[中报]拓荆科技(688072):拓荆科技2022年半年度报告
原标题:拓荆科技:拓荆科技2022年半年度报告 拓荆科技股份有限公司 2022年半年度报告 一、 本公司董事会及除杨征帆外的董事、监事、高级管理人员保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。 杨征帆董事无法保证本报告内容的真实性、准确性和完整性，理由是：无法取得联系。请投资者特别关注。 二、 重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。 三、 未出席董事情况
四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人吕光泉、主管会计工作负责人刘静及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 37 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 39 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 41 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 62 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 70 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 70 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 71
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
注：本报告中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1、营业收入较上年同期增长364.87%，主要原因为：受益于国内半导体行业良好的发展态势，国内晶圆厂扩产带动半导体设备需求增长，公司作为国内半导体薄膜沉积设备主要厂商，持续保持高强度的研发投入，产品竞争力和客户认可度不断提升，销售订单持续增长。报告期内，公司核心产品PECVD设备实现收入4.67亿元，较上年同期增长345.21%；SACVD设备较上年同期实现收入0.41亿元，ALD设备较上年同期实现收入0.08亿元。 2、归属于上市公司股东的净利润较上年同期增加1.28亿元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期增加1.17亿元，较上年同期实现扭亏为盈，主要系：（1）公司本期营业收入较上年同期增加4.11亿元，增长了364.87%；（2）本期毛利率46.76%，较上年同期的38.34%提高约8.42个百分点；（3）公司期间费用率同比有较大幅度降低。 3、经营活动产生的现金流量净额较上年同期增加2.94亿元，主要系公司营业收入大幅增加、回款情况持续良好所致。 4、归属于上市公司股东的净资产较上年末增加187.58%，总资产较上年末增加122.46%，主要系公司于2022年4月完成首次公开发行股票并在科创板上市收到募集资金所致。 5、基本每股收益、稀释每股收益较上年同期增加1.24元/股，扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期增加1.18元/股，加权平均净资产收益率较上年同期提高7.33个百分点，扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率较上年同期提高 8.59个百分点，主要系本期公司净利润和扣除非经常性损益的净利润增加。 6、研发投入占营业收入的比例较上年同期降低49.22个百分点，主要是由于公司本期营业收入同比大幅增长所致。公司持续保持较高的研发投入，本期研发投入1.18亿元，较上年同期0.81亿元增长45.66%。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）公司所属行业情况 1. 所属行业及确定依据 公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司隶属于专用设备制造业（行业代码：C35）。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司隶属于专用设备制造业下的半导体器件专用设备制造（行业代码：C3562）。根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司隶属于新一代信息技术产业下的集成电路制造行业。 2. 半导体设备行业情况 半导体行业的发展水平与国家科技水平息息相关，其发展情况已成为全球各国经济、社会发展的风向标，是衡量一个国家现代化程度和科技实力的重要标志。半导体设备作为半导体产业链的技术先导者，是半导体产业发展的基础和技术进步的关键，其自主可控尤为重要。随着半导体技术的迭代升级，半导体元器件逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，半导体设备的重要地位日益凸显。 近年来，半导体设备行业在下游快速发展的推动下，保持快速增长。根据 SEMI数据统计，2021年全球半导体制造设备的销售额约1026亿美元，同比增长约44%，2021年中国大陆地区半导体设备销售规模达约296.2亿美元，同比增长约58%，中国大陆2020年、2021年均为全球半导体设备最大市场。2022年第一季度全球半导体设备出货金额达到247亿美元，同比增长5%，中国大陆第一季度半导体设备出货金额为75.7亿美元，排在第一位，同比增长27%。 目前，全球半导体设备市场主要由国外厂商主导。伴随着我国对半导体产业不断的政策扶持、加大投入力度，国产半导体设备实现了从无到有、从弱到强的质的飞跃，使我国半导体产业生态 和制造体系得以不断完善。但我国半导体设备市场仍严重依赖进口，因此，能够实现进口替代的 国内半导体设备厂商市场空间较大，并迎来巨大的成长机遇。 3. 公司所在的薄膜沉积设备行业发展情况 （1）薄膜沉积设备市场规模 根据SEMI和北京欧立信数据显示，2021年全球薄膜沉积设备市场规模达210亿美元，按照 2021年国内半导体设备市场占全球市场 28.87%的比例测算，2021年中国大陆薄膜沉积设备市场 规模约为60亿美元，较2020年测算的45亿美元同比增长约33%。2022年全球薄膜沉积设备市场 规模将持续增长，预计达到250亿美元，中国大陆市场也将保持增长趋势，为国内薄膜设备厂商 带来广阔的市场空间。 据SEMI统计，在新建晶圆厂设备投资中，晶圆制造相关设备投资额占比约为总体设备投资的 80%，薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大主设备之一，其投资规模占晶圆制造设备总投资的 25%。 半导体设备投资占比情况 （2）公司所聚焦的薄膜沉积设备细分领域市场情况 薄膜沉积设备主要包括化学气相沉积（CVD）设备和物理气相沉积（PVD）设备。公司主要聚焦在CVD设备细分领域内的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、次常压化学气相沉积（SACVD）设备及原子层沉积（ALD）设备。不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求。 根据SEMI和北京欧立信数据显示，在2021年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为11%，SACVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比小于6%。 各类薄膜沉积设备占比 （3）薄膜沉积设备发展趋势 ①薄膜沉积设备市场需求稳步增长 随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。Maximize Market Research预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将达到340亿美元，2020年-2025年期间保持年复合13.3%的增长速度。其中，ALD设备市场规模将快速增长。根据市场调查机构Acumen research and condulting预测，伴随着半导体先进制程产线数量的增加，2026年全球ALD设备市场规模将达到约32亿美元。 近年来，在半导体产品市场需求旺盛的带动下，全球晶圆厂产能扩充，同时逐步向中国大陆转移，中国大陆已成为全球晶圆厂新增产能中心。SEMI数据显示，2021-2022年，全球新增晶圆厂29座，其中中国大陆新增8座，占比达到27.59%。中国大陆晶圆厂的扩产、建厂加速了国内半导体产业发展和布局，为国内半导体设备发展提供了巨大的市场空间。 根据集微咨询统计，中国大陆预计未来5年（2022年-2026年）还将新增25座12英寸晶圆厂，总规划月产能超过 160万片。截至 2026年底，中国大陆 12英寸晶圆厂的总月产能将超过276.3万片。中国本土晶圆厂建厂的热潮将一同引领中国半导体薄膜沉积设备的需求增长。 ②芯片工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求 薄膜沉积是指在硅片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料，所沉积薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属。薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。公司所聚焦的 PECVD、ALD及 SACVD系列产品主要用于沉积介质层薄膜材料，在逻辑芯片、3D NAND FLASH存储芯片、DRAM存储芯片中应用广泛，具体如下图所示： 介质薄膜在逻辑芯片中的应用 介质薄膜在3D NAND FLASH存储芯片中的应用 介质薄膜在DRAM存储芯片中的应用 薄膜设备的发展支撑了集成电路制造工艺向更小制程发展。随着集成电路芯片技术的迭代升 级，晶圆制造工艺不断走向精密化，芯片结构复杂度不断提高，所需求的薄膜沉积工序和薄膜种 类随之增加，对薄膜性能的要求也日益提高。这一趋势对薄膜沉积设备提出了更高的技术要求， 市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。 在90nm CMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线，大约需 要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微 米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。 不同工艺节点薄膜沉积工序对比 在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2D NAND发展为3D NAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3D NAND FLASH芯片的堆叠层数不断增高，从32/64层逐步向128/196层及更先进节点发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。 尽管全球半导体设备市场有较强的周期性，但中国大陆半导体产业正面临前所未有的发展机遇，国家战略聚焦，巨大市场支撑，产业链良性互动，产业资本日渐发力，大陆及国际资本投资的晶圆厂数量不断增加，制程更加先进，中国薄膜沉积设备行业将保持高成长性，未来中国市场的重要性将进一步提高。 （二）主营业务情况说明 1. 公司主营业务概述 公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，打破国际厂商在高端半导体薄膜沉积设备领域对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司目前是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备和SACVD设备厂商，也是国内领先的集成电路ALD设备厂商。 2. 公司主要产品情况 报告期内，公司持续拓展PECVD、ALD、SACVD三大系列产品工艺应用领域，不断丰富、完善量产产品的功能，保持产品核心竞争力，进一步提升现有产品市场占有率，并获得逻辑芯片、存储芯片等领域现有客户重复订单和新客户订单。公司产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至报告期末，公司设备在客户端产线生产产品的累计流片量已由截至 2021年 12月份的4600余万片增加至 7100余万片。报告期内，公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（业内标准通常为大于85%）。 公司在现有产品基础上，围绕CVD设备细分领域，积极布局新产品研发，持续丰富公司产品种类，目前已开发了TS-300（多边形高产能平台）、基于高产能平台的热处理原子层沉积（Thermal-ALD）、高密度等离子增强化学气相沉积（HDPCVD）设备和紫外线固化处理（UV Cure）设备等新产品，具体情况敬请查阅本节“四、经营情况的讨论与分析”部分内容。 公司现有PECVD、ALD、SACVD三大系列产品情况如下： ① PECVD系列产品 PECVD设备是芯片制造的核心设备之一。由于等离子体的作用，可以在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。 公司PECVD系列产品具体情况如下：
ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、DRAM和3D NAND制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。 公司ALD系列产品具体情况如下：
SACVD设备主要应用于沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔（Gap fill）能力。 公司SACVD系列产品具体情况如下：
注：随着公司产品种类的不断丰富，公司持续完善产品型号命名规则。报告期内，经履行公司内部决策程序，对公司产品型号名称进行调整，结合设备平台类型及反应腔类别重新命名产品型号。 3.主要经营模式 （1）盈利模式 公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售薄膜沉积设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。 （2）研发模式 公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术动态和国家重大科技专项目标为导向，研发设计新产品、新工艺，制造研发机台，调试性能参数，在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品功能。 （3）采购模式 公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制；针对特定零部件，公司存在提供图纸及参数，并向供应商提供原材料，委托供应商完成定制化加工的情形。 （4）生产模式 公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。 （5）销售和服务模式 报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。 经过多年的努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。 公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。 报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司自成立以来，始终专注于半导体薄膜沉积设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。公司核心技术及其先进性的具体表征如下：
国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 公司始终专注于半导体薄膜沉积设备的研发。报告期内，公司获批承担 1项国家重大专项，截至报告期末，公司已先后承担累计 7项国家重大专项/课题。 公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请发明专利502项、实用新型专利101项、外观设计专利1项、PCT 21项；累计获得发明专利107项、实用新型专利79项、外观设计专利1项。 2022年4月15日，国家知识产权局公布了第二十三届中国专利奖预获奖名单，公司专利“负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统”入围中国专利优秀奖。 报告期内获得的知识产权列表
注2：上表“累计数量”中“申请数”和“获得数”不包含已失效专利。 3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 报告期内，公司不断丰富产品种类，拓展工艺应用领域，持续加大研发投入，公司本期研发投入1.18亿元，同比增长45.66%，主要系研发的直接投入和研发人员薪酬增加所致。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：万元
5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 公司致力于研发和生产世界领先的半导体薄膜设备，始终坚持自主创新，持续地为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为： 1. 具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势 公司自设立以来，坚持自主创新，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系。 截至报告期末，公司累计获得授权专利187项，其中发明专利107项。 公司先后承担了7项国家重大专项/课题，已研发了支持不同工艺型号的PECVD、ALD和SACVD设备，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台。 以下先进介质材料工艺薄膜沉积技术，在存储芯片领域储备了3D NAND和DRAM介质薄膜沉积技术，在先进封装领域储备了TSV、2.5D-IC、3D-IC集成领域所需的介质薄膜沉积技术。公司未来将坚持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。 2. 优秀的技术研发及管理团队优势 公司已经建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备技术研发及管理团队。公司创始团队以归国海外专家为核心，立足核心技术研发，积极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。 公司国际化专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司，在整机设计、工艺设计、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有 296名，占公司员工总数的 43.72%。 公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队人员稳定，不存在重大不利变化。 3. 领先的行业地位及丰富的客户资源优势 公司以建立“世界领先的薄膜设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备这一半导体核心设备细分领域的积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。 公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。公司的主要产品 PECVD、ALD及SACVD设备已批量发往国内主要集成电路晶圆厂产线。此外，公司积极关注国际市场需求，适时开拓国际市场。 4. 稳定的供应链及较低的运营成本优势 公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司以协作为基础，与供应商实时互动，共同进行敏捷的协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。 公司的主要竞争对手均位于美国和日本，服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆，拥有区位优势。在产品设计方面，公司通过与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着本土供应商的不断成熟，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。 5. 提供定制化产品及高效的售后服务优势 公司针对客户提出的特定工艺材料、特定制造工序薄膜性能的快速响应能力可以及时满足客户产线的客制化设备需求。这对于中国本土客户近年来能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司最高层管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的、及时的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。 (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 报告期内，公司一直在高端半导体设备领域持续深耕，专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司围绕国家专项战略布局，面向国内集成电路芯片制造技术发展及市场需求，充分发挥公司在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，紧抓国内半导体产业高速发展的市场机遇，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强产品市场竞争力，同时，持续强化公司运营管理，促进公司持续、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了突出的进展。 1. 主要经营情况 报告期内，公司产品持续保持竞争优势，同时受益于下游晶圆厂的产能扩充以及国家政策对国产设备的大力支持，公司产品销量同比大幅增加，实现营业收入52,321.69万元，较上年同期增长 364.87%，营业收入大幅增长；实现归属于上市公司股东的净利润 10,812.27万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4,915.03万元，较上年同期实现扭亏为盈，盈利能力持续增强。 报告期内，公司实现主营业务收入 51,666.74万元，较上年同期增长 392.56%。公司主营业务按产品类别构成分析情况如下： 单位:万元 币种：人民币
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