境的不确定增加,中美贸易摩擦不断加剧,部分国家采取激进的贸易保护措施,使得我国部分产业发展受到冲击。集成电路行业具有典型的全球化分工合作的特点,若国际贸易环境进一步恶化、各国贸易摩擦进一步升级、全球贸易保护主义持续升温,则可能对公司所处的集成电路产业链产生不利影响,造成产业链上下游交易成本增加,从而可能对公司的经营带来负面影响。

(六) 其他重大风险
1. 新冠肺炎疫情的风险
自2020年初,新型冠状病毒肺炎疫情爆发以来,我国多个省市启动重大突发公共卫生事件一级响应,采取了人员隔离、推迟复工等举措来应对疫情扩散。报告期内,新冠疫情的影响仍在持续,随着新冠病毒的变异、传染能力的增强,其持续时间和影响范围尚难以估计。若疫情进一步持续或加剧,可能导致公司主要供应商的供货能力受到影响、上下游物流运输发生延迟等等,进而对公司的经营业绩造成不利的影响。


六、 报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入71,373.72万元,较上年同期增长56.96%;归属于上市公司股东的净利润21,465.86万元,较上年同期增长168.69%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润21,022.35万元,较上年同期增长184.20%。


(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入713,737,192.93454,735,718.9856.96
营业成本384,373,999.81303,643,623.0426.59
销售费用7,470,941.498,318,317.40-10.19
管理费用29,551,680.3222,835,145.3029.41
财务费用-44,979,932.22-712,004.79不适用
研发费用55,070,898.8931,213,067.8676.44
经营活动产生的现金流量净额-185,032,776.5556,459,943.39-427.72
投资活动产生的现金流量净额-645,457,034.43-26,166,017.46不适用
筹资活动产生的现金流量净额-80,147,500.964,380,705.78-1,929.56
营业收入变动原因说明:主要系当前疫情下公司积极保障供应链的稳定,同时持续开拓市场与新客户,优化产品和客户结构,实现销售规模稳步上升。

营业成本变动原因说明:随着销售规模不断扩大,相应的营业成本有所增加。

财务费用变动原因说明:(1)本期利息收入较上年同期增加;(2)本期美元升值汇兑收益较上年同期增加。

研发费用变动原因说明:本期随着研发项目的新增和现有项目的展开,研发人员、研发设备等均较上期有所增加。

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:本期公司对晶圆代工厂支付一定的产能保证金,以保障晶圆厂产能。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:本期公司增加理财业务所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:本期公司利润分配派发2021年度现金股利所致。

2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用 (未完)
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