[年报]赛微电子(300456):2022年年度报告

时间:2023年03月28日 21:08:53 中财网

原标题:赛微电子:2022年年度报告

证券代码:300456 证券简称:赛微电子 公告编号:2023-032 北京赛微电子股份有限公司
2022年年度报告



2023年 03月
第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人杨云春、主管会计工作负责人蔡猛及会计机构负责人(会计主管人员)霍夕淼声明:保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

2022 年,公司净利润由盈转亏,业绩亏损的具体原因主要是一方面公司北京 MEMS 产线(北京FAB3)继续处于运营初期、产能爬坡阶段,折旧摊销压力巨大,工厂运转及人员费用也进一步增长,但同时继续保持了极高的研发强度,叠加公司集团层面股权激励费用等因素,北京MEMS产线的亏损规模进一步扩大;另一方面公司瑞典MEMS产线(瑞典FAB1&2)在国际地缘政治冲突、通货膨胀高企、收购德国 FAB5 意外失败等的背景下,收入及利润下滑,本报告期瑞典克朗与人民币之间的汇率波动又进一步放大了瑞典MEMS产线的不利变化。

公司在本报告期出现业绩亏损属于正常现象,由公司旗下产线的特征及所处阶段所决定,符合半导体制造行业(重资产、长周期投入)的一般规律,并非意味着公司主营业务、核心竞争力、主要财务指标发生重大不利变化,反而随着时间推移,公司持续积累自主核心工艺及业务拓展潜力,长期竞争力得到加强。公司所处的 MEMS、GaN行业景气度高,不存在产能过剩、持续衰退或者技术替代等情形。公司的持续经营能力不存在重大风险。

本年度报告中涉及未来展望及计划等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。公司已在本年度报告第三节“管理层讨论与分析”第十一项“公司未来发展的展望”章节中,对公司可能面临的风险及对策进行了详细描述,敬请广大投资者留意查阅。

本公司请投资者认真阅读本年度报告全文,并特别注意下列风险因素: 1、国际局势及汇率波动风险
自二战之后,特别是上世纪八九十年代以来,全球化发展日益加速,已成为时代发展的重要特征和显著标志,国家之
间在经济、政治、文化、社会等方面的交流程度大幅提升,在加速科技进步和生产力发展的同时,也使得民族国家的利益
面临着多元化的冲击和挑战,最终导致民族主义情绪的累积并在近年来显著抬头,右翼民粹主义、反全球化主义、贸易保
护主义、本土主义等主张在全球,尤其是欧美国家泛起,引发国际局势紧张及日趋复杂化,对跨国经营的企业提出诸多新
的挑战。公司同时持有境内外资产及业务,近年来直接源自境外营业收入的比例处于高位,2020-2022 年的比例分别为
84.72%、75.66%、74.64%,且公司部分原材料采购以及 MEMS、GaN业务的大部分机器设备采购亦采用外币结算,日常涉
及美元、欧元、瑞典克朗、日元、人民币等货币。因此,公司日常经营活动客观上面临着国际政治经济局势剧烈变化的风
险,随之而来的还包括因汇率大幅波动对公司报表业绩(以人民币计算)产生较大影响的风险。

2、新兴行业的创新风险
公司现有 MEMS、GaN业务均属于国家鼓励发展的高技术产业和战略性新兴产业,同时也是国家“十四五”规划纲要
中的科技前沿攻关领域,该等产业技术进步及迭代迅速,要求行业参与者不断通过新技术/工艺的研究和新产品的开发以应
对下游需求的变化。如公司对新技术/工艺、新产品的投入不足,或投入方向偏离行业创新发展趋势或未能符合重要客户需
求的变化,将会损害公司的技术优势与核心竞争力,从而给公司的市场竞争地位和经营业绩带来不利影响;此外,近年来,
公司研发费用支出的绝对金额以及占营业收入的比重均处于高位,2020-2022年,公司研发费用分别高达 1.95亿元、2.66亿
元、3.46亿元,占营业收入的比重分别高达 25.54%、28.69%、44.01%,而研发活动本身存在一定的不确定性,公司还存在
研发投入不能获得预期效果从而影响公司盈利能力的创新风险。

3、行业竞争加剧的风险
公司半导体业务直接参与全球竞争,如 MEMS 业务的竞争对手既包括博世、德州仪器、意法半导体、惠普、松下等
IDM 企业,也包括 MEMS 代工企业 Teledyne MEMS.、台积电(TSMC)、X-FAB Silicon Foundries、索尼(SONY)、IMT
(Innovative Micro Technology,后更名为 Atomica Corp.)、Tronics(Tronics Microsystems),以及中芯集成、上海先进、华
虹宏力、华润微、士兰微等国内含 MEMS业务的代工企业。MEMS属于技术、智力及资金密集型行业,涉及电子、机械、
光学、医学等多个专业领域,技术开发、工艺创新及新材料应用水平是影响企业核心竞争力的关键因素;公司 GaN材料与
器件业务也直接参与全球竞争。若公司不能正确判断未来市场及产品竞争的发展趋势,不能及时掌控行业关键技术的发展
动态,不能坚持技术创新或技术创新不能满足市场需求,将存在技术创新迟滞、竞争能力下降的风险。

4、政府补助风险
公司目前主营业务 MEMS与 GaN均属于国家鼓励发展的高科技行业,且于 2021年 3月均被纳入《中华人民共和国国
民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035年远景目标纲要》中的科技前沿攻关领域,且近年来公司已陆续获得数笔与主
营业务相关的政府补助。2020-2022年,公司计入当期损益的政府补助金额分别为 1.31亿元、1.31亿元、1.38亿元,占当期
利润总额绝对值的比例分别为 54.46%、66.51%、80.34%,对 2020-2022年公司经营业绩构成重大影响。虽然通过政策支持、
资金补贴、税收优惠和低息贷款等措施大力支持半导体行业(尤其是晶圆制造环节)的发展属于国际通行做法,但公司在
后续财务报告期间能否持续取得政府补助、涉及多少金额、会计处理方法等均存在不确定性,因此公司存在经营业绩受政
府补助影响、影响大小不确定的风险。

5、募集资金运用风险
公司募集资金投资项目综合考虑了当时的市场状况、技术水平及发展趋势、产品及工艺、原材料供应、生产场地及设
备采购等因素,并对其可行性进行了充分论证,但如果国内外的行业环境、市场环境等情况发生突变,或由于项目建设过
程中的主客观因素影响,将会给募集资金投资项目的实施带来不利影响,存在募集资金投资项目不能顺利实施、不能达到
预期收益、折旧摊销影响经营业绩的风险。

对于“8英寸 MEMS国际代工线建设项目”,其基于下游市场需求正在持续扩充 MEMS代工产能,但在瑞典 Silex向赛
莱克斯北京出口 MEMS技术和产品的许可申请被瑞典 ISP否决、公司境内工厂从瑞典 Silex引入技术变得困难的背景下,公
司北京 FAB3 需要依靠自身积累工艺,自主推动从工艺开发到产品验证、规模量产的业务过程,时间周期及产能消化速度
的不确定性提高,而下游特定市场的需求波动也导致部分 MEMS产品从工艺开发、风险试产转入规模量产的节奏发生变化。

因此,北京 FAB3在客观上存在新增 MEMS代工产能短期无法消化、相关投资所形成资产在一定时期内闲置或部分闲置的
风险。

对于“MEMS 先进封装测试研发及产线建设项目”,由于 MEMS 封测业务属于向产业链下游延伸的新拓展业务,公司
并无法确保在 MEMS晶圆制造环节积累的客户会将其封装测试业务交由公司进行,且封装测试业务的取得也需要经历客观
的工艺验证过程,潜在客户向现实客户转化的概率与周期均存在不确定性,公司与潜在客户形成稳定的供货关系的时间与
封测项目的产能释放节奏难以形成预期中的匹配关系。因此,公司 MEMS 先进封装测试研发及产线在客观上存在新建
MEMS封测产能短期无法消化、相关投资所形成资产在一定时期内闲置或部分闲置的风险。

对于“MEMS高频通信器件制造工艺开发项目”,北京 FAB3在自主开发及积累工艺过程中,已进行高频通信 MEMS器
件的相关制造工艺研发工作,并已解决部分型号高频通信 MEMS器件的相关制造工艺。


公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
本公司从事集成电路相关业务,报告期内公司业绩对政府补助构成一定程度的依赖。

公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。

目录
第一节 重要提示、目录和释义 .................................................. 1 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................ 8 第三节 管理层讨论与分析 ..................................................... 12 第四节 公司治理 ............................................................ 69 第五节 环境和社会责任 ....................................................... 87 第六节 重要事项 ............................................................ 90 第七节 股份变动及股东情况 .................................................. 114 第八节 优先股相关情况 ...................................................... 129 第九节 债券相关情况 ........................................................ 130 第十节 财务报告 ........................................................... 131
备查文件目录
一、载有公司负责人、主管会计工作责任人、会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。

二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

三、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

四、载有法定代表人签名的 2022年年度报告文本原件。

以上备查文件备置地点:公司证券投资法务部。



释义

释义项释义内容
赛微电子、公司、本公司北京赛微电子股份有限公司,原名称"北京耐威科技股份有限公司",原简称"耐威科技"
赛莱克斯国际北京赛莱克斯国际科技有限公司,原为北京瑞通芯源半导体科技有限公司,系本公司全 资子公司
赛莱克斯北京赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司,原为纳微矽磊国际科技(北京)有限公司,系 赛莱克斯国际控股子公司
赛莱克斯、SilexSilex Microsystems AB,注册在瑞典的公司,为赛莱克斯国际间接控股的全资子公 司,从事微机电系统(MEMS)产品工艺开发及代工生产业务
运通电子运通电子有限公司(GLOBAL ACCESS ELECTRONICS LIMITED),为赛莱克斯国际100%持 股的在香港设立的控股型公司,持有 Silex 87.80%的股权
瑞典 Silex 国际Silex Microsystems International AB,系瑞典 Silex 的全资子公司
微芯科技北京微芯科技有限公司,系本公司全资子公司
极芯传感北京极芯传感科技中心(有限合伙),系本公司控股合伙企业
中科赛微北京中科赛微电子科技有限公司,系微芯科技控股子公司
聚能海芯北京聚能海芯半导体有限公司,系本公司全资子公司
赛积国际北京赛积国际科技有限公司,原为北京聚能海芯半导体制造有限公司,系本公司全资子 公司
海创微芯北京海创微芯科技有限公司, 系微芯科技控股子公司
聚能创芯青岛聚能创芯微电子有限公司,系本公司控股子公司
聚能晶源聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司,系聚能创芯全资子公司
耐威时代北京耐威时代科技有限公司,原本公司全资子公司
中测耐威中测耐威科技(北京)有限公司,前身为北京神州半球科技有限公司,原本公司全资子 公司
光谷信息武汉光谷信息技术股份有限公司,新三板挂牌公司,股份代码 430161,系本公司参股 子公司
中科昊芯北京中科昊芯科技有限公司,原本公司全资子公司微芯科技参股子公司
北斗产业基金湖北北斗产业创业投资基金合伙企业(有限合伙),系本公司参股合伙企业
海丝民合基金,半导体产 业基金青岛海丝民合半导体投资中心(有限合伙),系本公司参股合伙企业
国家集成电路基金国家集成电路产业投资基金股份有限公司
飞纳经纬飞纳经纬科技(北京)有限公司,系本公司控股子公司
赛微私募基金北京赛微私募基金管理有限公司,原名称为北京赛微股权投资管理有限公司,系本公司 参股子公司
联星科技广州联星科技有限公司,系微芯科技参股子公司
聚能国际青州聚能国际半导体制造有限公司,系聚能创芯参股子公司
爱集微爱集微咨询(厦门)有限公司,原名称“厦门积微信息技术有限公司”,系本公司参股 子公司
火眼基金海南火眼曦和股权投资私募基金合伙企业(有限合伙),系本公司参股合伙企业
思丰可科技北京思丰可科技有限公司,系微芯科技参股子公司
吉姆西吉姆西半导体科技(无锡)有限公司,系微芯科技参股子公司
阿基米德阿基米德半导体(合肥)有限公司,系本公司参股子公司
展诚科技青岛展诚科技有限公司,系微芯科技参股子公司
依迈微依迈微(北京)科技有限公司,系海创微芯参股子公司
传感基金北京北工怀微传感科技股权投资基金(有限合伙),系本公司参股合伙企业
德国FAB5德国Elmos Semiconductor SE位于德国北莱茵威斯特法伦州多特蒙德市(Dortmund, North Rhine Westphalia, Germany)的汽车芯片制造产线相关资产
ODI境外直接投资(ODI,Overseas direct investment)是指我国企业、团体在国外及港澳 台地区以现金、实物、无形资产等方式投资,并以控制国(境)外企业的经营管理权为 核心的经济活动
FDI外国直接投资(Foreign Direct Investment),是指一国的投资者将资本用于他国的生 产或经营,并掌握一定经营控制权的投资行为
SEB瑞典北欧斯安银行(Skandinaviska Enskilda Banken,SEB)是瑞典银瑞达集团核心投 资的银行之一,也是北欧最大的金融集团之一
集成电路、ICIntegrated Circuit,一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需 的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶 片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构
IDMIntegrated Device Manufacturer,整合器件制造商,又称为集成器件制造商,指自行 进行芯片的设计、制造及封测,掌握芯片设计与生产制造工艺的半导体公司
MEMS、微机电系统Micro-Electro-Mechanical Systems 的缩写,即微电子机械系统,简称为微机电系 统,是指由基于 Micro-machining 技术制造的微传感芯片(或微执行芯片),和控制/ 处理芯片(ASIC)组成的微型电子机械系统,MEMS 能够将信息的获取、处理和执行集 成在一起,是一种将微电子技术与微机械工程融合到一起、具有多功能的工业技术及相 应的集成系统。MEMS 能够大幅度地提高系统的自动化、智能化水平
晶圆硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可 加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之 IC 产品
英寸
DRIEDeep Reactive Ion Etching,深反应离子刻蚀,基于氟基气体的高深宽比的干法硅刻 蚀技术,同时使用物理与化学作用进行刻蚀。该技术不仅可将等离子的产生和自偏压的 产生分离,而且采用了刻蚀和钝化交替进行的工艺,实现对侧壁的保护,能够实现可控 的侧向刻蚀,大大提高了刻蚀的各向异性特性,是超大规模集成电路工艺中很有发展前 景的一种刻蚀方法
PEPlasma Etching,等离子刻蚀,是指采用高频辉光放点反应,使反应气体激活成活性粒 子,与被刻蚀材料进行反应形成挥发性反应物从而造成蚀刻
Dry Etching干法刻蚀,刻蚀的一种工艺,是指用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。干法刻蚀又分为物 理性刻蚀 化学性刻蚀 物理化学性刻蚀
Wet Etching湿法刻蚀,刻蚀的一种工艺,是指用液体化学试剂以化学方式去除硅片表面材料的技术
Sputtering自限性反应,是指只发生在反应物和基体表面的反应。反应物吸附在基体上,然后第二 种气体进入并与基体化学吸附成膜的一种反应方式
MOCVDMetal-Organic Chemical Vapour Deposition,金属有机化学气相沉积,是在基板上生 长半导体薄膜的一种技术
第三代半导体材料宽禁带半导体材料(Eg>2.3eV),主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌 (ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等,与第一代、第二代半导体材料相比,具有宽的禁 带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合 于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件
GaN氮化镓,氮和镓的化合物,是一种新型半导体材料,适合于制造光电子、高温大功率器 件和高频微波器件
GaN-on-Si硅基氮化镓,以硅(Si)为衬底的氮化镓外延材料
GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓,以碳化硅(SiC)为衬底的氮化镓外延材料
控股股东、实际控制人杨云春
元/万元人民币元/万元
证监会、中国证监会中国证券监督管理委员会
交易所、深交所深圳证券交易所
章程、公司章程北京赛微电子股份有限公司章程
报告期2022年1月1日至 2022年12月31日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司信息

股票简称赛微电子股票代码300456
公司的中文名称北京赛微电子股份有限公司  
公司的中文简称赛微电子  
公司的外文名称(如有)Sai MicroElectronics Inc.  
公司的外文名称缩写(如 有)SMEI  
公司的法定代表人杨云春  
注册地址北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)  
注册地址的邮政编码100029  
公司注册地址历史变更情况不适用  
办公地址北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)、北京市北京经济技术开发 区科创八街21号院1号楼  
办公地址的邮政编码100029、100176  
公司国际互联网网址www.smeiic.com  
电子信箱[email protected]  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名张阿斌刘波
联系地址北京市西城区裕民路18号北环中心A 座2607室、北京市北京经济技术开发 区科创八街21号院1号楼北京市西城区裕民路18号北环中心A 座2607室、北京市北京经济技术开发 区科创八街21号院1号楼
电话010-82252103010-82251527
传真010-59702066010-59702066
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的证券交易所网站深圳证券交易所 http://www.szse.cn
公司披露年度报告的媒体名称及网址《证券时报》http://www.stcn.com、巨潮资讯网 http://www.cninfo.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券投资法务部
四、其他有关资料
公司聘请的会计师事务所

会计师事务所名称天圆全会计师事务所(特殊普通合伙)
会计师事务所办公地址北京市海淀区西直门北大街52、54、56号9层南栋0101- 908至912
签字会计师姓名侯红梅、张瑞
注:公司同时聘请了普华永道瑞典(PwC Sweden)对全资子公司瑞典Silex进行审计。

公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构
?适用 □不适用

保荐机构名称保荐机构办公地址保荐代表人姓名持续督导期间
中泰证券股份有限公司济南市市中区经七路86号孙涛、陈胜可2021.9.8-2023.12.31
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问
□适用 ?不适用
五、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是 ?否

 2022年2021年本年比上年增减2020年
营业收入(元)785,815,701.59928,547,013.90-15.37%765,006,087.93
归属于上市公司股东的 净利润(元)-73,361,142.70205,727,463.64-135.66%201,096,906.27
归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益的净 利润(元)-227,909,245.6035,856,216.12-735.62%5,570,164.14
经营活动产生的现金流 量净额(元)-73,804,484.36103,579,004.06-171.25%255,397,596.33
基本每股收益(元/股)-0.100.31-132.26%0.3100
稀释每股收益(元/股)-0.100.31-132.26%0.3100
加权平均净资产收益率-1.46%5.58%-7.04%6.83%
 2022年末2021年末本年末比上年末增减2020年末
资产总额(元)6,976,772,445.367,239,642,304.26-3.63%4,775,820,168.84
归属于上市公司股东的 净资产(元)4,981,088,435.885,082,992,412.37-2.00%3,082,849,283.84
公司最近三个会计年度扣除非经常性损益前后净利润孰低者均为负值,且最近一年审计报告显示公司持续经营能力存在不
确定性
□是 ?否
扣除非经常损益前后的净利润孰低者为负值
?是 □否

项目2022年2021年备注
营业收入(元)785,815,701.59928,547,013.90-
营业收入扣除金额(元)30,182,943.709,068,609.37房租收入7,168,926.42元;销售原 材料收入18,766,229.68 元;销售 通用设备其他业务收入 4,247,787.60 元。
营业收入扣除后金额(元)755,632,757.89919,478,404.53-
公司报告期末至年度报告披露日股本是否因发行新股、增发、配股、股权激励行权、回购等原因发生变化且影响所有者权
益金额
?是 □否

支付的优先股股利0.00
支付的永续债利息(元)0.00
用最新股本计算的全面摊薄每股收益(元/股)-0.0999
六、分季度主要财务指标
单位:元

 第一季度第二季度第三季度第四季度
营业收入173,237,171.77204,194,655.39177,744,064.47230,639,809.96
归属于上市公司股东 的净利润23,605,221.18-15,306,509.46-6,691,869.60-74,967,984.82
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润-42,039,473.65-19,841,057.94-29,238,677.56-136,790,036.45
经营活动产生的现金 流量净额36,765,242.55-14,030,589.6423,393,093.73-119,932,231.00
上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异 □是 ?否
七、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

八、非经常性损益项目及金额
?适用 □不适用
单位:元

项目2022年金额2021年金额2020年金额说明
非流动资产处置损益(包括已计提资产减 值准备的冲销部分)89,414,533.79106,453,005.39122,386,741.19 
计入当期损益的政府补助(与公司正常经 营业务密切相关,符合国家政策规定、按 照一定标准定额或定量持续享受的政府补 助除外)137,608,178.15130,026,164.27129,441,805.10 
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-203,058.07-395,456.88-1,535,803.40 
减:所得税影响额35,631,573.4734,101,359.7619,242,253.79 
少数股东权益影响额(税后)36,639,977.5032,111,105.5035,523,746.97 
合计154,548,102.90169,871,247.52195,526,742.13--
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用 ?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项
目的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经
常性损益的项目的情形。


第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号--创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
(一)集成电路行业整体发展情况、行业政策及对公司的影响
近年来,国家颁布了多项鼓励支持集成电路行业的产业政策及措施,《集成电路产业“十二五”发展规划》,《国家集成
电路产业推动纲要》以及2015年提出的《〈中国制造2025〉重点领域技术路线图(2015版)》中,均把集成电路及专用设备
列为国家重点推进的战略新兴产业,其中建设特色工艺的 8 英寸生产线和先进封测平台也是规划要求实施的重点任务之一。

2021 年是中国“十四五”开局之年,在国内宏观经济运行良好的驱动下,国内集成电路产业继续保持快速、平稳增长态势。

中国半导体行业协会统计,2021年中国集成电路产业首次突破1万亿元;2022年1-9月中国集成电路产业销售达7,906.3
亿元,同比增长15.3%。

随着万物互联与人工智能的兴起,MEMS 产品种类增加、市场规模扩大,行业对产品生产周期的缩短及生产成本的降低
提出了更高要求,同时MEMS工艺研发费用迅速上升以及未来建厂费用高启促使更多的半导体厂商将工艺开发及生产相关的
制造环节进行外包,纯 MEMS 代工厂与 MEMS 产品设计公司合作开发的商业模式将成为未来主流行业业务模式。类似于传统
集成电路行业发展趋势,MEMS产业将逐步走向设计与制造分立、制造环节外包的模式。从趋势上看,全球MEMS代工业务,
尤其是纯MEMS代工业务将会快速扩张;从结构上看,纯MEMS代工业务在MEMS代工业务中所占比重将逐步升高。

2012年至今,公司在全球MEMS代工厂营收排名中一直位居前五,2019-2021年则跃居第一,与TELEDYNE DALSA、台积
电(TSMC)、索尼(SONY)、XFAB、意法半导体(STMicroelectronics)等厂商持续竞争,长期保持在全球MEMS晶圆代工第
一梯队。

公司当前的核心业务为MEMS工艺开发及晶圆制造,因此,基于该细分行业整体发展长期向好的态势以及国家的长期战
略政策支持,公司MEMS业务的进一步发展将继续拥有良好的产业发展及政策支持环境。
(二)MEMS主流技术水平、市场需求变化及对公司的影响
根据Yole Development的研究预测,全球MEMS行业市场规模将从2020年的121亿美元增长至2026年的约182亿美元,CAGR 达 7.2%,通讯、生物医疗、工业汽车及消费电子的应用增速均非常可观,其中通讯领域的增长率最高。预计到
2026 年,10 亿美元以上的 MEMS 细分领域包括射频 MEMS(40.49 亿美元)、MEMS 惯性器件(40.02 亿美元)、压力 MEMS
(23.62亿美元)、麦克风(18.71亿美元)以及未来应用(13.63亿美元)。

MEMS 的生产制造使用了包括体微机械加工和表面微机械加工在内的微细加工技术,并结合沉积、光刻、键合、刻蚀等
集成电路工艺,在硅片上实现微型机械三维结构的构建,在保留器件机械性能的基础上大幅缩减了机械体积、降低了能耗
并提高了机械可靠性,同时可批量生产,大大降低生产成本。公司长期保持在全球MEMS晶圆代工第一梯队,同时代表着业
内主流技术水平。公司拥有覆盖 MEMS 领域的全面工艺技术储备,关键技术已经成熟并经过多年的生产检验,TSV、TGV、
SilVia、MetVia、DRIE及晶圆键合等技术模块行业领先。公司的核心工艺及技术水平状况如下:
核心工艺模块对应的生产环节效果/作用技术水平
硅通孔技术SilVia?TSV芯片互连、CMOS-MEMS 集 成、先进封装在先进的三维集成电路中实现多层芯片之间 的互联,能够在三维方向使得堆叠度最大而 外形尺寸最小,提升芯片速度和低功耗性能国际领先
硅通孔金属层MetVia?TSV   
   国际领先
玻璃通孔MetVia?TGV   
   国际领先
深反应离子刻蚀DRIE刻蚀在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔国际领先
晶圆键合 Wafer Bonding键合与退火将晶圆相互结合,使表面原子相互反应,产 生共价键合,让其表面间的键合能达到一定 强度,使晶片间无需媒介物而纯由原子键结 为一体国际领先
压电材料 Piezo material材料应用利用压电材料受压力作用在两端面间出现电 压的特性,实现机械能和电能的互相转换相对领先
MEMS磁性材料MagMEMS材料应用磁性材料内部由于磁化状态的改变而引起长 度变化,实现磁能和电能的互相转换相对领先
聚合物材料Polymer材料应用聚合物增强了断裂强度、具有低杨氏模量、 延长断裂时间和相对低成本,其具有惰性和 生物相容的特点,适于生物和化学应用相对领先
无铅焊锡电镀Plating solders电镀利用电解作用使金融或其他材料的表面附着 一层金属膜,从而防止腐蚀,并提高耐磨 性、导电性、反光性等相对领先
封帽Capping圆片封盖密封形成机械结构所需的真空空间并保护晶圆避 免受到机械刮伤、高温破坏相对领先
由于 MEMS 应用场景及产品种类的多样性,对 MEMS 制造工艺的需求也体现出高度的定制化与复杂性,公司熟练掌握的 硅通孔(TSV)工艺技术、玻璃通孔(TGV)工艺技术举例图示如下: 硅通孔(TSV)工艺技术图示 数据来源:半导体行业观察,瑞典 Silex 压电材料(PTZ)工艺技术图示 数据来源:赛微电子,瑞典 Silex
因此,在市场需求保持旺盛态势、公司代表着业内主流技术水平的情况下,公司MEMS业务的进一步发展拥有良好的市
场及竞争要素。

(三)MEMS核心技术、成本控制及公司竞争优劣势
MEMS 代工业务的本质是通过集成电路大规模、标准化工艺技术,实现各类传感器件的低成本制造,同时实现小体积与
低功耗。作为全球领先的 MEMS 纯代工厂商,公司 MEMS 工艺开发及晶圆制造业务的主要生产技术类别及环节与其他竞争厂
商相比并无重大差异,公司的竞争优势更多地体现在通过长期实践,在制造工艺中集成了大量的专利技术(IP)和技术诀窍
(Know-how)。MEMS代工涉及的主要生产技术类别及环节具体如下:
主要技术具体内容使用的设备或技术
光刻除去晶圆表面薄膜的特定部分,主要分为涂胶、曝光、显 影、去除等步骤步进式光刻机、接触式光刻机
键合通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材 料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和 体硅加工相结合,被用于MEMS的加工工艺中阳极/熔融/热压/共晶键合
氧化退火氧化是在硅上形成二氧化硅,退火提高了温度使注入的掺 杂剂离子从晶格间迁移到晶格点FGA氧化退火炉
沉积采用物理和化学等方法在晶圆表面或近表面形成薄膜金属溅射机、二氧化硅/氮化硅等离子增强 化学气相沉积、物理气相淀积
干法刻蚀干法刻蚀的刻蚀剂为等离子体,利用等离子体和表面薄膜 反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀 的工艺深反应离子刻蚀(博世工艺);二氧化硅/氮 化硅/多晶硅/聚酰亚胺薄膜刻蚀、螺旋波等 离子体源二氧化硅刻蚀
湿法刻蚀通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物 质剥离下来的刻蚀方法KOH溶液湿法硅刻蚀、HNA系统湿法硅刻蚀、 氮化硅湿法刻蚀
量测对加工中集体的电性/机械/化学/形貌/尺寸等参数进行测 量,用于控制工艺参数、较调生产设备、分析失效因素和 验证基本功能6吋及8吋全自动探针机台、显微镜
切割使用高速旋转的晶圆切割设备采用磨削的方式切割晶圆, 以使晶粒间得以切割分离全自动晶圆切割机
MEMS 制造上连产品设计,下接产品封测,是 MEMS 产业链中必不可少的一环。MEMS 产品类别多样、应用广泛,客户定
制化程度非常高,其生产采用的微加工技术强调工艺精度,属于资金、技术及智力密集型行业。与 CMOS 相比,MEMS 代工
行业呈现出多品种、小批量的特点,同时对代工厂商的成本控制能力提出极高要求。

作为全球领先的MEMS纯代工厂商,公司在MEMS业务成本控制方面具有如下特点: A、形成了标准化、结构化的工艺模块
虽然MEMS产品的特殊性要求制造者为每种产品开发独特的工艺流程,但实践中许多工艺步骤是可为多种器件通用的。

公司以最大化利用工程资源为目标,提炼出多种可重复使用的工艺制程模块,将这些模块类别命名为“SmartBlock”。标
准工艺模块作为工艺集成规划的起点,再对单个产品的关键工艺开发、调整和优化,最后对单个产品开发特殊工艺或材料。

标准化的工艺模块加上调整优化后的关键工艺和特殊工艺能直接整合客户的产品,实现工艺标准化和规模量产定制化相结
合。

B、丰富的项目开发及代工经验
公司在历史经营期内参与了400余项MEMS工艺开发项目,与下游客户开展广泛合作,代工生产了包括微镜、光开关、
片上实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种MEMS产品。长期实
践中,公司严格按照新产品导入流程(NPI)进行项目管理,在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理;公司团
队自主开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制,形成了一套行之有效的MEMS代工厂运营管理
办法。

C、新建产线的初期状态
由于公司北京FAB3属于新建产线,报告期内仍处于运营初期、产能爬坡阶段,面临着持续扩大的折旧摊销压力,工厂
运转及人员费用也在持续增长,在产线持续扩产建设的背景下,北京FAB3在客观上必须经历投入成本与收入回报严重不匹
配的时期,公司所采取的主要成本控制手段,一方面是根据规模量产工厂的定位要求建立成本控制体系,另一方面则是积
极扩大产品范围及客户群体,通过规模效应来实现边际业务成本的降低。

(四)所属行业的发展阶段
根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》及《国民经济行业分类》,公司MEMS、GaN业务所属行业为“计算机、
通信和其他电子设备制造业”(行业代码C39)。

1、MEMS行业
MEMS 是微电路和微机械按功能要求在芯片上的一种集成,基于光刻、腐蚀等传统半导体技术,融入超精密机械加工,
并结合力学、化学、光学等学科知识和技术基础,使得一个毫米或微米级的MEMS具备精确而完整的机械、化学、光学等特
性结构。MEMS 行业系在集成电路行业不断发展的背景下,传统集成电路无法持续地满足终端应用领域日渐变化的需求而成
长起来的。随着微电子学、微机械学以及其他基础自然科学学科的相互融合,诞生了以集成电路工艺为基础,结合体微加
工等技术打造的新型芯片。随着终端应用市场的扩张,使得MEMS应用越来越广泛,产业规模日渐扩大,日趋成为集成电路
行业的一个新分支。

2、GaN行业
第三代半导体材料及器件主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料及在其基础上开发制造的相应器件,因
其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓
(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对
高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。随着5G时代的到来以及绿色低碳发展的理念与实践,第三代
半导体材料及器件即将迎来巨大的市场应用前景。

公司半导体业务所处行业正处于成长阶段,且均属于国家鼓励发展的行业,发展前景广阔。

(五)所属行业的周期性特点
1、MEMS行业
集成电路行业处于电子产业链的上游,其发展受到下游终端应用的深刻影响,其行业发展速度与全球经济增速正相关,
呈现出周期性的波动趋势。近年来,随着行业分工的深化,集成电路设计、制造及封测各环节专业化程度显著提高,行业
整体能够更加准确的把握需求变动趋势、更有计划地控制产能规模及资本性支出、更加及时地对市场变化做出反应及修正;
同时,集成电路产业在社会其他行业的渗透日益深入,终端消费群体基数庞大,一定程度上抵消了经济周期的影响。集成
电路行业整体的周期性波动日趋平滑。MEMS 行业作为基于集成电路技术演化而来的新兴子行业,其周期性与集成电路行业
相似;同时由于MEMS技术具有前沿性、创造性,其技术和产品的更新迭代将为下游市场注入活力,并引导下游突破现有瓶
颈限制、拓宽终端应用范围,推动社会经济有机增长,故其行业周期性波动风险可得到有效降低。

2、GaN行业
第三代半导体行业是在硅基电力电子器件逐渐接近其理论极限值背景下催生新一代电子信息技术革命的新兴行业,行
业整体发展受技术进展情况及下游新兴半导体材料及器件应用需求所影响。目前,从全球发展情况来看,第三代半导体材
料及器件具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点,拥有广阔的应用前景,行业整体属于初创期,但基于 GaN 技术
的器件及材料应用案例已不断涌现。

公司半导体业务所处行业必然受到宏观经济周期的影响,但由于行业正处于成长阶段,所处的微观驱动环境各有不同,
且正是推动全球经济发展的新兴力量,其中 MEMS、GaN 业务更是技术变更与竞争的新兴领域,因此在当前阶段,该等行业
更多受自身发展周期的影响,受宏观经济周期的直接影响有限。

(六)公司所处的行业地位
1、MEMS业务
公司全资子公司瑞典Silex是全球领先的纯MEMS代工企业,服务于全球各领域巨头厂商,且公司正在瑞典扩充产能,
同时北京“8英寸MEMS国际代工线”已投入运营,有望继续保持纯MEMS代工的全球领先地位。根据世界权威半导体市场研
究机构Yole Development的统计数据,2012年至今,瑞典Silex在全球MEMS代工厂营收排名中一直位居前五,与意法半
导体(STMicroelectronics)、TELEDYNE DALSA、台积电(TSMC)、索尼(SONY)等厂商持续竞争,2019-2021 年则在全球
MEMS 纯代工厂商中位居第一。随着公司境内外新增产线及产能的陆续建设及投入使用,公司将继续保持在全球 MEMS 产业
竞争中的第一梯队。

2、GaN业务
公司相关技术团队具备第三代半导体材料与器件,尤其是氮化镓(GaN)外延材料及器件的研发生产能力,在研制8英
寸硅基氮化镓外延晶圆方面具备业界领先水平,已陆续研发、推出不同规格的产品及应用方案,同时已与境内外产业链上
下游公司达成良好合作,公司属于行业的新进入者和竞争者,正在积极把握住产业发展机遇、积累业务竞争要素、奠定自
身的行业地位。

二、报告期内公司从事的主要业务
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号--创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
(一)主要业务
公司是全球领先、国际化运营的高端集成电路晶圆代工生产商,也是国内拥有自主知识产权和掌握核心半导体制造技
术的特色工艺专业晶圆制造商。公司在国内外拥有多座中试平台及量产工厂,业务遍及全球,服务客户包括国际知名的
DNA/RNA 测序仪、光刻机、计算机网络及系统、硅光子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头厂商以及细
分行业的领先企业,涉及产品范围覆盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等诸多领域。公司同时正在打造先进的晶
圆级封装测试能力,致力于为客户提供从工艺开发、晶圆制造到封装测试的系统化高端制造服务,努力发展成一家国际化
经营的知名半导体制造领军企业。

报告期内,公司从事的主要业务包括 MEMS 工艺开发及晶圆制造、GaN 外延材料生长及芯片设计,以及因剥离未完成而
被动延续的部分原有业务;与此同时,公司围绕半导体主业开展产业投资布局,对实体企业、产业基金进行参股型投资。

报告期内,为公司贡献业绩的具体业务主要为MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造。

1、MEMS业务
公司现有MEMS业务包括工艺开发和晶圆制造两大类:
公司MEMS工艺开发业务是指根据客户提供的芯片设计方案,以满足产品性能、实现产品“可生产性”以及平衡经济效
益为目标,利用工艺技术储备及项目开发经验,进行产品制造工艺流程的开发,为客户提供定制的产品制造流程。

公司 MEMS 晶圆制造业务是指在完成 MEMS 芯片的工艺开发,实现产品设计固化、生产流程固化后,为客户提供批量晶
圆制造服务。

MEMS 是指利用半导体生产工艺构造的集微传感器、信号处理和控制电路、微执行器、通讯接口和电源等部件于一体的
微米至毫米尺寸的微型器件或系统;MEMS 将电子系统与周围环境有机结合在一起,微传感器接收运动、光、热、声、磁等
信号,信号再被转换成电子系统能够识别、处理的电信号,部分MEMS器件可通过微执行器实现对外部介质的操作功能。

2、GaN业务
公司现有GaN业务包括外延材料和芯片设计两个环节:
公司 GaN 外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍,根据既定技术参数或客户指定参数,通过 MOCVD 设备生长并对
外销售6-8英寸GaN外延材料。

公司GaN芯片设计业务是指基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片,向下游客户销售并提供相关应用方案。

GaN 是第三代半导体材料及器件的一个类别,因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导
体材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、
高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

报告期内,公司仍阶段性开展原有导航业务,包括惯性导航系统和卫星导航产品两大类。

(二)经营模式
1、MEMS业务
以成熟商业化运营的MEMS产线为基础,以专业技术及生产团队、核心专利技术、核心工艺设备、二十多年400余项工
艺开发项目经验为条件,通过为客户开发并确定特定MEMS芯片的工艺及制造流程获得工艺开发收入,通过为客户批量制造
MEMS晶圆获得代工生产收入。

2、GaN业务
以 6-8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)等新型材料与器件技术为基础,以专业技术及
生产团队为条件,通过向 GaN(氮化镓)器件设计、制造厂商研发、生产并销售外延材料,向通讯设备、数据中心、新型
电源、智能家电等厂商研发、设计并销售氮化镓(GaN)器件获得一次性销售收入。

报告期内,公司仍阶段性开展原有导航业务,均以技术开发-核心器件-系统集成能力为基础,以专业技术及生产团队
等为条件,通过向相关设备制造商、科研院所、具体应用厂商等用户研发、生产并销售软、硬件产品获得一次性销售收入。

(三)主要业绩驱动因素
1、MEMS业务
随着物联网生态系统的逐步发展落地、MEMS终端设备的广泛拓展应用、MEMS产业专业化分工趋势的不断演进,源自通
讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域的MEMS芯片工艺开发及晶圆制造需求不断增长;公司全资子公司瑞典Silex是
全球领先的纯MEMS代工企业。

公司能够制造流量、红外、加速度、压力、惯性等多种MEMS传感器,微流体、微超声、微镜、光开关、硅麦克风、RF
射频等多种器件以及各种 MEMS 基本结构模块,公司 MEMS 晶圆产品的终端应用涵盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消费电
子等领域。

2、GaN业务
GaN 材料及芯片具有高功率、高频、耐高温高压及抗辐射等特点,拥有广阔的应用前景;公司拥有业界领先的研发及
生产团队,自主掌握GaN外延材料生长的工艺诀窍并积累了丰富的GaN功率及微波芯片设计经验。

公司在GaN外延材料方面拥有一条6-8英寸GaN外延材料产线(一期),具备了相关研发、生长条件,已与下游客户建
立合作,形成产品序列并推向市场,形成正式销售。公司在 GaN 器件设计方面已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品
及应用方案,同时正在推动微波器件产品的研发,已形成产品序列并推向市场,已形成正式销售。

报告期内,因业务剥离未完成,公司被动延续部分原有导航业务,业绩影响有限。

(四)报告期内集成电路制造业务情况
1、晶圆厂基本情况
报告期内,公司在瑞典拥有一座成熟运转的 MEMS 晶圆工厂,内含两条 8 英寸产线;在北京拥有一座处于建成运营初
期、具备规模产能的MEMS晶圆工厂,内含一条8英寸产线;该两座晶圆工厂均处于持续扩产状态,其中瑞典产线主要是添
购部分设备以满足相关客户的订单需求;北京产线则主要是从原有的5000片/月产能向1万片/月产能扩充,同时持续为扩
充至3万片/月产能开展相关工作。
报告期内,公司在山东青岛拥有一条6-8英寸GaN外延晶圆产线。

上述MEMS及GaN产线的基本情况如下:

晶圆产线产品制程总体产能(片晶圆/年)产能利用率生产良率
瑞典8英寸MEMS产线(FAB1&FAB2)0.25um-1um84,00046.56%70.97%
北京8英寸MEMS产线(FAB3)0.25um-1um82,50016.90%72.69%
青岛6-8英寸GaN外延晶圆产线-10,00022.62%91.32%
注:1、瑞典 FAB1&FAB2的定位属于中试+小批量产线,其产能利用率及生产良率均受到工艺开发业务的影响,而工艺开
发对产线的产能利用率天然低于晶圆制造业务,且由于属于开发试验阶段,生产良率并非是产线与客户双方所注重的考虑
因素。除国际政治环境、市场波动及客户结构调整因素外,此前在预期针对德国 FAB5的收购可以实现的背景下,公司持
续推动瑞典、德国产线之间的产能扩充、迁移及结构调整工作,对瑞典产线自身的运营及产能的使用也构成显著影响。

2、北京 FAB3的定位属于规模量产线,其生产良率水平较高,在瑞典 ISP审查并最终否决了公司瑞典 FAB1&FAB2与北京
FAB3技术交易的背景下,其自 2021年第二季度末才开始实现正式生产,一期产能 10,000片晶圆/月,第一阶段已实现产能
5,000片晶圆/月,自 2022年 7月开始分别进入第二阶段 7,500片晶圆/月、第三阶段 10,000片晶圆/月,北京 FAB3在 2022年
合计计算的总体产能为 82,500片晶圆/年,北京 FAB3产能利用率较低的原因是其仍处于产线运营初期,面向客户需求产品
产品验证或风险试产阶段,产能爬坡较为缓慢。

3、受限于 GaN芯片合作代工产能不足,公司 GaN业务潜能尚未得到释放,显著影响了自身业务对 GaN外延晶圆的需求,
因此 GaN业务旗下青岛 6-8英寸 GaN外延晶圆产线的产能利用率处于较低水平;但由于公司 GaN业务团队掌握了成熟的硅
基 GaN外延材料生长技术,其生产良率高于 90%。

4、由于 MEMS属于集成电路的特色工艺分支,考验制造厂商水平的主要因素是工艺、三维结构与功能,而不是单纯地追
求细线宽线距(二维);此外,由于 MEMS晶圆常常是 2个以上的晶圆键合在一起,因此上表产能数据中的单片“晶圆”数在
多数情况下为复合晶圆的个数。即一个 MEMS“晶圆”所蕴含的硅(或玻璃)晶圆数相当于多个(2个以上)普通 CMOS晶
圆,这大幅增加了制造的难度和复杂性。

5、单片晶圆可以制造的 MEMS芯片颗数因产品不同而存在巨大差异,平均而言每张 8英寸晶圆可以产出大约为 6英寸晶
圆 2倍数量的芯片,每张 12英寸晶圆可以产出大约为 8英寸晶圆 2.25倍数量的芯片。


2、特色生产工艺情况
MEMS属于集成电路行业中的特色工艺。公司MEMS业务经营采用“工艺开发+代工生产”的模式。“工艺开发(NRE)”

模式,即MEMS代工厂商根据客户提供的芯片设计方案,以满足产品性能、实现产品“可生产性”以及平衡经济效益为目标,
利用工艺技术储备及项目开发经验,进行产品制造工艺流程的开发,为客户提供定制的产品制造流程;“代工生产
(Foundry)”模式则是 MEMS 代工厂商在完成 MEMS 产品的工艺开发,实现产品设计固化、生产流程固化后,为客户提供
MEMS产品的批量代工生产服务。


MEMS工艺开发过程示意图 MEMS晶圆制造基本工艺步骤 数据来源:赛微电子

3、在建晶圆厂或产线情况
2021年6月10日,公司与国家集成电路基金共同投资的赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司在北京经济技术开发区
建成的“8 英寸 MEMS 国际代工线”(北京 FAB3)一期规模产能(1 万片/月)正式启动量产,公司全资子公司赛莱克斯国
际、国家集成电路基金分别持有项目公司赛莱克斯北京70%、30%股权,该座晶圆厂定位于规模生产8英寸MEMS晶圆,可服
务下游消费电子、通讯、工业汽车及生物医疗等领域的全球客户。截至报告期末,该条产线正在持续推进MEMS硅麦、惯性
器件、电子烟开关、BAW(含FBAR)滤波器、MEMS 振镜、气体传感器、MEMS 微针等不同类别、不同型号产品的工艺开发及
产品验证。

截至报告期末,公司瑞典FAB1&FAB2出于业务需要,通过添购关键设备继续提升现有产线的整体产能;公司北京FAB3
在继续推进一期规模产能(1万片/月)爬坡的同时,继续开展二期规模产能(2万片/月)的建设。

报告期内,公司参股子公司聚能国际仍在推进GaN芯片制造产线一期产能(5000片/月)的建设。

(五)所属细分行业
根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》及《国民经济行业分类》,公司MEMS、GaN业务所属行业为“计算机、
通信和其他电子设备制造业”(行业代码C39)。

1、MEMS 行业:MEMS 是微电路和微机械按功能要求在芯片上的一种集成,基于光刻、腐蚀等传统半导体技术,融入超
精密机械加工,并结合力学、化学、光学等学科知识和技术基础,使得一个毫米或微米级的MEMS具备精确而完整的机械、
化学、光学等特性结构。MEMS 行业系在集成电路行业不断发展的背景下,传统集成电路无法持续地满足终端应用领域日渐
变化的需求而成长起来的。随着微电子学、微机械学以及其他基础自然科学学科的相互融合,诞生了以集成电路工艺为基
础,结合体微加工等技术打造的新型芯片。随着终端应用市场的扩张,使得MEMS应用越来越广泛,产业规模日渐扩大,日
趋成为集成电路行业的一个新分支。

2、GaN 行业:第三代半导体材料及器件主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料及在其基础上开发制造的
相应器件,因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体材料,与第一、二代半导体材料硅
(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足
现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。随着5G时代的到来及物联网产业的发展,第
三代半导体材料及器件即将迎来巨大的市场应用前景。

公司 MEMS、GaN 业务所处行业正处于成长阶段,且均属于国家鼓励发展的行业,同时也是国家“十四五”规划纲要中
的科技前沿攻关领域,发展前景广阔。

(六)宏观需求分析
1、MEMS行业:
全球传感器行业市场规模达数千亿美元,而基于MEMS工艺批量生产的传感器件凭借其功耗低、体积小、性能出色等特
点可以在各个行业和领域应用并逐步对传统传感器件进行替代。预计未来随着MEMS产品应用领域的不断延伸,其市场规模
将迅速扩大。在移动终端上,硅麦克风、惯性传感器已被广泛采用,且耗用量仍在不断上升;另外,随着MEMS产品在医疗
设备、工业设备、汽车电子、消费类电子等领域应用的推广和普及,市场对超声、压力、微针、芯片实验室、红外、硅光
子、射频前端、振镜、超声波换能、气体等MEMS器件的需求也在迅速提升;此外,物联网、可穿戴等创新设备对器件形态
便捷化、微型化需求也将成为推动MEMS发展的新力量。

MEMS 器件目前被广泛应用于消费电子、汽车电子、工业与通讯、生物与医疗等行业。受益于 5G 通信、人工智能、移
动互联网(智慧城市、智慧医疗、智慧安防)、光电通信、自动工业控制等市场的高速成长,MEMS 行业发展势头强劲。根
据Yole Development的研究预测,全球MEMS行业市场规模将从2020年的121亿美元增长至2026年的约182亿美元,CAGR
达 7.2%,通讯、生物医疗、工业汽车及消费电子的应用增速均非常可观,其中通讯领域的增长率最高。预计到 2026 年,
10 亿美元以上的MEMS 细分领域包括射频 MEMS(40.49 亿美元)、MEMS 惯性器件(40.02亿美元)、压力MEMS(23.62亿美
元)、麦克风(18.71亿美元)以及未来应用(13.63亿美元)。

2、GaN行业:
近年来,随着物联网、云计算、人工智能、新能源汽车等领域的高速发展,对电能的消耗急剧增加,要求功率电子系
统具有更高的能量转换效率以及更小的体积;同时,随着5G通信时代的来临,要求更快的数据传输速度、更低的传输延迟、
更高的数据密度和增强高速应用等。而 GaN 由于具有特殊的材料压电效应,具备高频、高功率特性,在功率及微波领域均
拥有巨大的需求潜力。根据Yole Development 的研究预测,氮化镓(GaN)市场正步入高速增长,其中GaN功率器件的市
场规模预计到2027年就可达20亿美元,2021-2027年的复合增长率(CAGR)将高达59%。

1、MEMS业务:
MEMS 芯片制造处于产业链的中游,该行业根据设计环节的需求开发各类 MEMS 芯片的工艺制程并实现规模生产,兼具
资金密集型、技术密集型和智力密集型的特征,对企业资金实力、研发投入、技术积累等均提出了极高要求。经历汽车电
子、消费电子、物联网三次发展浪潮,MEMS 芯片制造行业已形成较为稳定的市场竞争格局,意法半导体(STMicroelectronics)、TELEDYNE DALSA、瑞典Silex、台积电(TSMC)、索尼(SONY)、X-FAB长期保持在全球MEMS代工
第一梯队,合计占据着超过 65%的市场份额。截至目前,公司控股子公司赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司在北京投资
建设的规模量产线“8英寸MEMS国际代工线”已投入运营,此外国内正在建设运营MEMS代工线的公司主要有上海先进半导
体制造股份有限公司、无锡华润上华科技有限公司、中芯集成电路制造(绍兴)有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公
司、杭州士兰微电子股份有限公司等。

2、GaN业务:
第三代半导体材料及器件是全球战略竞争的新领域,美国、日本、欧洲正在积极进行战略部署,我国也正在积极推进。

GaN 业务是目前集成电路产业中不多的不存在显著代差的领域,且国内市场拥有巨大的需求及进口替代潜力。目前主要的
GaN 功率器件厂商有英飞凌(Infeneon)、GaN systems、纳微(Navitas)、宜普(EPC)、德州仪器(TI)、Transphorm、
Exagan 等;主要的GaN 微波器件厂商有科锐(Cree)、Qorvo、Macom、NXP、住友(Sumitomo)等;主要的外延材料厂商有
日本住友、日本信越、富士电机、台湾汉磊等。截至目前,国内从事 GaN 外延材料以及功率、微波器件业务的厂商主要有
苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、英诺赛科(珠海)科技有限公司等。

(八)发展战略及经营计划
1、MEMS业务:
公司的长期发展战略为:由于当前国际局势紧张及日趋复杂化,经济全球化与国际产业链分工协作面临着可能的挑战,
公司同时在境内外布局建立兼具“工艺开发”与“晶圆制造”功能的代工服务体系,继续满足差异化的全球市场需求。

公司当前的经营计划为:继续推动旗下MEMS 业务资源的融合,由赛莱克斯国际统筹公司 MEMS 业务资源;北京 8 英寸
MEMS国际代工线已建成运营,公司在瑞典和中国两地拥有8英寸MEMS产线,同时北京产线更是可以提供标准化规模产能,
有利于公司进一步拓展全球市场尤其是亚洲市场,结合先进工艺与规模产能,更好地为下游客户服务;同时积极推动境内
外产线的产能扩充及良率爬坡,继续扩大公司MEMS业务的竞争优势,继续保持在MEMS纯代工领域的全球领先地位。

2、GaN业务:
积极把握第三代半导体产业发展及国产替代的发展机遇,加快 GaN 外延材料的研发,在已形成产品序列并推向市场的
情况下,继续推动外延材料生长工艺的成熟化和批量化;加快 GaN 功率及微波器件的研发及应用方案开发,已形成产品序
列并推向市场的情况下,进一步保障产能与供应链稳定,以更好地服务客户需求。

(九)报告期内的新产品或新工艺
1、MEMS 业务:继续投入研发,继续升级硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)、晶圆键合、深反应离子刻蚀等多项工艺技
术和工艺模块,一方面为持续提高产线技术水平,满足不断新增的MEMS工艺开发及晶圆制造需求;另一方面基础工艺技术
的积累也将有利于北京8英寸MEMS产线扩大服务产品品类、推进产能及良率爬坡。截至目前,该等工艺开发升级活动仍在
持续进行中,将随着业务规模的增长不断应用并成熟,最终将有利于加强公司在MEMS代工领域的国际领先竞争力。

2、GaN业务:继续投入研发,推动6-8英寸GaN外延材料生长工艺的成熟化;推动GaN功率及微波器件产品及应用方案的开发。截至目前,该等工艺、产品开发活动仍在持续进行中,且部分已通过客户验证并推向市场,部分继续推进客户
验证及市场检验,最终将有利于公司GaN业务的进一步发展,把握GaN产业的发展机遇。

三、核心竞争力分析
报告期内,公司持续进行技术创新和市场拓展,加大研发投入,进一步提升和扩大核心竞争力,主要表现在如下方面:
1、突出的全球竞争优势
公司MEMS、GaN 业务均直接参与全球竞争且具备突出的竞争优势,其中公司 MEMS 业务发展积累了20 年,拥有世界先
业内领先的 GaN 技术团队,长期从事宽禁带化合物半导体材料与芯片的设计、制造、测试和应用技术研究及产业化工作,
直接与全球一线厂商进行竞争。

2、自主创新及研发优势
公司坚持自主创新战略,公司研发团队围绕 MEMS、GaN 业务的关键技术进行了深入系统研究,自主研发并掌握了相关
工艺核心技术及相关产品的软硬件设计核心技术,不断扩大自主创新及技术研发成果。截至本报告期末,公司拥有各项国
际/国内软件著作权98项,各项国际/国内专利167项,正在申请的国际/国内专利86项(集成电路相关商标、软著及专利
明细列表详见本报告第三节“四、主营业务分析”之“4、研发投入”)。凭借技术研发经验和人才优势,公司具备承担重
要科研项目的能力,在MEMS工艺开发、晶圆制造等领域均积累了超过 20 年的丰富研发经验,在GaN 等领域也正在依托成
熟技术团队迅速积累创新及研发能力。

3、高端人才优势
公司 MEMS、GaN 业务所属行业均为国家鼓励发展的高新技术产业及战略新兴产业,专业的技术团队以及具有丰富从业
经验、对行业有深刻理解的管理层是企业可持续发展的保障。公司 MEMS、GaN 业务均拥有业界一流的专家与工程师团队,
其中包括多名国家特聘专家、十数名国际国内行业知名技术专家、数十名来自著名半导体企业和高校科研院所的技术团队
以及专家顾问团队。截至本报告期末,公司拥有博士42名,硕士207名,合计占公司总人数的26.95%;公司研发及技术人
员合计384名,占公司总人数的41.56%;公司外籍员工合计380名,占公司总人数的41.13%。在MEMS领域,公司核心技
术团队均是资深专业人士,服务公司多年且经验丰富,CEO、首席技术专家和核心产品组经理从业时间均超过10年;在GaN
领域,公司核心技术团队从业经验丰富,具备把握市场机遇、推动产品落地及产业化的能力。

4、先进制造、工艺技术及项目经验优势
在MEMS方面,公司掌握了硅通孔、晶圆键合、深反应离子刻蚀等多项在业内具备国际领先竞争力的工艺技术和工艺模
块。Silex 拥有目前业界最先进的硅通孔绝缘层工艺平台(TSI),通过 MEMS 技术在硅晶片上形成电介质隔离区域,利用
DRIE 实现刻蚀高宽比和垂直侧壁,在硅片中形成沟槽并延伸贯通整个硅片,经过 TSI 处理后的晶圆将单晶硅用高质量的绝
缘沟槽进行隔离。截至目前,公司在 MEMS 领域已有 10 年以上的量产历史、生产过超过数十万片晶圆、100 多种不同的产
品,技术可以推广移植到2.5D和3D圆片级先进封装平台。

公司在经营期内参与了400余项MEMS工艺开发项目,与下游客户开展广泛合作,代工生产了包括微镜、光开关、片上
实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种MEMS产品。长期实践中,
公司严格按照新产品导入流程(NPI)进行项目管理,在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理;公司团队自主
开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制,形成了一套行之有效的MEMS代工厂运营管理办法。

5、境内外业务“双循环”体系优势
MEMS 属于集成电路行业中的特色工艺,公司 MEMS 业务经营采用“工艺开发+晶圆制造”的模式。由于当前国际局势
紧张及日趋复杂化,经济全球化与国际产业链分工协作面临着可能的挑战,2021 年 10 月公司瑞典子公司向中国子公司提
供 MEMS 生产制造技术支持的许可被瑞典战略产品检验局(the Swedish Inspectorate of Strategic Products,简称
为 ISP)否决。虽然公司当前 MEMS 业务仍面向全球市场,但为应对未来可能的不利挑战,公司正同时在境内外布局兼具
“工艺开发”与“晶圆制造”功能的代工服务体系。

在中国境外,基于瑞典Silex成熟的中试线,公司积极扩充瑞典产线,德国FAB5交易失败后重新推动当地升级改造完
成后产能的逐步磨合,其自身的MEMS工艺开发及晶圆制造业务的保障能力均得到加强。在中国境内,依托于已建成的北京
FAB3,规划在中国境内继续建设独立自主、面向未来需求的MEMS中试线及规模量产线,通过提供工艺开发及小批量代工服
务,为境内 MEMS 规模量产线储备并导入相应的客户及产品,最终同时提高境内的工艺开发及规模量产能力。同时公司 GaN
业务也正在致力于逐步建设从基础技术、知识产权、核心团队到股权架构、供应体系各方面均能实现自主可控的“全本土
化”产业链生态。

6、正在逐步建立的一体化服务优势
相对于 IC(Integrated Circuit,集成电路,一种微型电子器件或部件)产品的封装测试,MEMS 的封装测试面对的是
一个需要与外界环境进行交互的器件或系统,在专用性、复杂性、保护性及可靠性等多方面存在其独特性,整体而言更为
孔)等三维系统集成所必须的首要工艺,拥有目前业界领先的 TSV 绝缘层工艺和制造平台;公司拥有庞大且不断增
长 MEMS 客户基础,具备拓展 MEMS封装测试业务的技术研发实力及一定的技术、人员储备。因此,出于MEMS产业发展
趋势以及自身发展战略需要,依托公司在 MEMS 代工制造领域的全球领先竞争优势,公司正积极在 MEMS 产业链向下游进行
延伸拓展,公司拟建设 MEMS 先进封装测试能力,面向硅麦克风、压力、惯性、光学、RF、生物医疗等 MEMS 器件提供先进
集成封装、测试服务,在市场需求增长的背景下,充分利用业务间的高度相关性与紧密性,逐步建立从工艺开发到晶圆制
造再到封装测试的一体化服务能力。

7、专业资质优势
由于性能及工艺的独特性,MEMS 产品的工艺开发周期较长,视产品结构、技术要求及材料应用的不同,开发期间从数
月至数年不等,期间代工厂商需要与客户持续交互反馈,客户的粘性及厂商转换成本均非常高,公司MEMS业务主要服务全
球各领域巨头客户,公司瑞典FAB1&FAB2产线满足该等厂商对供应商的苛刻资质认证要求,且有利于将已有的资质优势拓
展至新的生产平台。公司北京 FAB3 产线正在结合业务需要推进各项管理系统的认证,包括 ISO9001、ISO14001、ISO45001、
ISO27001、IATF16949、QC08000 等。与此同时,公司 GaN 业务起点较高,自相关业务子公司设立之日起便重视资质认证工
作,拥有完整的环境、安全、特殊原材料、进出口资质和ISO认证。

8、优质客户资源优势
在MEMS领域,从北美科技之都到英伦学术重镇,从欧洲制造强国到亚洲新兴经济,从尖端生命科学到日常娱乐消费,
从成熟行业巨头到创新创意团队,公司MEMS客户遍布全球,产品覆盖了通讯、生物医疗、工业科学、消费电子等诸多领域,
尤为特别的是,公司作为同时具备先进工艺开发能力的纯MEMS代工企业,在服务巨头企业的同时,一直耐心陪伴众多创业
型团队或公司,并且通过多年的相互紧密协作,不断有各领域的新兴公司陆续从工艺开发阶段向批量生产甚至规模量产阶
段切换,且受全球 MEMS 应用的持续增长,该等细分领域客户的发展往往具有爆发性,能够为公司 MEMS 业务的持续发展提
供巨大的发展潜力。公司服务的客户已包括继续服务全球 DNA/RNA 测序仪、计算机网络及系统、光刻机、硅光子、新型医
疗设备、网络通信和应用、红外热成像、网络搜索引擎巨头厂商以及工业汽车和消费电子细分行业的领先企业。在 GaN 领
域,公司已成为全球GaN功率器件及PD快充领域的知名供应商之一,服务下游各种消费类、工业级客户。

四、主营业务分析
1、概述
一、整体经营情况
2022 年,公司彻底完成重大战略转型;在复杂的国际政治经济环境下,叠加消费电子市场需求下滑等因素,公司半导(未完)
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