[年报]气派科技(688216):气派科技股份有限公司2022年年度报告

时间:2023年03月30日 18:27:19 中财网

原标题:气派科技:气派科技股份有限公司2022年年度报告

公司代码:688216 公司简称:气派科技

气派科技股份有限公司
2022年年度报告














2023年3月


重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人梁大钟、主管会计工作负责人李泽伟及会计机构负责人(会计主管人员)蔡佳贤声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 鉴于公司2022年度亏损,公司拟不进行现金分红,也不送红股、不进行资本公积金转增股本。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中涉及的未来计划、发展战略规划等前瞻性陈述不构成公司对投资者的承诺,敬请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 12
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 42
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 59
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 69
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 96
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 107
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 108
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 109




备查文件目录载有法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名盖章的 财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
 报告期内在中国证监会指定信息披露媒体上公开披露过的所有公司文 件的正本及公告的原稿



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
气派科技/公司/本 公司气派科技股份有限公司
广东气派广东气派科技有限公司
气派芯竞气派芯竞科技有限公司
气派香港气派科技(香港)有限公司
股东大会气派科技股份有限公司股东大会
董事会气派科技股份有限公司董事会
监事会气派科技股份有限公司监事会
公司法中华人民共和国公司法
证券法中华人民共和国证券法
上市规则上海证券交易所科创板股票上市规则
公司章程气派科技股份有限公司章程
报告期2022年1月1日至2022年12月31日
集成电路/芯片/IC按照特定电路设计,通过特定的集成电路加工工艺,将电路中 所需的晶体管、电感、电阻和电容等元件集成于一小块半导体 (如硅、锗等)晶片或介质基片上的具有所需电路功能的微型 结构
晶圆又称Wafer、圆片,指硅衬底的且在上面重复排布具有完整电 性能的集成电路或者晶体管的晶圆,尺寸有4吋、5吋、6吋、 8吋、12吋等
封装对通过测试的晶圆进行减薄、划片、装片、键合、塑封、电镀、 切筋成型等一系列加工工序而得到独立具有完整功能的集成 电路的过程。保护电路芯片免受周围环境的影响(包括物理、 化学的影响),起到保护芯片、增强导热(散热)性能、实现 电气和物理连接、功率分配、信号分配,以连接芯片内部与外 部电路的作用
先进封装将工艺相对复杂、封装形式、封装技术、封装产品所用材料处 于行业前沿的封装形式划分为先进封装,目前国内先进封装包 括QFN/DFN、LQFP、BGA、FC、SiP、WLCSP、Bumping、MEMS、 TSV、3D等封装形式以及气派科技自主定义的CDFN/CQFN。
传统封装将工艺相对简单、封装形式、封装技术、封装产品所用材料较 为成熟的封装形式划分为传统封装,目前国内传统封装包括 SOP、SOT、DIP等封装形式以及气派科技自主定义的Qipai、 CPC。
Qipai由气派科技自主定义的双排直插式的封装形式
CPC由气派科技自主定义的表面贴片式封装形式
DIPDual in line-pinpackage的缩写,也叫双列直插式封装技 术,采用双列直插形式封装的集成电路
SOPSmall Outline Package的缩写,小外形封装,表面贴装型封 装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)
SOTSmall Outline Transistor的缩写,小外形晶体管贴片封装, 随着集成电路集成度的提高,现在多用于封装集成电路,是表 面贴装型封装之一,一般引脚小于等于8个的小外形晶体管、
  集成电路
TOTransistor Outline(晶体管外形),是一种晶体管封装,旨 在使引线能够被成型加工并用于表面贴装。
LQFPLow-profile Quad Flat Package的缩写,薄型四边引线扁平 封装,塑封体厚度为1.4mm
QFNQuad Flat No-lead Package的缩写,即方形扁平无引脚封 装,表面贴装型封装之一,封装四侧配置有电极触点,由于无 引脚,贴装占有面积比QFP小,高度比QFP低
DFNDual Flat No-lead Package的缩写,双边扁平无引脚封装, DFN的设计和应用与QFN类似,都常见于需要高导热能力但只 需要低引脚数的应用。DFN和QFN的主要差异在于引脚只排列 在产品下方的两侧而不是四周
FlipChip/FC倒装芯片封装工艺,在芯片上制作凸点,然后翻转芯片用回流 焊等方式使凸点和PCB、引线框等衬底相连接,电性能和热性 能比较好,封装体可以做的比较小
TSVThrough Silicon Via的缩写,硅通孔技术,是一种晶圆级堆 叠高密度封装技术
BGABall Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装技术,它 是集成电路采用有机载板的一种封装法
CDFN/CQFN由气派科技自主创新且定义的封装系列,区别SOP和QFN/DFN, 在保证散热的情况下,既能使用回流焊焊接,也可以波峰焊焊 接,是小体积的贴片式系列封装形式
LEDLighting Emitting Diode的缩写,发光二极管,是一种可以 将电能转化为光能的半导体器件
IDFInter Digit Frame的缩写,即相邻产品外引线脚交叉排列
氮化镓/GaNGallium Nitride,氮和镓的化合物,一种第三代半导体材料, 具有高击穿电压、高电流密度、电子饱和飘移速度高等特点, 主要应用在5G通讯、半导体显示、电力电子器件、激光器和 探测器等领域
碳化硅/SiC由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。是制作 高温高频、大功率高压器件的理想材料之一,同半导体材料硅 (Si)相比,其禁带宽度是硅(Si)的 3倍,击穿电压是其 8-10倍,导热率是其3-5倍,电子饱和漂移速率是其2-3倍。
MIMOMultiple Input Multiple Output的缩写,指多通道输入输 出技术,为极大地提高信道容量,在发送端和接收端都使用多 根天线,在收发之间构成多个信道的天线系统
PCBPrinted Circuit Board的缩写,为印制电路板,是重要的电 子部件,是电子元器件的支撑体,是电子元器件电性能连接的 载体
SiPSystem Ina Package的缩写,系统级封装,是将多种功能芯 片和无源器件,包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封 装内,实现一定功能的单个标准封装件,从而形成一个系统或 者子系统
LGALand Grid Array的缩写,触点阵列封装
3D三维立体封装,是在X-Y平面封装基础上,向空间发展的高密 度封装技术
CSPChip Scale Package的缩写,指芯片级尺寸封装
MCMMulti-Chip Module的缩写,多芯片组件,将多个芯片组装在 布线的PCB板上,然后进行封装
WLCSPWafer Level Chip Scale Packaging的缩写,晶圆片级芯片
  规模封装,此技术是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后才 切割成一个个的 IC颗粒,封装后的体积约等同 IC芯片的原 尺寸
MEMSMicro-Electro-Mechanical Systems的缩写,微机电系统, 是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源、微能源、信 号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一 体的微型器件或系统
Chiplet预先制造好、具有特定功能、可组合集成的晶片(Die),Chiplet 也有翻译为“小芯片”,中科院计算所韩银和等2020年时建 议将Chiplet翻译为“芯粒”



第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称气派科技股份有限公司
公司的中文简称气派科技
公司的外文名称China Chippacking Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写CHIPPACKING
公司的法定代表人梁大钟
公司注册地址深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区平龙西路250号1#厂 房301-2
公司注册地址的历史变更情况本报告期内无变化
公司办公地址广东省东莞市石排镇气派科技路气派大厦
公司办公地址的邮政编码523330
公司网址www.chippacking.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名文正国王绍乾
联系地址广东省东莞市石排镇气派科技路气派 大厦广东省东莞市石排镇气派科技 路气派大厦
电话0769-898866660769-89886666
传真0769-898860130769-89886013
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证 券日报》
公司披露年度报告的证券交易所网址上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)
公司年度报告备置地点广东省东莞市石排镇气派科技路气派大厦

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板气派科技688216不适用


(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所(境 内)名称天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市海淀区车公庄西路19号68号楼A-1 和A-5区域
 签字会计师姓名扶交亮、刘光荣
报告期内履行持续督导职责 的保荐机构名称华创证券有限责任公司
 办公地址贵州省贵阳市云岩区中华北路216号
 签字的保荐代表 人姓名杨锦雄、孙翊斌
 持续督导的期间2021年6月23日至2024年12月31日

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2022年2021年本期比上年同 期增减(%)2020年
营业收入540,378,207.66809,363,651.36-33.23548,004,476.71
扣除与主营业务 无关的业务收入 和不具备商业实 质的收入后的营 业收入523,668,667.00780,135,447.65-32.87529,367,395.14
归属于上市公司 股东的净利润-58,560,347.06134,587,375.05-143.5180,370,028.80
归属于上市公司 股东的扣除非经 常性损益的净利 润-74,299,979.50126,392,737.92-158.7974,587,791.14
经营活动产生的 现金流量净额-74,033,628.87221,364,733.96-133.4457,532,669.99
 2022年末2021年末本期末比上年 同期末增减(% )2020年末
归属于上市公司 股东的净资产889,489,615.781,001,531,733.33-11.19545,722,984.43
总资产1,788,057,195.411,845,210,003.48-3.101,042,233,303.32


(二) 主要财务指标

主要财务指标2022年2021年本期比上年同期增减(%)2020年
基本每股收益(元/股)-0.551.45-137.931.01
稀释每股收益(元/股)-0.551.45-137.931.01
扣除非经常性损益后的基本 每股收益(元/股)-0.701.36-151.470.94
加权平均净资产收益率(%)-6.1517.30减少23.45个百分点15.83
扣除非经常性损益后的加权 平均净资产收益率(%)-7.8016.25减少24.05个百分点14.69
研发投入占营业收入的比例( %)9.446.87增加2.57个百分点6.39

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1.本报告期所列示的每股收益及平均净资产收益率根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》(2010年修订,证监会公告【2010】2号)的规定进行计算。

2.报告期内,营业总收入较上年下降33.23%,主要原因系报告期内,受宏观经济、产业周期性波动等原因的影响,公司产品销售不及预期。

3.归属于上市公司股东的净利润较上年下降 143.51%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比下降158.79 %,主要原因系:一是,公司营业收入下降;二是,因募投项目和自有资金扩产项目的快速实施,导致固定资产折旧增加和职工薪酬占比上升;三是,研发费用占营业收入比例提升;四是,资产减值影响;五是,电费竞价上网改革及洁净厂房增加等原因导致电费增加。

4.经营活动产生的现金流量净额较上年下降 133.44%,主要系本期营业收入较上年减少,收到的客户回款减少所致,同时应付票据、应付账款期末较期初大幅度下降使得购买商品、接受劳务支付的现金较大增加。

5.归属于上市公司股东的净资产较上年下降11.19%,主要原因系本期净利润较上年减少所致。

6.公司总资产较上年下降3.10%,主要原因系本期净利润较上年减少所致。

7.基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年分别下降137.93%、137.93%和151.47%,主要原因系本期净利润较上年减少所致。

8.加权平均净资产收益率、扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率分别同比减少了23.45、24.05个百分点,主要系本期净利润下降所致。

9.报告期内,研发投入占营业收入的比例同比增加2.57个百分点,主要系报告期内,公司在营业收入下降的情况下,并未停止对新技术、新产品的研发,公司在5G宏基站超大功率超高频异结构GaN功放塑封封装技术、大功率电源管理模组及芯片封装关键技术研发、MEMS硅麦器件封装技术研发、存储芯片封装技术开发、高可靠RFID技术封装开发、高密度大矩阵引线框封装技术等项目投入了较大的费用。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2022年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入126,427,961.27160,773,555.92120,420,532.68132,756,157.79
归属于上市公司股 东的净利润-6,108,241.935,455,732.66-23,115,630.24-34,792,207.55
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益后的净利润-9,749,896.89780,188.19-28,125,350.30-37,204,920.50
经营活动产生的现 金流量净额42,982,521.85-28,230,899.70-23,721,330.85-65,063,920.17

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2022年金额附注(如2021年金额2020年金额
  适用)  
非流动资产处置损益2,578,138.68七、7342,771.37-59,345.49
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免    
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外13,518,487.81七、847,798,908.496,941,213.03
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费    
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益    
非货币性资产交换损益    
委托他人投资或管理资产的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等    
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益    
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益    
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益    
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性 金融资产、衍生金融资产、交易 性金融负债、衍生金融负债产生 的公允价值变动损益,以及处置 交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金融 负债和其他债权投资取得的投资 收益2,164,402.91七、682,162,992.30 
单独进行减值测试的应收款项、 合同资产减值准备转回    
对外委托贷款取得的损益    
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益    
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出255,938.17七、74; 七、75-363,922.60-79,235.00
其他符合非经常性损益定义的损    
益项目    
减:所得税影响额2,777,320.13 1,446,112.431,020,394.88
少数股东权益影响额(税 后)15.00   
合计15,739,632.44 8,194,637.135,782,237.66

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响 金额
交易性金融资产185,492,621.81-- 185,492,621.812,164,402.91
合计185,492,621.81-- 185,492,621.812,164,402.91

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用



第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
近年来,随着下游消费电子和汽车电子等行业需求持续增长,加之在我国相关政策推动下,我国集成电路销售额自 2012年起逐年增长。根据中国半导体行业协会统计,2021年中国集成电路销售额首次突破万亿,达10,458.3亿元,同比增长18.2%。

2022年,受国际宏观经济环境的影响,集成电路行业出现周期性波动,集成电路终端消费下滑导致供需关系有所改变,产业链出现去库存的现象。根据国家统计局公布的统计数据,2022年集成电路产量3,241.9亿块,同比下降11.6%,根据海关总署公布的数据,2022年我国共进口集成电路5,384亿块,同比下降15.3%,进口总金额27,662.74亿元人民币,同比下降0.9%;出口集成电路2,734亿块,同比下降12%,出口总金额10,254.45亿元人民币,同比增长3.5%;贸易逆差仍达17,408.29亿元人民币。

报告期内,消费市场不景气,电子产品终端以手机、计算机为代表的终端产品需求疲软,因此,半导体行业呈下行趋势,公司受行业景气度等影响,营收有较大幅度下降,叠加募投项目和自有资金扩产等原因,导致公司费用增加,使公司业绩大幅下降。2022年,公司主要经营管理工作介绍如下:
1、主营业务情况
营业收入54,037.82万元,同比下降33.23%;
归属上市公司股东的净利润为-5,856.03万元,同比下降143.51%;
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益净利润-7,430.00万元,同比下降158.79%。

2、持续加大研发投入,提升核心技术
虽然公司2022年营业收入和净利润有所下降,但公司仍然对行业充满信心,在新技术和新产品的研发上持续加大投入。报告期,公司共获得35项专利授权,其中发明专利9项,实用新型25项,外观专利1项;申请受理了56项专利,其中发明专利17项、实用新型39项。根据科技创新情报SaaS服务商“智慧芽”发布的《中国大陆半导体封测领域TOP10企业专利排行榜—2023年1月更新版》显示,公司专利数量位于中国大陆半导体封测企业中第6位。

在产品研发方面,MEMS封装技术已完成开发,产品已进入量产阶段。成功开发了国内国际领先的5G宏基站大功率GaN射频功放的塑封封装技术,已完成了技术路线和方案的评估认证,并最终通过了终端客户的系统性可靠性验证。公司完成了新产品TO252、TO220、TO263、TO247、PDFN等产品设计,都采用了高密度大矩阵集成电路封装技术进行设计,公司将继续扩大该封装技术在新产品生产过程使用率。

在生产工艺方面,公司继续深入开发高密度大矩阵引线框技术,完成了 TSSOP8(11R)、SOP(12R&15R)、DIP(5R)的引线框开发、开发了软焊料装片工艺和铝线键合工艺。

3、精益生产推动变革
报告期,公司将精益生产和六西格玛管理有机结合,将人、过程和技术集成管理,大力开展降本增效,改善制造技术,通过持续改善来提升产品质量、降低生产成本。生产运营体系进一步培育并丰富公司的改善土壤,建立起以人际关系、组织间关系和员工责任感三者协调统一的改善文化氛围。质量改善、降本增效等改善活动,班组长能力提升、六西格玛等培训项目贯穿全年,公司通过“一次无故障交付”“一次做好”质量和客户服务意识提升,设备自主保全和员工合理化建议、课题改善等主题改善活动,提高员工改善意识,落实员工提案288件,完成课题改善40余件。

夯实公司特色精益生产技术,以柔性化的设备和构建面向产品族的生产单元为抓手,提升设备柔性化,提升制造技术,增强生产柔性化、敏捷化。报告期,公司在快速换线、精益物流、单元化流线化、自动化生产方面展开工作,不断的进行工艺路线的改进和优化,不断的进行制造单元设备类型和位置的调整。

4、打造智能工厂
公司不断对信息化、智能化方面投入,针对集成电路封装的离散型制造特点开发了制造执行系统(MES)、排产计划系统(APS)、与企业资源计划管理系统(ERP)集成,实时数据平台与生产管理系统实现互通集成,实现了产品设计模拟仿真,规划、生产、运营全流程数字化管理,2022年,公司全资子公司荣获“东莞市智能制造示范项目”“东莞市智能工厂”称号。

5、紧抓产品品质,提升服务质量
报告期,公司始终坚持质量为先,恪守诚信经营的宗旨,以客户需求为导向,不断优化质量管理体系和创新质量管控模式。公司围绕质量、交期、服务等方面,以行业标杆企业质量水平为目标,以满足甚至超过客户期望为目标,结合公司实际情况,完善体系和标准化;建立了红线管控机制和客户服务质量管理标准,厘清了客户服务团队架构和职能,稳步提升了产品品质和服务质量。

6、加快人才团队建设,构建人才培养体系
报告期,为了适应公司快速发展,公司系统地构建了企业人才梯队、夯实组织构架,建立了一套系统的“新生力”招聘、内部选拔和培养计划并实施,从社招、校招、内推等多个维度,不断完善人才招聘和培养体系,充实人才梯队建设。

为推动公司高质量可持续发展,提升中基层班组长的基本素质和管理能力,举办了两期“绩优班组特训”、“班组长品管道场”培训,完成了六西格玛管理方法的导入。

7、持续推进募投项目,为未来产能需求提供保障
报告期,公司持续实施募投项目,为募投项目储备人员,“高密度大矩阵小型化集成电路封装测试扩产项目”的设备基本到位,项目建成后,将新增年封装产能16.1亿只,受集成电路行业周期性波动,项目尚未达产,“研发中心(扩建)建设项目”尚在实施。截止报告期末,“高密度大矩阵小型化集成电路封装测试扩产项目”及“研发中心(扩建)建设项目”已投入募集资金30,503.84万元。

8、完善公司治理,保护投资者利益
公司根据证监会、上交所等关于上市公司规范运作的监管法律、规则要求,进一步增强规范运作意识,提高上市公司透明度和信息披露质量,依法合规地做好信息披露工作;积极组织公司董事、监事、高级管理人员等参与证监局、上市公司协会的培训学习,有效加强了内部控制制度建设,增强了公司合规运作管理水平。通过定期报告业绩说明会、上证E互动、投资者现场调研及日常电话、邮件等通方式,公司建立起与资本市场良好的沟通机制,全方位、多角度向投资者传递了公司实际的生产经营情况,有效维护了广大中小投资者的合法权益。


二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司自成立以来,一直从事集成电路封装、测试业务,主要产品有MEMS、FC、5G氮化镓射品共计超过220种封装形式,产品主要运用于消费电子、信息通讯、智能家居、物联网、工业自动化控制、汽车电子等多个领域。

报告期内,公司购买了晶圆测试设备,开始为客户提供晶圆测试服务,进一步完善了公司生产工序,为给客户提供封装测试提供一站式服务打下良好的基础。


(二) 主要经营模式
公司从事集成电路封装测试一站式服务,公司首先可为客户提供晶圆测试服务,对晶圆的主要参数进行特性专业性的评估,尽可能地把不合格的芯片筛选出来;其次,公司采购引线框架、丝材、装片胶和塑封树脂等原辅料,按照客户要求对其提供的晶圆芯片进行一系列内部工艺加工以及外协辅助加工,完成芯片封装测试的精密加工后将成品交还给客户,向客户收取加工费,获取收入和利润。

此外,在了解客户需求的基础上,公司会少量采购通用的晶圆,在产能允许时进行封装测试形成芯片成品,在客户有需求时将这些芯片成品销售给客户,从而取得收入及获取利润。公司自购芯片和客供芯片的采购模式、生产模式、销售模式、研发模式没有差别。

1.采购模式
公司设置采购部、计划部等部门,根据公司生产需要,针对集成电路封装测试加工所需的原材料、辅料、备件、包材等物料进行采购,除此之外,公司还对生产设备、外协加工服务项目进行采购。

2.生产模式
公司作为专业封装测试厂商,致力于为客户提供多样化、针对性、差异化及个性化的封装测试产品与服务,同时通过对生产系统的管理,对生产产品的品种和产量能够快速灵活的调整,形成了以多样化定制生产、快速切换为主的柔性化生产模式。

3.销售模式
公司销售环节采用直销模式,公司客户主要为芯片设计公司。绝大部分芯片设计公司由于本身无晶圆制造环节和封装测试环节,其自身只根据市场需求设计集成电路版图。该等芯片设计公司完成芯片设计后,将其交给晶圆代工厂制造晶圆,晶圆完工后交给公司,由公司对晶圆进行封装测试,之后芯片设计公司将公司封装测试后的集成电路销售给电子整机产品制造商,最后由电子整机产品制造商以电子整机的形式销售给终端消费者。

4.研发模式
公司主要采用自主研发模式,公司设有研发中心,全资子公司广东气派设有技术工程研究中心、企业技术中心、重点实验室,主导新技术、新工艺、新产品的研究和开发、新材料验证和导入。根据公司的发展战略和发展目标、承接政府部门的攻关项目、销售部门市场调研、客户定制等确定研发项目,经内部立项、设计和开发、反馈和纠正、产品试制、小批量试生产等阶段完成研发工作。公司也通过产学研、企业间合作等方式进行合作研发模式。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)所处行业
公司主营业务为集成电路的封装测试,根据《国民经济行业分类与代码》(GB/4754-2017),公司属于计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)下属的集成电路制造业(C3973),具体细分行业为集成电路封装测试业,根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类(2018)》分类,公司属于新一代信息技术产业中的集成电路制造。

(2)行业发展阶段及基本特点
集成电路是20世纪50年代发展起来的一种半导体微型器件,是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等特定加工工艺,按照一定的电路互联,把晶体管、电阻、电容、电感等电子元器件及连接导线,全部集成在微型硅片上,构成具有一定功能的电路,然后封装成电子微型器件,成为能执行特定电路或系统功能的微型结构。

集成电路封装测试包括封装和测试两个环节,因测试业务主要集中在封装企业中,通常统称为封装测试业。封装是指对通过测试的晶圆进行背面减薄、划片、装片、键合、塑封、电镀、切筋成型等一系列加工工序而得到独立的具有完整功能的集成电路的过程。封装的目的是保护芯片免受物理、化学等环境因素造成的损伤,増强芯片的散热性能,以及便于将芯片端口联接到部件级(系统级)的印制电路板(PCB)、玻璃基板等,以实现电气连接,确保电路正常工作。测试主要是对芯片或集成模块的功能、性能等进行测试,通过测量、对比集成电路的输出响应和预期输出,以确定或评估集成电路元器件的功能和性能,其目的是将有结构缺陷以及功能、性能不符合要求的产品筛选出来,是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。

集成电路产业诞生于美国,并迅速在欧洲、日本、韩国等地发展起来,但是随着产业的技术进步和市场发展,封装测试环节的产能已逐渐由美、欧、日等地区转移到中国台湾、中国大陆、新加坡、马来西亚和菲律宾等亚洲新兴市场区域。中国台湾地区是最早兴起集成电路专业封装测试代工模式的地区,也是目前全球最大的集成电路封装测试基地,中国大陆位居其次。

集成电路封测属于IC产业链偏下游的行业,通常封装和测试都是一体的,即做完封装后直接进行产品的测试。IDM和OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly&Test,半导体封装测试代工模式)是半导体封测产业的两种主要模式。Gartner预计全球 OSAT占比由2010年的48.56%提升至2020年的54.10%。伴随着半导体行业垂直分工趋势,OSAT模式将成为封测行业的主导模式。

封装的发展史也是芯片性能不断提高、系统不断小型化的历史。随着集成电路器件尺寸的缩小和运行速度的提高,对集成电路也提出新的更高要求。封装历史发展大概分为五阶段,第一阶段为通孔插装型封装(TO、DIP),第二阶段为表面贴装型封装(QFP、QFN、DFN、SOP、SOT),第三阶段为球栅阵列封装(BGA)、晶圆级(WLP)和芯片级封装(CSP),第四阶段为多芯片组封装(MEMS)、晶圆级系统封装-硅通孔 (TSV)、倒装焊封装 (FC)、表面活化室温连接(SAB)、扇出型集成电路封装(Fan-Out)、扇入型集成电路封装(Fan-in)。全球封装行业的主流技术处于以 CSP、BGA 为主的第三阶段,并向以系统级封装(SiP)、倒装焊封装(FC)、芯片上制作凸点(Bumping)为代表的第四阶段和第五阶段封装技术迈进。

集成电路下游应用广泛,涵盖消费电子、电力电子、交通、医疗、通讯技术、医疗、航空航天等众多领域。近年来,随着物联网、人工智能、云计算、大数据、5G、机器人等新兴应用领域的蓬勃发展,各类集成电路产品的使用场景和用量不断增长,为集成电路产业注入了新的增长动力。

2021年全球半导体和国内半导体都经历了高速增长,2022年,受国际政治、经济环境的影响,集成电路呈现周期性波动,根据国家统计局公布的统计数据,2022年集成电路产量3,241.9亿块,同比下降11.6%,根据海关总署公布的数据,2022年我国共进口集成电路5,384亿块,同比下降15.3%,进口总金额27,662.74亿元人民币,同比下降0.9%;出口集成电路2,734亿块,同比下降 12%,出口总金额 10,254.45亿元人民币.同比增长 3.5%;贸易逆差仍达 17,408.29亿元人民币。

从应用端来看,随着新能源汽车、人工智能、大数据、5G的快速发展,集成电路未来的需求将越来越大,集成电路的规模将持续增长。从国产替代来看,我国集成电路贸易逆差逐年增大,国产替代是未来几年的主旋律,因此,集成电路产业一直被视为国家层面的战略新兴产业,国家发展战略、行业发展规划、地方发展政策不断出台,为集成电路行业提供了财政、税收、投融资、知识产权、技术和人才等多方面的支持,推动集成电路行业的技术突破和整体提升,随之也推动了封装测试产业的快速发展。

(3)主要技术门槛
集成电路封装测试行业属于资金密集型、技术密集型行业,封装技术对于芯片来说是必须的,也是至关重要的。一方面,芯片必须通过封装才能与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。封装工艺的功能包括功率分配(电源分配)、信号分配、散热通道、隔离保护和机械支持等,每一项功能都能影响芯片的性能,封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的 PCB(印制电路板)的设计和制造。因此,封装结构的设计难度、高度精密化的加工工艺是行业的主要技术门槛。

半导体行业摩尔定律指出,单位面积芯片上集成的晶体管数每隔18个月增加一倍,其背后驱动力是行业对高性能、低功耗芯片的不断需求,并推进芯片不断小型化,同时从降低芯片流片成本、节约电路板空间考虑也要求芯片面积缩减。

随着晶圆制造先进节点走向 7nm、5nm、3nm,研发生产成本持续走高,投资金额呈指数级增加,良率下降,晶圆制造成本增加,摩尔定律趋缓,半导体行业逐渐步入后摩尔时代。然而晶圆制造制程不会无限缩小下去,晶体管也不可能无限增加下去,因此,封装技术已成为超越摩尔定律的关键赛道。

封测企业需要不断进行技术创新、开发新产品才能适应市场变化,顺应集成电路下游应用市场集成化、小型化、智能化的发展趋势。封装领域不断涌现出新兴封装类型以及先进封装技术,这对于封装测试企业在新产品的研发和测试方面提出了苛刻的要求,技术门槛越来越高。

2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司在集成电路封装领域具有较强的成本控制和质量管理优势,是国内封装测试技术应用型代表企业之一,是华南地区封装品类最为齐全的内资封装企业之一。公司在产品质量、交货期、专业服务等方面赢得了客户的高度认可。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 报告期内,英特尔与AMD、Arm、日月光、Google Cloud、Meta、微软、高通、三星电子和台积电等十大行业巨头宣布成立UCIe产业联盟,共同打造Chiplet互连标准、推进开放生态,并制定了标准规范“UCIe”(UniversalChiplet Interconnect Express)。

Chiplet俗称芯粒,也叫小芯片,它是将一类满足特定功能的die(裸片),通过die-to-die内部互联技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起,形成一个系统芯片,以实现一种新形式的IP复用。Chiplet是将原本一块复杂的SoC芯片,从设计时就按照不同的计算单元或功能单元对其进行分解,然后每个单元选择最适合的工艺制程进行制造,再将这些模块化的裸片互联起来,通过先进封装技术,将不同功能、不同工艺制造的Chiplet封装成一个SoC芯片。

未来随着Chiplet技术的发展终究会使小芯片间的互联达到更高的密度,要应对先进封装功能和密度的不断提升,散热、应力和信号传输等都是重大的考验。目前头部的IDM厂商、晶圆代工厂以及封测企业都在积极推动不同类型的先进封装技术,以抢占这块市场。


(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司以客户需求为导向,对封装技术、封装形式进行持续研发,并将新技术应用到公司封装测试产品中。公司自成立以来,一直高度重视研发创新工作。2017年,广东气派研发中心通过广东省科学技术厅“广东省气派集成电路封装测试工程技术研究中心”认定,2020年通过东莞市科学技术局“东莞市集成电路封装测试工程技术研究中心”认定,2022年通过了广东省“省级技术中心”的认定。在2022年9月,公司成功申报了“2021年市重点实验室---东莞市第三代半导体封装测试重点市实验室”;2022年12月,广东气派荣获“2021年东莞市百强创新型企业”荣誉。

公司将进一步凝聚人力、物力,财力,搭建更加专业的研发平台,更好的推动公司创新研发和企业发展,尤其是助推公司在第三代半导体封装测试技术领域的持续创新并不断取得突破性成果。

公司注重自主封装设计技术研发创新,已经开发了Qipai、CPC和CDFN/CQFN系列量产产品。截至2022年12月31日,公司拥有境内外专利技术247项,其中发明专利23项。

(1)5G MIMO基站GaN微波射频功放塑封封装技术暨第三代半导体封装技术 5G MIMO基站GaN微波射频功放塑封封装技术解决了5G用氮化镓(GaN)射频功放器件的塑封封装技术难题,实现了在研发和量产上与境外先进企业同步以及产品的进口替代,开创性解决了GaN功放器件小型化、低成本、高可靠性的技术难题,实现了提高导热能力、降低功率损耗、保持高频线性稳定等技术目标。5G基站用氮化镓(GaN)分立式射频器件塑封封装技术通过东莞市电子计算中心鉴定为国内领先水平。报告期内,公司5G MIMO基站GaN微波射频功放塑封封装产品稳定量产的基础上,公司延伸立项的5G宏基站大功率GaN射频功放的塑封封装技术项目,完成了技术路线、方案的评估认证及相关工艺的开发和验证,并最终通过了终端客户的系统性可靠性验证,5G宏基站大功率GaN射频功放塑封封装技术的研发取得了成功,目前正在配合客户做芯片开发的持续验证。宏基站大功率GaN射频功放产品目前国际国内普遍采用陶瓷金属封装技术,公司开发的塑封封装技术国内国际领先。

随着5G MIMO 基站GaN射频功放产品的持续稳定生产和宏基站氮化镓(GaN)射频功放塑封封装研发的顺利进行,公司掌握了的第三代半导体封装的核心技术,如多芯片平铺堆叠,烧结银焊接等工艺技术,为公司继续拓展第三代半导体产品如碳化硅(SiC)产品的导入打下了基础,目前基于TO247封装的碳化硅(SiC)产品已开始进行样品的试制。

(2)高密度大矩阵集成电路封装技术
高密度大矩阵集成电路封装技术是公司在集成电路封装领域的引线框设计上采用IDF结构和增大引线框排布矩阵的关键技术,也是公司自主创新封装设计开发的基石。该种技术特点不但矩阵大,且密度高,引线框的单位面积内的产品数量大大增加,同时大幅度提高了材料的利用率及生产效率;目前,公司的高密度大矩阵集成电路封装技术应用的引线框架已达到引线框架供应商制程工艺的最大限度,也达到了公司生产设备供应商可支持引线框架的最大限度。

报告期内,公司完成了新产品TO220、TO263、TO247、PDFN等产品设计,都采用了高密度大矩阵集成电路封装技术进行设计。公司在传统封装方面的高密度大矩阵引线框技术已覆盖 65%左右,公司将继续扩大该封装技术的产品生产过程使用率。

(3)小型化有引脚自主设计的封装方案
小型化有引脚自主设计的封装方案是公司根据摩尔定律中电子产品日益小型化趋势,结合公司崇尚的高密度大矩阵降低成本和提升效率的理念,进行自主封装设计技术研发,已经开发了Qipai、CPC和CDFN/CQFN系列量产产品。报告期内,公司成功开发出新一类的CQFN5*5系列封装产品,并完成了工艺验证,继续扩大了公司的产品。

(4)封装结构定制化设计技术
随着5G通讯、物联网、人工智能、汽车电子等新兴终端市场需求不断涌现,集成电路产品需求及功能日益多元化,行业已经从标准品时代进入到更加个性化、定制化的新时代,带动芯片设计趋向于多样化,对应的封装测试方案需要相应的专门定制,使得定制化也成为封装测试行业的发展趋势。报告期内,公司新增20家定制化开发意向的客户。

(5)FC封装技术
FC封装技术相对于传统的芯片互连技术(引线键合技术),能提供的I/O密度更高,且倒装占有面积和芯片大小几乎一致。在所有的表面安装技术中,FC封装技术是可以实现小型化、薄型化的先进封装技术之一。公司 FC封装技术已持续批量生产,未来将在更多的先进封装产品中应用。

(6)基板类MEMS封装技术
MEMS是也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,是一个独立的智能系统。公司经过持续的研发,截止2022年底成功量产30款产品,并已开始进行国际一流大客户的产品认证工作。

未来,公司将继续延伸。基板类封装技术的量产,为公司向其他基板类封装技术的研发打下良好的基础,目前正在和客户接洽基于基板封装技术的SiP产品封装项目需求。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2020年度集成电路封装测试

2. 报告期内获得的研发成果
报告期,5G宏基站超大功率超高频GaN功放塑封封装产品COM780的技术研发已取得了成功,完成技术路线的设计、工艺流程规划、材料匹配性设计和设备选型定制与导入、工程验证和产品的可靠性测试,部分产品已通过终端客户验证,目前正全力配合客户进行芯片的研发设计验证。

公司自主定义的CDFN/CQFN封装技术已完成研发,进入量产阶段,同时开发出了下一代CQFN系列产品;先进基板类封装产品MEMS产品也实现了稳定的大批量性生产,截止2022年底成功量产30款产品,并已开始进行国际一流大客户的产品认证工作。公司完成了大功率产品 TO252、TO220、TO263、TO247、PDFN5X6和PDFN3X3系列产品的规划和设计,并已开始进行工程样品的试制。


报告期内获得的知识产权列表


 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利1797723
实用新型专利3925170151
外观设计专利018873
软件著作权0011
其他0000
合计5635336248
注:以上累计数量统计中不含已失效专利。

3. 研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入50,995,394.8355,642,780.69-8.35
资本化研发投入---
研发投入合计50,995,394.8355,642,780.69-8.35
研发投入总额占营业收入 比例(%)9.446.87增加2.57个百分 点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投资 规模本期投入 金额累计投入金 额进展或阶 段性成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1大功率电源管理 模组及芯片封装 关键技术研发2,000.00432.981,922.93小批量生 产阶段开发一款电源管理模组,填 补特定功率市场空白,并形 成稳定可量产的封装技术和 生产线行业先进水平项目产品主要应用于消 费类电子产品
2超大功率高散热 氮化镓第二代5G 基站产品研发及 产业化671.00186.05655.33小批量生 产阶段开发第二代散热及性能更好 的5G基站用GaN射频器件, 适用于更严苛的使用环境条 件行业先进水平项目产品主要应用于5G 基站
3保护充电电路过 载的芯片封装技 术开发483.00109.31113.85工艺开发 验证阶段设计开发一种应用于保护充 电电路过载的芯片封装技术 产品达到行业内同 类型封装产品 先进水平项目产品广泛应用于各 种具有充电装置及电路 的电子、电器等设备
4一种低成本高效 率引线框架技术 的开发960.00225.60225.60工艺开发 验证阶段设计开发一款SOP类高密度 的引线框架,阵列密度超出 业内最高的20以上%,框架 利用率超出业内最高的12以 上%行业先进水平项目产品广泛应用于各 种电子、电器等设备的 控制电路和驱动电路, 儿童玩具,家电,话筒 等
5激光开槽新技术 开发500.0085.4685.46小批量生 产阶段建立切割道lowK晶圆和GaN 晶圆激光开槽量产工艺平台达到行业内同 类工艺先进水 平广泛应用于硅基GaN芯 片切割分离
6大功率MOSFET 封装开发及产业 化900.005.865.86设计开发 验证阶段建立至少一款大功率MOSFET 芯片用封装量产平台,填补 公司在功率器件方面空白行业先进水平广泛应用在工控和汽车 领域,如光伏逆变器, 电动工具等
7大功率扁平无引 脚先进封装开发 及产业化1,000.0016.2516.25设计开发 验证阶段建立至少一款大功率无引脚 扁平封装的MOSFET芯片用封行业先进水平广泛应用在工控和计算 机领域,如笔记本电 脑、电动工具等
      装量产平台,填补公司在功 率器件方面空白  
8小功率扁平无引 脚小型化先进封 装开发及产业化1,000.009.839.83设计开发 验证阶段建立至少一款小功率无引脚 扁平封装的MOSFET芯片用封 装量产平台,填补公司在功 率器件方面空白行业先进水平广泛应用在笔记本电脑 主板CPU供电和显卡上
9大功率IGBT和 SiC封装开发及 产业化900.002.432.43设计开发 验证阶段建立至少一款大功率IGBT和 SiC芯片用封装量产平台,填 补公司在功率器件方面空白行业先进水平广泛应用在工控和汽车 领域,如光伏逆变器, 电动工具等
105G宏基站超大功 率超高频异结构 GaN功放塑封封 装技术及产业化3,100.00583.311,920.10部分产品 制样阶段设计超大功率超高频异结构 GaN功放塑封封装,突破行业 内的金属陶瓷封装技术制 约,大大降低成本达到国内5G 大功率封装领 先水平项目产品主要应用于5G 宏基站
11电源管理芯片高 可靠性多样化封 装及其产业化1,000.00457.00463.07小批量生 产阶段开发多款应用于电源管理芯 片的高可靠性、低成本的封 装,其中包括不同外形尺寸 与不同基岛尺寸的DFN/QFN 封装,进而完善电源管理芯 片封装技术方案。行业先进水平项目产品主要应用于激 光雷达、TWS充电桩 等。
12智能电机驱动芯 片封装技术开发850.00375.73380.10小批量生 产阶段设计开发目前DFN/QFN最大 规格尺寸的产品,提供可靠 且稳定的封装技术,实现客 户可靠性要求的前提为IPM 产品提供一套完整的封装方 案并实现稳定生产。行业先进水平项目产品主要应用家用 电器,如冰箱、吸尘 器、空调、风扇等。
13中小功率控制芯 片大矩阵封装技 术开发及产业化755.00233.52233.52小批量生 产阶段建立大矩阵框架的封装平台 并实现产业化,框架矩阵由 28颗提升到90颗行业先进水平应用范围包括标准逻辑 IC,存贮器LSI,微机电 路等
14基于SOT系类的 铜凸块焊接封装 技术开发867.00389.89389.89小批量生 产阶段建立基于铜凸块焊接工艺的 芯片封装量产平台,填补公行业先进水平项目产品主要应用于消 费终端如电脑等领域
      司在倒装焊工艺和产品方面 空白  
15镍钯金(PPF)引 线框架封装技术 开发850.00280.47292.05小批量生 产阶段完成4X4、3X3、2X2、1X1等 镍钯金(PFF)框架产品达到 MSL3、MSL1、可靠性要求, 完成PPF框架产品的量产行业先进水平RF射频器件、家电、汽 车电子等
16一种带引脚QFN 产品研发及产业 化650.0047.7647.76设计开发 验证阶段建立创新型的封装生产平台 并产业化业内领先用于笔记本电脑、数码 相机、个人数字助理 (PDA)、移动电话和MP3 等便携式消费电子产品
17低成本超高密度 TSSOP8(11R)引 线框开发650.0024.9224.92设计开发 验证阶段设计开发一款SOP类高密度 的引线框架,框架利用率超 出业内最高的20%以上业内领先项目产品广泛应用于各 种电子、电器等设备的 控制电路和驱动电路, 儿童玩具,家电,话筒 等
18MEMS真空封装技 术开发及产业化800.002.732.73设计开发 验证阶段在公司现有制程能力基础上 开发一整套完整的MEMS真空 封装产品制程工艺方案,同 时满足客户的可靠性要求行业先进水平项目产品广泛应用于消 费电子,如手机、电脑 等
合 计/17,936.003,469.096,791.67////
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