[年报]路维光电(688401):路维光电2022年年度报告

时间:2023年04月24日 19:17:34 中财网

原标题:路维光电:路维光电2022年年度报告

公司代码:688401 公司简称:路维光电







深圳市路维光电股份有限公司
2022年年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“经营情况讨论与分析”。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人杜武兵、主管会计工作负责人刘鹏及会计机构负责人(会计主管人员)佘德祯声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经第四届董事会第十六次会议审议决议,公司2022年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下:
(一)公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数,向全体股东每10股派发现金红利2.2元(含税)。截至2022年12月31日,公司总股本133,333,600股,以此计算合计拟派发现金红利29,333,392.00元(含税)。本年度公司利润分配占本年度归属于上市公司股东的净利润比例24.49%,其中本次现金分红占本次利润分配比例为100%。

(二)公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数,以资本公积金向全体股东每10股转增4.5股。截至2022年12月31日,公司总股本133,333,600股,以此计算合计拟转增股本60,000,120股,本次转增股后,公司的总股本为193,333,720股。

同时提请股东大会授权公司董事会具体执行上述利润分配及资本公积转增股本的方案,根据实施结果适时变更注册资本、修订《公司章程》相关条款并办理相关工商登记变更手续。

公司2022年利润分配方案已经公司第四届董事会第十六次会议审议通过,尚需公司股东大会审议通过。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意相关风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 52
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 67
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 75
第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 117
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 128
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 129
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 130



备查文件目录载有公司负责人、会计主管工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报告。
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
 报告期内在中国证券监督管理委员会指定网站上公开披露过的公司文 件正本及公告原件。


第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
路维光电、公司、本公 司、母公司深圳市路维光电股份有限公司
成都路维成都路维光电有限公司
路维科技成都路维光电科技有限公司
香港路维香港路维实业有限公司
路维电子深圳市路维电子有限公司
路维兴投资深圳市路维兴投资有限公司
国投科技国投(上海)创业投资管理有限公司-国投(上海)科技 成果转化创业投资基金企业(有限合伙)
兴森科技深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
兴森投资深圳市前海睿兴投资管理有限公司-兴森股权投资(广 州)合伙企业(有限合伙)
金石新材料基金金石投资有限公司-金石制造业转型升级新材料基金(有 限合伙)
鹏晨创智深圳市前海鹏晨创智投资管理企业(有限合伙)
新意资本新意资本基金管理(深圳)有限公司
新余顺禄新余顺禄并购投资管理中心(有限合伙)
新余百耀新余百耀投资中心(有限合伙)
新余粤典新余粤典并购投资中心(有限合伙)
新余华谦新余华谦投资管理中心(有限合伙)
盛元茗溪杭州盛元茗溪投资合伙企业(有限合伙)
宁波丽金宁波丽金股权投资合伙企业(有限合伙)
高新投深圳市高新投创业投资有限公司
派诺光投资宁波保税区派诺光投资合伙企业(有限合伙)
高新投怡化深圳市高新投怡化融钧股权投资合伙企业(有限合伙)
人才创新投资深圳市人才创新创业二号股权投资基金合伙企业(有限合 伙)
民生证券民生证券股份有限公司
合钧成长深圳合钧成长投资合伙企业(有限合伙)
天乙金谷江苏天乙金谷新兴产业投资股份公司
控股股东、实际控制人杜武兵
股东大会深圳市路维光电股份有限公司股东大会
董事会深圳市路维光电股份有限公司董事会
监事会深圳市路维光电股份有限公司监事会
中国证监会、证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《深圳市路维光电股份有限公司章程》
保荐机构、国信证券国信证券股份有限公司
报告期2022年1月1日至2022年12月31日
元、万元人民币元、人民币万元
京东方京东方科技集团股份有限公司(A股上市公司,股票代码 000725)及其子公司的统称,公司客户
华星光电TCL华星光电技术有限公司(原深圳市华星光电技术有限公 司)、深圳市华星光电半导体显示技术有限公司、武汉华 星光电半导体显示技术有限公司、武汉华星光电技术有限 公司、广东聚华印刷显示技术有限公司的统称,公司客户
天马天马微电子股份有限公司(A股上市公司,股票代码: 000050)及其子公司武汉天马微电子有限公司的统称,公 司客户
信利信利光电股份有限公司、信利半导体有限公司、信利(惠 州)智能显示有限公司、信利(仁寿)高端显示科技有限 公司、信元光电有限公司的统称,公司客户
龙腾光电昆山龙腾光电股份有限公司(A股上市公司,股票代码: 688055),公司客户
晶方科技苏州晶方半导体科技股份有限公司(A股上市公司,股票代 码:603005),公司客户
华天科技华天科技(昆山)电子有限公司,系华天科技(A股上市公 司,股票代码:002185)之全资子公司,公司客户
通富微电通富微电子股份有限公司(A股上市公司,股票代码: 002156)、南通通富微电子有限公司、厦门通富微电子有 限公司、合肥通富微电子有限公司的统称,公司客户
中芯宁波中芯集成电路(宁波)有限公司,公司客户
MycronicMycronic AB(瑞典上市公司,股票代码:MYCR)、迈康尼 电子设备(上海)有限公司的统称,公司设备供应商
海德堡仪器Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH,公司设备供 应商
掩膜版掩膜版(又称光掩膜版、光罩,英文为 Photomask),是微 纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明 的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构,再通过曝光 过程将图形信息转移到产品基片上
菲林是指以感光胶片作为基板的一种光掩膜产品,主要应用于 印刷制版、低端线路板等精度要求相对较低的行业。菲林 是英文“Film”的音译
TFTTFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写,是一 种特殊的场效应管,主要由半导体主动层、介电质层、金 属电极层等构成。根据半导体主动层材质的不同,可分为 a-Si技术、LTPS技术和IGZO技术
平板显示(FPD)平板显示(Flat panel display,缩写为FPD)是指显示屏 对角线长度与整机厚度比大于 4:1的显示器件,包括液晶 显示器、等离子体显示器、电致发光显示器、真空荧光显 示器、平板型阴极射线管和发光二极管显示器等
TFT-LCD是指使用TFT(薄膜晶体管)技术制造的LCD显示器(液晶 显示器)。其制作流程包括TFT-Array制程(薄膜晶体管阵
  列制程)和CF制程(Color filter彩色滤光片制程)
TN-LCD是指扭曲向列型液晶显示器,TN是 Twisted Nematic的简 称,其特点为液晶分子从上到下呈 90度螺旋扭曲排列,是 最早普及的液晶显示技术
STN-LCD指Super Twisted Nematic-LCD的简称,中文名超扭曲向列 型液晶显示器。是在 TN技术的基础上改良的液晶排列技 术,其特点是在液晶排列时与玻璃基板间预设了预倾角, 可以改善TN技术对比度差的问题
分立器件泛指半导体晶体二极管、三极管及特殊器件,是半导体行 业的重要分支
光电子器件是指利用光-电转换效应制成的各种半导体器件,主要用于 光通信、光显示、红外探测等行业
传感器是指能将被感受或被测量信息按照一定的规律转换成其它 可用信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成
LED是指发光二极管(light-emitting diode),利用电子与空 穴复合释放能量发光的一种发光器件,广泛应用于照明及 平板显示等行业
PCB是指印刷电路板(Printed Circuit Board)
FPC是指柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit),其特 点是电路板基板采用聚酰亚胺或聚酯薄膜等柔性材料制 成,其产品可挠可弯曲
AMOLED主动矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode)面板,每个像素连续可独立的主动发光, 具有高亮度、高分辨率、低能耗等特点
Mini-LED芯片尺寸介于50~200μm之间的LED器件,主要用于显示器 件或背光模组
Micro-LED微型发光二极管,指由微小LED作为像素组成的高密度集成 的 LED 阵列。阵列中的像素点距通常在50μm以下,通过 巨量转移和微封装技术将 Micro-LED 芯片连接到驱动基板 上进而实现有源寻址的显示技术
ICIntegrated Circuit,中文称作集成电路,是一种集成了晶 体管、电阻等元件的微型电子器件
LTPS低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon),运用于 TFT-LCD 和AMOLED 显示面板的半导体主动层,与传统a-Si 相比,该技术具有高分辨率、反应速度快、高开口率等优 点
IGZO铟镓锌氧化物 (Indium Gallium Zinc Oxide),运用于 TFT-LCD 和AMOLED 显示面板的半导体主动层,主要应用于 大尺寸显示面板制造
LTPOLTPO指低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide),LTPS与IGZO技术的结合体, 具有LTPS屏高分辨率、反应速度快的优点下,同时兼具了 IGZO屏低待机功耗的优点
IC封装将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立 芯片的过程,以是否焊线分为传统封装技术与先进封装技 术,其中先进封装包括倒装(Flip Chip),凸块 (Bumping),晶圆级封装(WLP),2.5D封装,3D封装 (TSV)等封装技术
第三代半导体是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的宽禁带半导体
  材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高 迁移率、可承受大功率等特点
半色调掩膜版(HTM)半色调掩膜版(Half-tone Mask,缩写为HTM),是利用具 有一定光学透过率的膜来实现部分透光功能的掩膜版
chipletChiplet又称芯粒或者小芯片,它是将一类满足特定功能的 die(裸片),通过die-to-die内部互联技术实现多个模块 芯片与底层基础芯片封装在一起,形成一个系统芯片,以 实现一种新形式的IP复用
Metal Mesh是一种在PET玻璃等基材上通过各种工艺形成的导电金属网 格,可用于触控技术
OPCOptical Proximity Correction,即光学邻近效应修正技 术,用于修正光刻图形和掩膜版图形之间由于曝光产生的 变形和偏差
MEMSMicro-Electro-Mechanical System,微机电系统,是集微 传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处 理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一 体的微型器件或系统
OmdiaOmdia 由 Informa Tech 的研究部门(Ovum、Heavy Reading 和Tractica)与收购的 IHS Markit 技术研究部门合并而 成,是一家全球领先的市场调研与研究机构。Omdia 研究团 队包括 400 多名分析师,涵盖 200 多个细分市场,定期出 具行业研究报告及市场排名数据,其数据被众多证券公司 行业研究报告引用
SEMISemiconductor Equipment and Materials International (国际半导体产业协会),SEMI 定期收集和发布全球半导 体行业数据及预测,是全球半导体行业数据的权威机构, 其数据被众多证券公司行业研究报告引用


第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称深圳市路维光电股份有限公司
公司的中文简称路维光电
公司的外文名称Shenzhen Newway Photomask Making Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Newway Photomask
公司的法定代表人杜武兵
公司注册地址深圳市前海深港合作区南山街道梦海大道5035号前海 华润金融中心T5写字楼801
公司注册地址的历史变更情况2023年3月13日,公司注册地址由“深圳市南山区朗山 路16号华瀚创新园办公楼D座102”变更为“深圳市前 海深港合作区南山街道梦海大道5035号前海华润金融 中心T5写字楼801”
公司办公地址深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办公楼D座102
公司办公地址的邮政编码518057
公司网址http://www.newwaymask.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名肖青沈晓萍
联系地址深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办 公楼D座102深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园 办公楼D座102
电话0755-860190990755-86019099
传真//
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒 体名称及网址《上海证券报》(https://www.cnstock.com/)《中国证券报》 (https://www.cs.com.cn/)《证券时报》(http://www.stcn.com/)《 证券日报 》 (http://www.zqrb.cn/) 及 经 济 参 考 网 ( http://www.jjckb.cn/)
公司披露年度报告的证 券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点董事会办公室,深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办公楼D座102

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板路维光电688401/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所(境 内)名称天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市海淀区车公庄西路19号68号楼A- 1和A-5区域
 签字会计师姓名扶交亮、陈栋梁、高建亮
报告期内履行持续督导职责的 保荐机构名称国信证券股份有限公司
 办公地址深圳市福田区福华一路 125号国信金融大 厦
 签字的保荐代表 人姓名王琳、颜利燕
 持续督导的期间2022年8月17日-2025年12月31日

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元币种:人民币

主要会计数据2022年2021年本期比 上年同 期增减 (%)2020年
营业收入640,013,669.67493,591,729.7629.66401,698,599.60
归属于上市公司股东 的净利润119,775,263.9652,306,374.77128.9932,459,816.29
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润101,001,087.2047,561,751.65112.3623,791,134.57
经营活动产生的现金 流量净额298,560,302.33134,455,409.37122.05112,664,237.00
 2022年末2021年末本期末 比上年 同期末 增减( %)2020年末
归属于上市公司股东 的净资产1,343,284,163.50462,998,415.96190.13410,109,377.27
总资产1,937,255,983.421,309,440,280.4347.951,295,365,266.38

(二) 主要财务指标

主要财务指标2022年2021年本期比上年同 期增减(%)2020年
基本每股收益(元/股)1.080.52107.690.34
稀释每股收益(元/股)1.080.52107.690.34
扣除非经常性损益后的基本每 股收益(元/股)0.910.4889.580.25
加权平均净资产收益率(%)15.4311.98增加3.45个百 分点9.45
扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率(%)13.0110.89增加2.12个百 分点6.93
研发投入占营业收入的比例(% )4.444.66减少0.22个百 分点7.06

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长幅度较大,主要系报告期内公司销售增长,规模效应显现,盈利能力增强所致。

经营活动产生的现金流量净额同比增长幅度较大,主要系报告期内销售规模增长及收到增值税留抵税额退还增加。

归属于上市公司股东的净资产、总资产同比增长幅度较大,主要系公司首次公开发行股票募集资金到位及业务规模增长,使得公司各项资产规模相应增长。

基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增长幅度较大,主要系公司业务规模增长,盈利能力增强后净利润大幅增长。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2022年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入144,944,413.35147,313,924.45199,151,395.88148,603,935.99
归属于上市公司股 东的净利润16,036,683.2230,042,551.0939,053,676.1334,642,353.52
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益后的净利润13,559,034.9626,639,587.1536,566,542.8324,235,922.26
经营活动产生的现 金流量净额4,489,577.25181,859,024.91307,480.61111,904,219.56

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2022年金额附注 (如适 用)2021年金额2020年金额
非流动资产处置损益186,918.89 -35,596.04-13,317.60
越权审批,或无正式批准文 件,或偶发性的税收返还、减 免    
计入当期损益的政府补助,但 与公司正常经营业务密切相 关,符合国家政策规定、按照 一定标准定额或定量持续享受 的政府补助除外23,706,688.96 14,883,477.4913,916,515.96
计入当期损益的对非金融企业 收取的资金占用费    
企业取得子公司、联营企业及    
合营企业的投资成本小于取得 投资时应享有被投资单位可辨 认净资产公允价值产生的收益    
非货币性资产交换损益    
委托他人投资或管理资产的损 益    
因不可抗力因素,如遭受自然 灾害而计提的各项资产减值准 备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安置职工的 支出、整合费用等    
交易价格显失公允的交易产生 的超过公允价值部分的损益    
同一控制下企业合并产生的子 公司期初至合并日的当期净损 益    
与公司正常经营业务无关的或 有事项产生的损益    
除同公司正常经营业务相关的 有效套期保值业务外,持有交 易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金 融负债产生的公允价值变动损 益,以及处置交易性金融资 产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他 债权投资取得的投资收益2,156,032.10   
单独进行减值测试的应收款 项、合同资产减值准备转回21,870.00   
对外委托贷款取得的损益    
采用公允价值模式进行后续计 量的投资性房地产公允价值变 动产生的损益    
根据税收、会计等法律、法规 的要求对当期损益进行一次性 调整对当期损益的影响    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外 收入和支出26,283.88 2,769,352.29-202,653.37
其他符合非经常性损益定义的 损益项目-200,244.54 -7,338,806.77 
减:所得税影响额2,455,776.40 -220,815.31741,795.78
少数股东权益影响额(税 后)4,667,596.13 5,754,619.164,290,067.49
合计18,774,176.76 4,744,623.128,668,681.72
注:2022年度其他符合非经常性损益定义的损益项目系本公司将设备搬迁至路维科技产生的搬迁相关费用200,244.54元。

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响金额
交易性金融资产0231,467,538.22231,467,538.221,467,538.22
应收款项融资011,180,595.5911,180,595.590
其他债权投资020,134,838.7120,134,838.71134,838.71
合计0262,782,972.52262,782,972.521,602,376.93

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
报告期内,由于贸易保护主义抬头、高通胀等接踵而至,引发全球经济和金融市场震荡,世界经济和贸易增长动能减弱,终端消费直接受到冲击。国内亦受到宏观经济波动影响,全年经济复苏进程放缓。

2022年,全球显示行业终端需求相对疲软。具体来看,智能手机、个人电脑等消费电子需求下降明显,但同时,以元宇宙、新能源汽车、物联网、智慧医疗等为代表的新应用市场保持高增长态势,对平板显示和半导体等行业需求有拉动作用。我国已成为全球最大的面板生产地区,伴随市场需求变化与新技术的不断发展,行业竞争态势更趋复杂,面板企业在注重大众化市场需求的同时,也在积极拓展个性化、差异化的市场需求,预计将会进一步带动对于平板显示掩膜版的需求。

根据国际半导体产业协会(SEMI)发布的报告,2022年半导体材料市场整体规模预计将增长8.6%,达到698亿美元,创历史新高。SEMI预计至2023年,半导体材料市场规模预计将超过700亿美元。半导体晶圆制造材料主要包括硅材料、工艺化学品、掩膜版、光刻胶配套试剂、CMP抛光材料、光刻胶、电子气体、溅射靶材等,其中掩膜版占比达 12.9%。受惠于全球半导体新厂产能的持续释放,预计未来半导体芯片用掩膜版行业整体市场需求量将继续保持增长。随着Chiplet技术的快速发展,与之相应的先进封装产业也将迎来新的发展机遇,国内主流封装厂商都在全力研发各自的先进封装工艺技术,半导体封装掩膜版市场也将随之受益。随着中国半导体行业的快速发展及国产替代需求的进一步放大,半导体掩膜版市场将迎来巨大发展空间。
公司成立至今始终致力于掩膜版的研发、生产和销售,产品主要服务于平板显示、半导体、触控和电路板等行业。作为专业从事掩膜版研发、生产、销售的高新技术企业,公司已经确定了在掩膜版行业的优势竞争地位,树立了国内唯一一家可覆盖 G2.5-G11全世代掩膜版生产能力的专业品牌形象。2022年公司继续积极构建研发创新体系,取得国家“专精特新小巨人”和深圳市“专精特新”称号;成都路维通过国家高新技术企业认定、取得四川省“专精特新”称号。公司积极响应国家“知识产权强国策略”,不断完善关键技术和产品专利布局,有效支撑业务快速发展。报告期内,公司新获授权专利22项,其中新获授权发明专利2项,实用新型专利20项;软件著作权4项。截至报告期末,公司拥有专利91项,其中10项为发明专利,拥有软件著作权17项。

公司一直坚持以技术引领产品升级,创新驱动业务高质量发展,报告期内,公司实现营业收入 64,001.37万元,较上年同期增加 29.66%,实现归属于上市公司股东的净利润 11,977.53万元,较上年同期增加128.99%,报告期末总资产193,725.60万元,较期初增加47.95%。

随着电子信息行业不断地转型升级,下游行业将逐步向更高端、更广泛的技术应用转变,更高精尖的掩膜版将在市场竞争中脱颖而出、占据有利地位。面对地缘政治的不确定性,国家及越来越多的企业日益重视显示及半导体供应链的安全,国内全行业正在共同努力,应对供应链危机。

立足于平板显示掩膜版和半导体掩膜版两大核心产品线,在共商共建共享的发展理念下,公司已形成“以屏带芯”的业务发展格局。公司将抓住平板显示和半导体掩膜版国产替代的良机,继续深化市场布局,以扎实、领先的技术持续推出优质的产品,为客户提供优质的产品和满意的服务,携手众多合作伙伴推进产业良性发展,筑牢掩膜版产业链的安全、稳定;在助力产业链发展的同时,实现自身战略规划目标,实现公司经营业绩持续、稳定增长,提高投资者的信心,有效地回报各位股东,为中国制造业走向“中国智力创造”、建设世界科技强国、质量强国贡献力量。


二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
1.主要业务
公司自成立至今,一直致力于掩膜版的研发、生产和销售,产品主要应用于平板显示、半导体、触控和电路板等行业,是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本。掩膜版的作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上,从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本,掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键,掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。

经过多年技术积累和自主创新,公司已具有 G2.5-G11全世代掩膜版生产能力,可以配套平板显示厂商所有世代产线;公司实现了 180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产,并取得了150nm制程节点半导体掩膜版制造关键核心技术,可以满足国内先进半导体封装和半导体器件等应用需求。公司在G11超高世代掩膜版、高世代高精度半色调掩膜版和光阻涂布等产品和技术方面,打破了国外厂商的长期垄断,对于推动我国平板显示行业和半导体行业关键材料的国产化进程、逐步实现进口替代具有重要意义。

2.主要产品或服务情况
根据基板材料的不同,公司的产品可以分为石英掩膜版、苏打掩膜版和其他(菲林等)。根据下游应用行业的不同,公司的产品可分为平板显示掩膜版、半导体掩膜版、触控掩膜版和电路板掩膜版等。

平板显示掩膜版应用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)制造,包括 TFT-Array制程和 CF制程;有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)制造;扭曲/超扭曲向列型液晶显示器(TN/STN-LCD)制造。

半导体掩膜版应用于集成电路(IC)制造、集成电路(IC)封装、半导体器件制造(包括分立器件、光电子器件、传感器及微机电(MEMS)等)及LED芯片外延片制造。

触控掩膜版用于触摸屏的制造过程;电路板掩膜版用于PCB及FPC的制造过程。

(二) 主要经营模式
1.盈利模式
公司主要从事掩膜版的研发、生产和销售,通过向平板显示和半导体等下游行业的客户提供定制化掩膜版产品实现收入和利润。公司始终坚持技术创新、产品领先的发展战略,使掩膜版产品持续向大尺寸、高精度演进,形成了以技术创造业绩、以业绩支撑研发的良性循环,推动掩膜版的国产化进程,打开了广阔的市场空间。

2.采购模式
公司主要采取以销定采的采购模式,同时对于掩膜基板等重要的原材料根据市场部的销售预测、原材料库存情况及原材料供应情况适当备货。

在采购方式方面,对于掩膜基板、光学膜等重要的原材料,公司主要采用询比议价方式,原则上至少选取三家实力雄厚、交货及时、服务意识良好的合格供应商作为供货渠道,以确保价格具有竞争性,同时保证物料的供应稳定、到货及时,公司的主要原材料以境外采购为主,境内采购为辅;对于生产设备,属于技术复杂或者性质特殊的物资,公司主要采用竞争性谈判或单一来源采购方式,与供应商就价格、质量和交付要求等内容进行充分谈判,在保证质量和交付要求的前提下,力求以最低价格达成交易;对于包装盒等辅助材料、低值易耗品,由于金额较小且价格透明,公司通常采取直接采购的方式。

公司目前建立了较为完善的供应商管理与评价机制,公司对供应商进行季度质量评价与年度综合评价,从质量、交期、价格、售后服务等多个方面对供应商进行打分,对供应商进行分级评价。

3.生产模式
公司采取“见单生产”的模式,即根据销售订单安排生产,主要是由于掩膜版为定制化产品,不同下游领域的客户对于掩膜版的尺寸、精度要求均不同;且由于掩膜版为下游客户生产制造过程中的定制化模具,并非大批量购买的原材料,因此客户单笔订单的采购量较少。

掩膜版生产过程是通过光刻工艺及显影、蚀刻、脱膜、清洗等制程将微纳米级的精细电路图形刻制于掩膜基板上,生产呈现高度定制化和自动化特点。公司的核心生产设备是光刻机,光刻采用激光直写像素化图形的方式进行,系整个掩膜版制造过程中最为耗时的工序。为合理调配产能,公司采用每条产线配置一台光刻机、多条产线共用其它后段设备的方式进行生产线布局。

4.销售模式
公司的销售模式均为直销,鉴于掩膜版产品的定制化特征,公司通过高度配合客户产品需求和认证流程、提供专业服务,获取订单。掩膜版是光刻微纳加工的核心材料,直接影响终端产品的品质和良率,客户在引进掩膜版供应商或导入掩膜版新产品时需要对多个环节进行严苛的测试及验证,通过该等认证流程后公司方能与客户签署合同或订单。报告期内,公司与平板显示类主要客户签署了框架合同,与之保持长期战略合作;其他类产品的客户通过签署单笔订单开展交易。

公司主要通过参加行业展会与专业论坛、拜访客户及老客户推荐等方式开拓客户。

5.研发模式
公司自成立以来,始终坚持自主研发和技术创新,致力于打破国外技术垄断,逐步实现掩膜版的国产化。

公司的研发部门分为技术研发和工艺研发两大职能模块。技术研发主要沿下游行业技术演进开展研发活动,公司定期与国内不同行业客户开展技术交流,深度挖掘客户中远期需求以及行业可能存在的技术演进方向,以客户技术需求与产品诉求为目标,形成需求分析→技术研发→产品测试→优化提升的研发机制,且通过相关竞品分析查找工艺技术差异点,以研发带动产品销售;工艺研发旨在对现有技术、设备工艺提升与优化,通过挖掘相关材料、设备等技术现状与发展路径,结合自身工艺特点,提出优化的材料、工艺与设备解决方案,不断提升产品品质与生产效率。

针对上述研发目标,公司的研发活动主要围绕原材料理化特性、各生产环节设备工艺参数调节、原材料与生产工艺参数的匹配,以及研究不同生产环节之间对于最终产品性能的相互影响展开。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)平板显示市场
平板显示作为智能交互的重要端口,已成为承载超高清视频、物联网和虚拟现实等新兴产业的重要支撑和基础,日益成为电子信息产业领域竞争的新高地。随着新能源汽车、智慧医疗、视频直播、在线学习等新兴产业的快速发展,对平板显示行业的发展和进步起到了积极的推动作用。

2022年,平板显示行业仍持续朝着智能化、应用多元化、大尺寸、超高清方向发展。

近年来,我国平板显示产业实现了跨越式的发展,产业布局上逐步形成了环京、长三角、珠三角和中西部集聚区,四大地区在平板显示产业发展过程中形成了“龙头企业-重大项目-产业链条-产业集聚-产业基地”的集群发展模式。目前,我国平板显示产业发展呈现出如下特点: ①产业集聚效应凸显。据中国光学光电子行业协会液晶分会统计数据显示,2021年,我国 显示行业产值约 5,868亿元,面板出货面积约 16,058万平方米,产值和出货面积全球第一。同 时,产业链得到进一步完善,供应能力持续提升,供应链韧性持续增强。数据显示,2022年液 晶显示关键材料就近配套率将超过75%。 ②多种显示技术齐头并进。每个产业的快速发展都离不开技术的持续创新,平板显示产业也 是如此。当前,TFT-LCD、AMOLED、硅基OLED、激光显示、Mini/Micro-LED等各项显示技术不断 取得突破,并在相应的领域得到了应用。近几年 Mini-LED和 Micro-LED的发展尤为迅猛,随着 巨量转移等工艺问题不断得到优化或突破,在 mini-LED背光、Mini/Micro-LED直显等方面的应 用得到进一步拓展。越来越多的面板企业、TV厂商等跨界进入LED显示市场,进一步加大了投资 布局力度。其中,Mini-LED因其高亮度、高对比度、广色域等优点也作为新一代背光技术开启 快速成长模式。另外,从下游应用来看,全球 Mini-LED显示设备在 VR、车载、显示器等领域均 有较大幅度增长。根据Arizton的数据,全球Mini-LED市场规模将由2021年的1.5亿美元增长 至2024年的23.2亿美元,2021-2024年年均复合增长率为149.2%。根据Omdia预测,2026年全 球Micro-LED显示器出货量将达1,550万台,年均复合增长率达99%。 光掩膜版作为平板显示产业关键核心材料,其需求在显示面板大型化及高精细化发展带动下 不断攀升。根据 Omdia分析,预计 2024年全球 G8.6及以下平板显示用掩膜版需求量将超过 18,000㎡,销售收入预计超过890亿日元;G10平板显示用掩膜版需求量将达到980平米,销售 收入预计超过150亿日元。 数据来源:Omdia 伴随着我国平板显示产业占全球比重的不断攀升,国内光掩膜版市场的需求也在不断扩大。 根据Omdia分析,2021年中国大陆平板显示掩膜版销售占比为54%,预计2024年将达到60%。 数据来源:Omdia
随着相关配套产业的不断完善以及国家相关产业政策持续推动下,报告期及未来可预见的期间,国内平板显示掩膜版行业仍将拥有巨大的发展潜力和广阔的市场空间。

(2)半导体市场
半导体芯片产业是全球科技产业中最重要的部分之一,是现代社会数字化和智能化的基石,被广泛应用于 5G通信、人工智能、物联网、汽车电子、云计算、消费电子、智能家居、智能化工厂等领域,是现代科技发展的重要驱动力。根据SIA(美国半导体协会)2023年2月发布的数据显示,2022年全球半导体销售金额较2021年的5,559亿美元增长3.2%至5,735亿美元,创历史新高。受消费市场萎缩的影响,2022年半导体市场呈现下滑趋势,根据 WSTS(世界半导体贸易协会)2022年11月的预测,2023年全球半导体市场规模或将继续下降至5,565亿美元,预计 到2024年初,半导体行业整体会逐步恢复至增长态势。 全球半导体市场规模(亿美元) 数据来源:WSTS、SIA
2022年海关总署公布的进出口主要商品数据显示,中国货物贸易进口总值达 2.72万亿美元。

其中,集成电路占比达 15.30%,仍是中国第一大进口商品。集成电路作为半导体芯片行业的主要代表,是整个现代信息化社会的基础,关系到国家的国防安全、金融安全、信息安全。目前国内半导体芯片自给率还非常低,特别是先进的处理器和控制器芯片极度依赖进口。为打破这种局面,各地政府一直在积极布局构建国内自主可控的半导体芯片产业链,相信在 5G通信、人工智能、物联网、汽车电子、云计算、消费电子、智能家居、智能工厂、元宇宙等领域快速发展的带动下,国内半导体芯片产业将获得新一轮的发展机会。

根据国际半导体产业协会(SEMI)发布的报告,2022年半导体材料市场整体规模预计将增长8.6%,达到698亿美元,创历史新高。其中,晶圆材料市场将增长11.5%,达到451亿美元;封装材料市场将增长3.9%,达到248亿美元。展望未来,SEMI预计,2023年,半导体材料市场规模预计将超过700亿美元。半导体晶圆制造材料,主要包括硅材料、工艺化学品、光掩膜版、光刻胶配套试剂、CMP抛光材料、光刻胶、电子气体、溅射靶材等,其中掩膜版占比 12.9%。在半导体芯片用掩膜版领域,受惠于全球半导体新厂产能的持续释放,预计未来掩膜版行业整体市场需求量还将继续保持增长。

根据SEMI在2020年12月的分析报告,2019年全球半导体芯片用掩膜版市场规模约有41亿美元,预计2021年市场规模将达到44亿美元。随着我国半导体产业在全球半导体行业比重的提升,预计我国半导体掩膜版市场规模也将随之扩大。2022年 10月美国商务部公布的修订后的《出口管理条例》中,加大对于半导体设备及零部件的出口供货限制,包含了对掩膜版的供应限制,国内先进制程掩膜版进口受阻,急需国产掩膜版填补供应,掩膜版行业的国产替代进程有望进一步加速。

以 SiC、GaN为代表的第三代半导体以其高热导率、高击穿场强等特点,在国防、航空、航天、高铁、新能源汽车、光学存储、激光打印等领域有着重要的应用前景。在国家政策支持和市场需求驱动下,我国第三代半导体产业也得到快速发展,已基本形成了涵盖上游衬底、外延片,中游器件设计、器件制造及模块,下游应用等环节的产业链布局,这也将有力带动我国半导体掩膜版市场快速发展。

随着Chiplet技术的快速发展,与之相应的先进封装产业也将迎来新的发展机遇。国内主流封装厂商都在全力研发各自的先进封装工艺技术,国内半导体封装掩膜版市场也将受益。

综上,未来可预见的期间内,随着中国大陆半导体芯片行业的快速发展及国产替代需求的进一步放大,半导体芯片行业用掩膜版市场将有巨大发展空间。

(3)触控市场
触控产品,作为传统按键的替代产物,广泛应用在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、车载显示、智能手表等领域。

触控产品可以分为外挂式(如OGS、Metal Mesh)和内嵌式(如In-cell、on-cell)两大类。

内嵌式触控具有轻薄、窄边框、简化供应链的特点,已在智能手机等小尺寸屏幕应用上取得压倒性优势;同时内嵌式触控也正在快速的向平板电脑、笔记本电脑及车载触控领域渗透。外挂式触控,无论是OGS技术还是Metal mesh技术,都已非常成熟,虽然在小尺寸方面已无法与内嵌式触控相抗衡,但在中大尺寸方面 Metal mesh等外挂式触控,仍有广泛的应用。综合来看,触控类掩膜版需求较为稳定。

(4)电路板市场
电路板作为电子元器件的载体或电子器件间电气连接的载体,被广泛应用在手机、电脑、汽车电子、家用电器等各种电子产品中。掩膜版一般应用在高端FPC和PCB产品上,有相对稳定的市场需求。

(5)技术门槛
掩膜版作为下游行业批量生产过程中的基准和蓝本,具有高度定制化的特点,不同行业、不同客户的要求也不尽相同;同时,作为基准和蓝本,其自身的品质状况,对下游产品的品质、良率具有决定性影响。因此,对掩膜版在精度、缺陷管控等方面都有着极高的要求。掩膜版生产制造属于超高精密光学加工范畴,涵盖了版图设计与处理、光阻涂布、精密光刻与制程、检测与分析、缺陷控制、洁净环境控制等工艺技术,涉及固体物理、化学、几何光学、激光、微电子、机械等多个学科领域,具有非常高的技术门槛,需要掩膜版企业在设计开发、生产制造、品质管控、分析与模拟等环节具备较高的技术水平与技术积累。

公司是国内最早进入掩膜版领域的企业之一,在平板显示、半导体等行业用掩膜版方面具有多年的技术积累,技术水平处于国内领先地位。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
国外掩膜版行业起步早,经过多年的发展、技术迭代,可以提供从低端、中端至高端全系列的掩膜版。相对国外而言,国内掩膜版行业起步较晚,近年来国内企业不断研发取得了很大的进步,但在高端掩膜版的市场占有率和行业影响力上,与国外知名掩膜版企业仍有一定程度的差距。

公司深耕平板显示用掩膜版多年,既可以提供传统的 TFT LCD用掩膜版,也可以提供 LTPS LCD、AMOLED、Mini-LED等平板显示用中高端掩膜版,尺寸上实现全世代覆盖,与京东方、华星光电、天马、信利等知名面板企业均建立了长期稳定的供应关系。以G11 掩膜版为例,由于技术难度更高,进入壁垒较高,长期被国际先进掩膜版厂商垄断。经过多年技术积累,公司于 2019 年成功建设 G11 掩膜版产线,成为国内第一家拥有 G11 高世代线的掩膜版企业。目前,全球共 5 家企业拥有 G11高世代线,分别是 DNP、福尼克斯、SKE、LG-IT 及路维光电。2020 年公司 G11 掩膜版产销规模迅速增长,成为全球G11掩膜版细分市场的主要参与者之一,根据 Omdia 研究报告,公司 2020 年 G11 掩膜版销售收入排名全球第四位,市场占有率快速攀升至 13.97%;2021年,市场占有率进一步上升至19.21%。

近些年,在国家大力支持下,国内半导体行业取得了长足的发展。受多重因素影响,目前国内半导体仍以成熟制程为主, 110nm及以下节点的掩膜版仍严重依赖国外掩膜版厂商。目前公司已实现 180nm及以上制程节点半导体掩膜版产品的量产,可应用于 MOSFET、IGBT、MEMS、SAW、先进封装等半导体制造领域,与国内某些领先芯片公司及其配套供应商、中芯宁波、长电科技、通富微电、晶方科技、华天科技等国内诸多主流厂商开展紧密合作;同时,公司通过自主研发,储备了150nm制程节点半导体掩膜版制造技术,可以覆盖第三代半导体相关产品。此外,公司在生产一代、储备一代、研发一代的发展理念下,积极开展130nm及以下制程节点掩膜版产品的工艺技术开发,籍此不断提升公司在半导体掩膜版行业的技术能力和竞争力,为保障国内半导体供应链安全做出积极贡献。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 (1)平板显示市场
显示作为信息技术的重要组成和信息链的终端人机界面,是信息产业的重要支柱,其应用领域遍及工业、交通、通讯、教育、航空航天、卫星遥感、医疗等日常生活各方面。新一轮科技和产业革命加速兴起,显示与 5G、大数据、人工智能等新一代信息技术不断发展,呈现出超高清、融合、智能和绿色的新型发展态势。随着消费者对近眼显示需求不断升级,LCD和OLED两大技术均未停止前进的脚步。其中,Mini-LED因其高亮度、高对比度、广色域等优点,与传统 LCD结合,在超高清、HDR标准加持以及分区控光等技术的应用下,作为新一代显示技术与OLED阵营进行竞争。在采用低密度 Mini-LED背光和优化 LED芯片设计的情况下,其制造成本会进一步得到压缩,这会进一步提高Mini-LED背光的渗透率。根据Omdia预测,2026年,Mini-LED背光电视Mini-LED背光TV市场出货及预测(单位:百万台) 数据来源:Omdia 2022年被称为元宇宙之年,作为元宇宙的重要入口之一,XR(VR、AR、MR等)在经历了初期 快速发展后,正在由Fast-LCD显示技术向硅基OLED技术迭代。高显示质量、轻薄、低功耗、长 寿命的微显示是VR、AR产品下一步发展的重要趋势。与目前主流产品使用的Fast-LCD相比,硅 基OLED在亮度、对比度、反应时间、功耗、体积等方面拥有明显优势,成为AR、VR等头显方案 的新选择。对于单晶硅光刻的基底驱动层技术而言,硅基OLED采用的是28nm、55nm、甚至180nm 成熟的 CMOS工艺。28nm及以上 CMOS工艺制程此前被光电传感器广泛采用,已经踏入了成熟阶 段,因此硅基 OLED采用半导体工艺成熟的技术即能够满足生产制造要求,享受半导体端的成熟 制程红利,半导体制造中的诸多技术正在被不断应用于显示行业的制造中。根据 CINNOResearch 预计,2021年至2025年,全球AR/VR硅基OLED显示面板市场规模复合增速达119%。 全球微型显示器市场规模预测(单位:百万美元) 数据来源:CINNOResearch
平板显示技术不断升级与迭代,新的显示技术需要光掩膜版朝着更高精度和更优品质的方向进行着技术革新,如应用于 Micro-LED、硅基 OLED、LTPO、QD-OLED等行业的掩膜版制造技术。

同时,随着显示精度的不断提升,半导体制造中的诸多技术正在被不断应用于平板显示的制造中,如OPC技术、PSM技术等。

(2)半导体市场
回望过往,半导体行业一直遵循着摩尔定律在发展,但是当工艺演进到 5nm、3nm制程节点,提升晶体管密度变得越来越难。国际先进半导体厂商主要围绕提高半导体芯片晶体管密度和集成度发展,国内半导体厂商现阶段主要围绕成熟制程节点来发展,在努力缩小与国际先进水平差距的同时,也在往产业链自主可控方面发展,这将推动对国内成熟制程半导体用掩膜版的需求。

Chiplet技术是将大型单片芯片分解为不同功能的小芯片,这些小芯片可以使用相同或者不同的工艺节点制造,再通过跨芯片互联和封装技术进行封装集成,降低成本的同时获得更高的集成度。Chiplet技术主要依靠先进封装技术来实现,国内主流封装厂商均在开发相关工艺,部分已开始量产Chiplet产品。Yole预测到2027年将实现每年78.7亿美元,先进封装带来的掩膜版需求增长也将有效支撑国内掩膜版市场持续发展。

中国是全球新能源汽车最大生产国,根据 2021年各行业研究机构的调研,目前一辆新能源汽车的芯片使用量平均每辆车大概需要 1,500颗芯片,是一台智能手机的 10倍以上,到自动驾驶阶段可能会上升到3,000颗芯片。根据汽车工业协会的统计数据,2022年我国新能源汽车持续爆发式增长,汽车半导体芯片主要集中在 45nm以上成熟制程工艺节点,国内完全有能力自主承接。随着国内新能源汽车市场的持续增长,相信 45nm以上成熟节点的掩膜版需求也将会有大幅增长。

(3)掩膜版行业未来发展趋势
掩膜版行业主要与下游显示面板行业、半导体芯片行业、触控行业和电路板行业等的发展息息相关,随着各行各业数字化和智能化的逐步推进,未来几年掩膜版行业将向高精度、多层化、国产化、应用多样化的方向发展。

①掩膜版产品精度趋向精细化
平板显示行业,随着消费者对显示产品的要求逐步提高,手机、平板电脑等移动终端向着更高像素密度、更饱和的色彩度、更高的刷新率、更低的功耗发展。对平板显示掩膜版的光刻分辨率、最小过孔尺寸、CD均匀性、套刻精度、缺陷大小均提出了更高的技术要求。根据 Omdia对2020年至 2022年平板显示掩膜版技术路线分析,显示用掩膜版在光刻分辨率(exposure resolustion)、最小过孔尺寸(Minimum via)、CD均匀性(CD uniformity)、套刻精度(overlay)等技术指标方面都有提升。

平板显示掩膜版精度发展趋势简图
资料来源:Omdia
半导体行业,目前中国大陆主流制造为 250nm~14nm工艺节点。而三星与台积电均已在 2022年下半年开始量产3nm节点工艺的半导体芯片,Intel计划在2024年推出其2nm技术(20A)。

未来半导体芯片的制造工艺将进一步向精细化工艺发展,这对与之配套的半导体芯片及封装用掩膜版提出了更高要求,对线缝精度、套刻精度、缺陷管控、图形复杂度的要求越来越高,掩膜版厂商需要通过光学邻近校正(OPC)、相移掩膜(PSM)、反演光刻(ILT)等技术来实现配套。

这些复杂图形都将推进掩膜版产品的高精细化发展。

②掩膜版层数增加
为进一步降低AMOLED屏幕的功耗,业内在LTPS背板的基础上开发出了LTPO背板显示技术。

LTPS背板的优势是,沟道电子迁移率高,适合开发高刷新率屏幕,但缺点是关态漏电流高,耗电量相对较大,不利于消费电子的长续航需求。IGZO背板的优势是关态漏电流很低,适合长续航要求,但沟道电子迁移速率相对一般,不适合开发高刷屏。业界结合两种屏幕的优势,开发出了新型的LTPO高刷新率屏幕,在提供高刷新率的情况下,保持更长续航能力。传统LTPS背板一般需要9~13层掩膜版,结合IGZO技术后,LTPO背板工艺所需掩膜版要增加至少4层,至13~17层。预计随着LTPO屏幕技术的普及,掩膜版产品层数也将随之增加。

③液晶掩膜版产品尺寸趋向稳定,OLED产品逐步向大尺寸靠拢
液晶显示方面,根据Omdia2021年的预测,在2019年和2022年之间,液晶电视平均尺寸预计将从45.6英寸增加到 50.2英寸。电视尺寸趋向大型化,国内液晶面板玻璃基板从 2018年开始即稳定在G11代2940mmx3370mm尺寸以内。预计未来三年内,液晶显示行面板用掩膜版产品尺寸将维持在1620mmx1780mm以内。

OLED产品方面,受限于蒸镀机尺寸限制,目前主流OLED显示面板厂尺寸主要集中在G6线,对应掩膜版产品主要集中在850mmx1200mm尺寸。随着三星宣布在韩国牙山投建全球首条G8.6代OLED生产线,另根据韩媒THEELEC的消息,LG与京东方也有类似投资计划,预计OLED新建产能将逐步投向G8.6代大尺寸,因此,未来OLED用掩膜版产品也将向大尺寸靠拢。

④掩膜版行业产业链国产化趋势明显
掩膜版的主要原材料为掩膜版基板。目前,国内主要供应苏打玻璃基板和9寸及以下尺寸的石英玻璃基板,而大尺寸石英玻璃基板和中高端小尺寸石英玻璃基板被日韩企业垄断,严重依赖进口。随着地缘政治的影响和贸易保护主义的抬头,国家及越来越多的企业日益重视显示及半导体供应链的安全;在掩膜版基板方面,国内已有多个在建或计划建设的项目在推进,掩膜版行业产业链上游国产化将迎来新的发展,这将有助于提高国内掩膜版行业供应链的安全性。

⑤新技术发展引导掩膜版产品多样化
近年来,随着新型平板显示和半导体芯片等新一代信息技术产业的快速发展,产业内出现很多新兴的需求,如低温多晶氧化物(LTPO)、双栈串联显示、MicroLED显示、硅基 OLED、第三代半导体、先进封装、纳米压印、垂直腔面发射激光(VCSEL)、高精度光栅等技术均需要更多种类的掩膜版产品与之配套。


(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。报告期内,公司新增 5项核心工艺技术,现共拥有28项核心工艺技术,具体情况如下:

序 号划分维度核心技术技术内容在主要产品中的应 用情况技术 来源知识产权 保护情况
1产品制造技术G11及以下TFT (a-Si)掩膜版 制造技术最小图形可达 3μm,线/间(CD)精度 可控制在±0.25μm以内;总长 (TP)及位置(Position) 精度可控制 在±0.5μm以内,产品缺陷尺寸可 控制在1.0μm以内。G11及以下尺寸a- Si TFT显示面板用 掩膜版自主 研发已获得专 利保护
2产品制造技术G11及以下平板 显示用多灰阶 (Multi-tone) 掩 膜版制造技术包含半色调及灰阶掩膜版,线/间 (CD) 精度可控制在±0.10μm以 内;总长(TP)精度可控制在±0.5 um以内,两层图形之间套合偏差 (Overlay Shift)可控制在±0.5μm 以内,半色调层透过率均匀性可控 制在2.0%以内。G11及以下尺寸平 板显示用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
3产品制造技术G6及以下AMOLED 掩膜版制造技术最小图形可达 1.2μm,精度及均匀 性高,线/间(CD)精度可控制在± 0.1μm以内,均匀性可控制在80nm 以内;位置(Position) 及总长(TP) 精度可控制在±0.2μm以内,产品 缺陷尺寸可控制在0.75μm以内。G6及以下AMOLED 显示面板用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
4产品制造技术150nm节点半导 体掩膜版制造技 术线/间(CD)精度可控制在±50nm以 内;总长(TP)精度可控制在±0.2 μm以内。150nm节点及第三 代半导体用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
5产品制造技术G6及以下LTPS 掩膜版制造技术最小图形可达 1.5μm,线/间(CD)精 度可控制在±0.1μm以内,均匀性 可控制在 100nm 以内;位置 (Position)及总长(TP) 精度可控制 在±0.30μm以内,产品缺陷尺寸 可控制在1.0μm以内。G6及以下LTPS显 示面板用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
6产品制造技术先进半导体封装 及指纹模组封装 用掩膜版制造技 术线/间(CD)精度可控制在±0.1μm 以内,总长(TP)精度可以控制在± 0.2μm以内,产品缺陷尺寸可控制 在1.0μm以内。半导体、指纹模组 等封装用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
7产品制造技术高精度蓝宝石衬 底(PSS) 用掩膜 版制造技术线/间(CD)精度可控制在±0.1μm, 总长(TP)精度可控制在±0.15 μm 以内,允许缺陷尺寸≤1.0μmPSS蓝宝石衬底用 掩膜版自主 研发已获得专 利保护
8产品制造技术G5 .5及以下 Metal Mesh掩膜 版制造技术线/间(CD)精度可控制在±0.3μm, 总长(TP)精度可控制在±0.75 μm 以内,产品缺陷可控制在5.0μm以 内。G5.5及以下Metal Mesh触控用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
9产品制造技术带AF防护膜层的 掩膜版制造技术产品具有防指纹、耐划伤等功能, 具有疏水性,水滴角可达 115°及 以上。触控、线路板、 LED等行业用掩膜 版自主 研发未单独申 请专利
10核心工艺技术掩膜版光阻涂布 技术可实现不同粘度、对比度、敏感度 及膜厚要求的光阻涂布,1) 光阻涂 布膜厚均匀性可控制在 3.0%以内; 2)控制涂布过程中的流量、间隙、 转速、气压等,消除涂布后因光阻 不均匀造成的色差,达到控制涂布 Mura的目的。应用于G11及以下 平板显示掩膜版/ 半导体掩膜版的光 阻涂布自主 研发已获得专 利保护
11核心工艺技术掩膜版涂布洗边 (EBR)控制技术采用高纯度有机溶液,通过调整 Nozzle角度、喷洒状态等,可对不 同粘度、膜厚的光阻进行洗边 (EBR)处理,实现不同范围内的光 阻洗边。应用于G11及以下 平板显示掩膜版/ 半导体掩膜版的光 阻涂布洗边自主 研发已获得专 利保护
12核心工艺技术掩膜版图档防静 电处理技术通过分析掩膜版图形线路电学特 性,针对性进行图档设计优化处 理,从而有效避免因设计原因造成 的掩膜版静电击伤现象,提高了掩 膜版品质及使用寿命LCD/TP/TFT用掩膜 版的生产自主 研发已获得专 利保护
13核心工艺技术DCM补偿光刻技 术针对面板制造中由于投影光刻过程 造成的图形 Distortion,通过相关 算法对掩膜版设计图档进行光刻参 数补偿,从而实现掩膜版图形与面 板投影曝光的整体匹配。G11及以下平板显 示掩膜版自主 研发未单独申 请专利
14核心工艺技术多次对位光刻技 术针对多膜层结构掩膜版,开发多次 对位光刻技术,实现不同膜层图形 套合精度的要求。G11及以下平板显 示掩膜版/半导体 掩膜版自主 研发未单独申 请专利
15核心工艺技术掩膜版显影过程 中缺陷控制技术自主开发用于掩膜版显影过程的浸 润液,运用该浸润液可保证掩膜版 在显影过程中表面无气泡产生,出 现气泡的比率从目前的 10%降低到 0,提升了产品品质。G6及以下尺寸掩膜 版自主 研发未单独申 请专利
16核心工艺技术显影后精度补偿 技术针对掩膜版蚀刻后精度偏差问题, 自主开发显影后精度补偿技术,极 大提高蚀刻后图形线条质量,减小 图形的精度误差。G11及以下平板显 示掩膜版/半导体 掩膜版自主 研发未单独申 请专利
17核心工艺技术掩膜版高效清洗 技术自主开发针对掩膜版表面有机异物 的清洗技术,利用光学手段并结合 化学方法,针对性去除掩膜版表面 的有机杂质和异物。与传统单一化 学清洗方式相比,极大提高了有机 杂质和异物的清洗效率。G11及以下平板显 示掩膜版/半导体 掩膜版自主 研发已获得专 利保护
18核心工艺技术半色调(Half- tone)掩膜版沉积 式修补技术采用不同于传统气相化学沉积的方 式,可针对不同透过率半色调膜层 缺陷进行修补。最小修补图形可达 1μm,可实现10到60%透过率范围 膜层修补,修补膜层透过率均匀性 可控制在2%以内。G11及以下平板显 示用半色调掩膜版自主 研发未单独申 请专利
19核心工艺技术掩膜版贴膜后缺 陷处理技术针对掩膜版贴膜过程中造成的异物 缺陷,自主开发贴膜后缺陷处理技 术,运用激光处理的方式,可实现 掩膜版贴膜后异物性缺陷的去除, 处理效率高。G11及以下平板显 示掩膜版/半导体 掩膜版自主 研发未单独申 请专利
20核心工艺技术掩膜版光学膜贴 附技术自主开发掩膜版光学膜贴附技术, 结合自主开发的自动、半自动装 置,可将贴附精度控制在±0.5mm 以内,效率高、品质优异。G11及以下平板显 示掩膜版/半导体 掩膜版自主 研发已获得专 利保护
21核心工艺技术高世代掩膜版用 包装材料清洗技 术自主开发化学清洗药液及自动化装 置,形成高效自动化清洗工艺,能 在短时间内进行有效清洗,满足平 板显示掩膜版产品包装洁净度、防 静电等品质要求。G11及以下平板显 示掩膜版包装材料 的清洗自主 研发已获得专 利保护
22核心工艺技术衰减型相移掩膜 版(ATT PSM) 工 艺技术自主开发相移掩膜版工艺技术,可 用以实现嵌入式单层式衰减型相移 掩膜版的制造;使用该类掩膜版曝 光时,光在图形边界处的相位角相 差 180°(误差在±2°以内),出现180nm及以下节点 半导体用掩膜版自主 研发未单独申 请专利
   光的相消叠加,最终使得客户端的 光刻分辨率有所提高。   
23核心工艺技术高精度半导体掩 膜版光阻涂布技 术可实现不同精度要求的半导体用掩 膜版的光阻涂布、不同光阻涂布膜 厚的控制;涂布均匀性可控制在 1.0%以内,可满足不同粘度、感光 性光阻的涂布要求。半导体用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
24产品制造技术980*1550 TFT Array掩膜版制 造技术通过开发对应涂布、光刻、制程、 清洗等工艺,实现980*1550 TFT掩 膜版的制造。针对图形尺寸精度、 总长精度、图形套合精度控制等方 面进行开发研究,实现产品CD精度 ±0.1μm,位置精度±0.3μm。980*1550 TFT Array显示面板用 掩膜版自主 研发未单独申 请专利
25核心工艺技术新型掩膜版缺陷 修复技术开发掩膜版显影后缺陷修复技术, 避免产品蚀刻后出现大尺寸缺陷, 降低 CVD修复风险,提高产品制造 良率,缺陷修复面积可达200μm以 上。LCD/TP/TFT用掩膜 版的生产自主 研发未单独申 请专利
26核心工艺技术半导体掩膜版贴 膜缺陷控制技术开发新型导体掩膜版贴膜工艺及流 程,降低Particle对贴膜成功造成 的影响,提高产品贴膜良率及品 质。半导体用掩膜版自主 研发已获得专 利保护
27核心工艺技术混版图形Mura控 制技术通过研究混版间距、曝光及制程参 数对混版图形位置精度的影响,结 合图形重新设计排布,开发混版图 形Mura控制技术,实现不同混版图 形的Mura要求。G11及以下平板显 示掩膜版/半导体 掩膜版自主 研发未单独申 请专利
28产品制造技术下置型半色调 (Half-tone)掩 膜版制造技术开发新型下置型半色调(Half- tone)掩膜版制造技术,可实现二 元图形和半色调图形的一次制作, CD精度可控制在±0.10μm以内; 两层图形之间套合偏差可控制在± 0.3μm以内。G11及以下平板显 示掩膜版/半导体 掩膜版自主 研发正在申请 专利
(未完)
各版头条