[年报]帝奥微(688381):2022年年度报告

时间:2023年04月21日 21:00:46 中财网

原标题:帝奥微:2022年年度报告

公司代码:688381 公司简称:帝奥微







江苏帝奥微电子股份有限公司
2022年年度报告









重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人鞠建宏、主管会计工作负责人成晓鸣及会计机构负责人(会计主管人员)成晓鸣声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经立信会计师事务所(特殊普通合伙)审计,截至2022年12月31日,公司期末可分配利润为人民币323,567,521.98元,经公司董事会决议,公司2022年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下:
公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币2.60元(含税),以公司截至2022年12月31日的总股本25,220万股为基数进行测算,合计拟派发现金红利人民币65,572,000元(含税)。本年度公司现金分红金额占当年度归属于上市公司股东净利润的比例为37.76%。

上述2022年年度利润分配预案已经公司第一届董事会第十八次会议及第一届监事会第十三次会议审议通过,尚待公司2022年年度股东大会审议。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺 ,请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 45
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 60
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 65
第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 104
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 117
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 118
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 119
审计报告 ......................................................................................................................... 119



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、帝奥微江苏帝奥微电子股份有限公司
南通帝迪南通帝迪半导体有限公司,公司全资子公司
上海帝迪上海帝迪集成电路设计有限公司,公司全资子公司
香港帝奥微Dioo(HongKong)Co., Limited(帝奥(香港)有限公司),公 司全资子公司
美国帝奥微Dioo Microcircuits Co., Ltd.(美商帝奥微电子有限公司), 香港帝奥微全资子公司,公司全资孙公司
台湾分公司美商帝奥微电子有限公司台湾分公司,公司全资孙公司美国帝奥 微在台湾开设的分公司
迪漪上海迪漪(上海)企业管理中心
安泰房地产南通安泰房地产开发有限公司,公司发起人股东
上海沃燕上海沃燕创业投资合伙企业(有限合伙),公司发起人股东
上海洪鑫源上海洪鑫源实业有限公司,公司发起人股东
江苏润友江苏润友投资集团有限公司,公司发起人股东
苏州沃洁苏州沃洁股权投资合伙企业(有限合伙),公司发起人股东
国泰发展国泰集成电路发展有限公司(Cathay IC Development Limited), 公司发起人股东
兆杰投资宁波梅山保税港区兆杰投资管理合伙企业(有限合伙),公司发 起人股东
南通圣喜南通圣喜企业管理合伙企业(有限合伙),公司发起人股东
上海芯溪上海芯溪集成电路技术中心(有限合伙),公司发起人股东
南通圣乐南通圣乐企业管理合伙企业(有限合伙),公司发起人股东
上海芯乐上海芯乐集成电路技术中心(有限合伙),公司发起人股东
小米长江产业湖北小米长江产业基金合伙企业(有限合伙),公司发起人股东
OPPO广东、OPPOOPPO广东移动通信有限公司
亚伦置业南通亚伦家纺城置业有限公司
文晔集团WT MICROELECTRONICS CO., LTD.,台湾上市公司,股票代码: 3036.TW
WPI集团WPI INTERNATIONAL (HONG KONG)LIMITED、WORLD PEACE INDUSTRIAL CO., LTD.、大联大商贸(深圳)有限公司
小米XIAOMI CORPORATION及其附属公司,包括Xiaomi H.K. Limited、 小米通讯技术有限公司和江苏紫米电子技术有限公司等。XIAOMI CORPORATION为香港联交所上市公司,股票代码:01810.HK
通力通力电子控股有限公司及其关联公司
ONON Semiconductor(安森美),系全球知名的电源管理集成电路 和标准半导体等产品的供应商,美国纳斯达克上市公司,股票代 码:ON.O
晶圆硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,在硅晶片上可加工制作成 各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品
芯片封装把晶圆上的半导体集成电路固定在基座上,用各种连接方式,加 工成含外壳和管脚的可使用的芯片成品,起着安放、固定、密封、 保护芯片和增强电热性能的作用
测试集成电路晶圆测试、成品测试、可靠性试验和失效分析等工作
光罩Mask,指布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片,在半导 体集成电路制作过程中,用于通过光蚀刻技术在半导体上形成图 形
模拟信号用连续变化的物理量表示的信息
信号链一个系统中信号从输入到输出的路径,从信号的采集、放大、传 输、处理一直到对相应功率器件产生执行的一整套信号流程
转换器将模拟或数字信号转换为数字或模拟信号的装置
带宽在单位时间内可传输的数据量
浪涌电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电 压的峰值电压或过载电压
共模电压同时加在电压表两测量端和规定公共端之间的那部分输入电压
结电容在一特定反向偏压下,变容二极管内部PN结的电容
闪烁百分比光输出波形的一个周期内,最大光输出等级与最小光输出等级之 差与最大光输出等级与最小光输出等级之和的百分比值
FablessFabrication(制造)和 less(无、没有)的组合,是指“没有 制造业务、只专注于设计”的集成电路设计企业的一种运作模式
IDMIntegrated Design and Manufacturer,即垂直整合制造商,涵 盖集成电路设计、晶圆制造、封装及测试等各业务环节的集成电 路企业
LED发光二极管(Light Emitting Diode)其核心部分是由p型半导 体和n型半导体组成的晶片,在p型半导体和n型半导体之间有 一个过渡层,称为PN结。在半导体材料的PN结中,注入的少数 载流子与多数载流子复合时会把多余能量以光的形式释放出来, 从而把电能直接转换为光能
MOSFET、MOS、副芯片Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属- 氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟与数字 电路的场效晶体管,通常作为标准器件搭配驱动电路使用
AC/DC交流转直流的电源转换器
DC/DC直流转直流的电源转换器
ADCAnalog to Digital Converter,模数转换器
BCD工艺一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极性 晶体管Bipolar、CMOS和DMOS器件,因而被称为BCD工艺
USBUniversal Serial Bus,通用串行总线的缩写,是一个外部总线 标准,用于规范电脑与外部设备的连接和通讯,是应用在 PC 领 域的接口技术
dB信噪比的计量单位是dB,其计算方法是10log(Ps/Pn),其中Ps 和Pn分别代表信号和噪声的有效功率
HIFIHigh Fidelity,一般在频率范围20Hz-20kHz,失真度小、信噪 比高的高品质音质效果
PWM一般指脉冲宽度调制。脉冲宽度调制是一种模拟控制方式,根据 相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现 晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的 改变
COTConstant-on(off)-Time mode,恒定导通(关断)时间控制, 它由迟滞控制模式发展而来,采用双闭环控制系统,反馈有二个 环路:电压外环和电流内环
LDOlow dropout regulator,低压差线性稳压器,一种电源转换芯 片
GaN氮化镓,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体
QFNQuad Flat No-leads Package,方形扁平无引脚封装,表面贴装 型封装之一
C-PHY/D-PHYMIPI的物理层协议标准,目前有D-PHY、M-PHY、C-PHY 等3种。 D-PHY现在大量应用于处理器与显示屏、摄像头连接。随着摄像 头、显示屏的像素和帧率的增加,D-PHY的数据传输速度不足, 因此推出速度更快的C-PHY标准。
Pst短时间闪变值,该指标对可见光闪烁进行评估。典型观察时间是 10分钟,模拟人对光波动的主观视感,通过对于瞬时光闪烁概率 进行分析计算,对该段时间内的光闪烁严重程度作出评估
THD总谐波失真,电路不可避免的振荡或其他谐振产生的二次,三次 谐波与实际输入信号叠加产生的谐波成分与实际输入信号的百 分比值
TWSTrue Wireless Stereo,真正的无线立体声,实现蓝牙左右声道 无线分离使用
DisplayPort由 PC 及芯片制造商联盟开发,标准化的数字式视频接口。主要 用于视频源与显示器等设备的连接,并也支持携带音频、USB和 其他形式的数据
ACFActive Clamp Flyback,有源钳位反激,能够实现零电压开通或 零电流关断的拓扑电路
LDMOSLaterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor,横向扩散金 属氧化物半导体,高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐 高压、实现功率控制等方面的要求
JFETJunction Field-Effect Transistor,结型场效应晶体管,JFET 是由p-n结栅极(G)与源极(S)和漏极(D)构成的一种具有放 大功能的三端有源器件
NMOSN type-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属-氧化物-半导体 效应管,一般指由栅氧化层上的多晶硅栅极(G)与栅极两侧的N 型漏极(D)、源极(S)型的背栅极(B)构成的一种广泛使用于 模拟与数字电路中的N型绝缘栅场效应晶体管





第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称江苏帝奥微电子股份有限公司
公司的中文简称帝奥微
公司的外文名称Dioo Microcircuits Co., Ltd. Jiangsu
公司的外文名称缩写DIOO
公司的法定代表人鞠建宏
公司注册地址南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址上海市闵行区号景路206弄万象企业中心TC东栋
公司办公地址的邮政编码201101
公司网址http://www.dioo.com/
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名陈悦王建波
联系地址上海市闵行区号景路206弄万象企业 中心TC东栋上海市闵行区号景路206弄万象 企业中心TC东栋
电话021-67285079021-67285079
传真021-62116889021-62116889
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》(www.cnstock.com)、《中国证券 报》(www.cs.com.cn)、《证券时报》( www.stcn.com)、《证券日报》(www.zqrb.cn)、 《经济参考报》(www.jjckb.cn)
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司董事会办公室

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板帝奥微688381/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所(境 内)名称立信会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址上海市黄浦区南京东路61号四楼
 签字会计师姓名诸旭敏、陆蕾
报告期内履行持续督导职责 的保荐机构名称中信建投证券股份有限公司
 办公地址北京市朝阳区安立路66号4号楼
 签字的保荐代表 人姓名王志丹、冷鲲
 持续督导的期间2022年8月23日至2025年12月31日

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2022年2021年本期比 上年同 期增减 (%)2020年
营业收入501,593,519.52507,650,210.12-1.19247,537,001.03
归属于上市公司股东的净 利润173,659,078.36165,035,085.425.2340,176,708.02
归属于上市公司股东的扣 除非经常性损益的净利润142,011,796.59156,656,067.63-9.3531,001,197.01
经营活动产生的现金流量 净额153,889,159.80160,730,859.57-4.2669,682,491.08
 2022年末2021年末本期末 比上年 同期末 增减( %)2020年末
归属于上市公司股东的净 资产3,122,382,854.84519,124,408.28501.47352,674,215.13
总资产3,171,795,581.59586,613,153.60440.70389,691,044.99


(二) 主要财务指标

主要财务指标2022年2021年本期比上年同 期增减(%)2020年
基本每股收益(元/股)0.830.87-4.600.23
稀释每股收益(元/股)0.830.87-4.600.23
扣除非经常性损益后的基本每 股收益(元/股)0.680.83-18.070.18
加权平均净资产收益率(%)12.2937.88减少25.59个 百分点18.43
扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率(%)10.0535.96减少25.91个 百分点14.22
研发投入占营业收入的比例(%)14.058.95增加5.10个百 分点10.52


报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
(1) 总资产增加440.70%主要系首次公开发行新股收到募集资金所致 (2) 归属于上市公司股东的净资产增加 501.47%主要系首次公开发行新股资本公积增加及公司业绩带来净利润增加所致

七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2022年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入160,829,984.76132,142,377.21108,651,524.3199,969,633.24
归属于上市公司股 东的净利润64,361,733.0355,181,010.0341,635,175.9912,481,159.31
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益后的净利润62,389,610.9348,594,030.4332,003,704.73-975,549.50
经营活动产生的现 金流量净额28,451,560.5756,593,758.7237,288,106.2931,555,734.22

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2022年金额附注(如 适用)2021年金额2020年金额
非流动资产处置损益-406.79第十节、 七、75115,754.56-2,466.55
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免    
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外15,030,206.32第十节、 七、676,600,308.108,764,936.23
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费    
非经常性损益项目2022年金额附注(如 适用)2021年金额2020年金额
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益    
非货币性资产交换损益    
委托他人投资或管理资产的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等    
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益    
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益    
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益    
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性 金融资产、衍生金融资产、交易 性金融负债、衍生金融负债产生 的公允价值变动损益,以及处置 交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金融 负债和其他债权投资取得的投资 收益18,013,337.58第十节、 七、68/703,236,972.622,090,615.92
单独进行减值测试的应收款项、 合同资产减值准备转回    
对外委托贷款取得的损益    
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益    
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-80,934.80第十节、 七、74/75-123,043.29-68,085.48
其他符合非经常性损益定义的损 益项目    
减:所得税影响额1,314,920.54 1,450,974.201,609,489.11
少数股东权益影响额(税 后)    
合计31,647,281.77 8,379,017.799,175,511.01

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》□适用 √不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影 响金额
交易性金融 资产132,814,573.622,142,994,908.312,010,180,334.6918,013,337.58
合计132,814,573.622,142,994,908.312,010,180,334.6918,013,337.58

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用


第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2022年,受复杂的国际贸易环境和行业周期等因素影响,下游市场整体需求疲软。面对外部环境的不利影响,公司积极应对,始终以市场为导向、以创新为驱动,以提高公司经济效益和为社会创造价值为基本原则,继续加大研发投入,吸引人才、优化产品和供应链结构、继续推进国内市场拓展,同时加快海外市场的布局。报告期内公司实现营业收入50,159.35万元,较上年同期下降1.19%;实现归属于母公司所有者的净利润17,365.91万元,较上年同期增加5.23%;剔除股份支付费用影响后,公司归属于母公司所有者的净利润18,599.70万元,较上年同期增长11.61%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润14,201.18万元,较上年同期下降9.35%。其中信号链产品营业收入为22,870.16万元,占比45.6%,电源管理产品营业收入为27,289.19万元,占比54.4%。

公司始终坚持以创新为导向,不断推出应用于不同领域的新型产品,同时公司丰富的产品分布于多市场领域,能够快速响应市场需求,不断优化产品结构适应当期市场情况。因此报告期内,公司仍能保持较高毛利水平,产品毛利率为55.02%,较上年同期增加1.38百分点。其中信号链芯片产品毛利率为55.91%;电源管理芯片产品毛利率为54.27%。
1、持续推进技术升级与新产品研发
公司继续秉承“优质产品,一流服务”的质量方针,以市场和技术趋势为导向,通过对信号链模拟芯片精度与速度的提升、电源管理芯片能耗降低和功率密度的提高、生产工艺的不断创新,持续推进技术升级和产线拓展,沿着低功耗、大电流电源模块,高速接口,高性能运算放大器,高精度传感器和汽车智能照明驱动等方向进行拓展创新。
信号链方面,公司延续在高速、高精度等方向的进一步创新,推出了一系列优秀产品,如USB3.1超高速开关,典型带宽达11GHz,具有1.5V至5V的宽VDD范围;为巩固Type C接口产品的龙头地位,公司推出了集成湿度ADC检测等三通道的接口产品;围绕汽车电子市场开发了一系列的高压高精度运放;围绕服务器市场研发了PCIe接口、A口和C口的USB3.1 10Gbps 重发器芯片、多通道buffer开关和温度传感等系列产品。
电源管理方面,公司推出的特色电源产品,继续沿着低功耗,高效率等方向进行拓展:如高功率密度大电流DCDC产品,配合超小尺寸封装工艺完成,效率高达97%;多路LDO PMIC产品主要突出了大电流,高PSRR, 超低输出电压和超低噪声等特点,为Camera周边AV 电源供电提供DD
了丰富的大电流产品。
工艺方面,公司主要沿着降本增效方向,导入了12寸工艺支持,包括12寸110nm 5V工艺,90nm BCD工艺,90nm RF工艺等,构筑了坚实的工艺壁垒的同时,也为未来产能保障做好了充足的准备。
2、进军汽车电子行业,实现多市场布局
报告期内,公司持续增加汽车电子相关产品的研发投入,实现多点开花。公司在汽车市场布局主要分为三大块。信号链产品领域,包括模拟开关和运算放大器,其中模拟开关向高速开关拓展,运算放大器将向高压高精度和高精度 ADC 产品拓展。电源产品将以特色电源为主导,包括马达驱动、高压低功耗LDO 、超高PSRR LDO等产品。照明领域主要布局头灯、尾灯和贯穿式尾灯等,公司将沿着汽车车载插座型 LED 灯、高耐压多拓扑 LED 汽车智能照明驱动、应用于汽车尾灯高集成度线性稳流照明控制器等产品方向布局,力争打造成国内汽车照明芯片的龙头企业。
3、不断拓展新客户,实现客户多元化
公司在信号链模拟芯片和电源管理模拟芯片两大产品系列上积累了丰富的技术成果,多项产品已经达到国际先进水平。凭借优异的技术实力、产品性能和客户服务能力,公司已与WPI集团、文晔集团等行业内资深电子元器件经销商建立了稳定的合作关系,已经与众多知名终端客户建立合作,如OPPO、小米、Vivo、比亚迪、高通、谷歌、三星、通力等。
报告期内,公司在维系原有客户的基础上,积极拓展新的客户。其中公司低功耗运算放大器产品凭借其优异的性能指标,成功通过高通认证,正式进入高通旗舰平台SM8475中,并被三星旗舰手机Z Fold4/Z Flip4系列采用;同时延伸到高通中端主力机型SM7475,预计在2023年持
凭借其尺寸小、集成度高、超高的THD性能 ,成功进入字节跳动旗舰新品VR头显PICO4 力度,提升公司核心技术竞争力 拟芯片研发、设计和销售的高新技术企业, 投入力度。报告期内,公司研发费用为7,04 的比例为14.05%;新增苏州和杭州研发中心 研发竞争力,截止报告期末,公司产品型号 不断推动现有产品的换代升级及新产品的研 才的引进,建立完善的人才培训体系 人员较上年同期增加40.51%,占公司总人数 培养和引进;加强校企合作;持续加强对员 制度,言传身教,开展大型户外拓展培训, 凝聚力,形成积极向上、团结互助的团队气 长,引入外界专业的培训机构,进行领导力 司同样苦练“内功”,加强内部培训,特别是 些举措成功培育了一批素质高、业务精的技 激励政策,建立有效的激励机制,给予优秀 积极性和创造性,提升员工对企业的忠诚度 的培训和提升,充实员工队伍;继续深层次 备丰富经验和复合专业背景的研发人才。 从事的主要业务、经营模式、行业情况及研 产品或服务情况 于从事高性能模拟芯片的研发、设计和销售 全产品业务线”协调发展的经营战略,持续 品。按照产品功能的不同,公司产品主要分 要应用于消费电子、智能LED照明、通讯设 拟芯片产品型号已达1,400余款,其中USB2 LED照明半导体元件、高效率电源管理元件 领域,公司拥有超过十年的研发设计经验, nductor)。经过多年深耕,公司已建立了相 计经验。公司在混合信号及电源管理芯片研 进水平。凭借优异的技术实力、产品性能和 内资深电子元器件经销商建立了稳定的合作 小米、Vivo、比亚迪、高通、谷歌、三星、 模拟芯片和电源管理模拟芯片协同发展的同 部下设研发技术支持部,研发技术支持部可 以及基础物理器件层面提升产品性能、降低 续坚持自主研发的道路,不断加大研发投入 术优势,不断拓展产品的应用领域和客户群 实现模拟芯片领域的“自主、安全、可控” 片 主要负责信号处理、信号放大、信号检测等 分为放大器、比较器、模数/数模转换器及各 括以下三类:
主要技术特点
①超低失调电压(VOS); ②工作功耗小于1μA;
 
主要技术特点
③输入偏置电流较小; ④低压供电,但可以采样高压信号到 26V。
①-3dB带宽高达11GHz; ②音频通道THD 超过-100dB; ③接触式放电8KV,空气放电10KV; ④正负浪涌耐压超过±25V。
①差分带宽6GHz; ②超小栅格阵列封装(LGA); ③满足C-PHY和D-PHY应用。
片 是所有电子设备的电能供应心脏,负责电子设 发挥着重要的作用。因此,为了发挥最佳性能 拟芯片涵盖低压高功率密度电源管理芯片和大
主要技术特点
①降压DC/DC产品系列齐全,覆盖宽广的 4.5V-40V输入电压范围; ②高压DC/DC驱动能力可达3A,高精度带隙 基准保证输出电压准确性,对于特殊电力行 业,可以保证输出电压0.1%纹波,满足国家 相关行业强制标准; ③国内领先的谷底电流型COT架构以及开环前 馈COT架构。
①同步升压DC/DC,0.85V-5V输入电压范围; ②静态功耗小于1.1μA,0.85V超低启动电 压; ③专有基准电路技术,采用耗尽管或采样保持 技术实现超低静态功耗。
①专利去纹波电路,小于0.1的短时间闪变值 (PST)以及小于1%的闪烁百分比; ②掌握升降压构架中实现全电压范围内谐波失 真指标低于5%的核心技术,领先业界10%的水 平; ③创新的共阳无斩波恒流智能照明调光调色架 构,无斩波PWM调光深度低于0.5%。
①满足JEITA安全标准,温度精度达到1度, 超过设定温度立即降低电流或者停止充电; ②从5mA到2A线性和开关充电产品系列,包 括单节和双节锂电池充电解决方案; ③掌握大电流充电产品倒装QFN封装技术,热 性能较优; ④充电和放电多合一,具有超低功耗。
①独特的斩波电路可以使产品达到2%精度, 无需晶圆电压修调;
 
主要技术特点
②线性稳压器可以实现小于500nA的超低功 耗。
①超低功耗,待机功耗小于1μA; ②内置软启动; ③限流开关具有双环路控制,同时实现限流精 度高、响应快。
①降压恒流架构,4V-80V输入电压范围,输 出高达2A; ②调光深度小于千分之五; ③采用先进的倒装技术。
(二) 主要经营模式 公司主要从事模拟芯片的研发、销售业务,经营模式为典型的Fabless模式,即公司专注于 从事产品的研发,将主要生产的环节委托给晶圆制造企业、封装测试企业完成。 公司根据终端客户的需求或者对于市场的前瞻性判断进行芯片设计,设计完成后公司根据销 售计划向晶圆制造厂下达订单,由其完成晶圆的生产工作。封装测试厂完成芯片封装测试后发回 公司,经测试合格后公司对外销售。 公司整体业务流程如下图所示: 1、研发模式
产品研发是公司经营活动中最重要的环节,研发的主要流程包括项目立项、电路设计、数据交付、产品验证和生产定型等环节。公司研发流程具体如下:

(1)项目立项
研发部根据销售市场部搜集的市场和客户需求,明确客户对产品性能规格的具体要求,拟定产品研发方向。研发部根据具体的市场应用信息、产品参数,结合公司的内部资源、研发难度、生产风险与成本等多方面因素评估项目的可行性,并召开产品调研评审会议,评审通过后项目正式立项。

在立项可行性评估阶段,如现有的标准工艺和器件无法达到性能要求时,研发技术支持部可评估工艺可行性,开展新工艺模块、材料及特殊器件的预研,在预研的器件验证成功后,研发技术支持部会交付产品设计支持文件。

(2)电路设计
项目立项后进入电路设计阶段,电路设计包括芯片电路设计和版图设计。芯片电路设计部分包括系统构架设计、模块电路设计和顶层电路设计。电路设计工程师通过系统架构的搭建、模块电路的仿真、顶层电路的连接完成整个电路设计,对整体电路的仿真发现电路问题并相应调整电路设计,最终得到仿真数据。版图设计部分需要完成模块级版图设计、静电保护与防闩锁设计和顶层版图设计等工作。版图设计是连接电路设计和晶圆制造企业的重要桥梁,不仅反映了电路图之间的连接关系和各种元器件的规格,还体现了芯片的具体工艺制程。

在芯片电路设计和版图设计完成后,为确保后续生产工作的顺利推进,研发部在释放流片之前会召集数据会议,产生数据交付的评审报告。

(3)数据交付
项目数据评审后,研发人员提交研发报告、研发各环节的检查表确认签字文件,同时提交封装计划、晶圆测试计划、成品测试计划、实验室测试计划等文件,以此作为后续晶圆验证、成品验证、实验室测试评估的测试依据。生产与测试方案评审后,开始由晶圆制造企业与封装测试企业制造工程样品。

(4)产品验证
产品验证包括晶圆测试、成品测试、实验室功能验证、可靠性验证。晶圆制造企业代工的晶圆经过测试验证后,送至封装测试企业进行封装及成品测试验证。晶圆测试和成品测试完成后,公司召集研发和测试人员对数据分布和良率进行评审,分析并解决生产测试环节出现的问题,以保证量产阶段的良率和稳定性。

加工完成的工程样片送至实验室进行功能验证,研发人员模拟各种使用环境检验功能并测试参数,测试结束后出具测试报告。功能验证后进行安排静电保护、闩锁测试验证、老化试验等可靠性验证。

公司将验证通过的工程样品发给终端客户,在客户系统应用板上进行测试评估,验证各项指标是否满足实际应用的需求。

(5)版本升级评审
如上述各项测试验证指标显示产品性能和参数不能达到标准,则该产品进入版本升级评审环节,研发工程师将根据具体问题进行电路修改、电路调试、重新仿真验证,对电路进行升级和改善。

(6)生产定型
产品验证完成后进入小批量生产阶段,该阶段公司收集各种验证评审数据,并通过小批量生产的测试数据分析良率是否符合量产要求。在多批次的产品良率符合量产要求且客户端反馈良好后,公司收集数据并准备量产报告,经研发工程师、自动测试工程师、应用测试工程师评审后,产品生产定型,正式进入量产阶段。

2、采购和生产模式
公司主要负责产品的研发设计和销售环节,将主要的生产环节委托给晶圆制造企业和封装测试企业。

(1)委外供应商选择
公司在委外供应商选择方面实施严格的供应商准入制度以确保产品的加工质量。公司生产管理运营部根据《采购与外加工管理规范》要求,组织相关部门从工艺制程、产品质量、生产交期、生产价格、商务条件和售后等方面选择合格的供应商。供应商需具备成熟、稳定的生产工艺,能高效率高质量完成产品加工,同时供应商需拥有充足的产能,并能根据公司要求做出及时调整。对审核通过的供应商,公司与其签订采购协议,将其纳入《合格供应商名录》。公司定期对合格供应商进行考核,根据考核结果动态调整《合格供应商名录》。公司主要向DB HiTek Co., Ltd.和和舰芯片制造(苏州)股份有限公司采购晶圆,DB HiTek Co., Ltd.为全球前十的晶圆制造企业,和舰芯片制造(苏州)股份有限公司为国内知名的晶圆制造企业。公司主要向通富微电(002156.SZ)、长电科技(600584.SH)采购封装测试服务,上述企业均为国内知名的上市公司,代工质量可以得到保证。

(2)采购和生产流程
公司主要采取以销定产,同时根据市场预测进行备产。生产管理运营部根据销售市场部提供的信息,在每月初制定1+3的预测采购计划,与供应商沟通落实产能、价格和原材料准备情况,并根据销售市场信息的变动及时更新采购计划。生产管理运营部根据预测采购计划将订单发给晶圆制造企业或封装测试企业,供应商根据采购订单、产品技术规范和质量要求进行生产加工。公司对供应商的交货产品从数量、包装、规格等方面进行验收,验收合格后方可入库,验收不合格的产品由相关人员负责与供应商沟通并落实解决方案。

公司严格管理和跟踪委外加工全过程。根据不同产品工艺的复杂程度,公司与代工厂约定技术标准和良品率的相关要求,当实际良率低于良品率要求时,供应商需及时反馈给公司相关人员,由公司工程师判断处置;若低良率的问题发生在晶圆制造或封装测试过程中,由质量部反馈给供应商进行整改。针对重点产品,质量部每月对良品率做分析,对异常波动的批次反馈给供应商进行不良品的失效分析,查找原因并进行改善。同时,公司要求供应商定期提供产品相关的可靠性监控试验报告,公司根据代工厂出具的测试报告对其代工质量进行考评。产品入库时,公司的质量部对产品进行严格的质量检测,检测合格后方可入库,对检验不合格的产品由相关人员负责与代工厂沟通并落实解决方案。

3、销售模式
结合芯片行业惯例和企业自身特点,公司采用“经销为主、直销为辅”的销售模式。目前公司的产品型号较多,应用领域涵盖消费电子、智能LED照明、通讯设备、工控和安防以及医疗器械等领域,客户数量较多、需求多样。此外,公司根据客户需求,向其销售少量的晶圆。公司采用经销模式,可以快速扩大产品覆盖面,服务更多各细分行业的客户,最大限度地满足不同客户的需求。

经销模式下,公司采取买断式经销模式。公司根据经销商的资金实力、销售渠道及专业能力,选择合适的经销商,由经销商协助公司开拓其所覆盖的区域。公司根据经销商需求向其发货,在经销商签收货物后确认销售收入。经销商在采购公司产品后,经销商自行承担产品销售、库存等风险。最终客户直接向经销商下订单并付款,经销商收到订单后向最终客户发货。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
1、所处行业
公司的主营业务为模拟集成电路产品的研发与销售,公司所处行业属于集成电路设计行业。

根据《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”,行业代码“C39”。

2、行业概述
根据WSTS预测数据,预计2023年全球模拟芯片市场仍将逆势保持增长,销售额有望增长1.56%达到909.52亿美元,而同期全球集成电路销售额预计将减少5.61%至4,530.41亿美元。

根据Frost&Sullivan统计,2021年中国模拟芯片行业市场规模约2,731亿元,占比七成左右,中国为全球最主要的消费市场,且增速高于全球模拟芯片市场整体增速。预计2025年中国模拟芯片市场规模将增长至3,340亿元,2020年-2025年复合增长率为6%。

行业格局方面,根据IC Insights数据,德州仪器是全球模拟芯片行业龙头,2021年全球市场份额为19%,龙头地位较为稳固。其他国际领先模拟芯片厂商包括亚德诺、思佳讯、英飞凌、意法半导体等,全球前五大厂商市场份额合计为51.5%,竞争格局相对比较分散。

虽然我国是全球最大的模拟芯片应用市场,但由于国内半导体产业起步较晚,国内模拟芯片市场仍由国际巨头公司所垄断,海外厂商占据了超八成的市场份额,国产化率尚处于低位,国产替代空间广阔。

此外,我国已成为全球模拟集成电路最大应用市场。近年来,我国模拟集成电路应用市场占全球市场份额不断扩大,占全球市场规模超过50%,国内模拟集成电路行业巨大的市场需求给了本土企业广阔的发展空间。目前,我国在5G商业应用领域处于领先地位,同时也在不断推动工业自动化、汽车电动化和智能化的发展,未来我国模拟集成电路行业市场有望继续保持较快增长。

3、行业特点和技术门槛
模拟集成电路主要是用来产生、放大和处理连续函数形式模拟信号(如声音、光线、温度等)的集成电路,一般分为信号链产品和电源管理产品。信号链产品和电源管理产品又有多种品类的产品,每一品类根据不同的终端产品应用又有不同的系列,因此模拟集成电路种类繁多。模拟集成电路下游客户以耐用可靠为主要需求,产品生命周期较长,最长可达10年以上。模拟集成电路主要追求的是产品的信噪比高、失真低、功耗低、可靠性高等,制程的缩小有时反而会导致性能的降低,目前模拟集成电路的主流工艺制程为0.18μm和0.13μm制程,比较先进的制程是65nm制程。模拟集成电路设计的核心在于电路设计,需要根据实际参数调整,要求设计工程师既要熟悉集成电路设计和晶圆制造的工艺流程,又要熟悉大部分元器件的电特性和物理特性,对经验要求高,学习曲线在10-15年。与数字集成电路相比,模拟集成电路的制程要求较低,加之其拥有更长的生命周期,单款模拟集成电路的平均价格往往低于数字集成电路,但由于终端应用领域广,受单一产业景气度影响较低,价格波动较为稳定,且行业周期性较弱。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是研发驱动型公司,一直专注于模拟芯片领域,具备完善的技术、产品研发和创新体系,囊括了模拟芯片行业的主要细分领域,能够为客户提供整体解决方案。公司自成立以来,以信号链模拟芯片开始,产品逐步覆盖了信号链模拟芯片和电源管理模拟芯片的细分领域。依靠多年来深耕行业和自主研发,公司已设计出多款前沿产品,包括USB2.0/3.1元件、超低功耗及高精度运算放大器元件、LED照明半导体元件、高效率电源管理元件,具备提供高性能模拟混合信号半导体行业解决方案的能力,并获得ISO9001认证。

在信号链模拟芯片领域,公司产品包括高性能运算放大器、高性能模拟开关、MIPI开关等系列。公司是国内少数既可以提供低功耗、超宽输入电压范围的低边采样高精度运算放大器,又可以提供高边电流采样高压高精度运算放大器产品的供应商。公司的高速USB开关涵盖USB2.0、USB3.1开关,产品采用自主研发的USB布图和结电容优化设计架构,具有高带宽、高耐压等特点,同时具备较强的数据端口保护和负压信号处理能力,整体性能超过欧美品牌,得到国内外手机终端厂商OPPO、小米、VIVO、三星等的一致认可。

在电源管理模拟芯片领域,公司产品包括高低压直流转换器、IR LED驱动、全系列线性充电、开关充电、AC/DC的控制器、过压保护负载开关和电池保护芯片等从墙端到电池端系统级充电解决方案。公司是国内安防监控领域DC/DC转换芯片以及LED驱动芯片的供应商之一,具有稳定的客户基础。产品涵盖从5V到40V输入的降压系列,最大输出电流可以达到6A,得到客户的一致认可。公司是Harman TWS及蓝牙耳机的高低压充电解决方案的主流供应商之一,公司开发的满足JEITA规范的充电系列芯片有效解决了温度检测精度及头盔式蓝牙耳机充电充不满的问题。上述充电芯片与丰富的高保真(HIFI)音频开关系列产品共同巩固了公司在TWS耳机、无线头盔式耳机以及音响领域的市场地位。

公司AC/DC电源管理系列产品主要包括深度调光无频闪驱动芯片和智能调光恒流恒压驱动芯片。公司掌握了极低调光深度去纹波关键技术,产品系列涵盖了不同电流等级的解决方案,广泛应用于灯丝灯、筒灯、壁灯以及T管,得到照明客户的认可。智能调光调色系列最高耐压可以达到85V,最大电流可以支持2A,无斩波条件下PWM调光深度小于0.5%,产品性能业界领先水平,目前公司是市场上少数掌握共阳架构无斩波深度调光恒流关键技术的供应商之一。

未来,公司将进一步加大研发投入和市场开发力度,进一步巩固核心竞争力,提高市场地位。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 (一)最近三年行业在新技术、新产品方面的发展情况
(1)小特征尺寸90nm 12寸BCD工艺开始涌现
BCD工艺(即Bipolar-CMOS-DMOS整合在一个工艺平台的工艺技术)是目前模拟集成电路企业使用的主流制造工艺。BCD工艺的发展趋势是高压、大功率和高密度。

在高压和大功率的发展方面,近年来BCD工艺的主流特征尺寸节点已逐步从8寸晶圆的350nm和250nm升级到180nm和130nm。通常晶圆代工厂会将一个工艺线宽节点的BCD工艺平台细化成多个解决不同电压或频率要求的子工艺平台。各个子工艺平台会按照各自对应的工作电压等级,分段式最优化高压LDMOS的关键性能,如特征导通电阻、关断击穿电压、安全工作区以及开关频率特性等性能指标。目前180nm和130nm BCD已成为国内外模拟集成电路企业的主流特征尺寸节点,并且仍在进行局部的工艺优化和器件补充。

在高密度BCD工艺的发展方面,由于12寸晶圆线上CMOS工艺的特征尺寸节点已迅速更替到5nm,因此55nm以上的工艺节点在数字集成电路的竞争力急剧下降。部分晶圆代工厂着手研发90nm的BCD工艺,并于2020年开始进入量产阶段,但由于12寸晶圆的电压隔离能力和成本的局限性,目前该工艺节点距离全面量产高压、大功率模拟芯片还需要较长时间。

(2)信号链模拟芯片
随着5G、物联网技术的普及以及USB Type C等接口技术的发展,信号链模拟芯片领域的技术发展呈现多样化。

①对高速信号传输提出更高要求
5G的高速率、低延迟的特点给高速视频传输带来了发展契机。传统的DisplayPort传输的连接器体积较大,目前,手机、平板电脑以及超薄笔记本电脑使用Type C接口将供电、数据传输和音视频传输三合一。复用同一个连接器接口衍生了两个方面的需求,一是USB 3.1超高速数据信号与DisplayPort视频信号的交叉矩阵开关,通过矩阵开关来实现USB数据信号的正反插功能以及DisplayPort信号与USB 3.1信号共享连接器的目的。二是由于USB3.1的数据信号传输速度高达10Gbps,需要信号转接驱动器(Re-Driver)或者重新定时器(Re-Timer)来保证经过长距离线缆传输后信号的完整性。

②高精度低功耗检测重要性提升
USB Type C PD快充支持5A大电流充电(最高达到240W,48V/5A),对线缆可靠性要求提高,因此充电器的充电电流精度越来越重要。通过高压高精度运算放大器进行高边采样充电电流输入到主控芯片,主控芯片经过计算和环路调节,确保输出电流、电压和功率的准确性。另一方面,5G基站和服务器需要更大电流和更高功率的检测和控制,因此,对于运算放大器的精度要求和抗浪涌等级要求越来越高。36V耐压以及自带ADC和功率检测功能将成为关键技术,从而大幅降低对主控芯片的模数转换器资源的依赖。

(3)电源管理模拟芯片
5G时代需要更多高效率、大功率电源管理模拟芯片,从而降低电子产品发热、提升充电速度、延长待机时间。

①第三代功率半导体氮化镓(GaN)成为市场趋势
基于氮化镓第三代功率半导体的小体积充电适配器在高端机型的应用日益广泛。氮化镓开关具有高频、高功率的优势,根据Gartner绘制的技术成熟度曲线,目前氮化镓技术处于技术成熟度曲线的第二个攀升阶段。集成功率密度从最初的硅时代的0.62 W/cm3提升到氮化镓时代的0.9W/cm3(200KHz),随着开关频率提升至500~600KHz,功率密度进一步提高至2.41W/cm3,提升幅度明显。

为实现频率和充电功率密度的持续提升,需要突破开关电源原边控制、高效率控制模式和副边同步整流的关键技术,包括有源钳位恒压控制技术(ACF)以及兼容多构架的副边高频同步整流技术(SR)。同时,随着高频条件下变压器铁芯材料、漏电损耗、开关损耗的不断改进,氮化镓充电适配器的开关频率将进一步提高。当开关频率达到1MHz时,ACF构架的优势将完全体现,同时搭配1MHz级别的副边同步整流芯片,功率密度将得到显著提升。

②超低待机功耗高效率电源成为行业发展趋势
随着生产工艺的不断发展,低功耗电源管理模拟芯片从超低功耗LDO发展到超低功耗升压降压转换器。传统的参考电压设计架构被逐渐淘汰,基于耗尽管技术或采样技术的参考电压架构成为市场主流。

为应对5G产品和内嵌高频CPU/GPU等电子设备的大功率需求,开关电源架构正在沿着电压模式—电流模式—闭环COT模式—前馈式开环COT模式—多相COT模式等技术方向不断演进。此外,由于输出功率逐渐增大,开关电源集成的功率开关尺寸亦明显增大,为降低其开关损耗,三段式驱动技术以及动态非交叠技术开始逐渐应用。

③高效率快充产品逐渐成为市场主流
随着电池容量的提升和市场对充电速度要求的提高,大功率充电产品被广泛应用,手机快充功率的上限从65W上升至120W,30W以上充电功率的快充产品正在取代18W成为市场的主流。目前,采用超高效率电荷泵充电技术的产品正在广泛被应用到智能手机产品中。

此外,国际USB联盟和我国的电信终端产业协会将其协议的充电功率提高至180W以上,这有助于把快充产品的应用范围从手机、平板电脑拓展到笔记本电脑、医疗和工业领域中,从而进一步推动快充市场的发展。

(4)封装工艺成熟度逐年提升
随着笔记本电脑和5G基站的核心电源管理模拟芯片国产化需求,大电流电源转换产品对于热性能的要求越来越高。从封装技术角度来看,基于铜柱倒装技术的小尺寸超薄封装工艺涌现。

因此,集成电路设计公司除了需要有优秀的电路架构设计技术、持续优化的工艺器件外,还需要有热仿真能力和框架定义能力。基于低热阻系数的高性能倒装工艺的封装模型建模,包括热性能的仿真与电气性能的仿真将成为开发的必要环节。

另一方面,由于服务器和数据中心对于大电流高效率电源管理芯片的需求,内置电感的直流电源转换的模块技术将逐步国产化,电感内置的双芯封装技术将成为数据中心主流的电源解决方案。

(二)最近三年行业在新产业方面的发展情况
一方面,5G技术的不断发展与成熟,其高性能、低延时、大容量的特点对高性能模拟集成电路提出了更多、更高的要求,将带动模拟集成电路行业的进一步发展。另一方面,随着工业4.0、汽车自动驾驶技术的不断发展,国际模拟集成电路企业也正在积极布局并发展工业控制、汽车电子领域。

(三)最近三年行业在新模式方面的发展情况
国际上模拟集成电路行业龙头大多采用IDM生产方式,但国内模拟集成电路企业均采用Fabless模式。相较于国际巨头采用的IDM模式,Fabless模式不需要投入过多的资本用于建设厂房、购入设备。因此,企业能够投入更多的资金进行新产品研发。此外,Fabless模式还使得公司能够快速响应市场需求,推出适合市场发展的新产品。未来,国内模拟集成电路厂商仍将以Fabless模式为主,不断缩小与国际巨头的差距。


(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
经过多年积累,公司在模拟芯片研发方面已拥有多项国内领先的核心技术,具体情况如下表所示:

序 号核心技术 名称技术 来源技术先进性及表征主要应用
1超低寄生 电容ESD 结构自主 研发①-40V~40V范围内不同工作电压等级管脚保护的超 低电容ESD器件和ESD电路结构;②可支持最高带 宽11GHz的全系列的高速开关产品。摄像头高速 MIPI开关、 USB2.0、 USB3.0、 USB3.1 Type- C开关等
2超低寄生 电容后道 金属结构自主 研发①定制非常规的双层厚金属厚介质结构,结合串入 耗尽层降电容技术以及钝化层平坦化技术,比常规 后道金属结构的对地寄生电容降低30%以上; ②采用下一代填充介质的深槽工艺技术,可使高速 通道的金属走线和压焊盘寄生电容减小60%以上。摄像头高速 MIPI开关、各 类移动终端的 USB3.1 Type- C开关等
3低成本集 成高压 MOS自主 研发①在5V CMOS标准工艺上只增加2层光罩,定制出 10V CMOS简洁工艺模块,不增加额外的工艺热过 程; ②该工艺简洁且移植性强,与标准工艺相比可以降 低15%以上的制造成本。大摆幅正负压 输出的音频驱 动产品
4超高压器 件技术自主 研发①在晶圆厂的标准器件基础上,进一步开发超高压 器件IP; ②实现面积更小、集成度更高的高压LDMOS、 JFET、高压电阻的二合一、三合一器件等的IP,以 及相应的静电保护。适配器、LED 驱动
5零功耗的 高性能模 拟开关控 制技术自主 研发①通过对比每个端口的电压,实时选出最高和最低 电压,在不消耗电源电压的情况下,实现处理正负 信号的功能; ②在电源掉电后,仍然可以通过电压选择模块,选 出最低电压来控制NMOS,从而实现隔离正负信号的 功能。智能手机、智 能可穿戴设备 等电子产品
6带宽高达 11GHz的 高速开关 架构自主 研发①采用NMOS结构,特殊的版图设计方式大幅减小了 器件的寄生电容; ②内部采用较多高阻电路结构,可以减小寄生电容 对带宽的影响,大幅提高开关的带宽; ③拥有较强的隔离度和防串扰能力; ④支持1.5V~5V超宽的电源电压范围。超高速USB3.1 信号切换
7应用于 Type-C接 口的 THD+N超 过-100dB 的音频模 拟开关架 构自主 研发①采用钳位NMOS栅极与源极电压,使得栅极与源极 电压差保持恒定,从而减小失真度; ②采用了三级5V NMOS串联架构,可以正常传输正 负电压的音频信号; ③内部电压集成浪涌保护模块,可以抵抗±25V浪 涌。同时在发生纳秒级的快速过压保护时,内部也 能迅速响应,减小低压端的残余电压,保护系统内 部器件; ④超过-100dB的THD+N性能,保证耳机高保真音频 传输。各种超薄智能 手机、笔记本 等电子设备的 Type-C接口
8低电压工 作、超低 功耗的高 精度运算 放大器架 构自主 研发①采用斩波与自动清零结合的技术方法,大幅降低 芯片的功耗; ②采用超低功耗的低压偏置方式; ③采用标准的5V工艺平台,实现工作电压在1.8- 5.5V,整体功耗小于1μA,系统失调电压小于35μ V。温度检测、电 流检测等领域 需要超低功耗 高精度检测的 电子设备
9高压高精 度电流检 测架构自主 研发①该架构的输入共模电压大幅高于电源电压,共模 输入范围广,可以广泛应用于高边检测采样和低边 检测采样中; ②核心运算放大器采用高压高精度的运算放大器架 构; ③闭环增益的反馈电阻采用薄膜电阻工艺,实现线 性度不随电压变化而变化。各种需要高精 度电流检测的 电子设备
10耗尽型音 频开关技 术自主 研发①采用负压电荷泵,提高负电压下耗尽管的隔离 度,有效隔离高频音频信号; ②采用耗尽型的NMOS开关,电压选择一直保持栅源 电压(VGS)为0,实现耗尽型的模拟开关导通电阻 始终恒定。头戴式耳机
11温度检测 精度达1 度架构自主 研发①针对指定的负温度系数电阻,通过分别修调内部 电阻、电压的方式,检测温度精度可以达到1度, 同时可以根据不同的温度改变芯片的工作状态; ②该架构可以灵活嵌入各种需要精确监控环境温度 的芯片方案中。各种需要温度 监控的充电应 用
12超低待机 功耗的线 性充电架 构自主 研发①采用低功耗的基准架构,在完成充电的情况下, 通过时序来关掉恒压环路、恒温环路、恒流环路 等,将功耗降低到55μA以下,达到业内领先水 平; ②超小面积,可以放入1mm*1mm的超小封装中,适 合TWS耳机的应用。小型化、低功 耗的TWS耳机
13高性能的 线性稳压 技术自主 研发①只需要纳安级别的偏置电流即可正常工作; ②限流点在输出短路时,短路电流会达到最小值, 从而可以有效保护芯片。低功耗的便携 式电子设备
14高压DC- DC COT控 制技术及 其相关短 路功率控 制电路自主 研发①提高环路稳定性,降低静态功耗; ②更快的负载动态响应能力; ③开关频率伪固定及减小频率抖动; ④支持超低输出电压; ⑤优化的突发工作模式设计,从而方便实现轻载高 效率; ⑥短路打嗝恢复无过冲软启动。12V/5V供电的 电子电气设备
15超低功率 损耗特性 的电路休 眠控制技 术自主 研发①低功耗直流转换芯片电路休眠技术; ②休眠状态中完全关闭所有模拟控制电路; ③参考电压采样保持电路自动休眠和定时唤醒。TWS耳机底仓 电池管理、低 功耗无线设 备、电池供电 的便携式设备
16超低纹波 的同步直 流转换控 制及零功 耗电容自 举驱动技 术自主 研发①输出电压0.1%纹波直流转换控制技术:电流型脉 宽控制模式; ②自动降频,满足99%占空比需求; ③高侧功率管驱动电路零功耗设计; ④自举电容自动充电。单相、三相智 能电表、电力 载波模块
17具备小于 1% PWM调 光能力的 LED背光 驱动控制 技术自主 研发①通过PWM沿调节和误差放大器斩波方法提高LED 调光深度小于1%; ②该技术可广泛用于各种LED驱动。笔记本摄像模 块、网络摄像 机、红外监控 设备
18无外置电 流采样电 阻的充电 技术自主 研发①采用开关型充电芯片无采样电阻恒流充电技术, 通过内部电路逐周期采样功率管电流与内部参考电 流之间的差值在电容上的累积电压值比较判断实现 恒流效果; ②无外置采样电阻,可减少芯片管脚数。低功耗锂电池 应用设备
19“无源” 负载检测 技术自主 研发①采用“无源”电阻设计技术,利用负压电荷泵控 制耗尽管开关,实现该开关在有源时断开的功能; ②在无源时耗尽管闭合实现电阻特性。TWS耳机、蓝 牙音箱等影音 设备
20电感型负 压降压直 流转换驱 动技术自主 研发①采用负压降压架构及其驱动技术,峰值电流采样 控制模式简化设计; ②浮动电源轨驱动电路提高效率及带载能力; ③短路闩锁电路技术提高芯片可靠性。手机、电脑、 AMOLED显示终 端设备
21降低总谐 波失真及 提高功率 因数的技 术自主 研发①通过控制导通时间的电压,进一步调节频率限制 点,能够降低电网输入电压变化幅度大的负面影 响,从而降低总谐波失真、提高系统的功率因数; ②在升降压构架中实现全电压范围内总谐波失真指 标低于5%,同类产品一般在10%左右。LED智能照明
22基于深度 调光的电 流纹波消 除技术自主 研发①采用超低带宽环路技术,在调光小电流条件下能 够避免低频闪烁现象,实现低于0.1的短时间闪变 值(Pst),使得人眼对光照度闪变波动的主观视感 极小; ②专利的去纹波模块,能够实现低于1%的闪烁百分 比,性能业界领先; ③100V的高耐压设计,可靠性更高,可降低系统设 计风险和生产不良率。智能调光LED 灯丝灯
23基于共阳 极非斩波 的智能调 光技术自主 研发①采用创新性的采样结构和深度调光架构,突破了 共阳极设计和无斩波恒流构架容易出现的调光深度 不足的问题,在实现无斩波恒流驱动的同时,调光 深度小于0.5%,业界领先; ②共阳极设计能够显著减少多路输出线的数量,降 低整体电源成本; ③无斩波设计可以实现无频闪,是健康照明的较优 解决方案。LED智能照明
24集成式系 统ESD防 护器件自主 研发①研发用于消费类、工控产品芯片的内置集成式系 统ESD防护器件; ②研发满足5V~60V电压电压范围内的多个电压等 级,集成式系统ESD保护器件,实现高于8KV 接触 式放电和15K空气放电等级的高ESD保护能力; ③同时研发超低电容的集成系统ESD器件,满足高 速IC产品应用;消费电子、安 防、工控、通 讯设备、医疗 器械
25纳安级功 耗的按钮 控制器方 案自主 研发①采用depetion技术,在待机模式静态电流低至 10nA(典型值); ②采用高精度振荡器架构,计时精度在整个输入电 源范围和温度下高达+-20%; ③在芯片激活状态下,静态功耗低至6.5uA(典型 情况下);平板电脑、智 能电话、游戏 控制台、消费 类医疗产品
26符合IEC 61000-4- 2 level 4 ±8kV air contact 要求,自 动检测传 输方向的 高速电平 转换芯片自主 研发①研发用于sim卡的双向电平转换芯片; ②研发自动检测传输方向的电平转换方案; ③研发低延迟的电平转换方案; ④支持传输时钟频率最高10MHz。消费电子
27单向高速 电平转换 架构自主 研发①研发低延迟的单向电平转换芯片; ②研究防止IO口到电源(在无电源时)反向漏电的 架构,该架构能降低到传统结构面积的约25%。 ③支持传输时钟频率最高24MHz。服务器、消费 电子
28车载40V 高压、超 低功耗 LDO架构自主 研发①采用特有的低功耗高压比较电路,可以处理0- 40V的比较电压,功耗小于100nA(已申请专利); ②内置超低功耗UVLO结构,结合trim方案可以实 现±50mV的精度,功耗小于300nA(已申请专 利); ③内置高精度基准,全温精度+/-1.5%,保证了输出 电压全温度范围的精度; ④支持0.65V-16V的宽电压输出。汽车、工业、 消费电子、通 讯
29开关电源 中的误差 放大器输 出下钳位 动态跟随 软起电压 的技术自主 研发①使误差放大器输出下钳位的参考电压实时动态跟 随软起动参考电压,开关电源软启动时其误差放大 器输出直流工作点跟随软启动参考电压的渐变过 程,快速建立正确工作点; ②能够减小启动过程中系统突然加载时输出电压的 变化,是输出电压上升更线性平滑;智能手机,平 板,手持设备 中的高性能开 关电源
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