[年报]拓荆科技(688072):2022年年度报告
原标题:拓荆科技:2022年年度报告 拓荆科技股份有限公司 2022年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利2.60元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本为126,478,797股，以此计算合计拟派发现金红利32,884,487.22元（含税）。本年度公司现金分红占本期归属于上市公司股东的净利润比例为8.92%，占本期实现的可供分配利润的比例为10.26%。本次利润分配方案不送红股，不进行资本公积转增股本。 如在实施权益分派股权登记日前，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。 公司第一届董事会第二十一次会议和第一届监事会第十二次会议审议通过了《关于公司2022年度利润分配方案的议案》，公司独立董事已对上述利润分配方案发表了同意的独立意见，本次利润分配方案尚需提交公司2022年年度股东大会审议。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................................................... 9 第三节 管理层讨论与分析 ......................................................................................... 15 第四节 公司治理 ......................................................................................................... 66 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................. 91 第六节 重要事项 ......................................................................................................... 99 第七节 股份变动及股东情况 ................................................................................... 138 第八节 优先股相关情况 ........................................................................................... 148 第九节 债券相关情况 ............................................................................................... 148 第十节 财务报告 ....................................................................................................... 150
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1、公司营业收入持续高速增长，2018年至2022年复合增长率达到121.67%。2022年公司持续加大研发投入，产品质量稳步提高，客户对公司产品认可度不断提升，报告期营业收入达到170,556.27万元，创公司业绩历史新高，同比增长125.02%。 公司PECVD系列产品在客户产线验证进展顺利，并取得良好成果，应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加，报告期实现该系列产品销售收入156,322.62万元，同比增长131.44%；ALD系列产品中PE-ALD设备已实现产业化应用，报告期实现该系列产品销售收入3,258.67万元，同比增长13.85%；Thermal-ALD设备已完成开发，已发货至客户端验证；SACVD系列产品持续拓展应用领域，SA TEOS、BPSG、SAF薄膜工艺设备在芯片制造领域均取得客户验收，实现该系列产品销售收入8,947.62万元，同比增长117.39%，SACVD系列产品不断扩大应用工艺覆盖度，提升市场占有率。 公司持续拓展以PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜系列产品工艺应用领域， 获得逻辑芯片、存储芯片等领域现有客户重复订单及新客户订单。截至报告期末，公司 在手销售订单金额为46.02亿元（不含Demo订单），公司2022年签订销售订单金额为 43.62亿元（不含Demo订单），新增订单与上年同期相比增加95.36%，为后续业绩的 增长提供了有力保障。 2022年与2021年签订销售订单金额对比（不含Demo订单） 2、2022年归属于上市公司股东的净利润36,851.76万元，同比增长438.09%，增加 30,003.11万元，净利率达到 21.35%，较上年同期增加 12.52个百分点。主要原因为：（1）营业收入及毛利率增长，毛利额大幅增加；（2）收入规模大幅增长，期间费用率由2021年的54.16%降低到2022年的37.16%，同比降低17.00个百分点；（3）公司不断优化产品结构，持续增强产品竞争力，本期研发投入 37,874.05万元，同比增长31.37%，持续的高强度研发投入，使公司整体营业收入、盈利能力大幅提升。 3、2022年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润17,810.41万元，同比增加26,010.60万元。主要为:（1）归属于上市公司股东的净利润同比增加30,003.11万元；（2）非经常性损益同比增加3,992.51万元，其中：2022年股权投资产生的公允价值变动收益同比增加 1,625.82万元、获得政府补助确认的其他收益同比增加1,528.68万元。 4、2022年经营活动产生的现金流量净额24,762.59万元，同比增长80.12%，主要系公司订单及营业收入大幅增加带来的销售回款增长。 5、 2022年末归属于上市公司股东的净资产371,153.10万元，同比增长211.21%。 主要系 2022年 4月完成首次公开发行股票并在科创板上市收到募集资金净额212,759.73万元，本期实现归属于上市公司股东的净利润36,851,76万元。 6、2022年末总资产731,328.65万元,同比增长190.47%，主要系2022年4月完成首次公开发行股票并在科创板上市收到募集资金、销售回款大幅增长、期末在手订单持续增加对应的材料备货及发出商品增加等原因。 7、2022年基本每股收益、稀释每股收益比上年同期分别增长 341.67%、340.28%，扣除非经常性损益后的基本每股收益比上年同期每股增加 2.40元，主要系公司营业收入增长、净利润增加。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2022年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十一、非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力的趋势下，半导体芯片技术持续迭代发展，并逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，高端半导体设备的重要地位日益凸显。在经济发展与行业发展的双驱动下，产生巨大的半导体设备市场空间，2022年全球半导体制造设备的销售额达1076亿美元。 在半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。而薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，直接影响芯片的性能，且不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，对薄膜材料性能的要求极其严格。由此可见，薄膜设备研制技术难度也极高，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，其市场规模约占晶圆制造设备半导体设备及晶圆制造价值占比 数据来源：SEMI，同行业公司定期报告（2022年） 公司自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研 发和产业化应用。公司凭借多年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际 先进水平的核心技术，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层 沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）及HDPCVD（高密度等离子体增强化学气相沉 积）为主的薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛 应用。 PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品， 不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用 工序，主要应用具体如图示： 在逻辑芯片中的应用图示 在3D NAND存储芯片中的应用图示 在DRAM存储芯片中的应用图示 随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，不能再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构，而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现，因此，产生了新的设备需求。面向新的技术趋势和市场需求，公司积极进军高端半导体设备的前沿技术领域，研制了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（Hybrid Bonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（Fusion Bonding）。键合设备主要应用原理如图示： 晶圆键合设备应用示意图 报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术发展及市场需求，充分发挥公司在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，紧抓国内半导体产业高速发展的市场机遇，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强产品市场竞争力，同时，持续强化公司运营管理，促进公司持续、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了突出的进展。 1、报告期内主要经营情况 报告期内，公司受益于国内半导体行业良好的发展态势，国内半导体行业设备需求增加，同时公司产品竞争力持续增强，销售订单大幅增加，营业收入维持高增长趋势。 2022年实现营业收入170,556.27万元，较上年同期增长125.02%；实现归属于上市公司股东的净利润36,851.76万元，较上年同期增长438.09%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润17,810.41万元，较上年同期增加26,010.60万元，盈利能力持续增强。 截至报告期末，公司总资产731,328.65万元，较期初增长190.47%；归属于母公司的所有者权益371,153.10万元，较期初增长211.21%。公司资产质量良好，财务状况稳健。 2、公司产品研发及产业化进展情况 报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，研发投入金额达到37,874.05万元，同比增加 31.37%，研发投入占比达 22.21%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富设备产品品类，拓宽薄膜工艺应用覆盖面，在现有产品产业化应用、新产品研发、验证等方面均取得了突破性进展。 公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告披露日，公司设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1亿片。报告期内，公司设备在客国际同类设备水平）。 （1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况 PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一。主要功能是在将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。 公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cure产品：
① PECVD产品 报告期内，公司PECVD设备持续保持竞争优势，订单量稳定增长，在客户产线验证通过的薄膜种类及性能指标类型持续增加，工艺覆盖率不断提升，市场占有率持续攀升，获得现有及新客户的批量订单和批量验收，现已广泛应用于国内集成电路制造产线。 在量产设备PECVD（PF-300T、PF-300T eX）方面，公司结合客户需求及产线应用情况，持续完善设备性能，优化产品功能，并针对下游客户对于不同材料薄膜种类及性能指标的需求，持续丰富公司薄膜性能指标，提供不同工艺型号的PECVD设备。报告期内，公司持续扩大通用介质薄膜材料及先进薄膜材料工艺的应用覆盖面，多种不同工艺指标的先进薄膜材料（包括LoKⅠ、ACHM、ADCⅠ、HTN等）和设备均通过客户验证，进入量此外，公司在现有PECVD设备基础上，针对先进封装领域晶圆的特殊性，采用独特的加热盘、传片平台等设计，开发了反应温度在80℃-200℃范围内（通常反应温度在260℃-550℃范围内）的低温薄膜沉积设备，可以沉积低温的 SiN、TEOS等介质薄膜材料，并在先进封装领域实现量产应用。 在PECVD（PF-300T）基础上，公司推出了PECVD（NF-300H）型号设备，已实现首台产业化应用，并取得客户复购订单，可以沉积Thick TEOS等介质材料薄膜。NF-300H相较于PF-300T设备平台具备高产能及良好工艺性能指标。 ② UV Cure产品 UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。 公司UV Cure设备是基于现有PF-300T平台开发，可以与PECVD设备成套使用，为PECVD HTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。报告期内，公司UV Cure（HTN工艺）设备已通过不同客户产线验证，实现销售收入，并实现产业化应用。 （2）ALD系列产品研发及产业化进展情况 ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于 ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。 公司 ALD产品系列包括 PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品和 Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。 公司在PECVD设备核心技术的基础上，结合理论分析及仿真计算，对反应腔内的气路、关键件、喷淋头等进行创新设计，推出了PE-ALD设备，并实现了产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量等多种指标要求的SiO介质薄膜材料，以及SiN等介质薄膜材2 料，在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中有广泛的应用，以实现更小图形化以及特定的隔离功能。报告期内，公司PE-ALD（PF-300T Astra）产品在现有客户端成功完成产业化验证，取得了进一步突破性进展，PE-ALD（NF-300H Astra）在客户端验证进展顺利。此外，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，并获得了不同客户的订单。 ② Thermal-ALD产品 Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。 报告期内，公司Thermal-ALD（PF-300T Altair、TS-300 Altair）设备已完成研发，并出货至不同客户端进行验证，可以沉积AlO等金属化合物薄膜。 2 3 （3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况 SACVD 设备主要应用于沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
膜。 （5）混合键合系列产品研发及产业化进展情况 混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以提供键合面最小为1um间距的金属导线连接点以实现芯片或晶圆的堆叠，使芯片间的通信速度提升至业界先进水平，并能提高整体芯片性能。 公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品，可以实现直接或基于层间的键合工艺、复杂的常温共价键合工艺。
①晶圆对晶圆键合产品 晶圆对晶圆键合产品可以实现复杂的 12英寸晶圆对晶圆常温共价键合，搭载了晶圆表面活化、清洗、键合和自研的键合精度检测模块，具有对准精度高、产能高、无间隙等性能特点。报告期内，公司成功研制了首台晶圆对晶圆键合产品Dione 300，并出货至客户端进行验证, 取得了突破性进展。 ②芯片对晶圆键合表面预处理产品 芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序，包括晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗工艺。报告期内，公司已完成芯片对晶圆键合表面预处理产品Pollux的研发。截至本报告披露日，该产品已出货至客户端进行验证。 3、供应链保障方面 公司持续优化供应链管理体系，建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制。公司一直非常注重供应商的培养，持续完善供应商支持与绩效考核机制，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。公司强化与供应商的合作深度并扩大合作范围，通过提前策划、共享需求预测等方式不断调整优化供应链结构，采用全球化、多货源的供应策略。同时，根据客户需求和研发需求，合理规划部件采购体量及进度，保证关键部件的及时稳定供应。报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产、及时交付。 4、市场销售情况 报告期内，公司继续聚焦中国大陆薄膜沉积市场，紧抓国内下游集成电路芯片制造厂扩产带来的市场机遇，凭借公司在产品技术、客户资源、售后服务等方面的核心竞争优势，同时，不断优化公司产品结构，持续增强产品竞争力，进一步促进客户群体的拓展及客户结构的多元化，公司产品的市场占有率和客户认可度持续提升。 公司现有PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜系列产品均获得了现有及新客户订单，销售订单大幅增加。公司量产产品在客户产线验证进展顺利，并取得良好成果，在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加。此外，公司新推出的键合系列产品验证进展顺利。公司继续保持与下游客户深入稳定的合作，持续提供定制化、高性能的设备产品，以及高质量的售后服务，为公司未来业务增长奠定坚实基础。 5、人才队伍建设情况 报告期内，公司结合业务发展需要，持续加强人才梯队建设，扩大人员特别是研发人员的规模。在人才引进方面，积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才，并从国内高校选拔优秀的毕业生。在人才培养方面，公司持续优化培训体系，充分发挥绩效考核激励机制，增强员工的荣誉感和凝聚力；持续加强与高校的紧密合作，实行厂校挂钩定向招聘；与国内高校建立联合培养机制，定向培养后备人才，为公司人才队伍建设提供有力支撑。报告期内，公司实施了上市后首次股权激励计划，2022年11月22日，公司向激励对象授予280万股第二类限制性股票、40万份股票增值权，该次股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。 6、营运管理方面 报告期内，公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，有效提升装配制造及时率、合格率。公司持续强化产品质量的管理体系，并保持较高水平的售后技术支持服务，提升客户满意度。公司设有EHS（环境、健康、安全）合规管理部门，对公司生产运营进行监督，保障公司生产的合规和安全。公司积极布局信息系统技术防护和安全保密管理，保障公司网络安全、数据安全。 7、公司首发上市及募投项目建设进展情况 （1）公司首发上市 报告期内，公司完成了首次公开发行股票并在上交所科创板上市，本次首发上市向社会公众公开发行人民币普通股（A股）股票31,619,800股，每股面值为人民币1元，发行价格为每股人民币71.88元，募集资金总额为人民币227,283.12万元，扣除发行费用人民币14,523.40万元后，募集资金净额为人民币212,759.73万元。公司首发上市的成功，为公司扩大生产规模、开发新工艺和新产品提供了有力的资金保障。 （2）募投项目建设进展 ①公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目” 该项目在公司原有半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。报告期内，二期洁净厂房已基本完成建设并投入使用。 ②公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目” 为进一步完善产业布局，公司在上海临港新片区购置整体厂房，建设新的研发及生 产基地（建筑面积为5181.68平方米）。该项目依托上海临港新片区集成电路产业集群 的优势和上海地区的人才优势，开展ALD薄膜沉积设备的研发与产业化。报告期内，该 基地已基本完成建设并投入使用,并按计划开始实施研发和生产工作。 ③超募资金投资建设新项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目” 公司为进一步扩大产业规模，加强自身在细分领域的竞争优势，在上海临港新片区另行建设一个研发与产业化基地（土地面积为 39990.20平方米），用于开发满足先进工艺应用需求的薄膜沉积设备，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。 截至报告期末，公司已取得土地摘牌并完成《上海市国有建设用地使用权出让合同》的签署，公司后续将根据计划稳步推进超募资金投资项目建设。 8、对外投资 报告期内，公司为更好地完善产业布局，增强上游产业链的稳定性，开展了以下对外投资事项： （1）向拓荆上海增资 公司使用募集资金人民币27,000万元向拓荆上海增资，以实施募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”。此外，公司使用超募资金人民币 6,000万元向拓荆上海增资，以实施超募项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”。截至报告期末，公司持有拓荆上海100%股权，后续公司将根据超募项目进展情况继续向拓荆上海增资。 （2）向恒运昌增资并参股恒运昌 公司以自有资金人民币2,000万元向恒运昌增资。截至报告期末，公司持有恒运昌3.3860%股权。 （3）认购富创精密首次公开发行股票并在科创板上市战略配售股票 公司使用自有资金约人民币 3000万元认购富创精密首次公开发行股票并在科创板上市战略配售股票。2022年10月10日，富创精密成功在上交所科创板上市，公司获配42.65万股，限售期为自富创精密上市之日起12个月。 （4）设立美国全资子公司 公司设立了全资子公司拓荆美国，该公司的设立有利于公司加强供应链合作，调研国际市场。截至报告期末，拓荆美国尚未实际运营。 9、公司治理情况 公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。 10、公司信息披露及防范内幕交易情况 公司高度重视上市公司规范运作、信息披露管理工作和投资者关系管理工作。公司根据相关法律、法规和部门规章，结合公司实际情况，制定了股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等规范运作的内部制度，并严格遵照执行；公司认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；通过投资者电话会议、传真、电子邮箱和投资者关系互动平台、接待投资者现场调研等多种方式与投资者进行沟通交流，建立良好的互动关系。 公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务情况 公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。 2、主要产品情况 报告期内，公司不断完善现有量产薄膜设备系列产品性能，保持产品核心竞争力，进一步提升量产产品的市场占有率。同时，持续丰富公司产品品类，拓展工艺应用领域。 公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及键合系列产品情况如下： （1）PECVD系列产品 ① PECVD产品
① PE-ALD产品
（4）HDPCVD系列产品
① 晶圆对晶圆键合产品
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