[年报]长光华芯(688048):2022年年度报告

时间:2023年04月26日 00:19:10 中财网

原标题:长光华芯:2022年年度报告

公司代码:688048 公司简称:长光华芯







苏州长光华芯光电技术股份有限公司
2022年年度报告









重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险,具体内容详见本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”相关内容。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 天衡会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人闵大勇、主管会计工作负责人郭新刚及会计机构负责人(会计主管人员)郭新刚声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2022年利润分配预案如下:
1.公司拟向全体股东每10股派发现金红利 3.5元(含税)。截至2022年12月31日,公司总股本135,599,956股,以此计算合计拟派发现金红利47,459,984.60元(含税),本年度公司现金分红占合并报表中归属于上市公司普通股股东的净利润的39.79%。

2.公司拟向全体股东每10股送红股3股。截至2022年12月31日,公司总股本135,599,956股,以此计算合计拟送红股40,679,987股(计算后实际为40,679,986.80股,不足1股部分按照取整计算,最终送股40,679,987股)。本次送股后,公司总股本为176,279,943股。如在实施权益分派股权登记日前,公司总股本发生变动的,公司拟维持分配总额不变,相应调整每股分配比例,并将另行公告具体调整情况。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来发展战略、业务规划、经营计划、财务状况等前瞻性陈述。这些陈述乃基于当前能够掌握的信息与数据对未来所做出的估计或预测,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 37
第五节 环境、社会责任和其他公司治理(ESG) ................................................................... 57
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 62
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 94
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 101
第九节 公司债券相关情况 ......................................................................................................... 102
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 102




备查文件目录载有单位负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表文本
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告的原稿
 载有公司法定代表人签名的2022年年度报告及摘要原件



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、长光华芯苏州长光华芯光电技术股份有限公司
苏州长光华芯半导体激光创 新研究院、激光研究院苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公 司,公司全资子公司
华丰投资苏州华丰投资中心(有限合伙),公司第一 大股东
苏州英镭苏州英镭企业管理合伙企业(有限合伙), 公司股东,核心管理团队持股平台
长光集团长春长光精密仪器集团有限公司,公司股东
国投创投(上海)国投(上海)科技成果转化创业投资基金企 业(有限合伙),公司股东
伊犁苏新伊犁苏新投资基金合伙企业(有限合伙), 公司股东
璞玉投资宁波璞玉股权投资合伙企业(有限合伙), 公司股东
中科院创投中科院科技成果转化创业投资基金(武汉) 合伙企业(有限合伙),公司股东
华科创投武汉东湖华科创业投资中心(有限合伙), 公司股东
达润长光宁波梅山保税港区达润长光股权投资合伙企 业(有限合伙),公司股东
国投创投(宁波)国投(宁波)科技成果转化创业投资基金合 伙企业(有限合伙),公司股东
苏州芯诚苏州芯诚企业管理合伙企业(有限合伙), 公司股东
苏州芯同苏州芯同企业管理合伙企业(有限合伙), 公司股东
橙芯创投苏州橙芯创业投资合伙企业(有限合伙), 公司股东
南京道丰南京道丰投资管理中心(普通合伙),公司 股东
哈勃投资哈勃科技创业投资有限公司,公司股东
《公司章程》现行有效的《苏州长光华芯光电技术股份有 限公司章程》
泵浦将能量供给粒子,使粒子由低能态跃迁至高 能态的过程
半导体激光器用半导体材料作为工作物质的激光器。具有 体积小、寿命长等优点,被广泛应用于激光 加工、激光通信、光存储、光陀螺、测距以 及雷达等方面,又称激光二极管
超快激光器用于发射超短脉冲的锁模激光器,例如,持 续时间为飞秒或皮秒的脉冲
固体激光器以固体材料为激光介质的激光器,通常以特 种灯或半导体激光器作为能量泵浦源(以半
  导体激光器发出的光,泵浦晶体增益介质产 生光)
光纤激光器以掺有激活粒子的光纤为激光介质的激光 器,通常以半导体激光器作为能量泵浦源 (以半导体激光器发出的光,泵浦光纤增益 介质产生光)
光纤耦合把光纤的端面和激光芯片的出光面精密对接 起来,以使芯片发射光纤输出的光能量能最 大限度地耦合到接收光纤中去,并使其介入 光链路从而对系统造成的影响减到最小
合束一种通过叠加多个设备的输出从而实现激光 源功率调整的方法,本质上就是将多个激光 源的输出合成为一个单一的输出光束,即便 每个单一的激光器的功率不可调,但这种可 扩展的合束技术使得合成后的光源的功率变 成可调
VCSELVertical CavitySurface Emitting Laser指垂直腔面发射激光芯片。此类芯片 可以将激光垂直发射而出,一方面简化生产 工艺流程,另一方面扩展了下游领域的应用
IDM垂直整合制造(Integrated Device Manufacture),指从设计,制造,封装测试 到销售自有品牌芯片都一手包办的半导体垂 直整合型公司
MOCVDMetal-organic Chemical Vapor Deposition (金属有机化合物化学气相沉 淀)的缩写,是在气相外延生长(VPE)的基 础上发展起来的一种新型气相外延生长技术
报告期2022年
报告期末2022年末



第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称苏州长光华芯光电技术股份有限公司
公司的中文简称长光华芯
公司的外文名称Suzhou Everbright Photonics Co.,Ltd
公司的外文名称缩写Everbright
公司的法定代表人闵大勇
公司注册地址苏州市高新区漓江路56号
公司注册地址的历史变更情况由苏州高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号 厂房-1-102、2号厂房-2-203变更为苏州市高新区 漓江路56号
公司办公地址苏州市高新区漓江路56号
公司办公地址的邮政编码215163
公司网址www.everbrightphotonics.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名叶葆靖杜佳
联系地址苏州市高新区漓江路56号苏州市高新区漓江路56号
电话0512-66896988-80080512-66896988-8008
传真0512-668963880512-66896388
电子信箱[email protected] mdongban@everbrightphotoni cs.com

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《中国证券报》、《证券时报》、《上海证券 报》、《证券日报》
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券部

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板长光华芯688048不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所 (境内)名称天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址南京市建邺区江东中路106号1907室
 签字会计师姓名吴景亚、陆羊林
公司聘请的会计师事务所 (境外)名称不适用
 办公地址不适用
 签字会计师姓名不适用
报告期内履行持续督导职 责的保荐机构名称华泰联合证券有限责任公司
 办公地址深圳市前海深港合作区南山街道桂湾五 路128号前海深港基金小镇B7栋401
 签字的保荐代表 人姓名时锐、朱辉
 持续督导的期间2022年4月1日至2025年12月31日
报告期内履行持续督导职 责的财务顾问名称不适用
 办公地址不适用
 签字的财务顾问 主办人姓名不适用
 持续督导的期间不适用

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2022年2021年本期比上年 同期增减 (%)2020年
营业收入385,601,459.40429,088,533.48-10.13247,178,554.02
扣除与主营业 务无关的业务 收入和不具备 商业实质的收 入后的营业收 入381,187,993.06425,988,741.39-10.52247,134,488.84
归属于上市公 司股东的净利 润119,263,888.23115,316,436.033.4226,179,062.01
归属于上市公 司股东的扣除 非经常性损益 的净利润23,632,385.3972,374,983.85-67.35-14,595,242.32
经营活动产生 的现金流量净 额-55,263,412.8721,164,869.58不适用-19,113,109.69
 2022年末2021年末本期末比上 年同期末增 减(%)2020年末
归属于上市公 司股东的净资 产3,236,451,269.14637,342,088.22407.80506,481,327.13
总资产3,496,011,408.75983,354,568.90255.52737,153,839.72


(二) 主要财务指标

主要财务指标2022年2021年本期比上年 同期增减(%)2020年
基本每股收益(元/股)0.93821.1339-17.260.2912
稀释每股收益(元/股)0.93821.1339-17.260.2912
扣除非经常性损益后的基本 每股收益(元/股)0.18590.7117-73.88-0.1624
加权平均净资产收益率(%)4.6520.03减少15.38个 百分点7.58
扣除非经常性损益后的加权 平均净资产收益率(%)0.9212.57减少11.65个 百分点-4.22
研发投入占营业收入的比例( %)30.6520.03增加10.62个 百分点24.41


报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期内,公司实现营业收入38,560.15万元,同比下降10.13%;实现归属于上市公司股东净利润11,926.39万元,同比上升3.42%;实现归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润2,363.24万元,同比下降67.35%。主要原因为:(1)全球经济增速放缓等宏观因素影响,激光器下游行业资本开支放缓,激光器市场需求较为疲软,导致公司营业收入同比有所下降;(2)公司投入使用新厂房,扩大生产,为后续扩大市场份额、服务客户蓄力,2022年度由于下游需求疲软,导致产能利用率不足,相应的摊销费用增加;(3)公司持续加大研发投入,加强人才队伍及新产品研投入,相应的研发费用支出增长。

2、报告期末,公司总资产较期初增长 255.52%;归属于上市公司的净资产较期初增长407.80%,主要系公司报告期内首次公开发行股票募集资金到位。

3、报告期内基本每股收益和稀释每股收益同比下降17.26%,扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下降73.88%,主要是因为报告期内净利润有所下滑,同时公司首发上市,相应的股本及资产增加所致。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2022年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入111,971,320.07138,406,930.1067,080,447.6368,142,761.60
归属于上市公司 股东的净利润27,628,041.4831,553,768.3535,696,288.3224,385,790.08
归属于上市公司 股东的扣除非经 常性损益后的净 利润19,518,200.6322,179,839.08-1,177,180.20-16,888,474.13
经营活动产生的 现金流量净额-62,678,800.79-47,155,563.6944,348,524.7210,222,426.89

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
√适用 □不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益由于会计差错与已披露定期报告数据存在差异,详见公司于上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)披露的《2022 年度业绩快报更正公告》(公告编号:2023-005)。


九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2022年金额附注 (如 适 用)2021年金额2020年金额
非流动资产处置损益-87,216.53 7,473.87119,129.24
越权审批,或无正式批准文 件,或偶发性的税收返还、 减免3,125,877.23   
计入当期损益的政府补助, 但与公司正常经营业务密切 相关,符合国家政策规定、 按照一定标准定额或定量持 续享受的政府补助除外72,625,443.06 49,477 ,032.3743,874,027.58
计入当期损益的对非金融企 业收取的资金占用费   1,827.08
企业取得子公司、联营企业 及合营企业的投资成本小于 取得投资时应享有被投资单 位可辨认净资产公允价值产 生的收益    
非货币性资产交换损益    
委托他人投资或管理资产的 损益    
因不可抗力因素,如遭受自 然灾害而计提的各项资产减 值准备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安置职工 的支出、整合费用等    
交易价格显失公允的交易产 生的超过公允价值部分的损 益    
同一控制下企业合并产生的 子公司期初至合并日的当期 净损益    
与公司正常经营业务无关的 或有事项产生的损益    
除同公司正常经营业务相关 的有效套期保值业务外,持 有交易性金融资产、衍生金 融资产、交易性金融负债、 衍生金融负债产生的公允价 值变动损益,以及处置交易 性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生 金融负债和其他债权投资取 得的投资收益36,394,844.16 827,117.003,018,404.14
单独进行减值测试的应收款 项、合同资产减值准备转回    
对外委托贷款取得的损益    
采用公允价值模式进行后续 计量的投资性房地产公允价 值变动产生的损益    
根据税收、会计等法律、法 规的要求对当期损益进行一 次性调整对当期损益的影响    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业 外收入和支出-217,033.77 138,439.5322,491.24
其他符合非经常性损益定义 的损益项目497,166.73 392,569.071,696,307.39
减:所得税影响额16,707,578.03 7,901, 179.667,957,882.34
少数股东权益影响额 (税后)    
合计95,631,502.84 42,941 ,452.1840,774,304.33

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用
十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润 的影响金额
交易性金融 资产01,454,000,000.001,454,000,000.000
应收款项融 资3,342,684.8416,202,364.1212,859,679.280
合计3,342,684.841,470,202,364.121,466,859,679.280

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2022年度公司实现营业收入38,560.15万元,同比下降10.13%;实现归属于母公司所有者净利润11,926.39万元,同比增长3.42%。报告期内,受全球经济增速放缓等因素影响,激光器市场需求整体低迷,公司努力落实各项应对措施,积极开拓市场,加大研发投入,同时随着新的场地的投入使用,生产研发条件得到大幅度提升,为提高企业竞争力、更好地服务客户奠定了良好的基础,公司具体经营情况如下:
1. 研发工作稳步推进,工艺平台持续增强
报告期内,公司搬入新厂区,设备能力大幅提高。报告期内,公司研发投入11,817.32万元,研发投入总额占营业收入比例30.65%,研发投入总额较上年增长37.52%,新增获得发明专利50项。公司始终重视研发创新能力建设,持续加大对高功率芯片和模块方向、VCSEL产品方向、光通信产品方向的投入,保持产品的创新性及领先性。

在产品方向,公司的高功率半导体激光芯片从2021年的30W,提升到2022年的35W,公司将陆续推出更高瓦数、更高性能的不同波长、不同应用领域的高功率半导体激光芯片;公司开发的超高填充因子长腔长阵列芯片结构,阵列芯片在低温高功率下的电光效率超过70% ,达国际领先水平。

在工艺平台方面,公司建设完成了用于高功率半导体激光芯片的 6 吋砷化镓晶圆生产线,其中包括MOCVD外延生长和晶圆制造,产能提高了5倍以上,使公司在行业赛道中处于领先地位。

2. 平台资源整合,布局创新资源生态链
为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创新集群发展的号召,公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心的创建。围绕光子产业,为孵化企业提供生产平台和工艺研发、人才平台等全方位支持。

全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”,为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础。

3. 国产替代与海外拓展并驾齐驱
随着外部环境的持续变化,半导体激光芯片国产化的需求越来越强,公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司,将继续加大国产替代进程。现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市场。

4. 获多项荣誉,得多方认可
2022 年,公司荣获江苏省科学技术奖一等奖、获批国家级专精特新“小巨人”、获批 2022年江苏省瞪羚企业、获批首批苏州市创新联合体、获批2022年“江苏省智能制造示范车间”多项领军人才等荣誉。

5. 完善内部控制,提升公司治理水平
报告期内,公司不断完善内控流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步优化各项制度流程,提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。


二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
1. 公司主营业务情况
公司聚焦半导体激光领域,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,成为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内,公司主营业务未发生重大变动。

公司牢记“中国激光芯,光耀美好生活”的企业使命,保持对半导体激光芯片的持续研发投入,不断强化技术创新,努力打造自主研发的核心能力。经过多年的研发和产业化积累,针对半导体激光行业核心的芯片环节,公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术,是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时,依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展, 建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸, 开发器件、模块及终端直接半导体激光器,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合 实力逐步提升。 2. 公司主要产品情况 公司核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力, 纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体 激光芯片扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系 列产品及光通信芯片系列产品。
报告期内,公司主要产品系列如下:

高功率 单管系 列产品    
 高功率单管芯片高功率单管器件光纤耦合模块直接半导体激光器
高功率 巴条系 列产品    
 高功率巴条芯片高功率巴条器件阵列模块 
激光雷 达与 3D传 感系列 产品    
 激光雷达VLR系列激光雷达EEL系列TOF系列SL系列
光通信 芯片系 列产品    
 APD系列EML系列DFB系列PD系列


(二) 主要经营模式
1. 盈利模式
公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售,通过向下游客户销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品的销售。

2. 销售模式
公司主要通过对接下游厂家及终端用户,国内市场以直销方式进行销售,海外市场以代理商经销商销售为主。

对于成熟且有明确行业标准或规格的产品,公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。

对于新产品,公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先,公司根据客户需求进行产品设计、材料选型、样品制造等,对于芯片、器件类产品,由于涉及的性能参数较多,公司先行实施内部可靠性测试。然后将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后,客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后,客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货,多批次同时合格后,会转入批量供货阶段。

在产品定价策略上,公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本等因素,经过与客户谈判协商后,确定产品价格。

3. 采购模式
公司制定了供应商管理制度,对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。根据公司对生产材料的需求,采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商,收集供应商资料,组织对供应商的能力进行调查,要求供应商提供样品,送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果,综合进行判定并确定合格供应商,加入合格供应商目录。

公司根据生产计划,综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素,经审批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性,公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材,考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性,适当保证一定的库存量。

对于交期短且单价低的材料,以月或周为单位,向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料,以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。

同时,公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司的要求及标准。公司对供应商进行定期考核,综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素,进行动态管理。

4. 研发模式
公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础,确定研发方向,新产品从概念设计开始先后经历6个阶段,满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。


概念设计阶段
 
技术开发阶段
 
α样品阶段
 
β样品阶段
 
小批量阶段
 
量产阶段

(1) 概念设计阶段(项目立项)
由市场销售部牵头,根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容,提出新项目导入申请,填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人,会签《产品阶段评审表》后交由品质部存档、受控、发行后,新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。

(2) 技术开发阶段
根据概念设计阶段的资料,项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作,包含:确定技术开发性质,明确客户需求,明确参与人员、预算、工作计划,进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析,评估风险及对应的控制措施等。

(3) α样品阶段
研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析,制定工作计划、质量保证计划,确定外观指标,进行供应商开发评审,并开始试制。样品试制完成后,项目负责人整理产品验证的相关技术资料,并根据样品情况更新原理草图、设计方案,完善技术指标。

(4) β样品阶段
β样品生产前,研发项目团队根据市场销售部识别的信息,适时依:①原理草图、设计方案、外观指标;②质量保证计划、研发预算、成本分析;③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析等,制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件,制定正式生产工作计划并实施。β样品生产完成后,研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。

(5) 小批量阶段
初步作业标准化试生产前,研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化,进一步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、环保分析等,依据β样品试产的技术资料和过程试验报告,制定试生产工作计划并实施。试生产完成后,进行客户认证。

(6) 量产阶段
通过客户认证后,制造中心对产能进行评估,对设备投入实施管理,对人员、潜在失效模式及后果、安全和环境评估等进行分析,确认已具备量产能力,制定生产计划并组织实施。

5. 生产模式
公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式,覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程,设计、制造等环节协同优化,有利于公司充分发掘技术潜力,有助于公司率先开发并推行新技术。

由于公司生产工序较多,生产周期较长,公司实行“订单式”生产为主,结合“库存式”生产为辅的生产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准,采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排,及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货,以备生产高峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。

此外,半导体激光行业迅猛发展,产品需求增幅较大,公司为保障生产的稳定性,会策略性地调整主材及通用半成品的库存储备。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。

半导体产业是现代信息产业的基础,广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。

半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域,而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品,由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。

半导体激光器引领光子时代,具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点,为下游激光器提供不同光子能量,除可以直接使用外,亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源,属于其核心器件及关键部件。因此,根据不同的光子类型,其下游激光器类型众多,应用领域较为广泛,具体情况如下:
光子类型激光器类型应用领域
能量光子光纤激光器泵浦打标、雕刻、切割、焊接、金属3D打印等材料加 工领域,应用于航空航天、汽车制造、船舶制造、 钢铁冶金、3C电子、国家战略高技术等
 固体及超快激光器泵浦精密切割、打孔、剥离、去除、划片、调阻调频、 微纳结构加工,应用于半导体微电子、显示面板与 照明、航空航天、汽车、太阳能、3C电子、3D增 材制造等
 直接半导体激光器焊接、熔覆、淬火、表面热处理,应用于汽车制 造、发电设备、3C电子、航空航天、高铁、钢铁 冶金等
 生物医学用激光器医美、理疗、手术、光动力
 定向能用激光器科研与国家战略高技术
信息光子光通信激光器接入网、主干网、数据中心;5G、物联网;
 硅光芯片数据传输与运算
 激光雷达与探测器3D人脸识别与辅助摄像、探测跟踪、安防监控、 无人驾驶、机器视觉、测距和尺吋测量
 传感器液体、气体等物质传感器、接近传感器等
 中远红外、太赫兹激光 器检测与影像、光电对抗
显示光子红、绿、蓝三色激光器激光电视、激光投影、汽车车灯、激光照明等
从目前发展情况来看,我国激光行业发展呈现以下几个发展趋势:(1)半导体激光芯片等核心部件逐步实现国产化;(2)激光应用领域渗透速度加快、范围变广;(3)向更高功率、更好光束质量、更短波长及更快频率方向发展;(4)用于高功率激光器的光电子元器件需求进一步增长。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
作为产业升级的核心技术,激光行业将继续作为国家重点支持领域,并不断扩大应用范围,作为国内领头的高功率激光半导体公司,公司将进一步加强技术研发能力,借助国内广阔的市场应用空间丰富产品应用场景,提升产品性能,提升其在激光行业的整体竞争力。

公司已建成从芯片设计、MOCVD(外延)、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线,是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。随着全球唯二的6吋高功率半导体激光芯片生产线建成,公司在行业赛道中将处于优势的竞争地位。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品,在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破,获多项专利,与全球先进水平同步。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 在高功率半导体激光芯片方向,公司将陆续推出更高瓦数、更高性能的不同波长、不同应用领域的高功率半导体激光芯片。在激光雷达与3D传感方向,公司的技术也达到领先水平,目前公司激光雷达芯片正在头部客户验证和导入。同时,公司持续研发光通信芯片、光显示芯片,促进市场牵引和成果转化。

随着外部环境的持续变化,半导体激光芯片国产化的需求越来越强,公司作为多年深耕高功率半导体激光的头部公司,将继续加大国产替代进程。现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市场。



(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司针对行业和市场发展动态,逐步探索并明确研发方向及产品演进路线,建立健全研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和研发过程管理,不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累,在核心技术方面屡获突破,打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时,针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势,公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累,构建了GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮化镓)三大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品;横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多系列的产品矩阵,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。核心技术先进性及具体表征如下:
序 号技术 类别核心技术名称技 术 来 源技术介绍及先进性的具体表征产品应用 情况
1器件 设计 及外 延生 长技 术高功率高效率 高亮度芯片结 构设计自 主 研 发半导体激光器结构设计包括垂直快轴结构设 计、水平慢轴结构设计及纵向结构设计,通过 模拟计算器件的光斑及载流子分布对器件结构 进行优化,综合考虑器件光斑、载流子、量子 阱、能带结构对器件阈值、斜率、电压、量子 效率等参数的影响,进行最优化设计,提高芯 片的效率、功率、光束质量、电性能和可靠 性,电光转换效率可达60%至65%,高功率单 管芯片可实现35W激光输出,芯片可靠性超过 20000小时。高功率激 光单管/巴 条芯片、 VCSEL芯 片、光通 信芯片
2     
  分布式载流子 注入技术自 主 研 发公司采用分布式载流子注入技术解决半导体激 光器空间烧孔效应,提高载流子调制效率,寻 找高效抑制激光器高阶侧模的载流子调试注入 方案,提高半导体激光芯片的亮度,最高可达 2 80MW/cmsr。高功率激 光单管/巴 条芯片
3     
  MOCVD外延生 长技术自 主激光器晶体材料采用高质量MOCVD外延技术实 现。公司的MOCVD外延生长技术包括外延工高功率激 光单管/巴
   研 发艺、MOCVD外延设备改进工艺,如针对温度 场、气场分布与III/V比等进行调整,并建立 高铟组分应变量子阱外延生长动力学模型,得 到高质量的外延晶体材料。条芯片、 VCSEL芯 片、光通 信芯片
4     
  多有源区级联 的垂直腔面发 射(VCSEL)半 导体激光器的 设计自 主 研 发多节VCSEL的设计让VCSEL的多个有源发光区 通过隧道结串联起来共用上下点极和DBR层, 实现低电流下成倍的功率增长,器件的效率也 大大提高。VCSEL芯 片
5FAB 晶圆 工艺 技术低损伤刻蚀工 艺技术自 主 研 发工艺流片(Wafer Fab)是通过光刻、刻蚀、 清洗、氧化、钝化工艺,将外延晶圆的有源区 制备出脊波导,通过磁控溅射、电子束蒸发、 电镀、研磨减薄、退火、制备激光器正负电极 并进行欧姆接触合金化。公司建立步进式自动 化光刻、程序化全自动湿法刻蚀、自动清洗等 标准自动化工序,可进行3吋、6吋外延晶圆 流片。公司在Wafer Fab工艺和设备方面有一 定的技术积累,可提高芯片的性能和可生产 性。高功率激 光单管/巴 条芯片、 VCSEL芯 片、光通 信芯片
6     
  薄膜氧化热处 理工艺技术自 主 研 发公司在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化 硅、三氧化二铝等介质材料,通过调节材料的 厚度和应力水平,降低外延片的翘曲程度,提 升薄膜密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻 精度,从而实现薄膜密排垂直腔面发射激光器 的制备。VCSEL芯 片
7腔面 钝化 处理 技术高功率芯片腔 面技术/高 COMD阈值的腔 面保护技术自 主 研 发腔面抗光学灾变损伤(COMD)是限制半导体激 光器输出功率和使用寿命的关键因素,从 COMD失效的原理出发,提高COMD阈值的技术 主要包括:(1)减少腔面的光吸收;(2)降 低非辐射复合速率;(3)降低光子密度。通 过采用腔面钝化及无吸收窗口结构解决腔面损 伤问题,提高芯片的功率和寿命,可实现35W 激光输出,芯片寿命达20000小时。高功率激 光单管/巴 条芯片、 光通信芯 片
8封装 技术大功率半导体 激光器芯片封 装技术自 主 研 发半导体激光器的封装对芯片的性能有极大的影 响,封装需要提供电极及电路、通过焊接来提 供好的散热、不能有空焊、控制应力。公司采 用大功率半导体激光器芯片封装技术进行半导 体激光器的封装,从而提高器件的偏振性和可 靠性。高功率器 件及模块
9高亮 度合 束及 光纤 耦合 技术高亮度光谱合 束技术自 主 研 发半导体激光器增益高、增益范围宽,只需少量 反馈即可压制本身发出波长,实现波长锁定。 公司利用高亮度光谱合束技术采用光栅+外腔 结构进行波长选择性反馈,实现波长锁定。但 是过多的反馈将导致输出功率降低,即整体电 光效率降低。而过低的反馈又将导致反馈光无 法压制半导体激光器自身发出波长。因此,公 司通过选择光栅参数将波长选择性反馈调整至 合理的范围,提高光纤耦合模块的输出性能。光纤耦合 模块
10     
  高质量光纤耦 合技术自 主半导体激光器光纤耦合模块出射激光需要通过 光束整形、合束、VBG等操作,最后耦合进光光纤耦合 模块
   研 发纤。公司的高质量光纤耦合技术可实现高质量 的光束整形、波长锁定,最终成功将出射激光 进行光纤耦合。 
11激光 系统 及应 用技 术激光镀膜技术自 主 研 发激光系统及应用技术主要指激光镀膜技术,公 司采用该技术可以将清洗后的基底立刻进行覆 膜的压合,相比传统的清洗和压合工序,清洗 后的基底不会再次被污染,对压合工序不会造 成不良影响。直接半导 体激光器

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2022/


2. 报告期内获得的研发成果
请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”—“经营情况讨论与分析”—“1.研发工作稳步推进,工艺平台持续优化”。

报告期内获得的知识产权列表


 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利245016885
实用新型专利134642
外观设计专利1 86
软件著作权0000
其他0000
合计2653222133

3. 研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入118,173,184.9985,929,156.7837.52
资本化研发投入---
研发投入合计118,173,184.9985,929,156.7837.52
研发投入总额占营业收入 比例(%)30.6520.0310.62
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期间内研发费用较上年同期增长37.52%,主要系公司历来注重研发,2022年在研发人员团队建设及产品研发活动上加大投入,始终保持产品的领先性及前瞻性。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序 号项目名 称预计总 投资规 模本期投 入金额累计投 入金额进展 或阶 段性 成果拟达到目标技 术 水 平具体应 用前景
1垂直腔 面发射 (VCSEL) 半导体 激光芯 片的研 发35,000, 000.009,888,9 60.189,888,9 60.18开发 阶段开展器件结构设计、 外延层生长、晶圆制 造工艺等激光器关键 技术的研究,实现增 益光场与载流子耦合 分布结构设计、DBR参 数的准确控制、高性 能隧道结和量子阱、 应力平衡、低应力湿 法氧化及低损伤干法 刻蚀等技术的突破。国 内 先 进人脸识 别、辅 助摄 像、激 光雷 达、 AR/VR
23-5μm 中红外 量子级 联激光 器的研 发26,000, 000.006,696,4 31.1215,405, 947.02开发 阶段FP量子级联激光器中 心波长3-5μm;DFB 单纵模边发射量子级 联激光器中心波长3- 5μm。国 内 先 进量痕气 体测 量、工 业废气 检测、 呼吸疾 病检测
3高功率 半导体 激光芯 片的研 发70,000, 000.0023,466, 623.8223,808, 639.70开发 阶段制备拥有完全自主知 识产权的高功率半导 体激光器芯片。国 际 先 进工业泵 浦、科 学研 究、生 物医 学、激 光装备 等领域
4高功率 半导体 激光泵 浦源的 研发2,500,0 00.009,299,3 16.289,299,3 16.28开发 阶段掌握高功率半导体激 光器泵浦源的核心制 备工艺,实现核心器 件自主可控国产化, 为激光系统提供高品 质国产半导体泵浦 源。国 内 先 进激光器 泵浦 源、科 学研 究、激 光装备 等领域
5蓝绿光 激光器 的研发4,000,0 00.001,914,6 23.561,914,6 23.56开发 阶段通过步进电机直线模 组模拟凸轮曲线运 动,使输出透镜的位 置按照预设位置运 动,实现光束发散角 动态调节。国 内 先 进激光器 泵浦 源、科 学研 究、激 光装备 等领域
6高功率 巴条直 接技术17,000, 000.00568,134 .67568,134 .67开发 阶段针对半导体巴条激光 器,通过对激光器物 理机制及关键技术研国 际工业泵 浦、科 学研
      究,实现巴条高功率 输出。先 进究、激 光装备 等领域
合 计/154,500 ,000.0051,834, 089.6360,885, 621.41////
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上期数
公司研发人员的数量(人)127107
研发人员数量占公司总人数的比例(%)29.2%29.0%
研发人员薪酬合计3,727.382,528.76
研发人员平均薪酬29.3523.63
(未完)
各版头条