[中报]国博电子(688375):南京国博电子股份有限公司2022年半年度报告

时间:2022年08月30日 23:52:15 中财网

原标题:国博电子:南京国博电子股份有限公司2022年半年度报告

公司代码:688375 公司简称:国博电子






南京国博电子股份有限公司
2022年半年度报告








重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、重大风险提示
公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”中披露了可能面对的风险,提请投资者注意查阅。


三、公司全体董事出席董事会会议。


四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人梅滨、主管会计工作负责人何莉娜及会计机构负责人(会计主管人员)贾燕声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:以400,010,000股为基数,向全体股东每10股派发现金红利5.00元(含税),拟派发现金红利合计人民币200,005,000.00元(含税),不送红股,不以公积金转增股本。


七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。


九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况

十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?

十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 28
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 29
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 30
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 53
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 57
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 57
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 58



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计主管人员签名并盖章的 财务报表
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
报告期2022年1月1日至2022年6月30日
公司、本公司、国博电子南京国博电子股份有限公司
国微电子南京国微电子有限公司
中国电科中国电子科技集团有限公司
国基南方中电国基南方集团有限公司
中国电科五十五所中国电子科技集团公司第五十五研究所
中电科投资中电科投资控股有限公司
南京芯锐南京芯锐股权投资合伙企业(有限合伙)
中电科国微中电科国微(天津)集成电路芯片合伙企业(有限合 伙)
南博射频北京南博射频科技有限公司
中惠科元共青城中惠科元投资合伙企业(有限合伙)
天津丰荷天津丰荷科技合伙企业(有限合伙)
集成电路、ICIntegrated Circuit,简称IC,是一种通过一定工艺把 一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感 等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体 晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有 所需电路功能的微型电子器件或部件。按照结构形式可 以分为单片集成电路和混合集成电路,公司T/R组件和 射频模块属于混合集成电路,射频芯片属于单片集成电 路
芯片集成电路的载体,是集成电路经过设计、制作、封装、 测试得到的具有特定功能的微电路或器件
模块将多个芯片、元件及布线经过设计、制造、封装、测试 得到的具有特定功能的器件
T/R组件Transmitterand Receiver,简称T/R,一个无线收发系 统连接中频处理单元与天线之间的部分,是相控阵雷达 的核心,主要用于实现发射、接收信号的放大,以及信 号幅度、相位的控制,由低噪声放大器、功率放大器、 限幅器、移相器等组成
有源相控阵、AESAActive Electronically ScannedArray,简称AESA,相 控阵雷达的一种射频前端,具有众多的天线单元,每个 天线单元都配有独立的T/R组件,每一个T/R组件都能 单独发射和接收电磁波,部分T/R组件失去效能不会影 响雷达整体工作,具有更高的可靠性
射频、RFRadio Frequency,简称RF,频率为300KHz~300GHz的 电磁波,即波长在1毫米~1千米之间的电磁波
微波频率为300MHz~300GHz的电磁波,是无线电波中一个有 限频带的简称,即波长在1 毫米~1米之间的电磁波, 是分米波、厘米波、毫米波的统称
毫米波频率为30GHz~300GHz的电磁波,是无线电波中一个有 限频带的简称,即波长在1毫米~10毫米之间的电磁波
射频芯片工作在射频频段的芯片,实现信号的滤波、放大、射频 转换、调制/解调等功能,通常包含低噪声放大器、功率 放大器、滤波器、混频器、频率合成器等
微波毫米波芯片工作在微波毫米波频段的芯片,实现信号的放大、混频、
  滤波等功能,通常包含带通滤波器、低噪声放大器、功 率放大器、主放大器、预放大器、混频器、频率合成器 和倍频器等功能模块电路
化合物半导体晶态无机化合物半导体,即是指由两种或两种以上元素 以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽 度和能带结构等半导体性质。目前化合物半导体主要包 括以砷化镓、磷化铟等为代表的二代化合物半导体和以 氮化镓、碳化硅等为代表的三代宽禁带半导体
氮化镓、GaN是氮和镓的化合物,是研制微电子器件、光电子器件的 新型半导体材料,与碳化硅(SiC)等半导体材料一起被 誉为第三代半导体材料
2G、3G、4G、5G分别指第2代、3代、4代、5代移动通信技术与标准
X波段、Ku波段、Ka波段雷达领域对电磁波的通俗分类,X 代表频率为 8-12GHz 范围的电磁波,Ku代表频率为12-18GHz范围的电磁波, Ka代表频率为26.5-40GHz范围的电磁波
基站、移动通信基站移动设备接入互联网的接口设备,是指在一定的无线电 覆盖区中,通过移动通信交换中心,与移动电话终端之 间进行信息传递的无线电收发信电台
终端、通信终端安装有智能操作系统,可由用户自行安装程序和应用来 实现相应功能的便携设备,主要包括智能手机、平板电 脑等
封装测试、封测封测是“封装、测试”的简称,“封装”指为芯片安装 外壳,起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性 能的作用;“测试”指检测封装后的芯片是否可正常运 作
晶圆Wafer,集成电路制作所用的晶片,生产集成电路所用的 载体,可加工制作成各种电路元件结构,由于其形状为 圆形,故称为晶圆
低噪声放大器、LNALow-Noise Amplifier,简称LNA,构成射频前端的一种 芯片,主要用于通信系统中将接收自天线的信号放大, 以便于后级的电子设备处理
功率放大器、PAPower Amplifier,简称PA,构成射频前端的一种芯片, 是各种无线发射机的重要组成部分,将调制振荡电路所 产生的射频信号功率放大,以输出到天线上辐射出去
射频开关可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件,用 于信号切换到不同的信号通路中去
高线性HBT放大器基于 HBT 工艺制作的 OIP3/EVM 等高线性度指标较高的 放大器
精确制导以高性能电磁波、光电探测器为基础,利用目标特征信 息发现、跟踪和识别等方法,控制和导引武器准确命中 目标的技术。对提高武器对地精确打击、防空和反导等 作战效能具有重要作用
相控阵雷达利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相位,使天线 波束指向在空间快速变化的雷达。其特点是:目标容量 大、数据率高,可同时监视和跟踪数百个目标;具有搜 索识别、跟踪、制导等多种功能;对复杂目标环境的适 应能力强,反干扰性能好,可靠性高
数控衰减器用来控制微波信号幅度,实现对信号的定量衰减
元件普通的电阻、电容、晶体管等单个电子元件,内部不再 有其它元件功能单元
器件由多个电路元件构成具备独立封装结构的电路单元集 合,用于实现对磁波能量和信号处理变换等功能,如功 率放大器、混频器、天线等
组件由多个器件组成的具有多种功能或某一较复杂功能的器 件集成体,或是具备完成一个或多个完整微波信号处理 任务的复杂组件与器件集成体
微系统以微电子、光机等技术为基础,通过系统架构和算法软 件,将微传感器、机构或执行控制各种接口及能源等集 成形成的多功能一体化系统
整机在微系统等基础上,通过整合各部分系统,形成的独立 完整的军工装备,如雷达、导弹、发动机等
雷达用来辐射和接收电磁波并决定其探测方向的设备
无源相控阵、PESAPassive Electronically ScannedArray,简称PESA, 相控阵雷达的一种射频前端,仅有一个中央发射机和一 个接收机,发射机产生的高频能量,经功分网络主动分 配给天线阵的各个单元,目标反射信号也是经各个天线 单元送达接收机统一放大
DiFEM集成射频开关和滤波器的前端射频模组
LFEM集成射频开关、低噪声放大器和滤波器的前端射频模组




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称南京国博电子股份有限公司
公司的中文简称国博电子
公司的外文名称Guobo Electronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Guobo Electronics
公司的法定代表人梅滨
公司注册地址南京市江宁经济技术开发区正方中路166号
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址南京市江宁经济技术开发区正方中路166号
公司办公地址的邮政编码211111
公司网址www.gbdz.net
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书 (信息披露境内代表)证券事务代表
姓名刘洋魏兴尧
联系地址南京市江宁经济技术开发区正 方中路166号南京市江宁经济技术开发区正 方中路166号
电话025-68005855025-68115835
传真025-68005835025-68005835
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报、经济 参考网
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板国博电子688375不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入1,736,164,965.861,132,447,071.7353.31
归属于上市公司股东的净利润262,136,461.39192,612,910.9436.09
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润254,159,878.71183,518,870.9938.49
经营活动产生的现金流量净额-292,803,775.90-386,113,943.25不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产2,826,756,523.362,550,957,424.5310.81
总资产5,703,010,472.965,050,621,965.4512.92

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.730.5435.19
稀释每股收益(元/股)0.730.5435.19
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.710.5139.22
加权平均净资产收益率(%)9.768.47增加1.29个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)9.468.07增加1.39个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)10.149.08增加1.06个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
(1)报告期内公司营业收入同比增长53.31%:主要系报告期内T/R组件和射频模块销售收入增加所致。

(2)归属于上市公司股东的净利润增加:主要系T/R组件和射频模块销售收入增加所致。

(3)归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润增加:主要系T/R组件和射频模块销售收入增加所致。

(4)经营活动产生的现金流量净额增加:主要系本期销售回款增加所致。

(5)基本每股收益增加:系本期T/R组件和射频模块销售收入增加导致净利润增加所致。

(6)稀释每股收益增加:系本期T/R组件和射频模块销售收入增加导致净利润增加所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益  
越权审批,或无正式批准文件,或偶发性的 税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关,符合国家政策规定、按照 一定标准定额或定量持续享受的政府补助除 外9,233,369.37 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而计提的 各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支出、整合费 用等  
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价 值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,持有交易性金融资产、衍生金融资产、 交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价 值变动损益,以及处置交易性金融资产、衍生 金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和 其他债权投资取得的投资收益  
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值 准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期 损益进行一次性调整对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-8,231.07 
其他符合非经常性损益定义的损益项目165,804.33个人所得税手续费 返还
减:所得税影响额1,414,359.95 
少数股东权益影响额(税后)  
合计7,976,582.68 

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明
□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业基本情况
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。其中,有源相控阵T/R组件属于军工电子产品,主要用于军用有源相控阵雷达领域,未来随着5G垂直应用发展,也将应用于民用有源相控阵雷达领域;射频集成电路属于模拟集成电路,主要用于移动通信基站等射频通信领域。

1.军用雷达领域
相控阵雷达是由大量相同的辐射单元组成的雷达面阵,具有波束切换快、抗干扰能力强等特点,可同时跟踪多个目标,具备多功能、强机动性、高可靠性能力,其逐渐取代传统的机械扫描雷达,成为当今雷达发展的主流。相控阵雷达根据天线的不同分为无源相控阵雷达(Passive Electronically Scanned Array,PESA)和有源相控阵雷达(Active Electronically Scanned Array,AESA)。PESA仅有一个中央发射机和一个接收机,发射机产生的高频能量,经计算机主动分配给天线阵的各个单元,目标反射信号也是经各个天线单元送达接收机统一放大;AESA的每个天线单元都配装有一个发射/接收组件(T/R组件),每一个T/R组件都能自己发射和接收电磁波,因此在频宽、功率、效率以及冗度设计方面均比无源相控阵有巨大优势。正因如此,有源相控阵雷达造价高昂,据统计,一部有源相控阵雷达天线系统成本占雷达总成本的 70%-80%,而 T/R 组件又占据了有源相控阵雷达天线成本的绝大部分。

2.射频通信领域
射频(Radio Frequency,RF)即射频电流,其原理为当交变电流流过导体时,导体周围会形成交变的磁场,即电磁波。当电磁波的频率超过300KHz,其在经过大气层外缘时会形成电离层反射,从而具备远距离传输能力。通信射频的频率范围一般在300KHz到300GHz之间。从历史发展来看,通信技术经历了从2G到3G、4G,以及逐步迈向5G的转换,其应用频率也不断升高。2017年11月,工信部规划明确了厘米波的3.3-3.4GHz(原则上限室内使用)、3.4-3.6GHz和4.8GHz-5.0GHz频段作为5G系统的工作频段,我国成为国际上率先发布5G系统在中频段内频率使用规划的国家。随着技术的发展,工信部陆续将700MHz、2.6GHz频段用于5G工作频段,并已着手开展5G毫米波频段的规划工作,推动5G高、中、低频段协同发展。相较于4G,具备高频率微波波段的5G技术不仅可以有效缓解目前拥挤的带宽波段,并且能够大幅提升传输速率和传输质量,使得连续广域覆盖、热点高容量、低时延高可靠和低功耗大连接等典型技术场景得以实现。5G技术的大规模应用将为移动通信基站市场带来增长。

(二)主营业务情况
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,产品覆盖军用与民用领域,是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业,核心技术达到国内领先、国际先进水平。

国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局,产品覆盖射频芯片、模块、组件。在高密度集成领域,公司基于设计、工艺和测试三大平台,开发了T/R组件、射频模块等产品;在射频芯片领域,公司基于核心技术开发了射频放大类芯片、射频控制类芯片等产品。T/R 组件和射频模块业务与射频芯片业务相辅相成,相互协同。射频芯片是 T/R 组件、射频模块的重要组成部分。T/R 组件与射频模块在设计、制造过程中一方面要分解、考虑射频芯片的性能,另一方面要依靠公司先进高密度集成工艺,进行热、力、电、磁多物理场协同设计技术,将技术参数在各射频芯片之间进行拆解,才能充分发挥出各射频芯片的最佳性能,形成高可靠、高集成、小型化的T/R组件与射频模块。

军用领域,国博电子是参与国防重点工程的重要单位,长期为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品,确保了以T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。国博电子研制了数百款T/R组件,其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项,产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外,国博电子产品市场占有率国内领先,是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。

民用领域,国博电子主要产品的性能指标已处于国际先进水平。国博电子作为基站射频器件核心供应商,在国内主流移动通信设备供应商的供应链平台上与国际领先企业,如 Skyworks、Qorvo、住友等同台竞争,系列产品在2、3、4、5代移动通信的基站中得到了广泛应用。依托于雄厚的研发实力,国博电子承担了发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020 年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向 5G 通信的射频前端关键器件及芯片”等国家重大专项,以及江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、 江苏省科学技术厅“4G 移动通信用射频集成电路的研发和产业化”等省级项目,核心技术及产品在业内具备竞争优势。

国博电子积极布局以GaN为代表的第三代化合物半导体领域。基于GaN射频芯片的各类有源相控阵T/R组件产品在机载、弹载等领域中取得广泛应用,GaN射频模块主要应用于4G、5G移动通信基站中。2022年8月,国博电子承担的江苏省科学技术厅“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化项目”顺利通过验收。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
(1)T/R组件和射频模块
在T/R组件领域,国博电子是参与国防重点工程的重要单位,长期为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品,确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。国博电子通过整合中国电科五十五所微系统事业部有源相控阵 T/R 组件业务,构建了覆盖 X波段、Ku波段、Ka波段的设计平台、微波高密度互连工艺平台以及全自动通用测试平台,在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计、多温度梯度钎焊工艺、可靠性试验分析测试等技术领域积累了关键核心技术,研制了数百款有源相控阵T/R组件,其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项,产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外,国博电子产品市场占有率国内领先,是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。在射频模块领域,国博电子根据客户需求,开发出大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度的产品,产品关键技术指标处于国内领先、国际先进水平。

国博电子面向国防重点工程配套需求,开展系列化功率放大器、低噪声放大器、多功能芯片等有源芯片与IPD无源集成芯片的自主研制工作,并批量工程化应用于各类宽带、高频、大功率有源相控阵T/R组件产品,研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。在新技术方面,国博公司采用异构集成技术,已完成W波段超低剖面有源相控阵列微系统样件的研制,为未来包含太赫兹在内的超高频产品开拓打下基础。

在射频模块领域,国博电子开发的GaN射频模块完整产品系列,主要应用于4G、5G基站设备中。相关产品的线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当,产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

(2)射频芯片
国博电子在射频芯片领域掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术,国博电子形成了系列化的化合物半导体产品。国博电子射频芯片主要应用于移动通信基站等领域,产品技术水平属于国内领先、国际先进。

在射频放大类芯片领域,国博电子射频放大类主要产品处于国际先进水平。在低噪声放大器方面,针对 5G 基站应用,国博电子设计了大动态、高线性的低噪声产品,其噪声系数、增益、OIP3、功耗等主要性能指标均已处于国际先进水平。在功率放大器方面,针对移动通信基站应用,国博电子设计了一系列不同输出功率量级、频段及带宽的高线性HBT放大器,其增益、饱和功率、线性功率等主要性能指标也已处于国际先进水平。目前,这两类产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中。

在射频控制类芯片领域,国博电子开发的系列射频开关、数控衰减器,具有高集成度、高成品率、高性能等特点,主要电性能指标处于国际先进水平;开发的应用于5G基站的新一代智能天线的高线性控制器件,产品性能达到国际领先水平。在基站领域,目前公司系列射频开关、数控衰减器产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中;在终端领域,开关、天线调谐器产品量产,多个信号切换射频开关被客户引入,DiFEM、LFEM产品相关芯片在有序推进。

依托于雄厚的研发实力和优良的工艺技术,国博电子在上述领域承担了多项装备发展部重大科研任务,以及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向 5G 通信的射频前端关键器件及芯片”等国家重大专项,江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、 江苏省科学技术厅“4G 移动通信用射频集成电路的研发和产业化”等省级项目,国博电子为国家科技水平的进步做出了卓有成效的贡献。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司申请发明专利7项,取得发明专利授权1项;取得实用新型专利授权1项,集成电路设计布图专有权5项。截至报告期末,公司拥有发明专利35项,知识产权共计134项。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利71735
实用新型专利01025
外观设计专利0000
软件著作权0009
其他3253265
合计39739134

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入176,133,398.37102,828,907.3571.29
资本化研发投入0.000.000.00
研发投入合计176,133,398.37102,828,907.3571.29
研发投入总额占营业收入 比例(%)10.149.081.06
研发投入资本化的比重(%)0.000.000.00

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内,公司不断引进高水平研发人才,通过持续研发投入以保持技术创新优势,针对所在行业的前沿技术以及新产品、新工艺等方面加快了研发项目立项及在研项目进度。由此,公司研发投入总额发生了较大增幅。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
单位:元

序 号项目名 称预计总投资规 模本期投入金 额累计投入金 额进展或阶段 性成果拟达到目 标技术水 平具体应 用前景
1射频放 大类芯 片330,000,000.0049,021,268.58225,687,774.19目前产品广 泛应用于 4G、5G移动 通信基站中大动态、 高线性的 低噪声产 品及高线 性HBT放 大器主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平移动通 信基 站、无 线局域 网等通 信系统
2射频控 制类芯 片100,000,000.0017,438,784.5366,058,702.54目前广泛应 用于4G、5G 移动通信基 站中;在终 端领域,多 个信号切换 射频开关也 已经被客户 引入高集成 度、高成 品率、高 性能的系 列射频开 关、数控 衰减器主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平移动通 信基 站、终 端、无 线局域 网等通 信系统
3射频模 块260,000,000.008,916,783.94140,748,998.11目前产品覆 盖多个频 段,已应用 于多个移动 通信基站中高功率、 低插损、 高隔离、 高集成度 的大功率 控制模块 及宽带 宽、高线 性、高功 率、高效 率、高可 靠性的大 功率放大 模块主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平移动通 信基 站、终 端、无 线局域 网等通 信系统
4专用模 拟芯片135,000,000.006,612,749.5487,618,744.03目前部分产 品已为射频 芯片提供接 口,驱动, 电源支撑应 用;部分产 品已应用于 精确制导、 雷达探测领 域高性能的 各类射频 芯片用通 信接口、 驱动、电 源芯片及 高性能的 应用于精 确制导、 雷达探测 的专用芯 片主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
55G 毫 米波天 线阵列 与应用 研究140,000,000.0024,418,849.12116,755,809.56突破了基于 5G毫米波天 线阵列的射 频前端、信 号处理与网 络架构设建立国内 领先的5G 毫米波天 线阵列与 应用技术 体系主要性 能指标 均已处 于国内 先进水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
     计;突破了 基于5G毫米 波天线阵列 的低时延高 可靠无线传 输关键技术   
6多频段 系列化 瓦片式 T/R组 件研发148,000,000.0031,453,743.71111,814,152.90形成多频段 的瓦片组件 产品多频段的 瓦片组件 体系主要性 能指标 均已处 于国内 领先水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
7智能化 制造平 台55,000,000.0017,746,348.9146,804,429.03研究内容包 括:智能装 配设备、数 字化信息融 合、基于虚 拟制造和仿 真的数字孪 生、数字化 产线诊断技 术、智能数 显AR技术。开发构建 设计、生 产、物流 相结合的 智能化制 造平台系 统。主要性 能指标 均已处 于国内 领先水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
8射频无 源电路 研发50,000,000.0020,524,870.0448,647,425.09突破了面向 新一代射频 滤波器芯片 样件研制, 指标符合预 期,达到国 内先进水平建立国际 先进的无 源集成电 路技术体 系主要性 能指标 均已处 于国内 先进水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
9三毫米 多通道 TR 组 件一体 化集成 技术110,000,000.000.0038,267,674.47基于公司异 构集成工艺 平台,完成 了W波段有 源相控微系 统阵列样件 的研制,指 标符合预 期,达到国 内先进水平建立国内 领先的三 毫米射频 集成技术 体系主要性 能指标 均已处 于国内 先进水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
合 计/1,328,000,000.00176,133,398.37882,403,709.92////

5. 研发人员情况
单位:万元币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)231185
研发人员数量占公司总人数的比例(%)16.7017.23
研发人员薪酬合计4,696.403,642.93
研发人员平均薪酬20.3319.69


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士114.76
硕士14663.20
本科4017.32
大专及以下3414.72
合计231100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下9942.86
30-40岁11248.48
40岁以上208.66
合计231100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1.技术与产品创新优势
国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局,产品覆盖芯片、模块、组件。军用领域,国博电子作为参与国防重点工程的重要单位,为陆、海、空、天等各型装备配套了大量的关键产品,确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障,为我国国防装备发展做出了重要贡献。民用领域,国博电子作为基站射频器件核心供应商,基站射频集成电路技术处于国内领先、国际先进水平,为我国自主可控产业链构建和产业链安全做出了重大贡献。

2.研发优势
国博电子组建了训练有素的研发团队,建立了高效灵活的研发体制。国博电子不断引进专业人才,组建了强大的研发团队,专业领域涵盖了电子、通信、计算机、化学、材料等,形成跨学科的复合型团队。基于自主核心技术,国博电子形成了系列化的GaAs和GaN化合物半导体产品。

国博电子射频芯片主要应用于移动通信基站等领域,产品技术水平属于国内领先、国际先进。定位5G移动通信等新兴市场,国博电子成功研制出5G毫米波段Massive MIMO毫米波有源相控阵组件,并在中国国际信息通信展上进行应用演示,受到业界高度关注。同时,通过整合中国电科五十五所微系统事业部有源相控阵T/R组件业务,公司构建了覆盖X波段、Ku波段、Ka波段的设计平台、微波高密度互连工艺平台以及全自动通用测试平台,具备100GHz以下有源相控阵T/R组件研制生产能力,为各型装备配套研制了数百款有源相控阵T/R组件,其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项,产品广泛应用于弹载、机载等领域。自成立以来,承担了多项军委科技委、装备发展部重大科研任务,以及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020 年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向 5G 通信的射频前端关键器件及芯片”等国家重大专项,江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、 江苏省科学技术厅“4G 移动通信用射频集成电路的研发和产业化”等省级项目,国博电子为国家科技水平的进步做出了卓有成效的贡献。

3.品牌优势
国博电子设立以来获得了多项荣誉,积累了良好的品牌声誉。国博电子核心技术人员累计获得国家科学技术进步奖1项(二等奖)、国防技术发明奖1项(三等奖)、国防科学技术进步奖9项(特等奖1项,一等奖1项,二等奖3项,三等奖4项)、中国电子学会科技进步奖2项(二等奖1项,三等奖1项)和中国电子科技集团科学技术奖18项(一等奖6项,二等奖5项,三等奖7项)。2011年获工信部软件与集成电路促进中心―中国芯“年度评选―最具潜质奖”;2012年获工信部软件与集成电路促进中心―中国芯“年度评选―最具投资价值企业奖”;自2012年以来被持续认定为“高新技术企业”;2013年获发改委、工信部、财政部、商务部和国税总局联合认定的“国家规划布局内集成电路设计企业”;2016 年智能手机用射频控制 IC 系列产品获中国半导体行业协会“中国半导体创新产品和技术奖”;与南京邮电大学共建的“射频集成与微组装技术工程实验室”获国家发改委批准为“国家地方联合工程中心(工程实验室)”;2019年HBT高线性功率放大器F280获中国电子信息产业发展研究院(赛迪集团)“中国芯”年度评选“优秀市场表现产品”奖;2019年获赛迪网、《互联网经济》杂志评选的“2019射频微波集成电路最佳供货商”;2020年获赛迪网、《互联网经济》杂志评选的“2020行业信息化竞争力百强”和“2020行业信息化领军企业”;2020年获某主流移动通信设备供应商“供应商最佳交付奖”和“优秀质量协作奖”、2022年获某主流移动通信设备供应商“最佳协同奖”;2021年和2022年入选南京市“独角兽”企业。

4.丰富的客户资源优势
公司致力于有源相控阵T/R组件和射频集成电路领域系列产品的研发、生产和销售,并形成了相关核心技术。经过多年的努力,国博电子的产品得到了市场的认可。公司在军用领域占据了重要地位,作为参与国防重点工程的重要单位,为陆、海、空、天等各型装备配套了大量的关键产品,确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。公司在持续多年的国防服务中同下游单位建立了良好的企业形象和合作关系,主要客户为军工集团下属科研院所及整机单位。依靠卓越的科研能力和优良的产品质量,公司的产品在民用通信领域也获得了认可。在国内主流移动通信设备供应商的供应链平台上,公司作为国内领先的射频集成电路企业与国际知名的欧、美、日企业同台竞争,系列产品在2、3、4、5代移动通信的基站中得到了广泛应用。

5.管理团队优势
公司的研发管理团队、生产管理团队、质量管理团队和市场销售团队具有丰富的集成电路行业相关经验,具备扎实的专业能力和丰富的管理经验。公司核心管理团队构成合理,涵盖经营管理、技术研发、市场营销、生产运营、质量控制、财务管理等各个方面,互补性强,保证了公司决策的科学性和有效性。针对集成电路行业特点,公司不断探索优化生产经营管理模式,构建了完善的采购、生产、研发、销售管理体系,提高了经营效率,提升了公司的市场竞争力和盈利能力。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2022年上半年,面对复杂严峻的外部环境和疫情的影响,公司始终聚焦主营业务发展和核心技术创新,不断加强公司的研发能力、提高产品的质量以及提升生产效率,持续推进公司发展。

报告期内,公司实现营业收入17.36亿元,同比增长53.31%;实现归属于上市公司股东的净利润2.62亿元,同比增长36.09%。具体情况如下:
1、T/R组件和射频模块: T/R组件领域,国博电子作为国防重点工程的重要配套单位,持续为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品,顺利完成各类重点型号T/R组件的生产交付,产品销售收入实现较快增长。同时,公司面向宽带、高频应用积极推进新一代产品研制,积极开展系列化功率放大器、低噪声放大器、多功能芯片等有源芯片与IPD无源集成芯片的自主研制工作,并批量工程化应用于各类宽带、高频、大功率有源相控阵T/R组件产品,研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。射频模块领域,公司应用于4G、5G基站的GaN射频模块产品生产能力提升,销售收入实现较快增长。

2、射频芯片:2022年上半年,在国内5G基站建设放缓的大环境下,公司通过拓展产品领域,加强新产品研发和新客户拓展。新产品方面,公司研发的应用于5G基站新一代智能天线的高线性控制器件业务增长迅速,保持了射频芯片业务的稳定增长。新业务方面,公司积极拓展新客户和新业务领域,加大通信终端、车载射频产品的研发投入和产品推广,部分产品已经通过客户认证并取得批量订单。

报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)技术风险
1.新产品研发的风险
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,产品主要应用于相控阵雷达等军用领域以及通信基站等民用领域,其技术和产品具有更新迭代较快等特点。公司在研发过程中需要投入大量的人力及资金,如果未来公司不能继续保持对研发支出的高投入、抓住技术发展趋势及下游需求的变化、不断吸引专业领域的优秀人才,公司可能会面临技术滞后,对行业发展趋势及下游客户需求的判断发生偏差的情况,导致新产品偏离市场需求,进而影响公司未来发展的持续性和稳定性。

2.核心技术失密的风险
经过多年技术创新与经验积累,公司在有源相控阵T/R组件、射频集成电路等核心技术方面取得突破,上述核心技术构成了公司的核心竞争力。随着市场的变化,存在因核心技术人员流失或工作失误,导致核心技术泄露的风险,若同行业竞争企业获悉公司核心技术,将对公司的生产经营和发展产生不利影响。

3.核心技术人员流失的风险
公司的核心技术人员是公司持续保持技术优势、市场竞争力和提升发展潜力的保障。有源相控阵T/R组件、射频集成电路行业市场需求不断增长,对技术人才需求较高,随着行业竞争的日益激烈,企业与地区之间高端人才竞争也逐渐加剧,公司现有人才也存在流失的风险。如果公司不能为核心技术人员提供优秀的研发条件、具有前景的发展平台及有竞争力的薪酬,可能面临核心技术人员流失的风险,进而对公司的持续经营能力产生不利影响。

(二)经营风险
1.行业周期、产业政策以及宏观经济波动的风险
公司有源相控阵T/R组件应用于国防领域,其下游市场需求一定程度上受到国防开支的影响。

如果未来国防开支发生波动,则会对公司有源相控阵T/R组件的销售收入产生影响。射频集成电路领域具有产品更新换代快等特点,产品结构、收入、毛利率受下游市场需求、产品先进性等多种因素影响。公司射频集成电路产品主要应用于移动通信基站领域,受到宏观经济及5G商用进度的影响,移动通信基站的建设具有周期性波动的特征,下游移动运营商的资本开支波动对上游厂商的经营业绩具有一定影响。近年来,我国5G商用的推进以及国家对集成电路产业政策的支持为公司带来了良好的发展机遇,但若发生 5G 商用进度延缓、5G 建设速度放缓、集成电路的产业政策发生重大不利变化、宏观经济发生剧烈波动等情况将会对公司下游需求,特别是通信基站等民用领域的需求造成冲击,公司的销量、毛利率、经营业绩将因此受到影响。

2.市场竞争加剧的风险
公司的有源相控阵T/R组件和射频集成电路产品主要应用于军品和民品两大领域。军品领域强调自主可控,对产品的稳定性、安全性要求较高,因此行业进入壁垒较高,行业内竞争者数量较少,但随着国家加快军工电子产业发展的一系列政策的实施,未来更多社会资源进入该领域,市场竞争将更加充分。民品领域关注产品性能与成本,Skyworks、Qorvo、住友等国外企业规模较大,并持续保持了较高的研发投入,在技术等方面领先,公司面临的竞争压力较大。同时,未来随着基带芯片厂商进入射频前端领域,该领域的竞争将更加激烈。上述情况或将加剧公司面临的市场竞争风险,对公司未来经营业绩产生不利影响。

3.经营模式的风险
公司有源相控阵T/R组件和射频模块产品主要采取设计+制造+测试的经营模式,射频芯片产品主要采取Fabless模式。芯片的制造、封装测试工序一般由外协厂商负责,外协加工厂商按照公司的设计图纸及具体要求进行部分工序的作业。采用外协加工的模式有利于公司将资源投入到核心工序、核心技术研究和产品研发中去,增强核心竞争力。但是公司存在因外协厂商生产排期导致供应量不足、供应延期或外协工厂生产工艺存在不符合公司要求的潜在风险。此外,晶圆制造为资本及技术密集型产业,其集中度较高是行业普遍现象。报告期内,公司晶圆代工主要委托少数供应商进行,供应商集中度高。如果上述供应商发生不可抗力的突发事件,或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因素,晶圆代工产能可能无法满足需求,将对公司经营业绩产生一定的不利影响。

4.产品未完成军品审价而影响经营业绩的风险
公司生产销售的有源相控阵T/R组件最终用户主要为军方。根据我国现行军品采购管理办法和定价规则,该产品的销售价格由军方价格主管部门审价确定。由于军品审价的周期较长,对于尚未完成审价的产品,公司在符合收入确认条件时按照暂定价确认收入,待价格审定后签订补价协议或取得补价通知单时确认价格差异。由于军方审价周期和最终审定价格均存在不确定性,受此影响,尚未军审定价产品存在未来年度集中确认价差进而对公司盈利构成影响的风险。因此,公司存在因产品未完成军品审价而影响经营业绩的风险。

5.原材料价格波动的风险
报告期内,原材料成本是营业成本的主要构成部分。虽然公司经过多年的生产经营已经建立相对完善的供应商管理体系,但如果未来原材料价格出现大幅波动,则可能造成公司经营业绩出现相应波动。

6.客户集中的风险
报告期内,公司的客户相对集中,主要为各大军工集团下属科研院所或整机单位、国内主流移动通信设备制造商。如果未来公司主要客户的采购、经营战略发生较大变化,或主要客户资信情况发生重大不利变化,或因公司提供的产品质量问题与客户发生纠纷,或者因技术原因等因素无法满足客户的需求,则公司经营业绩将面临下降或增速放缓的风险。

7.原材料供应商集中度较高的风险
公司生产依赖于多种原材料,包括各种晶圆、芯片、电子元件等。原材料的及时供应是保证公司稳定生产的必要条件。公司的一些重要基础原材料如晶圆、芯片等上游行业呈现集中度较高的市场格局,使公司在采购该等原材料时供应商集中度也相对较高。同时,由于国际政治及其他不可抗力等因素,原材料供应可能会出现限制供应、延迟交货或提高价格的情况。如果出现不能及时获得足够的原材料供应或者需高于正常价格获取原材料的情况,公司的正常生产经营可能会受到不利影响。

8.整机单位T/R组件采购模式由对外采购变更为内部配套的风险
整机单位T/R组件采购模式包括对外采购和内部配套两种模式。整机厂商通常聚焦于整机的实现,基于专业化分工的角度考虑,采用外购专业化公司T/R组件产品的模式。此外,部分整机厂商存在有源相控阵T/R组件的需求,自身技术体系较为健全,自建了T/R组件生产研制平台,实现了T/R组件的内部配套。如果未来采取对外采购的整机单位变更为内部配套模式,则会对公司T/R组件业务的经营造成影响,进而影响公司整体经营业绩。

9.产品质量风险
公司高度重视产品质量控制,自设立以来未出现重大质量纠纷。公司射频芯片业务主要采用Fabless 模式,由于生产周期较长影响,如因产品设计缺陷或第三方生产工艺控制不当导致产品缺陷,将有可能导致大量的产品报废或市场召回,由此给公司经营带来风险。公司有源相控阵T/R组件业务主要客户为各大军工集团下属科研院所或整机单位,对产品质量和可靠性要求较高,尽管公司在生产经营过程中高度重视产品质量控制,仍可能出现质量未达标准的情况,这将对公司的品牌声誉和经营业绩造成不利影响。

10.中美贸易摩擦及海外禁运风险
自2018年8月,美国商务部陆续将中国的高科技企业列入―实体清单,并进一步加强对我国集成电路企业的限制,国博电子亦在实体清单之列。该事项对公司采购美国生产原材料、采购或使用含有美国技术的知识产权和工具等产生一定限制。鉴于国际形势的持续变化和不可预测性,―实体清单影响的长期持续性或公司受到进一步的技术限制措施可能会对公司的日常经营带来负面影响。

11.新型冠状病毒肺炎疫情引致的经营风险
2020年1月,新型冠状病毒肺炎疫情爆发,对企业的生产经营活动造成了一定的影响。国内疫情得到控制后,公司已逐步恢复正常的生产经营,公司的采购、生产和销售等各项工作均有序开展。新冠疫情对于电子行业的整体影响尚难以准确估计,如果疫情在全球范围内蔓延且持续较长时间,则将对全球电子行业产业链造成冲击,从而对公司的生产经营带来不利影响。

(三)管理风险
公司自设立以来,经营规模不断扩大,资产规模和员工数量也迅速扩张。本次发行后,随着募集资金投资项目的实施,公司的资产规模及员工数量将进一步扩大,公司在资源整合、人员管理、技术开发等方面将面临更大的挑战。如果公司经营团队的决策水平、人才队伍的管理能力和组织结构的完善程度不能适应经营规模的扩张,将面临快速扩张可能带来的管理风险。

(四)财务风险
1.存货跌价的风险
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,技术要求高、生产环节多、生产周期长,同时公司为能够及时满足客户需求,需备有一定的生产库存;另外,公司部分发出商品需待客户签收或验收合格后方能确认收入,上述业务特点决定了公司具有存货余额高的运营特点。如果未来公司产品出现滞销、验收较慢或者大幅降价等情况,可能会导致公司存货积压并给公司带来较大资金压力,并面临存货跌价风险,从而对公司的经营业绩造成不利影响。

2.经营性应收款项金额较大的风险
公司报告期末经营性应收款项余额较大主要系大型军工客户结算方式导致,大型军工客户一般按照背靠背的方式进行结算,即下游客户回款后向上游供应商进行结算。报告期内,公司经营性应收款项回款良好。但是,公司经营性应收款项金额较大,占总资产比重较高,如果部分客户出现支付困难或者长期拖欠款项,将对公司产生不利影响。

3.税收优惠变化的风险
公司于2018年11月通过江苏省高新技术企业复审,取得编号为GR201832003627的《高新技术企业证书》,有效期三年,于 2021 年 11 月通过江苏省高新技术企业复审,取得编号为GR202132011080 的《高新技术企业证书》,有效期三年,根据《中华人民共和国企业所得税法》及《中华人民共和国企业所得税法实施条例》等相关规定,高新技术企业享受 15%的企业所得税优惠税率。上述税收优惠政策对公司的发展、经营业绩起到促进作用。但是未来如果国家相关税收优惠政策发生变化,公司不能继续享受上述优惠政策,将会对公司经营业绩产生不利影响。

4.经营活动现金流量对公司持续经营能力的影响
由于军方内部审批流程较为复杂,公司T/R组件业务验收及付款周期较长,整机单位为了减小资金压力,一般采取背靠背的方式进行结算,造成公司销售货款结算周期较长。从历史结算进度看,公司T/R组件业务军工集团客户应收账款平均结算周期约为12个月左右,结算方式主要为9个月或12个月期限的商业承兑汇票。从确认收入到商业承兑汇票到期承兑,大约要20-24个月,导致销售收入需要约20-24个月转化为现金流入公司,体现在现金流量表中销售商品、提供劳务收到的现金科目。与此同时,公司T/R组件业务主要供应商应付账款平均结算周期约为6个月,结算方式主要为3个月期限的商业承兑汇票或银行转账。收款周期较长,而原材料、人工等付款周期较短,导致军工行业经营活动现金流一般较差,面临一定的资金周转压力。如果军工业务规模快速增长或下游军工客户货款结算不及时,公司营运资金的周转压力将变大,可能会对公司经营活动现金流量产生不利影响。

(五)关联交易金额较大的风险
公司具有独立、完整的业务体系,能够独立进行经营决策,并且已经建立了包括《关联交易管理制度》在内的完整的内部控制制度,严格规定了重大关联交易的审批程序,保证关联交易定价公允和公司及股东利益,但如果公司内部控制措施不能有效执行,公司关联方有可能通过关联交易对公司及中小股东利益造成影响。

(六)环保及生产安全风险
公司在生产过程中会产生废水、废气、固体废弃物等,如果公司的污染物排放不符合国家环保政策规定,将面临被国家有关部门处罚、责令关闭或停产的可能。此外,报告期内公司虽未发生重大安全事故,但不排除未来因设备老化、物品保管及操作不当、自然灾害等原因而造成意外安全事故的可能,从而影响公司生产经营的正常进行。

(七)募集资金投资项目实施及新增折旧摊销对公司业绩影响的风险 公司募集资金投资项目为射频芯片和组件产业化项目,募集资金投资项目可行性分析是基于公司的技术基础、当前市场环境以及对射频行业未来发展趋势的预测等因素做出的,公司对募集资金投资项目进行了充分的论证和分析。但本次募集资金投资项目需要一定的建设期和培育期,在此期间内可能会受到国家和产业政策变化、市场环境变化、研发和制造成本上升及其他不可预见因素的影响,使得项目的实际收益低于预期,直接影响公司业务规模及潜在业务收入,从而影响项目的投资回报和公司的预期收益。本次募集资金投资项目达产后,公司的折旧摊销费用也会有较大幅度增加,按照公司的折旧政策,新生产线每年平均将新增折旧摊销费用金额约为8,177.46万元。如果市场环境发生重大不利变化导致公司营业收入没有保持相应增长,则公司存在因固定资产折旧大幅增加导致的利润下滑风险。


六、 报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入17.36亿元,同比增长53.31%;实现归属于上市公司股东净利润2.62亿元,同比增长36.09%,其中扣除非经常性损益后归属于上市公司股东的净利润2.54亿元,同比增长38.49%。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入1,736,164,965.861,132,447,071.7353.31
营业成本1,191,121,311.20714,163,387.0166.79
销售费用3,949,633.134,050,232.18-2.48
管理费用37,147,930.3536,049,723.573.05
财务费用-1,132,515.157,485,793.34-115.13
研发费用176,133,398.37102,828,907.3571.29
经营活动产生的现金流量净额-292,803,775.90-386,113,943.25不适用
投资活动产生的现金流量净额-228,687,301.16-151,662,267.42不适用
筹资活动产生的现金流量净额12,600,000.00-73,333.33不适用
营业收入变动原因说明:主要系报告期内,公司积极开展技术研发和市场开拓,稳妥保障产品生产和供应链安全,使得主营业务的收入增加。

营业成本变动原因说明:主要系报告期内,公司营业收入增加,导致营业成本增加。

销售费用变动原因说明:主要系报告期内,受疫情影响,销售费用降低。

管理费用变动原因说明:主要系报告期内,公司员工薪酬增加所致。

财务费用变动原因说明:主要系报告期内,公司经营性现金流增加,使得货币资金相应利息收入增加, 同时归还借款后短期借款利息支出减少所致。

研发费用变动原因说明:主要系报告期内,公司为保持综合竞争实力,加快推进研发项目实施,导致研发用材料增加所致。

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:经营活动产生的现金流量净流出本期收窄,主要系报告期内,公司营业收入增加,同时加强回款管理,销售回款增加所致。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系报告期内,公司推进射频集成电路产业化项目所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系报告期内,公司收到股东资本性投入及短期借款利息支出减少所致。


2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:元

项目名称本期期末数本期期末 数占总资 产的比例 (%)上年期末数上年期 末数占 总资产 的比例 (%)本期期 末金额 较上年 期末变 动比例 (%)情况说明
货币资金516,362,742.809.051,025,701,042.0820.31-49.66系上年预 收货款较 大所致
应收款项2,427,736,090.9442.571,813,972,521.7735.9233.84系营业收 入增加所 致
存货1,239,306,628.8621.73858,399,595.7017.0044.37系订单增 加,存货相 应增加所 致
固定资产275,150,873.444.82267,671,038.285.302.79 
在建工程900,312,509.8715.79683,145,189.9613.5331.79系项目建 设所致
使用权资 产179,012,627.663.14195,800,355.803.88-8.57 
其他非流 动资产24,938,536.120.4471,555,307.221.42-65.15系预付设 备款减少 所致
应付票据762,395,435.8813.37296,110,719.745.86157.47系本期增 加应付票 据结算方 式所致
应付账款1,764,129,144.4930.931,185,676,530.4023.4848.79系生产扩 大,在信用
      期内的应 付账款增 加所致
合同负债14,996,932.280.26583,638,928.4711.56-97.43系预收货 款合同逐 步交付结 转所致
租赁负债166,784,957.362.92162,351,843.193.212.73 
其他说明 (未完)
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