[年报]宏微科技(688711):江苏宏微科技股份有限公司2022年年度报告

时间:2023年04月26日 01:44:21 中财网

原标题:宏微科技:江苏宏微科技股份有限公司2022年年度报告

公司代码:688711 公司简称:宏微科技 江苏宏微科技股份有限公司 2022年年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 天衡会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人赵善麒、主管会计工作负责人薛红霞及会计机构负责人(会计主管人员)薛红霞声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经公司第四届董事会第二十三次会议、第四届监事会第十六次会议审议通过,公司2022年度拟以实施权益分派股权登记日的总股本为基数分配利润,本次利润分配方案如下: 1、公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.64元(含税)。截至2022年12月31日,公司总股本137,890,668股,以此计算合计拟派发现金红利8,825,002.75元(含税)。本年度公司现金分红比例为11.21%。

2、公司拟向全体股东每10股送红股1股(含税)。截至2022年12月31日,公司总股本137,890,668股,本次送转股后,公司的总股本为151,679,735股(本次送股后总股本系公司根据实际计算四舍五入所得,最终以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司登记结果为准)。

在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的,拟维持分配总额不变,相应调整每股分配比例,并将另行公告具体调整情况。

本次利润分配方式尚需股东大会审议通过。



八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请 投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 35
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 52
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 59
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 89
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 98
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 99
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 99



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的 财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及 公告的原稿



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
发行人、公司、本公司、 宏微科技江苏宏微科技股份有限公司,系由原江苏宏微科技有限公 司于2012年8月18日整体变更设立。
宏电节能江苏宏电节能服务有限公司,公司全资子公司。
启帆星广州市启帆星电子产品有限公司
深圳分公司江苏宏微科技股份有限公司深圳分公司
北京分公司江苏宏微科技股份有限公司北京分公司
英飞凌英飞凌科技公司(Infineon Technology AG)
富士电机富士电机株式会社(Fuji Electric)
安森美安森美半导体公司(ON Semiconductor)
苏州汇川汇川技术全资子公司
台达集团台达电子工业股份有限公司,台湾上市企业,全球领先的 电源及零组件产品供应商。
常春新优赣州常春新优投资合伙企业(有限合伙)
芯片从晶圆上切割下来的内含基本功能元胞的晶粒
功率半导体器件用于电器设备中实现电能变换和控制的半导体器件(通常 指电流为数安至数千安,电压为数百伏至数千伏的半导体 器件)。
第三代半导体第三代半导体材料,主要包括SiC(碳化硅)、GaN(氮化 镓)等。
光伏逆变器可将光伏(PV)太阳能板产生的可变直流电压转换为市电 频率交流电(AC)的逆变器
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,绝缘栅双 极型晶体管,是一种电压控制开关型功率半导体器件,也 是电能转换的核心器件。
FREDFast-Recovery Epitaxial Diode的缩写,快恢复外延二极 管,是二极管的一种,也是一种功率半导体器件,既可以 独立使用,也可以与IGBT配做续流二极管使用。
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物场效应晶体管,是一种高频的电压控制开关型 功率半导体器件。
SiC碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具 有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电 场高等特性,是生产第三代功率半导体器件的主要材料。
芯片代工芯片设计企业将设计方案完成后,由芯片代工企业通过采 购硅片材料、光刻、刻烛、离子注入、扩散等环节制造出 芯片。
封装将晶圆分割成单个的芯片后,将芯片安放、焊接引线和连 接到一个封装体上。
测试封装后对半导体器件功能、电参数等进行测量,以检测产 品的质量。
保荐机构(主承销商)、 保荐人、中信证券中信证券股份有限公司
发行人律师、环球律师北京市环球律师事务所
会计师、天衡会计师天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
证监会中国证券监督管理委员会
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《江苏宏微科技股份有限公司章程》
报告期2022年度
报告期期末2022年12月31日
元、万元人民币元、万元


第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称江苏宏微科技股份有限公司
公司的中文简称宏微科技
公司的外文名称Macmic Science&Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写MACMIC
公司的法定代表人赵善麒
公司注册地址常州市新北区华山路18号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址常州市新北区华山路18号
公司办公地址的邮政编码213002
公司网址www.macmicst.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名丁子文戴超原
联系地址江苏省常州市新北区华山中路18号江苏省常州市新北区华山中路18号
电话0519-851660880519-85166088
传真0519-851622970519-85162297
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址上海证券报(www.cnstock.com)、中国证券报 (www.cs.com.cn)、证券时报(www.stcn.com)、证券 日报(www.zqrb.cn)
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司董事会办公室

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板 块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股(A股)上海证券交易所 科创板宏微科技688711不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所(境 内)名称天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址江苏省南京市建邺区江东中路106号1907 室
 签字会计师姓名顾春华、吴杰
报告期内履行持续督导职责的 保荐机构名称民生证券股份有限公司
 办公地址中国(上海)自由贸易试验区世纪大道1168 号B座2101、2104A室
 签字的保荐代表 人姓名梅明君、范信龙
 持续督导的期间2021年9月1日至2022年12月5日
报告期内履行持续督导职责的 保荐机构名称中信证券股份有限公司
 办公地址广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代 广场(二期)北座
 签字的保荐代表 人姓名李阳、李想
 持续督导的期间2022年12月6日至2024年12月31日


六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2022年2021年本期比 上年同 期增减 (%)2020年
营业收入926,083,797.83550,636,072.2468.18331,629,293.88
归属于上市公司股东的净 利润78,708,087.3368,829,391.1514.3526,637,905.48
归属于上市公司股东的扣 除非经常性损益的净利润60,376,686.3542,975,123.5240.4922,953,100.37
经营活动产生的现金流量 净额-81,394,059.48-74,074,929.28不适用4,370,517.75
 2022年末2021年末本期末 比上年 同期末 增减(% )2020年末
归属于上市公司股东的净 资产965,686,490.88876,502,937.2010.17230,863,403.52
总资产1,688,986,350.171,280,714,866.3031.88424,798,946.05

(二) 主要财务指标

主要财务指标2022年2021年本期比上年同期增减(%)2020年
基本每股收益(元/股)0.570.60-4.710.38
稀释每股收益(元/股)0.570.60-4.890.38
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.440.3718.350.33
加权平均净资产收益率(%)8.5914.83减少6.24个百分点13.83
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)6.669.26减少2.6个百分点11.92
研发投入占营业收入的比例(%)6.946.88增加0.06个百分点6.94

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入 926,083,797.83元,同比增加 68.18%;实现归属于母公司所有者的净利润78,708,087.33元,同比增加14.35%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润60,376,686.35元,同比增加40.49%,主要系报告期内公司接受的订单饱满,整体产能提升,营业总收入和利润同比均有所增长。

报告期末,公司财务状况良好,总资产 1,688,986,350.17元,较报告期初增加 31.88%,主要系公司销售规模扩大及扩产增能所致。

经营活动产生的现金流量净额-81,394,059.48元,主要系公司下游需求旺盛,为了生产和经营的需要,公司购买原材料支付的现金增加以及公司日常经营活动开支增加所导致。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2022年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入139,993,013.88192,796,955.24281,971,926.57311,321,902.14
归属于上市公 司股东的净利 润12,218,710.2020,024,000.9329,008,076.2617,457,299.94
归属于上市公 司股东的扣除 非经常性损益 后的净利润10,576,136.5315,823,059.3722,183,670.2411,793,820.21
经营活动产生 的现金流量净 额-3,664,450.59-34,801,181.84-102,573,895.5759,645,468.52
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2022年金额附注(如 适用)2021年金额2020年金额
非流动资产处置损益53,774.75 528,333.11-53,479.74
越权审批,或无正式批准文件,或 偶发性的税收返还、减免    
计入当期损益的政府补助,但与公 司正常经营业务密切相关,符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外12,055,793.25 28,221,715.624,403,730.70
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费    
企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时 应享有被投资单位可辨认净资产 公允价值产生的收益    
非货币性资产交换损益    
委托他人投资或管理资产的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾害 而计提的各项资产减值准备    
债务重组损益    
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等    
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益    
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益    
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益    
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益,以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益9,415,967.64 1,211,709.69 
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回250,654.50 561,195.27 
对外委托贷款取得的损益    
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益    
根据税收、会计等法律、法规的要    
求对当期损益进行一次性调整对 当期损益的影响    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-197,263.39 38,059.4225,467.44
其他符合非经常性损益定义的损 益项目    
减:所得税影响额3,247,525.77 4,566,341.41692,918.80
少数股东权益影响额(税后)  140,404.07-2,005.51
合计18,331,400.98 25,854,267.633,684,805.11

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响 金额
交易性金融资产174,011,978.08189,172,780.8215,160,802.749,415,967.64
应收款项融资38,433,768.5225,644,760.03-12,789,008.49-
合计212,445,746.60214,817,540.852,371,794.259,415,967.64

十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
√适用 □不适用
公司因涉及商业秘密等原因,对前五大客户和供应商名称进行豁免披露。



第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2022年,受国产替代、碳中和等多种因素的影响,国内半导体行业进入了快速发展期。公司紧紧围绕2022年提出“全面优化管理流程,大力提高运营效率,降低成本提升效益,实现高质量高速发展”的工作方针,继续在三化一稳定管理建设、新技术新产品开发、与战略级大客户合作等方面加大投入,产品应用结构调整步伐进一步加快。

1.经营情况
在部分原材料供应紧张、价格上涨的情况下,公司通过技术创新、工艺改进和精细化管理,提高了生产效率和产品的良品率。通过加强上下游协同,深化产业链战略合作,核心竞争力持续提升。报告期内,公司实现营业收入92,608.38万元,归属于上市公司股东净利润7,870.81万元,同比分别增长68.18%和14.35%。

2.募投项目情况
2022年,公司抓住市场需求旺盛和国产化替代的机遇,积极推进募投项目建设。一方面,加快引进先进的生产工艺设备,扩大产能,另一方面,加快净化厂房建设,缓解了产能缺口。截至报告期末,“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目”共计已投入20,609.06万元。

3.研发工作情况
2022年,公司为加快产品开发速度、提高产品开发成功率、加强产品开发阶段质量管控,继续深化在产品研发阶段的项目管理,强调“通过团队协作,加速新品和新技术开发、产品迭代”的理念,通过“产品需求管理、产品概念策划、项目目标和计划评审、项目立项评审、项目阶段评审、项目验收考核”等一系列措施的环环相扣,使得2022年度研发项目按时完成率和目标达成率较往年有较大的提升。聚焦公司主营业务方向、服务于中长期业务发展需求,公司在重点应用领域(如电动汽车、光伏)、重点客户、新市场积极布局新产品开发,通过市场调研、应用分析、联合下游客户合作,持续筛选出经济效益较好、市场竞争力较强、技术含量高,创新性高,填补市场空白的产品开发需求。

基于项目管理的产品开发模式,公司通过明确项目目标、进度管理、预算管理,明确了项目开发各个阶段的工作内容及输出物,设立了项目里程碑,在各个关键阶段组织评审,评审阶段目标&工作完成情况、问题点关闭情况是否达到预期要求,能否满足进入下个阶段工作的条件。

报告期内,公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作,根据项目要求配置先进设备,按项目特点和需求合理配置研发团队,加强对外合作,充分利用公司研发资源,提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定成效。

报告期内,公司主要取得的研发成果如下:
(1)SiC二极管研发成功并实现小批量供货;
(2)第六代IGBT芯片,实现了多个电流电压规格的拓展,助力了多款模块产品的迭代; (3)第七代IGBT芯片,实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展; (4)第七代FRED芯片,成功开发了一款75A规格,产品小批量应用于光伏领域; (5)成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A 1000V FWD芯片,产品小批量应用于光伏领域;
(6)成功开发了一款三相六单元750V 400A IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域; (7)成功开发了一款HPD封装820A 750V三相半桥灌封IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;
(8)成功开发了一款双BOOST 1200V 50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域; (9)成功开发了一款T型三电平1200V 80A IGBT模块,通过工控领域客户单体测试认证。


二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是 IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下,积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义,而研发和生产自主可控的IGBT、FRED芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。

目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 300余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。


(二) 主要经营模式
1.研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系,制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件,研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段,各个研发项目均由产品质量先期策划(APQP)小组承接项目,每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。

2.采购模式
公司的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、及外壳等,其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工,以及向英飞凌等国外生产厂商直接采购两种方式;其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式,对于生产中常用的直接物料,由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求,由采购部根据供应商的交货周期进行下单;对于偶然所需的临时物料,由需求部门填写《请购单》提出请购需求,通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批,通过后由采购部负责统一采购。

3.生产模式
公司具备完善的生产运营体系,主要采取“以销定产”的生产模式,由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划,公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式:
(1)自产模式
公司模块采用自产模式,通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试,最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品,公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格,设计生产出通用的不同系列的产品,并向客户销售;定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作,设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前,公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试,公司按照研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等为基础向客户收取技术服务费;量产后,公司按照客户的设计方案、技术指标要求,组织生产并批量提供产品。

(2)委托加工模式
公司采取Fabless模式,对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计,将设计好的芯片委托给芯片代工企业制造,公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求,实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多,公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备单管先进封装工艺的公司进行代工。

4.营销模式
公司销售采取了直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下,公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动;在经销模式下,公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作,利用经销商的渠道和经验拓展客户资源,扩大市场占有率。


(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)发展阶段
功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分,更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。

功率半导体的下游应用领域十分广泛,且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域,近年来,功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电、智能电网、轨道交通、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用,随着“碳中和”战略的推进,功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。

(2)基本特点
半导体行业属于技术、资本和人才密集型行业,无论是技术研发还是产线建设都需要大量的资金投入。公司目前正面临电动汽车、新能源发电等下游新兴产业带来的市场机遇。公司在未来发展和争取市场机遇过程中需投入大量的资金来进行产品及工艺的研发、产能的提升和研发人才的引进。

(3)主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT产品开启工业化应用以来,一直为国外知名公司所垄断。国外知名公司的产品系列化很全,应用面很广,其中英飞凌已实现各种电压范围IGBT覆盖,三菱、富士电机、安森美也涵盖了多个电压区间。近年来,IGBT技术经历了丰富的演变,涌现出不同的IGBT技术方案,这些方案主要由英飞凌、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商IGBT的结构设计仍在不断突破和创新,先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术,推动了IGBT应用和市场发展。同时IGBT的制造工艺也在持续创新,深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒,制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。近几年来,国内IGBT无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装方面虽有突破但与国外相比仍有不少差距。


2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发与生产。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国电动汽车用 IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。“2-200A/200-1200V”超快速软恢复外延二极管(FRED)芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。公司“超快软恢复外延型二极管(FRED)系列产品”、“一种新型的NPTIGBT结构”于2015年荣获中国半导体行业协会等授予的“中国半导体创新产品和技术奖”。2015年,公司“高压大电流高性能 IGBT芯片及模块的产业化”项目获得江苏省人民政府“江苏省科学技术奖三等奖”,“一种新型的 NPTIGBT芯片和模块的开发及产业化”项目获得中国电源学会科学技术奖一等奖。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线,能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求,具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年,公司荣获“江苏省小巨人企业”的奖励。

公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系,同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。


3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 公司所处细分行业为功率半导体行业,基于硅衬底的功率半导体器件目前仍然是主流,并将在未来相当一段时间内占据主要市场。公司IGBT产品在微细槽栅结构设计和工艺上得到了突破,FRD产品在反向恢复速度和恢复软度的协调及可靠性方面得到了突破,所研发的IGBT和FRD产品成功批量应用于光伏逆变器和电动汽车电控系统中。

随着第三代功率半导体器件,如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场,功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大,芯片功率密度更高,损耗更低,集成度更高以及封装体积更紧凑,高可靠性更高的方向发展。

在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下,国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中,除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展,SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点,也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局,相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。

为了匹配这些应用场景的需求,功率器件的封装技术需要不断的改善和创新,以应对高结温、高开关频率、高可靠性的要求。因此,传统的钎焊加引线键合技术的工艺框架难以满足某些特殊使用要求。银烧结技术作为钎焊技术的替代方案,可以更好的发挥SiC器件的性能,提高其功率循环寿命,更适应于高温的工作环境。公司在此方面已掌握了相关技术,并在相关的模块封装产品中得以批量生产应用。


(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了健全的研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和研发过程管理,不断强化芯片设计、模块封装测试等工艺技术积累,在核心技术方面不断突破,打造了自身在功率半导体芯片设计领域和模块封装领域的核心能力,并形成了公司的主要核心技术,具体情况如下:
核心技术技术描述及特点使用该项核心技术 的主要产品
沟槽结构+场阻断 技术该技术覆盖诸多电压和电流规格,通过优化沟槽深度角 度以及整体形貌,结合牺牲氧和栅氧工艺,保证良好的 多晶填充的同时,实现可靠的沟槽结构,同时借助不同 沟槽栅结构的设计,满足不同特性要求;另外在场阻断 技术上,通过优化芯片厚度,场阻断层深度和浓度以及 激光退火的能量等工艺参数,在保证良好的开关速度和 软度的同时实现器件的低通态压降。芯片、单管及模块
虚拟原胞技术通过改变沟槽内多晶的电位连接方式或者调整发射极 的注入区域,实现虚拟原胞可有效调整沟道电流密度及 沟道电流分布,来改善了器件的输出特性、提高短路能 力以及抗闩锁能力。芯片、单管及模块
逆导IGBT技术该技术通过将传统的IGBT元胞与FRD元胞集成于同一 芯片,在反向时由FRD实现IGBT的续流,提供了一个 紧凑的电流泄放电路;该技术能够大幅降低热阻,降低 器件内部的最高结温波动,从而提高器件的电流密度及 工作寿命。芯片、单管及模块
微沟槽IGBT技术微沟槽IGBT相对普通型沟槽IGBT将芯片关键尺寸大幅 缩小,结构设计上创新性的引入虚拟沟槽和虚拟栅极, 增强注入效率降低压降的同时有效调节 IGBT的各类电 容比例,实现IGBT的良好可控性和更宽的安全工作区, 同时使得芯片的单位面积电流密度大幅提高。芯片、单管及模块
续流用软恢复二极 管芯片技 术该技术采用独特的正面和背面掺杂浓度分布来精准控 制注入效率,加上特殊的基区少子寿命控制技术,使二 极管芯片可以实现较低的正向压降,较软的反向恢复特 性,完美契合IGBT续流的应用。芯片、单管及模块
高效率整流二极管 芯片技术该技术采用多层外延设计、高电压终端设计及工艺控 制、高雪崩耐量设计和局部少子寿命控制技术,产品具 有超短的反向恢复时间、较低的正向压降和高雪崩耐 量。芯片、单管及模块
无压银烧结技术该技术是最适合宽禁半导体模块封装的界面连接技术 之一,也是SiC模块封装中的关键技术,因烧结连接层 成分为银,具有优异的导电和导热性能;由于银的熔点 高达961℃,将不会在熔点小于300℃的软钎焊连接层 中出现典型疲劳效应,具有很高的可靠性,所用烧结材 料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度,且烧结料不含 铅,属于环境友好型材料。SiC、MOSFET模块
低分布参数的模块 布线技术主要降低当IGBT关断时,回路产生的瞬间加载于IGBT 的集电极(C)和发射极(E)之间的尖峰电压,采用该 技术的模块产品可以实现在相同的基板面积和线路拓 扑下,寄生电感减少30%-50%,由于内部寄生电感降低 了一半,因此而产生的尖峰电压也随之降低一半,从而 降低器件过压失效的风险。模块
端子超声键合技术采用铜端子与铜基板的直接绑定,可以避开因材料膨胀 系数错配而造成的应力变化,在超声焊接过程会对焊接 面积进行震动,有效去氧化及脏污。同时,超声波焊接 要求焊接端子截面积大,有利于模块过流。各系列模块产品
高压MOS芯片技术基于 IGBT的薄片场阻断技术平台,通过调节衬底电阻 率和芯片厚度来实现不同的耐压,同时通过调整源极的 注入图案来有效调整沟道电流密度及电流分布,实现较 低Rdson并确保较高的抗闩锁能力芯片、单管
上述技术来源均为公司自主研发,并独立享有相关知识产权成果。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2022功率器件产品

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作,根据项目要求配置先进设备,按项目特点和需求合理配置研发团队,加强对外合作,充分利用公司研发资源,提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定成效。

报告期内,公司主要取得的研发成果如下:
(1)SiC二极管研发成功并实现小批量供货;
(2)第六代IGBT芯片,实现了多个电流电压规格的拓展,助力了多款模块产品的迭代; (3)第七代IGBT芯片,实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展; (4)第七代FRED芯片,成功开发了一款75A规格,产品小批量应用于光伏领域; (5)成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A 1000V FWD芯片,产品小批量应用于光伏领域;
(6)成功开发了一款三相六单元750V 400A IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域; (7)成功开发了一款HPD封装820A 750V三相半桥灌封IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;
(8)成功开发了一款双BOOST 1200V 50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域; (9)成功开发了一款T型三电平1200V 80A IGBT模块,通过工控领域客户单体测试认证。


报告期内获得的知识产权列表


 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利807837
实用新型专利62010297
外观设计专利0166
软件著作权0000
其他0000
合计1421186140

3. 研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入64,277,954.2537,901,236.0969.59
资本化研发投入---
研发投入合计64,277,954.2537,901,236.0969.59
研发投入总额占营业收入比 例(%)6.946.88增加0.06个百分点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
研发投入合计较上年同期增加69.59%,主要系公司在研项目有序推进,研发投入总额随各项目合理投入所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术水 平具体应用 前景
1定制化光伏逆变器用 IGBT模块的研发及产业 化1,500.00939.601,818.207款产品产品试制中、2 款产品工艺调试中,3款 产品产品已大批量供货完成650V-1700V多个电流规格 模块产品的开发,满足光伏客户 使用要求,并最终批量化生产国内先 进光伏
2工控智能功率模块2,000.001,244.442,278.152款产品产品试制中、1 款产品工艺调试中,5款 产品已大批量供货完成650V-1700V多个电流规格 模块产品的开发,满足工控客户 使用要求,并最终批量化生产国内先 进工业控制
3工业用FRED单管的研发 及产业化1,000.0020.46533.58项目已完成,5款产品已 大批量供货本项目针对600V和1200V FRED 基于高频整流应用需求,进行技 术攻关,研发高效率、低损耗的 芯片产品,并推进产业化国内先 进工业控制
4精细结构IGBT芯片的开 发及产业化2,000.001,267.402,278.361款产品试制中、1款产品 工艺已定型,2款产品已 大批量供货1、本项目针对电动汽车用 GV IGBT 模块中 IGBT芯片进行技 术攻关,研发高功率、低损耗、 高可靠性的芯片产品,并推进产 业化; 2、本项目针对高频电源用高效 率 IGBT 单管的IGBT 芯片需求 进行技术攻关,研发高功率、低 损耗的芯片产品,并推进产业化 3、本项目针对下一代高功率 IGBT 模块的 IGBT芯片需求进 行技术攻关,研发高功率、低损 耗的芯片产品,并推进产业化国内先 进工业控制、 电动汽车
5软恢复续流二极管芯片 的开发及产业化800.00736.721,037.75产品已大批量供货1、本项目针对中大功率 IGBT 模块中续流管的应用需求,进行 技术攻关,研发高耐压、低压降、国内先 进工业控制、 光伏、电动 汽车
      软快恢复的 FRD 芯片产品,并 推进产业化,可靠性满足 AQG324 标准 2、本项目针对 1200V 高功率 IGBT 模块中续流管的 应用需求,进行技术攻关,研发 高功率、低压降、软快恢复的芯 片产品,并推进产业化  
6电动汽车电机控制用国 产IGBT 模块研发项目2,000.001,095.842,206.672款产品试制中、3款产品 工艺已定型,5款产品已 大批量供货1、电压 750V、电流 820A,采 用 PINFIN 铜底板材料,并使用 铜超声键合工艺,低杂感设计, 高功率密度,可靠性满足 AQG324 标准 2、设计电压 650V、电流 400A, 采用低杂感设计,高功率密度的 模块 3、设计电压 650V、电流 600A, 完成产品设计,满足客户使用要 求,并最终批量化生产国内先 进电动汽车
7高效变频器用新型功率 半导体IGBT器件的研发 项目546.85132.04678.89已结项已结项国内先 进工业控制
8电动汽车SiC模块1,000.00991.301,422.981款产品试制中1、设计电压1200V、电流 300A-600A 2、提升性能、降低成本,进一 步增强公司优势产品的竞争力国内先 进电动汽车
合 计/10,846.856,427.8012,254.58////
情况说明


5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上期数
公司研发人员的数量(人)137113
研发人员数量占公司总人数的比例(%)19.9122.74
研发人员薪酬合计2,445.631,587.74
研发人员平均薪酬17.8513.81


研发人员学历结构 
学历结构类别学历结构人数
博士研究生2
硕士研究生19
本科及以下116
研发人员年龄结构 
年龄结构类别年龄结构人数
30岁以下(不含30岁)42
30-40岁(含30岁,不含40岁)71
40-50岁(含40岁,不含50岁)18
50-60岁(含50岁,不含60岁)4
60岁及以上2
注1:2020年度平均研发人员数量为81人,2021年度平均研发人员数量为115人,平均研发人员数量为按照各月份人数进行加权平均。研发人员平均薪酬以研发人员薪酬合计数除以平均研发人员数量核算。

注2: 2022年度公司研发人员的平均薪酬以研发人员薪酬合计数除以研发人员数量核算。以2022年度的统计口径计算,2021年度研发人员平均薪酬为14.05万元。


研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响
□适用 √不适用

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1.技术优势
IGBT作为一种功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,属于国家战略高新技术及核心关键技术。公司专注于功率半导体器件的研发和技术创新,始终坚持“关注需求、赋予价值、成就品牌”的研发理念,以技术自主创新为根基,以研发持续投入为保障,建立了完善的研发体系和强大的研发团队。公司已具备并掌握先进的IGBT、FRED芯片设计能力、工艺设计能力、模块的封装设计与制造能力、特性分析与可靠性研究能力、器件的应用研究与失效分析能力。公司自主研发设计的芯片是公司模块产品具有高性价比的主要竞争力之一。经过十七年的技术沉淀和积累,公司已在 IGBT、FRED领域的核心技术主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术;软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRED芯片设计及制造技术;高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。

2.产品优势
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产和销售,公司产品集中应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS、开关电源等),部分产品应用于新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电动汽车电控系统、电动汽车充电桩)等多元化领域。

目前,公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

3.客户优势
公司凭借先进的产品技术、可靠的产品质量和优质的服务与行业龙头企业及众多知名客户保持了良好的商业合作关系,同时依托龙头企业产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。

(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、风险因素
(一) 尚未盈利的风险
□适用 √不适用

(二) 业绩大幅下滑或亏损的风险
□适用 √不适用

(三) 核心竞争力风险
√适用 □不适用
1.技术升级及产品迭代风险
功率半导体器件行业技术不断升级,持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。

公司现有的技术存在被新的技术替代的可能。如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品,而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向,或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平,新产品研发失败,将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。


(四) 经营风险
√适用 □不适用
1.重要供应商依赖的风险
产品中的核心原材料中自研芯片采用Fabless模式委托芯片代工企业生产,外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片代工供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片,则可能导致公司产品无法及时、足量供应,进而对公司的经营业绩产生不利影响。

2.固定资产折旧的风险
随着公司改扩建项目的投产使用,在建工程将陆续转为固定资产,将会导致固定资产折旧费用的增加。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平,则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。


(五) 财务风险
√适用 □不适用
1.毛利率波动的风险
报告期内,公司主营业务毛利率为20.63%,公司原材料的成本占成本的比例超过78.00%,受2022年原材料价格上涨因素的影响以及募投项目投产后,资产折旧摊销会出现较快增长。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况,将导致公司综合毛利率下降。


(六) 行业风险
√适用 □不适用
1.市场竞争风险
国际市场上,经过60余年的发展,以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时,国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术,其研发投入强度也高于国内企业,在全球竞争中保持优势地位,几乎垄断工业控制、新能源、电动汽车等利润率较高的应用领域。

国内市场较为分散,市场化程度较高,各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场,并保持着较快的发展速度,这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧,公司如果研发效果不达预期,不能满足新兴市场及领域的要求,公司市场份额存在下降的风险。


(七) 宏观环境风险
√适用 □不适用
公司产品主要应用于工业控制、新能源、电动汽车等行业,如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响,半导体行业也将随之受到影响,从而对公司的销售和利润带来负面影响。


(八) 存托凭证相关风险
□适用 √不适用

(九) 其他重大风险
□适用 √不适用

五、报告期内主要经营情况
2022年公司实现营业收入92,608.38万元,同比增加68.18%;实现归属于母公司所有者的净利润7,870.81万元,同比增长14.35%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润6,037.67万元 ,同比增长40.49%。


(一) 主营业务分析
1. 利润表及现金流量表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入926,083,797.83550,636,072.2468.18
营业成本732,523,849.28431,852,047.7869.62
销售费用22,532,465.5914,745,809.4352.81
管理费用31,515,286.2518,179,926.9673.35
财务费用8,531,051.38-1,020,581.43不适用
研发费用64,277,954.2537,901,236.0969.59
经营活动产生的现金流量净额-81,394,059.48-74,074,929.28不适用
投资活动产生的现金流量净额-202,987,189.24-219,422,542.37不适用
筹资活动产生的现金流量净额184,401,158.31559,624,260.85-67.05
营业收入变动原因说明:主要系报告期内公司接受的订单饱满,整体产能提升。

营业成本变动原因说明:系报告期内销售收入增加,成本亦相应增加所致。

销售费用变动原因说明:主要系公司经营规模扩大,业务招待及宣传费增加所致。

管理费用变动原因说明:主要系公司规模扩大,管理人员数量增加,薪酬上升所致。

财务费用变动原因说明:主要系公司经营规模扩大,贷款金额增加致使利息支出增加。

研发费用变动原因说明:主要系研发人员薪酬增加,研发项目直接投入增加所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系公司偿还银行借款所致。


本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明
□适用 √不适用

2. 收入和成本分析
√适用 □不适用
2022年度全年公司实现营业收入 92,608.38万元,同比增长 68.18%,其中主营业务收入92,083.25万元,同比增长69.11%;营业成本73,252.38万元,同比增长69.62%,其中主营业务成本73,086.67万元,同比增长71.66%。


(1). 主营业务分行业、分产品、分地区、分销售模式情况
单位:元 币种:人民币

主营业务分行业情况      
分行业营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入 比上年增 减(%)营业成本 比上年增 减(%)毛利率比 上年增减 (%)
功率半导 体器件920,832,531.64730,866,676.5720.6369.1171.66减少1.18 个百分点
主营业务分产品情况      
分产品营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入 比上年增 减(%)营业成本 比上年增 减(%)毛利率比 上年增减 (%)
芯片15,861,075.7513,418,700.4715.40-7.119.41减少 12.77个 百分点
单管333,431,805.38260,258,362.5521.95124.53131.23减少2.26 个百分点
模块556,018,937.19447,664,431.5619.4958.0154.76增加0.28 个百分点
受托加工 业务15,520,713.329,525,181.9938.63-13.6916.05减少 15.72个 百分点
主营业务分地区情况      
分地区营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入 比上年增 减(%)营业成本 比上年增 减(%)毛利率比 上年增减 (%)
内销910,459,220.87721,747,451.0820.7372.6474.54减少0.86 个百分点
外销10,373,310.779,119,225.4912.09-39.48-25.60减少 16.94个 百分点
主营业务分销售模式情况      
销售模式营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入 比上年增营业成本 比上年增毛利率比 上年增减
    减(%)减(%)(%)
直销790,896,984.68625,613,107.6720.9069.9672.54减少1.18 个百分点
经销129,935,546.96105,253,568.9019.0064.1266.59减少1.2 个百分点
主营业务分行业、分产品、分地区、分销售模式情况的说明 (未完)
各版头条