[年报]芯源微(688037):芯源微2022年年度报告

时间:2023年04月17日 21:03:32 中财网

原标题:芯源微:芯源微2022年年度报告

公司代码:688037 公司简称:芯源微

沈阳芯源微电子设备股份有限公司
2022年年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在生产经营过程中可能面临的各种风险,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“风险因素”。敬请投资者注意投资风险。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 容诚会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人宗润福、主管会计工作负责人张新超及会计机构负责人(会计主管人员)张新超声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司于2023年4月17日召开的第二届董事会第十次会议审议通过了《关于公司2022年年度利润分配及资本公积转增股本方案的议案》,以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数,拟向全体股东每10 股派发现金红利 4元(含税),以此计算共计拟派发37,047,359.60元(含税)。拟以资本公积向全体股东每10股转增4.8股,不送红股。截至2022年12月31日,公司总股本为92,618,399股,若以此为基数计算,公司拟合计转增44,456,831股,本次转增后公司总股本将增加至137,075,230股(最终转增股数及总股本数以中国证券登记结算有限公司上海分公司最终登记结果为准)。

该利润分配及资本公积转增股本方案尚需公司2022年年度股东大会审议通过后方可实施。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 .................................................................. 8 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................... 11 第三节 管理层讨论与分析 ..................................................... 16 第四节 公司治理 ............................................................. 48 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ......................................... 71 第六节 重要事项 ............................................................. 79 第七节 股份变动及股东情况 .................................................. 107 第八节 优先股相关情况 ...................................................... 116 第九节 债券相关情况 ........................................................ 117 第十节 财务报告 ............................................................ 118


备查文件 目录载有法定代表人、主管会计工作负责人及会计机构负责人签名并盖章的会计报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
 报告期内在中国证监会指定报纸上公开披露过的所有文件的正本及公告底稿


第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
芯源微/公司/本公司沈阳芯源微电子设备股份有限公司
芯源有限沈阳芯源微电子设备有限公司,系公司前身
先进制造沈阳先进制造技术产业有限公司
科发实业辽宁科发实业有限公司
中科院沈自所中国科学院沈阳自动化研究所
中科天盛沈阳中科天盛自动化技术有限公司,系中国科学院沈阳自动 化研究所全资子公司
国科投资中国科技产业投资管理有限公司
国科瑞祺国科瑞祺物联网创业投资有限公司
国科正道北京国科正道投资中心(有限合伙)
沈阳科投沈阳科技风险投资有限公司
台积电台湾积体电路制造股份有限公司
长电科技江苏长电科技股份有限公司及其下属企业
华天科技天水华天科技股份有限公司及其下属企业
通富微电通富微电子股份有限公司及其下属企业
晶方科技苏州晶方半导体科技股份有限公司
中芯国际中芯国际集成电路制造有限公司及其下属企业
锐立平芯锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
华灿光电华灿光电股份有限公司及其下属企业
乾照光电厦门乾照光电股份有限公司及其下属企业
上海华力上海华力集成电路制造有限公司
长江存储长江存储科技有限责任公司
青岛芯恩芯恩(青岛)集成电路有限公司
上海积塔上海积塔半导体有限公司
中芯宁波中芯集成电路(宁波)有限公司
中芯绍兴绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
厦门士兰集科厦门士兰集科微电子有限公司
矽品科技矽品科技(苏州)有限公司
北京赛微北京赛微电子股份有限公司
宁波润华全芯微宁波润华全芯微电子设备有限公司
日本东京电子、TEL東京エレクトロン株式会社(TokyoElectron Ltd.)
日本迪恩士、DNS株式会社SCREENホールディングス(SCREEN Holdings Co.,Ltd.)
美国应用材料Applied Materials,Inc.
荷兰阿斯麦Advanced Semiconductor Material Lithography
美国泛林集团Lam Research Corporation
美国科天KLA-Tencor Corporation
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《沈阳芯源微电子设备股份有限公司章程》
报告期2022年度
元、万元如无特别说明,指人民币元、人民币万元
半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,按照制造技 术可分为集成电路(IC)、分立器件、光电子和传感器,可广 泛应用于下游通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及 航空航天等产业
集成电路集成电路Integrated Circuit,指通过一系列特定的加工工 艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源 原件按一定的电路互联并集成在半导体晶片上,封装在一个 外壳内,执行特定功能的电路或系统,可进一步细分为逻辑 电路、存储器、微处理器、模拟电路四种
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、测 试后的结果
光刻利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形 传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形 的工艺技术
刻蚀用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过 程,是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺,是半导 体制造工艺的关键步骤
涂胶将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程
显影将曝光完成的晶圆进行成像的过程,通过这个过程,成像在 光阻上的图形被显现出来
传统封装先将晶圆片切割成单个芯片再进行封装的工艺,主要包括单 列直插封装(SIP)、双列直插封装(DIP)、小外形封装(SOP)、 小晶体管外形封装(SOT)、晶体管外形封装(TO)等封装形 式
先进封装处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC)结 构的封装、圆片级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D封 装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴
测试把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认,以 保证半导体元件符合系统的需求
摩尔定律当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔 18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍,由英特尔创始 人之一的戈登·摩尔提出
MEMSMicro-Electro-Mechanical System,微机电系统
SEMISemiconductor Equipmentand Materials International, 国际半导体设备与材料产业协会
LEDLight-Emitting-Diode,发光二极管
MiniLED次毫米发光二极管,其晶粒尺寸约在100微米,介于传统LED 与MicroLED之间
OLEDOrganic Light-Emitting Diode,有机发光二极管。OLED显 示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗 电、极高反应速度等优点
Fab厂Foundry,晶圆加工厂
Baselinebaseline就是指产品线标准工艺流程,而标准工艺参数往往 是由标准设备来提供的。一台性能稳定、工艺参数优异的设 备将为整条生产线提供该制程环节最优质的工艺参数,作为 baseline的设备品牌往往会作为客户扩产时的首选考虑。
晶圆用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料
机械手、机械臂一种能模仿人手和臂的某些动作功能,用以按固定程序抓取、 搬运物件或操作工具的自动操作装置,特点是可以通过编程
  来完成各种预期的作业,构造和性能上兼有人和机械手机器 各自的优点
光刻胶微电子技术中微细图形加工的关键材料之一。根据其化学反 应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成 不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经 光照后变成可溶物质的即为正性胶。
离子注入离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢 减低下来,并最终停留在固体材料中
技术节点泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”,尺寸越小,表 明工艺水平越高,如130nm、90nm、28nm、14nm、7nm等
FinFETFin Field-Effect Transistor,鳍式场效应晶体管,一种互 补式金氧半导体晶体管
Inline光刻机与涂胶显影机联机作业,即在涂胶显影机中完成光刻 胶涂覆工序后由涂胶显影机自动传输晶圆至光刻机,光刻机 完成曝光工序后,自动传回至涂胶显影机进行显影工序
Spin Scrubber设备单晶圆清洗设备,目前主流技术为用二流体喷嘴方式进行去 除晶圆表面颗粒的清洗设备
SOCspin on carbon,即有机碳旋涂
SOGspin on glass,即旋转涂布玻璃,为半导体制程上主要的局 部性平坦化技术
特色工艺集成电路芯片制造过程中的创新工艺和特色工艺,包含BCD (双极CMOS-DMOS)、功率器件、射频器件、传感器、嵌入式 存储等工艺
化合物半导体由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并 具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。化合物半导 体相比较单晶硅锗衬底材料具有高击穿电场、高饱和电子速 度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,可实现高压、 高温、高频、高抗辐射能力,其在5G,高频,高功率等方面的 应用在不断扩展
前道集成电路芯片制造的前道工序,是把衬底材料(目前集成电 路主要是硅衬底)加工成包含成千上万个芯片的工艺过程, 指的是从制造器件结构到进行金属互联,一直到最后的表面 钝化的过程
后道把前道工艺制造完成的晶圆,根据封装要求(先进封装或者 传统封装)形成最终形态芯片的工序过程
02重大专项《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目,因次序排 在国家重大专项所列16个重大专项的第2位,在行业内被称为 “02重大专项”



第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称沈阳芯源微电子设备股份有限公司
公司的中文简称芯源微
公司的外文名称KINGSEMI Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写KINGSEMI
公司的法定代表人宗润福
公司注册地址辽宁省沈阳市浑南区飞云路16号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址辽宁省沈阳市浑南区彩云路1号
公司办公地址的邮政编码110169
公司网址http://www.kingsemi.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名李风莉刘书杰
联系地址辽宁省沈阳市浑南区彩云路1号辽宁省沈阳市浑南区彩云路1号
电话024-86688037024-86688037
传真86-24-2382620086-24-23826200
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址中国证券报、上海证券报、证券日报、证券时报
公司披露年度报告的证券交易所网址上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)
公司年度报告备置地点公司证券投资部

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板芯源微688037/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所 (境内)名称容诚会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市西城区阜成门外大街22号
 签字会计师姓名闫长满、顾娜、于海娟
报告期内履行持续督导职 责的保荐机构名称中国国际金融股份有限公司
 办公地址北京市朝阳区建国门外大街1号国贸大厦2 座27层及28层
 签字的保荐代表人 姓名王煜忱、陈晗
 持续督导的期间2021年9月8日至2024年12月31日

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2022年2021年本期比上年 同期增减 (%)2020年
营业收入1,384,867,131.46828,672,512.2967.12328,900,200.07
归属于上市公司股 东的净利润200,160,932.5377,349,494.43158.7748,828,560.81
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润137,247,261.6863,838,961.51114.9912,875,142.25
经营活动产生的现 金流量净额192,963,939.50-218,325,429.94不适用-72,389,945.01
 2022年末2021年末本期末比上 年同期末增 减(%)2020年末
归属于上市公司股 东的净资产2,106,541,950.00897,248,075.62134.78798,597,040.69
总资产3,496,333,727.061,960,914,071.6578.301,224,599,920.37

(二) 主要财务指标

主要财务指标2022年2021年本期比上年同 期增减(%)2020年
基本每股收益(元/股)2.270.92146.740.58
稀释每股收益(元/股)2.270.92146.740.58
扣除非经常性损益后的基本每股 收益(元/股)1.550.76103.950.15
加权平均净资产收益率(%)13.369.20增加4.16个百 分点6.31
扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率(%)9.167.59增加1.57个百 分点1.66
研发投入占营业收入的比例(%)10.9911.16减少0.17个百 分点13.81

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、 营业收入同比增长67.12%,主要原因是半导体行业景气度持续向好,同时公司产品竞争力不断增强,新签订单同比大幅增长,收入规模持续增长。

2、 归属于上市公司股东的净利润同比增长 158.77%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长114.99%,主要原因是公司销售收入增长。

3、 经营活动产生的现金流量净额同比增长41,128.94万元,主要原因是公司新签合同额增长,同时公司进一步加强回款管理,销售回款增加。

4、 归属于上市公司股东的净资产同比增长134.78%,主要原因是公司向特定对象发行股票,股本及资本公积增加及公司净利润增长综合影响。

5、 总资产同比增长78.30%,主要原因是公司向特定对象发行股票,募集资金到账导致流动资产增加。

6、 基本每股收益、稀释每股收益同比增长 146.74%,扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增长103.95%,主要原因是归属于母公司所有者的净利润增长。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2022年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入183,711,477.74320,545,863.93392,427,217.36488,182,572.43
归属于上市公司股 东的净利润32,413,462.5336,993,260.5073,620,027.5457,134,181.96
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益后的净利润31,333,045.8634,449,715.5733,345,495.1638,119,005.09
经营活动产生的现 金流量净额-1,281,105.15112,853,541.23-55,192,419.95136,583,923.37

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2022年金额附注 (如适 用)2021年金额2020年金额
非流动资产处置损益-121,834.23 -25,706.81-44,817.33
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免    
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外19,539,666.28 14,675,720.6331,834,150.62
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费    
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益    
非货币性资产交换损益    
委托他人投资或管理资产的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等    
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益    
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益    
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益44,000,000.00   
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性 金融资产、衍生金融资产、交易 性金融负债、衍生金融负债产生 的公允价值变动损益,以及处置 交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金融 负债和其他债权投资取得的投资 收益10,389,150.65 1,062,529.8011,086,464.77
单独进行减值测试的应收款项、 合同资产减值准备转回   546,840.00
对外委托贷款取得的损益    
采用公允价值模式进行后续计量    
的投资性房地产公允价值变动产 生的损益    
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出209,100.65 182,200.99-1,437,379.82
其他符合非经常性损益定义的损 益项目   312,881.24
减:所得税影响额11,102,412.50 2,384,211.696,344,720.92
少数股东权益影响额(税 后)    
合计62,913,670.85 13,510,532.9235,953,418.56

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润 的影响金额
应收款项融资12,071,711.7024,367,384.7212,295,673.02 
其他权益工具投资10,000,000.000.00-10,000,000.00 
其他非流动金融资产0.0050,000,000.0050,000,000.00 
合计22,071,711.7074,367,384.7252,295,673.02 

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
√适用 □不适用
根据《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号—规范运作》及公司《信息披露暂缓与豁免业务管理制度》等相关规定,公司部分信息因涉及商业秘密已申请豁免披露,并已履行公司内部相应审核程序。


第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
公司始终秉承“为客户创造价值”的企业使命,坚持“客户第一、奋斗为本、诚信合作、专 业精品”的企业精神,积极发挥自身在产品研发、采购制造、质量管理、市场销售以及客户服务 等领域的经营优势,不断加大产品技术创新和品牌推广,深入推进精益化管理与内部风险控制, 持续提升公司的品牌形象及核心竞争力,实现了公司主营业务的稳健发展。

(一)报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入138,486.71万元,同比增长67.12%;归属于上市公司股东的净利润20,016.09万元,同比增长158.77%,经营性净现金流19,296.39万元,同比大幅由负转正。2022年公司营业收入继续保持高速增长,同时盈利能力持续提升,现金流回款情况良好。公司全年新签订单约22亿元,再创历史新高,其中前道产品实现了快速放量。截至报告期末,公司资产总额349,633.37万元,归属于上市公司股东的净资产210,654.20万元,公司资产质量良好,财务状况稳健。

(二)报告期内重点工作开展情况
1、产品技术研发情况
报告期内,公司持续加大自主研发力度,不断对产品进行技术完善和革新,实现了在整机产品、核心单元技术、核心零部件等多方面的实质性突破,公司全年研发支出15,213.56万元,同比增长64.47%。

研发成果
(1)前道涂胶显影领域
报告期内,公司生产的前道涂胶显影设备在多项关键技术方面取得突破,成功掌握了超高温度与超高精度烘烤固化技术、自动光学缺陷检测技术等核心技术,可满足更高等级的工艺需求;在WEE边缘曝光技术、边缘旋涂技术方面实现了工艺突破,可实现核心腔体小型化并为客户节省光刻胶。此外,公司在NTD负显影技术方面也取得良好进展,为下一代高端工艺提供更丰富和先进的解决方案。

①超高温度与超高精度烘烤固化技术
在超高温度烘烤工艺中,公司开发出满足更高等级超高温度烘烤能力的热盘单元,成功实现了超高温烘烤温度均匀性高工艺指标要求。在超高精度烘烤工艺中,公司基于此前掌握的多分区温控技术,创新性地采用完全自主知识产权的高精度温控技术方案,可实现前道高端制程的大范围应用。

②自动光学缺陷检测技术
公司拥有完全自主知识产权的自动光学缺陷检测技术,该技术达到了高速、高分辨率、高精度的扫描成像标准,同时极大地降低了系统的空间尺寸,实现了涂胶、光刻、显影工艺后的工艺缺陷实时自动检测、缺陷分类、数据管理等工作。

③WEE边缘曝光技术
WEE边缘曝光技术实现了WEE单元对光强的高精度控制,控制精度达到了国际领先厂商的水平,有效保证了边缘曝光的产品良率,达到国际先进水平。同时,公司逐步推进WEE单元小型化布局,可实现架构的灵活布局,达到更高的机台产能目标。

④边缘旋涂技术
公司最新的边缘旋涂技术可实现更高工艺等级的宽度精细度指标,并更好的控制了膜厚范围值。同时通过工艺优化,节省了单次旋涂工艺所需光刻胶使用量,有效降低了客户生产成本。

⑤NTD负显影技术
负显影技术主要应用于高端工艺,其原理为正性光刻胶未被曝光的区域可以被NTD显影液去除,而曝光区域则在显影后留下,实现了类似负性光刻胶的曝光特性。公司针对此类应用研发了新显影喷嘴,并通过动态工艺处理和静电管控解决了NTD工艺中显影高损伤、防静电击穿等技术瓶颈,可有效降低显影缺陷,提高产品良率,为客户提供更为丰富和先进的产品技术解决方案。

浸没式高产能涂胶显影机产品发布
2022年12月,公司发布了全新产品—浸没式高产能涂胶显影机。作为公司前道涂胶显影机第三代机型,机台应用了公司独创的对称分布高产能架构,搭载公司自主研发的专用机械手,可大幅提升整机的机械传送产能和传送精度,能够匹配全球主流光刻机联机生产。机台主要技术特点如下:
①可以与所有主流光刻机联机作业,并高于光刻机产能
机台应用了完全自主知识产权的双工对称架构,搭载36spin工艺腔体,可在复杂光刻工艺下实现300片以上产能,可以匹配所有主流光刻机联机量产。此外,为匹配未来潜在的光刻机产能提升需求,全新机台架构支持扩充更多工艺腔体。

②可以覆盖国内28nm及以上所有工艺节点
新架构除了可以应用于浸没式工艺外,还可以通过选配全面覆盖offline Barc、KrF、ArF、浸没式等国内28nm及以上所有光刻工艺节点,实现全面国产替代。同时机台可应用于其他旋涂类应用,包括SOC,SOG等技术应用场景,可替代传统CDBR工艺,有效拓展了涂胶显影机的产品应用领域和市场空间。

③具有高工艺能力、高洁净度、易维护性等特点
机台应用了自主研发的精确温度控制技术,热盘烘烤温度均匀性已达到业界领先水平,机台采用了全新Spin单元实时控制、配备了全系列功能单元技术,可以实现稳定精准的工艺能力,同时可以将单次工艺所需的光刻胶使用量大幅降低,为客户节约成本。在洁净度方面,机台利用CFD仿真优化设计整机流场,有效提升了设备的洁净度等级,同时全新的结构设计还可以有效的降低维护成本。

核心零部件国产化进展加速
报告期内,公司持续对前道涂胶显影机的核心零部件进行自主或联合研发。高速机械手和高精度热盘等多种核心零部件已实现国产替代。还有一系列核心部件也在合作研发和验证中,这些部件的国产替代,不但能保证供应链的自主可控,也将极大地降低成本,提高整机产品的竞争力。

(2)前道物理清洗领域
在前道物理清洗领域,公司持续研发、提升关键技术,新一代高产能物理清洗机可搭载12个工艺腔体,并通过优化晶圆传送系统大幅提升了设备产能;第二代清洗喷嘴在实现更高等级颗粒去除能力的同时可降低氮气消耗并减少结构冲击,机台整体工艺能力大幅提升;刷压控制系统研发验证完成,并获得部分更高工艺等级客户的升级需求。公司前道物理清洗设备整体已经达到国际先进水平并成功实现国产化替代。

(3)后道先进封装领域
在后道先进封装领域,公司作为行业龙头持续提升机台各项技术指标,全新的BHP盘体平衡压技术可应用于chiplet等新兴先进封装领域,在更高工艺等级下实现了产品良率的提升;化学药液管控技术实现了对强挥发性、强腐蚀性化学药液挥发物的精准管控,达到了更高标准的机台耐腐蚀等级和产品工艺效果;新开发的激光解键合去胶清洗技术,实现了在同一机台内完成激光解键合-RL层清洗-TB胶层清洗等多种工艺,可有效提升客户生产效率。报告期内,公司在多项工艺能力上达到了更高水平,力争为客户提供更具价值的产品解决方案,同时积极定义下一代产品。

(4)化合物、MEMS、LED等小尺寸领域
在化合物、MEMS、LED等小尺寸领域,公司继续巩固技术领先优势,更为完善的光学对准协同技术通过自研机器人和光学AWC对准系统相协同,大幅提升了去胶剥离机的极限产能,可满足更高的产能需求,该技术已达到国际领先水平;微孔超分子材料真空吸附技术可在SiC等化合物工艺中实现光刻胶更高等级的均匀性要求。此外报告期内,公司在金属离子卡控技术、EBR真空保护技术等技术方面也实现了技术等级的进步。

2、市场销售情况
(1)前道涂胶显影领域
报告期内,公司前道涂胶显影机签单实现了快速放量,其中offline、I-line、KrF机台均实现批量销售。浸没式机台已陆续获得国内多家知名厂商订单,超高温Barc机台也成功实现了客户导入。2022年第四季度,公司首台浸没式高产能涂胶显影机在国内某知名客户处完成验证,已顺利实现验收。浸没式机台的推出,标志着公司前道涂胶显影设备已完成在晶圆加工环节28nm及以上工艺节点全覆盖,并可持续向更高工艺等级迭代。

目前国内前道涂胶显影设备市场仍然被日本东京电子高度垄断,公司作为国内唯一可以提供量产型前道涂胶显影机的设备商,由于切入前道领域较晚,目前国内市占率仍然较低。随着公司产品的不断成熟,同时叠加国际贸易的不确定性增强,国内越来越多的晶圆厂正在加速公司前道涂胶显影机的导入进程,公司前道涂胶显影机国内市场份额有望实现快速提升。

(2)前道物理清洗领域
公司前道物理清洗机自2018年发布以来,凭借其高产能、高颗粒去除能力、高性价比等优势受到下游客户的广泛认可,产品发布后迅速打破国外垄断,并确立了市场领先优势。目前已广泛应用于中芯国际、上海华力、青岛芯恩、广州粤芯、上海积塔、厦门士兰等一线大厂,已成为国内晶圆厂baseline产品。

报告期内,公司前道物理清洗机实现批量销售近百台套。公司生产的前道物理清洗机Spin Scrubber设备较为成熟,报告期内产品在高产能清洗架构、颗粒去除能力等工艺上实现了进一步的提升,产品竞争力不断增强,国内市占率稳步上升。

(3)后道先进封装领域
报告期内,公司后道先进封装领域用涂胶显影设备、单片式湿法设备实现批量销售超百台套,近年来已作为主流机型批量应用于台积电、长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、中芯绍兴、中芯宁波等国内一线大厂,已经成为客户端的主力量产设备。报告期内,公司加深与盛合晶微、长电绍兴、上海易卜等国内新兴封装势力的合作关系,成功批量导入各类设备。

(4)化合物、MEMS、LED等小尺寸领域
报告期内,公司化合物、MEMS、LED等小尺寸领域用涂胶显影设备、单片式湿法设备实现批量销售超百台套,近年来已作为主流机型批量应用于三安集成、华灿光电、乾照光电、北京赛微、江西兆驰等国内一线大厂,已经成为客户端的主力量产设备。公司作为国内化合物龙头三安集成的主力供应商,在市场开拓中不断延伸,报告期内进一步巩固市场优势地位。

3、人才建设情况
人才是企业发展的基石,公司高度重视优秀人才的引进、培养和研发团队的建设。报告期内,在人才引进方面,公司从国内外引进了多位行业经验丰富的管理和技术人才;在人才培养方面,公司与相关高校建立合作培养机制,定向培养符合公司研发和生产需要的人才后备力量,同时不断优化绩效评估体系及晋升机制鼓励员工发挥积极性与创造性,持续提升自身为公司、为客户创造价值的能力;在人才激励方面,公司先后推出了2020、2021年两期限制性股票激励计划,覆盖激励对象共计139人次,被激励员工均为公司管理层及核心业务骨干,股票激励计划明确了公司业绩考核目标,有助于调动核心员工的积极性和主动性,力争在公司内部培养一批优秀的管理和技术人才。截至2022年底,公司研发人员数量达到295人,较2021年底增加了78人,其中硕士及以上学历人数占比达到47.5%,研发团队实力进一步加强,为公司持续加强研发投入提供了高质量人才保障。

二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售,产品包括光刻工序涂胶显影设备(涂胶 /显影机、喷胶机)和单片式湿法设备(清洗机、去胶机、湿法刻蚀机),可用于8/12英寸单晶圆处理(如集成电路制造前道晶圆加工及后道先进封装环节)及6英寸及以下单晶圆处理(如化合物、 MEMS、LED芯片制造等环节)。
作为公司标杆产品,光刻工序涂胶显影设备系集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备,主要与光刻机(芯片生产线上最庞大、最精密复杂、难度最大、价格最昂贵的设备)配合进行作业,通过机械手使晶圆在各系统间传输和处理,从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺过程。作为光刻机的输入(曝光前光刻胶涂覆)和输出(曝光后图形的显影),涂胶/显影机的性能不仅直接影响到细微曝光图案的形成,其显影工艺的图形质量和缺陷控制对后续诸多工艺(诸如蚀刻、离子注入等)中图形转移的结果也有着深刻的影响。


(二) 主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售业务,通过向下游公司销售光刻工序涂胶显影设备和单片式湿法设备等产品实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入来源于半导体专用设备产品的销售,其他业务收入来源于设备相关配件销售及维修服务等。

2、采购模式
公司主要根据生产订单物料、研发物料、售后服务物料的需求计划和安全库存的需要等制定采购计划,采取与供应商单签合同或签订年度框架合同等方式开展采购。为保证公司产品的质量和性能,公司对供应商进行统一管理,主要考察供应商的资质实力、产品情况、售后服务等方面,经外部供方调查、样品试用或非标准部件定制加工验证通过后确定合格供应商名录,并持续更新及跟踪评级。

3、研发模式
公司以自主研发为主,充分结合产品技术国际发展趋势及客户实际需求,以核心基础技术研械、电气、软件等多模块协同配合,公司级与部门级研发项目相结合的研发创新机制。同时,公司技术管理部负责对研发项目的立项评审,组织下达设计与开发任务,开展跟踪管理、结项验收评价等具体实施管理。

4、生产模式
公司采用在手订单生产为主、潜在订单预投生产为辅的生产模式。公司根据已签单客户以及有明确需求且供期紧张的潜在客户的具体需求进行产品定制化设计及生产制造,以满足客户对产品不同的技术指标和供期的需求,同时也能合理管控公司在产品的规模和呆滞风险。

5、销售模式
公司主要采取“直销为主、代销为辅”的销售模式。直销模式下,公司通过商务谈判、招投标等方式获取订单;委托代理商销售模式下,公司与特定地区代理商签订产品销售区域代理协议,由其负责在特定地区代理销售公司相关产品,公司向其支付一定比例的代理佣金。

公司配备了专业的销售与服务团队,主要负责售前客户需求分析、商务谈判或招投标环节及销售设备的安装、调试、保修、维修、技术咨询及客户端人员培训等售后工作。公司始终秉承“客户第一,为客户创造价值”的营销理念,致力于为客户提供“专业精品”的产品及服务。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段、基本特点
半导体被称为制造业皇冠上的明珠,半导体产业是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业,其技术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。作为“工业粮食”,半导体芯片被广泛地应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子、物联网等产业,是绝大多数电子设备的核心组成部分。根据国际货币基金组织测算,每1美元半导体芯片的产值可带动相关电子信息产业10美元产值,并带来100美元的GDP,这种100倍价值链的放大效应奠定了芯片行业在国民经济中的重要地位。

为推动半导体产业发展,增强产业创新能力和国际竞争力,带动传统产业改造和产品升级换代,进一步促进国民经济持续、快速、健康发展,我国先后出台《科技部重点支持集成电路重点专项》、《集成电路产业“十三五”发展规划》、《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》等鼓励和支持半导体设备产业发展的政策,为我国半导体设备行业发展营造了良好的政策环境。2022年11月,辽宁省政府发布了《辽宁省培育壮大集成电路装备产业集群若干措施》,在企业销售规模奖励、投资建设项目、新产品销售奖励、研发费用补助、人才引进激励等多个维度大力支持辽宁省集成电路装备产业发展。

从全球半导体设备行业来看,随着下游电子、汽车、通信等行业需求的稳步增长,以及物联网、AI、云计算及大数据等新兴领域的快速发展,集成电路产业面临着新型芯片带来的产能扩张需求,为半导体设备行业带来广阔的市场空间。2022年12月,SEMI发布了《2022年度总半导体设备预测报告》。根据SEMI数据,2022年全球晶圆厂前道设备投资将达到948亿美元的新行业纪录,同比增长8.3%。SEMI预计,2023年受全球半导体库存调整等因素影响,晶圆厂前道设备投资将降至760亿美元,并将在汽车和计算领域以及一系列新兴应用驱动下在2024年复苏至920亿美元。

从我国半导体设备行业来看,集成电路产业国际产能不断向我国大陆地区转移,据SEMI统计,2016-2021年,我国大陆的半导体设备市场规模从64.60亿美元增长至296亿美元,近五年来年均复合增长率达到35.58%,远高于全球市场增速。2022年下半年受多重因素交叠影响,国内晶圆厂扩产增速进入放缓阶段,SEMI在随后的报告中指出,国内半导体的长期强劲需求后续仍将推动产能健康增长,全球市场份额整体占有率将由2022年的22%增加到2026年的25%,达到每月240万片晶圆。

(2)主要技术门槛
公司所处的半导体设备行业属于典型的技术密集型行业,涉及电子、机械、化工、材料、信息等多学科领域,是多门类跨学科知识的综合应用,具有较高的技术门槛。半导体设备行业涉及国家基础科学综合实力的比拼,具有技术壁垒高、价值量高、研发周期长等特点。由于半导体工艺流程复杂,对设备依赖度较高,设备性能直接影响半导体制造的产品品质、工艺效率及良率,最终影响到半导体企业的盈利能力和全球竞争力。因此,要想实现中国半导体产业自主可控模式的崛起,完成设备环节的国产化是其至关重要的环节之一。目前,以美国应用材料、荷兰阿斯麦、美国泛林集团、日本东京电子、美国科天等为代表的国际知名企业仍占据全球半导体设备市场的主要份额。在需求拉动和国家支持下,我国半导体产业链得以不断完善,但仍然存在供给能力不足的问题,我国半导体市场国产替代存在较大市场空间。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施,我国半导体设备行业迎来了前所未有的发展契机,半导体设备的国产化进程将不断推进。

以公司生产的前道涂胶显影设备为例,作为晶圆生产过程中配合光刻机工作的重要工艺设备,其产品结构复杂(包括约十余个功能模块组及配套机器人)、单元众多(百余个功能单元)、配件繁杂(数万余个零部件),同时还要确保平均每小时数千次的机械运动速度。前道涂胶显影设备技术涵盖机械运动、温湿度及内环境控制、系统调度及控制、化学反应及化学品管控等,是多学科高度集成的现代高科技装备,对生产厂商的技术储备、工艺水平提出了较高要求。此外,影响前道涂胶显影机实现量产销售的难点还包括客户端工艺验证,需要协调下游晶圆厂在不影响其生产线正常生产的情况下,提供光刻机、掩膜版、检测设备及程序、客户产品片等资源配合。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
半导体设备行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒,以美国应用材料、荷兰阿斯麦、美国泛林集团、日本东京电子、美国科天等为代表的国际知名企业占据了全球半导体设备市场的主要份额。

前道涂胶显影设备主要被日本东京电子所垄断,报告期内,公司前道涂胶显影机offline、I-line、KrF机台均实现批量销售。2022年第四季度,随着公司前道涂胶显影机ArFi机台的推出,标志着公司前道涂胶显影设备已完成在晶圆加工环节28nm及以上工艺节点全覆盖,并可持续向更高工艺等级迭代。

公司生产的前道物理清洗机Spin Scrubber设备较为成熟,已成为国内晶圆厂baseline产品。

报告期内,产品在高产能清洗架构、颗粒去除能力等指标上实现了进一步的提升,产品竞争力不断增强,国内市占率稳步提升。

公司在集成电路制造后道先进封装、化合物等小尺寸领域深耕多年,凭借持续的技术创新、高性价的产品及优质的售后服务,持续巩固国内领先地位。近年来作为主流机型已批量应用于台积电、长电科技、华天科技、通富微电、三安集成、北京赛微、江西兆驰等国内一线大厂。报告期内,公司加深与盛合晶微、长电绍兴、上海易卜等国内新兴封装势力的合作关系,成功实现各类设备的批量导入。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 (1)光刻多重曝光技术
在摩尔定律的推动下,线宽朝着更精细的等级发展,在光刻机波长精度受限的情况下,光刻多重曝光技术带来了新的技术解决方案。如SADP技术先利用浸没式光刻机形成节距较大的线条,再利用侧墙图形转移的方式形成1/2节距的线条,该技术适合线条排列规则的图形层,如FinFET工艺中的Fin或后段金属线条。从SADP技术还发展出自对准四重图形化(Self-Aligned Quadruple Patterning, SAQP)技术或自对准多重图形化(Self-Aligned Multiple Patterning, SAMP)等技术。光刻多重曝光技术通常需要反复进行涂胶—光刻—显影—刻蚀等工艺流程,由于每一次曝光都需要进行涂胶和显影工艺,光刻多重曝光技术的发展大大增加了涂胶显影设备的潜在需求。

(2)前道涂胶显影机在SOC,SOG等技术场景的拓展应用
公司第三代高产能架构可应用于三层光刻涂布工艺,即实现SOC、SOG与PR的三层涂布结构。

整个涂布工艺具有填洞优势,不易产生空穴,平整度高,同时烘烤温度低于传统CDBR工艺,可以减少对图案破坏,相对于传统的CDBR工艺,同时具备低成本与高性能优势,可有效拓展涂胶显影机的产品应用领域和市场空间。

(3)NTD负显影技术
负显影技术主要应用于前道高端工艺,其原理为正性光刻胶未被曝光的区域可以被NTD显影液去除,而曝光区域则在显影后留下,实现了类似负性光刻胶的曝光特性。报告期内,公司成功突破了在NTD负显影工艺中显影高损伤、防静电击穿等技术瓶颈,可为客户提供更丰富的产品技术解决方案。

(4)Chiplet(芯粒)封装技术
在摩尔定律逐渐放缓的情况下,Chiplet技术已成为持续提高集成度和芯片算力的重要途径之一。根据Gartner预测,基于Chiplet的半导体器件的整体销售收入预计从2020年的33亿美元增长到2024年的505亿美元,年复合年增长率高达98%。在应用各项底层先进封装技术支持Chiplet的工艺场景下,为了满足更多层的互联工艺要求,通常需要经过更多的图形化道次,催生了更多后道涂胶显影、湿法类工艺需求。

此外,在Chiplet技术中,为了缩小芯片体积、提高芯片散热性能和传导效率等,晶圆减薄工艺会被大量应用,为了不损伤减薄中以及减薄后晶圆,需要将晶圆片与玻璃基板临时键合并在完成后续工艺后最终解键合。同时在Chiplet技术路线下,Fan-out、CoWoS等封装工艺路线都要经过单次或多次的临时键合及解键合工艺来实现芯粒互联。针对以上半导体工艺应用场景,公司已成功研发临时键合机、解键合机产品,目前临时键合机正在进行客户端验证。

(5)SiC行业发展
与传统半导体材料相比,以SiC制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗,是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。SiC下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。据Yole预计,全球SiC功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元增长至2027年的63亿美元,CAGR超过34%。公司通过在SiC设备领域提前布局,已向国内多家SiC龙头厂商实现批量销售。


公司是国内涂胶显影领域龙头,经过多年发展,产品已完整覆盖前道晶圆加工、后道先进封装、化合物半导体等多个领域,下游客户包括国内各大前道晶圆厂、后道封装厂及化合物半导体厂商。报告期内,公司积极探索新技术路线,并与下游客户保持了深度的合作关系,力争为客户提供更具价值的产品技术解决方案。


(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
成立以来,公司十分重视核心技术的自主研发,拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司核心技术先进性的具体表征如下:
类别核心技术名称技术来源具体表征
光刻工序涂 胶显影设备光刻工艺胶膜 均匀涂敷技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:28nm及以上技术节点,达到国 际先进水平;在I-line和Krf设备工艺上,实现规模化量产 在ArFi设备工艺上,已显著减少与国际知名企业差距,通过 客户工艺、良率验证,达到量产运用能力; 集成电路后道先进封装领域:①部分达到国际先进水平, 如厚胶膜涂覆均匀性方面;翘曲wafer传送稳定性方面 ②部分不低于国际知名企业,如超厚胶膜涂覆均匀性方面 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:达到国际先进水平。
 不规则晶圆表 面喷涂技术自主研发集成电路后道先进封装领域:①部分不低于国际知名企业 如沟槽拐角膜厚与平面目标膜厚比等;②部分达到国际先 进水平,如产能、喷涂固化温度均匀性、厚膜平面喷涂均匀
   性等;③部分弱于国际知名企业,如薄膜平面喷涂均匀性 等。
 精细化显影技 术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:28nm及以上技术节点,已达到 国际先进水平, 在I-line和Krf设备工艺上,实现规模化量 产;在ArFi设备工艺上,已显著减少与国际知名企业差距 通过客户工艺、良率验证,达到量产运用能力; 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:达到国际先进水平。
 高产能设备架 构及机械手优 化调度技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:第三代高产能架构已达到国 际先进水平 集成电路后道先进封装领域:达到国际先进水平; 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:达到国际先进水平。
 内部微环境精 确控制技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:28nm及以上技术节点,公司颗 粒控制指标达到国际先进水平;设备内部环境温、湿度控制 精度技术能力也全面提升;已达到量产运用的阶段。 集成电路后道先进封装领域:达到国际先进水平; 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:达到国际先进水平。
 光刻机联机调 度技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:可实现前道涂胶显影机与多 种主流光刻机Inline联机作业能力和远程无人化操作 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:已实现与光刻机Inline 联机作业能力和远程无人化操作
 超高温度与超 高精度烘烤固 化技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:28nm及以上技术节点,达到国 际先进水平,通过客户工艺验证,达到量产运用能力
 自动光学缺陷 检测技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:28nm及以上技术节点,通过客 户工艺验证,达到量产运用能力
单片式湿法 设备工艺单元参数 精确控制技术自主研发集成电路后道先进封装及前道晶圆加工领域,化合物、 MEMS、LED芯片制造等领域: 部分达到国际先进水平:如工艺单元参数控制精度、工艺单 元控制稳定性。
 高产能设备架 构及机械手优 化调度技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:设备工艺产能达到国际先进 水平; 集成电路后道先进封装领域:达到国际先进水平; 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:同种工艺条件下,达 到国际先进水平。
 晶圆正反面颗 粒清洗技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:40nm及以上,颗粒去除率达到 国际先进水平。晶圆刷洗压力精确控制、晶圆防损伤技术达 到国际先进水平。
 化学药品精确 供给及回收技 术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:达到国际先进水平 集成电路后道先进封装领域:达到国际先进水平 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:达到国际先进水平。
 内部微环境精 确控制技术自主研发集成电路前道晶圆加工领域:达到国际先进水平; 集成电路后道先进封装领域:达到国际先进水平; 化合物、MEMS、LED芯片制造等领域:达到国际先进水平。
 不同尺寸晶圆 兼容高效能浸 泡单元技术自主研发集成电路后道先进封装领域:部分领先于国际知名企业,如 多种尺寸晶圆兼容技术。

报告期内,公司生产的前道涂胶显影设备在多项关键技术方面取得突破,成功掌握了超高温度与超高精度烘烤固化技术、自动光学缺陷检测技术等核心技术,可满足更高等级的工艺需求;在前道物理清洗领域,公司新一代高产能物理清洗机可搭载12个工艺腔体,通过优化晶圆传送系统大幅提升了设备产能,第二代清洗喷嘴在实现更高等级颗粒去除能力的同时可降低氮气消耗并减少结构冲击;在后道先进封装领域,化学药品精确供给及回收等技术已达到国际先进水平,在化合物、MEMS、LED芯片制造等领域,高产能架构等技术已达到国际先进水平。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2019年、2022年光刻工序涂胶显影设 备、单片式湿法设备

2023年2月,国家发展改革委等5部门联合印发了《关于印发第29批新认定及全部国家企业技术中心名单的通知》(发改高技〔2023〕139号),沈阳芯源微电子设备股份有限公司技术中心被认定为国家企业技术中心。国家企业技术中心的认定,是对公司技术创新能力和自主研发能力的充分肯定,也是公司科研能力和综合能力的体现。公司将继续推进关键核心技术研发,不断提高自主创新能力和科技创新水平,增强公司核心竞争力,促进公司持续健康、高质量发展。

公司前道单片式清洗机项目也在近期荣获中国集成电路创新联盟—第六届“IC创新奖”。此外,报告期内公司陆续获得辽宁省制造业单项冠军产品、沈阳市高新技术企业高成长性企业奖等多项殊荣。

2. 报告期内获得的研发成果
请参阅“第三节管理层讨论与分析”之“一、经营情况讨论与分析”之“(2)研发成果” 报告期内获得的知识产权列表


 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利629423171
实用新型专利11129645
外观设计专利973629
软件著作权1166660
其他    
合计9334621305

截至2022年12月31日,公司共获得专利授权245项,其中发明专利171项(中国大陆地区发明专利153项,中国台湾地区发明专利16项,美国发明专利2项),实用新型专利45项,外观设计专利29项;拥有软件著作权60项。


3. 研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入152,135,564.6192,499,621.6264.47
资本化研发投入   
研发投入合计152,135,564.6192,499,621.6264.47
研发投入总额占营业收入 比例(%)10.9911.16减少0.17个百分点
研发投入资本化的比重(%)   

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
研发费用同比增长64.47%,主要系公司持续研发投入,研发材料、职工薪酬、合作开发服务费增加所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序号项目名称预计总投资规 模本期投入金额累计投入金额进展或 阶段性 成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1前道涂胶显 影设备及核 心单元研发 和产业化173,980,614.5856,388,464.57117,130,983.10持续研 发阶段研究解决环境温湿度控制、晶圆传送等 关键技术,制作单元样机进行工艺验 证,进一步优化单元和整机设计,提高 产品的可靠性、稳定性,进一步提升产 品的技术等级和应用范围,研究高产能 传送单元及控制系统解决方案弱于国际知 名企业可应用于集成电 路前道晶圆加工 领域
2高端封装涂 胶显影设备 研制23,925,000.001,474,971.657,354,058.01持续研 发阶段研究解决高端封装涂胶显影设备及化合 物芯片叠层设备关键技术,制作样机进 行工艺验证,进一步优化单元和整机设 计,提高产品的可靠性、稳定性,进一 步提升产品的技术等级和应用范围部分等同国 际知名企业可应用于集成电 路后道先进封装 领域
3单片式湿法 设备研制79,258,596.5623,128,791.6536,830,460.41持续研 发阶段研究解决湿法设备关键技术,制作样机 进行工艺验证,进一步优化单元和整机 设计,提高产品的可靠性、稳定性,进 一步提升产品的技术等级和应用范围; 研究解决提高清洗设备产能,研发新一 代高产能清洗机。研究开发化学清洗关 键技术,进一步优化单元和整机设计部分等同国 际知名企业可应用于集成电 路前道晶圆加工 及后道先进封装 领域
4核心零部件 技术研发130,497,027.6171,143,336.74114,342,491.60持续研 发阶段研究解决晶圆温度控制、运动控制、自 动控制、视觉检测、平台优化等关键技 术,制作单元样机进行工艺验证,进一 步优化单元设计部分等同国 际知名企业可应用于集成电 路前道晶圆加工 及后道先进封装 领域
合计/407,661,238.75152,135,564.61275,657,993.12////
(未完)
各版头条