[年报]新洁能(605111):2022年年度报告
原标题:新洁能:2022年年度报告 无锡新洁能股份有限公司 2022年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司全体董事出席董事会会议。 三、 天衡会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 四、 公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以现有总股本213,004,309股为基数，向全体股东每10股派发现金红利4.09元（含税），预计派发现金红利87,118,762.38元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配；拟以资本公积向全体股东每10股转增4股，预计拟转增85,201,724股。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额及每股转增比例不变，相应调整每股分配金额以及转增数量。 六、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 七、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“公司关于公司未来发展的讨论与分析”中可能面对的风险部分的内容。 十一、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 .................................................................................................................................... 3 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析........................................................................................................... 12 第四节 公司治理........................................................................................................................... 41 第五节 环境与社会责任............................................................................................................... 61 第六节 重要事项........................................................................................................................... 64 第七节 股份变动及股东情况....................................................................................................... 80 第八节 优先股相关情况............................................................................................................... 90 第九节 债券相关情况................................................................................................................... 91 第十节 财务报告........................................................................................................................... 92
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司信息
二、 联系人和联系方式
三、 基本情况简介
四、 信息披露及备置地点
五、 公司股票简况
六、 其他相关资料
七、 近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 （1）追溯调整原因：根据财政部 2021年 12月 30日下发的《关于印发<企业会计准则解释第 15号>的通知》对上年同期相关科目进行追溯调整，详见公司在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露的《关于会计政策变更的公告》（公告编号：2022-031）。 （2）由于 2021年度公司的股份数量因转增发生变动，根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订）规定，以调整后的股数重新计算并列示上年同期的的基本每股收益、稀释每股收益。 八、 境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 九、 2022年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 十、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十一、 采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十二、 其他 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 报告期内，公司共实现营业收入 181,094.68万元，较去年同期增长 19.87%；其中主营业务收入 180,490.72万元，较去年同期增长 19.78%；归属于上市公司股东的净利润 43,518.10万元，较去年同期增长 4.51%；扣除股份支付影响后的净利润为 50,352.54万元，较去年同期增长 20.45%。 （一）市场开发与销售 2022年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用市场需求下行，光伏和储能、新能源汽车等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，积极提升产能规模并扩大产品供应，将产品导入并大量销售至汽车电子、光伏和储能、数据中心等相关领域客户，并持续开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力。 产品结构方面：2022年以来，公司进一步加大了 IGBT、SGT-MOSFET和 SJ-MOSFET产品的销售投入，从结果来看： （1）IGBT产品作为光伏、储能行业的重点应用产品，公司持续加大芯片及封装全方位的资源投入，2022年实现销售收入 40,299.03万元，比去年同期增长了 398.23%，销售占比从去年同期的 5.37%提升到 22.33%，预计 2023年公司 IGBT产品的销售将继续加速放量； （2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，其中有较多料号近年来进入汽车电子领域并持续放量，2022年实现销售收入 68,059.05万元，相比去年同期增长了 15.21%；销售占比从去年同期的 39.20%减少至 37.71%； （3）SJ-MOSFET产品方面，公司持续加大数据中心、汽车 OBC、充电桩、微型逆变器等下游应用领域的开拓，2022年实现销售收入 21,297.89万元，相比去年同期增长了 38.41%；其销售占比从去年同期的 10.21%提升至 11.80%； （4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，报告期内公司结合市场情况减少了其销售规模，销售占比从去年同期的 45.14%降低至 27.72%。 市场结构和客户结构方面：公司 2022年度进一步降低了智能短距离交通应用以及部分消费电子应用的市场份额，积极发展汽车电子、光伏和储能、数据中心及通信、工业自动化等中高端行业应用。 从全年来看，公司的下游应用领域如下图所示： 从趋势变化来看： 期间 光伏新能源 汽车电子 合计 2022年上半年 18% 13% 31% 2022年下半年 33% 15% 48% 汽车电子方面：2022年公司与比亚迪继续扩大合作规模，目前已经实现近三十款产品的大批量供应。同时，公司对理想、蔚来、小鹏、极氪、上汽、吉利、长城、奇瑞、江淮、五菱等十余家车企的出货规模稳步提升，且已经正式通过多家汽车客户的 VDA6.3审核。2022年度公司应用于汽车电子的相关产品销售额同比增长超 700%。 已批量供应的车规级产品涉及到车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、辅助驾驶域等多个领域应用，并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统，产品交付数量已超过 60款且持续增加，产品交付至今无任何异常反馈。此外，公司正与联合电子等多个国际化汽车客户进行产品导入，部分产品已经通过了 DV验证，进入小批量 PV验证阶段。公司目标成为汽车市场出货品种最多，出货数量最大的本土品牌功率器件设计公司。 光伏储能方面：公司积极抓住快速增长的市场需求，重点发力光伏储能市场，产品性能已达到国际厂商主流竞品水平，成功导入并大量供应国内的 Top10光伏企业，持续提升与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源、昱能科技等头部企业的合作规模，并根据行业特色要求以及未来市场需求，与部分客户签订了保供协议。公司所生产的光伏用 IGBT产品全部基于 8寸与 12寸平台，已成为多家龙头客户单管 IGBT第一大国产供应商。同时，公司推出全球首款 1200V 100A光伏用单管 IGBT，未来将陆续推出 1200V 150A等更多大电流的单管系列产品，并进一步加快客户端验证，实现对功率模块的部分替代，从而保证公司 IGBT器件产品在该领域的领先地位。 此外，公司积极推动 IGBT模块产品的研发与生产，基于 650V和 1200V平台的相关模块产品开发进展顺利，主要应用于光伏逆变、储能等行业，预计部分产品的验证评估可在 2023年 4月完成并向客户送样；同时预计在 2023年 Q3实现 IGBT模块产品的量产。公司在保证光伏储能领域的国产 IGBT单管龙头地位的同时，积极发展 IGBT模块产品，以尽快成为光伏储能领域的国产 IGBT模块的第一品牌。 （二）研发创新 2022年度，公司实现研发投入 11,412.23万元。截至目前，公司（含子公司）拥有 182项专利，其中发明专利 81项、美国专利 1项，集成电路布局图 26项，软件著作权 1项，当年新增产品近 400款。 ? IGBT平台： （1）使用第七代微沟槽场截止技术的 650V IGBT已经逐步量产，产品电流密度提升至550A/cm2，较上一代产品提升 27%，栅极电荷下降 50%以上； （2）使用第七代微沟槽场截止技术的 1200V IGBT产品已突破主要技术难关，采用创新的载流子存储设计理论和制备工艺，饱和压降降低 10%以上； （3）使用第七代微沟槽场截止技术的 650V 逆导型 IGBT（RC-IGBT）产品样品已完成器件可靠性考核并通过客户应用测试； （4）面向于光伏逆变应用的业界电流最大的 1200V TO-247plus封装单管产品 1200V 150A IGBT已经完成设计与工艺固化，该产品推出后将全面适用于中功率光伏逆变装置并替换部分IGBT模块产品； （5）光伏模块用 650V和 1200V大电流 IGBT芯片，采用了最新第七代微沟槽场截止技术、载流子存储技术、多梯度背面缓冲层技术，正在进行工程流片，预计 2023年 Q2完成开发和样品送样，包括 1200V/800A、650V /450A、1200V/600A等模块产品。 （6）独创设计的具有正温度系数的高性能快恢复二极管（FRD）芯片已经完成工程开发，产品电学参数和温度特性显著优于市场同规格普通快恢复二极管，该产品匹配搭载公司第七代 IGBT大电流芯片，单管产品与模块产品将聚焦适用于光伏储能、充电桩、OBC和新能源汽车等领域。 ? SJ-MOS平台： （1）深沟槽工艺第四代沟槽栅超结 MOS（SJ –MOS）系列产品已率先在 8英寸和 12英寸平台同步量产，电压覆盖 500V~700V，导通电阻覆盖 2欧姆(Ω)~10毫欧姆(mΩ)，以 600V产品为例：其特征导通电阻（Rsp）可以低至 1.10欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，相较于同平台最优竞品小 10%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低 20%以上，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达 25%。 （2）第四代沟槽栅 SJ -MOS平台开发了集成超快恢复体二极管系列大电流产品，并已经在多家头部 OBC、充电桩、服务器电源等客户批量使用。 （3）业内首家采用深沟槽工艺的 200V ~300V低压 SJ-MOS产品平台开发完成，代表产品已通过可靠性考核，以 200V产品为例，其特征导通电阻（Rsp）可以低至 150毫欧姆每平方毫米(mΩ.mm2)，相较于同电压规格屏蔽栅 MOS（SGT MOS）产品小 25%以上。 （4）为满足新能源变电与储存、新能源汽车、数据中心等行业的未来下一代产品对电能转换效率和长期可靠性寿命的更高要求，公司提前布局研发具有超低特征导通电阻的第五代 SJ –MOS平台技术，已经突破多项技术瓶颈，完成样品开发与试制，产品漏源击穿电压(BVdss)和特征导通电阻达到预期目标，且产品特征导通电阻已达到功率半导体国际龙头企业最新产品技术水平，目标 2023年完成该平台良率优化等量产准备工作。 ? SGT-MOS平台： （1）国内首款针对 5G通讯电源及大功率可靠性工业电源开发的 P150V SGT MOS平台进入风险量产阶段，特征导通电阻（Rsp）业界领先，可靠性达到工业级要求； （2）针对车规应用的 P60V SGT MOS平台正在工程流片中，目标参数性能达到业界领先，可靠性达到车规级； （3）达到业界领先水平的超小元胞尺寸、超高元胞密度 N25V、N30V、N40V第三代 SGT MOS平台已完成 MPW流片，工艺流程基本固化，目前进入产品版开发阶段； （4）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性 N150V 第三代 SGT MOS正在工程开发中； （5）基于 12寸平台，达到业界领先水平的低品质因子、高鲁棒性 N100V、N85V第三代 SGT MOS已完成 MPW首批流片，并取得阶段性进展。 ? Trench-MOS平台： （1）在 8英寸芯片产线上基本完成了高可靠性的新型结构 P60V~150V 产品设计和工艺定型； （2）完成 0.75-0.9um pitch P30~40V产品平台开发； （3）在 12英寸芯片产线上优化 N40V~45V工艺条件使产品 Rsp达到国内先进水平同时推出系列产品。 汽车电子方面： SGT MOS与 Trench MOS平台、650V SJ MOS平台、1200V IGBT平台中的P20V、P30V、P40V、P60V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V 、N150V器件，合计近 80款典型产品基于 APQP开发流程，通过了 AEC-Q101车规可靠性考核，完成了 PPAP，并且已大批量交付近 30家 Tier1厂商及终端车企，各平台系列车规型号产品也在持续扩充增量中，产品已广泛应用于域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等多个汽车细分应用中。公司建立并基于 IATF16949汽车质量管理体系对整个产品过程进行管理，在客户需求的基础上，通过内部的管理过程包括 COP（顾客导向过程）：接收到客户需求及特殊要求，运用 APQP、PPAP、DFMEA等工具形成供应链达到产品的实现以及持续的客户服务，管理过程 MP例如：管理评审、经营计划及各方面资源配置与数据分析等，以及支持过程 SP：运用 VDA6.3\VDA6.5对产品的过程及成品进行验证、遵循 ACE-Q101进行产品的可靠性测试、文件及人力资源的支持、车规设备的认证以及预见性维护和保养等保证产品的保证，通过管控这些过程来保证整个产品实现过程的有效进行，更好的了解客户需求及提高客户满意度，致力于向汽车客户提供零缺陷产品。 第三代半导体功率器件平台：公司已开发完成 1200V 32mohm/62mohm新能源汽车 OBC、光伏储能用 SiC MOS，突破 SiC MOS栅氧化层可靠性技术、动态阈值/动态电阻技术、抗冲击能力提升技术等，申请专利 2项，授权发明专利 2项，相关产品通过可靠性考核，产品性能达到国际先进水平，客户测试评估初步通过，产品进入小批量试产阶段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200V GaN产品开发中。 功率 IC产品平台：公司控股国硅集成电路技术（无锡）有限公司，产品系列得到进一步完善。目前，国硅集成已实现量产 25V低侧驱动系列产品 18款，适用于光伏 MPPT应用；量产 40V桥式驱动系列产品 4款，适用于中小功率风机；量产 250V半桥驱动芯片 6款，适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片 3款，适用于储能、工业控制等应用。相关产品已经在光伏&储能、工控、电池化成设备、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2022年国硅集成累计完成工程批验证 250V、700V半桥驱动芯片 18款，预计 2023年二季度实现量产销售。此外，国硅集成正在积极推进用于汽车电子领域的隔离驱动IC产品和Smart MOS产品的研发，预计2023年底可以实现出样，相关产品国产替代空间巨大，将成为公司业绩增长的新亮点。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，截至 2022年末，公司的研发人员已达 106人，并持续引入高学历人才，以进一步加强汽车电子和半导体功率模块产品的开发力度。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2022年以来，随着新能源汽车、光伏储能行业迎来新机遇，公司相应产品的产能持续紧张，公司的运营部门积极协调产能，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都做好产销衔接及产能调配工作，与各主要供应商继续保持良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 ? 芯片代工环节： （1）公司涵盖了华虹宏力、华润上华等国内主要的具备 MOSFET、IGBT等大尺寸晶圆芯片代工能力的本土芯片代工供应商；尤其是华虹宏力，公司与其建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均批量投产。公司已成为国内 8英寸、12英寸芯片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，且整体产能持续增长； （2）功率 IC产品，公司已与各代工厂建立了良好合作关系，并实现批量投产； （3）为满足 IGBT合封需求，公司积极开发新的 FRD芯片代工资源，协调 FRD供应商增加更多产能，FRD回货数量同比 2021年增加约 230%； （4）公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前工程批流片顺利。 ? 封装测试环节： （1）受市场景气度变化影响，普通消费类产品封装数量与 2021年相比略有下降，但是 IGBT、汽车电子应用的 MOSFET产品提升较快。公司与日月光、成都集佳等签订了 IGBT封测产能协议，确保 IGBT产品的产能供应； （2）汽车电子产品方面，公司同时开发了日月光、成都集佳、长电科技等多家具备车规供应能力的封测厂，完成多个产品封装形式的规模量产，并已在更多合作厂商跑完工程批验证，以进一步扩大车规产品的规模； （3）功率 IC产品，公司均已开发了相应的封装与测试外协厂，以实现功率 IC产品的快速放量； （4）子公司电基集成 TO-247、TO-247PLUS封装生产线顺利通线投产，并完成了 TO-247封装生产线的扩产，导入多个汽车产品，为进一步大规模量产做好充分支持。 （5）子公司金兰半导体的第一条 IGBT模块封装测试生产线已经基本购建完成。 （四）子公司发展情况 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品。从设立之初，电基集成就特别注重车规级封测产线的建设与管理，并顺利通过 SGS IATF 16949体系认证。 2022年电基集成实现收入 8,106.14万元，较上年同期增长约 8.85%。用于无人机和车载辅助系统的 PDFN5x6 Full Clip封装形式继续扩大生产规模，规划产能增加到原来的三倍，目前正在试做样品电镀；适用于高电流汽车应用，包括电池管理、电子动力转向（EPS）、主动式交流发电机等系统的 TOLL封装继续增加产能和产量；用于光伏和储能的 TO-247和 TO-247P新封装形式顺利量产并完成了 TO-247的扩产；新增 SOP-8封装，目前设备已交付，样品验证准备中；新增PDFN3.3X3.3封装，目前设计已完，正在 LF&Clip比价以及塑封方案评估中；同时，新封装 sTOLL以及 TO247/P-4L均已在 Benchmark中。 2022年度电基集成实现了更多汽车电子产品品种的封测，并进行了相关体系的进一步规范和完善。 2、金兰半导体 2021年 11月，公司发起设立子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前金兰半导体已建立起一支完整的熟练掌握产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队多数成员有数十年丰富的 IGBT模块产品及工艺开发经验，并拥有良好的生产品质管理经验。金兰半导体的第一条 IGBT模块封装测试生产线已经基本购建完成，所选用的机器设备均为近两年国际先进且技术成熟的封装测试设备。 基于 650V和 1200V平台的相关模块产品开发进展顺利，主要应用于光伏逆变、储能等行业，预计部分产品的验证评估将于近期完成并向客户送样；同时预计在 2023年 Q3实现 IGBT模块产品的量产。 3、国硅集成 公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自公司实现对国硅集成的控股以来，国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过 ISO9001体系认证。 2022年度，国硅集成入选江苏省“双创人才”，完成江苏省第一批科技型中小企业评审认定和江苏省民营科技企业的评审认定。 公司与国硅集成联合开发结合 MOSFET创新、封装创新、IC创新的智能功率集成产品，以提高公司产品的整体领先性与综合技术门槛，增强公司的核心竞争力，进一步满足高端客户的创新需求，为终端客户提供包含 IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结 MOSFET、智能功率 IC芯片、智能功率模块等功率半导体芯片的整体解决方案。 （五）内部管理 2022年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。 （六）投资情况 公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 2022年度，根据公司发展战略规划以及金兰半导体的生产经营需要，公司向金兰半导体追加投资 5,000万元，并为金兰半导体引入相关战略投资者。此外，公司向国硅集成进行增资，持股比例从 5%增加至 52.50%，实现对国硅集成的控股。 2022年第四季度，公司参股常州臻晶半导体有限公司并持有其11.11%的股权（现持股10.55%）。 常州臻晶是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体研发、生产和销售的企业，本次公司投资常州臻晶，主要系公司围绕整体发展战略，在化合物半导体领域实现外延式扩张，通过对产业链的纵向布局以及资源整合，加强公司在碳化硅等化合物半导体领域的话语权以及核心竞争力，从而把握未来、实现更高成长。 （七）其他资本运作 2022年上半年，公司完成了权益分派工作。 2022年 8月，公司完成了上市后非公开发行的相关工作，实际募集资金净额 14.01亿元，此募集资金的取得，将促使公司的进一步加速发展。 2022年四季度，公司进行了对员工首次限制性股票激励计划预留部分的授予，激励了更多的人员，覆盖了公司及子公司的新进骨干成员，有效加强了相关员工对公司的忠诚度以及工作积极性。 （八）主要荣誉奖项 公司 2022年度新增荣誉奖项如下： 荣获中国半导体行业协会颁布的“2021年中国半导体功率器件十强企业”荣誉称号； 荣获“福布斯 2022中国创新力企业 50强”称号； 荣获“2022年中国企业信用 500强”； 荣获“2022年中国半导体市场领军企业奖”； 获批“无锡市级企业技术中心”； 董事长荣获批“无锡市产才融合突出贡献人才” 荣誉称号； 荣获华虹宏力半导体“卓越贡献客户”称号。 二、报告期内公司所处行业情况 根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”大类下“3972半导体分立器件制造”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在 22%-25%之间。 半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。 根据 Omida数据显示，2022年全球功率半导体市场规模将达 481亿美元，预计 2024年市场规模将达到 532.19亿美元；2022年中国功率半导体市场规模将达 191亿美元，预计 2024年市场规模将达到 195.22亿美元，占全球市场约为 36.68%，中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。 市场研究机构 IC Insights指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET与 IGBT模块；主要的半导体功率器件（MOSFET和 IGBT）的市场需求规模如下： MOSFET：因各产业对各种电压范围的 MOSFET皆有大量需求，根据 Yole 2021年的统计和预测数据显示，MOSFET市场规模将从 2020年的 75亿美元增长至 2026年的 94亿美元，年复合增长率达到 3.8%。而根据中金企信统计数据，预计 2023年中国 MOSFET市场整体规模达到 420.2亿元，2020年-2023年年均复合增长率达到 9.22%。 IGBT：从 IGBT市场空间来看，2021年全球 IGBT（分立+模块）市场规模约 57亿美元，国内 IGBT市场约为 22.43亿美元，国内市场规模占全球比约为 40%。根据 Omdia的统计和预测，全球 IGBT市场规模 2024年预计达到 66.19亿美元，2020-2024年复合增速约为 5.16%；中国 IGBT市场规模 2024年预计达到 25.76亿美元，2020-2024年复合增速约为 4.34%，中国市场占全球比例约为 40%左右。近两年，由于新能源汽车、光伏和储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。 从中长期来看，国内半导体市场需求仍将呈现较快的增长势头。 三、报告期内公司从事的业务情况 1、主要业务 公司的主营业务为 MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。通过持续的自主创新，已构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出 SiC MOSFET、GaN HEMT、半导体功率模块、智能功率 IC等新产品。公司的产品先进且系列齐全，目前产品型号达 2000款，电压覆盖 12V~1700V全系列，是国内 MOSFET和 IGBT器件品类最齐全且产品技术领先的公司，重点应用领域包括汽车电子和充电桩、光伏和储能、数据中心、5G通讯、工业电源、机器人、安防、变频家电、农用无人机、医疗设备、锂电保护等十余个行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；同时子公司金兰半导体目前已经建成先进功率模块生产线，并陆续推出功率模块新产品，以进一步满足光伏和储能、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、市场地位 公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率 MOSFET及超结功率 MOSFET的公司，也是国内最早在 12英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有 IGBT、屏蔽栅 MOSFET（SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了 12V~1700V的全系列产品，为国内 MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据 Omdia统计数据，2021年国内 MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第 5，其中在设计领域公司名列第一。 四、报告期内核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有182项专利，其中发明专利 81项、美国专利 1项，集成电路布局图 26项，软件著作权 1项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与 IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在 IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文 18篇，其中 SCI收录论文 11篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆 IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于 12英寸芯片工艺平台的 MOSFET产品，实现基于 12英寸芯片工艺平台的 IGBT产品的量产，并新增开发多款模块产品及功率 IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，逐步实现对 SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司主要产品为 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、沟槽型功率 MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖 12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。 在 IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块也在开发和逐步量产中。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有 2000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力、华润上华等领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了 ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率 MOSFET”、“沟槽型功率 MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过 AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得 IGBT、MOSFET主要基于 8英寸以及 12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内 8英寸和 12英寸工艺平台上 IGBT和 MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET以及沟槽型场截止 IGBT等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对 MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入汽车电子和充电桩、光伏逆变和光伏储能等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长兼总经理朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于 8英寸和 12英寸芯片工艺平台对 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 五、报告期内主要经营情况 报告期内，公司共实现营业收入 181,094.68万元，较去年同期增长 19.87%；其中主营业务收入 180,490.72万元，较去年同期增长 19.78%；归属于上市公司股东的净利润 43,518.10万元，较去年同期增长 4.51%；扣除股份支付影响后的净利润为 50,352.54万元，较去年同期增长 20.45%。 业绩变化的主要原因系：2022年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用需求相对减弱，光伏和储能、汽车电子等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，加大加快相应产品供给，将产品导入并大量销售至汽车电子、光伏和储能等相关领域客户，并持续开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力，最终实现经营规模和经济效益的稳定增长。 (一) 主营业务分析 1. 利润表及现金流量表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币
营业成本变动原因说明：主要系报告期内公司收入增加，成本亦相应增加所致。 销售费用变动原因说明：主要系公司对销售人员实施股权激励，股份支付费用增加所致。 管理费用变动原因说明：主要系公司对管理人员实施股权激励，股份支付费用增加所致。 财务费用变动原因说明：主要系公司银行存款增加，通过现金管理增加利息收入，以及汇率波动带来的汇兑损益变化所致。 研发费用变动原因说明：主要系公司持续增加研发投入，以及对研发人员实施股权激励、导致股份支付费用增加所致。 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司当期购买商品、接受劳务支付的现金增加较多所致。 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司当期理财产品到期赎回产生的现金增加所致。 筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司当期收到的非公开发行融资款、股权激励款和子公司吸收少数股东投资的现金增加所致。 其他收益变动原因说明：主要系当期收到的政府补助相比上期增加所致。 公允价值变动损益变动原因说明：主要系公司当期其他非流动金融资产公允价值变动损益增加所致。 资产减值损失变动原因说明：主要系当期公司存货余额增加，存货跌价准备计提增加所致。 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用 2. 收入和成本分析 √适用 □不适用 报告期内，公司共实现营业收入 181,094.68万元，较去年同期增长 19.87%；其中主营业务收入 180,490.72万元，较去年同期增长 19.78%；实现营业成本 114,211.43万元，较去年同期增长23.98%；其中主营业务成本 114,048.59万元，较去年同期增长 23.80%。 (1). 主营业务分行业、分产品、分地区、分销售模式情况 单位:元 币种:人民币
主营业务分行业、分产品、分地区、分销售模式情况的说明 报告期内，公司共实现主营业务收入 180,490.72万元，较去年同期增长 19.78%；其中功率器件产品的占比进一步提升，由上年同期的 90.55%增长至 93.98%，为公司贡献了更多的业绩。 公司的销售主要集中在境内，主要系境内客户目前仍有非常大的拓展空间，公司未来一段时间内的销售仍以重点开发境内新兴市场需求以及持续深入国产替代为主。 公司销售模式中经销收入的占比进一步提升，主要系公司下游应用领域广泛，通过经销商和代理商积极开发销售渠道，并加大与知名客户、重点客户的推广合作所致。 此外，公司的 IGBT产品、屏蔽栅 MOSFET产品、超结 MOSFET产品，在报告期内均取得了较好地增长，尤其是 IGBT产品，相比去年同期增长了 398.23%，通过加大相关产品销售力度，公司的下游市场结构和客户结构得以进一步优化。 (2). 产销量情况分析表 √适用 □不适用
产销量情况说明 公司设计的芯片代工回货后，主要用于封装为功率器件并进行出售。功率器件产品的生产量相比去年同期减少了 21.06%、销售量比上年同期减少了 19.22%、库存量比上年同期增加了 36.74%，主要系公司持续优化产品结构，并针对客户需求进行积极备货，IGBT等大电流产品增加较多所致。 (3). 重大采购合同、重大销售合同的履行情况 □适用 √不适用 (4). 成本分析表 单位：元
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