[年报]神工股份(688233):锦州神工半导体股份有限公司2022年年度报告
原标题:神工股份:锦州神工半导体股份有限公司2022年年度报告 尊敬的各位股东： 感谢您长期以来对神工股份的支持和厚爱！ 在去年的此时，我代表公司管理层预判：全球范围的“缺芯潮”促成“芯片制造本土化浪潮”，在产业布局上要求半导体材料企业不仅要立足国际市场，更要着手与本土产业链加速融合。 为此，我们提出“持续扩大大直径硅材料产品生产规模，不断加强16英寸以上产品的全球领先优势”、“推动硅零部件在更多国内客户的认证并形成批量订单”、“硅片产品争取年内获得国内主流集成电路制造厂认证通过并形成小批量订单”等具体目标。 一年后的今天，“缺芯潮”虽已大部退去，但“芯片制造本土化浪潮”仍在向产业纵深发展，其背后隐藏的贸易保护主义思潮，正在逐渐改变全球半导体产业历经数十年来形成的成熟分工体系；另一方面，热点地区地缘政治军事冲突激化以及能源危机的持续影响，造成全球通货膨胀水平高企，同时在终端需求侧和原材料成本侧，挤压包括公司在内的半导体行业企业。 经过全体员工一年来的团结奋斗，公司再次创下历史新高，营业收入达到53,924万元，同比增长达7.09%。 其中，公司大直径硅材料产品收入为47,611万元，产能规模达到500吨/年，继续保持全球领先地位。16英寸以上产品收入占比达到28.95%，产品销售结构进一步优化； 硅零部件产品在北方华创、中微公司等国产等离子刻蚀机厂商供应链中从研发机型向量产机型迈进，获得长江存储、福建晋华等国内头部集成电路制造厂商认证通过，从而在中国本土供应链安全建设中发挥了独特作用,年内硅零部件收入达到千万元以上规模，较去年有较大增长； 半导体大尺寸硅片产品，一期5万片/月产能已经实现批量化生产，某款硅片已经向日本客户定期出货，已成为多家国内客户测试片合格供应商，多个料号在中国本土头部集成电路制造厂认证进展顺利，年内硅片产品收入达到千万元。 历史佳绩的另一面，我感到的遗憾和教训尤为深刻： 原始多晶硅市场价格持续上涨，大直径硅材料成本冲击之大超出预期，更兼硅零部件、半导体大尺寸硅片产品仍处于开拓期，收入尚未能覆盖年内新增设备折旧及相关费用，致使公司毛利率降低17.17个百分点，归属上市公司股东的净利润为15,814万元，同比降低28.44%； 8英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目，由于国内外防控政策限制，设备采购、装机调试、物流运输等多重事项均受到一定程度滞后影响，达到预定可使用状态时间因此延期至2024年2月。 2023年开年以来，人员往来限制措施缓解，各项工作都按下了“加速键”。公司多年辛勤厚积的市场和技术资源，正在外部环境的催化下迎来收获： 我们预计原始多晶硅原料市场价格将从2023年起逐步回归历史价格中枢，有望对公司毛利率水平带来积极影响；公司硅零部件产品，已经在国产高端制程等离子刻蚀机的研发中占据先机，并伴随国产半导体设备厂商及集成电路制造厂商的崛起，将获得更大的成长空间和更强的成长动能；公司在半导体大尺寸硅片产品中的高技术门槛、高毛利品类取得的评估认证成果，将为公司正片产品的导入打开大门。 我们还观察到，尽管目前全球半导体产业仍处于库存调整周期之中，但全球经济“数字化”、“低碳化”转型所驱动的芯片长期需求方兴未艾。台积电、三星、中芯国际等头部厂商公布的2023年资本开支水平仍保持在历史高位，一批国际领先企业已经着眼于2024年乃至2023年下半年的市场回暖，提前做出一系列战略部署。 回首来时路，公司成立于约十年前的行业低谷期。团队在极限中生存，逆境中奋起，短短六年间即昂首挺进资本市场。精研技术，一体同心，是公司立于不败之地之根本；果断决策，连续成功抓住扩产窗口，是公司跻身世界前列的法则。本轮行业下行期，将再一次成为公司提高大直径硅材料产能、扩大全球领先优势的机会窗口，我们志在必得。 不忘初心，方得始终。登陆资本市场整整三年后，我尤感重任在肩，新的征程已经展开：全球半导体产业的库存调整正在为下一轮增长周期积蓄势能，全球领先的集成电路制造厂商仍在竞相突破先进制程工艺；性能更强、能耗更低、种类更多、成本更优的芯片产品及其制造技术，仍为全球政治经济博弈的焦点所在，供应链为此正在发生深刻变革；中国本土半导体基础材料供应链安全的建设工作，仍然任重道远。 犯其至难，图其至远。我相信，经过董事会、管理层和全体员工“一心同体”的不懈拼搏，在广 大投资者、上下游合作伙伴及社会各界的鼎力支持下，神工股份以全球领先的技术优势与本土产 业链深度融合，一定能够实现“中国半导体级硅材料领域的领先者”的愿景！ 最后，再次感谢各位股东，以及关注、关心、理解和帮助过神工股份的朋友们！ 神工股份 董事长 2023年3月17日 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论 与分析”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人袁欣及会计机构负责人（会计主管人员）盖雪声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以2022年度实施权益分派股权登记日登记的总股本数为基数，向全体股东每10股派发现金红利人民币1.00元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本为160,000,000股，以此计算合计拟派发现金红利16,000,000.00元（含税）。占公司2022年度合并报表归属于上市公司股东净利润的10.12%。公司不进行资本公积转增股本，不送红股。本事项已获公司第二届董事会第十一次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 公司年度报告中涉及公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 8 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 9 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 15 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 54 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 72 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 78 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 93 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 100 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 101 第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 102
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 公司2022年实现营业收入53,923.65万元，同比增长7.09%。公司积极把握市场机遇、持续优化产品结构、稳步扩大生产规模、通过完善众多关键技术指标实现全球领先的竞争优势，满足客户对品质的严苛要求。 公司2022年归属于上市公司股东的净利润为15,814.16万元，同比减少28.44%。受主要原材料原始多晶硅价格大幅增长影响，公司生产成本相应增加、实施股权激励后新增股份支付费用。 受上述多重因素影响，公司营业利润有所下降。 公司 2022年经营活动产生的现金流量净额同比减少 31.19%。主要系原始多晶硅等主要原材料价格大幅上涨，公司采购费用增加，付现支出增加所致。 公司 2022年基本每股收益、稀释每股收益同比减少 28.26%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比减少28.15%，主要系报告期内归属于上市公司股东的净利润减少所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2022年分季度主要财务数据
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 十一、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 2022年，全球经济增长受到地缘政治军事冲突以及区域性能源危机的不利影响：根据国际货币基金组织统计，全球经济增长率从2021年的6.0%下降至2022年的3.2%；全球通胀率从2021年的4.7%飙升至2022年的8.8%，达到数十年来高点，终端消费者市场需求受到较大冲击。全球经济大环境与半导体市场供求关系周期性变化的叠加，以及一些国家推出的半导体产业投资补贴政策和技术出口管制政策对供应链的扰动，造成了年内较为复杂多变的市场环境。 根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）2023年2月发布的数据，2022年全球半导体市场规模为5,735亿美元，同比增长3.2%，创下历史新高。公司认为，这显示全球经济“数字化”、“低碳化”转型所推动的半导体市场长期需求仍然强劲；另一方面，自2022年第二季度以来，个人电脑、智能手机等终端市场出货量下滑，下游库存攀升，首先影响英特尔、三星电子等公司，并逐步向产业纵深蔓延。WSTS数据显示，全球半导体市场2022年第四季度销售总额为1,302亿美元，同比下滑14.7%，环比下滑7.7%。公司扎根于分工严密的国际半导体供应链中，所处硅材料细分行业在整个半导体产业链上游，经营业绩与上述数据所呈现的半导体行业景气度仍高度相关。 报告期内，公司克服种种不利影响，持续优化了产品结构、按计划扩大生产规模，进一步完善了产品技术指标和销售网络，再次创造了年度营收新高，实现营业收入53,923.65万元，比去年同期增长7.09%；2022年公司主要原材料原始多晶硅原料价格持续上涨，比2021年升高超过1倍以上，同时公司硅零部件和半导体大尺寸硅片业务仍处于开拓期，研发费用等投入较多，尚未能够贡献盈利。以上双重原因导致公司在2022年营收增长的同时，净利润有所下降。归属于上市公司股东的净利润15,814.16万元，比去年同期下降28.44%。 从产业链角度分析，公司的大直径硅材料产品，直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商，后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商，例如美国泛林集团（Lam Research）和日本东电电子（Tokyo Electron Limited, TEL），并最终销售给三星电子、英特尔和台积电等国际知名集成电路制造厂商。根据上述国际主流刻蚀机设备厂商和集成电路制造厂商披露的财务数据，目前下游库存调整仍在进行中，集成电路制造厂商产能利用率下滑，相应造成上游材料采购数量和交期调整，影响存量市场。公司下游半导体设备制造厂商遭遇零部件短缺问题，导致其积压订单高企并调整交期，一定程度上影响公司增量市场。另一方面，报告期内，公司的硅零部件产品、半导体大尺寸硅片产品两项业务收入明显提升，均达到千万元以上规模。以上产品主要面向中国市场销售，已经在中国本土供应链安全建设中发挥独特作用，伴随国产等离子刻蚀机设备厂商及集成电路制造厂商的崛起，公司将获得更大的成长空间和更强的成长动能。 从公司经营角度分析，2022年公司主要上游原材料原始多晶硅原料的市场价格涨幅较大，影响公司大直径硅材料产品的毛利率水平。公司新业务硅零部件及半导体大尺寸硅片相关固定资产进入折旧期，加之年内新产品评估认证需求较大，研发费用和管理费用先期投入，一定程度上影响了公司的期间费用率。公司研发费用为3,937.59万元，及时满足了客户评估认证需求，相关研发项目结题后，推动公司新业务进入快速发展期。 面对外部市场环境风云变幻，公司管理层在报告期内坚定执行长期发展战略和既定年度经营计划。公司具体经营成果总结如下： （一）国内外市场拓展成果 大直径硅材料业务，目前公司大直径多晶硅材料及其制成品已经通过部分客户认证并实现稳定出货，销售规模有望持续提高。 硅零部件业务，公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，适用于12英寸等离子刻蚀机，已有十余个料号通过认证并实现小批量供货，同时能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。公司产品的认证应用范围，正在从研发机型扩展至某些成熟量产机型。公司在数家12英寸集成电路制造厂商已有十余个料号获得评估认证通过结果。完成评估认证的产品，在集成电路制造厂商相应料号中所占据的采购份额持续提升。 半导体大尺寸硅片业务，公司某款硅片已定期出货给某家日本客户，已经是国内数家集成电路制造厂商 8英寸测试片的合格供应商。技术难度较高的氧化片、8英寸轻掺低缺陷超平坦硅片等硅片产品在国内主流客户端评估中进展顺利。 （二）扩产完成情况 大直径硅材料业务，公司根据直接客户订单数量并结合行业的需求增速，按计划扩充产能，经过一年来的有序扩产，2022年末达到约 500吨/年，继续保持该细分市场产能规模全球领先地位；硅零部件业务，公司在泉州、锦州两地扩大生产规模，实现了较快速度的产能爬升，目前生产车间设计产能处于国内领先地位。 （三）研发成果 公司的研发投入以盈利为根本目标，基于下游客户端具体明确的评估认证要求来开展研发活动，报告期内取得核心技术7项，获得发明专利1个，实用新型专利16个。 大直径硅材料业务，公司在大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面获得了长足的进步，取得了更多试验数据，研发取得了一项多晶硅晶体生长控制核心技术，晶体良品率持续提高。 硅零部件业务，公司针对超平面空间结构，已经开发出多款适配终端客户需求的硅零部件。 加工工艺方面实现了优良的表面完整性，采用精密磨削工艺替代成本较高的研磨工艺，强化了定制开发能力，进一步满足下游客户的需求。 半导体大尺寸硅片业务，公司实现了多款技术难度较大、毛利率较高的轻掺低缺陷硅片细分产品研发。晶体生长技术方面，公司持续深入8英寸氮掺杂特殊晶体的基础工艺开发，全面掌握了特殊掺杂晶体内部缺陷的控制方法，可以满足客户对BMD等指标的苛刻要求。硅片加工技术方面，高温氩气退火技术增加了公司高质量轻掺硅片的产品规格。公司按计划进一步提高了对硅片表面的平坦度指标要求，研发取得两项控制硅片表面平坦度的核心技术，逐步提高产出率，能够持续满足下游客户需求。 （四）募投项目进展 公司募投项目“研发中心建设项目”已于2022年2月达到预定可使用状态并结项； “8英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目”由于国内阶段性交通不便，该项目涉及的设备采购、装机调试、物流运输等多重事项均受到一定程度滞后影响，导致公司募投项目进度不及原计划预期。为提高募集资金利用率，根据公司目前实际情况及市场需求，公司拟有计划、分步逐步投入该项目，故将该项目的达到预定可使用状态时间调整至2024年2月。 目前年产 180万片所需要的生产设备已经全部订购完成，其中一期 5万片/月的设备已达到规模化生产状态。二期订购的10万片/月的设备陆续进场并开展安装调试等工作。当前公司硅片产能正在逐步爬坡，产品大多数的技术指标和良率已经达到或基本接近业内主流大厂的水准。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 报告期内，公司克服“被动交期调整”、上游原材料价格上涨乃至货物短缺等多方面不利影响，继续保持了强劲的盈利能力。两大业务“硅零部件”和“半导体大尺寸硅片”，公司的研发投入始终以盈利为根本目标，市场推广取得显著进展，在国产半导体供应链中占据了有利位置，在下游客户面临技术出口管制导致的供应链风险时发挥了独特的支撑作用，进一步打开了市场空间；原有“大直径硅材料”业务，产能经稳健扩充继续保持全球领先，产品结构继续优化升级，利润率较高的16英寸以上产品销售收入进一步提升，全球细分市场领先优势进一步巩固。主要情况分别说明如下： 1）大直径硅材料 这一业务板块的产品，按直径覆盖了从14英寸至22英寸所有规格，主要销售给日本、韩国等国的硅零部件加工厂，因此也可称之为“集成电路刻蚀用大直径硅材料”。该产品具有国际竞争力，在技术、品质、产能和市场占有率等方面处于世界领先水平，也是公司的主要营业收入来源。 报告期内，公司大直径硅材料产品生产情况稳定，产能逐步提升中；产品结构继续优化升级，利润率较高的16英寸以上产品收入占比进一步提升，从2021年度的27.71%提升至2022年度的28.95%，毛利率为70.63%，对公司保持平稳的整体净利润水平有较大贡献；公司在刻蚀用大直径硅材料市场的全球市占率，也在原有基础上得到稳步增加。 2）硅零部件 上述“大直径硅材料”，经过切片、磨片、腐蚀、打微孔、形状加工、抛光、清洗等一系列 精密加工后，最终做成等离子刻蚀机用硅零部件。公司是具备“从晶体生长到硅电极成品”完整 制造能力的一体化厂商，拥有全球领先的大直径硅材料晶体制造技术，是等离子刻蚀机设备厂家 硅零部件产品的上游材料供应商。硅电极产品具有“品种多、批量小”的特点，具体产品消耗量 依集成电路制造厂商的等离子刻蚀机种类、腔体结构、数量和具体制造工艺所决定，尺寸越大， 设计要求越复杂的产品，对加工能力要求越高，毛利率相对越高。 根据公司自主调研数据，目前国内12英寸集成电路制造厂约有50万片/月的产能，因此合理 估计国内硅零部件市场已有10亿元人民币/年以上的市场规模。预计未来3-5年，国内硅零部件 市场的国产化率将从当前的5%，逐步达到50%以上，考虑到当前国际政治经济形势，该进程有望 加速。预计在2024年至2025年左右，国内集成电路制造厂客户的自主委托定制改进硅零部件市 场需求将达到15亿元人民币/年；另外，中国本土等离子刻蚀机原厂的OEM硅零部件市场需求将 达到3亿元人民币/年。 报告期内，硅零部件产品实现收入达到千万元以上规模。国内集成电路制造厂商客户方面， 公司已经获得更多评估认证机会，与数家12英寸集成电路制造厂商接洽，已有十余个料号获得评 估认证通过结果。目前公司硅零部件产品整体销售数量不断攀升，其中加工难度较大、价值较高 的产品销售占比逐步扩大。 随着美国对华技术出口管制政策收紧，美系半导体制造设备原厂应为中国本土集成电路制造厂商已安装机台提供的备件、维保服务受到阻碍，供应链风险加速暴露。中国本土集成电路制造厂商客户对硅零部件产品的自主委托定制改进需求有所增加，评估认证积极性有所增强，认证速 度有所提升。 公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，适用于12英寸等离子刻蚀机，已有十余 个料号通过认证并实现小批量供货，同时能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。公 司产品的认证应用范围，正在从研发机型扩展至某些成熟量产机型。 为保证未来客户批量订单的及时交付，公司子公司福建精工半导体股份有限公司在 2022年 上半年获得股权融资后，正继续在泉州、锦州两地扩大生产规模，做好设备采购、安装调试等前 期准备工作，确保可以实现较快速度的产能爬升。 3）半导体大尺寸硅片 公司以生产技术门槛高，市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片为目标，致力于满足该产品 的国内需求。轻掺低缺陷硅片主要用于低电压高性能电子产品，如手机等；而重掺硅片则较多用 于高电压产品，如充电器、家用电器、交通设备、通信设备等。低压产品的设计线宽更小，对硅 片内在缺陷的控制要求更高，且硅片表面一般不做或只做很薄的外延层。轻掺低缺陷抛光硅片可 以应用于8英寸相对高端的产品制程，拥有较高的附加价值。从全球市场8英寸硅片总需求上看， 轻掺硅片占全部需求的70-80%；在12英寸硅片总需求中，轻掺硅片占比几近100%。公司8英寸 轻掺低缺陷硅片产品对标日本信越化学公司生产的同类硅片。该款硅片目前市场价格相对较高， 因销售地区、付款条件、客户策略等差异略有不同。 报告期内，半导体大尺寸硅片实现收入达千万元以上规模。公司某款硅片已定期出货给某家 日本客户，其各项指标已经满足了正片标准，证明公司的技术水平已经达到了国际水准。另外， 公司8英寸测试片已经是国内数家集成电路制造厂商该材料的合格供应商，并在向客户提供技术 难度较高的氧化片；8英寸轻掺低缺陷超平坦硅片，某些技术指标难度远大于正片，正在某国际 一流集成电路制造厂客户端评估中，历经数次送样及改进，即将有所突破；超高电阻硅片，公司 正在与下游客户进行规格对接工作，取得一定进展。 目前，“8英寸轻掺低缺陷抛光硅片项目”年产 180万片所需要的生产设备已经全部订购完成，其中一期5万片/月的设备已达到规模化生产状态。二期订购的10万片/月的设备陆续进场并开展安装调试等工作，公司半导体大尺寸硅片产能将继续稳健扩充，并在更高产量条件下确保高良率水平，为客户评估之后的批量订单提前做好准备。 (二) 主要经营模式 公司主营业务为大直径硅材料、硅零部件、半导体大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和销售，其采购、生产、销售模式如下： 1、采购模式 公司产品生产用原材料、包装材料根据“以产定购”的原则进行采购工作安排。 公司建立了供应商管理体系和供应商认证制度，根据供应商的资质条件、产品质量、供货能力、服务水平等情况对供应商进行综合评价，将符合条件的供应商纳入合格供应商清单。供应商进入清单后，公司会基于各部门的反馈以及市场调研情况，定期从产品质量和供货情况等方面对供应商进行持续评估和认证，根据评估结果调整采购订单的分配，并确保主要原材料有两家以上合格供应商具备供应能力。 2、生产模式 公司采取“客户订单+自主备货”的生产模式。公司根据客户发送的定制化产品订单情况组织采购和生产。此外，公司还会结合下游市场需求预测和与客户沟通情况统筹安排备货计划。 公司建立了《产品标识和可追溯管理规定》，每一件产成品均可以通过产品编号检索至单晶工艺跟踪单，从而获得产品的具体生产日期、质量检验员、生产班组等信息。产品质量的可追溯性为公司持续改进管理水平和生产工艺提供了重要保障。在通过 ISO9001:2015标准质量管理体系认证后，公司积极完善终端客户需求，已于报告期内通过IATF16949：2016汽车行业质量管理体系认证。 3、销售模式 公司主要采用大客户直销的模式进行销售，管理层和销售部负责公司现有客户的维护和潜在客户的开发。客户发送订单至公司，经公司确认订单条款，双方对产品类型、数量、价格以及交货期等要素达成一致后按照订单约定履行各自义务。公司根据订单约定交付产品后，将持续跟踪客户产品到货情况及销售回款情况。 公司下游客户对大直径硅材料及其应用产品有较高质量要求，对供应商选择有较为严格的筛选、考核体系。公司成功进入下游客户供应链体系一般需要经历现场考察、送样检验、技术研讨、需求回馈、技术改进、小批试做、批量生产、售后服务评价等环节，认证过程严格，认证周期较长，一般为3-12个月不等。为了保证高品质产品的稳定供应，一旦通过下游客户的认证，客户会与供应商建立长期稳定的合作关系。 公司在拓展潜在客户时，会对客户进行背景调查，在对客户的技术要求进行内部评估的同时，对客户报价进行成本效益核算，进而对是否进入该潜在客户供应链体系进行综合判断。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 经过半个多世纪的发展，“全球分工，自由贸易，效率优先”的国际半导体产业链已经发展 成熟，分工严密且不断加深；但另一方面，近年国际政治经济局势的变化，也正在推动全世界主 要经济体走向“芯片制造本土化”，各国竞相推出巨额补贴和政策支持，上马本土集成电路制造 产能，全球集成电路制造产能的扩产规模和增速相比往年有所增加。根据国际半导体设备和材料 协会（SEMI）于2022年12月公布的数据，2021年至2023年，全球半导体产业将投资超过5,000 亿美元，新增84处集成电路制造工厂。其中，2022年全年共有创纪录的33处工厂开工，2023年 还将有28处工厂开工。集成电路制造厂作为产业链核心企业，短期内大规模增加的资本开支，将 对上游设备和材料厂商造成扩产和交付压力。 公司处于行业上游的半导体硅材料行业，深深植根于全球半导体产业链，同时伴随中国本土 产业链发展而壮大。半导体硅片市场的出货量及单价，影响并带动其它硅材料产品，是硅材料市 场整体景气度的晴雨表。SEMI于2023年2月公布数据，2022年全球半导体硅片出货量为147亿 平方英寸，同比增长3.9%；总销售额达138.31亿美元，同比增长9.5%，双双创下历史新高。海 外主流硅材料生产厂商的产能建设速度无法全面及时地响应下游持续增长的需求，造成硅片产品 阶段性供小于求，加之通货膨胀造成上游原料成本上行，报告期内，硅片整体价格水平持续上涨， 第四季度受终端需求下滑传导，个别产品品类现货价微幅下跌。 目前，全行业仍处于产能扩张周期，海外领先硅片生产厂商的新增产能将陆续于 2024年至2025年投入量产。全球市场份额排名第二位的日本胜高公司预计，2023年全球12英寸硅片需求和供给比值将从2022年的99%降至94%，并在2024年、2025年和2026年分别达到102%、104%和105%，即虽然“供小于求”的态势将在2023年年内得到缓解，但在更长的时期内仍将继续保持。 （2）基本特点 半导体级硅材料行业有“三高”的特点： 1）资金壁垒高 半导体级硅材料行业属于资金密集型行业，前期涉及厂房、设备等巨额资本投入，且生产所需高精度制造设备和质量检测设备的采购资金占比很高，固定资产投资规模庞大。同时规模化生产是行业参与者降低成本提升市场竞争力的必要手段，因此市场新进入者必须达到一定的经济规模，才能与现有企业在设备、技术、成本、人才等方面展开竞争。 2）技术壁垒高 半导体级硅材料质量优劣的评价标准主要包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性等一系列参数指标。实际生产过程中，除了热场设计、原材料高纯度化处理外，需要匹配各类参数并把握晶体成长窗口期以控制固液共存界面形状。在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生长是复杂的控制工程，工艺难度较高，且产品良品率和参数一致性受员工技能和生产设备性能的影响，人机协调也是工艺难点所在。 我国半导体级硅材料行业起步较晚，相比国外先进水平较为落后，具备相关理论知识和行业经验的高级技术人才以及熟练的技术工人都相对匮乏。市场新进入者难以在短时间内获得足够有丰富经验的专业性技术人才，而行业人才的培养、经验的积累以及高效的协作都需要较长时间。 3）市场壁垒高 半导体级硅材料行业下游客户为保证自身产品质量、生产规模和效率、供应链的安全性，十分注重供应商生产规模、质量控制与快速反应能力。因此，行业下游客户会对供应商执行严格的考察和全面认证程序，涉及技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等多个阶段，行业下游客户确保供应商的研发能力、生产设备、工艺流程、管理水平、产品质量等都能达到认证要求后，才会考虑与其建立长期的合作关系。因此，认证周期较长，认证时间成本较高。一旦供应商进入客户供应链体系，基于保证产品质量的稳定性、控制供应商渠道开拓与维护成本等多方面的考虑，客户一般不会轻易改变已定型的产品供应结构。 （3）主要技术门槛 1）大直径硅材料晶体生长技术 公司大直径硅材料产品尺寸主要为14-22英寸，主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商，经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件。公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9，产品质量核心指标达到国际先进水平，可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求。 公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术，使公司能够实现不借助强磁场，仅在常规单晶生长设备上生长出大直径的单晶硅晶体，从而在维持较高良品率和参数一致性水平的基础上，有效降低了单位生产成本； 公司顺应晶体“大型化”的市场趋势，引入了新型长晶设备，改良了热系统，提升生产过程数字化水平，提高了管理精细度，优化了工艺方案，实现了效能提升；大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面，公司研发团队攻关多晶硅晶体制造工艺，研发取得了多晶硅晶体生长控制核心技术，不断提升晶体良品率，能够满足客户对更大尺寸晶体的需求。 2）硅零部件加工技术 大直径硅材料经过切片、研磨、钻孔、腐蚀、抛光、检验等多道精密加工步骤后，可制成等离子刻蚀机用的硅零部件，如：上电极，硅片托环等。等离子刻蚀机的气体通过气体分配盘，经由硅上电极的上千个细微小孔进入刻蚀机腔体中，在一定电压的作用下，形成高强度的等离子体。 若细微小孔的孔径不一致，会影响到电路刻蚀的精度，从而造成芯片良率的下降；同时，上电极及硅片托环与芯片同处于刻蚀机腔体中，受等离子体的刻蚀后，逐渐变薄，当这些硅零部件厚度减少到一定程度后，需替换新的硅零部件，以满足等离子刻蚀机所需要的工艺条件。因此，硅零部件是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。硅零部件的物理特性和化学特性对于晶圆表面的沟槽精度、均匀性等指标有着重大影响。 等离子刻蚀设备厂商或集成电路制造商通常对硅零部件的选择有着很高的要求，加工难度极高。以硅上电极为例，该产品有上千个微孔，每个微孔的尺寸精度、位置精度等都有极高要求，甚至每个微孔内壁表面的保持一定程度的光滑度，以达到孔内壁“不易产生异物污染”的要求；同时，刻蚀气体经过每个微孔后，孔径内壁腐蚀变化程度也需要保证一致性。在进行表面、外形加工过程时，刀具与硅材料的接触过程中，极易造成微观层面的崩裂等表面细微损伤，这种表面损伤可延伸至产品内部，造成产品在使用过程中的异常。所以，上千个微孔的加工必须一气呵成。 如果中间有异常，整个上电极就会成为不良品。 公司经过长时间的研发，掌握了硅零部件的加工技术，在高深径比钻孔技术、孔内腐蚀技术、清洗技术等方面建立了坚实的基础，产品已经交付客户使用，反馈良好。公司针对超平面空间结构，已经开发出多款适配终端客户需求的硅零部件。加工工艺方面，公司联合开发了用于化学机械抛光（CMP）的高精密设备，实现了优良的表面完整性；采用精密磨削工艺替代成本较高的研磨工艺，强化了定制开发能力。公司还研发了精密清洗技术，进一步满足了下游客户的需求。 3）半导体大尺寸硅片行业技术 公司以生产技术门槛高，市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片（正片）为目标，目前从全球市场8英寸硅片总需求上看，轻掺硅片占全部需求的70-80%左右；在12英寸硅片总需求中，轻掺硅片占比几近100%。公司已掌握了包含8英寸半导体级硅片在内的晶体生长及硅片表面精密加工等多项核心技术。具体包括：晶体生长稳态化控制技术、低缺陷单晶生长技术、高良率切片技术、高效化学腐蚀及清洗技术、超平整度研磨抛光技术、硅片检测评价技术、硅片表面微观线性损伤控制技术、低酸量硅片表面清洗技术、线切割过程中硅片翘曲度的稳定性控制技术、针对8英寸抛光片表面雾化现象的控制加工技术、硅片表面超平坦抛光技术、高温氩气退火技术、酸腐蚀平坦度控制技术等。 公司持续深入8英寸氮掺杂特殊晶体的基础工艺开发，全面掌握了晶体内部缺陷的控制方法，目前工艺窗口已经稳定，可以满足客户对BMD等指标的苛刻要求。公司分阶段实施的工艺优化，即通过工艺和热场结构的变化，加强对晶体内氧含量的控制，以适配不同规格硅片的相应技术要求，能够实现从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。硅片加工技术方面，公司研发了控制硅片表面平坦度的多项核心技术，硅片正片的平坦度指标持续改善，产出率逐步提高，能够持续满足下游客户需求。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 在大直径硅材料领域，凭借多年的技术积累及市场开拓，公司在产品成本、良品率、参数一致性和产能规模等方面均具备较为明显的竞争优势，细分市场占有率不断上升，市场地位和市场影响力不断增强。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中，大直径硅材料直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商，例如美国泛林集团（Lam Research）和日本东电电子（Tokyo Electron Limited, TEL），并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。 报告期内，公司大直径硅材料产品生产情况稳定，产能得到稳健扩充，达到500吨/年；产品结构继续优化升级，利润率较高的16英寸以上产品收入占比上升至28.95%，毛利率为70.63%；成本方面，2022年第三季度以来，原始多晶硅原料价格上涨速度趋缓，并出现价格见顶并下降的趋势，为公司大直径硅材料产品的毛利率修复带来契机。公司继续保持细分市场全球领先地位。 在硅零部件领域，公司一南一北两个厂区合计的生产车间设计产能居全国领先地位，配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，正在从研发机型扩展至某些成熟量产机型；与数家12英寸集成电路制造厂商接洽，已有十余个料号获得评估认证通过结果。。 在半导体大尺寸硅片领域，公司核心技术团队在日本有20-30年的轻掺低缺陷硅片生产经验。 公司是国内极少数专注于轻掺低缺陷技术路线的硅片厂商，具备替代海外供应商向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）半导体终端需求结构性变化对产品定制研发能力提出更高要求 报告期内，全球半导体市场遭遇了终端消费市场需求驱动的库存调整周期，终端需求的结构性变化趋势显现：智能手机需求萎缩，个人电脑、电视机亦需求不振，而工业领域和汽车领域的新需求仍然保持强劲。 台积电于 2023年 1月公布的营运绩效报告显示，“高性能计算”和“智能手机”两大技术平台占公司2022年总收入的比重为41%和39%，高性能计算首次取代智能手机，成为该公司最重要的年度收入来源。从全年增长来看，高性能计算、物联网和车用电子三大技术平台同比增长达59%、47%和 74%，智能手机和消费电子同比增长仅为 28%和 1%，汽车电子需求持续增长导致的产能供不应求预计将持续到2023年。三星电子于2023年1月表示，智能手机部门2022年第四季度利润环比下滑 36.1%，并预测智能手机和电视机需求将进一步降温；半导体部门同期利润同比下滑达96.9%，但该公司预计2023年下半年人工智能、机器学习相关应用的基础建设投资将带动存储密度较高的产品类型率先回暖，因此无意削减资本支出，意在强化市场领导地位。 从中国本土市场来看，SEMI预计2023年中国大陆新芯片制造工厂数量将超过所有其他地区，将建设20座支持成熟工艺的工厂或产线。中芯国际于2022年11月表示，本轮周期并非半导体行业供过于求导致，目前新的应用有储能、逆变器等，质量要求极高，需要与终端用户密切合作以满足市场需求；华润微电子有限公司于2022年11月公告，新项目深圳12英寸线项目总投资规模约220亿元，聚焦40纳米以上模拟特色工艺，产品主要应用于汽车电子、新能源、工业控制、消费电子等领域。 未来半导体产业的长期市场驱动力正在变化之中，新的技术平台和特色工艺路线正在形成，促使半导体材料企业打造更加强大的产品定制研发能力。成熟制程的电源管理、微控制器、中高端模拟芯片的需求，以及射频芯片、物联网芯片、OLED等应用市场正在持续扩大，公司历年积累的工艺技术储备，有望拓展更多技术难度较大且销售单价较高的新兴市场并占据先机。 （2）芯片制程日趋缩小对刻蚀工艺和大直径硅材料制造技术提出更高要求 报告期内，国际先进集成电路制造厂商的先进制程工艺取得突破：三星电子于2022年6月宣布实现全球首批3nm制程芯片出货；台积电于2022年12月宣布3nm工艺量产，2nm制程产品将于2024年开始风险试产并计划在2025年实现量产；英特尔预计其3nm制程（Intel 3）将于2023年下半年准备生产，2nm制程（Intel 20A）将于2024年上半年准备量产。半导体加工制程不断进步，12英寸集成电路产品的设计线宽越来越窄，因此沟槽也相应变窄，需要更高的刻蚀精度。 更高的刻蚀精度，对12英寸硅片表面的温度、刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求。 采用更大的腔体和更大的上电极、下电极，更容易确保 12英寸硅片面内各项工艺对均匀性的要求。因此，目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型，都在向着大型化方向发展。随着以上技术工艺发展，更大尺寸的硅电极及其所需的上游材料——更大直径的大直径硅材料(16英寸以上)的需求也将随之增加。 目前，公司16英寸以上大直径硅材料产品的技术和产能在全球市场占据领先地位；针对体积较大、设计难度较高的12英寸高端制程所需硅零部件产品的研发已经占据先机。 （3）全球主要经济体芯片产业竞争所带来的风险与机遇并存 报告期内，美国集成电路产业支持政策在持续不断的争议和博弈中逐渐明朗，对华技术出口管制措施升级。2022年8月，美国总统拜登签署《2022年芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act of 2022），计划向美国本土集成电路制造业提供527亿美元的补贴及税收抵免；2022年10月，美国商务部在半导体制造和先进计算等领域升级对华技术出口管制措施，将31家中国公司、研究机构和其他团体列入所谓“未经核实的名单”，限制名单主体获得某些受监管的美国半导体技术的能力。此外，欧盟、韩国、日本都已推出数十亿至数百亿美元不等的半导体投资补贴政策。 宏大的发展目标及巨额的公共资金支持，正在改变全球半导体产业的资源流向和投资节奏。 全球主要经济体面向芯片制造领域的产业政策竞争持续加剧，带来的风险与机遇并存：一方面，公司的中国本土客户向美国进口先进设备的难度大大增加，产品研发和产能扩张受到延缓和阻碍；另一方面，随着对华技术出口管制政策收紧，下游本土客户对国产供应商的评估认证积极性有所增强，速度有所提升，也为公司的硅零部件和半导体大尺寸硅片产品提供了更大的成长空间和更强的成长动能。 (四) 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 1.大直径硅材料 大直径单晶硅材料生产技术方面。报告期内，公司优化多项长晶工艺，提高设备生产效率，持续提升单批次产量和成品率。为应对国际国内市场日益增长的需求，公司还及时地对主要生产设备进行针对性的升级改造：持续优化投料方法，改进了热场结构，对热场中的主要石墨部件进行精细化管理。这不仅提高了生产设备的使用寿命，还缩短了生产时间，降低了制造成本，良品率和产量不断提升。另外，为顺应晶体“大型化”的市场趋势，公司还引入了新型长晶设备，改良了热场系统，提升生产过程数字化水平，提高了管理精细度，优化了工艺方案，实现了效能提升； 大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面。报告期内，公司研发团队攻关多晶硅晶体制造工艺，满足了客户对更大尺寸晶体的需求。研发团队持续探索晶体各项理化指标所对应的工艺，并取得了更多试验数据，晶体良品率持续提高。此外，公司研发切割工艺，提高了多晶产品的产出率； 公司将不断提升包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性在内的一系列参数指标，为客户提供稳定的优质大直径硅材料。 2.硅零部件 产品研发方面。报告期内，公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，适用于 12英寸等离子刻蚀机，已逐步定型并实现批量生产，能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。等离子体刻蚀工艺不同，硅零部件表面状态和工艺处理要求各异，因此，公司持续配合设备原厂积极开发硅零部件系列产品。另外，为顺应刻蚀机腔体“大尺寸化”的趋势，以优化空间结构并提高刻蚀效率，公司针对超平面空间结构，已经开发出多款适配终端客户需求的硅零部件，正在逐步优化各项加工工艺，提高成品率。 加工工艺方面。随着芯片用等离子刻蚀机不断改型及升级，使得目前大多数制造商所应用的平面抛光技术受到严峻考验。报告期内，公司联合开发了用于硅零部件的化学机械抛光工艺。与目前主流的平面抛光不同，该项技术可使抛光压力作用于各类表面的法线方向，实现复杂异形面的快速抛光，同时在作业过程中实时监测系统的抛光压力并自动调整，保证所有表面在同一抛光压力下完成，表面形貌一致，损伤层去除均匀，实现优良的表面完整性，进一步满足下游客户的需求。此外，公司开发的精密磨削工艺替代了成本较高的研磨工艺，大幅提升了加工效率，加强了定制开发能力，新开发的精密洗净技术则进一步满足了客户对产品洁净程度的要求。未来，公司将不断优化抛光工装设计和加工工艺，提升加工效率，持续提升产品质量和产量。 3.半导体大尺寸硅片 晶体生长技术方面。报告期内，公司已经完成 8英寸氮掺杂特殊晶体的基础工艺开发，全面掌握了特殊掺杂晶体内部缺陷的控制方法，目前工艺窗口已经稳定，可以持续满足客户对 BMD等指标的苛刻要求。 硅片加工技术方面。报告期内，公司按计划进一步提高了对硅片正片的平坦度指标要求，采用硅片超平坦抛光技术和酸腐蚀平坦度控制技术，逐步提高产出率，能够持续满足下游客户需求。 公司开发了氩气退火片工艺：使用特殊退火工艺实现硅片表层无缺陷。氩气退火是为了降低单晶COP缺陷，适应纳米电子技术发展要求，在 100%高纯氩气氛围中进行高温退火处理工艺降低硅片缺陷密度的工艺。同时，公司将分阶段实施工艺优化，即通过工艺和热场结构的变化，加强对晶体内氧含量的控制，以适配不同规格硅片的相应技术要求，提高从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。 公司掌握的核心技术情况如下：
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