[中报]卓胜微(300782):2022年半年度报告

时间:2022年08月28日 16:56:23 中财网

原标题:卓胜微:2022年半年度报告

江苏卓胜微电子股份有限公司
Maxscend Microelectronics Company Limited



2022年半年度报告
(公告编号:2022-054)




2022年08月

第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人许志翰、主管会计工作负责人朱华燕及会计机构负责人(会计主管人员)汪燕声明:保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

本报告中涉及未来计划等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,也不代表公司的盈利预测,能否实现取决于市场状况变化等多种因素,存在较大不确定性,敬请投资者注意投资风险。

公司已在本报告中详细阐述了未来可能发生的有关风险因素,详见“第三节 管理层讨论与分析”之“十、公司面临的风险和应对措施”,敬请投资者予以关注。

公司计划不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。

目录
第一节 重要提示、目录和释义 ................................................................................................................................ 2
第二节 公司简介和主要财务指标 ........................................................................................................................... 7
第三节 管理层讨论与分析 .......................................................................................................................................... 10
第四节 公司治理 .............................................................................................................................................................. 35
第五节 环境和社会责任 ............................................................................................................................................... 38
第六节 重要事项 .............................................................................................................................................................. 41
第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................................................... 48
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................................................... 54
第九节 债券相关情况 .................................................................................................................................................... 55
第十节 财务报告 .............................................................................................................................................................. 56

备查文件目录
(一)经公司法定代表人签名的2022年半年度报告全文及其摘要。

(二)载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。

(三)报告期内在中国证监会指定信息披露载体上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

(四)其他相关资料。

公司将上述文件的原件或具有法律效力的复印件置备于公司证券投资部。


释义

释义项释义内容
卓胜美国Lynnian, Inc.
卓胜香港Maxscend Technologies(HK)Limited
卓胜成都成都市卓胜微电子有限公司
卓胜上海卓胜微电子(上海)有限公司
卓胜日本Maxscend Technology JAPAN株式会社
芯卓投资江苏芯卓投资有限公司
汇智投资无锡汇智联合投资企业(有限合伙)
山景股份上海山景集成电路股份有限公司
苏州耀途苏州耀途股权投资合伙企业(有限合伙)
天津浔渡天津浔渡创业投资合伙企业(有限合伙)
报告期2022年1月1日至2022年6月30日
报告期末2022年6月30日
元、万元人民币元、人民币万元
集成电路、芯片、ICIntegrated Circuit,简称IC,将大量元器件集成于一个单晶片上所 制成的电子器件,俗称芯片
射频、RFRadio Frequency,简称RF,一种高频交流变化电磁波的简称,频率 范围在300KHz~300GHz之间
射频前端RF Front-end,包括发射通路和接收通路,一般由射频功率放大器、 射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等芯片组成
射频开关、Switch构成射频前端的一种芯片,主要用于在移动智能终端设备中对不同方 向(接收或发射)、不同频率的信号进行切换处理
射频低噪声放大器、LNALow-Noise Amplifier,简称LNA,构成射频前端的一种芯片,主要用 于通信系统中将接收自天线的信号放大,以便于后级的电子器件处理
射频滤波器、FilterFilter,构成射频前端的一种芯片,负责收发通道的射频信号滤波, 将输入的多种射频信号中特定频率的信号输出
射频功率放大器、PAPower Amplifier,简称PA,构成射频前端的一种芯片,是各种无线 发射机的重要组成部分,将调制振荡电路所产生的射频信号功率放 大,以输出到天线上辐射出去
天线开关、Antenna Tuner射频开关的一种,与天线直接连接,主要用于调谐天线信号的传输性 能使其在任何适用频率上均达到最优的效率;或者交换选择性能最优 的天线信道
声表面波滤波器、SAWSurface Acoustic Wave,简称SAW,其原理为在输入端由压电效应把 电信号转换为声信号在介质表面传播,在输出端由逆压电效应将声信 号转换为电信号
体声波滤波器、BAWBulk Acoustic Wave,简称BAW,其原理为在金属电极顶部由压电效 应把电信号转换成声信号在介质内部传播,在金属电极底部由逆压电 效应将声信号转换成电信号
双工器、四工器构成射频前端的一种芯片,使得工作在不同频率上的接收和发射通路 能够共享一个天线。它通常由两个或两个以上的带通滤波器并联而 成,其作用是将发射和接收讯号相隔离,保证接收和发射都能同时正 常工作,互不干扰。根据滤波器数量不同,包括双工器、四工器等
低功耗蓝牙Bluetooth Low Energy,简称BLE,使用全球通用频带2.4GHz,能够 使蓝牙设备以更低能耗工作,实现蓝牙设备之间、蓝牙设备和智能手
  机、平板电脑等控制器的连接
低功耗蓝牙微控制器芯片将BLE、MCU集成到同一芯片,形成以蓝牙收发射频信号的微控制器
封测"封装、测试"的简称;"封装"指为芯片安装外壳,起到安放、固定、 密封、保护芯片和增强电热性能的作用;"测试"指检测封装后的芯片 是否可正常运作
晶圆Wafer,集成电路制作所用的硅晶片,生产集成电路所用的载体,可 加工制作成各种电路元件结构,由于其形状为圆形,故称为晶圆
FablessFabrication(制造)和less(无、没有)的组合词;一指集成电路 市场中,没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式,通常也被称 为"Fabless模式";也用来指代无芯片制造工厂的IC设计公司,经常 被简称为"无晶圆厂"或"Fabless厂商"
Fab-Lite轻晶圆厂的集成电路企业经营模式,是介于Fabless模式与IDM模式 之间的经营模式,即在晶圆制造、封装及测试环节采用自行建厂和委 外加工相结合的方式
IDMIntegrated Device Manufacturing,简称IDM,是集成电路行业中, 垂直整合制造的模式,包含了芯片设计、晶圆制造、封测等全部芯片 制造环节
4G、5G、5G NR4G,指第四代移动通信技术与标准;5G,指第五代移动通信技术与标 准;5G NR,5G New Radio,指基于OFDM的全新空口设计的全球性5G 标准
IPDIntegrated Passive Device,简称IPD,集成无源器件
MEMSMicro-Electro-Mechanical System,简称MEMS,是加工RF产品的一 种技术
GaAs砷化镓,是第二代半导体材料
CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor,简称CMOS,是制造大 规模射频前端芯片用的一种工艺
SiGe是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量 的Ge形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅 基工艺集成技术
SOISilicon-On-Insulator,简称SOI,即绝缘衬底上的硅,该技术是在 顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层
GaN氮化镓,,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导 体。
MLC低温共烧陶瓷技术,是以功能材料作为电路基板材料,将电极材料、 基板、电子器件等一次性烧成,是一种用于实现高集成度、高性能的 工艺

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司简介

股票简称卓胜微股票代码300782
股票上市证券交易所深圳证券交易所  
公司的中文名称江苏卓胜微电子股份有限公司  
公司的中文简称(如有)卓胜微  
公司的外文名称(如有)Maxscend Microelectronics Company Limited  
公司的外文名称缩写(如有)Maxscend  
公司的法定代表人许志翰  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名刘丽琼徐佳
联系地址无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号
电话0510-851853880510-85185388
传真0510-851685170510-85168517
电子信箱[email protected][email protected]
三、其他情况
1、公司联系方式
公司注册地址,公司办公地址及其邮政编码,公司网址、电子信箱在报告期是否变化 □适用 ?不适用
公司注册地址,公司办公地址及其邮政编码,公司网址、电子信箱报告期无变化,具体可参见2021年年报。

2、信息披露及备置地点
信息披露及备置地点在报告期是否变化
?适用 □不适用

公司选定的信息披露报纸的名称《证券时报》《中国证券报》
登载半年度报告的网址巨潮资讯网:www.cninfo.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券投资部
3、注册变更情况
注册情况在报告期是否变更情况
□适用 ?不适用
公司注册情况在报告期无变化,具体可参见2021年年报。

四、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是 ?否

 本报告期上年同期本报告期比上年同期增减
营业收入(元)2,234,935,044.692,359,358,476.19-5.27%
归属于上市公司股东的净利润(元)752,097,880.521,014,448,560.09-25.86%
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益后的净利润(元)756,668,393.63993,954,826.86-23.87%
经营活动产生的现金流量净额(元)588,395,909.37433,539,538.6135.72%
基本每股收益(元/股)1.40911.9099-26.22%
稀释每股收益(元/股)1.40871.9098-26.24%
加权平均净资产收益率9.35%18.19%-8.84%
 本报告期末上年度末本报告期末比上年度末增减
总资产(元)9,414,856,004.578,447,846,067.8511.45%
归属于上市公司股东的净资产(元)8,329,794,131.937,642,320,241.459.00%
公司报告期末至半年度报告披露日股本是否因发行新股、增发、配股、股权激励行权、回购等原因发生变化且影响所有者权
益金额
□是 ?否

支付的优先股股利0.00
支付的永续债利息(元)0.00
用最新股本计算的全面摊薄每股收益(元/股)1.4091
五、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

六、非经常性损益项目及金额
?适用 □不适用
单位:元

项目金额说明
计入当期损益的政府补助(与公司正常经营业务密切相 关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续 享受的政府补助除外)6,286,525.04取得的政府补助
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持 有交易性金融资产、交易性金融负债产生的公允价值变 动损益,以及处置交易性金融资产、交易性金融负债和 可供出售金融资产取得的投资收益-11,251,110.85持有的其他非流动金融资产产生 的公允价值变动、处置其他非流 动金融资产取得的投资收益
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-412,488.44企业对外公益捐赠等支出
减:所得税影响额-806,561.14 
合计-4,570,513.11 
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用 ?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目
的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常
性损益的项目的情形。


第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的主要业务 (一)主营业务 公司是江苏省高新技术企业,专注于射频集成电路领域的研究、开发、生产与销售,主要向市场提供射频开关、射频低 噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品解决方案,同时公司还对外提供低功耗蓝牙 微控制器芯片。公司射频前端分立器件和射频模组产品主要应用于智能手机等移动智能终端产品,客户覆盖全球主要安卓手 机厂商,同时还可应用于智能穿戴、通信基站、汽车电子、无人飞机、蓝牙耳机、VR/AR设备及网通组网设备等需要无线连 接的领域。公司低功耗蓝牙微控制器芯片主要应用于智能家居、可穿戴设备等电子产品。 公司高度重视技术创新,在射频领域有多年的技术积累,一直积极投入研发与创新,专注提高核心技术竞争力。公司在 射频开关、射频低噪声放大器、射频接收端模组等细分领域已崭露头角,产品在手机消费端树立了一定的口碑,在细分市场 的产品形态已经处于业界较为前沿的位置,奠定了较好的本土市场地位。为了更好地把握市场动态,公司密切跟踪行业技术 演变和发展趋势,对行业进行深度调研,探索公司未来发展方向。公司新产品的开发趋向高端化、复杂化,通过新设计、新 工艺和新材料的结合,持续、稳定地投入研发,保证了公司自身的研发设计能力和在技术上的领先优势。 依托公司长期以来的技术积累和竞争优势,公司将持续夯实在射频领域的布局,在保持并深入拓展手机等移动智能终端 领域的同时,深入挖掘通信基站、汽车电子、网通组网设备、物联网等应用领域的市场机会。公司坚持自主研发核心技术, 随着5G通信技术的发展,公司已成为国内少数对标国际领先企业的射频器件提供商之一。 公司主要产品及其用途介绍: 1、射频前端芯片
(1)移动通信
1)分立器件
1
○射频开关
传导开关
射频传导开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通,以实现不同信号路径的切换,包括接收与
发射的切换、不同频段间的切换等。公司的射频传导开关产品的主要种类有移动通信传导开关、WiFi 开关等,采用 RF SOI
的材料及相应工艺,广泛应用于智能手机等移动智能终端。

天线开关
天线开关是射频开关的一种,与天线直接连接,主要用于调谐天线信号的传输性能使其在任何适用频率上均达到最优的
效率,或者交换选择性能最优的天线信道。公司的天线开关根据功能的不同,分为天线调谐开关、天线调谐器、天线交换开
关等,主要采用RF SOI的材料及相应工艺,广泛应用于智能手机等移动智能终端。

2
○射频低噪声放大器
射频低噪声放大器的功能是把天线接收到的微弱射频信号放大,尽量减少噪声的引入,在移动智能终端上实现信号更好、
通话质量和数据传输率更高的效果。公司的射频低噪声放大器产品,根据适用频率的不同,分为全球卫星定位系统射频低噪
声放大器、移动通信信号射频低噪声放大器、电视信号射频低噪声放大器、调频信号射频低噪声放大器等。上述射频低噪声
放大器产品采用SiGe、RF CMOS、RF SOI、GaAs等材料及相应工艺,主要应用于智能手机等移动智能终端。

③射频滤波器
射频滤波器的作用是保留特定频段内的信号,将特定频段外的信号滤除,从而提高信号的抗干扰性及信噪比。公司滤波
器产品根据应用场景的不同,分为用于卫星定位系统的GPS滤波器、用于无线连接系统前端的WiFi滤波器、适用于移动通信
的滤波器等,公司现阶段主要采用SAW、IPD等工艺,上述产品主要应用于智能手机等移动智能终端。

④射频功率放大器
射频功率放大器的作用是把发射通道的射频信号放大,使信号馈送到天线发射出去,从而实现无线通信功能。公司目前
推出的射频功率放大器产品,主要采用GaAs材料及相应工艺实现,主要应用于移动智能终端。

2)射频模组
射频模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立器件集成为一个
模组,从而提高集成度与性能并使体积小型化。射频模组根据集成方式的不同可分为不同类型不同功能的模组产品,公司的
射频模组产品包括 DiFEM(接收模组,集成射频开关和滤波器)、L-DiFEM(接收模组,集成射频低噪声放大器、射频开关和
滤波器)、LFEM(接收模组,集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)、LNA BANK(接收模组,集成多个射频低噪声放大器和
射频开关)、L-PAMiF(主集收发模组,集成射频功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器)等。其中DiFEM和L-DiFEM
适用于sub-3GHz频段,LFEM和L-PAMiF适用于sub-6GHz频段,LNA BANK在sub-3GHz与sub-6GHz频段皆有相适应的产品,
上述射频模组产品主要应用于移动智能终端。

(2)无线连接
1)WiFi前端模组
WiFi 前端模组(WiFi FEM)是将 WiFi 射频功率放大器、射频开关、低噪声放大器等以多种组合方式集成为一个模组,
用于无线信号发射和接收,实现WiFi数据传输。公司的WiFi前端模组产品主要应用于移动智能终端及网通组网设备。

2)蓝牙前端模组
蓝牙前端模组(BT FEM)主要用于蓝牙无线系统前端,位于蓝牙 SoC芯片和天线之间。蓝牙前端模组根据系统需求架构
形式集成射频功率放大器、射频低噪声放大器、射频开关,用于提高蓝牙的发射功率或者提升接收灵敏度。公司目前推出的
蓝牙前端模组产品主要应于物联网及其他通讯系统,如蓝牙耳机、VR/AR设备等。

2、物联网芯片
低功耗蓝牙微控制器
低功耗蓝牙微控制器芯片是将 BLE 射频收发器、存储器、CPU 和相关外设集成为一颗芯片,形成具有蓝牙收发射频信号 功能的微控制器。低功耗蓝牙微控制器芯片采用无线连接方式,使其能够快速接入手机、平板、电视等智能终端,实现数据 共享和智能控制。公司的低功耗蓝牙微控制器产品主要应用于智能家居、可穿戴设备、无线充电等领域。 (二)经营模式 报告期内,公司经营模式由 Fabless开始逐步转向 Fab-Lite,采用垂直一体化经营和 Fabless并行的方式,形成从研发设 计、晶圆制造、封装测试到销售的完整生态链。此模式将全面提升公司协同能力,加强对产业链各环节的自主控制力度,从 新产品技术和工艺开发、产业链协同、产品交付等角度全面提升竞争力。 研发方面,公司产品均为自主研发,并结合市场需求、技术发展趋势等,提前布局技术发展方向,同时凭借研发团队的 丰富经验建立了切实有效和完善的新产品开发管理流程。公司从产品定义的阶段就着眼于国内领先、国际先进的定位,用国 际化标准引领产品研发流程的各个阶段。 生产方面,公司产品在生产过程中,采用委外和自主生产相结合的模式。针对代工产业链资源较为完善的产品采用委外 生产,公司只从事集成电路的研发、设计和销售,其余环节分别委托给晶圆制造商和封装测试厂完成,公司通过严格的评估 和考核程序选择合格的供应商。 销售方面,公司通过直销和经销的销售模式对公司产品进行推广,既能够及时了解大型客户需求并针对性提供产品与服 务,又能够提高对中小型客户的服务效率,从而不断扩大客户群体,提升品牌知名度与市场竞争力。 Fab-Lite经营模式 (三)业绩驱动因素
步入2022年度,公司面临来自多方面的严峻挑战—全球宏观局势变化、地缘冲突风险外溢,叠加疫情反复造成的供需端
扰动。报告期内,公司2022年半年度实现营业收入22.35亿元,较去年同期下降5.27%,归属于上市公司股东的净利润7.52亿
元,较去年同期下降25.86%。公司经营业绩有所下滑,但公司不忘初心,脚踏实地,积极应对复杂外部环境和各种严峻考验,
坚持与客户共进,在自我迭代中持续创新,是公司在不确定外部环境中能够把握的最大确定性。公司业绩主要驱动因素如下:
1、政策利导推动发展,国产替代驱动成长
集成电路作为我国的战略性支柱产业,是我国未来参与国际竞争的重要领域。近年来,随着我国经济的发展以及贸易规
模的扩大,参与国际贸易与全球竞争的广度与深度逐步拓展,在集成电路行业的贸易摩擦也进一步加剧。为应对现阶段集成
电路核心技术与知识产权受制于国外竞争对手的不利局面,我国坚持独立自主、自力更生,加大对产业的扶持力度,出台多
项支持政策,整合境内集成电路产业链资源,实现集成电路行业“真正”的国产替代。当前由于射频前端领域设计及制造工艺
较为复杂,全球射频前端市场集中度较高,国际领先企业长期垄断射频前端市场,而国内射频前端芯片厂商仍处于追赶阶段,
在全球射频前端市场的占有率有限,射频前端国产替代率仍然很低,参与国际竞争力较弱,因而行业长期增长空间广阔,发
展潜力巨大。

2、5G应用创新持续,射频前端量价齐升
随着5G网络的逐渐普及,5G技术应用不断深入,与各行各业的融合逐步深化,5G技术所衍生的相关产品越来越多, 甚
至与各行业共同变革催生新的产业体系。未来,5G 行业应用解决方案将成为 5G 赋能行业发展的集中体现和最大亮点。5G 通
信技术的快速发展,带来5G手机的增量需求。根据 Counterpoint 的统计,2019年度全球5G智能手机的占比仅为1%,而2022
年1月全球5G智能手机的占比首次超过4G智能手机量占比,达到51%。通信行业目前处于从4G到5G的转型期,5G的发展
致使射频内容空前增加,而旧的标准仍然需要得到支持。由此可见,随着5G通讯技术的逐步落地,智能手机射频前端芯片的
复杂度和价值量大幅提升,驱动射频前端器件量价齐升,市场规模持续扩大。同时,5G 通信技术加速射频前端模块化的趋势,
为公司产品带来了更广阔的市场空间。

3、于危机中蕴新机,于发展中布新局
2022年上半年,地缘政治冲突、新冠疫情扰动和上下游供应链变化影响各级运营和计划,经济环境的一系列变动给消费
市场蒙上了阴影,下游智能手机市场疲软,这将不可避免得在短期内影响业绩,受国内外需求变化扰动的宏观经济不确定性
增加,将进一步损害消费者信心。尽管如此,公司坚定围绕着建立全球领先的射频领域技术平台战略目标锐意进取、开拓创
新,深耕射频前端领域,持续努力提升公司主营业务的市场占有率、研发的投入比和产品竞争力;提高公司研发效率,注重
在技术、产品和需求方面的创新与结合,持续引入新工艺、新材料、新技术,研发与市场高度契合的新产品,加快自主研发
成果转化;顺应射频前端模组化的发展趋势,坚定以射频模组为成长引擎,把握市场发展机遇,持续加大射频模组产品市场
开拓力度,不断提升射频模组市场份额;积极整合产品供需产业链资源,提高协同能力并加强对产业链各环节的自主控制力
度,按照既定目标持续推动芯卓半导体产业化项目建设,不断加大滤波器芯片及模组产品的工艺技术研发力度,打造先进的
工艺技术平台和智能化生产平台。
展望未来,预计随着疫情影响进一步降低,以及全球经济逐渐复苏,下游消费电子产品的出货量将有望回升,并将驱动
公司产品需求的稳定提升。5G的发展与应用和射频前端模组化趋势也将为公司发展提供新的业绩增长点。

(四)报告期内公司所处行业情况
1、集成电路行业发展格局
(1)集成电路行业发展概况
集成电路行业作为现代信息产业的基础和核心产业之一,已成为当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度
以及综合国力的重要标志。近年来,我国集成电路行业快速发展,有力支撑了国家信息化建设,促进了国民经济和社会持续
健康发展。

2022年上半年,由于疫情反复及地缘政治等因素的影响,全球宏观经济发展不确定性进一步升级,市场供需两端均受到
了不同程度的影响,中国集成电路国产化替代的需求更加迫切,目标也更加坚定。未来伴随着制造业智能化升级浪潮以及 5G、
工业互联网等新基建加速推进,芯片需求将持续增长,将进一步推动国家集成电路行业的发展。

根据世界半导体贸易统计组织 (WSTS)统计,集成电路是半导体领域的核心产品板块,2021年度全球集成电路市场规
模为4,630亿美元,其预测,2022年全球集成电路销售额有望增长18.2%,达到5,473.19亿美元。根据中国半导体行业协会统计,
我国集成电路产业规模从2010年度的1,440亿元增长到2021年度的10,458.3亿元,年均复合增长率为19.75%。在市场需求和政
策支持的共同助推下,集成电路产业发展迅速,产品性能和创新能力显著提高。

(2)集成电路设计发展格局
从产业结构看,集成电路设计处于集成电路产业链的最上游,是集成电路产品创新和技术进步的核心。集成电路设计是
根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品,集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本。近年来,全球电子
展的进程。根据中国半导体行业协会数据统计,2010年至2021年,我国集成电路设计行业的销售额从383亿元增长至4,519亿
元,年均复合增长率为25.15%,同时我国集成电路设计行业的占比逐年提升,2021年度已占据了集成电路行业43.21%左右的
份额,成为我国集成电路行业增长最快、占比最高的细分领域。在技术创新的推动下,芯片设计的集成度和复杂性与日俱增,
市场竞争日益激烈。但同时,集成电路设计行业技术门槛高、产品附加值高等特点使其战略地位逐步凸显,市场规模快速扩
增。

(3)集成电路制造发展格局
集成电路制造产业的水平代表了一个国家高端制造业的前沿水平,其不断提升对国家新型工业化、信息化、智能化的发
展以及中国制造2025等国家战略的实施具有重要意义。近年来,随着设计的复杂化和制程的不断推进迭代,集成电路制造的
重要性日益凸显。在集成电路行业中,模拟类芯片公司为做出具有差异化竞争力强的产品,需要根据设计方案对工艺进行优
化调整,甚至定制化开发特定工艺。Fab-lite模式可以实现对应用设计匹配的定制化工艺开发,完成快速的工艺迭代,缩短新
产品研发周期,满足不断变化的市场需求。同时,可以减少模拟芯片企业对代工厂的依赖,更好地应对市场变化,灵活解决
产能问题。

2、集成电路行业政策法规
集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业
化深度融合的核心与基础。发展集成电路产业既是信息技术产业发展的内部动力,也是工业转型升级的重要助力,同时还是
市场激烈竞争的外部压力,其重要性日益凸显。近年来,国家高度重视集成电路产业发展,出台了一系列政策措施,支持和
引导产业健康发展。


时间发布单位政策主要内容
2010年国务院《国务院关于加快培育和发展战略性 新兴产业的决定》提出要着力发展集成电路等核心基础产业,为集成电 路产业的飞速发展奠定了基础
2014年国务院《国家集成电路产业发展推进纲要》将集成电路产业发展上升列为国家战略,提出“以设 计业的快速增长带动制造业的发展”
2015年国务院《中国制造2025》提出“着力提升集成电路设计水平,提升国产芯片的 应用适配能力”
2016年国务院《国务院关于印发“十三五”国家战 略性新兴产业发展规划的通知》明确指出“十三五”期间要做强的信息技术关键核心 产业,启动集成电路发展工程
2017年国家发展 改 革委《战略性新兴产业重 点产品和服务 指导目录》明确集成电路的电子核心基础产业地位,并将集成电路 芯片设计及服务列为战 略性新兴产业重点产品与服务
2018年国务院《2018年国务院政府工作报告》明确提出“要加快制造强国建设,推动集成电路、第 五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等 产业发展”
2019年财政部、 税务总局《关于集成电路设计和软件产业企业 所得税政策的公告》集成电路设计和软件企业所得税优惠政策
2020年国务院《新时期促进集成电路产业和软件产 业高质量发展的若干政策》明确“凡在中国境内设立的集成电路企业和软件企 业,不分所有制性质,均可按规定享受相关政策。鼓 励和倡导集成电路产业和软件产业全球合作,积极为 各类市场主体在华投资兴业营造市场化、法治化、国 际化的营商环境。”
2021年两会《“十四五”规划纲要和2035年远 景目标纲要》提出健全我国社会主义条件下新型举国体制,打好关 键核心技术攻坚战,推进科研院所、高校、企业科研 力量优化配置和资源共享
2022年国务院《2022年国务院政府工作报告》要促进数字经济发展培育壮大集成电路、人工智能等 数字产业
在相关政策的支持推动下,我国集成电路行业将深度受益国家引导支持,全行业整体协同发展能力将进一步得到提升,
未来我国集成电路行业发展或呈一路高歌奋进之势,迎来新的黄金发展机遇。

3、行业周期性特点
集成电路行业是资本及技术密集型行业,随着集成电路产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快,新技术、新工
艺在产品中的应用迭代迅速,进而使得产品的生命周期更迭,导致行业本身呈现周期性波动的特点,同时行业周期的波动与
宏观经济、下游应用需求等因素密切相关。

射频前端芯片的下游应用领域主要为移动智能终端产品,因此节假日对移动智能终端产品消费的影响会传导至本行业,
且本行业的季节性波动早于下游移动智能终端产品的季节性波动。2022年上半年,受到宏观经济放缓、复杂多变的国际政治
形势及新冠疫情等事件带来的冲击,射频前端芯片行业短期业绩承压。

4、公司所处的行业地位
目前公司在射频前端领域处于国内领先地位,公司的研发创新能力、产品覆盖面、工艺技术领先性以及各项业务水平及
服务能力稳步提升,行业竞争力持续增强。公司有着良好的品牌、技术和成本优势、以及产品质量控制和供应能力,赢得了
市场的高度认可。凭借多年的技术积累、前瞻性资源布局和不断完善的产品体系,通过坚持不懈的市场和品牌建设、客户及
渠道拓展,公司已成为国内集成电路产业中射频前端领域业务较为完整、综合能力较强的企业之一。
公司在射频分立器件产品射频开关、射频低噪声放大器领域已经取得了较强的竞争优势,形成了与国际一流企业开展竞
争的能力。其中天线开关和高性能低噪声放大器产品性能优异,比肩国际领先技术水平,并且是射频低噪声放大器产品中采
用SiGe工艺大规模供货的全球领先供应商;公司已经成为国内全面的射频前端接收端方案供应商,得到了众多知名智能手机
品牌厂商的肯定,并进入到供应链体系成为主力供应商;公司新推出的主集收发模组产品已得到品牌客户的认可,进一步丰
富了产品线布局,使公司在技术演进和需求变动中保持市场领先地位。公司通过前瞻性的战略布局,已成为国内领先覆盖从
研发设计、晶圆制造、封装测试到销售等完整产业链的射频前端供应商。

近年来,公司一直处于国内射频领域变革的前沿,并在国际竞争中取得一定的成绩,已成为射频前端芯片市场的主要竞
争者之一。公司将利用射频前端领域增长的强大驱动力,形成发展的正循环,坚持产品迭代,以客户需求为导向,持续创造
技术价值,提高生产效率,提升综合竞争力和品牌影响力。

5、行业竞争格局
(1)国内外主要同行业公司
报告期内,公司所属集成电路行业的射频前端领域,行业内主要芯片厂商一般同时向市场提供射频开关、射频低噪声放
大器、射频滤波器、射频功率放大器等分立器件及射频模组等多种产品。行业内主要竞争厂商包括欧美日传统大厂 Broadcom、
Skyworks、Qorvo、Qualcomm、NXP、Infineon、Murata等,及国内厂商紫光展锐、唯捷创芯等。

(2)市场竞争格局
近年来,我国集成电路行业虽然实现了快速发展,技术水平和产业规模均有所提升,但与发达国家市场相比,基础还较
为薄弱。尽管近年来本土厂商开始逐步涉猎中高端复杂产品,但全球射频前端芯片市场主要被Murata、Skyworks、Qorvo、
Qualcomm等国外领先企业长期占据。一方面,国际领先企业起步较早,底蕴深厚,在技术、专利、工艺等方面具有较强的领
先性,同时通过一系列产业整合拥有完善齐全的产品线,并在高端产品的研发实力雄厚。随着通讯领域的快速发展和5G的兴
起,全球半导体器件厂商通过不断整合并购,以谋求产业链优化,并利用规模优势获取更多的市场话语权、更低的制造成本。

另一方面,大部分企业以IDM模式经营,拥有设计、制造和封测的全产业链能力,综合实力强劲。国内企业较之国际领先企
业在技术积累、产业环境、人才培养、创新能力等方面仍有明显滞后,与美国、日本、欧洲等厂商存在较大差距。根据Yole
Development数据,2020年度,全球前五大射频器件提供商占据了射频前端市场份额的85%,其中包括Skyworks 21%,Murata
17%,Qualcomm 16%,Qorvo 15%,Broadcom 15%。由此可见射频器件头部厂商集中效应明显。与此同时,在5G通信技术的快
速发展推动射频前端器件模组化趋势的背景下,国外领先企业的优势进一步凸显。

将进一步提升,驱动国产替代加速。因此,国内射频前端行业呈现蓬勃的发展态势,射频器件厂商不断涌现,面对技术门槛
较低且同质化的射频前端产品,国内市场竞争日趋激烈。而针对高性能和高集成度的滤波器和射频功率放大器相关模组产品,
国内射频器件厂商仍有望补齐短板。

在上述背景下,中国将成为移动智能终端的重要战场,本土企业也将迎来更广阔的空间和发展机遇,以及竞争压力。本
土企业唯有在新技术、新产品及资源平台等方面持续投入,构建具有自主发展能力和核心竞争力的产业链,从而逐步缩减与
国际领先企业的距离。

(五)下游应用领域宏观需求趋势
1、全球智能手机需求趋势
随着信息技术的发展, 移动智能终端呈现快速发展趋势,其以用户为中心,向更加智能化和信息化方向发展。智能手机是
移动智能终端中普及率最高、形态最多元、需求量最大的产品。近年来,智能手机功能日益强大,产品创新度日益提升,给
相应产业带来良好发展机遇。

2022上半年,受到需求疲软、疫情反复等因素的影响,智能手机市场低靡。根据IDC数据显示,2022年第一季度全球智
能手机出货量为3.14亿部,同比下降8.9%。近日IDC下调2022年预期,预测2022年度全球智能手机市场出货量为13.1亿
部,较2021年的13.6亿部下降3.5%。但同时IDC预计,随着风险下降,市场回暖,2026年手机出货量为14.9亿部,2021-
2026复合年增长率为1.9%。

目前,全球通讯行业处于 4G向 5G 的过渡阶段,随着5G基础设施的布局完善,智能手机将迎来新一轮产业升级,5G 智
能手机的更新换代需求将带动产业的新一轮快速发展。射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分之一,5G 渗透率不
断提高,下游智能终端产品快速增长有力驱动射频前端芯片市场的发展。

(六)公司主要产品市场发展趋势
1、射频前端芯片技术发展趋势
对智能化、集成化、低能耗的需求不断催生新的电子产品及功能应用,射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部
分,追求低功耗、高性能、高集成度是其技术升级的主要驱动力,也是芯片设计研发的主要方向。射频前端器件采用特殊制
造工艺,工艺壁垒较高,行业中普遍采用的器件材料和工艺平台包括RF CMOS、RF SOI、GaAs、SiGe、SAW以及压电晶体等,
逐渐出现的新材料工艺还有 GaN、MEMS 等,行业中的各参与者需在不同应用背景下,寻求材料、器件和工艺的最佳组合,以
提高射频前端芯片产品的性能。


产品类型主流材料工艺
射频开关RF SOI、RF CMOS、GaAs、MEMS等材料和工艺
射频低噪声放大器SiGe、RF SOI、GaAs、RF CMOS等材料和工艺
射频滤波器SAW、BAW、IPD、MLC等材料和工艺
射频功率放大器RF CMOS、GaAs、SiGe、RF SOI、GaN等材料和工艺
2、射频前端芯片产业发展趋势
(1)集成化、模组化成为射频前端芯片发展必然趋势
随着通信技术升级,通信行业目前处于从4G到5G的转型期,5G导致了射频内容的空前增加,而旧的标准仍然需要得到
支持。这意味着数百个射频组件必须安装在一个手持设备中。同时,随着更多频段的发展和新技术的引入移动终端需要接收
更多频段的射频信号,大量频段被集成到一部手机,直接带来射频前端芯片用量需求的急剧提升,然而,移动终端设备内部
留给射频前端芯片的空间并没有同步增加,手机 PCB 板上留给射频前端的空间一直以来却在逐渐减少,移动终端小型化、轻
薄化、功能多样化对射频前端的模组化和集成度水平不断提出更高的要求。

(2)技术、资本密集度提升,规模效应显现
射频前端行业的投资和技术门槛越来越高,产线、设备投资和研发费用日益增高,企业的技术创新水平、资金实力和人
才素质能力都等成为射频前端竞争的核心要素。同时,随着市场竞争的进一步加剧,全球射频前端市场越来越集中,国外射
频前端领先企业利用技术优势和产业化经营优势获取更多的市场话语权。目前全球射频前端芯片产业拥有日趋成熟的产业链,
随着市场需求增长,产品将逐步实现规模化、产业化应用。

(3)射频前端芯片规模扩张迎来新机遇
射频前端对手机无线通信性能至关重要,近年来,5G 成为射频前端市场增长新动力,随着移动智能终端设备从手机到平
板电脑、智能穿戴等种类的不断丰富,新兴应用领域如移动医疗、智能家居、智能汽车等正逐步发展。与此同时,高频段信
号处理难度的增大也对射频前端器件的复杂度和性能提出了更高的要求,射频前端设计复杂程度标准随着同一设备内发射和
接收通道的数量增加而提高,射频前端芯片价值量不断上升,上述因素全方位促进射频前端市场规模高速增长。

(七)报告期内公司的主要经营情况
2022年上半年,受到国内疫情反复变化和宏观经济增速放缓等多方面因素的影响,公司在发展过程中遭遇挑战。面对困
难,公司除了积极调整市场策略之外,还是一如既往地坚持自身发展目标,一方面苦练内功,以产品为本、以技术为导向,
注重产品工艺研发和技术积累,持续推动滤波器产线的建设,夯实内生动力,为未来进入高价值市场储备资源;另一方面强
化外功,不断加大射频模组产品的市场开拓力度,提升射频模组市场份额。

报告期内,在手机行业的市场需求不景气的大背景下,公司实现营业收入 2,234,935,044.69元,较去年同期下降 5.27%。

归属于母公司股东的净利润 752,097,880.52元,较去年同期下降 25.86%。

报告期内,公司重点开展的工作情况如下:
1、加大研发投入,提高自主创新能力
射频前端领域不断发展,带来了一轮又一轮的技术革新,研发创新正是行业强盛之基,企业进步之魂。自成立以来,公
司始终专注于研发与创新,形成了多元化的产品布局,从射频分立产品到射频模组产品,从射频接收端模组产品到发射端模
组产品,积硅成步,坚定向实现全产品线覆盖的目标迈进。

报告期内,公司不断提高自主创新能力和核心竞争力,研发投入 16,832.83万元,较上年同期增长 37.13%,研发支出占
营业收入比重为 7.53%,高于去年同期的 5.20%,主要系随着产品布局及对新业务模式的打造,公司加大了研发投入。

公司深谙研发创新是于变局中开新局的重要变量,注重在射频前端领域的技术积累,积极布局并研发一系列具有自主
知识产权的系列产品并逐步实现产业化发展。截至报告期末,公司共计取得87项专利:其中国内专利 86 项(其中发明专利
53 项),国际专利 1项(该项专利为发明专利);21 项集成电路布图设计。2022 年上半年共申请专利 9 项,其中发明专利8
项,实用新型1项,为公司的核心技术优势添砖加瓦。

2、丰富产品矩阵,发力高端市场
随着射频前端芯片日趋集成化,公司注重优化产品结构,提升中高端和高性能产品占比。研发技术和工艺的创新是实现
前瞻性布局的基础,公司通过打造先进的工艺技术平台和智能化生产平台,实现产品设计与生产制造协同推进。报告期内,
公司在不断强化现有技术和产品演进的基础上,推动特种工艺自建产线的建设,打造滤波器产品的工艺技术和规模化量产能
力。目前公司已初步完成射频前端全品类的纵深布局,形成资源和技术平台的竞争优势。

(1)射频分立器件产品
报告期内,公司在保持原有市场优势地位的同时,结合市场新需求的发展,探索未来新的产品形态,培育和整合关键技
术及新技术,实现技术领先与突破。公司在现有分立器件产品线的基础上持续迭代升级,从性能、成本、工艺、设计等全方
面提升,不断积累研发和技术储备,进一步增强公司该类产品的竞争力、提升优势地位。

(2)射频接收端模组产品
公司射频接收端模组产品包括 DiFEM(接收模组,集成射频开关和滤波器)、LDiFEM(接收模组,集成射频低噪声放大器、
射频开关和滤波器)、LFEM(接收模组,集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)、LNA BANK(接收模组,集成多个射频低噪
报告期内,公司有效结合外部生产资源和自建资源平台优势,通过对滤波器技术升级和其他相应工艺技术的深入挖掘,
结合高阶封装工艺,与客户需求进行紧密对接,细化产品方案,提升产品质量和性能。

为加快技术创新的步伐,在丰富产品系列的同时,进一步优化产品的设计结构以实现性能和成本的优化。报告期内,公
司通过增益、噪声系数、功耗等指标对 5G NR 频段的 LFEM 产品进行升级迭代,持续提升产品的竞争力;同时,基于公司对
SiGe工艺技术的长期积累,公司新推出采用SiGe工艺的LFEM产品,并已在客户端实现量产出货。

(3)射频发射端模组产品
公司推出的应用于5G NR频段的主集收发模组产品L-PAMiF是在原有产品线的重要升级,公司结合器件物理、电路设计、
系统应用等因素,确保该产品不论在集成度、发射额定功率、效率等方面均表现良好。特别是射频功率放大器的可靠性方面,
在通过了品牌客户的严苛认证基础上,也通过了大量的出货验证,彰显产品竞争力。

未来公司将在发射端模组产品的研发方向上持续精进,充分发挥公司产品的协同效应,抢占射频前端市场份额高地。

(4)自主建设—射频滤波器产品
公司持续投入资源,落实战略发展规划,积极推动关键产品的生产制造能力。公司通过构建从开发、设计、生产的基础
平台,识别出有潜力的技术路线;通过对材料、工艺、器件设计的创新和先进生产体系建设,进一步提高产品迭代速度并降
低生产成本。截止报告期末,公司自建产线的滤波器产品已包括SAW滤波器、高性能滤波器、双工器和四工器等。

公司 SAW 滤波器已于报告期内小批量生产,将于第三季度进入规模量产阶段;高性能滤波器已于报告期内进入小批量生
产阶段,即将进入规模量产阶段。至此,滤波器的工艺研发平台建设将于三季度全部完成,后续将持续优化演进;双工器和
四工器已进行晶圆流片,初步验证结果达到设计指标。

预计下半年度,DiFEM、L-DiFEM及GPS模组(集成射频滤波器和低噪声放大器)等产品中所集成的射频滤波器均会逐步
采用自产的滤波器,同时将积极向市场推广分立滤波器产品。

公司自建滤波器资源平台,有助于提升产品整体性能水平,构建滤波器相关产品的品质、性能、供应和成本优势。不仅
如此,基于原有的客户资源优势,公司自建产线的滤波器产品与其他产品形成高度协同,匹配多种产品生产和模组化的市场
和技术需求,促进公司产品线的拓展。

3、紧贴客户需求,精准服务客户
公司始终坚持以客户需求为导向。在面对2022年上半年度市场的风云诡谲,公司基于多年经验和客户资源积累建立了较
为完善的客户支持体系,并于报告期内推动客户体系化集成产品开发流程架构建设,有力提升产品推向市场的精准度。

公司通过内部资源的有效对接,形同多部门、团队化、专业化的精准对接体系,以进一步提高公司专业服务水平和沟通
对接效率,树立公司真诚服务品牌形象,为进一步合作共赢奠定了基础。与此同时,公司与部分客户打造客户全流程参与的
联合开发模式,借助双方优势资源,精准定位客户需求,实现公司、客户、资源的共赢共享,构建全流程、全周期、高效率
的业务对接客户服务体系。此模式有助于提升产业资源协同效率,加快产品推向市场的速度,加强生产资源与市场需求的一
致性,降低库存风险,并助力合作伙伴提升竞争力。

4、确保稳定交付,动态库存管理
公司一直以聚焦资源及提高资源使用效率为目标。报告期内,受到国内疫情的影响,公司尤其注重原材料储备以及库存
管控,使用多方位资源方案保障供应,制订多元化的物流方案,多点分散的库存储存方案,整合协调各类型资源等,缓解疫
情对原材料采购、物流时效、运输、现场技术交流等造成的短期影响。

未来,公司将着力打造灵活高效的供应链保障体系,紧密跟踪市场环境变化,通过研究分析进行提前预判,并结合公司
产品战略规划,制定科学的库存管理策略,合理安排采购计划。

5、推动数字化变革,提升经营效率
面对日趋激烈的市场竞争,公司想要生存和发展,就必须以长期发展为基点,基于标准、精准、效率做更大地跨越和
务信息化水平和数字化能力,提高沟通效率、数据效率以及决策效率,进而提升公司整体经营效率。

公司不断加强内部控制管理,对IT稳定性、财务数据准确性、信息安全性、业务连续性等,进行不间断风险评估。公司
利用信息化平台的建设,达到信息集中化、文档标准化、流程规范化、业务数字化的目的,不仅实现了一体化平台高效管理,
还增强了员工信息安全意识。不仅如此,公司构建研发项目管理系统,对研发项目进行高效率的计划、组织和控制,进一步
规范公司研发管理流程,提升研发效率。同时,由于报告期内人才引进数量较多,公司为员工们建立人员管理平台,利用人
才管理工具记录员工完整生命周期,完成人事管理迈向数字化的重要一步。

6、注重人才引进,助力公司发展
公司不断加强人才队伍建设,引进高端专业人才,为公司的长远发展做好人才储备,特别是公司投资建设的芯卓半导体
产业化生产基地,为更好地促进战略规划落地,公司在人才队伍建设方面积极拓宽引进人才渠道,高效整合研发资源,不断
优化人才队伍。截至报告期末,公司共有员工 1,037人,其中研发人员 657人,占员工总数比例超过 63.36%,较上年同期增
长 130.53%。

人才引进方面,公司通过校园招聘、社会招聘等多种渠道招贤纳士,依托核心团队,引进了大量的高端技术人才,为公
司业务发展做好良好储备,完备创新型、高素质、专业性的人才梯队。

人才培训方面,公司规划“五阶人才培养”方案,对新员工、骨干员工及各级管理者制定不同的培训计划,积极开展线
上线下培训活动,完善人才培训体系建设、规范内部培训管理。在专业技术层面,公司开展了进阶公开课的需求调研、课题
开发等工作,为技术分享交流创造条件并丰富专业课程体系。

2022年,公司将持续完善和优化以产品线为核心的绩效考核标准,推动人才发展体系建设,深入业务一线,优化组织架
构。同时,公司坚持党建引领,提升现有党员政治素养的同时,积极创造有利于入党积极分子健康成长的良好环境,促进公
司组织能力提升,为公司的发展保驾护航。

7、推进芯卓半导体产业化项目建设
芯卓作为集研发设计、生产制造、工艺开发的基础性平台,公司将依托此平台的不断建设和拓展,通过识别、培育和整
合关键技术和创新技术,将技术发展和制造工艺有机地结合在一起,实现技术领先和突破,有效推动战略布局落地。报告期
内,芯卓半导体产业化建设项目按规划如期推进,公司将持续推动项目建设,全力做好量产、达效等各环节工作,在量产的
基础上不断提升产品性能和良率。公司以本项目突破带动公司部分产品转型升级,将短期的供应能力,变成长期的共建能力
及核心竞争力,助力拓宽公司成长通道。

8、打造高效的业务协同发展
随着公司业务发展的不断壮大和战略布局的逐步落地,公司在无锡、北京、上海、苏州、深圳、成都、重庆、美国、韩
国等地均设有研发或销售中心,形成了高效的业务协同网络。公司作为国内领先的射频器件供应商,近年来着重在滤波器产
品的布局。报告期内,公司在 SAW 滤波器供应链资源丰富并且在全球具有领先地位的日本设立研发中心,充分调动当地的资
源和人才优势,专注于射频滤波器产品的设计和研发,布局和投资新的前沿技术。

公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
二、核心竞争力分析
(一)研发优势:创新驱动力,紧跟技术前沿
研发和创新是集成电路企业发展的核心驱动力之一。公司自设立以来积极投入研发与创新,专注于提高核心竞争力,通
过不断创新及自主研发,公司逐步掌握了具有领先优势的技术,加速布局上下游产业链,紧跟国际一流企业技术创新步伐。

通过不断创新及自主研发,公司产品覆盖RF CMOS、RF SOI、SiGe、GaAs、IPD、SAW、压电晶体等各种材料及相关工艺,可
以根据市场及客户需求灵活地提供不同产品。公司是全球率先采用12寸65nm RF SOI工艺晶圆生产高性能天线开关芯片的企
业之一;是国内企业中领先推出适用于 5G通信制式sub-6GHz 射频分立器件及射频模组产品并市场化推进的企业之一;是射
频低噪声放大器产品中采用SiGe工艺大规模供货的全球领先供应商,进一步增强了公司现有技术壁垒。

公司在射频领域具有丰富的技术储备,已在射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、WiFi蓝牙、射频模组产品以及
封装结构等领域形成了多项发明专利和实用新型专利,这些专利是公司产品竞争优势的有力保障,同时也为公司保持产品创
新奠定了技术基础。公司积极探索产、学、研相结合的新形式,不断深化与各类院校的合作,与全国多所院校建立了长期稳
定的合作关系,合作建立实践基地,形成以市场为导向、以产业为龙头、以研发为支撑的技术创新机制。截至本报告期末,
公司共计取得 87项专利,其中国内专利 86项(包含发明专利53项)、国际专利1项(该项为发明专利);21项集成电路布
图设计。持续、稳定的研发投入保证了公司自身的研发设计能力和在技术上的领先优势,带动了公司业绩不断攀高。

为了更好地把握市场动态,公司密切跟踪行业技术演变和发展趋势,对行业进行深度调研,探索公司未来发展方向。公
司新产品的开发趋向高端化、复杂化,通过新设计、新工艺和新材料的结合,持续、稳定的投入研发,保证了公司自身的研
发设计能力和在技术上的积累和演进。基于深厚的技术积累和完整的专利体系,公司能够积极顺应通信技术的变革,快速推
出适应最新通信技术的产品,提升公司产品的市场竞争力。

(二)产品优势:产品线日益完善,布局射频前端产品平台
公司建立了行业领先的射频前端产品研发、管理、销售体系,为公司构建产品层面的行业竞争优势。依托于公司的研发
实力,经过多年经营实践的积累和持续的新产品研发,公司射频前端产品系列日益丰富,应用领域不断拓宽。产品品类从射
频前端单一分立器件到分立器件逐步完整;产品类型从分立器件到射频模组逐步丰富;产品应用领域从智能手机到通信基站、
汽车电子、无人机、蓝牙耳机等新兴领域拓展;产品工艺从单一的成熟工艺到参与研发先进工艺,以及到多种材料与工艺的
结合;业务模式从仅参与供应链中的设计研发到设计研发、晶圆制造及封装测试的全产业链参与。公司在技术研发、产品布
局、应用领域、资源平台建设等方面持续创新和巩固。同时,公司研发技术水平的不断提升加快了新产品的研发和迭代速度,
提升了公司产品的差异化水平,从而更为全面地覆盖并响应客户不同的需求,夯实产品的核心竞争力。当前产品的进一步完
善是为公司未来的全面布局和发展蓄力,为公司下一阶段盈利能力的提升和可持续发展奠定扎实的基础。随着公司不断完善
产品布局,将充分发挥产品协同配套作用,为客户提供更多高品质、多元化的优质产品。

(三)人才优势:汇聚行业精英队伍,广纳国内外优秀人才
卓越的人才团队是公司获得持续、快速发展的最核心要素。公司的管理团队拥有丰富的行业从业经验和专业的技术能力,
具有高度协同力和凝聚力,是一支具备国际化视野的专业管理团队。公司的技术团队由创始人带领,他们均于国内外一流大
学或研究所取得博士或硕士学位,并曾供职国内外知名的芯片厂商,具备优秀的技术能力和丰富的产品开发经验,以其卓越
的创新能力带领技术团队引领行业潮流。

经过多年在射频前端应用领域的深耕与积累,公司已建立了一支稳定高效、自主创新、拥有成熟完善管理体系的专业团
队,涵盖了技术研发、市场销售、生产运营、品质管理、财务管理、制造工艺等各个方面,将人才优势变为发展优势,提高
公司的竞争力和可持续发展能力。同时,公司高度注重人才的发掘和培养,推进人才引进工作,吸引了全国各地优秀高校学
子的加盟,引进了多名国内外高层次技术和管理人才,形成了面向长远的人才梯队。公司已逐步建立了成熟的射频器件及模
组研发设计和工艺团队,研发团队核心成员拥有多年射频器件的设计、开发、工艺调试,以及丰富的射频芯片及模组的封装
技术经验。基于公司长期的人才经营理念,报告期内公司研发人员快速增长,从上年同期的 285 人增长至本报告期末的 657
人,同比增长 130.53%。

公司不断加强岗位培训和专业技能提升培训,提升公司的人才竞争优势。同时公司根据地域人才情况,设立了侧重点不
同的国内外研发体系,实现高效协同发展格局。公司通过实施股权激励,实现关键管理人员、核心技术人员持股,有利于维
护公司主要核心技术团队和管理团队高度稳定,为公司进一步丰富射频前端产品线及进入更多的应用市场奠定了良好的人才
基础,确保公司经营战略、技术研发等能够有效执行。

公司的研发及产品设计以满足客户需求为动力,围绕射频领域技术,紧跟市场发展趋势持续进行产品创新。公司依靠稳
定的交付能力、卓越的品质和优秀的服务,在与国内外客户的深度合作中,积累了良好的品牌认知和客户资源,不仅形成了
高度的认同感和卓有成效的业务伙伴关系,而且形成了较为全面的体系对接和深度融合。

公司通过直销和经销等渠道,覆盖了国内外众多知名移动智能终端厂商,基于长期以来的研发能力、供应链交付能力、
成本及质量控制能力等优势,公司与具有市场影响力的终端客户形成了稳定的合作关系。长期的合作不仅增加双方的信任度,
同时,公司充分发挥资源和创新平台优势,逐步与客户形成更具粘性的战略合作关系,并持续参与客户未来产品的研究,以
支持客户的长期产品规划。

公司客户群体均为国内外知名厂商,此类客户对供应商在产品性能、价格、质量、交付、技术支持等各方面均有较高要
求。公司基于多年经验积累建立了较为完善的客户支持体系,为建立客户长期稳定的合作关系提供有力保障。同时,公司通
过与这些企业的合作,可以学习其优秀的管理制度和经验,并接触到业内最新的应用产品需求,有利于公司持续提升自身的
技术、管理能力,并进一步树立企业品牌,扩大市场影响力。

(五)供应链优势:长期稳定的供应链管理和产能供给
公司为保证高品质、高效率、可持续的供货能力,与全球顶级的晶圆制造商、芯片封测厂商形成紧密合作,积极参与其
产能建设,通过高效整合资源,推进供应链合作标准化。

一方面,公司在历史经营过程中,与晶圆制造商和芯片封测厂商形成了稳定的合作机制,建立了稳固、良好的合作关系,
在产能供应链管理方面积累了丰富的经验;同时,由于公司销量逐年快速增长,已成为各上游外协厂商不可或缺的重要客户,
合作链条牢固,有效地保障了公司大规模产品长期、稳定、准时的交付需求。另一方面,公司通过与供应商制订长期产能规
划战略、设立生产测试专线、自购核心关键设备、锁定硬件扩充能力等机制确保产能需求,对未知风险具备有效的预防策略,
保证产能的稳定性,极大地降低了行业产能波动对公司产品产量、供货周期的影响,公司具备快速交付产品的能力,保障客
户量产的顺利进行。与此同时,公司立足产业发展趋势及公司发展战略,积极打造关键产品的全产业链参与,通过自建产线
进一步巩固供应链的管控能力,确保产能稳定供给。

(六)质量优势:健全完善管理体系,提供高品质产品服务
产品质量是公司生存的根本,公司拥有高效完善的质量管理体系,以“技术创新,优质高效,客户满意,不断提高”为
方针,公司已通过ISO 9001:2018质量体系认证。公司不断完善管理标准制定、供应链控制、执行力强化等环节,保证了产
品质量的稳定性与一致性。

公司通过构建全面质量管理体系,提高全员质量意识,对产品进行严格检测,确保产品的质量水平。一方面,公司通过
对每一款产品的性能、质量与可靠性进行严格把关,达到了知名智能手机品牌厂商对芯片的高要求、严标准;另一方面,公
司与供应商建立了良好的战略合作关系,制定并实施了一整套从晶圆制造到封测的专业质量控制流程,为公司产品的高质量
和市场开拓提供了可靠的保证。

(七)成本优势:强化全链条精细管理,产品成本优势凸显
随着公司规模的扩大、研发实力的提升,公司在物料采购、产品设计、质量控制等方面的能力得到了较大的提升。一方
面,在芯片生产过程中,芯片设计会对产品的成本有直接影响,公司基于对客户应用需求的深刻理解和准确把握,根据应用
需求设计出成本最优化的产品。另一方面,晶圆和封测成本是产品成本的主要构成,公司与行业内专业知名的晶圆制造商和
封测厂商达成长期合作,通过大量订单形成的规模优势,在与外协厂商合作过程中具有更强的议价能力,进一步降低生产成
本。与此同时,公司通过与供应商协作建立生产专线、参与关键工艺与技术的研究开发、自购关键设备、提升产品良率等方
式共同降低生产成本,以达到互利共赢。另外,公司适时引入新的供应商,多元化的供应商管理使得公司成本管理更具有弹
性和空间。

(八)战略优势:打造Fab-Lite经营模式,实现全产业链协同优化
特殊工艺则由企业自主完成,从而实现生产效率的提升与成本空间的压缩,有利于企业实现设计、制造等环节协同优化,有
助于充分发掘技术潜力,能有条件率先实验并推行新的产业技术。

面对射频关键器件长期被国外企业垄断的挑战,公司投入重点资源建设,积极布局Fab-Lite经营模式。公司为国内射频
芯片领域国内领先企业,依托当前国产替代加速推进的市场机遇和公司长期储备的深厚技术积累,基于本土成熟的半导体厂
房基建能力,以及公司持续招募的国内外领先企业具有丰富技术管理经验、技术工艺研发经验和生产制造管理经验的人员,
通过自建滤波器产线,使公司拥有芯片设计、工艺制造和封装测试的全产业链能力,构建滤波器产品的专属生产能力,获得
设计研发与工艺技术研发高度适配并快速把握达成市场需求,进一步实现产品全产业链的协同优化,保障公司产能的自主可
控。

公司旨在建立全球领先的射频领域技术平台,这需要通过前瞻性的战略布局来获取长期优势,加强公司的综合实力和关
键产品的设计制造一体化的垂直发展,将是未来一段时间公司发展和战略投入的重点。

三、主营业务分析
概述
参见“一、报告期内公司从事的主要业务”相关内容。

主要财务数据同比变动情况
单位:元

 本报告期上年同期同比增减变动原因
营业收入2,234,935,044.692,359,358,476.19-5.27%无重大变化
营业成本1,060,443,515.71999,663,384.896.08%无重大变化
销售费用12,828,270.4112,792,219.010.28%无重大变化
管理费用51,577,349.7622,230,437.19132.01%企业规模扩张导致管理成本 上升所致
财务费用-11,614,194.7210,799,490.72-207.54%汇率变动导致汇兑收益增加 所致
所得税费用67,892,759.73165,769,819.47-59.04%利润下降及上年汇算清缴差 异计入本期损益导致本年所 得税下降所致
研发投入168,328,253.05122,753,148.4637.13%持续加大研发投入所致
经营活动产生的现金流量净额588,395,909.37433,539,538.6135.72%留抵税额退税所致
投资活动产生的现金流量净额-1,066,482,212.55-2,991,208,273.2464.35%上期购买理财所致
筹资活动产生的现金流量净额-161,061,936.392,784,547,875.41-105.78%上期定增募得资金所致
现金及现金等价物净增加额-563,508,974.06221,158,958.01-354.80% 
公司报告期利润构成或利润来源发生重大变动
□适用 ?不适用
公司报告期利润构成或利润来源没有发生重大变动。

占比10%以上的产品或服务情况
?适用 □不适用
单位:元

 营业收入营业成本毛利率营业收入 比上年同 期增减营业成本 比上年同 期增减毛利率比上 年同期增减
分行业      
集成电路2,234,935,044.691,060,443,515.7152.55%-5.27%6.08%-5.08%
分产品      
射频分立器件1,516,277,574.65704,938,558.2753.51%-8.70%-5.87%-1.40%
射频模组687,501,614.43335,429,908.2951.21%3.90%45.36%-13.92%
分地区      
境内485,721,296.45252,724,903.5947.97%5.80%32.47%-10.47%
境外1,749,213,748.24807,718,612.1253.82%-7.95%-0.14%-3.61%
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号—创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
海外销售收入占同期营业收入30%以上
?适用 □不适用
1、公司主要产品收入包括射频分立器件及射频模组产品,报告期内,公司在持续夯实射频分立器件的基础上加强新产品发
射端模组的推广力度,并持续推动接收端模组产品市场份额的稳步提升,公司产品结构得到进一步优化调整。

2、主要收入来源为境外收入,一方面存在部分境外客户要求在其境外所在地交货;另一方面根据半导体行业商业模式特
点,终端客户通常要求将香港作为交货地。

3、报告期内公司主要业务地区的当地汇率及关税等经济政策未发生重大变化。

4、公司主要以直销和经销为主的销售模式,报告期内,公司直销及经销客户回款情况正常。


产品的产销情况
单位:元

产品名称本报告期  上年同期  同比增减  
 营业成本销售金额产能 利用 率营业成本销售金额产能 利用 率营业 成本销售 金额产能 利用 率
射频分立器件704,938,558.271,516,277,574.65不适用748,892,793.531,660,831,147.42不适用-5.87%-8.70%不适用
射频模组335,429,908.29687,501,614.43不适用230,759,820.48661,694,080.30不适用45.36%3.90%不适用
主营业务成本构成
单位:元

产品名称成本构成本报告期 上年同期 同比增减
  金额占营业成本比重金额占营业成本比重 
射频分立器件原材料457,536,184.8564.90%431,760,544.6657.65%5.97%
射频分立器件封测费247,402,373.4235.10%317,132,248.8742.35%-21.99%
射频模组原材料254,539,309.6775.88%129,944,306.0856.31%95.88%
射频模组封测费80,890,598.6224.12%100,815,514.4043.69%-19.76%
同比变化30%以上
?适用 □不适用
本报告期主营业务成本构成中射频模组产品的原材料较去年同期大幅增长,主要原因系:一方面系原材料价格上涨所致;
另一方面,报告期内公司射频模组产品复杂度不断提升,射频模组产品中所包含的射频器件数量增加导致原材料成本上升。

研发投入情况
公司坚持自主创新的研发策略,研发一系列具有完全自主知识产权的高性能、高品质的系列产品并实现产业化。截至报
告期末,公司共计取得 87项专利,其中国内专利 86项(包含发明专利 53项)、国际专利1项(该项为发明专利),21项集
成电路布图设计。公司尚无计算机软件著作权。(未完)
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