[年报]甬矽电子(688362):甬矽电子2022年年度报告
原标题:甬矽电子:甬矽电子2022年年度报告 甬矽电子（宁波）股份有限公司 2022年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 2022年，受宏观经济增速放缓、国际地缘政治冲突和行业周期性波动等多重因素影响，以消费电子为代表的终端市场整体需求疲软，半导体行业需求出现较大波动，自下半年以来整体出现周期性下行。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布数据。2022年全球半导体市场规模为5,735亿美元，同比增长仅为 3.2%，较 2021年显著放缓。在多重因素影响下，公司报告期内实现营业收入 2,176,992,689.58元，较上年同期增长 5.96%；实现归属于母公司所有者的净利润138,131,472.10元，较上年同期减少 57.11%。若未来半导体产业持续低迷或公司投资项目产能爬坡不及预期，公司业绩可能出现持续下滑甚至亏损的风险。 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中“四、风险因素”相关内容。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人王顺波、主管会计工作负责人金良凯及会计机构负责人（会计主管人员）金良凯声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经天健会计师事务所（特殊普通合伙）审计，截至2022年12月31日，公司母公司实现可供分配利润为人民币392,452,239.00元。公司2022年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。根据公司运营情况及未来资金使用规划，公司2022年度利润分配方案如下： 公司拟向全体股东每10股派发现金红利1.05元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本407,660,000股，以此计算合计拟派发现金红利42,804,300.00元（含税）。本年度公司现金分红金额占公司2022年度归属于上市公司股东的净利润比例为30.99%。公司不送红股，不进行资本公积转增股本。 公司2022年年度利润分配预案已经公司第二届董事会第二十五次会议审议及第二届监事会第十四次会议通过，尚需提交公司2022年年度股东大会审议。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 12 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 34 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 52 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 61 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 89 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 97 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 97 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 97
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 归属于上市公司股东的净利润变动原因分析：2022年，受宏观经济增速放缓、国际地缘政治冲突和行业周期性波动等多重因素影响，以消费电子为代表的终端市场整体需求疲软，半导体行业需求出现较大波动，自下半年以来整体出现周期性下行。受此影响，公司产品毛利率有所下滑，同时由公司人员规模扩大、贷款增加等导致期间费用有所增长。 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润变动原因分析：本报告期内归属于上市公司股东的净利润减少，非经常性损益中的政府补贴增加所致。 归属于上市公司股东的净资产变动原因分析：本报告期内公司上市，募集资金到账及公司盈总资产变动原因分析：本报告期内使用权资产增加、收到投资款和货款的增加，以及二期筹建增加在建工程及固定资产所致。 基本每股收益及稀释每股收益变动原因分析：本报告期内归属于上市公司股东的净利润减少、股本增加所致。 扣除非经常性损益后的基本每股收益变动原因分析：本报告期内归属于上市公司股东的净利润减少、非经常性损益中的政府补贴增加、股数增加所致 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2022年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十一、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 2022年，受宏观经济增速放缓、国际地缘政治冲突和行业周期性波动等多重因素影响，以消费电子为代表的终端市场整体需求疲软，半导体行业需求出现较大波动，整体出现周期性下行。 根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布数据。2022年全球半导体市场规模为 5,735亿美元，同比增长仅为 3.2%，较 2021年显著放缓。在多重因素影响下，公司报告期内实现营业收入2,176,992,689.58元，较上年同期增长 5.96%；实现归属于母公司所有者的净利润 138,131,472.10元，较上年同期减少 57.11%。报告期内，公司主要工作开展情况如下： 1、客户结构持续优化，营业收入保持增长 公司始终坚持“承诺诚信、公平公开、专注合作”的企业核心价值观，以市场为导向、以技术为支持、以诚实守信为根本原则，努力为客户提供最优化的半导体封装测试技术解决方案。在市场需求减弱、行业整体进入去库存周期等不利因素的情况下，公司持续关注客户需求，围绕客户提供全方位服务，通过增强新客户拓展力度、加强新产品导入力度、提升产品品质、缩短供货周期、降低产品成本等多种方式，提升客户满意度，公司客户结构持续优化，与多家细分领域头部客户建立战略合作伙伴关系，并获得多家客户颁发的战略合作供应商、最佳合作供应商、优秀战略合作伙伴等荣誉称号。报告期内，公司共有 6家客户销售额超过 1亿元，13家客户（含前述 6家客户）销售额超过 5,000万元，客户结构持续优化。在公司全体员工的持续努力下，克服多种不利因素影响，实现营业收入同比增长 5.96%。 2、持续加大研发投入，技术水平持续提升 报告期内，公司坚持中高端先进封装定位，持续加大研发投入，2022年研发投入达到 1.2亿元，不断提升公司客户服务能力。报告期内，公司完成了基于 FC+WB Stacked die 的 Hybrid BGA混合封装技术开发及量产；应用于 5G通讯的高密度射频模组 PAMiF的量产，及完成 DiFEM和PAMiD封装工艺开发；双面模组(HD DSSiP)封装技术的开发；汽车电子应用的高清图像 Sensor封装工艺开发；高集成小型化的电磁屏蔽(EMI Shielding)技术开发及量产；高密度引脚双圈 QFN (Dual Row QFN，DR-QFN)产品及量产。报告期内，公司新增申请发明专利 68项，实用新型专利68项，外观设计专利 1项；新增获得授权的发明专利 29项，实用新型专利 51项，外观设计专利1项。 3、推动精益生产变革，提升运营效率，优化成本结构 公司积极推动精益生产变革，不断加强对信息化、智能化方面的投入，提升自动化生产能力，拥有超过百人的 IT实施团队，实现了产品设计模拟仿真，规划、生产、运营全流程数字化管理，运营效率持续提升；积极优化内部成本结构，坚持不断推动国产设备和材料导入，开展成本改善专题活动，强化全员成本意识，成本结构进一步优化。 4、推动二期项目开展，扩大现有产品线；先进制程加快导入，尽量投入量产 公司坚持自身中高端先进封装业务定位，积极推动二期项目建设，扩大公司产能规模，提升对现有客户的服务能力；同时，根据目前市场情况和公司战略，公司积极布局先进封装和汽车电子领域，积极布局包括 Bumping、晶圆级封装、FC-BGA、汽车电子的 QFP等新的产品线，持续推动相关技术人才引进和技术攻关，提升自身产品布局和客户服务能力。 5、完成上交所科创板上市，募投项目稳步实施，抗风险能力增强 2022年 11月 16日，公司成功登陆上交所科创板，实现募集资金净额 100,907.90万元，进一步提升资金实力，为公司加快科技创新、扩大生产规模、提升行业地位提供了厚实的资金保障。 报告期，公司积极推进募投项目，截止报告期末，“高密度 SiP射频模块封测项目”已投入募集资金 78,400.85万元。与此同时，通过员工参与战略配售等方式，亦进一步加强核心人才保留。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 公司主要从事集成电路的封装和测试业务，为集成电路设计企业提供集成电路封装与测试解决方案，并收取封装和测试服务加工费。公司封装产品主要包括“高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、系统级封装产品（SiP）、扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）、微机电系统传感器（MEMS）”4大类别。下游客户主要为集成电路设计企业，产品主要应用于射频前端芯片、AP类 SoC芯片、触控芯片、WiFi芯片、蓝牙芯片、MCU等物联网芯片、电源管理芯片、计算类芯片、工业类和消费类产品等领域。 公司于 2017年 11月设立，从成立之初即聚焦集成电路封测业务中的先进封装领域，车间洁净等级、生产设备、产线布局、工艺路线、技术研发、业务团队、客户导入均以先进封装业务为导向。报告期内，公司全部产品均为 QFN/DFN、WB-LGA、WB-BGA、Hybrid-BGA、FC-LGA等中高端先进封装形式，并在系统级封装（SiP）、高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、大尺寸/细间距扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）等先进封装领域具有较为突出的工艺优势和技术先进性。 公司为了保持先进封装技术的先进性和竞争优势，在技术研发和产品开发布局上，一方面注重与先进晶圆工艺制程发展相匹配，另一方面注重以客户和市场需求导向为目标。结合半导体封测领域前沿技术发展趋势，以及物联网、5G、人工智能、大数据等应用领域对集成电路芯片的封测需求，公司陆续完成了倒装和焊线类芯片的系统级混合封装技术、5纳米晶圆倒装技术等技术的开发，并成功实现稳定量产。同时，公司已经掌握了系统级封装电磁屏蔽（EMI Shielding）技术、芯片表面金属凸点（Bumping）技术，并积极开发 Fan-in/Fan-out、2.5D/3D等晶圆级封装技术、高密度系统级封装技术、大尺寸 FC-BGA封装技术等，为公司未来业绩可持续发展积累了较为深厚的技术储备。 (二) 主要经营模式 1、盈利模式 公司主营业务为集成电路的封装与测试，并根据客户需求提供定制化的封装技术解决方案。 客户提供未进行封装的晶圆裸片，公司根据客户要求的封装类型和技术参数，将芯片裸晶加工成可直接装配在 PCB电路板上的芯片产品。封装完成后，公司会根据客户要求，对芯片产品的电压、电流、时间、温度、电阻、电容、频率、脉宽、占空比等参数进行专业测试。公司完成晶圆裸片的封装和芯片测试后，将芯片成品交付给客户，获得收入和利润。 （1）生产模式 公司主要专注于中高端封装和测试产品的生产，并配备了专业的高精度自动化生产设备。公司拥有专业的工程技术和生产管理团队，可以根据客户提出的各种封装测试要求及时做出响应，并根据市场需求对产品种类和产量进行快速调整。由于不同的封装种类在生产制程上存在差异，公司为了便于生产管理，同时也为了提高生产效率和产品良率，在柔性生产模式的基础上，按照封装种类对生产线进行划分。 （2）采购模式 公司采购处负责全部生产物料和生产设备的采购，采购处下设材料采购部和设备采购部，材料采购部根据公司生产所需，负责材料（直接材料、间接材料、包装材料）采购。此外，当公司制程能力不足或产能不足时，材料采购部还负责相应的外协服务采购；设备采购部根据公司生产所需以及日常耗用情况，负责设备、备品备件、耗材、工装模具等的采购。 2、销售模式 公司以直接销售为主，主要下游客户为芯片设计公司。公司接受芯片设计客户的委托订单，对客供晶圆裸片提供封装加工和成品测试服务。 除直接销售外，报告期内公司部分数字货币领域封测产品采取代理销售模式，即专门的供应链服务公司（即代理公司）同数字货币矿机生产企业签署封装测试服务协议，公司同代理公司签署封装和测试委托加工合同或公司与代理公司及矿机芯片企业签署三方协议，并同服务公司结算，封装测试好的芯片直接发给数字货币矿机芯片企业或由其自提。公司部分数字货币类产品采取代理销售模式，一方面是因为部分数字货币矿机芯片企业更多侧重于数字货币矿机整机的销售，相对缺乏半导体产业链的运营经验，需要专业的供应链服务公司提供产能预定、订单管理等运营服务；另一方面是因为数字货币价格波动巨大，矿机芯片客户订单量波动较大，为了降低客户管理成本和经营风险，公司直接同供应链服务公司进行结算。 3、研发模式 公司主要采用自主研发模式，建立了研发项目管理制度以及专利管理制度，并具有完善的研发投入核算体系。公司设有研发工程中心，下辖材料开发处、产品研发处、设计仿真处、工艺研发处、测试工程开发处和工程实验室。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）甬矽电子所属行业及确定所属行业的依据 公司主营业务为集成电路的封装和测试。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”；根据《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），公司属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”下属的“集成电路制造（C3973）”。 公司业务细分行业为集成电路封装和测试业。 （2）行业的发展阶段与基本特点 20世纪 70年代开始，随着半导体技术日益成熟，晶圆制程和封装工艺进步日新月异，一体化的 IDM公司逐渐在晶圆制程和封装技术方面难以保持技术先进性。为了应对激烈的市场竞争，大型半导体 IDM公司逐步将封装测试环节剥离，交由专业的封测公司处理，封测行业变成集成电路行业中一个独立子行业。 20世纪 90年代，随着全球化进程加快、国际分工职能深化，以及集成电路制程难度的不断提高，集成电路产业链开始向专业化的分工方向发展，逐渐形成了独立的半导体设计企业、晶圆制造代工企业和封装测试企业。在半导体产业转移、人力资源成本优势、税收优惠等因素促进下，全球集成电路封测厂逐渐向亚太地区转移，目前亚太地区占全球集成电路封测市场 80%以上的份额。 2022年，受地缘政治、全球经济增速放缓等多种因素影响，全球半导体行业增速大幅放缓。 根据美国半导体工业协会（SIA）统计，2022 年半导体销售额同比实现 3.2%的增长，达到 5,735亿美元，但增速较 2021年出现明显回落。但与此同时，随着摩尔定律逐渐逼近极限，封装特别是时代集成电路技术发展的一条重要路径。由于制程工艺的局限，将多个单芯片和器件集成在单一封装中已成为提高系统集成度和性能的重要手段。先进封装技术可以实现更高的 I/O密度、更快的信号传输速度和更好的电热性能，从而提高芯片的性能和功能。并且，先进封装技术还可以降低芯片的功耗和体积，提升芯片的可靠性和生产效率。此外，先进封装技术还可以采用晶圆级封装等技术来实现自动化生产，提高生产效率和降低成本。集微咨询（JWInsights）统计，2022年全球封装测试市场的总营收为 815亿美元，预计到 2026年将达到 961亿美元；同时，用于 5G、物联网、高性能运算、智能驾驶、AR/VR等场景的高端芯片需求持续增加，从长期来看，先进封装技术必将随着终端应用的升级和对芯片封装性能的提升而蓬勃发展。集微咨询（JW Insights）预计，全球先进封装市场规模将从 2021年的 350亿美元上升至 2026年的 482亿美元。 随着我国集成电路国产化进程的加深、下游应用领域的蓬勃发展以及国内封测龙头企业工艺技术的不断进步，国内封测行业市场空间将进一步扩大。根据中国半导体行业协会及集微咨询数据，2022年我国集成电路封测行业规模超过 2,900亿元，先进封装产值预计 2023年达到 1,330亿元。 （3）主要技术门槛 在集成电路制程方面，“摩尔定律”认为集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。长期以来，“摩尔定律”一直引领着集成电路制程技术的发展与进步，自 1987年的 1um制程至 2015年的 14nm制程，集成电路制程迭代一直符合“摩尔定律”的规律。但 2015年以后，集成电路制程的发展进入了瓶颈，7nm、5nm、3nm制程的量产进度均落后于预期。随着台积电宣布 2nm制程工艺实现突破，集成电路制程工艺已接近物理尺寸的极限，集成电路行业进入了“后摩尔时代”。 “后摩尔时代”制程技术突破难度较大，工艺制程受成本大幅增长和技术壁垒等因素影响，上升改进速度放缓。根据市场调研机构 IC Insights统计，28nm制程节点的芯片开发成本为 5,130万美元，16nm节点的开发成本为 1亿美元，7nm节点的开发成本需要 2.97亿美元，5nm节点开发成本上升至 5.4亿美元。由于集成电路制程工艺短期内难以突破，通过先进封装技术提升芯片整体性能成为了集成电路行业技术发展趋势。 封测企业需要朝着先进封装技术的发展方向，不断向晶圆级封装领域和系统级封装领域发展，不断进行技术创新、开发新产品才能适应市场变化，顺应集成电路下游应用市场集成化、小型化、智能化的发展趋势。封装领域不断涌现出诸如 2.5D/3D/POP等新兴封装类型以及先进封装技术，这对于封装测试企业在新产品的研发、品质、测试方面提出了苛刻的要求，技术门槛越来越高。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 甬矽电子专注于中高端先进封装和测试业务，报告期内，公司已经与多家行业内知名 IC设计企业建立了稳定的合作关系。公司为国家高新技术企业，公司 2020年入选国家第四批“集成电路重大项目企业名单”，公司“年产 25亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目”被评为浙江省重大项目。 根据芯思想研究院发布的 2022年中国本土封测代工（OSAT）10亿元俱乐部榜单，公司排名第 6。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 随着半导体制程的不断演进，工艺已接近瓶颈，以及芯片架构优化的限制，未来几年处理器性能的发展将逐步减慢，摩尔定律也将逐渐失效。因此，以 chiplet理念为代表的先进封装的技术应用将成为提高芯片性能的一种重要途径。Chiplet是指将一类满足特定功能的 die（裸片），通过die-todie内部互联技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起，形成一个系统芯片，以实现一种新形式的 IP复用。Chiplet是将原本一块复杂的 SoC芯片，从设计时就按照不同的计算单元或功能单元对其进行分解，然后每个单元选择最适合的工艺制程进行制造，再将这些模块化的裸片互联起来，通过先进封装技术，将不同功能、不同工艺制造的 Chiplet封装成在同一颗芯片内。 目前而言，实现 Chiplet的技术方式包括 2.5D、3D等多种形式，如台积电、日月光等全球主要的封装厂或晶圆代工厂均已经或正在开发相关的封装形式，在先进制程受限的情况下，相关技术将有望成为我国集成电路封测行业新的突破口。Chiplet技术的发展将大大推动先进封装的市场发展。 根据 Yole预测，全球先进封装市场预计将在 2019-2025年间以 6.6%的复合年增长率增长，到 2025年将达到 420亿美元；同时，与传统封装相比，先进封装的应用正不断扩大，预计到 2026先进封 (四) 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司在高密度细间距倒装凸点互联芯片封装技术、应用于 4G/5G通讯的射频芯片/模组封装技术等 7个领域拥有先进的核心技术，相关核心技术均系自主开发，目前均处于量产阶段，概况如下： （1）高密度细间距倒装凸点互联芯片封装技术 倒装是将晶粒（Die）通过凸点（Bump）与基板线路进行连接的技术，可在晶粒和基板之间形成短间距、高密度的连接通路。倒装芯片迎合了集成电路追求更高 I/O密度、更小尺寸、更快运算速度、更高可靠性和更佳经济性的发展趋势。高密度细间距倒装凸点互联芯片封装技术作为先进封装代表性技术之一，被广泛应用在高性能通讯基带（Baseband）、图像处理芯片、电源管理芯片（PMIC）和人工智能（AI）芯片等领域。 公司在倒装芯片领域拥有以下核心技术： ①高精度倒装贴装技术。公司量产的 FCCSP先进封装倒装芯片，封装尺寸达到 17*17mm以上，最小凸点间距为 79um，最小凸点直径 40um，单晶粒上的凸点数量在 3400个以上；同时，公司开发的高密度 FCBGA产品，单晶粒上的凸点数量达到了 18000个。经公司调试、优化的高精度倒装贴片机，贴装精度达±6~±5um，量产产品的最小线宽和最小线间距达到了 13/13um。 ②底部塑封材料填充技术。倒装芯片晶粒通过晶圆凸块（Bump）与基板连接，连接后晶粒与基板间存在极细小的缝隙（约 30~50微米），封装企业需要使用树脂材料将底部缝隙填充，起到加强粘合和保护作用。但由于倒装芯片底部缝隙过于狭窄，填充时极易发生填充不全或填充过多导致溢胶等风险。公司通过反复试验掌握了塑封材料的固化时间、流动性以及填充料粒径等材料特性，并结合填充的真空、温度、压力、时间等封装参数，成功开发了倒装芯片真空模塑底部填充技术和应对高密度细间距芯片的毛细作用底部填充技术，攻克了相关技术难题。 ③先进制程晶圆低介电常数层应力仿真技术。由于先进制程晶圆通常使用低介电常数（Low-K）材料制作（注：介电常数为衡量绝缘材料电性能的重要指标之一，通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等），为降低介电常数会在材料中添加纳米级空洞，大幅降低了材料的结构强度，导致晶圆的低介电层极易因外力破裂。倒装芯片在封装过程中，需经过回流焊、塑封等诸多热加工环节，不同材料因热加工产生的应力不同、形变程度不同，封装企业需通过材料选型搭配、封装结构设计、工艺流程控制、仿真模拟实验等诸多技术手段降低封装过程中可能产生的晶圆低介电常数层破裂风险（Low-K/ELK Crack）。公司采用了先进的应力仿真技术，在封装项目开发阶段即对产品进行结构建模，对产品结构应力、热应力进行仿真分析研究，选择最佳特性的封装材料，并在封装过程中进行精细的热制程应力释放控制。 ④倒装芯片露背式封装散热技术。公司研发部门通过热仿真分析以及技术攻关，成功开发并量产芯片背露的倒装芯片（Exposed die FC-CSP，ED-FC-CSP）封装技术。芯片的背面硅层直接裸露在塑封体的表面，芯片运行过程中产生的热量直接传导至散热器，解决了因塑封材料阻隔导致散热效率不够的问题；此外，在高性能 FCBGA产品上引入金属界面散热材料（Metal TiM）高散热解决方案。 （2）应用于 4G/5G 通讯的射频芯片/模组封装技术 射频芯片是将高频交流电磁波信号和数字信号进行转换，包括射频收发器、功率放大器、低噪声放大器、滤波器、射频开关、天线调谐开关等，是移动通讯领域最重要的集成电路芯片。射频芯片的封装对表面贴装、装片、焊线等具体工艺实施环境均有严苛的技术要求。公司对 4G/5G射频芯片的封装技术展开了大量技术攻关，并形成了一系列技术成果： ①高精度表面贴装技术。通过对锡膏印刷工艺材料、相关配套组件、贴装程式的改进和优化，公司表面贴装技术精度达到 20-25um，并实现 0.4×0.2mm的小器件贴装达到规模化量产，最小贴装器件的尺寸达到 0.25×0.125mm。 ②多芯片装片技术。实现了最多达 7颗晶粒的复杂装片技术，且装片精度达到±25um。 ③高效率散热技术。实现了高导热固晶银焊膏与高性能砷化镓（GaAs）芯片背金属层烧结技术，大幅提高了砷化镓芯片散热效率，并有效提高了芯片可靠性。 ④5G射频砷化镓（GaAs）倒装芯片技术。GaAs（砷化镓）芯片因其材质等特性，相比传统Si（硅）芯片而言在封装过程中更易因应力导致芯片内部电路层出现裂纹。甬矽电子通过对 GaAs芯片贴装及回流焊环节进行优化，通过控制贴装力度及回流焊温度、时间等参数有效克服贴装和焊接环节应力造成芯片裂纹的风险。此外，通过对晶圆进行编带同时进行多颗芯片进行贴装及一次性过回流炉进行焊接，减少因采用独立倒装设备每颗芯片分别贴装/焊接而造成多次过回流炉带来对产品性能和可靠性的影响，同时极大的提升了作业效率。 ⑤先进焊线工艺。通过工艺和材料改进，公司发开了直径从 0.65mils（长度单位密耳，1mil=1/1000英寸或 0.0254mm）至 2mils多种规格的焊线，焊线材质包括金线、合金线和铜线，并通过严格的焊线过程控制，实现了较高的焊线线弧一致性。 通过持续的研发，公司已实现 5G高密度射频模组 PAMiF批量量产，同时成功开发更高集成度的 5G PAMiD模组及 DiFEM模组工艺。同时公司紧跟射频模组技术的发展趋势，布局开发双面 Double side SiP(DSBGA)先进模组技术。 （3）混合系统级封装（Hybrid-SiP）技术 公司的混合系统级封装是将在先进系统级封装基础上，采用“倒装芯片封装+正装焊线芯片封装”的整合封装技术，在一个封装体内集成了电容、电阻、电感、晶振、滤波器、先进倒装芯片以及高密度焊线芯片。公司在混合系统级封装领域掌握了以下技术： ①基板表面处理工艺。混合系统级封装由于要将倒装芯片和焊线芯片封在一个封装体内，基板焊盘涉及多种材料焊接，不同的焊接材料需要采用不同基板焊盘表面处理工艺，所对应的焊接工艺也有所不同。与此同时，公司所使用的多层基板由绿漆、铜线、玻璃纤维等不同材料叠合而成。因此，多种材料和复合材料组成的基板进行焊接时，不同材料因膨胀系数不同，其受热形变量不同。若不能充分考虑各种材料之间的形变量协调性，最终封装体极易产生质量缺陷。公司通过基板层结构建模和 SiP封装形变仿真分析，对产品进行优化设计和工艺优化，克服混合系统级封装热加工环节中基板和塑封体的形变影响。 ②塑封模流仿真技术。通过塑封模流仿真技术并与试验验证相结合，解决了因系统级封装集成度高、结构复杂，塑封时要兼顾正装芯片焊线保护（防止正装芯片的焊线在注塑过程中被塑封树脂冲击变形）和倒装芯片底部完整填充困难的问题。 ③共形电磁屏蔽技术：由于混合系统级封装元器件密度较高，传统金属屏蔽罩的方式不满足其电磁屏蔽需求。公司于 2020年开发了共形电磁屏障技术，通过在成品芯片上表面和四个侧面通过磁控溅射方式溅镀 5-10微米厚度的金属镀层，来实现电磁屏蔽。共形电磁屏蔽技术不会增加系统级封装尺寸，同时电磁屏蔽效果达到 30dB以上（dB是衡量电磁屏蔽效果的指标之一，数值越高代表屏蔽效果越好，30dB屏蔽能力能够覆盖手机等绝大部分消费类产品），显著提升了公司系统级封装产品的集成度和芯片性能。 （4）多芯片（Multi-chip）/高焊线数球栅阵列（WB-BGA）封装技术 球栅阵列封装具有高密度的 I/O引脚数，以及多项电性能优势，同时具备良好的终端焊接性和芯片可靠性，是高密度、高性能、多 I/O引脚芯片封装的优化选择方案。 公司研发团队通过自主研发，在多芯片/高焊线数球栅阵列（WB-BGA）封装技术领域掌握了以下技术： ①多芯片堆叠技术 多芯片封装对装片制程（Die bond）的精准控制要求较高。公司通过自主研发，实现了 4-5层薄芯片（厚度 60-70um）的精准堆叠，并通过对不同装片材料粘度、模量、收缩特性的研究，解决了大尺寸芯片胶量稳定控制与多层堆叠芯片贴装膜气洞（Void）问题。 ②焊线技术 随着晶圆制程技术的提升，14-28纳米制程晶圆低介电常数层破裂风险（Low-K/ELK Crack）对封装技术提出了极大挑战。公司研发团队通过自主研发，成功实现 14纳米制程晶圆的铜线焊线技术，解决了铜线材质偏硬带来的芯片内部低介电常数层损伤风险。目前公司焊线类 BGA产品已实现 5层焊线封装的稳定量产，最高线数达 1,500根，最小焊垫尺寸（BPO）和间距（BPP）分别达到 38.7um和 43um。 ③形变仿真设计技术 芯片封装体是多种材料的结合，因不同材料的热膨胀系数不同，大尺寸 WB-BGA芯片在工作发热后，容易出现翘曲及焊锡球共面性不达标问题（即由于基板因热形变翘曲，导致其上的焊球引脚无法保持在一个平面，进而出现接触不良甚至脱焊缺陷）。公司研发团队通过对产品结构进行形变仿真设计，同时引入行业先进的投影波纹检测技术对新产品进行热形变监测，成功解决了这一技术难题。 在上述技术的支持下，公司研发团队开发了散热片和塑封一次性压塑成型的 HS-WBBGA封装形式，为尺寸在 25*25mm以上的大颗 WB-BGA芯片的翘曲和共面性问题提供了良好的解决方案，并使芯片的散热性能得到了提升。 （5）基于引线框的高密度/大尺寸的 QFN封装技术 公司引线框架类 QFN封装主要服务于高集成密度的 QFN芯片，封装尺寸覆盖 2*2mm-12.3*12.3mm，并主要集中在 5*5mm以上。公司研发团队在 0.4mm常规引脚间距 QFN封装产品稳定量产的前提下，向 0.35mm及 0.3mm高密度细间距引脚 QFN封装技术发起挑战，成功解决了细引脚间距 QFN切割铜屑残留导致引脚短路的难题，使芯片引脚密度提升 25%~40%，并实现规模化量产，良率达 99.9%以上。公司推进技术的研发，解决 QFN产品因单圈引脚带来的集成密度上的限制，成功研发双圈 QFN (Dual Row QFN，DR-QFN)产品并推进量产，引脚集成密度进阶提升超过 20%。 QFN封装形式因其开发周期短、封装成本低等优势，受到芯片设计企业的青睐。近年来，部分传统采用 BGA封装形式的芯片，开始转为采用复杂结构的 QFN封装形式。公司研发团队通过自主研发，引入了硅垫片和多次装片工艺，在 QFN封装形式内实现了多芯片堆叠方案及多基岛、多芯片平铺技术，同时成功实现了焊线层数最多达 6层、焊线长度 4,500um的超长线弧焊线技术。 公司目前已经稳定量产焊线数最多达到 500根，尺寸达 10*10mm-12.3*12.3mm的大颗高密度QFN封装产品，并进阶研超大颗 QFN（>13*16mm）产品封装技术，极大的提高了公司的市场竞争力。 （6）MEMS &光学传感器封装技术 MEMS传感器是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。公司所封装的 MEMS传感器主要为硅麦克风，该产品需要在晶圆上制作悬梁、薄膜、空腔、密封洞、针尖、微弹簧等复杂的机械结构，这些微机械结构容易因机械接触而损坏。在传统封装工艺中，通常使用金刚石刀进行晶圆切割（即划片工艺），并同时使用纯水对刀片进行冷却和冲洗。但金刚石刀片高速旋转产生的压力和扭力，纯水冲洗产生的冲击力，以及物理切割产生的硅碎屑都容易对 MEMS传感器中的机械微结构造成不可逆的破坏。为了适应 MEMS传感器的特性，公司采用了隐形切割技术：先利用激光切割晶圆表面，激光切割完成后晶圆内部会形成改质层，并在晶圆表面形成裂纹，再通过专用扩片设备把晶粒分开，显著提高了 MEMS传感器封装良率。 应用包括可穿戴电子/智能手机/物料网及汽车电子的光学传感器，通过 Sensor感知光学的变化转变为电信号，通过算法实现对应用环境的侦测及变化的感知。公司成功研发了基于特殊透明塑封料材料（EMC）的透明 LGA光学传感器封装，技术上解决了特殊材料/结构材料的 Strip翘曲及可靠性挑战，成功转化批量量产。基于光学传感器封装技术的研发和积累，公司成功掌握了应用于汽车电子的高阶分辨率图像传感器（CMOS image sensor，CIS）封装工艺技术。 （7）多应用领域先进 IC测试技术 公司具备完整的芯片终测（FT测试）能力，可自主进行测试方案开发和测试治具设计，拥有设备连接治具（Docking）、探针台接口板（PIB）、探针卡、KIT、测试座（Socket）等一系列测试工具，满足各类项目研发和产品测试需求。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 报告期内，公司新增申请发明专利 68项，实用新型专利 68项，外观设计专利 1项；新增获得授权的发明专利 29项，实用新型专利 51项，外观设计专利 1项。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：元
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