[年报]东芯股份(688110):2022年年度报告
原标题:东芯股份:2022年年度报告 东芯半导体股份有限公司 2022年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析” 之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人朱奇伟及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，向全体股东每10股分派现金股利1.26元（含税），预计分派现金红利55,723,469.51元（含税）。本年度不进行资本公积金转增股本，不送红股。 如在实施权益分派的股权登记日前公司总股本及应分配股数发生变动的，拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。2022年利润分配方案已经第二届董事会第五次会议审议通过，尚需提交2022年年度股东大会审议通过。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成本公司对投资者的承诺，敬请投资者注意投资风险 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 40 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 62 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 68 第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 105 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 114 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 115 第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 115
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1.本报告期公司实现营业收入114,600.09万元，同比增长1.03%，与上年同期相比微增。 2.本报告期公司实现归属于上市公司股东的净利润18,543.22万元，同比减少29.17%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 16,485.63万元，同比减少35.42%，主要系（1）研发费用增长：本期随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、研发设备等均较去年同期有所增加。（2）计提的存货跌价准备增长：受下游应用市场需求疲软的影响，公司部分产品市场价格持续下滑，根据企业会计准则规定，经谨慎性考虑后，公司对存在减值迹象的存货计提跌价准备。 3.本报告期经营活动产生的现金流量净额为-26,101.76万元，同期减少322.10%，主要系：本期公司对晶圆代工厂支付一定的产能保证金，以保障晶圆厂产能。 4.报告期，公司基本每股收益及稀释每股收益 0.42元/股，较上年同期减少45.45%，扣除非经常性损益后的基本每股收益 0.37元/股，较上年同期减少50.67%，主要系本报告期净利润较去年同期下降，以及加权平均股本较去年同期增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2022年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十一、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 东芯股份是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。公司是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。 2022年，在地缘政治局势紧张、全球经济下滑、半导体行业周期性波动的宏观背景下，公司积极应对挑战，不断精进研发技术实力，持续开发新产品，加强品质与服务管理，开拓新市场与新应用，总体发展稳中有进。报告期内，公司实现营业收入11.46亿元，较上年同期增长1.03%；实现归属于上市公司股东的净利润为1.85亿元，较上年同期下降29.17%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.65亿元，较上年同期下降35.42%。截止2022年12月 31日，公司总资产43.24亿元，同比增长3.47%；归属于上市公司股东的净资产39.31亿元，同比增长2.89%。 （一）坚持技术创新、加大研发投入 公司高度重视并始终保持高水平研发投入，坚持技术创新，保证公司产品的技术先进性。 2022年公司坚持开发新产品和技术升级。 公司的 SLC NAND Flash量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电 28nm的制程为主，公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NAND Flash产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnm NAND Flash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。 公司的NOR Flash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的NOR Flash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。 公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。 车规产品研发进度方面，公司基于中芯国际 38nm工艺平台的SLC NAND Flash以及基于力积电48nm工艺平台的NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。 公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护。报告期内，公司新申请了63项发明专利、1项软件著作权、13项集成电路布图设计权。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利70项、软件著作权13项、集成电路布图设计权68项、注册商标11项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利150项，获得专利授权69项，专利涉及NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。 公司持续加大研发投入力度，报告期内，公司研发费用1.10亿元，占当期营业收入9.63%，较上年同比增长3.03个百分点。截至报告期末，公司研发与技术人员共130名，数量较上年同期增加49.43%。 （二）扩大产品线布局、开拓新应用领域 公司积极扩大产品线布局，凭借对产品下游应用细分市场的分析累积和产品优势特点，准确把握市场应用需求，聚焦投入，形成了完整的NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP的产品供应链。 公司的SLC NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的SLC NAND Flash产品使用温度范围可达到-40℃-105℃，部分已经通过AEC-Q100的验证；凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。 公司自主设计的SPI NOR Flash存储容量覆盖 64Mb至1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完成了从65nm至48nm的制程推进。 公司研发的DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。 公司推出的 LPDDR1 和LPDDR2 系列，适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的 LPDDR4x以及PSRAM 产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和模块类客户。 公司积极布局高可靠性工业类应用，依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。 （三）加强供应链合作，保障产能稳定 公司始终秉持着“本土深度，全球广度”的供应链布局，以国产化供应链安全和自主可控为目标，不断推进国产化供应链的同时也积极与国际大厂展开合作。2022年公司进一步优化产业链结构，加深与中芯国际及力积电两家国际一流大厂的合作范围与合作深度。公司与战略合作伙伴中芯国际在工艺调试设计、产品开发等环节继续深化交流与合作。双方在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上展开连续多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。在封装测试方面，公司已经与宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。公司始终重视与晶圆厂和与封测厂的合作，将持续深化业务往来与技术协作，建立健全的全球化供应链以满足不同客户的需求。 （四）强化质量管理，提供优质服务 公司秉持着“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”的质量方针不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。公司设有专人管理质量体系，生产质量，测试质量，产品仓储运输等生产相关环节。针对关键工艺细节管控及关键原材料把关，公司将在充实相关部门人力资源的同时，持续加强与代工厂的深入合作，整合各方资源，优化整体制造环境，从而不断提升产品生产制造品质。 2022年度，公司不断优化内部质量系统化建设。项目研发阶段，在原有的流程基础上开发了支持系统，实现了项目系统化管理，提升了项目开展效率；在客户反馈环节实现电子化管理，提升了服务效率的同时，更进一步加强了客户端信息和产品改善之间的信息联动，为卓越提升东芯产品品质打下了坚实的基础。公司持续推进公司内部车规质量体系的建立，并帮助供应商完善车规管理体系；持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度，得到了客户的一致好评。 公司建立了优秀的客户服务团队，并制定了客户技术支持的服务规范、客户投诉的处理流程、不合格产品的管控程序、产品失效分析程序等一系列制度规则，旨在高效率、高质量地应对不同客户的服务需求。公司将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成一个良好的处理闭环，持续提升品质管控体系，推动公司产品不断精益求精。 （五）完善人力资源管理，吸引优秀人才 自成立伊始，公司就非常重视人才队伍建设和储备，不断加强人才培养机制，除了持续引入具有国际视野的、有丰富行业经验和管理经验的研发及管理人员外，也通过各种培养项目锻造执行团队，以梯队化的方式进行人才团队建设工作，构建了本土化的人才团队。 公司重视人才梯队建设，报告期内，公司结合社招、校招、内部推荐等多种方式吸纳人才，报告期内公司员工数量从184人增加至234人，增长27.17%，其中研发与技术人员从87人增加至130人，增长49.43%，研发人员占比从47.28%增加至55.56%。 公司重视人才的培训，制定了年度培训计划，通过外部专家培训、内部集中培训、以老带新等多种形式，对公司各领域人才进行系统的专业培训，以提高员工的专业素养和归属感。 公司建立了清晰和科学的职级体系和晋升路径，激励员工不断提高专业性和胜任能力，以保证公司人才能力的积极向上与良性发展的趋势。除此之外，公司通过股权激励的形式对关键岗位人才进行激励。公司于2022年2月14日，以授予价格21.13元/股向符合首次授予条件的77名激励对象授予170.04万股限制性股票。实施本激励计划有利于进一步完善公司治理结构，建立、健全公司激励约束机制，增强公司管理团队和业务骨干对实现公司持续、健康发展的责任感、使命感，有利于公司的持续发展。 （六）严格履行信息披露，重视投资者关系 公司建立了严格的《信息披露管理制度》，并指定董事会秘书负责信息披露工作，确保披露 内容真实、准确、完整、及时。公司信息披露保密机制完善，未发生信息泄密或内幕交易等情 形，能够保证投资者公平获得公司信息。同时公司建立了内幕信息知情人登记备案制度，公司已 针对公司经营、财务以及其他内幕信息事项的知情人做好登记管理工作。 公司重视投资者关系相关活动，圆满完成了2021年年度、2022年一季度、中期、三季度的 业绩发布、路演和市场宣传工作.公司管理层出席业绩说明会。2021年年度及2022年一季度业 绩说明会通过视频的方式与投资者积极沟通交流。2022年公司积极与资本市场沟通，2022年累 计参与线上线下路演69场，与境内外的主要投资者及券商均建立了良好的联系。2022年公司荣 获金桥奖年度“创新赋能高质量发展半导体公司”奖、2022年中国上市公司投资价值金梧桐奖 “最佳投资者关系管理上市公司”、2022金融界金智奖“杰出成长性企业奖”以及上市公司 2021年报业绩说明会“优秀实践奖”。 公司始终重视投资者的管理与维护，利用股东大会、投资者线下路演、主动拜访投资者、资 本市场会议、电话会、午餐会、投资者热线、电子邮件、上证e互动等多种方式，积极做好资本 市场沟通工作，传递公司战略布局调整、经营业绩及研发进度等情况，积极解答公司相关疑问， 维护公司良好的资本市场形象。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解 决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致 力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品 及服务。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制 程，实现了国内闪存芯片的技术突破。 图：公司产品应用示例 2、主要产品或服务 存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash；易失性存储芯片 DRAM 以及衍生产品MCP： （1）NAND Flash NAND Flash 即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量 NAND Flash 主要为 MLC、TLC NAND Flash 或 3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量 NAND Flash主要是 SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司 NAND Flash 产品属于 SLC NAND Flash，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印 机、穿戴式设备等。 公司聚焦平面型 SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量 覆盖 512Mb 至 32Gb，可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，搭配 3.3V/1.8V两种电压，可满足 客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成 在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产 品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，产品可靠性逐步从工 业级标准向车规级标准迈进。 图：公司NAND Flash产品 （2）NOR Flash NOR Flash 即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通 过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代 码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满 足快速启动应用系统的需求。 公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，并支持多种数据传输模式， 普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。 图：公司NOR Flash产品 （3）DRAM DRAM 是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。 公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的 LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。 图：公司DRAM产品 （4）MCP MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与 数据处理功能。 公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗1.8v SLC NAND Flash闪存芯片与低功耗设 计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手 机、MIFI、通讯模块等产品。公司的NAND MCP在提供高可靠性，大容量存储的同时，可以保证 客户的长期供应，客户在使用NAND MCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提 高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。 图：公司MCP产品 （5）技术服务 公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。 在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。 (二) 主要经营模式 集成电路产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试等环节组成。从经营模式来看，主要分为 IDM 模式（企业业务覆盖集成电路的设计、制造、封装和测试的所有环节）和 Fabless模式（无晶圆生产线集成电路设计模式，即企业只进行集成电路的设计和销售，将制造、封装和测试等生产环节分别外包给专业的晶圆制造企业、封装和测试企业来完成）两种。公司作为 IC设计企业，自成立以来一直采取 Fabless 模式，专注于集成电路设计及最终销售环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。 公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。在经销模式下，作为上下游产业的纽带，经销商在开拓市场、提供客户维护、加快资金流转等方面具有优势。经销模式有效提高了行业内企业的运作效率，助推企业快速发展。直销模式下，企业与终端客户保持紧密联系，通过与终端客户的直接交流有助于及时感知行业变化趋势，缩短了公司的销售流程，精准把握市场需求，促进产品技术创新与改进，不断推出满足市场需求的优质产品。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据证监会发布的《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。 2022年全球宏观经济情况复杂多变，受行业周期性影响，全行业库存达到历史高位，需求端则持续低迷，其中消费电子产品需求几乎降至冰点，部分产品价格较前年“腰斩”。集成电路是信息技术产业基石，近年得益于良好的政策推动以及巨大的市场需求，中国集成电路产业不断成长。中国海关总署公布的数据显示，2022年集成电路进口量从2021年的6356亿下降15%至5384亿。根据美国半导体工业协会（SIA）数据显示，2022年全球半导体销售额将达到5735亿美元（目前约3.88万亿元人民币），创历史新高。中国集成电路需求旺盛，而自给量不足，贸易逆差庞大，特别是一些高端芯片、核心技术仍旧依赖国外进口，在当前中美贸易摩擦的情形下，集成电路产业国产替代大有可为。 2022 年在宏观经济环境恶化以及全球部分地区性因素的影响下，市场的终端需求锐减，同时企业的库存问题也从下游不断传导到上游，进一步抑制了对存储芯片产品的需求。尤其在 2022 年下半年，存储市场更是经历着“寒冬”，全年存储市场同比下降12.6%。周期性是半导体行业的常态，存储芯片行业是作为强周期的行业，行业低谷不会长期持续，随着大数据时代的向前推进，元宇宙、自动驾驶、人工智能等数据密集型应用技术不断涌现，势必将引发数据存储的浪潮。随着逐渐放开，通胀等各类不利因素的减弱，从全球范围来看，中国市场仍有较大机会。 在 NAND Flash 产品上，主要厂商有三星电子、铠侠、海力士、美光科技等国际企业，占据全球主要市场，产品类型以大容量存储的 3D NAND Flash为主。目前在低容量2D NAND Flash市场，公司通过差异化市场需求切入该细分领域市场，目前该产品在国内已取得技术及市场竞争优势。 在NOR Flash产品上，厂商主要有旺宏电子、华邦电子、赛普拉斯、兆易创新等。产品规格方面，公司覆盖中大容量产品及低功耗NOR Flash 产品。基于对物联网、穿戴式电子产品的广泛需求，市场对 NOR Flash 需求持续旺盛。 在 DRAM 领域，海外厂商占据主要份额，主要的 DRAM 厂商包括韩国的三星电子、海力士和台湾地区的企业，以中小企业为主，如南亚科、华邦电子、晶豪科技，主要从事利基型 DRAM产品，国内DRAM厂商主要为合肥长鑫。 在MCP产品方面，通过将闪存芯片与 DRAM 进行合封，主要的供应商包括济州半导体，南亚科，晶豪科技等。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 公司产品涵盖 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等主流存储芯片，凭借产品丰富、性能可靠、能耗节省等特点，多款代表公司技术水平的核心产品获得国内外多家知名企业的认可，在工艺制程和产品性能上形成一定优势。 工艺制程方面，公司的 NAND Flash 已具备2xnm 制程的量产能力，并向1xnm 制程进一步迈进。NOR Flash 可实现 48nm 制程量产；DRAM可实现25nm工艺节点的量产。公司将持续针对闪存芯片制程升级开展研发和设计，继续向先进制程工艺推进。 公司目前可以同时提供包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM等主要存储芯片完整解决方案。 公司自主设计研发的SLC NAND Flash产品作为公司的拳头产品已进入各领域标杆客户的供应链体系。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5G CPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司作为目前中国大陆的存储芯片设计企业，将继续围绕发展战略和方向，积极应对国际环境及竞争环境变化，立足现有基础和优势，持续加大技术和产品研发投入，提高市场占有率，把握新兴应用领域增量市场，积极推动公司稳定持续发展。 报告期内公司持续获得多项荣誉。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。在专业技术领域，公司荣获了ASPENCORE颁发的“2022中国IC设计成就奖之年度创新IC设计公司”、2022全球电子成就奖之年度存储器（SPI NAND Flash——DS35X4GM-IB）、第四届硬核中国芯领袖峰会之2022年度最佳存储芯片奖、2022年度最有影响力IC设计企业奖、2022第七届中国IoT创新奖-技术创新奖等多个奖项。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）制程不断更迭，设计制造环节加深产业联动 集成电路制程的先进性决定了存储芯片的成本和性能。目前作为半导体生产的经营模式，虽然已有IDM和Foundry的模式，但是也有富含中国特色的新型半导体生产模式—“Commune IDM”,即“CIDM”模式。在CIDM模式中，由10-15个单个企业进行联合出资半导体的设计、研发、生产、封装、测试、营销、销售、最终产品组装等，这些出资者就像共同体（Commune）一样合作，形成一个半导体的生产平台，在这个平台上所有参加者共同构筑双赢关系。这样汇集众多企业的CIDM 模式，不仅可以实现资源共享，还可以减少设计公司的重资产投入风险。 在产品性能方面，以SLC NAND Flash为例子最重要的性能指标是可靠性、功耗、数据传输速度等。目前 SLC NAND Flash擦写次数达到 10 万次，数据保存时间达到 10 年；在功耗方面待机电流达到 10μA；在传输速度方面，当前 SLC NAND Flash芯片的数据传输速率约为 104MHz。未来 SLC NAND Flash芯片主要在降低成本和功耗、提升数据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。随着制程的不断推进，SLC NAND Flash产品将进入更多的应用领域，在网络通讯、机顶盒、可穿戴设备、智能家居等领域市场容量将进一步增加。随着网通设备、安防监控、大数据、物联网的快速发展，用户对存储芯片的容量提出了越来越高的要求，部分领域如智能穿戴产品等甚至呈现出SLC NAND Flash替代NOR Flash承担程序代码存储应用的趋势。 存储器向着更高容量，更低功耗，更快带宽方向发展的同时，也涌现了一些新型的存储器，诸如铁电FeRAM，忆阻RRAM，磁性MRAM等。该方向上的应用以智能手机，平板电脑，PC，服务器，人工智能为方向。但在嵌入式产品中，对于中小容量存储器的需求还在持续，在物联网设备、穿戴式产品、网络通讯、PC、工业、医疗和汽车等要求高可靠性的领域需求持续提升。 （2）紧跟国家战略，大力发展国产化替代 政策层方面对集成电路行业的支持越发强劲，国家已经出台的《中国集成电路产业发展推进纲要》等一系列政策，提出了一系列重要目标和措施，以促进半导体产业的发展。2022 年，教出加强集成电路、人工智能等领域人才的培养。综合来看，国家持续对半导体产业推出各项鼓励政策，站在国家战略高度对产业的发展提出顶层规划，自上而下地进行多角度、全方位的扶持，加速产业的发展，具体措施包括财税政策、研发项目支持、产业投资、人才补贴等。 在国家政策的大力支持下，中国半导体产业已经取得了较大的发展，基本上建立了一个完整的产业链，但产业链中重点领域和关键环节仍然受制于人，特别是材料、设备、关键工艺等严重依赖国外，因而国外的刻意限制也带来了巨大影响。但同时，国外的打压也将为中国半导体产业的发展带来机遇，“中国芯”仍然大有可为。 (四) 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，主要产品核心技术情况如下：
国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用 |
