[中报]盛美上海(688082):2023年半年度报告
原标题:盛美上海:2023年半年度报告 盛美半导体设备（上海）股份有限公司 2023年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析” 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人HUI WANG、主管会计工作负责人LISA YI LU FENG及会计机构负责人（会计主管人员）LISA YI LU FENG声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 35 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 37 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 41 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 58 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 62 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 62 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 64
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2023年 1-6月公司营业收入为 16.10亿元，同比增长 46.94%，主要原因是受益于国内半导体行业设备需求的不断增加，销售订单持续增长；新客户拓展、新市场开发等方面均取得一定成效；新产品得到客户认可，订单量稳步增长。 2023年 1-6月归属于上市公司股东的净利润同比增长 85.74%，主要原因是：1）公司主营业务收入和毛利增长，其中 2023年 1-6月半导体清洗设备以及其他半导体设备（电镀、立式炉管、无应力抛铜等设备）的营业收入均有较大增长；2）公司 2023年 1-6月投资收益较上期有较大幅度增长，其中主要是联营企业投资收益为 2,329.60万元，而上年同期为-0.07万元；3）公司 2023年 1-6月非经常性损益金额为 3,302.56万元，其中本期出售持有的中芯国际战略配售股票获取投资收益 1,887.38万元，本期持有的通富微电股票公允价值变动收益为 1,487.96万元；而上年同期非经常性损益金额为-2,083.58万元，其中主要是持有的中芯国际战略配售股票公允价值变动收益为-2,776.27万元。因此 2023年 1-6月归属于上市公司股东的净利润有较大幅度增长。 2023年 1-6月归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长 57.88%，主要原因：1）公司主营业务收入和毛利增长，其中 2023年 1-6月半导体清洗设备以及其他半导体设备（电镀、立式炉管、无应力抛铜等设备）的营业收入均有较大增长；2）公司 2023年 1-6月投资收益较上期有较大幅度增长，其中主要是联营企业投资收益为 2,329.60万元，而上年同期为-0.07万元。 2023年 1-6月经营活动产生的现金流量净额为-1.90亿元，同比好转主要是本期因销售回款较上期增加，以及因销售订单增长引起的本期预收货款增加所致。 2023年 1-6月基本每股收益 1.01元，较上年同期增长 83.64%；稀释每股收益 1.01元，较上年同期增长 87.04%；扣除非经常性损益后的基本每股收益 0.94元，较上年同期增长 59.32%。主要原因是公司主营业务收入和毛利增长所致。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所属行业情况 半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体涉及了汽车电子、人工智能、服务器芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业，半导体赋能的产业快速发展，对芯片产出的需求量也与日俱增。目前，半导体产业链中涉及材料、设备、制造等环节头部企业的垄断已经形成。近年来，尽管中国半导体产业因宏观环境等原因受到了些许影响，但中国仍是全球第一大半导体消费市场。2023年，我国集成电路产业发展外部环境更加严峻，国外出台的出口新政将对中国半导体装备行业带来很大的影响，但同时也带来了前所未有的机遇，将不断促进本国或本地区半导体产业的发展。 公司自设立以来，一直致力于为全球集成电路行业提供先进的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略，通过自主研发，建立了较为完善的知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了具有国际领先或先进水平的前道半导体工艺设备，包括清洗设备（包括单片、槽式、单片槽式组合、CO2超临界清洗、边缘和背面刷洗）、半导体电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD）、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。 公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有成熟的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借先进的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。 报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利。 公司连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，入选首批上海市科学技术委员会颁发的 “上海市集成电路先进湿法工艺设备重点实验室”。报告期内获得由上海市经济和信息化委员会、国家税务总局上海市税务局、上海市财政局、上海海关共同颁发“上海市企业技术中心”；荣获进门财经颁发的“2022年最佳机构覆盖IR团队”；2023年3月获得由中共浦东新区川沙镇委员会、浦东新区川沙新镇人民政府颁发的“2022年度公益慈善奖”；由上海市工业经济联合会、上海市经济团体联合会评估进入TBB上海制造业品牌价值榜/SFEO上海企业品牌成长榜；2023年5月获得由上海市集成电路行业协会颁发的“2022年度上海市集成电路内资半导体设备业销售前五名”，获得ISO 14001环境管理体系认证和ISO 45001职业健康安全管理体系认证；2023年6月荣获“张江镇2022年度企业安全生产工作先进单位”。 （二） 公司主营业务情况 1.主要业务 公司从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。 2.主要产品 公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备（包括单片、槽式、单片槽式组合、CO2超临界清洗、边缘和背面刷洗）、半导体电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD）、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。 （1）前道半导体工艺设备 ①清洗设备 A.SAPS兆声波单片清洗设备 晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。 而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。 公司自主研发的SAPS 兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。 B.TEBO兆声波单片清洗设备 公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。 公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。 C.高温单片SPM设备 随着技术节点推进到10nm及以下，工艺温度要求在145摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM 的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM 设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于先进逻辑、DRAM，3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其针对处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀、剥离工艺。 D.单片槽式组合清洗设备 公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除，刻蚀后清洗，离子注入后清洗，机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中温SPM清洗设备相媲美，与此同时，与单片清洗设备相比，还可大幅减少硫酸使用量，帮助客户降低了生产成本又能更好的符合节能减排的政策。该设备已完成客户端验证，进入量产阶段。 E.单片背面清洗设备 公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。 F.边缘湿法刻蚀设备 该设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。 G.前道刷洗设备 采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。 H.全自动槽式清洗设备 公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以先进的常压IPA干燥技术及先进的低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。 ②半导体电镀设备 A.前道铜互连电镀铜设备 公司自主开发针对28-14nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层（5nm）上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足先进工艺的镀铜需求。 B.三维堆叠电镀设备 应用于填充3d 硅通孔TSV和2.5d转接板的三维电镀设备Ultra ECP 3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。为提高产能而做的堆叠式腔体设计，该设备还能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。 C.新型化合物半导体电镀设备 2022年Ultra ECP GIII 电镀设备在客户实现量产，应用于背面深孔镀金和金互联线以及Cu-Ni-Au等领域。通过差异化的技术以及灵活的模块化设计，使新型化合物半导体电镀机的竞争力进一步提升。 ③立式炉管系列设备 公司研发的立式炉管设备主要包括LPCVD、氧化炉、扩散炉和炉管ALD。公司以Ultra Fn立式炉设备平台为基础，进一步推出了ALD（热原子层沉积）立式炉Ultra FnA。这款设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式ALD工艺的高端要求。在能满足原子层沉积工艺的同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。 ④前道涂胶显影Track设备 TM 公司的前道涂胶显影 Ultra Lith Track设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。 ⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD 设备 TM 公司的等离子体增强化学气相沉积Ultra Pmax PECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性，更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。 ⑥无应力铜互连平坦化设备 公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低 k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP智能抛光控制将直至阻挡层。再采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k 互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环实用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤；其三，可以将工艺扩展至新型材料钴（Co）和钌（Ru）作为阻挡层的铜低k/超低k互联结构中。 ⑦新型化合物半导体湿法工艺产品线 公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。 （2）后道先进封装工艺设备 ①先进封装电镀设备 公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm 超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。 ②涂胶设备 公司的升级版8/12 寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。 ③显影设备 公司的Ultra C dv 显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP 光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，能够实现精准的药液控制，技术先进，使用便捷。 ④湿法刻蚀设备 公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备先进的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性，专注安全性，且药液回收使用可减少成本。 ⑤湿法去胶设备 公司的Ultra C pr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。 该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。 ⑥金属剥离设备 公司的湿法金属剥离（Metal Lift off）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。 ⑦无应力抛光先进封装平坦化设备 公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高，晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液，抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm - 0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。 （3）硅材料衬底制造工艺设备 ①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备 公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。 ②Final Clean清洗设备 公司的Final Clean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在Pre Clean 步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 （1）核心技术情况 公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。 国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平，具体如下表所示：
①SAPS兆声波清洗技术 针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了 SAPS兆声波清洗2 技术。兆声波的工艺频率范围为 1-3MHz，最大功率可达 3W/cm。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在 2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。 ②TEBO兆声波清洗技术 随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片技术节点进一步延伸至 20nm以下，以及图形结构向多层 3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。 公司自主研发的 TEBO清洗设备，可适用于 28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司 TEBO清洗设备，在器件结构从 2D转换为 3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有 3D结构的 FinFET、DRAM和新兴 3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。 ③单片槽式组合 Tahoe高温硫酸清洗技术 公司研发的单片槽式组合 Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于 12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。综合了槽式和单片的优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证的良好的清洗效果，实现了绿色工艺，成本节约，环境友好的技术突破，解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。 ④无应力抛光技术 公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。 ⑤多阳极局部电镀技术 公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄仔晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护。 公司成功开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备Ultra ECP map及电镀工艺，整机设备已进入量产验证，并已部分实现产线量产，得到客户肯定，2022年获得大量重复批量订单，继续引领电镀设备国产化，确立了公司在本土12英寸铜互连电镀设备市场的龙头地位。 ⑥ECP电化学电镀技术 公司研发的 ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装 Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out和TSV中的铜、镍、锡、银、金等电镀工艺。（1）多阳极电镀技术基于多同心环阳极，并且独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，精确到毫秒级电镀电源控制响应，使电镀铜膜均匀度提高。并且采用独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场。（2）脉冲电镀技术，通过周期性的输出脉冲电流，能够有效克服原有直流电镀，大电流造成添加剂参与电镀反应消耗速度大于添加剂物质传输补充的速度的瓶颈，实现更高的电流密度。 依托上述多项核心技术，公司成功开发了先进封装电镀设备、三维TSV电镀设备和高速电镀设备，填补国内空白并形成批量销售。 ⑦Furnace立式炉管技术 立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂，薄膜氧化，高温退火；低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜。 公司研发的立式炉管设备可用于 12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：主要由晶圆传输模块，工艺腔体模块，气体分配模块，温度控制模块，尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。 ⑧涂胶显影Track技术 TM 公司推出前道涂胶显影Ultra Lith Track设备，采用公司具有全球专利申请保护的垂直交叉式架构，应用于300毫米前道集成电路制造工艺，可提供均匀的下降层流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的高产出及其他特定需求。该设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺。 公司研发的涂胶显影Track设备已经进入客户端验证阶段。 ⑨等离子体增强化学气相沉积技术 TM 公司推出Ultra Pmax PECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡TM 盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。Ultra Pmax PECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 截至2023年6月30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利413项，其中境内授权专利171项，境外授权专利242项，其中发明专利共计408项。该等在中国境内已授权的专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 2023年 1-6月研发投入总额为 2.40亿元，较上年同期研发投入总额增长 28.64%。主要是聘用的研发人员人数以及支付研发人员的薪酬增加，以及现有产品改进及工艺开发、新产品及新工艺开发导致的研发物料消耗等增加所致。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 √适用 □不适用 公司依据企业会计准则的规定，在研发项目满足特定条件后将相关研发投入予以资本化。本期研发投入资本化的比重较上年同期下降 6.50个百分点，主要是本期半导体清洗设备相关项目和立式炉管设备相关项目资本化的投入减少。 4. 在研项目情况 √适用 □不适用
5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，公司兆声波单片清洗设备、单片槽式组合清洗设备及铜互连电镀工艺设备与国内及国际同行业企业的差别及核心竞争力体现的具体情况如下：
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