[年报]东微半导(688261):苏州东微半导体股份有限公司2022年年度报告摘要
第一节 重要提示 1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所（www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。 2 重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。 3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 4 公司全体董事出席董事会会议。 5 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2022年度利润分配预案为： 1、公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，拟向全体股东每10股派发现金红利14.76元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本67,376,367股，以此计算合计拟派发现金红利99,447,517.69元（含税），本年度公司现金分红金额占2022年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的比例为34.97%。 2、公司拟以资本公积向全体股东每10股转增4股。截至2022年12月31日，公司总股本67,376,367股，以此计算合计转增26,950,547股，转增后公司总股本增加至94,326,914股（本次转增股数系公司根据实际计算四舍五入所得，具体公司总股本数以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。 如在公司2022年年度利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发生变动的，公司拟维持分配和转增总额不变，相应调整每股分配和转增比例，并将另行公告具体调整情况。 以上利润分配预案已经公司第一届董事会第十六次会议审议通过，尚需公司2022年年度股东大会审议通过。 8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 第二节 公司基本情况 1 公司简介 公司股票简况 √适用 □不适用
□适用 √不适用 联系人和联系方式
(一) 主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。此外，公司基于自2 主专利技术开发出的 SiC MOSFET 器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已通过多个客户验证并进入批量状态，可以用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。 2、主要产品 公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏2 蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含SiC MOSFET）。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。 公司上述产品的具体介绍如下：
公司上述产品的具体介绍如下： （1）高压超级结MOSFET 公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。 公司GreenMOS高压超级结功率器件的各系列特点以及介绍如下表所示：
公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。 公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。 公司中低压MOSFET功率器件各系列的具体介绍如下表所示：
公司的超级硅 MOSFET 产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET 产品。公司的超级硅 MOSFET 产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。 （4）TGBT 公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达 100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至 1.5V 及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路；650V及1350V的逆导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合在高压谐振电路中使用。 公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS 电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。 2 （5）SiC器件（含SiC MOSFET） 2 公司的SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、SiC MOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、2 SiC MOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。SiC MOSFET2 则部分使用了SiC衬底，减少了SiC材料的用量。SiC MOSFET克服了传统SiC MOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近SiC MOSFET优秀的反向恢复能力，能够取代一部分SiC MOSFET的应用。 (二) 主要经营模式 公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabless的经营模式。 Fabless 模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。 1、研发模式 公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程参与产品研发的所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。公司已制定《产品开发管理程序》，产品研发流程严格遵守该制度约定流程，并通过产品生命周期管理系统进行产品开发管控。 公司的产品研发流程具体如下图所示： 公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图，并结合晶圆代工和封装厂商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发和设计工作。在产品研发设计过程中，公司同时关注并协助开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。同时，公司具有深度定制开发的能力。在产品研发阶段，公司与晶圆代工厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出极具性价比的产品，更好地贴合终端客户的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力根据终端市场需求精确调整产品的设计。 公司会与晶圆厂进行季度技术回顾与季度业务回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。同时，晶圆厂也会定期向公司提供制程能力管控数据及外观检测报告。同时，公司也会对封测厂进行定期稽核，召开QBR并要求提供CPK数据、封装良率及测试良率的报告。公司也会定期对厂家的管控计划提出意见，以保证产品质量。 2、采购与生产模式 公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备的采购。在Fabless 模式中，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，即公司将自主研发设计的集成电路版图交由晶圆厂进行晶圆制造，随后将制造完企业。公司建立了以质量部为核心的质量管理体系，有效提高了公司产品和服务的整体质量。公司拥有研发部、运营部、销售部等多个业务部门，且各部门职能相对独立；同时，公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、记录和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程，其贯穿产品开发、生产、运营和销售的整个过程。 3、销售模式 结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，即公司通过经销商销售产品，也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，公司将产品送至客户指定地点。 公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排专员提供全方位服务；对于其他客户，公司根据订单向其供货。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成长期稳定的合作关系。 4、管理模式 自创立以来，公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家，积累了丰富的产品开发和营销经验，经过多年的摸索和融合，逐渐建立了符合自身发展的管理理念和管理体系。公司在日常管理中采用了关键绩效指标管理和综合评分制，会与每个员工明确各自的主要责任，并以此为基础设立相应的业绩衡量指标。从管理架构上，公司采取矩阵式管理。矩阵式管理既保持了产品开发及售后维护的专业性，不断提高和积累技术能力，又能明确项目的责任人和各成员的分工和目标，以确保相应任务高质量完成。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）所处行业 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T 4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。 （2）行业发展概况 ○1全球功率半导体市场分析 在功率半导体发展过程中，20 世纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功 率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品 的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶 闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分 立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。根据 Omdia预测，2022年全球功率半导体市场规模约为295.35亿美元，预计至2026年市场规模将增 长至358.65亿美元，2019-2026的年化复合增长率为5.8%。 数据来源：Omdia ○2中国市场分析 目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国。根据Omdia预测：2022年中国功率半导体市场规模达到114.77亿美元，预计至2026年市场规模将增长至131.76亿美元，2019-2026的年化复合增长率为4.7%，占全球市场比例接近37%。 数据来源：Omdia ○3分产品市场分析 A. MOSFET 以光伏逆变及储能、新能源汽车为代表的产业飞速发展，驱动高端MOSFET市场稳定增长。根 据Omdia数据：2022年全球MOSFET市场为95亿美金，2018-2025年间市场有望维持4.2%的复合 增速。2022年中国功率MOSFET器件市场规模为44.80亿美元，功率MOSFET特别是超级结MOSFET 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨 大。 数据来源：Omdia 相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流高压超级结MOSFET的产品特性、生产成本等方面对于新能源等成长性应用领域的需求较为契合， 行业生态不断向更高性能的产品演进。 B. IGBT器件 国家在“十四五”期间将坚持清洁低碳战略方向，加快化石能源清洁高效利用，大力推动非 化石能源发展，持续扩大清洁能源消费占比，推动能源绿色低碳转型，为如期实现碳中和目标创 造基础。光伏发电作为绿色环保的发电方式，符合国家能源改革以质量效益为主的发展方向，国 内光伏行业面临广阔的发展前景。汽车电动化、网联化、智能化发展趋势带动汽车半导体需求大 幅度增长。IGBT除了光伏发电、新能源汽车也常被用于风电、工控、家电、轨交等领域，受益于 碳中和趋势推动，IGBT迎来广阔的成长空间。 数据来源：Omdia C.第三代半导体 面对国际社会在半导体领域的巨额投入、联合发展和技术产业封锁，国内各级政府从产业政策、发展规划、技术研发、平台建设、应用推广、税收优惠等各方面对半导体产业进行全面支持，在政策驱动及应用需求升级带动下，国内第三代半导体产业取得积极进展。综合 Yole、Omida、WSTS数据：2021年全球SiC、GaN功率半导体市场约13.66亿美元，其中SiC约为10.9亿美元，GaN约为2.76亿美元，市场渗透率约为4.6%-7.3%，较2020年提升2个多百分点。综合各机构数据，预计到2026年SiC电力电子市场规模将达48亿美元，GaN电力电子器件市场规模将超过20亿美元。 （3）行业的主要特点 ①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代 功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90 nm-0.35 μm 之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。 ②IDM与Fabless模式并存，技术迭代与产能供给同步发展 目前，半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabless 模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM 模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。 随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless 模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM 公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。 ③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力 新能源汽车尚处于发展初期，新机遇正在不断涌现，以车载电子、光伏逆变及储能为代表的多细分应用场景需求趋于多元化。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于根据客户定制要求所产生的细分需求多样化，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力要求极高。 （4）主要技术门槛 功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结 MOSFET、高性能 IGBT、高性能 SGT MOSFET、SiC MOSFET 及 GaN HEMT 的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升性能，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabless 设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。 功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。 （1）产品品类及技术方面 在超级结MOSFET领域，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。 在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。 在 IGBT 领域，公司的 TGBT 产品是基于新型的 Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gate IGBT)器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。 2 在SiC领域，公司基于自主知识产权的SiC MOSFET产品克服了传统SiC MOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近SiC MOSFET的优秀的反向恢复能力，能够取代一部分SiC MOSFET的应用。 （2）产品结构方面 公司的功率器件产品包含了具有高技术含量的高压超级结MOSFET产品、极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET以及独创结构、产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比水平的TGBT产品。 报告期内，公司的高压超级结MOSFET产品销售收入占比为81.88%；中低压屏蔽栅MOSFET产品销2 售收入占比为13.94%；TGBT产品销售收入占比为4.00%；公司基于自主知识产权的SiC MOSFET产品在2022年度顺利实现少量出货，可以实现对传统SiC MOSFET的互相替代，已经通过客户的验证并小批量供货。其中，由于高压超级结MOSFET产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间，发展空间巨大。 （3）产品应用领域方面 公司产品以车规级、工业级应用为主，报告期内上述领域占比78.86%。应用领域包括光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源、光伏逆变及储能等。由于车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，其产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）新技术的发展情况及未来发展趋势 1）工艺进步、器件结构改进加速产品迭代 采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的 5 年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。 2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势 第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiC MOSFET在高温下更好的表现， SiC MOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。 3）功率器件集成化趋势 除了功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域、新能源汽车仍是功率模块的主要应用领域。而芯片技术的提升可有效提高模块的集成度和综合性能，降低成本，是模块技术提升的重要因素。 （2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势 受益于光伏逆变及储能、新能源汽车、直流充电桩、基站以及数据中心电源等市场对于高性 能功率器件的需求将不断增加，以高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场 份额以及重要性将不断提升。 1）光伏逆变及储能 随着环保意识的加强，能源结构改革的迫切需求，可再生资源对传统能源的替代趋势日益明 显，光伏行业的高景气度可长期延续。根据CPIA、国家能源局数据：2020年以来，在政策利好的 背景下，国内光伏新增装机容量同比大幅增加，2021年实现新增装机54.88GW，同比上升13.9%， 创历史新高。截至2021年末，全球累计光伏装机容量超过940GW，其中国内为308GW，占比由2013 年末的不足15%提升至2021年末的超过30%，规模优势不断增强。2022年，光伏产业仍保持旺盛 的景气态势，国内光伏发电新增装机 87.41GW 再创新高，较上年增幅超过 60%，当年末累计装机 容量约 393GW。作为光伏产业链终端的核心设备，光伏逆变器的市场出货量直接受益于下游光伏 发电装机量的增长。在全球光伏发电新增装机规模快速增长的背景下，光伏逆变器的市场出货量 也持续增加。 数据来源：CPIA、国家能源局 根据Wood Mackenzie数据，预计到2025年全球光伏逆变器市场空间将达到300GW，对应营收达180亿美元，前景广阔。 2021年，国家发展改革委、国家能源局联合印发的《关于加快推动新型储能发展的指导意见》提出，到2025年，实现新型储能装机规模达到3,000万千瓦以上的目标。未来3-4年的装机总量超过之前近10年的总增长量。根据GGII数据，2022年，中国储能锂电池产业链规模破2,000亿，其中电力储能产业链规模从2021年的480亿元增至2022年的1,600亿元。 2）新能源汽车 ○1新能源汽车市场规模 新能源汽车具有成本、效率和环保等优势。随着产业链逐步成熟、消费者认知度提高、产品 多元化以及使用环境的优化和改进，新能源汽车越来越受到消费者的认可，预计未来新能源汽车 的渗透率将不断提高。 在购置税减半等促消费政策、新能源汽车持续保持高速增长。与传统内燃机汽车相比，包括 了轻度混合动力汽车、插电式混合动力汽车和纯电动汽车的新能源车型的渗透率增长迅速。中汽 协发布数据显示：2022年，新能源汽车产销迈入700万辆规模，分别达到705.8万辆和688.7万 辆，同比分别增长 96.9%和 93.4%，市占率为 25.6%。分驱动形式来看，2022 年纯电动汽车销售 536.5万辆，同比增长81.6%；插电式混动汽车销量151.8万辆，同比增长1.5倍。 数据来源：中国汽车工业协会《2022年汽车工业产销情况》 ○2车规级功率半导体 随着汽车电动化、智能化、网联化的变动趋势，新能源汽车对能量转换的需求不断增强，汽车电子将迎来结构性变革，推动车规级功率器件发展。 在传统燃料汽车中，汽车电子主要分布于动力传动系统、车身、安全、娱乐等子系统中。对于新能源汽车而言，汽车不再使用汽油发动机、油箱或变速器，而由“三电系统”即电池、电机、电控系统取而代之。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC 模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT 和 MOSFET 等）、MCU、传感器及其他等元器件。根据Strategy Analytics分析，传统燃料汽车中功率半导体芯片的占比仅为21.0%，而 纯电动汽车中功率半导体芯片的占比高达55%。 相较于燃料汽车，电动车功率器件对工作电流和电压有更高要求。新增需求主要来自以下几 个方面：逆变器中的IGBT模块、DC/DC中的高压MOSFET、辅助电器中的IGBT分立器件、OBC中 的超级结MOSFET。功率半导体是新能源汽车价值量提升最多的部分，需求端主要为IGBT、MOSFET 及多个IGBT集成的IPM模块等产品。 3）充电桩 2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，《政府工作报 告》中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。伴随新能源汽 车保有量的高速增长，新能源汽车充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长。根据中国电动汽 车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布的数据：2022年1～12月，充电基础设施增量为259.3 万台，其中公共充电桩增量同比上涨91.6%，随车配建私人充电桩增量持续上升，同比上升225.5%。 截止2022年12月，全国充电基础设施累计数量为521.0万台，同比增加99.1%。中国电动汽车 充电基础设施促进联盟（EVCIPA）公布的数据显示：截至2022年12月，联盟内成员单位共上报 公共充电桩179.7万台，其中，直流充电桩76.1万台、交流充电桩103.6万台。2022年1月-12 月间，月均新增公共充电桩约5.4万台。 数据来源：中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）、艾媒数据中心 在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW 的充电桩需要功率器件价值量在 200-300 美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 4）人工智能及数据中心建设 随着以ChatGPT以及自动驾驶为代表的人工智能技术的兴起，国际上对服务器及数据中心的需求大增。而数据中心服务器对电源效率的要求更加严苛，因而采用了较多创新的电路拓扑，比如，图腾柱PFC电路。一部分传统的高压Si基功率器件技术因为反向恢复速度较慢而逐渐被SiC2 或者GaN器件所取代，而采用公司发明的SiC MOSFET技术的新型功率器件可以实现SiC MOSFET的反向恢复速度及高电路效率，在价格与性能之间找到了更好的平衡点。随着人工智能的发展和2 数据中心建设如火如荼的展开，公司发明的一系列SiC MOSFET器件、SiC MOSFET器件及超低电阻超级结器件将可以在此类市场中实现销售额的高速增长。 5）5G基站 工业和信息化部发布的《2022 年通信业统计公报》显示：截至 2022 年底，全国移动通信基站总数达1,083万个，全年净增87万个。其中5G基站为231.2万个，全年新建5G基站88.7万个，占移动基站总数的21.3%，占比较上年末提升7个百分点。5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。 综上所述，5G通信基站建设将带来巨大的功率半导体需求，主要驱动力来自于基站密集度和功率要求、Massive MIMO射频天线、雾运算和云计算的需求提升。 3 公司主要会计数据和财务指标 3.1 近3年的主要会计数据和财务指标 单位：元 币种：人民币
单位：元 币种：人民币
□适用 √不适用 4 股东情况 4.1 普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况 单位: 股
□适用 √不适用 5 公司债券情况 □适用 √不适用 第三节 重要事项 1 公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。 报告期内，公司实现营业收入 111,636.35 万元，较上年同期增长 42.74%；实现归属于上市公司股东的净利润28,435.63万元，较上年同期增长93.57%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润26,778.76万元，较上年同期增长90.59%。报告期内，公司持续聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道，营业收入持续增加，充分受益于功率半导体结构性需求分化红利；并通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作关系，持续扩大产能。公司通过数字化手段不断提高运营效率，期间费用保持相对稳定。公司主营产品广泛应用于光伏逆变器、储能、新能源汽车直流充电桩、各类工业和通信电源、车载充电机以及消费类电子、适配器等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域结构性需求增长、技术迭代及产品组合结构进一步优化等因素影响。 2 公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。 □适用 √不适用 中财网
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