[中报]神工股份(688233):锦州神工半导体股份有限公司2022年半年度报告

时间:2022年08月29日 23:51:36 中财网

原标题:神工股份:锦州神工半导体股份有限公司2022年半年度报告

重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者注意投资风险。


三、公司全体董事出席董事会会议。


四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人袁欣及会计机构负责人(会计主管人员)盖雪声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况


十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 5
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................. 8
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 33
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 35
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 37
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 48
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 54
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 54
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 55



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表。
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及 公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义   
神工股份、公司、本公司锦州神工半导体股份有限公司 
更多亮更多亮照明有限公司,系公司股东 
矽康矽康半导体科技(上海)有限公司,系公司股东 
北京创投基金北京航天科工军民融合科技成果转化创业投资基金 (有限合伙),系公司股东 
626控股626投資控股有限公司,系公司股东 
晶励投资宁波梅山保税港区晶励投资管理合伙企业(有限合 伙),系公司股东 
旭捷投资宁波梅山保税港区旭捷投资管理合伙企业(有限合 伙),系公司股东 
晶垚投资宁波梅山保税港区晶垚投资管理合伙企业(有限合 伙),系公司股东 
中晶芯北京中晶芯科技有限公司,系公司全资子公司 
日本神工日本神工半导体株式会社,系公司全资子公司 
上海泓芯上海泓芯企业管理有限责任公司,系公司全资子公 司 
福建精工福建精工半导体有限公司,系北京中晶芯科技有限 公司控股子公司 
锦州精合锦州精合半导体有限公司,系福建精工半导体有限 公司全资子公司 
氩气退火工艺在氩气气氛下进行高温退火的工艺,能够有效地消 除硅片近表面区域缺陷,提高硅片质量。还可利用 退火工艺在硅片内部形成氧沉淀来提高硅片的内吸 杂能力,进而提高硅片质量 
DZ层Denuded Zone,硅片在氩气退火气氛下,进行高温 退火后,在硅片表面形成的无缺陷层 
BMDBulk Micro Defect,体微缺陷,硅片在经过热处 理之后的氧析出物,通常分布于硅片内部,能够吸 收硅片表层热扩散而来的金属杂质 
SK化学SKC solmics Co., Ltd. 
HanaHANA Materials Inc. 
三菱材料Mitsubishi Materials Corporation 
CoorstekCoorstek KK 
SEMISemiconductor Equipment and Materials International,国际半导体设备和材料协会 
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半 导体贸易统计协会 
单晶硅(硅晶体)硅(Si)的单晶体,也称硅单晶,是以高纯度多晶 硅为原料,在单晶硅生长炉中熔化后生长而成的, 原子按一定规律排列的,具有基本完整点阵结构的 半导体材料 
多晶硅由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体,各个硅晶 粒的晶体取向不同,是生产单晶硅棒的直接原料 
等离子刻蚀机晶圆制造过程中干式刻蚀工艺的主要设备,主要分 成 ICP与 CCP两大类。其原理是利用 RF射频电 

  源,由腔体内的硅上电极将混合后的刻蚀气体进行 电离,形成高密度的等离子体,从而对腔体内的晶 圆进行刻蚀,形成集成电路所需要的沟槽。
直拉法切克劳斯基(Czochralski)方法,由波兰人切克 劳斯基在 1917年建立的一种晶体生长方法。后经 多次改进,现已成为制备单晶硅的一种主要方法
热场用于提供热传导及绝热的所有部件的总称,由加热 及保温材料构成,对炉内原料进行加热及保温的载 体,是晶体生长设备的核心部件
单晶硅棒由多晶硅原料通过直拉法生长成的棒状硅单晶体, 晶体形态为单晶
晶圆、硅片硅基半导体集成电路制作所用的单晶硅片。由于其 形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作 成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之集 成电路产品
电极,刻蚀机电极,硅上 电极,硅片托环、硅零部 件集成电路制造主要工艺之一的“干式(等离子)刻 蚀”所用。等离子刻蚀设备腔体内的核心零部件。 从控制腔体内洁净度等方面考虑,材料多采用与硅 片同质的大直径硅材料,经精密加工后,成为刻蚀 机腔体中硅上电极,或与晶圆直接接触的硅片托环 等硅零部件。
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、 封装、测试后的产品
良率、良品率、成品率满足特定技术标准的产品数量占全部产品的数量比 率
一致性不同批次产品核心质量参数的重复性和稳定性
《公司章程》《锦州神工半导体股份有限公司章程》
元、万元、亿元人民币元、万元、亿元
报告期、本报告期2022年1月1日至2022年6月30日


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称锦州神工半导体股份有限公司
公司的中文简称神工股份
公司的外文名称Thinkon Semiconductor Jinzhou Corp.
公司的外文名称缩写ThinkonSemi
公司的法定代表人潘连胜
公司注册地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
公司办公地址的邮政编码121000
公司网址www.thinkon-cn.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)
姓名袁欣
联系地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
电话+86-416-711-9889
传真+86-416-711-9889
电子信箱[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板神工股份688233不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入262,954,713.36204,049,687.0728.87
归属于上市公司股东的净利润90,701,897.27100,034,093.48-9.33
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润87,358,644.6896,972,924.41-9.91
经营活动产生的现金流量净额92,104,840.3845,698,175.85101.55
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产1,496,658,281.971,414,176,574.035.83
总资产1,661,807,170.231,489,085,744.1711.60

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.570.63-9.52
稀释每股收益(元/股)0.570.63-9.52
扣除非经常性损益后的基本每股收益 (元/股)0.550.61-9.84
加权平均净资产收益率(%)6.267.93减少1.67个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率(%)6.037.68减少1.65个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)9.169.54减少0.38个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、营业收入同比增长 28.87%,主要系报告期内客户订单需求持续增加,产品销售收入增加所致。

2、归属于上市公司股东的净利润同比减少 9.33%,主要系公司原材料价格大幅上涨、成本增加,新增股份支付费用,公司提前储备管理人员、职工薪酬增加等多重因素所致。

3、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比减少9.91%,主要原因同上。

4、经营活动产生的现金流量净额同比增长 101.55%,主要系公司营业收入增加、客户回款增加所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益3,384.34 
越权审批,或无正式批准文件,或 偶发性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与公 司正常经营业务密切相关,符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外920,835.17 
计入当期损益的对非金融企业收取 的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时应 享有被投资单位可辨认净资产公允 价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害  
而计提的各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的超 过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司 期初至合并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有事 项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有效 套期保值业务外,持有交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债产生的公允价 值变动损益,以及处置交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债和其他债权投 资取得的投资收益3,230,674.89 
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的 投资性房地产公允价值变动产生的 损益  
根据税收、会计等法律、法规的要 求对当期损益进行一次性调整对当 期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入 和支出-136,116.05 
其他符合非经常性损益定义的损益 项目  
减:所得税影响额675,525.76 
少数股东权益影响额(税后)  
合计3,343,252.59 

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段
2022年上半年,全球半导体行业发展仍处于上行周期。但疫情所触发的对消费电子产品的爆发性需求开始出现减缓迹象,更兼全球通货膨胀削弱消费者信心,集成电路产业下游的传统主要消费产品即个人电脑、智能手机,出货量一定程度下滑;同时,各国疫情防控措施扰动全球半导体供应链,造成供求失衡,导致产业链部分环节交期延长乃至持续缺货。因此,全球半导体行业的发展,在不同地区、不同细分市场开始呈现分化态势:
根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)2022年 6月发布的预测数据,2022年全球半导体市场销售额将达到 6,460亿美元,同比增长 16.3%。其中,预计北美市场同比增长 22.6%,欧洲市场增长20.8%,亚太市场增长13.9%,日本市场增长12.6%;预计逻辑芯片市场同比增长20.8%,模拟芯片市场增长19.2%,存储芯片市场增长18.7%,光电子器件市场增长0.3%。

经过半个多世纪的发展,“全球分工,自由贸易,效率优先”的国际半导体产业链已经发展成熟,分工严密且不断加深;但另一方面,近年国际政治经济局势的变化,也正在推动全世界主要经济体走向“半导体制造本土化”,各国竞相推出巨额补贴和政策支持,上马本土半导体制造产能,全球半导体制造产能的扩产规模和增速相比往年有所增加。根据SEMI于2022年5月公布的数据,本年度全球范围有24座集成电路制造厂正在兴建中,年内设备支出总额将达1080亿美元,同比增长 20.1%,创下历史新高。集成电路制造厂作为产业链核心企业,短期内大规模增加的资本开支,将对上游设备和材料厂商造成扩产和交付压力。

公司处于行业上游的半导体硅材料行业,深深植根于全球半导体产业链。根据国际半导体设备和材料协会(SEMI)数据,2021年全球半导体硅材料市场规模为 126.2亿美元,其中,半导体硅片市场的出货量及单价,影响并带动其它硅材料产品,是硅材料市场整体景气度的晴雨表。据SEMI于2022年7月公布的第一季度和第二季度数据计算,2022年上半年,全球硅片总出货量为73.83亿平方英寸,同比增长7.5%。海外主流硅材料生产厂商的产能建设速度无法全面及时地响应下游持续增长的需求,造成硅片产品供小于求,加之通货膨胀造成上游原料成本上行,报告期内硅片价格水平不断上涨。公开数据显示,海外主流硅材料生产厂商的长期硅片供货协议单价上涨达 30%左右。目前全行业已经进入产能扩张周期,海外领先硅材料企业的新增产能将陆续于2024至2025年投入量产。

(2)基本特点
半导体级硅材料行业有“三高”的特点:
1)资金壁垒高
半导体级硅材料行业属于资金密集型行业,前期涉及厂房、设备等巨额资本投入,且生产所需高精度制造设备和质量检测设备的采购资金占比很高,固定资产投资规模庞大。同时规模化生产是行业参与者降低成本提升市场竞争力的必要手段,因此市场新进入者必须达到一定的经济规模,才能与现有企业在设备、技术、成本、人才等方面展开竞争。

2)技术壁垒高
半导体级硅材料质量优劣的评价标准主要包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性等一系列参数指标。实际生产过程中,除了热场设计、原材料高纯度化处理外,需要匹配各类参数并把握晶体成长窗口期以控制固液共存界面形状。在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生长是复杂的控制工程,工艺难度较高,且产品良品率和参数一致性受员工技能和生产设备性能的影响,人机协调也是工艺难点所在。

我国半导体级硅材料行业起步较晚,相比国外先进水平较为落后,具备相关理论知识和行业经验的高级技术人才以及熟练的技术工人都相对匮乏。市场新进入者难以在短时间内获得足够有丰富经验的专业性技术人才,而行业人才的培养、经验的积累以及高效的协作都需要较长时间。

3)市场壁垒高
半导体级硅材料行业下游客户为保证自身产品质量、生产规模和效率、供应链的安全性,十分注重供应商生产规模、质量控制与快速反应能力。因此,行业下游客户会对供应商执行严格的考察和全面认证程序,涉及技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等多个阶段,行业下游客户确保供应商的研发能力、生产设备、工艺流程、管理水平、产品质量等都能达到认证要求后,才会考虑与其建立长期的合作关系。因此,认证周期较长,认证时间成本较高。一旦供应商进入客户供应链体系,基于保证产品质量的稳定性、控制供应商渠道开拓与维护成本等多方面的考虑,客户一般不会轻易改变已定型的产品供应结构。

(3)主要技术门槛
1)大直径硅材料晶体生长技术
公司大直径硅材料产品尺寸主要为14-22英寸,主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商,经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件。公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9,产品质量核心指标达到国际先进水平,可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求。

公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术,使公司能够实现不借助强磁场,仅在常规单晶生长设备上生长出大直径的单晶硅晶体,从而在维持较高良品率和参数一致性水平的基础上,有效降低了单位生产成本。

目前,公司大直径硅材料可满足先进制程集成电路刻蚀环节的生产制造需求。考虑到全球主要刻蚀设备供应商所生产的等离子刻蚀设备型号存在差异,刻蚀环节所用大直径硅材料的生产需要满足客户定制化的需求。报告期内,公司优化了多项长晶工艺,提高设备生产效率,持续提升单批次产量和成品率;公司还及时地对主要生产设备进行针对性的升级改造,不仅提高了生产设备的使用寿命,还缩短了生产时间,降低了制造成本,良品率和产量不断提升;公司还引入了新型长晶设备,优化热系统,提升生产过程数字化水平,提高了管理精细度,优化了工艺方案,实现了效能提升。

2)硅零部件加工技术
大直径硅材料经过切片、研磨、钻孔、腐蚀、抛光、检验等多道精密加工步骤后,可制成等离子刻蚀机用的硅零部件,如:上电极,硅片托环等。等离子刻蚀机的气体通过气体分配盘,经由硅上电极的上千个细微小孔进入刻蚀机腔体中,在一定电压的作用下,形成高强度的等离子体。

若细微小孔的孔径不一致,会影响到电路刻蚀的精度,从而造成芯片良率的下降;同时,上电极及硅片托环与芯片同处于刻蚀机腔体中,受等离子体的刻蚀后,逐渐变薄,当这些硅零部件厚度减少到一定程度后,需替换新的硅零部件,以满足等离子刻蚀机所需要的工艺条件。因此,硅零部件是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。硅零部件的物理特性和化学特性对于晶圆表面的沟槽精度、均匀性等指标有着重大影响。

等离子刻蚀设备厂商或集成电路制造商通常对硅零部件的选择有着很高的要求,加工难度极高。以硅上电极为例,该产品有上千个微孔,每个微孔的尺寸精度、位置精度等都有极高要求,甚至每个微孔内壁表面的保持一定程度的光滑度,以达到孔内壁“不易产生异物污染”的要求;同时,刻蚀气体经过每个微孔后,孔径内壁腐蚀变化程度也需要保证一致性。在进行表面、外形加工过程时,刀具与硅材料的接触过程中,极易造成微观层面的崩裂等表面细微损伤,这种表面损伤可延伸至产品内部,造成产品在使用过程中的异常。所以,上千个微孔的加工必须一气呵成。

如果中间有异常,整个上电极就会成为不良品。公司经过长时间的研发,掌握了硅零部件的加工技术,在高深径比钻孔技术、孔内腐蚀技术、清洗技术等方面建立了坚实的基础,产品已经交付客户使用,反馈良好。报告期内,公司加大对硅零部件产品刻蚀和清洗等工艺的关注度和研发投入力度,加强控制微观表面状态及清洗完成后的杂质残留及颗粒物数量,满足了先进制程对部件洁净度的要求,提升加工效率,持续提升产品质量和产量。

3)半导体大尺寸硅片技术
半导体大尺寸硅片技术简单分类为“半导体硅晶体材料生长技术”及“硅片加工技术”。公司既有产品大直径硅材料,与8英寸半导体级大直径硅材料,由于两者应用场景不同,对具体技术参数指标的要求也不尽相同,两者在各自生产环节的参数设定、调整及控制方面存在着一定差异;但同时两者在生产工艺方面存在相似度和相通性,即都是利用直拉单晶法生产,其工艺涉及的重点技术领域均涵盖了固液共存界面控制技术、电阻率精准控制技术、引晶技术等。相比大直径硅材料,8英寸半导体级硅晶体材料对晶体原生微缺陷率、面内电阻率均匀率、表面异物数量等多项指标要求更加严格,需控制单晶硅生长过程中的硅液温度、晶体成长速度等工艺参数,使其集中保持在较窄且稳定的工艺窗口内,以满足后续芯片制造的工艺要求。

从尺寸参数来看,目前国际领先的半导体级单晶硅片生产企业在 12英寸领域的生产技术已较为成熟,研发水平已跃升至18英寸。我国尚处于攻克8英寸和12英寸轻掺低缺陷硅片规模化生产技术难关的阶段,上述两种大尺寸硅片相关技术尚待实现突破。从核心参数来看,目前国际上技术领先的硅片已用于生产7nm及以下先进制程的芯片工艺中,国内规模化量产大尺寸硅片技术起步相对晚,多数集中在重掺低阻硅片上,用作为外延片底板及之后的亚微米级制程芯片的生产中。

公司以生产技术门槛高,市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片(正片)为目标,目前从全球市场8英寸硅片总需求上看,轻掺硅片占全部需求的70-80%左右;在12英寸硅片总需求中,轻掺硅片占比几近 100%。公司已掌握了包含 8英寸半导体级硅片在内的晶体生长及硅片表面精密加工等多项核心技术。具体包括:晶体生长稳态化控制技术、低缺陷单晶生长技术、高良率切片技术、高效化学腐蚀及清洗技术、超平整度研磨抛光技术、硅片检测评价技术、硅片表面微观线性损伤控制技术、低酸量硅片表面清洗技术、线切割过程中硅片翘曲度的稳定性控制技术、针对8英寸抛光片表面雾化现象的控制加工技术、硅片表面超平坦抛光技术等。

公司8英寸半导体级轻掺低缺陷晶体,经过切片、研磨、清洗、检测等多道精密加工后成为抛光硅片,销售给集成电路制造厂商。之后历经非常复杂的工序,最终制成芯片。

报告期内,公司研制了氩气退火片,并取得了一定的进展。氩气退火片是轻掺低缺陷硅片中的细分品类,工序相对多、加工难度相对大。氩气退火片经过高温热处理等多道工序,可以去除硅片表面10μm以上深度的表层晶体缺陷,达到“零缺陷层”,这是原生晶体很难达到的高质量标准。同时,氩气退火工艺可以在硅片内部形成氧沉积区域,从而提高硅片的内吸杂能力,进一步提高芯片的质量。

2.公司所处的行业地位分析及其变化情况
在大直径硅材料领域,凭借多年的技术积累及市场开拓,公司在产品成本、良品率、参数一致性和产能规模等方面均具备较为明显的竞争优势,细分市场占有率不断上升,市场地位和市场影响力不断增强。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中,大直径硅材料直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商,例如美国泛林集团(Lam Research)和日本东电电子(Tokyo Electron Limited, TEL),并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。

报告期内,公司大直径硅材料产品生产情况稳定,产能按计划扩充中。公司发挥特有的晶体生长技术优势,确保产品品质上的稳定性、一致性,保持了国际上的领先地位。公司在刻蚀用大直径硅材料市场的全球市占率,也在原有基础上得到稳步增加。

在硅零部件领域,公司一南一北两个厂区合计的设计产能居全国领先地位。报告期内,公司配合中国国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于 12英寸等离子刻蚀机,已逐步定型并实现批量生产,能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求,公司研发的“多角度恒压力抛光技术”,能够满足先进制程刻蚀机的技术要求。同时,公司接受国内集成电路制造厂商定制化委托,根据客户需求配合其设计开发不同型号的硅零部件,已获得国内多家 12英寸集成电路制造厂的送样评估机会,取得了小批量定制化订单。

在半导体大尺寸硅片领域,公司核心技术团队在日本有20-30年的轻掺低缺陷硅片生产经验。

公司是国内极少数专注于轻掺低缺陷技术路线的硅片厂商,具备替代海外供应商向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。报告期内,公司研制的氩气退火片取得一定进展,该款硅片采用的工艺可极大程度降低晶体原生缺陷,是一款高质量轻掺硅片,将逐渐在国内主流集成电路制造厂商开展送样评估。目前,公司整体硅片产能正在按计划逐步爬升。

3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 (1)半导体产业周期的终端需求驱动因素呈现“多样化”发展
报告期内,半导体技术的发展与新冠疫情所加速的数字化进程相辅相成,进一步增加了各类芯片产品在终端设备的用量。相比过去三十年相继围绕电视、个人电脑、智能手机等主流终端需求波动的半导体产业周期,当前终端需求呈现更明显的“多样化”发展。全球排名前列的集成电路代工厂商所汇集的下游需求,呈现出较强的“多样化”变革,预示未来半导体产业的长期市场驱动力正在发生变化:
台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)于 2022年 7月公布的营运绩效报告显示,“高性能计算”和“智能手机”两大技术平台占公司总收入的比重,2022年第一季度为 41%和 40%,2022年第二季度为 43%和 38%。高性能计算已经取代智能手机,成为该公司最重要的收入来源;从增长来看,高性能计算、物联网和车用电子三大技术平台的季度环比增长达13%、14%和14%,智能手机和消费电子同期增长仅为3%和5%;
中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)于 2022年 5月的业绩说明会上表示:消费电子、手机等存量市场进入了去库存阶段开始软着陆,而高端物联网、电动车、显示、绿色能源、工业等增量市场尚未建立足够的库存。手机类在中芯国际的应用收入占比已低于 30%,但与其相关的电源管理、AMOLED驱动、模拟相关仍然存在较大的产能短缺;而在工业、新能源等领域,MCU、WiFi-6、电源管理等产能供应仍存在巨大缺口。半导体产业的终端需求正在发生转变。

(2)芯片制程日趋缩小对刻蚀工艺和大直径硅材料制造技术提出更高要求 报告期内,国际先进集成电路制造厂商的先进制程工艺取得突破:三星电子于 2022年第二季度宣布实现了全球首批3nm制程芯片出货;台积电于2022年7月透露其3nm制程产品计划于下半年实现量产,并将于2023年上半年实现收入,2nm制程产品将于2024年开始风险试产,并计划在 2025年实现量产。半导体加工制程不断进步,12英寸集成电路产品的设计线宽越来越窄,因此沟槽也相应变窄,需要更高的刻蚀精度。更高的刻蚀精度,对 12英寸硅片表面的温度、刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求。采用更大的腔体和更大的上电极、下电极,更容易确保 12英寸硅片面内各项工艺对均匀性的要求。因此,目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型,都在向着大型化方向发展。随着以上技术工艺发展,更大尺寸的硅电极及其所需的上游材料——更大直径的大直径硅材料(16英寸及以上)的需求也将随之增加。

大直径硅材料直径越大,对晶体生长设备的热场设计和动态控制要求就越高。一方面,热场整体尺寸变大,热场材料和设备成本更高,且设计合适的热场需要长期持续试验及工艺优化;另一方面,固液共存界面形状、晶体成长速率、旋转速率等生产参数的动态控制难度也会进一步提升。目前,主流 12英寸芯片对应的刻蚀用大直径硅材料的直径通常大于 14英寸,最大可达 19英寸,海外主流刻蚀设备制造厂商的在研机型将应用于最前沿的2nm-3nm制程,所需大直径硅材料的直径将更大。就市场参与者来看,全球范围内,除 Coorstek等少数海外厂商可以实现大直径硅材料自产自用外,鲜有厂商具备大直径硅材料规模化制造技术优势和成本优势。所以,已经具备丰富产业经验和深厚技术积累的企业有望持续领先。

(3)各国竞相推动“芯片制造本土化”促使上游供应链调整发展模式 报告期内,美国集成电路产业支持政策在持续不断的争议和博弈中逐渐明朗。2022年 8月,美国总统拜登签署《2022年芯片与科学法案》(CHIPS and Science Act of 2022),计划向美国本土集成电路制造业提供527亿美元的补贴及税收抵免,全球主要经济体面向芯片制造领域的产业政策竞争持续加剧。根据美国半导体产业协会(SIA)2022年 2月报告,瞄准 2030年的半导体产业发展目标,韩国提出投资税收抵免政策以吸引 4500亿美元的国内半导体产业投资,欧盟计划推出补贴金额达300亿-500亿美元的“欧洲芯片法案”,日本已通过金额达68亿美元的本土半导体投资补贴政策。宏大的发展目标及巨额的公共资金支持,正在改变全球半导体产业的资源流向和投资节奏。根据 WSTS于 2022年 8月公布的数据,2022年6月北美市场同比增长达29%,领先全球其他区域市场12个百分点以上。

全球各国竞相扩张本土集成电路制造产能,半导体制造设备供不应求,设备制造厂商遭遇供应瓶颈,出现因缺少部分材料或零部件而导致的整部设备延迟交付。根据公开信息,美国泛林集团于2022年7月表示,订单总量和未完成订单量已创下历史新高,2022年第二季度末递延收入达 22亿美元;应用材料公司(Applied Materials)于 2022年 5月表示,当前公司在手订单已排至 2024年,积压订单产品数量超过两个季度的产能。为有效应对供应链问题,全球主流半导体设备和材料厂商正在将供应链管理原则从准时制(Just-in-Time)调整为常备制(Just-in-Case),部分欧美公司着手将研发和制造中心设置在更靠近上游厂商及下游客户的区位,加强在东亚地区市场的投入,以缩短距离并提高沟通效率。报告期内,美国泛林集团在韩国开设了新的研发中心以就近服务三星和 SK海力士等客户,马来西亚工厂建设顺利并加紧量产;德国世创(Siltronic AG)位于新加坡的 FabNext工厂建设顺利,80%的产能已被下游客户以长期供货协议预付款的形式预定。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
1.大直径硅材料
大直径单晶硅材料生产技术方面。报告期内,公司优化多项长晶工艺,提高设备生产效率,持续提升单批次产量和成品率。为应对国际国内市场日益增长的需求,公司还及时地对主要生产设备进行针对性的升级改造:持续优化投料方法,改进了热场结构,对热场中的主要石墨部件进行精细化管理。这不仅提高了生产设备的使用寿命,还缩短了生产时间,降低了制造成本,良品率和产量不断提升。另外,为顺应晶体“大型化”的市场趋势,公司还引入了新型长晶设备,改大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面。报告期内,公司研发团队攻关多晶硅晶体制造工艺,满足了客户对更大尺寸晶体的需求。研发团队持续探索晶体各项理化指标所对应的工艺,并取得了更多试验数据,晶体良品率持续提高。此外,公司研发切割工艺,提高了多晶产品的产出率;
公司将不断提升包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性在内的一系列参数指标,为客户提供稳定的优质大直径硅材料。

2.硅零部件产品
产品研发方面。报告期内,公司配合中国国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于12英寸等离子刻蚀机,已逐步定型并实现批量生产,能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。等离子体刻蚀工艺不同,硅零部件表面状态和工艺处理要求各异,因此,公司持续配合设备原厂积极开发硅零部件系列产品。另外,为顺应刻蚀机腔体“大尺寸化”的趋势,以优化空间结构并提高刻蚀效率,公司针对超平面空间结构,已经开发出多款适配终端客户需求的硅零部件,正在逐步优化各项加工工艺,提高成品率。

加工工艺方面。随着芯片用等离子刻蚀机不断改型及升级,使得目前大多数制造商所应用的平面抛光技术受到严峻考验。报告期内,公司联合开发了用于化学机械抛光(CMP)的高精密设备。与目前主流的平面抛光不同,该项技术可使抛光压力作用于各类表面的法线方向,实现复杂异形面的快速抛光,同时在作业过程中实时监测系统的抛光压力并自动调整,保证所有表面在同一抛光压力下完成,表面形貌一致,损伤层去除均匀,实现优良的表面完整性,进一步满足下游客户的需求。公司将不断优化抛光设备设计和加工工艺,提升加工效率,持续提升产品质量和产量。

3.半导体大尺寸硅片
晶体生长技术方面。报告期内,公司已经完成8英寸氮掺杂特殊晶体的基础工艺开发,全面掌握了晶体内部缺陷的控制方法,目前工艺窗口已经稳定,可以持续满足客户对BMD等指标的苛刻要求。

硅片加工技术方面。报告期内,公司按计划进一步提高了对常规品的平坦度指标要求,逐步提高产出率,能够持续满足下游客户需求。

公司开发了氩气退火片工艺:使用特殊退火工艺实现硅片表层无缺陷。氩气退火是为了降低单晶 COP缺陷,适应纳米电子技术发展要求,在 100%氩气氛围中进行高温退火处理工艺降低硅片缺陷密度的工艺。

同时,公司将分阶段实施工艺优化,即通过工艺和热场结构的变化,加强对晶体内氧含量的控制,以适配不同规格硅片的相应技术要求,提高从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。

公司掌握的核心技术情况如下:

序号核心技术技术优势
1无磁场大直径单晶 硅制造技术随着晶体直径的增加,生产用坩埚直径将增大,生产过 程中热场的不均匀性及硅熔液的对流情况也越明显,导 致部分硅原子排列呈现不规则性,进而形成更多的晶体 缺陷,造成良品率下降。公司通过有限元热场模拟分析 技术,根据产品技术要求开发相应的热场及匹配工艺, 无需借助强磁场系统抑制对流,实现了无磁场环境下大 直径单晶硅的制造,有效降低了单位成本
2固液共存界面控制 技术固液共存界面指晶体生长时的固态晶体与液态硅液接触 的界面形状,是硅单晶体生长的核心区域。由于晶体生 长本质上属于原子层面的排列变化,因此固液共存界面 的微小变化均会对晶体生长质量产生重大影响。晶体生 长的不同阶段需要差异化的界面控制方法以保证形成合 适的固液共存界面状态,最终实现产品较高的良品率和 参数一致性水平。公司拥有的固液共存界面控制技术确 保晶体生长不同阶段均能保持合适的固液共存界面,大 幅提高了晶体制造效率和良品率。
3热场尺寸优化工艺对于大部分市场参与者,利用直拉法进行拉晶的过程 中,成品晶体直径与热场直径比通常不超过 0.5。公司 通过多年持续的研发试验,逐步提升了热场设计能力并 实现了热场尺寸的优化。目前公司成品晶体直径与热场 直径比已提高到 0.6-0.7的技术水平,已实现使用 28 英寸石英坩埚完成 19英寸晶体的量产,有效降低了生 产投入成本。
4多晶硅投料优化工 艺多晶硅投料优化工艺包括两大技术方向:一是多晶硅原 材料与回收料配比投入:;二是单位炉次投料量单炉次 投料数量受坩埚大小、热场尺寸、产品型号等因素限 制,投料数量的增加依赖工艺的改进和优化。在保证高 良品率的前提下,公司实现了多晶硅原材料与回收料配 比投入并量产,同时实现了单位炉次投料量及良品产量 不断增长。
5电阻率精准控制技 术P型单晶硅棒电阻率控制是通过将硼系列合金掺入硅熔 液中实现。公司通过掺杂剂的标定方法、掺杂剂在硅溶 液中的扩散计算方法、目标电阻的设定方式实现了产品 电阻率的精准控制。
6引晶技术通过控制晶体颈部的直径及长度等参数,快速排除晶体 面缺陷和线缺陷,减少晶体位错,从而提高一次引晶的 成功率。
7点缺陷密度控制技 术轻掺晶体中容易产生晶体原生颗粒等点缺陷,导致单晶 硅不能用于微小设计线宽的集成电路制造,减少或消除 晶体点缺陷是开发先进制程硅片的前提,公司已实现在 无磁场环境下利用点缺陷密度控制技术控制并有效降低 点缺陷密度。
8热系统封闭技术热系统是为晶体生长提供保障的关键部件,针对热场内 部的石墨部件损耗,开发出该方案。降低石墨部件随着 气流所损耗的程度。保证晶体结晶生长环境的稳定性。
序号核心技术技术优势
9晶体生长稳态化控 制技术基于理论和实践结果,生长状态保持稳定,有利于获得 更高品质的晶体。在晶体生长过程中,通过对热系统的 配置、工艺参数控制,保持均匀的原子排列速度,使晶 体的生长处于稳定状态。
10多段晶体电阻率区 间控制技术由于掺杂剂的物理偏析特性,晶体的电阻率从头部到尾 部是连续变化的。控制不同区段的掺杂剂浓度,使得同 一批次晶体,呈现多种电阻率分布。
11硅片表面微观线性 损伤控制技术硅片抛光过程难免出现一些小划痕,从而降低良品率。 在抛光工序中,通过系统性的工艺改良,大大减少划痕 的出现概率,提高良品率。
12低酸量硅片表面清 洗技术对于去除硅片表面的重金属污染,传统方法是使用浓度 较高的酸混合液。通过改良清洗配方,降低酸的使用 量,达到同样的去除金属效果,并降低了制造成本。
13线切割过程中硅片 翘曲度的稳定性控 制技术通过对线切割过程中张力、砂浆配比、砂浆温度等参数 进行优化调整,有针对性地调整局部参数,系统性保障 线切割过程的稳定性,有效控制硅片的翘曲度。
14硅电极微深孔内壁 加工技术硅电极产品制作过程中需要打通近千个微小深孔,为了 减少刻蚀过程中的微小颗粒物数量,必须对其内表面进 行抛光工艺处理,达到无毛刺、表面洁净的效果。
15脆性材料非标螺纹 加工技术不同厂商的等离子刻蚀机,有不同规格的螺纹孔。公司 通过对硅这种脆性材料的深入研究,开发出一系列的加 工工艺,可以制作各种规格的螺纹,并且能够保证螺纹 的完整性和强度。
16直拉法晶格间应力 释放技术对 8英寸晶体内晶格间的应力进行有效释放,降低晶体 缺陷。晶格间的应力,影响晶体最终的缺陷形态,因 此,硅原子相变过程中,通过外部工艺施加影响,逐步 释放这部分能量,降低缺陷的产生。
17热处理衍生缺陷控 制技术在 8英寸晶体的生长过程中,通过控制晶体中的氧浓 度,以及适当增加异种元素浓度等工艺来控制氧化合物 析出,以在合适水平控制热处理衍生缺陷的技术。
188英寸晶体电阻控制 技术IC制造厂商根据使用方向的不同,对硅片的电阻率偏差 要求不同。而晶体生长过程中,由于偏析现象,晶体各 部位的电阻率不同,头尾电阻率比值较大。公司通过精 准控制各种长晶参数,可较为精确地控制晶体电阻率的 均匀性。
19抛光硅片表面雾化 现象控制技术针对 200mm抛光片雾化现象,公司综合硅片平坦度、表 面粗糙度控制等技术,结合特定的表面清洗工艺有效控 制硅片表面颗粒粘附、边缘崩塌等问题,控制抛光加工 中的一些关键技术,极大改善和提升硅片表面平坦度。
20单晶硅及多晶硅材 料细微深孔加工技 术针对单晶硅、多晶硅材料的细微深孔加工:通过改一系 列精密工艺,保证了细微深孔圆度;研发出特制工具和 装置,并通过改变转速、单次啄钻深度、进给速度等参 数,提高了细微深孔深度加工能力及精度;同时采用更 细密的磨削砂轮,降低表面粗糙度,精确控制表面各点
序号核心技术技术优势
  磨削去除量,发明了改善端面铣削进退刀痕迹的加工方 法,达到了外观修整的目的。
21多晶硅晶体生长过 程中晶格间排列方 向微控制技术多晶硅晶体生长过程中,溶液分子容易与杂质或坩埚壁 结合形成非均质形核。这种晶核生长出的晶花较为松 散,尺寸偏大,晶向无明显规律。利用定向凝固方法, 在原料中放置了一定比例的具有一定晶向的原料,并辅 助特定的堆料方式,通过精细化过程控制,达到多晶生 长过程中的晶格有序排列,提高了多晶硅晶体品质。
22多角度恒压力抛光 技术该项技术工艺可使抛光压力作用于各类表面的法线方 向,实现圆形平面,环形平面,圆锥面、大曲率变化面 等复杂异形面的快速抛光,同时在作业过程中实时监测 系统的抛光压力并自动调整,保证所有表面在同一抛光 压力下完成,表面形貌一致,损伤层去除均匀,实现优 良的表面完整性,进一步满足下游客户的需求。
23硅片表面超平坦抛 光技术通过温度控制技术,管理抛光液及抛光垫温度,控制抛 光片表面形貌变化。针对抛光液用量和循环时间的管 控,控制抛光定盘形状,通过抛光过程中载荷和转数的 匹配,使抛光过程中各个阶段的平坦度和去除量达到平 衡,从而达到有效控制平坦度的效果。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年 度产品名称
国家工信部国家级专精特新“小巨人”企业2021年半导体单晶硅、大尺寸硅片及零部件

2. 报告期内获得的研发成果
公司持续加强在“大直径多晶硅材料”以及“硅零部件”和“大尺寸半导体硅片”两大类产品的研发投入,报告期内取得的研发成果包括:
1.开发了“多晶硅晶体生长过程中晶格间排列方向微控制技术”,改良装料方法和工艺控制方法,能够控制多晶生长过程中的晶格有序排列,提升了晶核品质。这一技术进一步改善了公司多晶硅晶体生长工序的良率。

2.硅零部件完成品的抛光和清洗工艺优化取得阶段性进展。在硅零部件加工过程中,公司研发取得“多角度恒压力抛光技术”,解决了“圆形大直径单晶硅的非平面抛光”的技术难题,可以实现复杂异形面的快速抛光,确保硅电极表面完整性指标达标,满足先进制程刻蚀机的技术要求。

3.公司“8英寸半导体级硅单晶抛光片生产项目”已进入客户认证重要阶段,工艺实验围绕重点客户的特殊硅片工艺要求推进。“硅片表面超平坦抛光技术”目前已取得成效,特别是对硅报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利00144
实用新型专利2105951
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他0000
合计2107355

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入24,084,048.4819,460,285.8823.76
资本化研发投入   
研发投入合计24,084,048.4819,460,285.8823.76
研发投入总额占营业收入比 例(%)9.169.54下降0.38个百分点
研发投入资本化的比重(%)   

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名 称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶 段性成果拟达到目标技 术 水 平具体应用 前景
1基于酸 腐蚀的 硅片平 坦度研 究2,000.00560.021,531.33已明显改 善因酸腐 蚀导致的 硅片边缘 塌边问 题,批量 测试酸腐 蚀后的抛 光片,平 坦度有明 显改善在现有平坦度基 础上优化,使平 坦度提高20%国 内 先 进8英寸芯 片先进制 程的基础 材料
2抛光后 局部平 坦度优 化2,000.00505.821,452.85此工艺以 在产线使 用,调整 后抛光片在现有平坦度基 础上优化,使平 坦度提高20%国 内 先 进8英寸高 端芯片的 基底材料
     平坦度有 明显提 升。   
3硅片表 面颗粒 清洗工 艺优化1,500.00523.891,033.83进一步提 升颗粒清 洗能力, 已通过批 量试验测 试,开始 逐步应用 于生产流 程。在现有颗粒基础 上,颗粒数量减 少10%国 内 先 进8英寸高 端芯片的 基底材料
4氩气退 火工艺 开发2,000.00126.46126.46通过特殊 的氩气退 火工艺, 通过对温 度及流量 的控制, 得到较为 理想的DZ 层和BMD 数量能够生产正片级 别的氩气退火片国 内 先 进8英寸芯 片先进制 程的基础 材料
58英寸 晶体生 长原生 缺陷动 态控制 工艺研 发20090.3390.33晶体原生 缺陷进一 步降低, 以进行小 批量实验晶体原生缺陷降 低20%国 内 先 进8英寸高 端芯片的 基底材料
6精密磨 削替代 研磨加 工的工 艺改进15068.13175.42已基本达 到预定目 标,设备 已经投入 现场使 用;目前 磨削的产 品平面度 完全符合 我司产品 要求;通过精密磨削的 方式,将表面粗 糙度精确控制在 客户要求的目标 即:Ra0.4- 0.2,保证产品 平面度在 0.005mm内,平 行度在0.01mm 以内国 内 先 进集成电路 刻蚀用高 精密硅部 件、石英 部件等
7硅部件 完成品 清洗工 艺优化10050.57122.10设备进行 安装调 试;为保 证清本批 引进设备 已改造升 级成为自 动化清洗 线通过调整清洗机 内各槽的清洗顺 序,增加零件在 不同槽内的多段 位移运动,开发 硅部件产品清洗 的新方案,同时 辅以新开发的预 清洗机台共同配 合,以完成硅部国 内 先 进集成电路 刻蚀用高 精密硅部 件、石英 部件等
      件内微小气孔及 表面的彻底洗 净,有效降低了 残存颗粒物,满 足高端客户需求  
8硅部件 安装孔 的加工 基本工 艺研发1005050.00改善安装 孔和刻蚀 的工艺流 程,进一 步提高加 工精度和 产品成品 率。已取 得阶段性 成果,正 在客户端 验证工艺将螺纹加工及吊 装孔加工工艺稳 定固化,减少崩 边及破损概率。 加工效率得以提 升国 内 先 进集成电路 制造环节 中干法刻 蚀机中的 硅部件
9脆性材 料高精 密加工 -硅部 件非标 曲面及 台阶面 抛光工 艺研发30078.9378.93实验机台 已经就 位,实验 样件已经 研发成 功,并在 进行不断 的工艺优 化;台阶 抛光专用 设备联合 设计完 毕,进入 设备制作 阶段;配合原厂开发符 合起工艺要求的 曲面硅电极产品 及台阶面抛光的 硅环产品国 内 先 进集成电路 制造环节 中干法刻 蚀机中的 硅部件
合 计/8,350.002,054.154,661.25////


5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)9050
研发人员数量占公司总人数的比例(%)20.6421.55
研发人员薪酬合计423.85210.85
研发人员平均薪酬4.714.22


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士11
硕士44
本科3438
本科以下5157
合计90100
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
20-304044
31-403741
41-5067
51岁以上78
合计90100

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
经过多年积累,公司形成了较强的技术、质量、客户、销售服务、细分行业方面的领先优势,具体如下:
(1)技术优势
自成立以来,公司一直专注于大直径硅材料及其应用产品的研发、生产与销售,突破并优化了多项关键技术,构建了较高的技术壁垒。公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术,在维持较高良率和参数一致性水平的基础上有效降低了单位生产成本。报告期内,公司开发了“多晶硅晶体生长过程中晶格间排列方向微控制技术”,改善了公司大直径多晶硅晶体生长工序的良率;“多角度恒压力抛光技术”进一步提升了公司硅零部件加工工序的良率;“硅片表面超平坦抛光技术”已投入生产,达到了公司预设目标,持续满足客户需求。

公司配合中国国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于 12英寸等离子刻蚀机,已逐步定型并实现批量生产;硅片产品方面,公司已全面掌握了晶体内部缺陷的控制方法,随着新机台的引入,公司将逐步复制工艺,以达到预设目标。

(2)质量优势
目前公司已经建立符合国际标准的质量控制和品质保证体系,并严格按照ISO9001质量管理体系认证的相关标准,在产品设计开发、原材料采购、产品生产、出入库检验、销售服务等过程中严格实施标准化管理和控制,实施精益生产,使产品质量得到巩固和提升。另外,公司在通过艰苦的努力,规范和提高生产各个环节的标准化,报告期内,通过了IATF16949认证,为产品在汽车行业的应用开辟通道。

(3)客户优势
公司下游客户对合格供应商的认证程序十分严格,认证周期较长,认证程序复杂。凭借较高良品率和参数一致性水平、持续稳定的产品供应能力,公司在集成电路刻蚀用的大直径硅材料领域树立了良好的口碑,并与海外客户建立了稳固的商业合作伙伴关系。公司产品直接销售给日本、韩国等半导体强国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备原厂,例如美国泛林集团(Lam Research)和日本东电电子(Tokyo Electron Limited, TEL),并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。

报告期内,公司配合中国国内刻蚀机设备原厂中微公司和北方华创开发的硅零部件产品,适用于 12英寸等离子刻蚀机,已逐步定型并实现批量生产;半导体大尺寸硅片的客户群体与公司硅零部件产品的终端客户群体属于同类客户,公司可以利用在硅零部件市场开拓的客户资源,快速地推进半导体大尺寸硅片的客户接洽工作。

(4)销售服务优势
公司建立了覆盖海内外的系统销售服务体系,持续完善覆盖日本、韩国客户的服务网络,并建立了兼具广度和深度的国内销售网络,覆盖了中国国内主流刻蚀机原厂以及行业主流集成电路制造厂商,能够提供及时可靠的售前和售后服务。

公司成立了由管理层负责的专业销售团队。通过定期及不定期拜访客户,能够快速、准确地理解客户的个性化需求,并及时获取行业技术发展动态及市场信息。公司在客户需求的响应速度、产品供货速度、持续服务能力等方面均表现良好,形成了销售服务优势。

目前,公司泉州、锦州两处硅零部件工厂均处于扩建阶段,扩建完成后,公司南北两处厂区的布局可以更好地服务全国客户。

(5)细分行业领先优势
公司自成立以来一直专注于大直径硅材料及其应用产品的生产、研发及销售。凭借多年的积累和布局,公司在大直径硅材料领域继续保持领先地位,掌握了 22英寸及以下尺寸晶体的所有技术工艺,能够大规模、高品质、高可靠、广覆盖地向全球下游厂商提供大直径硅材料产品,在全球细分领域处于领先地位;在硅零部件领域,公司是国内极少数具备“从晶体生长到硅电极成品”完整制造能力的一体化厂商。

报告期内,公司开发的各项晶体生长和加工工艺技术,进一步提升了产品的良率水平,能够满足设备原厂不断提升的技术升级要求。在半导体大尺寸硅片领域,公司研发的氩气退火片,取得一定进展,具备了向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2022年上半年,全球半导体行业仍处于上行周期。全球经济数字化转型方兴未艾,数据作为生产要素的重要性持续加强。因此,数据存储、高性能计算需求仍然强劲,终端产品的“含硅量”不断增加,以汽车制造业为代表的传统产业数字化、低碳化转型明显提速,半导体产品对国民经济的关键支撑作用凸显。为此,全球主要经济体竞相出台政策吸引公共和私人资金投入到本土集成电路制造业中:数百亿美元的公共资金支持,带动半导体业内龙头企业如台积电、英特尔、三星等公司加大资本开支力度,全球化半导体供应链的冗余度增加。即协作效率和经济性目标的重要性下降,区域稳定性和灵活性目标的重要性上升。前述新形势,与以往追求效率最高和成本最优目标的全球分工协作模式不同,为半导体设备及材料企业创造了更为强劲的全球市场需求。

但短期来看,由于全球经济受到新冠肺炎疫情、地缘政治冲突、通货膨胀加剧的多重影响,企业成本上升,消费者信心受挫,个人电脑、电视、智能手机等主力电子消费产品出现销量下滑,为半导体行业的增长前景带来一定不确定性。

从产业链景气传导路径来看,集成电路制造厂商投资扩产需求集中出现,挤压上游供给,但上游产能扩充仍需受制于产业发展客观规律,因此海外主流厂商普遍预计“供小于求”的局面仍将在2-3年内持续,这对半导体设备及材料企业的日常经营和外延扩张提出新的课题。报告期内,海外主流半导体设备厂商泛林集团和应用材料公司在手订单金额连续创下历史新高,但设备所需零部件时有短缺以至无法及时交付,导致递延收入金额亦逐步攀升至历史最高水平;海外主流硅材料生产厂商日本胜高、信越化学、德国世创及环球晶圆的新增产能虽然仍在建设期,下游客户仍积极签订长期供货协议,已经提前数年锁定了以上厂商的大部分新增产能。

一方面,新增产能投入市场尚需时日,加之通货膨胀导致的成本上升,致使硅材料产品现货单价和长期供货协议单价逐月攀升;另一方面,全球集成电路制造厂商开工率居高不下,存量市场需求仍保持高位。全行业供求矛盾不断加深。

报告期内,公司作为深深植根于全球半导体产业链的细分市场领先企业,亦在稳健应对以上新形势下的机遇和挑战:一方面,下游需求旺盛,公司具备按时交付能力,因此营收增长幅度的弹性和空间较为充裕。但另一方面,受通货膨胀及疫情影响,公司主要原材料——原始多晶硅价格较去年同期有较大幅度的单价上涨;此外,公司基于下游客户真实明确的评估认证要求,快速投入研发费用以缩短研发周期,及时满足了客户评估认证需求并取得较大进展,因此报告期内销售费用和研发费用上升;另外,目前公司半导体大尺寸硅片项目仍处于50,000片/月产能的爬坡阶段,正片仍处于下游客户评估认证阶段,因此该项目产生效益暂时与新增固定资产和无形资产投资带来的折旧和摊销存在一定差距。以上因素在短期内对公司盈利能力造成了一定影响。

报告期内,公司实现营业收入 26,295.47万元,较去年同期上升 28.87%;归属于上市公司股东的净利润9,070.19万元,较上年同期减少9.33%。

公司已开展的具体工作情况如下:
(一)研发工作
公司高度重视对产品研发的投入和自身研发综合实力的提升,公司通过构建科学合理的研发体系,使公司研发方向能够始终紧随行业前沿步伐,又能紧密贴合客户实际需求。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中,并在相关细分领域形成了一定的优势。

报告期内,公司研发了氩气退火片,取得一定的进展,具备替代海外供应商向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。此外,围绕重点客户的特殊硅片工艺要求,“硅片表面超平坦抛光技术”目前已取得成效,特别是对硅片表面的平坦度和金属元素含量等指标的控制能力,达到了公司预设目标,持续满足客户需求。

为应对硅零部件“大型化”的需求,报告期内,公司研发团队攻关大直径多晶硅材料制造工艺,满足了客户对更大尺寸晶体的需求。公司在硅零部件的高精度加工方面也取得突破,“多角度恒压力抛光技术”投入生产,满足先进制程刻蚀机的技术要求。同时,公司配合中国国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于 12英寸等离子刻蚀机,已逐步定型并实现批量生产,能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。

(二)产能提升工作
大直径硅材料业务,根据公司下游硅零部件厂商和终端用户的需求,2022年大直径硅材料市场仍保持高景气度。公司将根据直接客户订单数量并结合行业的需求增速,按计划扩充产能; 硅零部件业务,为保证未来客户批量订单的及时交付,公司子公司福建精工半导体股份有限公司在报告期内获得股权融资后,正继续在泉州、锦州两地扩大生产规模,做好设备采购、安装调试等前期准备工作,确保年内可以实现较快速度的产能爬升;
半导体大尺寸硅片业务,公司已订购了月产 10万片的硅片加工设备,随着已订购设备的陆续进场以及安装调试等工作的进行,公司半导体大尺寸硅片产能将继续稳健扩充,确保更高产量条件下的高良率水平,为客户评估之后的大批订单提前做好准备。

(三)市场拓展工作
大直径硅材料业务,公司根据下游市场需求不断优化单晶质产品的销售结构; 硅零部件业务,国内 12英寸集成电路制造产能持续扩张,更多机台工艺进入成熟状态,硅零部件需求将随之增长,公司已经获得更多国内客户的评估认证机会,与更多 12英寸集成电路制造厂商接洽,若干料号获得评估通过; (未完)
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