[年报]安集科技(688019):2022年年度报告

时间:2023年04月11日 20:01:56 中财网

原标题:安集科技:2022年年度报告

公司代码:688019 公司简称:安集科技
安集微电子科技(上海)股份有限公司
2022年年度报告



重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人Shumin Wang、主管会计工作负责人Zhang Ming及会计机构负责人(会计主管人员)Zhang Ming声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经公司董事会审议通过的利润分配预案及公积金转增股本预案为:
公司拟以实施2022年度利润分派股权登记日的总股本为基数,向全体股东每10股派发现金红利4.20元(含税)。截至2023年4月7日,公司总股本为75,974,210股,以此计算合计拟派发现金红利总额为31,909,168.20元(含税),占母公司当年实现可分配利润比例约10.32%,占公司合并报表归属上市公司股东净利润的10.59%,剩余未分配利润结转以后年度分配;公司拟向全体股东以资本公积金转增股本每10股转增3股,不送红股。

本次利润分配方案尚需提交本公司2022年年度股东大会审议通过。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 44
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 68
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 75
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 97
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 105
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 104
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 106




备查文件目录报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正 文及公告的原稿
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
安集科技、公司安集微电子科技(上海)股份有限公司
Anji CaymanAnji Microelectronics Co., Ltd.,公司控股股东
安续投资宁波安续企业管理合伙企业(有限合伙)
上海安集安集微电子(上海)有限公司,公司全资子公司
宁波安集宁波安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
台湾安集台湾安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
宁波安集投资宁波安集股权投资有限公司,公司全资子公司
北京安集北京安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
安集电子材料上海安集电子材料有限公司,公司全资子公司
新加坡安集ANJI MICROELECTRONICS PTE. LTD.,公司全资子公司
青岛聚源青岛聚源芯星股权投资合伙企业(有限合伙)
安特纳米山东安特纳米材料有限公司
股东大会安集微电子科技(上海)股份有限公司股东大会
董事会安集微电子科技(上海)股份有限公司董事会
监事会安集微电子科技(上海)股份有限公司监事会
高级管理人员公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书
《公司章程》《安集微电子科技(上海)股份有限公司章程》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
报告期2022年1月1日-2022年12月31日
化 学 机 械 抛 光 (CMP)Chemical Mechanical Planarization,集成电路制造过程中实现晶圆 全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不 同,CMP技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。
湿电子化学品是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的 关键性基础化工材料之一,一般要求超净和高纯,对生产、包装、运输 及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同,可 将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类
化学机械抛光液/ 抛光液又称“化学机械研磨液”,由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成,是化 学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料
研磨颗粒化学机械抛光液所用的研磨颗粒通常采用氧化硅,氧化铝,氧化铈等胶 体颗粒分散于抛光液中
光刻半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻 胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到 所在衬底上
光刻胶光刻中采用的感光物质,其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转 移至衬底上
光刻胶去除刻蚀之后,图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻 胶层不再需要了,而要从表面去掉
光刻胶去除剂/光 阻去除剂又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”,是光刻胶去除工艺中使用 的化学材料,主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成,通过将半导体
  晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片,去除半导体晶片上 的光刻胶
刻蚀后清洗液一种光刻胶去除剂,应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去除
光刻胶剥离液一种光刻胶去除剂,应用于厚膜光刻胶去除,包括晶圆级封装以及部分 集成电路工艺
芯片、集成电路 (IC)Integrated Circuit,是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺, 把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起, 制作在半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所 需电路功能的微型结构
逻辑芯片一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。
存储芯片又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体介质器件,其存 储与读取过程体现为电子的存储或释放,广泛应用于内存、U 盘、消费 电子、智能终端、固态存储硬盘等领域
DRAM动态随机存取存储器,属于易失性存储器
NAND闪存,属于非易失性存储器
2D NAND存储单元为平面结构的一种NAND存储器
3D NAND一种通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存限制的三 维芯片闪存类型
晶圆(wafer)半导体集成电路制作所用的晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在 晶圆上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成 电路产品
先进封装处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC)结构的封装、 晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D封装、3D封装等均被认 为属于先进封装范畴
晶圆级封装(WLP)Wafer-Level Packaging,在晶圆上封装芯片,而不是先将晶圆切割成单 个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的速度与可靠性 以及更低的功耗,并为用于移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、 人工智能和物联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数
铜阻挡层集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料,目的是防止铜 和绝缘介质发生扩散或反应
摩尔定律当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月 便会增加一倍,性能也将提升一倍
超越摩尔当芯片中的临界尺寸越来越接近物理极限,摩尔定律不能沿用原来的方 法单纯缩小元器件尺寸来提高元器件密度。只能通过引入更加创新的三 维集成来提升芯片性能,包括革命性的新材料,芯片内的三维堆积,芯 片之间的三维互联
技术节点泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”,尺寸越小,表明工艺水平 越高,如130nm、90nm、28nm、14nm、7nm等等
平坦化在制造工艺中,通过热流程、有机层或化学机械抛光技术对晶圆表面的 平整化
纳米(nm)长度单位,1纳米=米
长度单位,1埃等于1微米的万分之一
导体具有低电阻和高电导率的材料
介质绝缘材料。在加电压时不传导电流。半导体工艺中常用两种介质,即氧 化硅和氮化硅
浅槽隔离(STI)浅槽隔离,即Shallow-Trench Isolation。通常用于0.25um以下 工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在 槽中填充淀积氧化物,用于与硅基内不同器件之间的隔离
介电材料介电材料属绝缘体,是指在外电场作用下能发生极化、损耗和击穿等现 象的材料。在化学机械抛光领域,介电材料通常指二氧化硅,氮化硅,
  碳化硅等绝缘材料
刻蚀去除特定区域材料的工艺过程。往往通过湿法或干法的化学反应,或者 物理方法,如溅射刻蚀实现
宽禁带半导体又称第三代半导体,是指使用禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料(如 碳化硅、氮化镓等)的半导体器件
小芯片组 (chiplet)是在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片设计模式
后段硬掩模工艺随着集成电路发展到 28nm 及以下节点,为了满足铜大马士革工艺低介 电材料干法蚀刻选择比要求,引入氮化钛或者其他耐刻蚀的材料作为干 法蚀刻阻挡层
硅通孔(TSV)TSV(Through Silicon Via)技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填 充,实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互 联长度,减小信号延迟,降低电容/电感,实现芯片间的低功耗,高速通 讯,增加宽带和实现器件集成的小型化
三维集成将多层集成电路芯片堆叠键合,通过穿透衬底的三维互连实现多层之间 的电信号连接的技术,TSV是三维集成技术的实现方法之一
混合键合(Hybrid Bonding)是通过介电层和铜的界面进行键合,从而实现器件在三维层面堆叠以提 高单位体积内器件功效的技术
电镀利用电解原理在金属表面上镀上一层其它金属或合金的过程。广泛应用 于晶圆级封装凸点及集成电路大马士革工艺
电镀基础液(VMS)电镀液基础液,Virgin Makeup Solution。提供电沉积金属离子,与电 镀液添加剂相互作用,在电场作用下实现金属电化学沉积
电镀液添加剂电镀工艺核心材料,改善镀层性能及电镀质量。在电镀工艺中,电镀液 添加剂与基础液相互作用,在电场作用下实现金属电化学沉积
SEMISemiconductor Equipment and Materials International,国际半导 体设备与材料产业协会



第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称安集微电子科技(上海)股份有限公司
公司的中文简称安集科技
公司的外文名称Anji Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Anji Technology
公司的法定代表人Shumin Wang
公司注册地址上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区) T6-9幢 底层
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保税区T6-5幢
公司办公地址的邮政编码201201
公司网址www.anjimicro.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名杨逊冯倩
联系地址上海市浦东新区华东路5001号金 桥综合保税区T6-5幢上海市浦东新区华东路5001号金 桥综合保税区T6-5幢
电话021-20693201021-20693201
传真021-50801110021-50801110
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券部

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板安集科技688019不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师 事务所(境内)名称毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市东长安街1号东方广场2座办公楼8层
 签字会计师姓名杨洁、黄晓冬
报告期内履行持续名称申万宏源证券承销保荐有限责任公司
督导职责的保荐机 构办公地址上海市徐汇区长乐路989号11楼
 签字的保荐代表人姓名包建祥、康杰
 持续督导的期间2019年7月22日至2022年12月31日

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2022年2021年本期比 上年同 期增减 (%)2020年
营业收入1,076,787,316.10686,660,621.1656.82422,379,914.28
归属于上市公司股东 的净利润301,436,958.70125,084,063.28140.99153,989,118.92
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润300,453,800.1491,107,538.21229.7858,850,726.56
经营活动产生的现金 流量净额239,122,116.4861,105,784.69291.32113,173,725.28
 2022年末2021年末本期末 比上年 同期末 增减(% )2020年末
归属于上市公司股东 的净资产1,521,549,944.381,201,160,935.3326.671,048,104,787.37
总资产2,047,601,294.071,672,228,439.9422.451,287,346,347.95


(二) 主要财务指标

主要财务指标2022年2021年本期比上年同 期增减(%)2020年
基本每股收益(元/股)4.592.3595.322.90
稀释每股收益(元/股)4.582.3594.892.90
扣除非经常性损益后的基本每 股收益(元/股)4.571.71167.251.11
加权平均净资产收益率(%)22.2011.11增加11.09个 百分点15.94
扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率(%)22.128.10增加14.02个 百分点6.09
研发投入占营业收入的比例(%)14.9922.30减少 7.31 个 百分点21.05


报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司营业收入实现同比增长56.82%,主要原因为:在“立足中国,服务全球”的战略定位下,公司持续保持与现有客户积极紧密合作,加大力度开拓中国大陆地区市场,客户用量及客户数量进一步上升,同时海外市场进一步拓展,公司营业收入稳步提升。在化学机械抛光液方面,公司积极推进化学机械抛光液全品类产品的市场拓展和客户端导入进程,其中钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液及衬底抛光液的产品布局进一步丰富且营业收入增长率较高,硅衬底抛光液在海外市场有突破性进展;在功能性湿电子化学品方面,公司持续攻克技术难关,中国大陆市场的拓展按计划顺利进行,新产品成功导入海外市场,功能性湿电子化学品的营业收入情况如预期;在电镀液及添加剂方面,公司在自身研发积累搭建技术平台的基础上,通过进一步技术引进等横向合作的形式,进一步拓展和加强了产品线平台能力建设,提升了公司在该领域的综合水平,且大幅度加速了规模量产的进程,产品已覆盖多种电镀液及添加剂。

归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为30,045.38万元,较去年同期增长229.78%,主要系公司与客户紧密合作,充分把握客户需求,持续加大产品研发和产品商业化的多方位布局,同时,公司持续提升管理和运营效率,使得公司业绩积极增长。

归属于上市公司股东的净利润为30,143.70万元,较去年同期增长140.99%,除归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润的变动影响以外,公司存在计入当期损益的政府补助,同时对外投资的公允价值变动与投资收益为负,使得非经常性损益项目合计金额较小,因此扣除非经常性损益后净利润与净利润差异不大。

经营活动产生的现金流量净额为23,912.21万元,较去年同期增长291.32%,主要系销售回款增长等所致。

归属于上市公司股东的净资产和总资产较上年分别增长26.67%和22.45%,主要系公司2022年度经营积累所致。

基本每股收益和稀释每股收益较上期增加95.32%和94.89%,主要系公司净利润增加所致。

扣除非经常性损益后的基本每股收益较上期增长167.25%,主要系公司扣除非经常性损益的净利润上升所致。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2022年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入233,076,596.48270,289,061.40290,405,517.16283,016,141.06
归属于上市公司股 东的净利润39,600,955.2387,259,722.8779,696,576.3194,879,704.29
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益后的净利润50,644,245.7384,896,681.3590,324,404.3974,588,468.67
经营活动产生的现 金流量净额31,839,635.1130,026,314.2873,905,098.56103,351,068.53

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2022年金额附 注 ( 如 适 用 )2021年金额2020年金额
非流动资产处置损益-55,333.00 -259,075.145,685.16
计入当期损益的政府补助, 但与公司正常经营业务密切 相关,符合国家政策规定、 按照一定标准定额或定量持 续享受的政府补助除外11,907,903.26 26,473,396.1716,629,439.20
除同公司正常经营业务相关 的有效套期保值业务外,持 有交易性金融资产、衍生金 融资产、交易性金融负债、 衍生金融负债产生的公允价 值变动损益,以及处置交易 性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生 金融负债和其他债权投资取 得的投资收益-9,272,657.46 17,832,926.6497,471,734.17
除上述各项之外的其他营业 外收入和支出-45,877.65 -1,357,181.97-615,000.00
减:所得税影响额-1,550,876.59 8,713,540.6318,353,466.17
合计983,158.56 33,976,525.0795,138,392.36

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影 响金额
交易性金融资产219,375,703.18168,717,686.33-50,658,016.85-23,542,065.83
衍生金融资产1,009,512.18--1,009,512.18-827,238.18
其他非流动金融 资产51,815,152.0097,861,688.5846,046,536.5815,096,646.55
其他权益工具投 资9,000,000.0036,831,732.1327,831,732.13-
合计281,200,367.36303,411,107.0422,210,739.68-9,272,657.46

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
集成电路是现代化产业体系的核心枢纽,半导体材料作为集成电路产业的基石,在集成电路制造技术不断升级和产业的持续创新发展中扮演着重要角色。近年来,受益于5G、人工智能、消费电子、汽车电子等需求拉动,半导体材料市场规模呈现逐步向上的态势。安集科技作为一家以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料企业,始终致力于高增长率和高功能材料的研发和产业化,坚持“立足中国,服务全球”的战略定位。公司持续深化化学机械抛光液一站式和全方位服务;进一步拓宽功能性湿电子化学品品类;在自主研发的基础上,引入电镀液及添加剂的国际合作;不断加深加快关键原材料的自主可控进程。在打破特定领域高端材料100%进口局面,填补国内技术空白的基础上,带动、引领半导体材料产业链的快速发展。

2022年,面对复杂多变的外部环境,安集科技始终坚定发展战略,充分把握市场变化所带来的机遇,坚持自主研发,提升技术转化能力;持续加大市场开拓,进一步稳固行业地位。同时,不断强化内部治理建设,进一步提高公司综合竞争能力。

(一)创新研发进一步延伸,开启市场新征程
公司始终秉承“研发创新驱动企业发展”的理念,持续研发投入,不断延伸研发创新能力,扩大市场开拓。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建三大具有核心竞争力的技术平台:化学机械抛光液-全品类产品矩阵、功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局、电镀液及其添加剂-实现电镀高端产品系列国产突破。

报告期内,公司在化学机械抛光液板块,积极推进全品类产品的市场拓展和客户端导入进程,全品类产品矩阵布局进一步加强:铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液及新应用的化学机械抛光液等各类产品线的研发及市场拓展进程顺利,客户用量及客户数量均达到预期。其中钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液的产品布局进一步丰富;衬底抛光液产品平台发展快速,应用于大硅片精抛的化学机械抛光液技术研发取得突破,相应技术性能达国际先进水平,并在国内领先硅片生产厂完成论证并实现量产,营业收入贡献逐步显现,同时部分产品已获得中国台湾地区的客户订单。

公司在功能性湿电子化学品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案,持续拓展产品线布局,目前已涵盖刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液及刻蚀液等多种产品系列。报告期内,公司在碱性铜抛光后清洗液取得重要突破,在客户先进技术节点验证进展顺利并完全满足用户生产线性能要求,公司抛光后清洗液产品平台得到进一步丰富。

通过充分的市场调研和技术探索,并结合下游客户的需求、国内相关领域技术进程及公司现有的技术平台,公司在报告期内完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及其添加剂产品系列平台的搭建,并且在自有技术持续开发的基础上,通过技术引进等形式,进一步拓展和强化了平台建设,提升了公司在相关领域的技术水平,研发产品已覆盖多种电镀液添加剂,多种电镀液添加剂在先进封装领域已进入客户量产导入阶段。电镀液及其添加剂系列产品的布局,是公司在横向拓展产品平台的重大迈步,开启市场新征程的同时,进一步助力国内半导体制造用关键材料自主可控供应能力的提升。

至此,公司技术及产品已涵盖集成电路制造中“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺,随着公司研发产品范围及应用的进一步拓展,逐渐覆盖芯片制造中成熟制程及特殊制程多个技术节点,在先进封装领域的产品覆盖面也越来越广,客户数量得到进一步提升。

(二)运营保障效果显著,助力公司业绩稳健增长
公司提前预测并快速响应市场变化情况,主动采取积极措施,实现了产能的高质量扩展,进一步提升供应链管理能力,保障了全年运营计划的充分实施。

报告期内,秉承“使命必达”的工作态度和服务宗旨,公司进一步完善和优化科学有效的产能计划模型,完成多条生产系统的优化升级,提升产能;在包装仓储环节引入自动化设备,有效提升仓库运营效率,降低人力成本,实现公司常态化高效生产运营管理。

公司从国际环境、客户需求等多角度预测,提前部署在原材料及供应链保障方面的计划与对策,完善内部计划管理体系,有效识别关键和战略原材料,加强战略储备,有意识提升战略原材料库存,进一步强化公司产品的供应保障能力;同时公司在关键原材料自主可控的布局和实施上有突破性进展,为公司持续的业绩增长提供良好的支撑和保障。

公司持续内生增长的同时,通过外延扩展发现新机遇。公司通过全资子公司宁波安集投资在新加坡投资新设了境外投资并购平台ANJI MICROELECTRONICS PTE.LTD(新加坡安集)。报告期内,新加坡安集围绕公司产业链上下游,根据公司主营业务及战略发展方向,着眼于公司研发、生产等环节,对在细分领域拥有技术优势的标的进行股权投资。这在支持公司现有业务协同高效发展的同时,也为未来向相邻领域拓展延伸做准备。

(三)能力建设持续提升,支持公司长足发展
报告期内,公司通过优化内部组织架构、运营机制,在管理方面进行持续升级完善,整合管理层级,加强流程再造,有效控制公司的管理成本,进一步提高了针对市场变化的快速反应能力和综合管理效益。

公司加大后备人才引进和培养,整合优势资源,进一步提升公司整体综合实力。报告期内,公司积极推动落实人才的选、育、留、用机制和团队培养建设,着力推动人才结构调整,优化薪酬和激励体系。截至2022年12月31日,公司员工总数394人,较2021年末增长15.99%,各职能团队逐步壮大,其中研发和技术人员180人,较2021年增长19.44%,占员工总人数的45.69%。

团队规模逐渐扩大的同时,团队能力培养初见成效。报告期内,公司加大培训投入,在识别和分析公司人才需求的基础上,针对性地组织内外部培训、研讨交流会、知识分享会,强化学习型组织的理念,构建了结构化、多元化、体系化的学院式培训,有效提升员工的综合素质能力。

报告期内,公司积极落实信息系统提升,IT基础设施全面优化,加强了数据保护的功能,确保信息系统使用高效性及数据安全性;升级强化专利管理电子系统,为专利申请流程检索提供品质与效率的保障。截至2022年12月31日,公司及其子公司共获得250项发明专利授权,其中中国大陆190项、中国台湾50项、美国5项、新加坡3项、韩国2项;另有269项发明专利申请已获受理,全面的知识产权布局有效支撑公司长期研发创新发展;完成海关关务系统的搭建与升级,通过分送集报方式全面提升报关效率;公司持续推进ERP升级项目,致力于打造以ERP为中心,链接各模块并行的信息化集成网络,通过不断优化、精简流程,打造高效的信息化平台,提升业务支撑能力。

公司高度重视可持续发展理念,积极履行企业社会责任义务。报告期内,公司首次系统性搭建可持续发展管理机制,启动公司可持续发展的中长期策略、愿景和目标的制订,将ESG管理理念充分融入企业文化、公司业务开展和员工日常工作中,致力于使安集科技的可持续发展推动世界的可持续发展!

二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。公司成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,实现了进口替代,使中国在该领域拥有了自主供应能力。同时,公司依靠自主创新,在特定领域实现技术突破,使中国具备了引领特定新技术的能力。

在化学机械抛光液板块,公司致力于实现全品类产品线的布局和覆盖,旨在为客户提供完整的一站式解决方案。公司化学机械抛光液产品已涵盖铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液等多个产品平台。同时,公司还基于化学机械抛光液技术和产品平台,支持客户对于不同制程的需求,定制开发用于新材料、新工艺的化学机械抛光液。

在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用等高端功能性湿电子化学品产品领域,致力于攻克领先技术节点难关,并基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品水平的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。目前,公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液等产品。

在电镀液及添加剂产品板块,公司完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列平台的搭建,并在自有技术持续开发的基础上,通过技术引进等横向合作的形式,进一步拓展和强化了平台能力建设,提升了公司在相关领域的综合水平,且大幅度加速了规模量产的进程,研发产品已覆盖多种电镀液添加剂。

公司产品已成功应用于逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率器件、传感器、第三代半导体及其他特色工艺芯片,并已进入半导体行业领先客户的主流供应商行列。

同时,为了提升自身产品的稳定性和竞争力,并确保战略供应,公司开始建立核心原材料自主可控供应的能力,以支持产品研发,并保障长期供应的可靠性。


(二) 主要经营模式
1、采购模式
公司制定了《采购管理程序》和采购管理内部控制流程,并制定了《采购流程》、《供应商管理流程》、《供应灾难恢复程序》等标准作业程序。

(1)一般采购流程
以原、辅材料和包装材料为例,公司的一般采购主要流程如下:
①技术研发部提出材料开发需求,采购部负责开发供应商,并由供应商管理小组负责材料评估、供应商认证、审核、导入及批准为公司合格供应商,采购部负责建立并维护《合格供应商目录》。公司供应商管理小组由采购部、技术研发部、质量部、生产运营部等部门人员组成。

②需求部门提出采购申请,并按照公司审批政策得到合适的批准后提交采购部,采购部负责管理订单执行,质量部负责采购来料检验管理,仓库负责采购入库管理。

③采购部按照采购合同/订单,获取发票,并整理入库及验收等付款凭证提交财务部申请付款并得到审批。

④财务部按照采购合同/订单约定负责采购应付款管理。

(2)外协采购流程
报告期内,公司功能性湿电子化学品中的部分光刻胶剥离液存在委托外协供应商生产的情形,即公司与外协供应商签订协议,外协供应商严格按照公司提供的工艺文件、技术标准来组织生产,进行质量管理控制。公司所有的产品配方、生产工艺、任何发明、设计、技术信息、技术、专有技术或者由公司依协议授权外协供应商使用的商标、商业秘密及其他知识产权属于公司单独所有。公司的外协采购主要流程如下:
①生产运营部根据月度销售预测生成外协采购申请单;
②采购部根据外协采购申请单下订单;
③外协供应商按订单要求安排生产;
④财务部每月末进行外协采购成本核算。

2、研发模式
公司始终围绕自身的核心技术,以自主研发、自主创新为主,形成了科研、生产、市场一体化的自主创新机制。同时,公司与高校、客户等外部单位建立了良好的合作关系,积极开展多层次、多方式的合作研发。公司的研发目标一方面系跟随行业界的技术发展路线图,研发适应产业需求的产品平台;另一方面系基于下游客户的需求,针对性研发满足客户需求的产品。由于从开始研发到实现规模化销售需要较长的时间,公司与技术领先的客户合作开发,有助于了解客户需求并为其开发创新性的解决方案。

公司制定了《研发管理制度》,并建立了研发管理内部控制流程,涵盖研发计划、研发立项、研发过程跟进和费用核算管理、专利申请和取得等环节。公司产品研发及产业化的一般路径主要包括项目立项、产品开发、产品优化和定型、量产、持续改进等五个阶段。

3、生产模式
公司在产品设计及研发前期,即投入大量资源与下游客户进行技术、品质、性能交流。当产品通过客户评价和测试后,销售部会根据客户的产品订单及对于客户使用需求的预测制定滚动出货预测,生产运营部根据年度/月度生产计划、滚动出货预测和库存情况制订具体的生产计划、安排库存。具体而言,生产运营部每年组织各相关部门,根据排产计划编制年度生产计划及月度生产计划。生产运营部会定期进行集体评审,根据每月存货存量、滚动出货预测制定具体的每周生产计划,以确保生产计划满足销售合同以及生产产能的要求;生产运营部组织各相关部门、各产品线负责人召开生产调度会,对生产计划的执行情况进行评审,以确保充分沟通可能影响生产计划变更的各种因素,及时调整生产计划(如及时关闭停工订单),以确保计划调整的及时性及有效性。

公司已经掌握了化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂生产中的核心技术,通过合理调配机器设备和生产资源组织生产。

4、销售模式
公司产品主要应用于集成电路制造和先进封装领域,销售主要采用直接面对终端客户的直销模式。公司在开拓新客户或在原有客户推广新产品时,首先要根据客户的需求进行认证测试,包括产品性能、可靠性、稳定性等多方面测试,认证测试周期一般较长。公司在通过下游客户认证后,客户直接向公司下达采购订单,公司按要求直接向客户发货。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1) 公司所处行业
公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”;根据国家统计局《2017年国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业——C3985电子专用材料制造”。按照行业界的一般分类标准,公司所处行业为半导体材料行业。

公司产品作为新一代信息技术产业用材料,属于战略性新兴产业中新一代信息技术产业和新材料产业的交叉领域。根据国家统计局《战略性新兴产业分类(2018)》,公司产品属于“1新一代信息技术产业——1.2电子核心产业——1.2.3高储能和关键电子材料制造(C3985电子专 用材料制造)”和“3新材料产业——3.3先进石化化工新材料——3.3.6专用化学品及材料制 造(C3985电子专用材料制造)”。 (2) 行业基本特点及主要技术门槛 材料和设备是半导体产业的基石,是推动集成电路技术创新的引擎。一代技术依赖于一代工 艺,一代工艺依赖一代材料和设备来实现。 半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,对半导体产业发展起着重要支撑作用,具有 产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。 材料是半导体产业的重要支撑 第一,产业规模大。半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料。根据SEMI,2021年全球半导体材料销售额为643亿美元,相较于2020年的555亿美元同比增长15.9%,其中晶圆制造材料和封装材料的销售额分别为404亿美元和239亿美元,同比增长率分别为15.5%和16.5%。从地区来看,2021年中国台湾凭借其强大的晶圆代工和先进封装基础,以147亿美元连续第十二年成为半导体材料的最大消费地区,增长率15.7%;中国大陆由于积极建厂,半导体材料市场销售额119亿美元,增长率21.9%,继续超越韩国位列第二。

第二,细分行业多。半导体材料行业是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节,其中晶圆制造材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、工艺化学品、电子特气、抛光液和抛光垫、靶材及其他材料,封装材料包括引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝、包封材料、芯片粘结材料及其他封装材料,每一种大类材料又包括几十种甚至上百种具体产品,细分子行业多达上百个。

第三,技术门槛高、研发投入大、研发周期长。由于半导体材料尤其是晶圆制造材料在集成电路芯片制造中扮演着重要的角色,甚至部分关键材料直接决定了芯片性能和工艺发展方向,因此下游客户对于产品的要求极为苛刻,在上线使用前需要长周期的测试论证工作,并且上线使用后也会通过较长周期逐步上量。加之产品在能够进入测试论证阶段之前需要经历长时间、高难度的研发阶段,研发过程中需要大量的研发投入。

(3) 行业发展阶段及化学机械抛光液、湿电子化学品、电镀液及添加剂细分领域市场情况 A.化学机械抛光液市场情况 化学机械抛光(CMP)是半导体先进制程中的关键技术,其主要工作原理是在一定压力下及 抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学 试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低 缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至 几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同,CMP工艺是通过表面化 学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面 的高度(纳米级)平坦化效应,使下一步的光刻工艺得以进行。 CMP工艺原理图 随着制程节点的进步,CMP技术越来越重要,已成为0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺,且随着多层布线的数量及密度增加,其对后续工艺良率的影响越来越大。此外,先进封装技术的应用使CMP从集成电路前道制造环节走向后道封装环节,如硅通孔(TSV)等先进封装技术对引线尺寸要求更小更细,因此会引入刻蚀、光刻等工艺,而CMP作为每道工艺间的抛光工序,得以广泛应用。

对于逻辑芯片,制程的缩小意味着光刻次数、刻蚀次数增加,也带动CMP工艺步骤数增加。

例如14纳米技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数将由180纳米技术节点的10次增加到20次以上,而7纳米及以下技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数甚至超过30次。此外,更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料,为抛光液带来了更多的增长机会。同样地,对于存储芯片,随着由2D NAND向3D NAND演进的技术变革,也会使CMP工艺步骤数近乎翻倍,带动了钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。

化学机械抛光液在CMP技术中至关重要,其耗用量随着晶圆产量和CMP平坦化工艺步骤数增加而增加。根据应用的不同工艺环节,可以将抛光液分为硅抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、介质层抛光液、浅槽隔离(STI)抛光液以及用于先进封装的硅通孔(TSV)抛光液等。抛光液特点为种类繁多,即使是同一技术节点根据不同客户的工艺技术要求也有不同配方,其主要原料包括纳米磨料、各种添加剂和超纯水。其中,纳米磨料是决定抛光液性能的关键原料,主要包括硅溶胶、气相二氧化硅和二氧化铈等品类。

根据TECHCET,2022年全球晶圆制造用抛光液市场规模预计超过20亿美元,2026年将达到26亿美元。根据中金公司证券研究报告,国内抛光液市场增速有望显著高于全球市场,2025年国内抛光液市场有望占全球市场的25%,达40亿元,2021-2025年复合增长率达15%。

B.湿电子化学品市场情况
湿电子化学品是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的关键性基础化工材料之一,一般要求超净和高纯,对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同,可将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。通用湿化学品以高纯溶剂为主,例如过氧化氢、氢氟酸、硫酸、磷酸、盐酸、硝酸等。功能性湿化学品是指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复配类化学品,主要包括光刻胶剥离液、清洗液、刻蚀液等。

具体而言,功能性湿电子化学品在半导体制造领域的应用主要涉及光刻、刻蚀、离子注入、CMP工艺。光刻工艺结束后,下一步工艺为刻蚀工艺,首先用到的湿化学品为刻蚀液,通过特定的溶液与需要刻蚀的薄膜材料发生化学反应,除去光刻胶未覆盖区域的薄膜,被称为湿法刻蚀。

刻蚀后,需要对未曝光部分的光刻胶进行去除,此时用到的湿化学品为光刻胶剥离液,剥离液要求对光刻胶有较强的溶解性能。在金属化工艺中,应用的主要湿化学品为铜电镀液,起到芯片铜互连的作用,铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁移性,能够满足芯片尺寸越小、功能越强大、能耗更低的技术性能要求。清洗液用于半导体制造的清洗工艺,去除灰尘、微粒、金属或离子型导电污染物及有腐蚀作用的无机、有机污染物等。根据其应用工艺不同,清洗液可分为化学机械抛光(CMP)后清洗液、铝工艺刻蚀后清洗液、铜工艺刻蚀后清洗液等。

湿电子化学品的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响。随着集成电路技术的不断发展,湿电子化学品必须与之同步发展。以逻辑芯片制造工艺为例,根据CMC Materials官网公开披露的资料,5纳米技术节点所要求的总工艺步骤数将由28纳米技术节点的400次左右增加到1,200次以上,其中清洗工艺步骤数占总工艺步骤数的25~30%,进一步带动了高端湿电子化学品的需求。此外,随着技术节点的进步,下游客户对纯度及污染物控制的要求也会提高,以避免可能引致的产品缺陷。

根据中国电子材料行业协会统计,2022年全球集成电路用湿化学品市场规模预计为56.90亿美元,2025年将进一步增加到63.81亿美元;中国集成电路用湿化学品总体市场规模预计2025年将增长至10.27亿美元。

C.电镀液及添加剂市场情况
铜互连技术是集成电路制造的关键工艺。在铜互连电镀工艺中,将带有扩散阻挡层和籽晶层的芯片浸没在含有添加剂的高纯电镀液中,用电镀工艺填充已经刻蚀好的互连穿孔(Via)和槽隙(Trench)。其中铜互连电镀添加剂包括加速剂、抑制剂及整平剂,在电镀工艺中起到关键作用,通过不同组分相互作用,实现从下到上填充效果以及镀层晶粒、外观及平整度。大马士革铜互连工艺在8 英寸以上晶圆、 130nm 以下芯片制造中得到广泛应用。

在先进封装方面,为了进一步提高集成电路性能,需要缩短晶圆间、晶圆与印刷电路板间连线距离,超越摩尔技术变得越来越重要。电镀是超越摩尔技术关键工艺,具体包括凸块电镀(Pillar bump、solder bump、gold bump)、再分布线(RDL)、硅通孔(TSV)电镀等。

随着先进逻辑器件技术节点带来的互连层的增加,先进封装对重新布线层和铜柱结构应用的增加,以及广泛运用铜互连技术的半导体器件整体增长,带动了电镀液及其添加剂市场的增长。

根据TECHCET预测,2022年全球集成电路电镀液市场规模将增长8.1%,达到10.19亿美元。其中铜互连电镀液是集成电路电镀液市场最大的组成部分,预计2022年将超过7.10亿美元, 2021-2026年复合增长率为8.6%。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司自成立以来一直致力于集成电路领域化学机械抛光液和功能性湿电子化学品等产品的研发,以填补国产关键半导体材料的空白。报告期内,公司进一步拓展产品及技术平台,成功搭建了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及其添加剂产品系列平台。公司成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断,实现了进口替代,并在部分制程开启行业原始创新,使中国在该领域拥有了自主供应能力。公司经过多年以来的技术和经验积累、品牌建设,凭借扎实的研发实力及成本、管理和服务等方面的优势,在半导体材料行业取得了一定的市场份额和品牌知名度。

公司围绕自身的核心技术,依托现有技术平台,在化学机械抛光液板块,积极加强、全面开展全品类产品线的布局,旨在为客户提供完整的一站式解决方案;在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道封装用等高端产品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案;在电镀液及添加剂板块,成功搭建应用于集成电路制造及先进封装领域的技术平台,实现电镀高端产品系列国产突破。公司围绕自身核心技术,基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品能力的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 2022年,国际贸易摩擦对半导体产业的影响仍在持续,外部环境的波动也给整个行业的发展带来了诸多不确定性。但是可以确定的是,众多的应用如人工智能、AR/VR、物联网、自动驾驶汽车、云计算、5G/6G、智能城市、医疗健康等都依赖于半导体技术进步来实现其创新。半导体行业的发展源动力深远而巨大,发展驱动力依旧强劲,多个国家和地区出台的提振本土半导体产业发展的相关政策和各界资金向半导体行业的集中反映出相关政府和市场对于行业的认可和正向预期。

2021年是“十四五”规划的开局之年,全国各地都制定了集成电路相关产业规划,并提出了2025年产业规模目标。预估到2025年,我国集成电路产业规模将高达4万亿元。国家及地方集成电路产业基金也继续向集成电路产业投资支持产业发展。 此外,汽车行业、手机厂商和互联网企业也向芯片制造领域延伸。国内芯片制造及先进封装市场规模的增长也带动了对上游关键材料需求的增长,为公司未来业务增长提供了有力支撑。


(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,核心技术权属清晰,技术水平国际先进或国内领先,成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程,包括金属表面氧化(催化)技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术、选择性刻蚀技术、电子级添加剂纯化技术、磨料制备技术、电镀液添加剂技术等。

公司核心技术的应用主要体现在产品配方和生产工艺流程两个方面。一方面,公司基于核心技术研发产品配方并通过申请专利等方式加以保护,产品配方是核心技术的具体体现。另一方面,生产工艺流程是公司产品生产过程的关键,也是核心技术转化为最终产品的实现手段,公司通过技术秘密等形式对生产工艺流程予以保护。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2020年度化学机械抛光液及功能性湿电子化学品等

2. 报告期内获得的研发成果
公司始终秉承“研发创新驱动企业发展”的理念,持续研发投入,不断提升研发创新能力,加大市场开拓力度。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建三大具有核心竞争力的技术平台:化学机械抛光液-全品类产品矩阵、功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局、电镀液及其添加剂-实现电镀高端产品系列国产突破。

公司围绕自身核心技术,基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品能力的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。报告期内,公司化学机械抛光液全品类产品矩阵布局进一步加强:铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液及新应用的化学机械抛光液等各类产品线的研发进程及市场拓展顺利,客户用量及客户数量均达到预期。

在铜及铜阻挡层抛光液方面,公司紧跟摩尔定律,紧跟行业领先客户的先进制程,提前进行技术平台的布局及技术能力的积累,持续推进相关产品的研发,持续优化先进技术节点产品的性能及稳定性,部分领先技术产品在重要客户端完成发布;与成熟制程芯片制造厂保持紧密合作,持续改进成熟技术节点的产品,为量产做好准备。

在介电材料抛光液方面,公司持续开发及优化氮化硅抛光液。报告期内,公司首款氮化硅抛光液通过客户验证并量产销售,实现商业化,使国内具备氮化硅抛光液产品自主供应能力,同时也进一步提升了公司的介电材料抛光液产品平台的竞争力。

公司钨抛光液在逻辑芯片和存储芯片领域的应用范围和市场份额持续上升,钨抛光液产品在逻辑芯片先进技术节点通过验证并实现销售,多款产品在逻辑芯片成熟制程和先进制程进行测试验证,进展顺利。

公司与客户紧密合作,共同开发的基于氧化铈磨料的抛光液产品突破技术瓶颈,目前已在3D NAND先进制程中实现量产并在逐步上量;报告期内,基于氧化铈磨料的抛光液在国内领先的存储客户持续突破,多款新产品完成论证测试并实现量产销售,部分产品已成为主流,国产自主供应能力持续加强。

在衬底抛光液方面,公司紧跟国内大硅片企业的发展和打造材料自主可控能力的趋势,充分了解客户的需求后定制化开发抛光液产品。报告期内,公司研发的硅精抛液取得突破,技术性能达到国际先进水平,并在国内领先硅片生产厂完成论证并实现量产,营业收入增长明显,部分产品已获得中国台湾客户的订单。第三代半导体作为下一代的衬底材料同样发展迅速,公司积极投入研发,为客户定制开发的用于第三代半导体衬底材料的抛光液,进展顺利,部分产品已获得海外客户的订单。

公司在功能性湿电子化学品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案,并持续拓展产品线布局,目前已涵盖刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液及刻蚀液等多种产品系列。报告期内,公司在碱性铜抛光后清洗液取得重要突破,在客户先进技术节点验证进展顺利,进入量产阶段,进一步完善了公司抛光后清洗液产品平台。

电镀是集成电路制造关键工艺,电镀液及其添加剂是实现电镀技术的关键材料,集成电路用电镀液在技术指标、研发难度、认证周期等方面要求极高,属于电镀领域的高端产品。在集成电路制造及先进封装中,电镀广泛应用于集成电路制造大马士革工艺、硅通孔工艺(TSV)、先进封装凸点工艺(bump)以及再分布线(RDL)工艺,实现金属互联。通过充分的市场调研和技术探索,并结合下游客户的需求、国内相关领域技术进程及公司现有的技术平台,公司在报告期内完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列平台的搭建,并且在自有技术持续开发的基础上,通过技术引进等形式,进一步拓展和强化了平台建设,提升了公司在相关领域的技术水平,研发产品已覆盖多种电镀液添加剂,多种电镀液添加剂在先进封装领域已进入客户量产导入阶段。电镀液及添加剂系列产品的布局,是公司在横向拓展产品平台的重大迈步,开启市场新征程的同时,进一步助力国内半导体制造用关键材料自主可控供应能力的提升。

至此,公司技术及产品已涵盖集成电路制造中“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺。随着公司研发产品范围及应用的进一步拓展,应用逐渐覆盖芯片制造中成熟制程及特殊制程多个技术节点,在先进封装领域的产品覆盖面也越来越广,客户数量得到进一步提升。

与此同时,公司持续加快建立核心原材料自主可控供应的能力,以优化产品性能及成本结构,提升现有产品竞争力,保障长期供应的可靠性,并在研究中寻求开发新产品的技术可行性。

报告期内,参股公司山东安特纳米材料有限公司开发的多款硅溶胶已在公司多款抛光液产品中通过内部测试,并在积极与客户合作进行测试验证中,部分已完成验证,开启量产阶段;同时,公司通过自研自建的方式持续加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主可控能力,进展顺利,目前已完成中试验证,正在进行规模化量产能力建设。公司通过自建、合作等多种方式,加强产品及原料的自主可控,并已取得突破性进展,部分关键原材料成功已实现量产。

公司持续投入大量资金、人力等研发资源,夯实现有研发平台能力建设,把握产品迭代更新,不断提高研发成果转化效率,公司产品的应用能力和延展能力得到进一步提升。公司坚持研发创新的同时,不断完善自主知识产权的布局,截至2022年12月31日,公司及其子公司共获得250项发明专利授权,其中中国大陆190项、中国台湾50项、美国5项、新加坡3项、韩国2项;另有269项发明专利申请已获受理。

报告期内获得的知识产权列表


 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利6015269250
实用新型专利    
外观设计专利    
软件著作权    
其他    
合计6015269250

3. 研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入161,364,582.09153,107,847.925.39
资本化研发投入---
研发投入合计161,364,582.09153,107,847.925.39
研发投入总额占营业收入 比例(%)14.9922.30减少7.31个百分点
研发投入资本化的比重(%)00-

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用


4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序 号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1铜抛光液 系列产品12,000.003,625.783,625.78优化用于先进技术节点的 产品,在多个客户端进行 测试验证并实现销售;优 化用于先进技术节点的产 品平台;开发用于成熟技 术节点的具有更高性价比 的产品并在多个客户端进 行测试验证。先进技术节点产品在更多的客 户端测试验证并优化;持续优 化用于先进技术节点的产品平 台;优化用于成熟技术节点的 具有更高性价比的产品并在客 户端测试验证。达到国际 先进水平产品满足成熟制程和 先进制程的技术要 求,具有成长空间。
2阻挡层抛 光液系列 产品3,500.00994.15994.15优化用于先进技术节点的 产品,在多个客户端进行 测试验证并实现销售;优 化用于先进技术节点的产 品平台;开发用于成熟技 术节点的具有更高性价比 的产品并在多个客户端进 行测试验证。先进技术节点产品在更多的客 户端测试验证并优化;持续优 化用于先进技术节点的产品平 台;优化用于成熟技术节点的 具有更高性价比的产品并在客 户端测试验证。达到国际 先进水平产品满足成熟制程和 先进制程的技术要 求,具有成长空间。
3钨化学机 械抛光液12,000.003,800.143,800.14用于28nm的产品通过验 证,实现量产;开发多款用 于28nm以下技术节点的产 品;优化用于成熟技术节 点的产品并在多个客户端 测试验证。优化用于28nm以下技术节点 的产品并在客户端测试验证; 持续验证用于成熟技术节点的 产品,扩大应用范围。达到国际 先进水平产品满足成熟制程和 先进制程的技术要 求,具有成长空间。
4硅衬底抛 光液系列 产品1,500.00130.561,250.30硅精抛液通过多个客户验 证,实现量产,并成功导持续优化硅精抛液并在客户端 验证,扩大市场份额;持续优 化硅粗抛液并在客户端验证。达到国际 先进水平逐步完善产品,扩大 应用和市场份额。
     入中国台湾市场;开发和 优化硅粗抛液。   
5基于氧化 铈的抛光 液系列产 品6,000.001,722.491,722.49优化完成多个基于氧化铈 磨料的抛光液并在领先的 存储芯片和成熟的逻辑芯 片制程通过验证,实现量 产;研发和优化用于28nm 及以下技术节点的产品并 在客户端进行测试。优化用于28nm及以下技术节 点的产品并在客户端进行测试 验证。达到国际 先进水平逐步完善产品,扩大 应用和市场份额。
6介电材料 抛光液系 列产品1,200.00247.71247.71优化完成氮化硅抛光液并 在DRAM芯片制程通过验 证,实现量产;开发和优 化具有更高性价比的氧化 硅抛光液。持续开发和优化氮化硅抛光液 并在客户端测试验证;具有更 高性价比的氧化硅抛光液在客 户端测试验证。达到国际 先进水平逐步完善产品,扩大 应用和市场份额。
7新材料新 工艺用抛 光液系列 产品300278.68278.68针对客户需求,定制化开 发新材料新工艺用抛光液 如碳抛光液和聚合物抛光 液,优化三维集成用的抛 光液如混合键合抛光液 等,并在客户端进行测 试;用于三维集成的TSV 抛光液在更多的客户端通 过验证,实现销售。持续与客户合作,完成新材料 用抛光液和三维集成用抛光液 的开发和测试,扩大应用。达到国际 先进水平持续扩大应用和市场 份额。
8刻蚀后清 洗液12,000.002,601.072,601.07优化现有技术平台用于先 进技术节点、先进存储工 艺,并在客户端验证中。持续与客户合作,完成先进技 术节点刻蚀后清洗液开发及产 业化达到国际 先进水平逐步完善产品,扩大 应用和市场份额。
9光刻胶剥 离液1,000.00108.00174.51批量应用于晶圆级封装等 超越摩尔领域中,并持续 扩大应用。厚膜光刻胶剥离液持续优化, 满足超越摩尔等产品需求达到国际 先进水平满足先进技术节点需 求,市场前景广阔。
10刻蚀液2,000.00398.54650.73成功建立刻蚀液技术平 台,刻蚀液研发正在按计 划进行中。开发适用于12英寸先进制程 独特配方型刻蚀液,支持先进 工艺发展达到国际 先进水平满足先进技术节点需 求,市场前景广阔。
11电镀液1,000.00407.55407.55初步完成电化学镀技术平 台的建立,电镀液添加剂 研发及验证按计划进行 中。建立电化学镀技术平台,开发 满足集成电路大马士革工艺及 先进封装凸点工艺等电镀液添 加剂并进行客户验证接近国际 同类产品 水平满足集成电路大马士 革工艺及先进封装需 求,市场前景广阔。
12电子级添 加剂纯化1,000.00916.301,211.90成功建立电子级添加剂纯 化技术平台,多款添加剂 纯化达到ppb级别,并实 现量产。开发电子级添加剂纯化技术, 实现原材料自主可控达到国际 先进水平满足先进技术发展需 求,有效支持公司长 期发展。
13高端纳米 磨料1,000.00905.491,298.03多个磨料颗粒进入中试阶 段。抛光指标和性能接近国际同类 产品接近国际 同类产品 特性客制化磨料与进口磨 料互补,保障供应安 全。
合 计/54,500.0016,136.4618,263.03////
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