[年报]芯导科技(688230):2022年年度报告
原标题:芯导科技:2022年年度报告 上海芯导电子科技股份有限公司 2022年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中的“四、风险因素”部分内容。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司 2022年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润及资本公积金转增股本。本次利润分配及资本公积金转增股本方案如下： 1、公司拟向全体股东每 10股派发现金红利 6.00元（含税），截至 2022年 12月 31日，公司总股本 84,000,000股，以此计算合计拟派发现金红利 50,400,000.00元 (含税)。本年度公司现金分红总额占 2022年度归属于上市公司股东净利润的 42.19%。 2、公司拟以资本公积金向全体股东每 10股转增 4股。截至 2022年 12月 31日，公司总股本 84,000,000股，合计转增 33,600,000股，转增后公司总股本增加至 117,600,000股。 如在本方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配及转增比例不变，相应调整每股分配总额和转增总额。上述事项已获公司第二届董事会第四次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 12 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 46 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 60 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 66 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 89 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 98 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 99 第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 100
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义:
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 报告期内，公司实现营业收入33,614.79万元，较上年同期减少29.33%；归属于上市公司股东的净利润11,944.63万元，较上年同期增长4.3%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6,541.15万元，较上年同期减少39.71%。影响上述指标变动的主要原因是： 1、由于全球经济增长乏力，消费持续疲软，以智能手机为代表的消费电子领域市场规模受到了一定的冲击。受终端消费需求明显下降、下游品牌客户保守采购策略影响，公司产品出货量减少，营业收入较去年同期减少； 2、面对复杂多变的市场形势，为保证公司产品的竞争优势和可持续发展，公司有计划、有步骤地进行技术开发，持续加大研发投入，研发投入较去年同期增加； 3、受美元汇率波动影响，汇兑收益较去年同期增加； 4、公司非经常性损益增加，主要为收到的政府补助及使用暂时闲置资金进行现金管理所产生的收益较上年同期增加： 报告期内，公司总资产 221,276.33万元，同比增长 3%；归属于上市公司股东的净资产217,110.10万元，同比增长4%，主要为净利润的增长所致。 经中国证券监督管理委员会《关于同意上海芯导电子科技股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可[2021]3364号）的批准，公司2021年12月于上海证券交易所向社会公众公开发行人民币普通股(A股) 15,000,000股，发行后的总股本为60,000,000股。同时，报告期内，公司实施2021年年度利润分配及转增股本方案，转增24,000,000股，相比去年同期，股本和净资产增加，导致每股收益和加权平均净资产相比去年同期下降。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2022年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 十一、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用 □不适用 公司因涉及商业秘密，对前5名中存在新增的供应商及客户名称进行豁免披露 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 2022年度，在地缘政治局势复杂多变、宏观经济增速放缓及行业周期等诸多挑战的背景下，公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命，凭借优秀的研发能力及研发团队，通过多年的技术积累，已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。 目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对 TVS产品先后开发了平面工艺普通容值 TVS技术平台、平面工艺低容值 TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺 TVS技术平台、穿通型 NPN结构工艺 TVS技术平台等；公司针对MOSFET产品先后开发了平面（Planar）工艺 MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺 MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺 MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺 MOSFET技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽 MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽 MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体 GaN HEMT产品开发了高压 P-GaN HEMT技术平台；公司针对 IC产品先后开发了 PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台，负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。 （一）报告期内主要经营情况 报告期内，公司实现营业收入 33,614.79万元，较上年同期减少 29.33%；实现归属于母公司所有者的净利润 11,944.63万元，较上年同期增长 4.30%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 6,541.15万元，较上年同期减少 39.71%。 报告期末，公司总资产 221,276.33万元，同比增长 3.00%；归属于母公司的所有者权益217,110.10万元，同比增长 4.00%。 （二）报告期内重点任务完成情况 1、技术研发与创新 报告期内，公司根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展；公司作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，增强公司的研发储备。 （1）功率器件研发方面： ①在 TVS产品方面： A．公司具有深回退特性的低容 ESD产品，已形成系列化，以多种参数规格，封装类型适用于 USB、Typce-C、HDMI等多种应用的保护，并实现批量出货。具有深回退特性的低容 ESD，以其超低的钳位电压特性，既满足了目前集成电路产品的超低工作电压保护需求，同时，其低容的特性，又满足了高速信号传输线的保护应用。 B．最新的超低容值（0.2pF）具有深回退特性的多电压档 ESD系列产品，目前已经进入工程样品封装阶段。该产品可以为 5G相关应用，特别是 5G信号传输方面提供更低的容值和更低的钳位电压等方面性能。 C．在超低钳位电压、超大泄放电流的 TVS产品方面，已经开发成功并实现量产，还在向更小的尺寸方向进行升级，同时，为满足未来更高充电功率的设计应用，针对更高充电功率保护产品，已经在开发全新的 TVS产品。 ②在 MOSFET产品方面： A．中压超低导通电阻和超低栅极电荷的 SGT MOS，已形成 2-8mR，多种封装形式的系列产品，目前已进入推广阶段，在 PD快充适配器、BLDC驱动、光伏逆变器、BMS等多个领域进行验证测试，并有部分产品已经完成验证。 B．低压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET产品，已形成 1.6-10mR，多种封装形式的系列产品，并处于推广阶段，部分产品已在终端客户产品应用中实现量产。该类型产品在手机、平板电脑、TWS、PD快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等领域都有极为广泛的应用。接下来，还将向多规格、小型化方向升级。 公司将完善不同导通电阻和电压规格的 MOSFET产品，不断拓展新的应用领域，提升MOSFET产品的市场份额。 ③在肖特基产品方面： A．具有超低正向导通压降、大正向导通电流的超小封装尺寸（0.6*0.3mm）的肖特基产品进入推广阶段，目前已实现量产。 B．正在开发的在小型封装中具有更低正向导通压降的肖特基产品，目前已经完成结构设计，进入流片阶段，正在进行工艺调试。开发成功后，性能将具有业界领先水平。 ④在 GaN HEMT产品方面： 公司的第三代半导体 650V GaN HEMT产品已经在多客户的项目中测试和验证通过，并已获取小批量订单。目前，具有 90-250mR的系列 P-GaN产品已进入多个客户的项目资源池中，等待客户正式启动项目后进入小批量试运营。此外，中低压 GaN HEMT产品已经进入开发阶段。 GaN HEMT产品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特点，在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料，在快充电源、5G通讯、智能电网等领域将具有广泛的应用前景。 （2）功率 IC研发方面： ①过流过压保护类 IC产品实现系列化，并在知名品牌的穿戴类产品中广泛应用，获得了良好的口碑； ②公司进一步加大对充电管理产品线的投入，大电流半压充电 IC产品已进入流片验证阶段； ③能够满足消费工业类终端的快充需求，具有高精度、高效率与高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品，正在有序推进中； ④大电流降压 DC-DC产品具有高效率高可靠性的特点，已扩展到工控领域的应用； ⑤为了应对客户日益增长的功耗管理需求，扩展现有产品系列，已进行负载开关等新产品类别的开发； ⑥在相关的新能源应用领域，公司坚持第三代半导体 GaN氮化镓相关器件及驱动控制器的开发, 高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证，性能表现良好，目前在等待客户后续项目计划； 2、供应链与客户管理不断完善 （1）供应链管理 公司成立至今，已先后与行业内多家知名的晶圆制造厂商和封装测试厂商建立了长期稳定的合作关系，积累了丰富的供应链资源，有效保证了产品的交付能力及质量。 报告期内，公司不断加强与现有供应商的紧密合作及管理，积极保障产能需求。同时，公司还不断拓展和完善供应链系统，优化供应链管理流程，提高管理效率。报告期内，公司已与多家晶圆制造厂商和封装测试厂商建立起了新的合作关系，多款新产品正在评估中，将逐步形成深度合作关系。这将对公司提升品牌影响力、产品竞争力及市场占有率有着积极的影响。 （2）客户管理 公司通过经销为主直销为辅的销售模式，已经建立起较为完整的营销网络，与小米通讯、TCL、传音等手机品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等业内知名的 ODM手机厂商形成了长期稳定的合作关系，并围绕上述终端客户的需求积极开展功率半导体新产品的开发与合作；此外，公司产品亦成功应用于小米，华为，OPPO，安克，森海塞尔、VIVO、哈曼、倍思、飞利浦等品牌旗下的多款 TWS耳机产品以及思摩尔、海派特、悦刻等品牌的电子烟产品。公司积极开拓新经销商并通过加强与优质经销商的合作，进一步开拓终端客户应用。 报告期内，公司产品新增穿戴方案客户魔样、电子烟客户同跃等。公司通过先进的研发技术能力、快速的客户服务响应速度以及优质的产品性能及质量，在行业中形成了良好的用户口碑和品牌影响力，从而对公司未来拓宽销售网络、推广新品具有积极作用。 3、推动知识产权体系建设 公司始终坚持自主研发技术，认真按照“激励创造、有效运用、依法保护、科学管理”的方针，在知识产权创造、运功、保护与管理等方面积极探索，形成分工清晰、责任落实、程序完善、合作协调的知识产权工作体系，进一步提升企业知识产权工作，提升企业创新能力和核心竞争力。 报告期内，公司新增知识产权申请 28项，其中发明专利 12项，实用新型专利 9项，共 17项知识产权获得授权，其中发明专利 4项，实用新型专利 9项。截至 2022年 12月 31日，公司现行有效知识产权累计 102项，其中发明专利 20项，实用新型 33项，另有集成电路布图设计专有权43项，商标 6项。 4、推进研发中心建设，不断充实人才队伍 报告期内，公司积极推进公司募投项目的实施及研发中心的建设，完成募投项目及研发中心办公场地的购置与装修工作，新增的研发中心办公场地已正式启用。研发办公面积整体扩大后，能够进一步引进功率半导体领域的优秀人才，购置先进的研发及实验设备，对公司现有核心技术、主要产品以及战略规划中未来拟研发的新技术、新产品及新兴应用领域进行长期深入的研究和开发。 公司高度重视人才储备，报告期内不断新增吸纳各类优秀人才、扩充人才团队，持续完善人力资源管理体系、职级体系、培训体系，并通过建立有竞争力的薪酬体系和激励机制，充分调动员工积极性，推动公司人才队伍持续成长，保障公司未来业务发展。 5、参与投资产业基金，进一步优化投资结构 报告期内，公司以自有资金 5,000万元参与投资北京光电融合产业投资基金（有限合伙），加深了公司与北京燕东微电子股份有限公司等行业相关企业的合作，借助专业投资机构的资源，拓宽投资方式和渠道，把握公司所在行业相关创新应用领域的投资机会，优化公司投资结构，同时，还能进一步加强与相关公司的战略合作关系并带来相应的产业资源。 报告期内，公司董事会、监事会审议通过了《关于募投项目新增实施主体和实施地点并投资设立子公司的议案》，为保障募投项目的有效实施和管理，提高募集资金的使用效率，公司拟在无锡设立全资子公司芯导科技（无锡）有限公司，并新增该子公司为公司募集资金投资项目（“高性能分立功率器件开发和升级”、“高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化”、“硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目”）实施主体之一，以上募投项目实施地点相应由上海调整为上海、无锡。截至本报告披露日，公司全资子公司芯导科技（无锡）有限公司已正式运营。 6、提升投资者关系管理水平，强化投资者回报 公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。同时，不断提高公司投资者关系管理工作的专业性，加强投资者对公司的了解，促进公司与投资者之间的良性互动关系，切实维护全体股东利益，特别是中小股东的利益，努力实现公司价值最大化和股东利益最大化。 报告期内，公司通过上证路演中心以视频录播、网络文字互动的方式召开了 2021年度暨 2022年第一季度业绩说明会、2022年半年度业绩说明会、2022年第三季度业绩说明会，针对公司经营成果及财务指标的具体情况与投资者进行互动交流，对投资者普遍关注的问题进行回复说明，使广大投资者更全面深入地了解公司的经营情况与财务状况。 报告期内，公司严格执行利润分配相关制度，完成了 2021年年度权益分派的实施工作，公司将继续做好经营管理工作，提升公司核心竞争力与盈利能力，努力为投资者创造中长期价值。
(二) 主要经营模式 公司自设立以来一直采用 Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在 Fabless模式下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。 （1）产品研发模式 公司采用 Fabless经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。 （2）采购与生产模式 公司采用集成电路行业典型的 Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。 （3）销售模式 根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 2022年，由于受到地缘政治形势等多重因素影响，全球经济增长乏力，消费持续疲软，以智能手机为代表的消费电子领域市场规模受到了一定的冲击。据半导体产业协会(SIA)公布数据显示，2022年全球半导体销售额达到5,735亿美元，同比增长3.2％。同时，IDC最新预测显示，2022年智能手机出货量将下降9.1%，比上次预测下降2.6个百分点，达12.4亿部。 2022年以来，美国商务部工业与安全局（BIS）公布一系列管制措施，以进一步限制中国先进的芯片制造和人工智能技术的发展。美国对中国半导体技术封锁态势难以转变，我国半导体产业国产化进程预期将持续推进。中国海关总署公布的数据显示，2022 年中国进口集成电路5,384亿块，进口金额2.76万亿美元，分别较2021年下降15.30%和0.90%。受复杂的外部环境因素影响，集成电路产业实现自主可控的要求越来越迫切，国产替代进口需求空间巨大，具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。 公司产品主要包括功率器件和功率IC,功率器件产品主要为TVS（包括ESD保护器件）、MOSFET、肖特基等；功率 IC产品主要为电源管理 IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、新能源等领域拓展。 功率半导体行业属于是典型的知识密集型行业，需要融合多种专业技术，跨越多个学科领域，如半导体器件物理、电路设计、产品工艺、应用方案设计等，且技术更新速度快，需要从业人员持续不断地学习、积累，行业技术门槛较高。 公司的功率半导体产品，具有需要多种专业融合、对设计能力和持续创新能力要求高、需要对晶圆制造工艺及封装工艺具有深刻的理解和掌握等特点；产品结构设计技术和产品工艺设计技术难度大、产品测试要求高；同时，品牌客户对企业的认证周期长、对产品的测试验证要求高，一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大，因此具有较高技术门槛。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。 公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型 NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽 MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环路控制技术、一种复合 DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种 GaN HEMT器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得 GaN HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的 GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。 公司的功率器件及功率 IC产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ON Semiconductor）、商升特半导体（Semtech Corporation）等国外半导体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着消费类电子产品的持续更新发展、市场规模持续扩展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）半导体市场发展趋势 2022年，在贸易摩擦、全球通胀等多重因素导致需求收缩的背景下，半导体市场进入下行周期。根据 WSTS的预测 2023年全球半导体销售额将同比下降 4.1%，下滑至 5,565亿美元。IC Insights预计，在经历 2023年的周期性下滑之后，半导体销售额将出现反弹，并在未来三年实现更强劲的增长。到 2026年，全球半导体销售额预计将攀升至 8,436亿美元，年复合增长率为6.5%。
当前半导体产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，将成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功率密度大，可在高频情况下保持高效率水平工作，将有望被广泛运用于5G通讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。 展望未来，国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出要加快发展现代产业体系，坚持自主可控、安全高效，加快补齐基础元器件的瓶颈短板，半导体产业未来发展可期。 （2）智能消费类电子领域 在经历2021年的出货量短暂复苏后，全球智能手机出货量出现第二轮出货量走低现象。根据IDC 2022年Q4预测数据修正后，从2022年初全球智能手机出货量增长1.6%调整至年末下降约9.1%，出货量总量下降约至12.2-12.4亿部左右。由于消费者换机需求较弱，换机周期延长等因素，中国智能手机市场2022出货量创有史以来最大降幅，根据IDC统计，2022年全年中国智能手机市场出货量约 2.86亿台，同比下降 13.2%；2022年第四季度中国智能手机市场的出货量约7292万台，同比下降12.6%，环比基本持平。 折叠机出货量逆势大幅上涨，具备较大的潜在市场空间。根据IDC报告统计，2022年第四季度中国折叠屏手机的单季出货量再创新高，超过110万台。在中国智能手机整体出货量下滑13.2%的情况下，折叠屏手机逆势上涨，出货量约330万台，同比大幅增长118%，在国内智能机市场的市场份额由2021年的0.5%上升到1.2%。 2023年随着全球消费能力逐步恢复，IDC预计全球智能手机出货量将在2023年同比增长2.8%，出货量总量约12.6-12.7亿部。 报告期内，公司积极推动产品升级迭代，基于自有的成熟设计模块，推陈出新，开发出了效率更高、更智能化的全系列充电芯片、保护芯片等产品。公司的 TVS产品具备超薄的封装尺寸，已成功应用于客户折叠屏手机中，提高手机充电性能的同时可以改善机体厚度。公司针对移动终端小型化的场景推出了超小封装产品系列，以其高性能、低损耗、低漏电的特点，不但助力客户产品实现更紧凑的功能布局，打造轻巧精致的设备外观，更为其安全使用保驾护航。 （3）功率半导体 受益于双碳时代背景，以新能源汽车、新能源发电为代表的产业将迎来长期发展机会，功率器件作为核心零部件也将随着迎来发展机遇。功率器件持续迭代升级，向高压、高功率、低功耗方向发展。功率器件从二极管、晶闸管发展到 MOSFET、IGBT，再到第三代半导体器件，经历了长期的技术积累和产品迭代，技术门槛不断提高。随着电动汽车、新能源发电、工业控制等下游应用的快速发展，对高压、高电流、高频率、高功率的需求推动功率器件厂商不断优化升级，在更新换代的过程国产厂商有望实现新突破。全球功率半导体尤其是高端的功率器件主要被英飞凌、安森美、三菱、富士等欧美日大厂占据，国产厂商未来提升空间巨大。 (四) 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率 IC工艺设计方面积累了多项核心技术。 在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型 NPN结构技术实现了 TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；MOSFET的沟槽优化技术实现了 MOSFET产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽 MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗。 报告期内，公司积极布局第三代半导体 GaN HEMT，并在开发工作方面已取得显著成果。基于第三代半导体 GaN HEMT的核心技术开发成功，相关专利获得批准后，为产品量产化和系列化提供了保障。公司开发建立了高压 P-GaNHEMT技术平台，基于此技术平台，公司的第三代半导体 650V GaN HEMT产品已经在多客户的项目中测试和验证通过，并已获取小批量订单。配合公司第三代半导体 650V GaN HEMT器件的高整合度驱动器芯片处于客户端测试阶段，并在一些客户端的验证过程中，性能表现良好，目前在等待客户后续项目计划。此外，高压 GaN HEMT产品的系列化还在大力推进，同步也在开展中低压 GaN HEMT产品的立项和开发工作，不断的丰富产品阵容、开发满足更多应用环境的第三代半导体 GaN HEMT产品。 在功率 IC方面：可连续调节占空比的环路控制技术使功率 IC产品更快速响应负载变化，可调输出电压范围更大；一种复合 DC-DC电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率 IC产品具有负载响应快、精度高的优点；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。 报告期内，公司推出并量产的带路径管理充电新品，在主流软硬件兼容的基础上，突出了全面 EOS防护能力，配合公司的 TVS产品，可以轻松实现输入口和输出口+-450V的浪涌水平，在保持大电流精度的同时，小电流精度也大幅度优于主流水平；公司的保护 IC系列新品，在维持快速保护响应的同时，采用了小型化的封装，可以有效降低客户的布板空间；公司的负载开关 IC系列新品，在维持持续 6A负载能力的同时，将待机静态电流降低到远低于业界平均值的水平；全新一代直驱型 E-Mode氮化镓驱动 IC，传统的电源控制器可以直接进行驱动，无需配置复杂的电平转换电路，使得产品具有最佳的整合度，并具有更高的可靠性，降低了客户开发难度，利于产品快速推向市场产生效益。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
2. 报告期内获得的研发成果 截至2022年12月31日，公司现行有效知识产权累计102项，其中发明专利20项，实用新型33项，另有集成电路布图设计专有权43项，商标6项。报告期内，公司获得新增授权知识产权17项。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：万元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：万元
 |